JP2015160237A - 接合材料及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】特定の接合材料を使用した場合における接合後の信頼性をより高めた接合材料及び当該接合材料を用いて接合された半導体装置を提供する。【解決手段】Znを主成分として含有するZn系金属材1と、Zn系金属材1上に設けられたAlを主成分として含有するAl系金属材2と、Al系金属材2上に設けられたCu、Au、Ag又はSnを主成分として含有するX系金属材(Cu系金属材3)とを備えた接合材料10であって、Zn系金属材1には、熱膨張率が5以下の金属材料からなる金属粒子(インバー粒子4)が分散して存在している。【選択図】図1
Description
本発明は、接合材料及び当該接合材料を用いて接合された半導体装置に関する。
電機・電子機器の部品の電気的接合に使用されている接合材料であるはんだには、従来、鉛が含まれていた。しかし、2003年頃から、人体への有害性が指摘される鉛の使用を規制する動きが欧州を中心に広がり、鉛を含有しない、鉛フリー代替材料の開発が進められてきている。
はんだは、融点により高温、中温、低温の3種類に分けられる。このうち、高温はんだについては、市場要求(260℃耐熱性、高熱電導性、接合信頼性、低コスト)のすべてを満たす鉛フリー高温はんだが存在していなかった。
そこで、市場要求のすべてを満たす鉛フリー高温はんだの開発が求められており、開発されたものとして、特許文献1に記載の鉛フリー接合材料がある。
特許文献1に記載の鉛フリー接合材料は、優れた特性を有するものであるが、溶融・凝固後の組成がZn−Al−Cu合金となり、熱膨張係数が約30と大きい。そのため、接合後の温度サイクルにより生じる熱応力が大きくなるので、はんだやチップにクラックが入るおそれがある。ゆえに、クラックが入りにくくし、接合後の信頼性をより高める必要がある点で改善の余地があった。
そこで、本発明の目的は、特定の接合材料を使用した場合における接合後の信頼性をより高めた接合材料及び当該接合材料を用いて接合された半導体装置を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するために、下記[1]〜[8]の接合材料及び半導体装置を提供する。
[1]Znを主成分として含有するZn系金属材と、前記Zn系金属材上に設けられたAlを主成分として含有するAl系金属材と、前記Al系金属材上に設けられたCu、Au、Ag又はSnを主成分として含有するX系金属材とを備え、前記Zn系金属材には、熱膨張率が5以下の金属材料からなる金属粒子が分散して存在していることを特徴とする接合材料。
[2]前記熱膨張率が5以下の金属材料は、Fe−Ni系合金であることを特徴とする前記[1]に記載の接合材料。
[3]前記金属粒子の最大粒径は、300μm以下であることを特徴とする前記[1]又は[2]に記載の接合材料。
[4]前記接合材料の体積に占める前記金属粒子の体積の比率が20%以上70%以下であることを特徴とする前記[1]〜[3]の何れか1つに記載の接合材料。
[5]前記金属粒子は、その表面にNiめっき層を有することを特徴とする前記[1]〜[4]の何れか1つに記載の接合材料。
[6]前記接合材料は板状であり、前記Zn系金属材の片面若しくは両面に、前記Al系金属材、及び前記X系金属材が設けられている前記[1]〜[5]の何れか1つに記載の接合材料。
[7]前記接合材料は線状であり、前記Zn系金属材の外周に前記Al系金属材が被覆され、前記Al系金属材の外周に前記X系金属材が被覆されている前記[1]〜[5]の何れか1つに記載の接合材料。
[8]前記[1]〜[7]の何れか1つに記載の接合材料を用いてはんだ接合されたことを特徴とする半導体装置。
[2]前記熱膨張率が5以下の金属材料は、Fe−Ni系合金であることを特徴とする前記[1]に記載の接合材料。
[3]前記金属粒子の最大粒径は、300μm以下であることを特徴とする前記[1]又は[2]に記載の接合材料。
[4]前記接合材料の体積に占める前記金属粒子の体積の比率が20%以上70%以下であることを特徴とする前記[1]〜[3]の何れか1つに記載の接合材料。
[5]前記金属粒子は、その表面にNiめっき層を有することを特徴とする前記[1]〜[4]の何れか1つに記載の接合材料。
[6]前記接合材料は板状であり、前記Zn系金属材の片面若しくは両面に、前記Al系金属材、及び前記X系金属材が設けられている前記[1]〜[5]の何れか1つに記載の接合材料。
[7]前記接合材料は線状であり、前記Zn系金属材の外周に前記Al系金属材が被覆され、前記Al系金属材の外周に前記X系金属材が被覆されている前記[1]〜[5]の何れか1つに記載の接合材料。
[8]前記[1]〜[7]の何れか1つに記載の接合材料を用いてはんだ接合されたことを特徴とする半導体装置。
本発明によれば、特定の接合材料を使用した場合における接合後の信頼性をより高めた接合材料及び当該接合材料を用いて接合された半導体装置を提供することができる。
(接合材料の構成)
本発明の実施の形態に係る接合材料は、Znを主成分として含有するZn系金属材と、前記Zn系金属材上に設けられたAlを主成分として含有するAl系金属材と、前記Al系金属材上に設けられたCu、Au、Ag又はSnを主成分として含有するX系金属材とを備える。前記Zn系金属材には、熱膨張率が5以下の金属材料からなる金属粒子が分散して存在している。
本発明の実施の形態に係る接合材料は、Znを主成分として含有するZn系金属材と、前記Zn系金属材上に設けられたAlを主成分として含有するAl系金属材と、前記Al系金属材上に設けられたCu、Au、Ag又はSnを主成分として含有するX系金属材とを備える。前記Zn系金属材には、熱膨張率が5以下の金属材料からなる金属粒子が分散して存在している。
実施形態としては、主に板状のものと線状のものがあり、以下に板状の接合材料(第1の実施形態)及び線状の接合材料(第2の実施形態)についてそれぞれ説明する。
〔第1の実施形態〕
本発明の第1の実施形態に係る接合材料は板状であり、平角状の断面を有するZn系金属材の向かい合う一対の両面に、Al系金属材、及びX系金属材が順に設けられている。Zn系金属材の両面に設ける場合に限られず、Zn系金属材の片面にのみ、Al系金属材、及びX系金属材を順に設ける構成であってもよい。両面に設ける場合の一方の面は、Al系金属材のみを設ける構成であってもよい。
本発明の第1の実施形態に係る接合材料は板状であり、平角状の断面を有するZn系金属材の向かい合う一対の両面に、Al系金属材、及びX系金属材が順に設けられている。Zn系金属材の両面に設ける場合に限られず、Zn系金属材の片面にのみ、Al系金属材、及びX系金属材を順に設ける構成であってもよい。両面に設ける場合の一方の面は、Al系金属材のみを設ける構成であってもよい。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る接合材料の一例を模式的に示す断面図である。
図1に示される接合材料10は、Zn系金属材中に熱膨張率が5以下の金属材料からなる金属粒子が分散して存在している点を除き、前述の特許文献1に記載の図4に示される構成と同じであり、X系金属材として、Cuを例示したものである。具体的には、中央にZn系金属材1(以下、単にZnと記載することがある)、その両面にAl系金属材2(以下、単にAlと記載することがある)、各Al系金属材2上にCu系金属材3(以下、単にCuと記載することがある)を備えた積層材である。
Zn系金属材1は、Znを主成分(最も多く含まれる成分、以下同じ)としており、Znが90質量%以上であることが好ましい。すなわち、Zn単体、又は不純物が10質量%以下のZn合金が好ましい。
Zn系金属材1中に分散して存在している熱膨張率が5以下の金属材料からなる金属粒子としては、Fe−Ni系合金からなる粒子が好ましく、図1に示されるように、インバー粒子4(例えば熱膨張率が1〜2程度のインバーからなる粒子)が特に好ましい。MoやWからなる粒子を用いることもできる。
金属粒子の最大粒径は、はんだ厚が300μmを超えると熱抵抗が増大するため、300μm以下であることが好ましく、200μm以下であることがより好ましい。但し、小径化しすぎると、後述のはんだ厚を維持する効果が得られにくくなるため、10μm以上であることが好ましく、20μm以上であることがより好ましい。金属粒子の粒径が、Zn系金属材1の厚みの1/8〜7/8の範囲内のものを用いることが好ましく、厚みの1/4〜3/4の範囲内のものを用いることがより好ましい。
また、接合材料全体の体積に占める金属粒子の体積の比率が20%以上70%以下であることが好ましく、30%以上60%以下であることがより好ましい。上記範囲内の比率で金属粒子をZn系金属材1に存在させることにより、接合後にクラックが入りにくくなり、接合後の信頼性をより高めることができるとともに、熱伝導率が下がりすぎないようにすることができる。
また、金属粒子は、その成分(例えばFe合金ではFe成分)が接合材と反応し、非常に脆い金属間化合物を形成するため、その表面にNiめっき層を有していることが好ましい。
Al系金属材2は、Alを主成分としており、Alが90質量%以上であることが好ましい。すなわち、Al単体、又は不純物が10質量%以下のAl合金が好ましい。
X系金属材は、Cu、Au、Ag又はSnを主成分としており、Cu、Au、Ag又はSnが90質量%以上であることが好ましい。特に、図に示される、Cuを主成分としており、Cuが90質量%以上であるCu系金属材3であることが好ましい。すなわち、Cu単体、又は不純物が10質量%以下のCu合金が好ましい。例えば、無酸素銅、タフピッチ銅等の純銅や、3〜15質量ppmの硫黄と、2〜30質量ppmの酸素と、5〜55質量ppmのTiとを含む希薄銅合金等を使用することができる。
X/Al/Zn/Al/Xの5層構造については、溶融時に十分な液相を生じさせ、濡れを向上させる目的から5層構造の総厚は20μm以上が望ましい。また、接合部の熱抵抗を下げ、信頼性確保するため、5層構造の総厚は300μm以下にすることが望ましい。
また、X/Al/Znの3層構造の場合には、3層構造の総厚を20μm以上300μm以下にすることが望ましい。
(Alの合計の体積)/(Znの体積)は、1/60〜1/3であることが望ましい。また、382〜420℃の接合温度範囲内で、積層材全体を均一に溶融させるため、Al、Zn、Alの体積比は、Al:Zn:Al=1:6:1〜1:60:1の比率にすることが望ましい。さらに、溶融組織の均一性の観点から、Al:Zn:Al=1:8:1〜1:30:1の範囲がより望ましい。X/Al/Znの3層構造の場合には、Al、Znの体積比は、Al:Zn=1:3〜1:60の比率にすることが望ましい。なお、Znの体積には、Zn系金属材中に存在している金属粒子の体積は含まれない(以下、同様)。
また、X系金属材はZnとAlの酸化を防止する機能を持たせるため、一定以上の厚さが必要となる。一方、X系金属材は、ZnとAlが反応し溶融したZn−Al合金内に溶融し、Zn−Al−Cu合金を構成することになるが、元素XがZn−Al合金の硬さや融点に与える影響を最小限にとどめることが望ましい。そのため、X系金属材はZnとAlに比べて薄い必要がある。体積比は(Al+Zn+Al):(X+X)=1:0.0002〜0.2の比率にすることが望ましく、1:0.0005〜0.1の比率にすることがより望ましい。X/Al/Znの3層構造の場合には、体積比は(Zn+Al):X=1:0.0001〜0.1の比率にすることが望ましい。
(接合材料の製造方法)
次に、本実施の形態に係る接合材料の製造方法について説明する。
本実施の形態に係る接合材料は、クラッド圧延法、めっき法、又は蒸着法により製造することができる。詳細は、特許文献1(特開2012−71347号公報)に記載の方法により製造できるため、説明を省略する。
次に、本実施の形態に係る接合材料の製造方法について説明する。
本実施の形態に係る接合材料は、クラッド圧延法、めっき法、又は蒸着法により製造することができる。詳細は、特許文献1(特開2012−71347号公報)に記載の方法により製造できるため、説明を省略する。
但し、上記特許文献1に記載の製造方法において、熱膨張率が5以下の金属材料からなる金属粒子が分散して存在しているZn系金属材1を用いる点で異なる。当該Zn系金属材1は、例えば、亜鉛の鋳造工程においてインバー粒子4などの金属粒子を添加することで得ることができる。
(接合後の状態)
図2は、図1に示す接合材料を用いてチップ−リードフレーム間を接合した後の状態を模式的に示す断面図であり、本発明の実施の形態に係る接合材料を用いてはんだ接合された半導体装置における接合部の拡大図である。
図2は、図1に示す接合材料を用いてチップ−リードフレーム間を接合した後の状態を模式的に示す断面図であり、本発明の実施の形態に係る接合材料を用いてはんだ接合された半導体装置における接合部の拡大図である。
本実施の形態に係る接合材料を用いてはんだ接合した後、インバー粒子4は、図2に示されるように、凝固したZn−Al−Cu共晶中に分散して存在している。
〔第2の実施形態〕
本発明の第2の実施形態に係る接合材料は線状であり、円形状の断面を有する前記Zn系金属材の外周に前記Al系金属材が被覆され、前記Al系金属材の外周に前記X系金属材が被覆されている。
本発明の第2の実施形態に係る接合材料は線状であり、円形状の断面を有する前記Zn系金属材の外周に前記Al系金属材が被覆され、前記Al系金属材の外周に前記X系金属材が被覆されている。
図3は、本発明の第2の実施の形態に係るはんだ接合材料を模式的に示す断面図である。
図3に示される接合材料20は、X系金属材として、Cuを例示したものであり、Zn系金属材11と、Zn系金属材11の外周に被覆されたAl系金属材12と、Al系金属材12の外周に被覆されたCu系金属材13とを備える。
Zn系金属材11、Al系金属材12、及びX系金属材(Cu系金属材13)の材質は、第1の実施の形態におけるZn系金属材1、Al系金属材2、及びX系金属材(Cu系金属材3)の材質と同様である。
Zn系金属材11中に分散して存在している熱膨張率が5以下の金属材料からなる金属粒子(インバー粒子4)の材質も第1の実施の形態の場合と同様である。その表面にNiめっき層を有していることが好ましい点も同様である。
金属粒子の最大粒径は、はんだ厚が300μmを超えると熱抵抗が増大するため、300μm以下であることが好ましく、200μm以下であることがより好ましい。但し、小径化しすぎると、後述のはんだ厚を維持する効果が得られにくくなるため、10μm以上であることが好ましく、20μm以上であることがより好ましい。金属粒子の粒径が、Zn系金属材11の直径の1/8〜7/8の範囲内のものを用いることが好ましく、直径の1/4〜3/4の範囲内のものを用いることがより好ましい。
また、接合材料全体の体積に占める金属粒子の体積の比率が20%以上70%以下であることが好ましく、30%以上60%以下であることがより好ましい。上記範囲内の比率で金属粒子をZn系金属材11に存在させることにより、接合後にクラックが入りにくくなり、接合後の信頼性をより高めることができるとともに、熱伝導率が下がりすぎないようにすることができる。
Al系金属材12の体積は、Zn系金属材11の体積を1とすると、1/60〜1/3であることが好ましく、1/30〜1/3であることがより好ましい。Cu系金属材13の体積は、Zn系金属材11及びAl系金属材12の体積の合計を1とすると、1/5以下であることが好ましく、1/10以下であることがより好ましい。
なお、図3においては断面形状が円形状の実施形態を図示したが、これに限られず、楕円形状、平角形状等、種々の実施形態が可能である。
(接合材料の製造方法)
次に、本実施の形態に係る接合材料の製造方法について説明する。
Zn系金属材11の外周に、Al系金属材12を形成し、Al系金属材12上にさらにCu系金属材13を形成する。形成方法としては、特開2012−161821号公報に記載されるようなスパッタリングや蒸着が挙げられる。
次に、本実施の形態に係る接合材料の製造方法について説明する。
Zn系金属材11の外周に、Al系金属材12を形成し、Al系金属材12上にさらにCu系金属材13を形成する。形成方法としては、特開2012−161821号公報に記載されるようなスパッタリングや蒸着が挙げられる。
熱膨張率が5以下の金属材料からなる金属粒子が分散して存在しているZn系金属材11は、例えば、亜鉛の鋳造工程においてインバー粒子4などの金属粒子を添加することで得ることができる。
(接合後の状態)
第1の実施の形態の場合と同様に、本実施の形態に係る接合材料を用いてはんだ接合した後、インバー粒子4は、凝固したZn−Al−Cu共晶中に分散して存在している。
第1の実施の形態の場合と同様に、本実施の形態に係る接合材料を用いてはんだ接合した後、インバー粒子4は、凝固したZn−Al−Cu共晶中に分散して存在している。
(用途)
本発明の実施の形態に係る接合材料は、様々な構造の半導体装置のダイボンディング材料、リード材、封止用材料、絶縁基板の接合材料として使用できる。適用例としては、オルタネータ用ダイオード、IGBTモジュール、RFモジュール等のフロントエンドモジュール、自動車用パワーモジュール、LED、リチウムイオン電池の保護回路用MOSFET、DBC基板やDBA基板などのセラミック基板が挙げられる。ゆえに、本発明の実施の形態に係る接合材料を用いてはんだ接合された種々の半導体装置を得ることができる。
また、自動車用熱交換器等に用いられるアルミニウムブレージングシートのAl合金上に積層されるろう材として適用することも出来る。
本発明の実施の形態に係る接合材料は、様々な構造の半導体装置のダイボンディング材料、リード材、封止用材料、絶縁基板の接合材料として使用できる。適用例としては、オルタネータ用ダイオード、IGBTモジュール、RFモジュール等のフロントエンドモジュール、自動車用パワーモジュール、LED、リチウムイオン電池の保護回路用MOSFET、DBC基板やDBA基板などのセラミック基板が挙げられる。ゆえに、本発明の実施の形態に係る接合材料を用いてはんだ接合された種々の半導体装置を得ることができる。
また、自動車用熱交換器等に用いられるアルミニウムブレージングシートのAl合金上に積層されるろう材として適用することも出来る。
(実施の形態の効果)
本発明の実施の形態によれば、特定の接合材料におけるZn系金属材中に熱膨張率が5以下の金属材料からなる金属粒子を分散して存在させたため、接合材料の溶融・凝固後に当該金属粒子が低熱膨張材として機能し、接合部全体の熱膨張率を低減するので、接合部ないし被接合物にクラックを発生しにくくし、接合後の信頼性をより高めた接合材料を提供することができる。また、当該接合材料を用いて接合された半導体装置を提供することができる。
本発明の実施の形態によれば、特定の接合材料におけるZn系金属材中に熱膨張率が5以下の金属材料からなる金属粒子を分散して存在させたため、接合材料の溶融・凝固後に当該金属粒子が低熱膨張材として機能し、接合部全体の熱膨張率を低減するので、接合部ないし被接合物にクラックを発生しにくくし、接合後の信頼性をより高めた接合材料を提供することができる。また、当該接合材料を用いて接合された半導体装置を提供することができる。
また、高荷重ではんだ付けを行なった場合でも、金属粒子の粒径や存在比率を調整することによって、金属粒子がスペーサーとして機能し、一定のはんだ厚を維持することができるため、被接合物の傾きを抑制できる。
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず種々に変形実施が可能である。
10,20:接合材料
1、11:Zn、2、12:Al、3、13:Cu
4:インバー粒子、5:Zn−Al−Cu共晶、6:金属間化合物
30:リードフレーム、40:チップ
1、11:Zn、2、12:Al、3、13:Cu
4:インバー粒子、5:Zn−Al−Cu共晶、6:金属間化合物
30:リードフレーム、40:チップ
Claims (8)
- Znを主成分として含有するZn系金属材と、前記Zn系金属材上に設けられたAlを主成分として含有するAl系金属材と、前記Al系金属材上に設けられたCu、Au、Ag又はSnを主成分として含有するX系金属材とを備え、
前記Zn系金属材には、熱膨張率が5以下の金属材料からなる金属粒子が分散して存在していることを特徴とする接合材料。 - 前記熱膨張率が5以下の金属材料は、Fe−Ni系合金であることを特徴とする請求項1に記載の接合材料。
- 前記金属粒子の最大粒径は、300μm以下であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の接合材料。
- 前記接合材料の体積に占める前記金属粒子の体積の比率が20%以上70%以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の接合材料。
- 前記金属粒子は、その表面にNiめっき層を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の接合材料。
- 前記接合材料は板状であり、前記Zn系金属材の片面若しくは両面に、前記Al系金属材、及び前記X系金属材が設けられている請求項1〜5のいずれか1項に記載の接合材料。
- 前記接合材料は線状であり、前記Zn系金属材の外周に前記Al系金属材が被覆され、前記Al系金属材の外周に前記X系金属材が被覆されている請求項1〜5のいずれか1項に記載の接合材料。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の接合材料を用いてはんだ接合されたことを特徴とする半導体装置。
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