JP2015158694A - 結像光学系 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 186
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 148
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 164
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 24
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 24
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 24
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 14
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 10
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- -1 scratches Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
- G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
- G02B17/0647—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
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Abstract
【解決手段】物体平面(5)の物体視野(4)内の反射物体(12)の像平面(18)の像視野(17)内へのビームスプリッタを用いない結像のための、193nmよりも短い波長を有する結像光(3)の光束を複数のミラー(M1からM6)を用いて誘導するためのリソグラフィ投影露光のための結像光学系(16)であって、物体視野点は、3°よりも小さい中心光線角度(α)を有する。ミラー(M1からM6)のうちの少なくとも1つは、近視野ミラーである。その結果は、反射物体の高品質結像を可能にする結像光学系である。
【選択図】図1
Description
P(M)=D(SA)/(D(SA)+D(CR))≦0.9
P(M)=D(SA)/(D(SA)+D(CR))
このパラメータは、0.9よりも大きくない値を有する。
P(M)≦0.9
Claims (13)
- 物体平面(5)の物体視野(4)内の反射物体(12)の像平面(18)の像視野(17)内へのビームスプリッタを用いない結像のための、193nmよりも短い波長を有する結像光(3)の光束を複数のミラー(M1からM6)を用いて誘導するためのリソグラフィ投影露光のための結像光学系(16;31;37)であって、
物体視野点が、3°よりも小さい主光線角度(α)を有し、
ミラー(M1からM6)のうちの少なくとも1つが、近視野ミラーとして設計される、
ことを特徴とする結像光学系(16;31;37)。 - 物体平面(5)の物体視野(4)内の反射物体(12)の像平面(18)の像視野(17)内へのビームスプリッタを用いない結像のための、193nmよりも短い波長を有する結像光(3)の光束を複数のミラー(M1からM6)を用いて誘導するためのリソグラフィ投影露光のための結像光学系(16;31;37)であって、
物体視野(4)と像視野(17)の間の結像ビーム経路内の最初のミラー(M1)が、結像光(3)が通過するための貫通開口部(21,22)を有し、
少なくとも1つのミラー(M3,M4)が、前記物体視野(4)と前記像視野(17)の間の前記結像ビーム経路内の前記最初のミラー(M1)と、該物体視野(4)と該像視野(17)の間の該結像ビーム経路内の最後のミラー(M6)との間に配置され、前記結像光を反射するのに使用される該少なくとも1つのミラー(M3,M4)の反射面が、連続的である、
ことを特徴とする結像光学系(16;31;37)。 - 物体平面(5)の物体視野(4)内の反射物体(12)の像平面(18)の像視野(17)内へのビームスプリッタを用いない結像のための、193nmよりも短い波長を有する結像光(3)の光束を複数のミラー(M1からM6)を用いて誘導するためのリソグラフィ投影露光のための結像光学系(16;31;37)であって、
±1次の回折及び/又はより高次の回折のみの結像光(3’)が結像に使用されるような設計、
を特徴とする結像光学系(16;31;37)。 - 前記物体視野(4)と前記像視野(17)の間の前記結像ビーム経路内の最初のミラー(M1)が、凹であり、一方、該物体視野(4)と該像視野(17)の間の該結像ビーム経路内の第2のミラー(M2)が、凸であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の結像光学系。
- 193nmよりも短い波長を有する照明光(3)の光束の放射線源(2)から該照明光(3)に対して反射性である物体平面(5)の物体視野(4)内の物体(12)へのビームスプリッタを用いない誘導のためのリソグラフィ投影露光のための照明光学系(7;28)であって、
物体視野(4)の少なくとも1つの点に対して、照明光(3)の光束が、物体平面(5)に対する法線(14)との3°よりも小さい角度をなす該物体視野(4)上へのエネルギ重み付き光線入射方向(13)を有するような設計、
を特徴とする照明光学系(7;28)。 - 前記照明光(3)の前記光束は、前記物体視野(4)上への10°よりも小さい最大入射角を有することを特徴とする請求項5に記載の照明光学系。
- 前記物体視野(4)の前の照明ビーム経路内の照明光学系の最後のミラー(38)が、貫通開口部(40)を含むことを特徴とする請求項5に記載の照明光学系。
- 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の結像光学系(16;31;37)と、
請求項5から請求項7のいずれか1項に記載の照明光学系(7;28)と、
を含むことを特徴とする照明系。 - 貫通開口部(22)を通じて前記結像光学系(16;31;37)のミラーのうちの1つ(M2)の中に照明光(3)を結合する前記照明光学系(7;28)の結合ミラー(11)を特徴とする請求項8に記載の照明系。
- 前記結像光学系の結像ビーム経路内で結像光(3)が通過する貫通開口部(40)を含む前記照明光学系(7;28)の結合ミラー(38)を特徴とする請求項8に記載の照明光学系。
- 請求項8から請求項10のいずれか1項に記載の照明系と、
照明及び結像光(3)を生成するための光源(2)と、
を含むことを特徴とする投影露光装置(1)。 - 構造化構成要素の製作の方法であって、
レチクル(12)及びウェーハ(19)を準備する段階と、
請求項11に記載の投影露光装置(1)を用いて、前記レチクル(12)上の構造を前記ウェーハ(19)の感光層上に投影する段階と、
前記ウェーハ(19)上に微細構造又はナノ構造を生成する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項12に記載の方法に従って製作された構造化構成要素。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US28606609P | 2009-12-14 | 2009-12-14 | |
US61/286,066 | 2009-12-14 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012543592A Division JP5756121B2 (ja) | 2009-12-14 | 2010-12-03 | 結像光学系 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015158694A true JP2015158694A (ja) | 2015-09-03 |
JP6132319B2 JP6132319B2 (ja) | 2017-05-24 |
Family
ID=43760101
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012543592A Active JP5756121B2 (ja) | 2009-12-14 | 2010-12-03 | 結像光学系 |
JP2015108112A Active JP6132319B2 (ja) | 2009-12-14 | 2015-05-28 | 結像光学系 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012543592A Active JP5756121B2 (ja) | 2009-12-14 | 2010-12-03 | 結像光学系 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120274917A1 (ja) |
EP (1) | EP2513697B1 (ja) |
JP (2) | JP5756121B2 (ja) |
CN (2) | CN105511065B (ja) |
WO (1) | WO2011073039A2 (ja) |
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JP6135514B2 (ja) | 2012-02-06 | 2017-05-31 | 株式会社ニコン | 反射結像光学系、およびデバイス製造方法 |
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US20120274917A1 (en) | 2012-11-01 |
JP2013513957A (ja) | 2013-04-22 |
JP6132319B2 (ja) | 2017-05-24 |
CN105511065B (zh) | 2019-04-23 |
CN102754009A (zh) | 2012-10-24 |
JP5756121B2 (ja) | 2015-07-29 |
CN105511065A (zh) | 2016-04-20 |
WO2011073039A3 (en) | 2011-09-29 |
EP2513697A2 (en) | 2012-10-24 |
CN102754009B (zh) | 2016-02-17 |
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