JP2015158722A - タッチセンサの製造方法およびタッチセンサ - Google Patents

タッチセンサの製造方法およびタッチセンサ Download PDF

Info

Publication number
JP2015158722A
JP2015158722A JP2014032024A JP2014032024A JP2015158722A JP 2015158722 A JP2015158722 A JP 2015158722A JP 2014032024 A JP2014032024 A JP 2014032024A JP 2014032024 A JP2014032024 A JP 2014032024A JP 2015158722 A JP2015158722 A JP 2015158722A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
protective layer
sensor electrode
conductive layer
layer
sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014032024A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6307766B2 (ja
Inventor
山崎 広太
Kota Yamazaki
広太 山崎
本松 良文
Yoshifumi Motomatsu
良文 本松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sekisui Polymatech Co Ltd
Original Assignee
Polymatech Japan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Polymatech Japan Co Ltd filed Critical Polymatech Japan Co Ltd
Priority to JP2014032024A priority Critical patent/JP6307766B2/ja
Priority to CN201510073544.5A priority patent/CN104866132B/zh
Publication of JP2015158722A publication Critical patent/JP2015158722A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6307766B2 publication Critical patent/JP6307766B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Position Input By Displaying (AREA)

Abstract

【課題】ベース基材上に導電性高分子を用いた導電層からなるセンサ電極が設けられ、このセンサ電極を覆う保護層が形成されたタッチセンサの製造方法について、センサ電極の傷付きを低減すること。
【解決手段】ベース基材12上に導電性高分子を含んだ導電層13aを設ける工程と、前記導電層13aのうちセンサ電極13となる部分を少なくとも被覆するように第1の保護層15を設け、導電層13aと第1の保護層15とが積層した被覆導電層を形成する工程と、レーザーを照射して、その照射痕に被覆導電層を分割する隙間14を形成し、互いに絶縁された複数のセンサ電極13を形成する工程と、前記隙間14を覆う第2の保護層16を設ける工程と、を実行するものとした。
【選択図】図3

Description

本発明は、各種電子機器の入力装置に用いられるタッチセンサの製造方法およびタッチセンサに関する。
タッチセンサの構成としては、樹脂フィルムやガラスからなる透明なベース基材にITO層をセンサ電極としてパターニングして設けた構成や、同じく透明なベース基材に導電性高分子をセンサ電極としてパターニングして設けた構成が知られている。前者は透明性が高いもののコストが高くなるという課題があった。一方、後者は電極パターンを簡単に形成することができるためITO層よりも安価に製造できるメリットがあったが、導電性高分子の透明度がITOより低いことから電極パターンとその外側とで濃度差が生じ、電極パターンの境界が見えてしまう現象、いわゆる“骨見え”が起き易いことが課題であった。
こうした技術のうち、導電性高分子を用いてセンサ電極とした技術には、例えば、特開2009−026639号公報(特許文献1)や、特開2012−174578号公報(特許文献2)に記載された技術が知られている。
特開2009−026639号公報 特開2012−174578号公報
上記公報に記載された技術では、ドライエッチングやレーザーパターニングによってセンサ電極を形成しているが、センサ電極となる導電性高分子の塗膜が極めて弱いため、その製造工程において塗膜が露出している間は、塗膜を傷つけてしまうおそれがあった。
そこで本発明は、導電性高分子を用いたタッチセンサを製造する工程において、センサ電極に傷付きが生じ易いという問題に鑑みてなされたものであり、センサ電極の傷付きを低減するタッチセンサの製造方法およびタッチセンサを提供するものである。
上記課題を解決するために、ベース基材上に導電層からなるセンサ電極が設けられ、このセンサ電極を覆う保護層が形成されたタッチセンサの製造方法であって、ベース基材上に導電性高分子を含んだ導電層を設ける工程と、前記導電層のうちセンサ電極となる部分を少なくとも被覆するように第1の保護層を設け、導電層と第1の保護層とが積層した被覆導電層を形成する工程と、レーザーを照射して、その照射痕に被覆導電層を分割する隙間を形成し、互いに絶縁された複数のセンサ電極を形成する工程と、前記隙間を覆う第2の保護層を設ける工程と、を実行するタッチセンサの製造方法を提供する。
ベース基材上に導電層からなるセンサ電極が設けられ、このセンサ電極を覆う保護層が形成されたタッチセンサの製造方法であるため、保護層でセンサ電極が保護されたタッチセンサを得ることができる。
ベース基材上に導電性高分子を含んだ導電層を設ける工程を有するため、導電性高分子からなるセンサ電極を有するタッチセンサを得ることができる。
導電層のうちセンサ電極となる部分を少なくとも被覆するように第1の保護層を設け、導電層と第1の保護層とが積層した被覆導電層を形成するため、導電層を第1の保護層で保護することができ、製造過程で導電層が露出する時間を短くすることができる。そのため、レーザーを照射する前に導電層が傷付くことを防ぐことができる。
そして、レーザーを照射して複数のセンサ電極を形成する工程を設けたため、センサ電極間の隙間を小さくすることができる。そのため、透明性に劣る導電性高分子を用いてセンサ電極を形成しても、いわゆる骨見え現象を起こしにくくすることができる。また、レーザーを照射することで、不要な導電層や第1の保護層を除去することができ、導電層と第1の保護層が積層してなる被覆導電層を分割する隙間を形成することができる。こうした隙間を形成することで導電層を保護しながら導電層を分断することができる。
最後にこの隙間を覆う第2の保護層を設ける工程を設けたため、少なくとも表面は第1の保護層で保護したまま、隙間で露出するセンサ電極の端部を埋めて、センサ電極の全体を封止して保護することができる。
また、導電層と第1の保護層とが積層した被覆導電層をレーザー照射で分割するため、センサ電極と第1の保護層の断面を面一とすることができる。そうすると平面視によるセンサ電極の端部において、センサ電極と第1の保護層との屈折率差に起因する光の屈折が見え難くなり、センサ電極間の隙間も見え難くなる。
さらに、センサ電極どうしの隙間を第2の保護層が埋めているため、この隙間に空気層が生じることを防ぐことができる。そのため、空気層の混入によって屈折率差が大きくなることを防止し、センサ電極の骨見えをし難くすることができる。
第1の保護層を設ける工程が、導電層のうちセンサ電極となる部分よりは幅広に第1の保護層を設ける工程とすることができる。
第1の保護層を設ける工程を導電層のうちセンサ電極となる部分よりは幅広に第1の保護層を設ける工程としたため、導電層のうちセンサ電極となる部分を確実に第1の保護層が被覆し導電層を保護することができる。そのため、作業工程中での導電層の損傷を起こしにくくすることができる。
導電層のうちセンサ電極となる部分よりは幅広に第1の保護層を設ける工程は、センサ電極となる部分を含めベース基材上に一様に第1の保護層を設ける場合や、センサ電極の形状に対応させてそのセンサ電極の形状よりも幅広に一回り大きくした第1の保護層を複数個設ける場合を含むものである。
導電層を設ける工程が、センサ電極に対応させてベース基材上に複数の導電層を設ける工程とすることができる。導電層を設ける工程をセンサ電極に対応させてベース基材上に複数の導電層を設ける工程としたため、センサ電極となる部分をベース基材上に確実に設けることができる。
このセンサ電極に対応させてベース基材上に複数の導電層を設ける工程は、センサ電極の形状に対応させてそのセンサ電極の形状と同形状に導電層を設ける場合の他、センサ電極の形状よりも幅広に一回り大きく導電層を設ける場合も含む。
センサ電極に対応させて導電層を設けるため、センサ電極とは無関係にベース基材上に一様に導電層を設ける場合と比較して、センサ電極となる部分以外への導電層の形成を少なくすることができる。そのため、塗布液の無駄を防止することができる。即ち、不要な部分への導電性高分子の塗布量を少なくすることで、材料の使用量を低減することができ、さらにレーザーを照射して除去する箇所を少なくでき、レーザー加工工程数を減らしてコスト低減を図ることができる。
センサ電極の形状と同一形状とする場合よりは、センサ電極の形状よりも幅広に一回り大きく導電層を設ける方が好ましい。同一形状とするとセンサ電極の端部に塗布むらが生じたり、所望のセンサ電極の大きさよりも小さくなったりするおそれがあるからであり、センサ電極の端部が鋭敏になりにくいからである。
そしてまた、ベース基材上に導電層からなるセンサ電極が設けられ、このセンサ電極を覆う保護層が形成されたタッチセンサであって、センサ電極を覆う第1の保護層と、この第1の保護層とは異なる第2の保護層とを有し、センサ電極と第1の保護層とが積層してなる被覆導電層が第2の保護層で分割されているタッチセンサを提供する。
センサ電極を覆う第1の保護層と、この第1の保護層とは異なる第2の保護層とを有するため、センサ電極の保護効果を高めることができる。即ち、センサ電極は、第1の保護層に加えてそれとは異なる第2の保護層でも保護されるため、第1の保護層と第2の保護層とで保護機能を変えることが容易である。例えば、第1の保護層ではセンサ電極の耐摩耗性を高め第2の保護層ではセンサ電極の紫外線防止効果を高めるなどとしたり、第1の保護層に耐硫化性を高めた材料を用い、第2の保護層に耐光性を高めた材料を用いたりして、機能分離させ易い。また、第1の保護層と第2の保護層とで二重にすることができ、単純に保護層を厚くすることで保護効果を高めることもできる。
センサ電極と第1の保護層とが積層してなる被覆導電層が第2の保護層で分割されたものとしたため、粘度の高い塗液で第1の保護層を形成し、センサ電極の表面を厚盛りして保護する一方で、粘度の低い塗液で第2保護層を形成し、幅狭のセンサ電極間を簡単に埋めることができるタッチセンサとすることができる。
第1の保護層よりも第2の保護層の色調がセンサ電極の色調に近いタッチセンサとすることができる。第2の保護層の色調をセンサ電極の色調に近づけたため、センサ電極と、センサ電極間の隙間との間で色調を近づけることができ、いわゆる骨見えをほとんど起こさないようにすることができる。
導電層を形成する工程は、導電性高分子をスクリーン印刷で塗布することで行うことができる。スクリーン印刷で導電性高分子を塗布することで、導電性高分子をパターニングすることが容易にできる。
本発明のタッチセンサの製造方法によれば、導電性高分子を含むセンサ電極を傷つけることなく容易にタッチセンサを製造することができる。
また、本発明のタッチセンサの製造方法によれば、いわゆる骨見えの少ないタッチセンサを製造することができる。
さらに本発明のタッチセンサの製造方法によれば、製造コストを抑制することができる。
タッチセンサの平面図である。 図1のSA−SA線断面図である。 分図(A)〜(E)はタッチセンサの第1実施形態の製造途中の断面図である。 分図(A)〜(C)はタッチセンサの第1実施形態の製造途中の平面図である。 分図(A)(B)はタッチセンサの第1実施形態の図5に続く製造途中の平面図である。 分図(A)〜(E)はタッチセンサの第2実施形態の製造途中の断面図である。 分図(A)〜(E)はタッチセンサの第3実施形態の製造途中の断面図である。 分図(A)〜(E)はタッチセンサの第4実施形態の製造途中の断面図である。
第1実施形態[図1〜図5]
本発明について実施形態に基づきさらに詳細に説明する。図1、図2には本実施形態の製造方法で製造したタッチセンサ11を示す。タッチセンサ11は、図2の断面図で示すように、ベース基材12の上側表面に、導電性高分子でパターニングされた導電層13aからなるセンサ電極13を有している。隣接するセンサ電極13,13どうしの間には隙間14が形成され、それぞれのセンサ電極13どうしは絶縁している。
また、各センサ電極13の上側表面は第1の保護層15で覆われ、また、前記隙間14と第1の保護層15は、第2の保護層16で覆われている。
また、図1の平面形状で示すように、タッチセンサ11は、センサ電極13から配線17が伸び端子18に通じている。
ベース基材12は、タッチセンサ11のベースとなるものであり、透明性のある樹脂フィルムを用いて形成することができる。ベース基材12に求められる透明性は、タッチセンサ11の裏面に設けた表示を、タッチセンサ11の表面から視認できる程度が要求される。ベース基材12はタッチセンサ11の形状保持のため、その厚みは10μm〜200μmであることが好ましい。
樹脂フィルムは、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)樹脂、ポリエチレンナフタレート(PEN)樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、メタアクリル(PMMA)樹脂、ポリプロピレン(PP)樹脂、ポリウレタン(PU)樹脂、ポリアミド(PA)樹脂、ポリエーテルサルフォン(PES)樹脂、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)樹脂、トリアセチルセルロース(TAC)樹脂、シクロオレフィンポリマー(COP)等などを原料とすることができる。
ベース基材12には、導電性高分子との密着性を高めるプライマー層や、表面保護層、帯電防止等を目的とするオーバーコート層などを設けて表面処理を施しても良い。
センサ電極13は、導電性高分子を含む導電層13aからなる。導電性高分子を用いることとしたのは、液状の塗液として印刷形成することができるからである。また、ITO等と比べて安価にセンサ電極13を得ることができるからである。
センサ電極13となる導電性高分子の材質には、透明な層を形成できる導電性高分子が用いられる。こうした透明性のある導電性高分子には、ポリパラフェニレンまたはポリアセチレン、PEDOT−PSS(ポリ−3,4−エチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸)等が例示できる。
センサ電極13の層厚は、好ましくは0.04μm〜1.0μmであり、さらに好ましくは0.06μm〜0.4μmである。層厚が0.04μm未満であるとセンサ電極13の抵抗値が高くなるおそれがあり、層厚が1.0μmを超えると透明性が低くなるおそれがあるためである。なお、センサ電極13の層厚は、ベース基材12にセンサ電極13を塗布した試料について、原子間力顕微鏡(AFM)を用いて測定することができる。センサ電極13間の隙間14は、狭いほど骨見えが生じ難いことがわかっており、好ましくは100μm以下の幅とすることが好ましい。
第1の保護層15および第2の保護層16は、センサ電極13間の導通防止と、センサ電極13を紫外線や引っ掻き等から保護するために設けられる絶縁性の被膜であり、透明性が要求される。また、銀ペーストや金属からなる配線17の硫化を防止する用途としても好適である。
第1の保護層15は、導電層13aのうちセンサ電極13となる部分を少なくとも被覆するように設けられるため、導電層13aを形成してから、センサ電極13となる部分以外の余分な部分をレーザーで除去するまでの間、センサ電極13となる導電層13aを引っ掻き等から保護することができる。そのためには第1の保護層15は耐摩耗性を有する材質であることが好ましい。この第1の保護層15はまた、レーザーで隙間14を形成する際には、その隙間14に相当する部分にあれば、導電層13aと同時に除去されるため、レーザーで除去しやすい性質の材質が好ましい。
こうした観点から、第1の保護層15の厚みは、好ましくは1μm〜30μmである。1μm未満では、耐擦傷性が不十分となるおそれがある。一方、厚みが30μmを超えるとレーザーで除去し難くなる。また、厚みが20μm以下であると、隙間14の凹部を第2の保護層で埋めやすくできるため、より好ましい。
第2の保護層16もまた第1の保護層15と同様にセンサ電極13や配線17を保護するために設けられる。この第2の保護層16の厚みは、第1の保護層15の厚みよりも厚くすることが好ましい。具体的には、第2の保護層16は第1の保護層15よりも好ましくは1.2倍以上厚く、より好ましくは1.5倍以上厚い。第2の保護層の厚みが、第1の保護層の厚みの1.2倍以上であれば、固形分比率の高い樹脂を第2の保護層16の材料に用いた場合に略平坦にすることができ、第2の保護層16の厚みが、第1の保護層15の厚みの1.5倍以上であれば、固形分比率の低い樹脂を第2の保護層16の材料に用いた場合であっても略平坦な表面を形成することができる。即ち、このように第2の保護層16を厚くすることで、凹部となっている隙間14を埋めて表面を平坦にすることができる。
そして、より具体的な第2の保護層の厚みは、好ましくは4μm〜40μmである。4μm未満では、センサ電極13の保護が不十分となるおそれがあり、40μmを超えると耐摩耗性はほとんど向上しないにもかかわらずタッチセンサ11の厚みを厚くして柔軟性に乏しくなる。
第1の保護層15および第2の保護層16となる樹脂には、硬質の樹脂が選択され、例えば、アクリル系やウレタン系、エポキシ系、ポリオレフィン系の樹脂、その他の樹脂を用いることができるが、ポリイソシアネート成分とポリオール成分を含んでなる原料組成物を硬化させたポリウレタン系樹脂層やポリウレタン・ポリウレア系樹脂層とすることは好ましい一態様である。硬度調整がし易く、強度が高いからである。
第1の保護層15には、レーザーを吸収しやすくする添加材を加えてもよい。
第1の保護層15や第2の保護層16に加え、必要に応じて別の層を設けることもできる。例えば、全体的に色彩を付与するための着色層や、光の屈折率を変化させたり偏光させたりするための層などが挙げられる。
配線17は、このタッチセンサ1の外部に設けた情報処理装置(図示せず)などの電気回路に接続する端子18と、センサ電極13とを接続するものである。
配線17の材料としては、例えば、銅、アルミニウム、銀またはそれらの金属を含む合金等の高導電性金属を含む導電ペーストや導電インキから形成されることが好ましい。また、これらの金属や合金の中でも導電性が高く、銅よりも酸化し難いという理由から銀配線とすることが好ましい。
端子18はカーボンインキなどから形成することができる。
次に、タッチセンサ11の製造方法について説明する。
まず初めにベース基材12に銀ペーストで配線17を印刷形成する(図4(A)参照)。次いで、導電性高分子を塗布して導電層13aを形成する(図3(A),図4(B)参照)。端子18となる配線17の端部には、さらに前記銀ペーストを覆うようにカーボンペーストを印刷する(図示せず)。
次いで第1の保護層15を塗布形成する(図3(B),図4(C)参照)。この第1の保護層15は端子18を除く配線17と導電層13aを覆うように形成する。そして、所定の位置にレーザーLを照射して(図3(C)参照)、レーザー照射部分の導電層13aおよび第1の保護層15を除去することで隙間14を形成するとともに、導電層13aが隙間14で分割されて互いに絶縁する3つのセンサ電極13を形成する(図3(D),図5(A)参照)。
そして、第2の保護層16を塗布形成する(図3(E),図5(B)参照)。この第2の保護層16は、平面視で少なくともセンサ電極13と第1の保護層15および隙間14を覆い、端子18を覆わないように形成する。このとき、第1の保護層15の全体を覆うように形成することが好ましい。第2の保護層16を塗布形成することで、凹部となっている隙間14を埋めて、表面側を略平坦にすることができる。
最後に、抜き型で余分な周囲をカットすることで、所望の形状のタッチセンサ11を得ることができる(図1,図2参照)。
センサ電極13を形成する方法として従来から用いられているスクリーン印刷による方法では、滲み等の影響もあり、300μm程度の幅の隙間14を形成しなければ、安定した絶縁性を得ることが難しかった。それに対して上述のようなレーザーを用いて導電性高分子を除去する方法であれば、10μm〜100μmの幅の狭い隙間14を簡単に形成することができ、安定した絶縁性を得ることもできる。
隙間14を形成するためのレーザーは、YAGレーザー、YVOレーザー、COレーザー、それらの高調波を用いたレーザーが好適である。ただし、ベース基材12に過大なダメージを与えることなく10μm〜100μmの幅で導電層13aおよび第1の保護層15を除去できれば良く、これらに限定されないものとする。
上記製造方法によって得られたタッチセンサ11は、センサ電極13に傷付き等の不良やいわゆる骨見えが少なく、歩留まり良く製造されコストが抑制されたタッチセンサ11である。
第2実施形態[図6]
本実施形態で説明するのはタッチセンサ11の別の製造方法である。先の実施形態で説明した製造方法とは導電層13aを塗布する形状が異なっている。
ここでの製造方法は、ベース基材12に導電性高分子を塗布する工程において、センサ電極13に対応させてベース基材12上に複数の導電層13aを形成する(図6(A)参照)。このとき、センサ電極13と同形状か、センサ電極13よりは幅広に、一回り大きく導電層13aを形成する。
次にこの複数の導電層13aを被覆するように第1の保護層15を形成する(図6(B)参照)。そして、レーザーを照射して(図6(C)参照)、隣接するセンサ電極13間の境界を除去することで隙間14を形成する(図6(D)参照)。
レーザーを照射して隙間14を形成するため、隣接する導電層13aとの間が狭くとも導通しないセンサ電極13を形成することができる。また、レーザーで除去する導電層13aは、ベース基材12上に一様に導電層13aを形成する場合に比べて少ないことから、出力を抑えたレーザーで容易に導電層13aを除去できる。そして最後に第2の保護層16を形成することで、導電層13a部分と第1の保護層15とが積層した被覆導電層を分割する隙間14を第2の保護層16で埋めることができる。
こうしてタッチセンサ11を製造することができる。
第3実施形態[図7]
本実施形態ではさらに別のタッチセンサ11の製造方法について説明する。本実施形態では、第1の保護層15を塗布する形状が先の実施形態で説明した方法とは異なっている。
本実施形態では、センサ電極13に対応させてベース基材12上に複数の導電層13aを形成(図7(A)参照)した後、第1の保護層15を塗布する工程において、導電層13aのうちセンサ電極13となる部分よりは幅広にして一回り大きく第1の保護層15を形成する(図7(B)参照)。こうして第1の保護層15を形成しても導電層13aは保護することができる。次に、レーザーを照射して(図7(C)参照)、隙間14を形成することで、隣接する導電層13aどうしの導通を防いだセンサ電極13を形成することができる。
また、レーザーで除去する導電層13aや第1の保護層15は、ベース基材12上に一様に導電層13aや第1の保護層を形成する場合に比べてその体積が少ないことから、出力を抑えたレーザーで容易に導電層13aや第1の保護層15を除去できる。そして最後に第2の保護層16を形成することで、導電層13a部分と第1の保護層15とが積層した被覆導電層を分かつ隙間14を第2の保護層16で埋めることができる。こうしてタッチセンサ11を得ることができる。
第4実施形態[図8]
本実施形態では、タッチセンサ11のさらにまた別の製造方法である。
本実施形態での製造方法は、ベース基材12に導電性高分子を一様に塗布して平板状の導電層13aを形成する(図8(A)参照)。そして、導電層13aのうちセンサ電極13となる部分よりは幅広に一回り大きく複数の第1の保護層15を形成する(図8(B)参照)。そして、レーザーを照射して(図8(C)参照)、隣接するセンサ電極13間の境界を除去することで隙間14を形成する(図8(D)参照)。
レーザーを照射して隙間14を形成するため、センサ電極13どうしが導通することを防ぐことができる。また、レーザーで除去する第1の保護層15は、導電層13a上に一様に第1の保護層15を形成する場合に比べてその体積が少ないことから、出力を抑えたレーザーで容易に第1の保護層15と導電層13aとを除去できる。そして最後に第2の保護層16を形成することで、センサ電極13と第1の保護層15とが積層した被覆導電層を分割する隙間14を第2の保護層16で埋めることができる。こうした方法でもまたタッチセンサ11を得ることができる。
上記実施形態は本発明の一例であり、こうした形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に反しない限度において、各部材の形状、材質、製造方法等の変更形態を含むものである。
例えば、上述の第1実施形態〜第4実施形態の全てでセンサ電極13となる導電層13aの形成を印刷で行い、導電層13aの分断によるセンサ電極13の形成をレーザーで行っているところは共通する。ところが、図7で示した第3実施形態によるタッチセンサ11の製造方法では、隙間14の形成の際に導電層13aや第1の保護層15を印刷形成した境界跡を残すぐらいに幅狭にレーザーを照射しているのに対し、図8で示した第4実施形態によるタッチセンサ11の製造方法のように、第1の保護層15を印刷形成した境界跡が残らないぐらいに第1の保護層15の外縁をきれいに取り除くようにレーザーを照射しているが、第3実施形態でも第4実施形態と同様にすることもできる。
11 タッチセンサ
12 ベース基材
13 センサ電極
13a 導電層
14 隙間
15 第1の保護層
16 第2の保護層
17 配線
18 端子
L レーザー

Claims (5)

  1. ベース基材上に導電層からなるセンサ電極が設けられ、このセンサ電極を覆う保護層が形成されたタッチセンサの製造方法であって、
    ベース基材上に導電性高分子を含んだ導電層を設ける工程と、
    前記導電層のうちセンサ電極となる部分を少なくとも被覆するように第1の保護層を設け、導電層と第1の保護層とが積層した被覆導電層を形成する工程と、
    レーザーを照射して、その照射痕に被覆導電層を分割する隙間を形成し、互いに絶縁された複数のセンサ電極を形成する工程と、
    前記隙間を覆う第2の保護層を設ける工程と、を実行するタッチセンサの製造方法。
  2. 第1の保護層を設ける工程が、導電層のうちセンサ電極となる部分よりは幅広に第1の保護層を設ける工程である請求項1記載のタッチセンサの製造方法。
  3. 導電層を設ける工程が、センサ電極に対応させてベース基材上に複数の導電層を設ける工程である請求項1または請求項2記載のタッチセンサの製造方法。
  4. ベース基材上に導電層からなるセンサ電極が設けられ、このセンサ電極を覆う保護層が形成されたタッチセンサであって、
    センサ電極を覆う第1の保護層と、この第1の保護層とは異なる第2の保護層とを有し、
    センサ電極と第1の保護層とが積層してなる被覆導電層が第2の保護層で分割されているタッチセンサ。
  5. 第1の保護層よりも第2の保護層の色調がセンサ電極の色調に近い請求項4記載のタッチセンサ。
JP2014032024A 2014-02-21 2014-02-21 タッチセンサの製造方法およびタッチセンサ Active JP6307766B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014032024A JP6307766B2 (ja) 2014-02-21 2014-02-21 タッチセンサの製造方法およびタッチセンサ
CN201510073544.5A CN104866132B (zh) 2014-02-21 2015-02-11 触摸传感器的制造方法及触摸传感器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014032024A JP6307766B2 (ja) 2014-02-21 2014-02-21 タッチセンサの製造方法およびタッチセンサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015158722A true JP2015158722A (ja) 2015-09-03
JP6307766B2 JP6307766B2 (ja) 2018-04-11

Family

ID=53912008

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014032024A Active JP6307766B2 (ja) 2014-02-21 2014-02-21 タッチセンサの製造方法およびタッチセンサ

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP6307766B2 (ja)
CN (1) CN104866132B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018007143A1 (de) * 2016-07-08 2018-01-11 Weidmüller Interface GmbH & Co. KG Überwachungsaufsatz zur überwachung einer mutter einer schraubverbindung und verfahren zur herstellung des überwachungsaufsatzes
WO2019031072A1 (ja) * 2017-08-08 2019-02-14 アルプス電気株式会社 入力装置の製造方法および入力装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105138176A (zh) * 2015-09-09 2015-12-09 广西和金光电有限公司 触摸屏加工方法
CN106125972A (zh) * 2016-06-12 2016-11-16 京东方科技集团股份有限公司 保护层的制作方法、阵列基板及其制作方法和触摸屏

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005209691A (ja) * 2004-01-20 2005-08-04 Sony Corp 透明電極パターニング方法及び液晶表示装置の製造方法
JP2008140130A (ja) * 2006-12-01 2008-06-19 Alps Electric Co Ltd 入力装置及びその製造方法
WO2011013279A1 (ja) * 2009-07-31 2011-02-03 シャープ株式会社 電極基板、電極基板の製造方法、および画像表示装置
JP2011170063A (ja) * 2010-02-18 2011-09-01 Sony Corp 電気的固体装置基板の製造方法および電気的固体装置
JP2012083806A (ja) * 2010-10-06 2012-04-26 Vision Development Co Ltd 基板製造方法及び基板を用いた静電容量式タッチパネル
JP2012128826A (ja) * 2010-12-14 2012-07-05 Samsung Mobile Display Co Ltd タッチスクリーンパネル及びその製造方法
JP2012174578A (ja) * 2011-02-23 2012-09-10 Gunze Ltd 透明電極フィルムおよび透明タッチパネル
JP2013222590A (ja) * 2012-04-16 2013-10-28 Shin Etsu Polymer Co Ltd 導電パターン形成基板及びその製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7477242B2 (en) * 2002-05-20 2009-01-13 3M Innovative Properties Company Capacitive touch screen with conductive polymer
CN100446222C (zh) * 2007-03-28 2008-12-24 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管基板的制造方法
US8173487B2 (en) * 2007-04-06 2012-05-08 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor element, method for manufacturing same, and electronic device including same
CN101320309A (zh) * 2007-06-06 2008-12-10 介面光电股份有限公司 单层触控感测结构以及使用该结构的触控显示面板
CN100565845C (zh) * 2007-09-06 2009-12-02 友达光电股份有限公司 像素结构的制作方法
KR101060619B1 (ko) * 2009-02-09 2011-08-31 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치의 소자분리막 제조방법 및 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 제조방법
CN101893976B (zh) * 2010-07-08 2012-07-25 汕头超声显示器(二厂)有限公司 投射式电容触摸屏的制造方法
US8405199B2 (en) * 2010-07-08 2013-03-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Conductive pillar for semiconductor substrate and method of manufacture
CN102386061B (zh) * 2010-09-01 2015-04-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件的形成方法
CN103238130B (zh) * 2011-02-04 2016-06-29 信越聚合物株式会社 静电电容式传感器片及其制造方法
KR101821694B1 (ko) * 2011-04-25 2018-01-25 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN102799295A (zh) * 2011-05-26 2012-11-28 胜华科技股份有限公司 触控装置及触控显示装置
CN102437194A (zh) * 2011-11-22 2012-05-02 上海中科高等研究院 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法
KR101932662B1 (ko) * 2012-03-16 2018-12-26 삼성전자 주식회사 이미지 센서
WO2013146750A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 アルプス電気株式会社 導電パターン形成基板の製造方法
CN103425349B (zh) * 2013-08-12 2016-09-21 南昌欧菲光科技有限公司 透明导电体及制备方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005209691A (ja) * 2004-01-20 2005-08-04 Sony Corp 透明電極パターニング方法及び液晶表示装置の製造方法
JP2008140130A (ja) * 2006-12-01 2008-06-19 Alps Electric Co Ltd 入力装置及びその製造方法
WO2011013279A1 (ja) * 2009-07-31 2011-02-03 シャープ株式会社 電極基板、電極基板の製造方法、および画像表示装置
JP2011170063A (ja) * 2010-02-18 2011-09-01 Sony Corp 電気的固体装置基板の製造方法および電気的固体装置
JP2012083806A (ja) * 2010-10-06 2012-04-26 Vision Development Co Ltd 基板製造方法及び基板を用いた静電容量式タッチパネル
JP2012128826A (ja) * 2010-12-14 2012-07-05 Samsung Mobile Display Co Ltd タッチスクリーンパネル及びその製造方法
JP2012174578A (ja) * 2011-02-23 2012-09-10 Gunze Ltd 透明電極フィルムおよび透明タッチパネル
JP2013222590A (ja) * 2012-04-16 2013-10-28 Shin Etsu Polymer Co Ltd 導電パターン形成基板及びその製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018007143A1 (de) * 2016-07-08 2018-01-11 Weidmüller Interface GmbH & Co. KG Überwachungsaufsatz zur überwachung einer mutter einer schraubverbindung und verfahren zur herstellung des überwachungsaufsatzes
WO2019031072A1 (ja) * 2017-08-08 2019-02-14 アルプス電気株式会社 入力装置の製造方法および入力装置
CN111033451A (zh) * 2017-08-08 2020-04-17 阿尔卑斯阿尔派株式会社 输入装置的制造方法以及输入装置
JPWO2019031072A1 (ja) * 2017-08-08 2020-07-27 アルプスアルパイン株式会社 入力装置の製造方法および入力装置
US10949043B2 (en) 2017-08-08 2021-03-16 Alps Alpine Co., Ltd Input device manufacturing method and input device

Also Published As

Publication number Publication date
CN104866132A (zh) 2015-08-26
JP6307766B2 (ja) 2018-04-11
CN104866132B (zh) 2020-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9990085B2 (en) Touch panel and method for manufacturing the same
CN103238130B (zh) 静电电容式传感器片及其制造方法
JP2010182137A (ja) タッチパネル及びタッチパネルの製造方法
JP6307766B2 (ja) タッチセンサの製造方法およびタッチセンサ
KR101313454B1 (ko) 입력 장치 및 입력 장치의 제조 방법
JP6103457B2 (ja) タッチセンサ
DE112013003937T5 (de) Flexible Anzeigen
KR101943176B1 (ko) 터치 패널 및 그 제조 방법
EP3032383A1 (en) Light-transmitting conductive member and patterning method thereof
JP5798270B1 (ja) タッチパネル
JP5646795B1 (ja) タッチパネルの製造方法、タッチパネル、成型品の製造方法、成型品、及び積層フィルム
KR101369054B1 (ko) 투명 도전성 필름
US20140151092A1 (en) Pcb with visible circuit and method for making and using pcb with visible circuit
KR101515376B1 (ko) 터치스크린 패널의 제조방법 및 이로부터 제조된 터치스크린 패널
KR20150088631A (ko) 터치센서
JP3167028U (ja) タッチパネルの装飾枠
KR102098383B1 (ko) 터치 윈도우 및 이의 제조방법
KR102053226B1 (ko) 터치 윈도우
US20150090578A1 (en) Touch panel and method of manufacturing the same
KR101400700B1 (ko) 디스플레이용 인터페이스패널 및 그 제조방법
KR102402727B1 (ko) 입력 장치 및 입력 장치 부착 표시 장치
JP2020173503A (ja) 配線体、配線板、及びタッチセンサ
KR20150113679A (ko) 윈도우 기판 및 이의 면취 가공 방법
JP2020173399A (ja) 調光シート、および、調光シートの製造方法
JP6136561B2 (ja) 情報媒体及び情報媒体の製造方法、導電層のパターン付与方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170214

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20171113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180111

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180202

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180222

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6307766

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250