JP2015159223A - Post electrode, method of manufacturing post electrode and circuit board - Google Patents

Post electrode, method of manufacturing post electrode and circuit board Download PDF

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克 菊池
巌 若生
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巌 若生
実真 佐橘
Mima Sakitsu
実真 佐橘
俊行 荒井
Toshiyuki Arai
俊行 荒井
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a post electrode of a circuit board for mounting a semiconductor chip that can be manufactured in a manufacturing process not requiring highly accurate alignment, and is less likely to be peeled off from the circuit board even if heat stress is applied.SOLUTION: A post electrode formed on a circuit board 1 for mounting a semiconductor chip becomes thinner as it recedes from the circuit board toward the semiconductor chip.

Description

半導体チップを実装するための回路基板に関する。更には、回路基板に形成するポスト電極に関する。   The present invention relates to a circuit board for mounting a semiconductor chip. Furthermore, it is related with the post electrode formed in a circuit board.

LSIなどの半導体チップの電極の狭ピッチ化の進展に伴って、はんだによるショートが発生し易くなる問題を回避する目的で使用するはんだの量を低減すると、半導体チップとそれを実装するための回路基板の間のギャップが狭くなることから、フラックスの洗浄性が不十分になる問題やアンダーフィルの充填性が悪くなる問題が新たに発生する。   With the progress of narrowing the pitch of electrodes of semiconductor chips such as LSIs, reducing the amount of solder used for the purpose of avoiding the problem that solder shorts are likely to occur will reduce the semiconductor chip and the circuit for mounting it. Since the gap between the substrates becomes narrow, a problem that the cleaning property of the flux is insufficient and the problem that the filling property of the underfill is deteriorated newly occur.

半導体チップと回路基板のギャップを確保するため、半導体チップ側の電極および回路基板側の電極の両方またはいずれか一方にポスト電極(ポスト形状の電極端子)を形成する技術が開発されている。   In order to secure a gap between the semiconductor chip and the circuit board, a technique for forming a post electrode (post-shaped electrode terminal) on both or either of the electrode on the semiconductor chip side and the electrode on the circuit board side has been developed.

例えば、特許文献1および2には、回路基板にポスト電極を形成した技術が開示されているが、ソルダーレジスト開口部とのパターンの位置合わせが必要となるため、狭ピッチ化が進行するのに伴い、その開口部とポスト電極の位置合わせ精度が厳しくなり、安定した製造が困難になる問題を持っている。   For example, Patent Documents 1 and 2 disclose a technique in which a post electrode is formed on a circuit board. However, since it is necessary to align a pattern with a solder resist opening, the pitch is reduced. Along with this, the positioning accuracy of the opening and the post electrode becomes strict, and there is a problem that stable manufacturing becomes difficult.

また、特許文献3には、ソルダーレジスト開口部とポスト電極の位置合わせが不要な技術が開示されているが、絶縁部材から突出するポスト電極が均一な直径を持っており、応力により剥離し易く、剥がれ易い問題を持っている。   Patent Document 3 discloses a technique that does not require positioning of the solder resist opening and the post electrode. However, the post electrode protruding from the insulating member has a uniform diameter and is easily peeled off by stress. , Have a problem that is easy to peel off.

特許第5011329号公報Japanese Patent No. 5011329 特開2012−231130号公報JP 2012-231130 A 特許第5258716号公報Japanese Patent No. 5258716

本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、高精度な位置合わせを行う必要が無い製造工程で製造することが可能な、半導体チップを搭載するための回路基板のポスト電極であって、熱ストレスにより応力が加わっても回路基板から剥がれ難いポスト電極を提供することを課題とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and can be manufactured in a manufacturing process that does not require high-precision alignment, and can be manufactured by a post electrode on a circuit board for mounting a semiconductor chip. An object of the present invention is to provide a post electrode that does not easily peel off from a circuit board even when stress is applied by thermal stress.

上記の課題を解決するための手段として、請求項1に記載の発明は、半導体チップを実装するための回路基板に形成されたポスト電極であって、前記ポスト電極は前記回路基板から前記半導体チップに近い部位ほど細いことを特徴とするポスト電極である。   As a means for solving the above problems, the invention according to claim 1 is a post electrode formed on a circuit board for mounting a semiconductor chip, the post electrode from the circuit board to the semiconductor chip. This is a post electrode characterized in that the portion closer to is thinner.

また、請求項2に記載の発明は、支持体の表面に絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記絶縁樹脂層にビアホールを形成する工程であって、深い部位ほど細い形状のビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内にパッド電極を形成すると共に、絶縁樹脂層に多層配線部を形成する工程と、
前記支持体を除去する工程と、
前記絶縁樹脂層を除去することにより、前記パッド電極を露出させてポスト電極を形成する工程と、
を備えていることを特徴とするポスト電極の製造方法である。
The invention according to claim 2 includes a step of forming an insulating resin layer on the surface of the support,
A step of forming a via hole in the insulating resin layer, a step of forming a narrower via hole in a deeper portion;
Forming a pad electrode in the via hole and forming a multilayer wiring portion in the insulating resin layer;
Removing the support;
Removing the insulating resin layer to expose the pad electrode to form a post electrode;
It is the manufacturing method of the post electrode characterized by comprising.

また、請求項3に記載の発明は、前記ポスト電極を露出させる工程が、絶縁樹脂層をレーザーアブレーションすることに工程であることを特徴とする請求項2に記載のポスト電極の製造方法である。   The invention described in claim 3 is the method for manufacturing a post electrode according to claim 2, wherein the step of exposing the post electrode is a step of laser ablating the insulating resin layer. .

ポスト電極の形状をテーパ形状とすることにより、ポスト電極に応力がかかっても、剥離し難いポスト電極を持つ回路基板を提供することが可能となる。   By making the post electrode into a tapered shape, it is possible to provide a circuit board having a post electrode that is difficult to peel off even when stress is applied to the post electrode.

本発明の回路基板の一例を示す概略断面図。1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a circuit board of the present invention. 本発明の回路基板の製造工程の一例を示す概略断面図であって、(a)は使用する支持体の例を示す概略断面図、(b)は支持体の表裏面に絶縁樹脂層を形成後、ビアホールを形成した状態の一例を示す概略断面図、(c)は(b)の後、無電解めっきおよび電解めっきを全面に施した後、その銅めっき層をパターニングして銅パターンを形成した状態、をそれぞれ示している。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic sectional drawing which shows an example of the manufacturing process of the circuit board of this invention, Comprising: (a) is a schematic sectional drawing which shows the example of the support body to be used, (b) forms an insulating resin layer in the front and back of a support body After, schematic sectional view showing an example of a state in which a via hole is formed, (c) after (b), after applying electroless plating and electrolytic plating to the entire surface, the copper plating layer is patterned to form a copper pattern Each state is shown. 図2に示した本発明の回路基板の製造工程の後に続く製造工程を説明する概略断面図であって、(d)は(b)〜(c)を繰り返すことによって絶縁樹脂層と銅パターンの積層体を形成し、表裏の最表面にソルダーレジスト層を形成した後、パッド電極部に開口部を形成した状態、(e)は図3(d)の後、支持体の表裏面にあるピーラブル銅箔の剥離面から絶縁樹脂層と銅パターンの積層体を剥離した状態、(f)は剥離した絶縁樹脂層と銅パターンの積層体の剥離面にあった銅層を除去し、その下地の絶縁樹脂層が露出した状態、(h)は(f)で露出した絶縁樹脂層をある厚さで除去し、ポスト電極を露出させた状態、をそれぞれ示している。It is a schematic sectional drawing explaining the manufacturing process which follows the manufacturing process of the circuit board of this invention shown in FIG. 2, Comprising: (d) is an insulating resin layer and a copper pattern by repeating (b)-(c). After forming the laminate and forming the solder resist layer on the outermost surface of the front and back, the state where the opening is formed in the pad electrode portion, (e) is the peelable on the front and back surfaces of the support after FIG. The state where the laminate of the insulating resin layer and the copper pattern is peeled off from the peeled surface of the copper foil, (f) is the removal of the copper layer on the peeled surface of the peeled insulating resin layer and the copper pattern laminate, The state in which the insulating resin layer is exposed, and (h) shows the state in which the insulating resin layer exposed in (f) is removed with a certain thickness and the post electrode is exposed.

図面に基づいて本発明の回路基板とその製造方法について説明する。
図1は、本発明の回路基板1の一例を示す概略断面図である。本発明の回路基板1はプリント配線板と接続する側はソルダーレジスト8によって被覆されており、電気的に接続するための最表面にあるパッド電極7の部位はソルダーレジスト8の開口部となっており、プリント配線板の電極とはんだにより接続可能となっている。
The circuit board of the present invention and the manufacturing method thereof will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of a circuit board 1 of the present invention. The circuit board 1 of the present invention is covered with a solder resist 8 on the side connected to the printed wiring board, and the portion of the pad electrode 7 on the outermost surface for electrical connection becomes an opening of the solder resist 8. It can be connected to the electrodes of the printed wiring board by soldering.

本発明の回路基板1のもう一方の面には、半導体チップのパッド電極と電気的に接続するためのポスト電極3が形成されており、それ以外は絶縁樹脂層2によって被覆されている。また、ビルドアップ工法により積層された多層配線部9には、各絶縁樹脂層に必要に応じて配線(図示せず)と層間接続部が形成されている。   On the other surface of the circuit board 1 of the present invention, a post electrode 3 for electrical connection with a pad electrode of a semiconductor chip is formed, and the others are covered with an insulating resin layer 2. Further, in the multilayer wiring portion 9 laminated by the build-up method, wiring (not shown) and an interlayer connection portion are formed in each insulating resin layer as necessary.

本発明においては、半導体チップのパッド電極と電気的に接続するためのポスト電極3がテーパ形状であることが特徴である。テーパ形状とは、回路基板1から半導体チップに近づくに従って、ポスト電極3が細くなることを示している。例えば、ポスト電極3が円柱状ではなく、円錐台である場合が該当する。   The present invention is characterized in that the post electrode 3 for electrical connection with the pad electrode of the semiconductor chip has a tapered shape. The taper shape indicates that the post electrode 3 becomes thinner as it approaches the semiconductor chip from the circuit board 1. For example, the case where the post electrode 3 is not a columnar shape but a truncated cone corresponds.

ポスト電極3に回路基板1の表面と平行な面に沿って力が働いた場合、ポスト電極3の形状が円柱である場合と円錐台である場合とでは、高さや底面の直径が同じでも、円錐台の方が、ポスト電極3を下地から引き剥そうとする力は弱くなる。   When a force is applied to the post electrode 3 along a plane parallel to the surface of the circuit board 1, the post electrode 3 has a cylindrical shape and a truncated cone shape with the same height and bottom diameter, In the truncated cone, the force to peel off the post electrode 3 from the base is weakened.

そのため、回路基板1に半導体チップを実装する時やプリント配線板に回路基板1を実
装する時にかかる熱ストレスがかかっても、ポスト電極3が回路基板1から剥離し難くなる。
Therefore, the post electrode 3 is difficult to peel off from the circuit board 1 even when a thermal stress is applied when the semiconductor chip is mounted on the circuit board 1 or when the circuit board 1 is mounted on the printed wiring board.

次に、図2と図3を用いて、本発明の回路基板1の製造方法について説明する。
図2(a)は、本発明の回路基板1の製造に用いる支持体4の概略断面図の例を示している。この支持体4には、例えば、表裏にピーラブル銅箔5を、接着する面を向かい合わせにしてプリプレグを接着層として接着したものを使用することができる。ピーラブル銅箔5は、後で剥離可能にするために使用するものであり、通常18μm程度の支持体銅箔に剥離層を介して2μm〜5μm程度の極薄銅箔が貼り合わされたものである。この支持体銅箔側を向かい合わせにして接着する。プリプレグを接着層として使用したが、支持体として十分な剛性がある基材の表裏面に剥離層を介して極薄銅箔を接着したものであれば使用することができる。また、支持体4には、その後の工程で必要なアライメントマークやガイドホールなどを設けても良い。
Next, the manufacturing method of the circuit board 1 of this invention is demonstrated using FIG. 2 and FIG.
Fig.2 (a) has shown the example of the schematic sectional drawing of the support body 4 used for manufacture of the circuit board 1 of this invention. For this support 4, for example, a peelable copper foil 5 can be used on the front and back, and the prepreg bonded as an adhesive layer with the surfaces to be bonded facing each other. The peelable copper foil 5 is used in order to make it peelable later, and usually an ultrathin copper foil of about 2 μm to 5 μm is bonded to a support copper foil of about 18 μm via a release layer. . The support copper foil sides are bonded face to face. Although the prepreg was used as an adhesive layer, any prepreg may be used as long as an ultrathin copper foil is bonded to the front and back surfaces of a substrate having sufficient rigidity as a support via a release layer. In addition, the support 4 may be provided with an alignment mark, a guide hole, or the like necessary for the subsequent steps.

また、支持体4に使用できる材料としては、エッチングにて除去できる金属や銅箔を両面に設けた積層基板を使用することも可能である。
エッチングにて除去できる金属としては、Cu、Fe、Mn、Al、Ni、Cr、ステンレスを主体とした金属もしくは合金を使用することができる。後の工程で分離できるように、複数の金属を外周のみ接着させた構成を用いても良い。また1枚の場合は、スライサーやウォーターカッターを用いて切断しても良い。
Moreover, as a material which can be used for the support body 4, it is also possible to use the laminated substrate which provided the metal and copper foil which can be removed by etching on both surfaces.
As a metal that can be removed by etching, a metal or alloy mainly composed of Cu, Fe, Mn, Al, Ni, Cr, and stainless steel can be used. A structure in which a plurality of metals are bonded only at the outer periphery may be used so that they can be separated in a later step. In the case of one sheet, it may be cut using a slicer or a water cutter.

銅箔を両面に設けた積層基板を用いる場合は、複数の銅箔を重ねて分離できる領域を持たせる構成でもよく、上記のピーラブル銅箔を用いても良い。厚みや剛性の制御のため、コア材にプリプレグを重ねた構成にしても良い。その場合、コア材に銅箔などの積層に必要なアライメントパターンを設けても構わない。   When using the laminated substrate which provided copper foil on both surfaces, the structure which has the area | region which can overlap and isolate | separate several copper foil may be sufficient, and said peelable copper foil may be used. In order to control the thickness and rigidity, a configuration in which a prepreg is stacked on a core material may be used. In that case, you may provide the alignment pattern required for lamination | stacking, such as copper foil, in a core material.

図2(b)は、図2(a)の支持体4の表裏のピーラブル銅箔5の表面に絶縁樹脂層2を形成した後にビアホール6を形成した状態を示している。ビアホール6の形成方法としては、感光性の絶縁樹脂を使用した場合は、フォトリソ方式による加工が可能であるが、非感光性の絶縁樹脂を使用した場合は、レーザー加工やビアホールに対応した凸部を持つ金型を押圧する方法を採用することも可能である。ビアホールを形成した時に、支持体4の銅箔がビアホールの底部に露出した状態にする。必要であれば、デスミアなどの処理を行っても良い。   FIG. 2B shows a state in which the via hole 6 is formed after the insulating resin layer 2 is formed on the surface of the peelable copper foil 5 on the front and back of the support 4 in FIG. As a method for forming the via hole 6, when a photosensitive insulating resin is used, processing by a photolithography method is possible, but when a non-photosensitive insulating resin is used, a convex portion corresponding to laser processing or a via hole is used. It is also possible to employ a method of pressing a mold having When the via hole is formed, the copper foil of the support 4 is exposed at the bottom of the via hole. If necessary, processing such as desmear may be performed.

絶縁樹脂層2の形成は、フィルム状またはシート状の絶縁樹脂材料を支持体4の表裏面に真空ラミネータや真空プレス機によって実施することができる。   The insulating resin layer 2 can be formed on the front and back surfaces of the support 4 with a film or sheet insulating resin material using a vacuum laminator or a vacuum press.

絶縁樹脂層2の材料としては、エポキシ系、アクリル系、ウレタン系、エポキシアクリレート系、フェノールエポキシ系、ポリイミド系、ポリアミド系、シアネート系、液晶系を主体とした有機樹脂や、これらの樹脂をガラスやポリアミド、液晶などからなる補強繊維に含浸させた材料でも良い。またこれらにシリカやブチル系有機材料や炭酸カルシウムなどのフィラーを含んでいても良い。   As the material of the insulating resin layer 2, an epoxy resin, an acrylic resin, a urethane resin, an epoxy acrylate resin, a phenol epoxy resin, a polyimide resin, a polyamide resin, a cyanate resin, an organic resin mainly composed of a liquid crystal resin, and these resins are made of glass. Alternatively, a material impregnated in a reinforcing fiber made of polyamide, liquid crystal, or the like may be used. Further, they may contain a filler such as silica, butyl organic material or calcium carbonate.

図2(c)は、図2(b)で形成されたビアホール6を含む表面にパッド電極7を含む配線パターンを形成した状態を示している。配線パターンの形成方法としては、サブトラクト法またはセミアディティブ法を採用することができる。   FIG. 2C shows a state in which a wiring pattern including the pad electrode 7 is formed on the surface including the via hole 6 formed in FIG. As a method for forming the wiring pattern, a subtracting method or a semi-additive method can be employed.

図3(d)は、図2(c)の後、絶縁樹脂層2の形成、ビアホール6の形成、配線パターンの形成、を繰り返すことによって多層配線を形成することによって、絶縁樹脂層2とパッド電極7を含む配線パターンを形成した多層配線部9を表裏面に形成した後、その最表面にソルダーレジスト8を形成し、パッド電極7を露出するための開口部を形成した状態を示している。   In FIG. 3D, the insulating resin layer 2 and the pad are formed by forming a multilayer wiring by repeating the formation of the insulating resin layer 2, the formation of the via hole 6, and the formation of the wiring pattern after FIG. 2C. After the multilayer wiring part 9 in which the wiring pattern including the electrode 7 is formed is formed on the front and back surfaces, a solder resist 8 is formed on the outermost surface, and an opening for exposing the pad electrode 7 is formed. .

ソルダーレジスト8の形成は、ロールコータやスクリーン印刷装置によってソルダーレジストインクを塗布後、クリーンオーブンなどに入れて乾燥することにより溶剤分を揮発させ、常温に戻してからフォトリソグラフィー法によりパターンを形成することでパッド電極7に開口部を設けた後、硬化処理として熱キュアやUVキュアを必要に応じて実施することにより行うことができる。   The solder resist 8 is formed by applying a solder resist ink with a roll coater or a screen printing apparatus, then putting it in a clean oven or the like to dry the solvent, volatilizing it to room temperature, and then forming a pattern by photolithography. Thus, after providing an opening in the pad electrode 7, it can be performed by performing thermal curing or UV curing as necessary as a curing process.

図3(e)は、図3(d)において、表裏面の多層配線部9をピーラブル銅箔5によって支持体4から剥離した状態を示している。   FIG. 3 (e) shows a state where the multilayer wiring portions 9 on the front and back surfaces are peeled from the support 4 by the peelable copper foil 5 in FIG. 3 (d).

支持体4からの剥離は、ピーラブル銅箔5を使用した場合でも、またピーラブル銅箔5を使用せずに、複数の銅箔を重ねて分離できる領域を持たせた構造において支持体4の外周部に接着部分を設けた場合でも、支持体4の外周部を切断することにより、ピーラブル銅箔の場合はその接着面を露出させることによって、また1枚の金属板などの場合はスライサーやウォーターカッターなどにより厚み方向で分割させることによって、また複数の銅箔を重ねて分離できる領域を持たせた構造においても、実施することができる。   The peeling from the support 4 can be performed by using the outer periphery of the support 4 in a structure in which a plurality of copper foils can be overlapped and separated without using the peelable copper foil 5. Even when an adhesive part is provided on the part, by cutting the outer peripheral part of the support 4, in the case of peelable copper foil, the adhesive surface is exposed, and in the case of a single metal plate, a slicer or water It can also be implemented in a structure having a region where a plurality of copper foils can be separated by being overlapped by dividing in the thickness direction with a cutter or the like.

図3(f)は、図3(e)で剥離した表裏の多層配線部9のピーラブル銅箔に面した部位に残留した極薄銅箔(厚さ2〜5μm)をウェットエッチングにより除去した状態を示している。この時に、最初に形成されたビアホールの底面に相当する部位に形成された端子が露出し、ポスト電極の頭頂部が露出した形になる。ウェットエッチングはこの端子(ポスト電極の頭頂部)が過剰にエッチングされないように実施し、絶縁樹脂2とパッド電極7のピーラブル銅箔5に面していた部位が面一になるようにする。   FIG. 3 (f) shows a state in which the ultrathin copper foil (thickness 2 to 5 μm) remaining in the portion facing the peelable copper foil of the multilayer wiring portion 9 on the front and back surfaces separated in FIG. 3 (e) is removed by wet etching. Is shown. At this time, the terminal formed at the portion corresponding to the bottom surface of the via hole formed first is exposed, and the top of the post electrode is exposed. The wet etching is performed so that the terminal (the top of the post electrode) is not excessively etched so that the portions of the insulating resin 2 and the pad electrode 7 facing the peelable copper foil 5 are flush with each other.

図3(h)は、図3(f)の状態から絶縁樹脂層2を除去することによって、パッド電極7のピーラブル銅箔5に面していた側で、絶縁樹脂層2に埋没していた部位を露出させることにより、絶縁樹脂層2から突出した電極であるポスト電極3を形成した状態を示している。なお、絶縁樹脂層2の除去は、多層配線部9が露出しない深さとすることが望ましい。   In FIG. 3 (h), the insulating resin layer 2 was removed from the state of FIG. 3 (f), so that the pad electrode 7 was buried in the insulating resin layer 2 on the side facing the peelable copper foil 5. The state where the post electrode 3 that is an electrode protruding from the insulating resin layer 2 is formed by exposing the portion is shown. It is desirable that the insulating resin layer 2 be removed to a depth that does not expose the multilayer wiring portion 9.

絶縁樹脂層2を除去する方法としては、レーザーアブレーションのほか、サンドブラスト、ウェットブラスト、パウダーブラスト、などのブラスト法、RIE(Reactive Ion Etching)、IBE(Ion Beam Etching)などドライエッチングにて実施しても良い。レーザーアブレーションやブラスト法は、ポスト電極3の底部側壁部の絶縁樹脂にテーパが設け易いため好適である。
また必要に応じてポスト電極3に、Au/Ni、Au/Pd/Ni、Sn、OSP、はんだ、などの表面処理を実施しても良い。
As a method for removing the insulating resin layer 2, in addition to laser ablation, blasting methods such as sand blasting, wet blasting, and powder blasting, dry etching such as RIE (Reactive Ion Etching), IBE (Ion Beam Etching), etc. Also good. Laser ablation or blasting is suitable because it is easy to taper the insulating resin on the bottom side wall of the post electrode 3.
Further, the post electrode 3 may be subjected to a surface treatment such as Au / Ni, Au / Pd / Ni, Sn, OSP, or solder, as necessary.

本発明のポスト電極3の形状は、例えば円錐台である。その理由は、絶縁樹脂層2を例えばレーザー加工してビアホールを形成すると逆円錐台になる。それを上下反転させた形状としてポスト電極3を形成するため、円錐台となる。金型を用いて絶縁樹脂層に押圧してビアホールを形成する場合も、逆円錐台でなければ加工することはできないため、レーザー加工の場合と同じ状況になる。ここで、ポスト電極3の形状は円錐台に限定するものではなく、回路基板1から半導体チップに近い部位ほど細くなっていればどのような形状であっても良い。   The shape of the post electrode 3 of the present invention is, for example, a truncated cone. The reason is that when the insulating resin layer 2 is laser processed, for example, to form a via hole, an inverted truncated cone is formed. Since the post electrode 3 is formed as a shape obtained by inverting it vertically, it becomes a truncated cone. Even when the via hole is formed by pressing the insulating resin layer using a mold, it cannot be processed unless it is an inverted truncated cone, so that the situation is the same as in the case of laser processing. Here, the shape of the post electrode 3 is not limited to a truncated cone, and may be any shape as long as the portion closer to the semiconductor chip from the circuit board 1 is thinner.

また、配線パターンを形成するために使用されるセミアディティブ法は、薄い無電解めっき層を、ビアホールを形成した絶縁樹脂層全体に形成した後、その上にレジストパターンを形成し、電解めっきを施した後、レジストパターンを剥離し、レジストパターンの下地にある薄い無電解めっき層をフラッシュエッチングすることによりパッド電極や配線パターンを形成する。この場合、無電解めっきと電解めっきとの界面で剥離し易い。   In addition, the semi-additive method used to form a wiring pattern is to form a thin electroless plating layer over the entire insulating resin layer in which via holes are formed, and then form a resist pattern on the insulating resin layer and apply electrolytic plating. After that, the resist pattern is peeled off, and a thin electroless plating layer under the resist pattern is flash-etched to form a pad electrode and a wiring pattern. In this case, it is easy to peel off at the interface between electroless plating and electrolytic plating.

一方本発明では、ポスト電極3は電解めっきだけで形成されているため、剥離し易い無電解めっき層と電解めっき層の界面で剥離するということは無い。また絶縁樹脂層2に埋没しているポスト電極の部位は、露出している部位より太くなっているため、ポスト電極3は絶縁樹脂層2に保持されるため、剥離し難くなり倒れ難いものとなる。   On the other hand, in the present invention, since the post electrode 3 is formed only by electroplating, it does not peel off at the interface between the electroless plating layer and the electroplating layer that are easily peeled off. Further, since the portion of the post electrode buried in the insulating resin layer 2 is thicker than the exposed portion, the post electrode 3 is held by the insulating resin layer 2, and thus it is difficult to peel off and to fall easily. Become.

次に、実施例を用いて本発明を更に詳細に説明する。
<実施例>
(回路基板の作製)
ガラスクロスを含む0.4mm厚のFR−4をコア材とし、その表裏面に0.07mm厚のプリプレグとピーラブル銅箔(極薄銅箔:5μm厚、支持体銅箔:18μm)を用い、極薄銅箔側を外側にして積層し、支持体とした。
次に、その支持体の表裏面に、絶縁樹脂フィルム(ABF−GX13:味の素社製)を、真空ラミネータを使用してラミネートすることにより絶縁樹脂層を形成した。
次に、UVレーザを用いてビアホールの底部開口がφ45μmで、絶縁樹脂層の表面に向かって太くなる逆円錐台の形状のビアホールを形成した。
次に、セミアディティブ法を用いて配線を形成した。ビアホールは銅めっきにより充填した。
本実施例では、7層配線となるように、絶縁樹脂フィルムのラミネートからセミアディティブ法による配線形成およびビアホールの銅めっき充填までの一連の工程を繰り返すことにより、多層配線部を形成した。
次に、そのようにして作製した表裏面の多層配線部の表面にソルダーレジスト(PSR−4000 AUS700シリーズ:太陽インキ社製)を、ロールコータを用いて塗布し、70℃で乾燥後、露光・現像工程を通すことによりパッド電極の開口部を形成した。
次に、180℃で熱硬化後に1000mJ/cmのUV処理を行い、ソルダーレジストの絶縁化を行った。
次に、このようにして作製した物品の外周部をスライサーを用いて切断することによって、ピーラブル銅箔の極薄銅箔と支持体銅箔の界面の端部を露出させ、その接着層で剥離し、表裏の多層配線部を分離した。
この分離によって露出した多層配線部の支持体側の面は極薄銅箔(5μm厚)が露出した状態であり、これをウェットエッチングにより除去した。このようにして、ビアホールの底部である銅端子が露出した。
次に、レーザーアブレーションにて、露出した銅端子面の絶縁樹脂層を表面から10μmの厚さで除去した。このようにして、露出したビアホールの底部がポスト電極である。(回路基板の評価)
このようにして作製した回路基板のポスト電極は、上部ほど細くなる円錐台の形状となった。この回路基板に半導体チップを実装し、更に半導体チップを実装した回路基板をプリント配線板に実装したが、ポスト電極に不具合は発見できなかった。
Next, the present invention will be described in more detail using examples.
<Example>
(Production of circuit board)
Using 0.4 mm thick FR-4 containing glass cloth as a core material, using 0.07 mm thick prepreg and peelable copper foil (ultra thin copper foil: 5 μm thickness, support copper foil: 18 μm) on the front and back surfaces, Lamination was carried out with the ultrathin copper foil side facing out, to form a support.
Next, an insulating resin layer was formed by laminating an insulating resin film (ABF-GX13: manufactured by Ajinomoto Co., Inc.) on the front and back surfaces of the support using a vacuum laminator.
Next, using a UV laser, a via hole having an inverted truncated cone shape having a bottom opening of φ45 μm and becoming thicker toward the surface of the insulating resin layer was formed.
Next, wiring was formed using a semi-additive method. The via hole was filled with copper plating.
In this example, a multilayer wiring portion was formed by repeating a series of steps from laminating an insulating resin film to forming a wiring by a semi-additive method and filling a via hole with copper plating so as to form a seven-layer wiring.
Next, a solder resist (PSR-4000 AUS700 series: manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd.) is applied to the surface of the multilayer wiring portion on the front and back surfaces thus produced, dried at 70 ° C., and exposed to light. The opening of the pad electrode was formed by passing through a development process.
Next, after heat curing at 180 ° C., 1000 mJ / cm 2 UV treatment was performed to insulate the solder resist.
Next, by cutting the outer peripheral portion of the article thus prepared using a slicer, the end of the interface between the ultra-thin copper foil of the peelable copper foil and the support copper foil is exposed and peeled off by the adhesive layer Then, the multilayer wiring parts on the front and back sides were separated.
The surface on the support side of the multilayer wiring portion exposed by this separation is in a state where an ultrathin copper foil (5 μm thickness) is exposed, and this was removed by wet etching. Thus, the copper terminal which is the bottom of the via hole was exposed.
Next, the exposed insulating resin layer on the copper terminal surface was removed from the surface with a thickness of 10 μm by laser ablation. Thus, the bottom of the exposed via hole is a post electrode. (Evaluation of circuit board)
The post electrode of the circuit board thus fabricated had a truncated cone shape that became thinner toward the top. A semiconductor chip was mounted on this circuit board, and a circuit board on which the semiconductor chip was further mounted was mounted on a printed wiring board, but no defect was found in the post electrode.

1・・・回路基板
2・・・絶縁樹脂層
3・・・ポスト電極
4・・・支持体
5・・・ピーラブル銅箔
6・・・ビアホール
7・・・パッド電極
8・・・ソルダーレジスト
9・・・多層配線部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Circuit board 2 ... Insulating resin layer 3 ... Post electrode 4 ... Support body 5 ... Peelable copper foil 6 ... Via hole 7 ... Pad electrode 8 ... Solder resist 9 ... Multilayer wiring section

Claims (4)

半導体チップを実装するための回路基板に形成されたポスト電極であって、前記ポスト電極は前記回路基板から前記半導体チップに近い部位ほど細いことを特徴とするポスト電極。   A post electrode formed on a circuit board for mounting a semiconductor chip, wherein the post electrode is thinner from the circuit board toward a portion closer to the semiconductor chip. 支持体の表面に絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記絶縁樹脂層にビアホールを形成する工程であって、深い部位ほど細い形状のビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内にパッド電極を形成すると共に、絶縁樹脂層に多層配線部を形成する工程と、
前記支持体を除去する工程と、
前記絶縁樹脂層を除去することにより、前記パッド電極を露出させてポスト電極を形成する工程と、
を備えていることを特徴とするポスト電極の製造方法。
Forming an insulating resin layer on the surface of the support;
A step of forming a via hole in the insulating resin layer, a step of forming a narrower via hole in a deeper portion;
Forming a pad electrode in the via hole and forming a multilayer wiring portion in the insulating resin layer;
Removing the support;
Removing the insulating resin layer to expose the pad electrode to form a post electrode;
A post electrode manufacturing method comprising:
前記ポスト電極を露出させる工程が、絶縁樹脂層をレーザーアブレーションにより除去する工程であることを特徴とする請求項2に記載のポスト電極の製造方法。   The method for manufacturing a post electrode according to claim 2, wherein the step of exposing the post electrode is a step of removing the insulating resin layer by laser ablation. 請求項1に記載のポスト電極を備えたことを特徴とする回路基板。   A circuit board comprising the post electrode according to claim 1.
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