JP2015158612A - ホログラムシート - Google Patents
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims abstract description 91
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 149
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 76
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 45
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 15
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 332
- 238000000034 method Methods 0.000 description 79
- 239000000463 material Substances 0.000 description 49
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 26
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 18
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 17
- -1 printer toner Substances 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 16
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 13
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000013461 design Methods 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 8
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 6
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 4
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N cyclobenzothiazole Natural products C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 3
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 2,5-dinaphthalen-1-yl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=C2C(C3=NN=C(O3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 2
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 2
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001093 holography Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 2
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- XHJYYYKRQGYPIF-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CC=C2SC=NC2=C1.C1=CC=C2SC=NC2=C1 XHJYYYKRQGYPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBZUPFKUGFRRTL-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CC=C2OC=NC2=C1.C1=CC=C2OC=NC2=C1 PBZUPFKUGFRRTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 2,3-dihydroxybutanedioic acid (2S,3S)-3,4-dimethyl-2-phenylmorpholine Chemical compound OC(C(O)C(O)=O)C(O)=O.C[C@H]1[C@@H](OCCN1C)c1ccccc1 VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- WFUGQJXVXHBTEM-UHFFFAOYSA-N 2-hydroperoxy-2-(2-hydroperoxybutan-2-ylperoxy)butane Chemical compound CCC(C)(OO)OOC(C)(CC)OO WFUGQJXVXHBTEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBDCTFDIXXYZOO-UHFFFAOYSA-N 4,6-dichloro-1,3-dimethylpyrazolo[3,4-d]pyrimidine Chemical compound ClC1=NC(Cl)=C2C(C)=NN(C)C2=N1 VBDCTFDIXXYZOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCZWJXTUYYSKGF-UHFFFAOYSA-N 5,12-dimethylquinolino[2,3-b]acridine-7,14-dione Chemical compound CN1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3N(C)C1=C2 SCZWJXTUYYSKGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020073 MgB2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005171 Si3O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003669 SrAl2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005084 Strontium aluminate Substances 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 229910007486 ZnGa2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- IPPWILKGXFOXHO-UHFFFAOYSA-N chloranilic acid Chemical compound OC1=C(Cl)C(=O)C(O)=C(Cl)C1=O IPPWILKGXFOXHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N chlorous acid Chemical compound OCl=O QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 229920005994 diacetyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfide Chemical compound C=1C=CC=CC=1SC1=CC=CC=C1 LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRXYBJYIUHTJTO-UHFFFAOYSA-N europium;1,10-phenanthroline Chemical compound [Eu].C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 RRXYBJYIUHTJTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000006081 fluorescent whitening agent Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229910001676 gahnite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 229910001849 group 12 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010985 leather Substances 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-n'-phenylcarbamimidoyl chloride Chemical compound CN(C)C(Cl)=NC1=CC=CC=C1 GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MACHGYNFLRLMEV-UHFFFAOYSA-N n-[4-(4-aminophenyl)phenyl]-3-methyl-n-(3-methylphenyl)aniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(N)=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 MACHGYNFLRLMEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- VVOPUZNLRVJDJQ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine copper Chemical compound [Cu].C12=CC=CC=C2C(N=C2NC(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2N1 VVOPUZNLRVJDJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical class C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229940043267 rhodamine b Drugs 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M sodium;2-hydroxy-3-morpholin-4-ylpropane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CC(O)CN1CCOCC1 WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CADICXFYUNYKGD-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenemanganese Chemical compound [Mn]=S CADICXFYUNYKGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052844 willemite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
【課題】ホログラムを用いたホログラムシートにおいて、その真正性を高めるために、通常は視認できないが、電圧を印加することで、室内等の照明光源とは異なる波長でホログラム再生像を再生するホログラムシートを提供する。【解決手段】ホログラム形成層上にエレクトロルミネッセンス素子層を設け、そのエレクトロルミネッセンス素子層が、ホログラムレリーフの形状を有することで、所定の電圧を印加したときのみ、空間にその所定の可視光波長のホログラムが浮き上がり、このことによって、そのホログラムが真正品であると、目視にて判定可能とし、偽造防止性を高めた。【選択図】 図1
Description
本発明は、位相ホログラムを呈するレリーフホログラムのレリーフ位置に、蛍光および/又は燐光(以後、まとめて「蛍光」と称す。)発光するエレクトロルミネッセンス素子薄膜を配した蛍光発光型のホログラムシートに関するものである。
本明細書において、配合を示す「部」は質量基準である。また、「ホログラム」はホログラムと、回折格子などの光回折性機能を有するものも含む。
(主なる用途)
本発明のホログラムシートの主なる用途としては、ホログラムそのものを装飾用として用いる美術・工芸品分野や商業用分野があるが、それにとどまらず、偽造防止分野に使用されるホログラムシートであって、具体的には、クレジットカード等の偽造されて使用されると、カード保持者やカード会社等に損害を与え得るもの、運転免許証、社員証、会員証等の身分証明書、入学試験用の受験票、パスポート等、紙幣、商品券、ポイントカード、株券、証券、抽選券、馬券、預金通帳、乗車券、通行券、航空券、種々の催事の入場券、遊戯券、交通機関や公衆電話用のプリペイドカード等がある。
本発明のホログラムシートの主なる用途としては、ホログラムそのものを装飾用として用いる美術・工芸品分野や商業用分野があるが、それにとどまらず、偽造防止分野に使用されるホログラムシートであって、具体的には、クレジットカード等の偽造されて使用されると、カード保持者やカード会社等に損害を与え得るもの、運転免許証、社員証、会員証等の身分証明書、入学試験用の受験票、パスポート等、紙幣、商品券、ポイントカード、株券、証券、抽選券、馬券、預金通帳、乗車券、通行券、航空券、種々の催事の入場券、遊戯券、交通機関や公衆電話用のプリペイドカード等がある。
これらはいずれも、経済的、もしくは社会的な価値を有する情報を保持した情報記録体であり、偽造による損害を防止する目的で、記録体そのものの真正性を識別できる機能を有することが望まれる。
また、これら情報記録体以外であっても、高額商品、例えば、高級腕時計、高級皮革製品、貴金属製品、もしくは宝飾品等の、しばしば、高級ブランド品と言われるもの、または、それら高額商品の収納箱やケース等も偽造され得るものである。また、量産品でも有名ブランドのもの、例えば、オーディオ製品、電化製品等、または、それらに吊り下げられるタグも、偽造の対象となりやすい。
さらに、著作物である音楽ソフト、映像ソフト、コンピュータソフト、もしくはゲームソフト等が記録された記憶体、またはそれらのケース等も、やはり偽造の対象となり得る。また、プリンター用のトナー、用紙など、交換する備品を純正材料に限定している製品などにも、偽造による損害を防止する目的で、そのものの真正性を識別できる機能を有することが望まれる。
(背景技術)
従来、情報記録体や上記した種々の物品(総称して、真正性識別対象物と言う。)の偽造を防止する目的で、その構造の精密さから、製造上の困難性を有すると言われるホログラムを真正性の識別可能なものとして適用することが多く行なわれている。しかしながら、ホログラムの製造方法自体は知られており、その方法により精密な加工を施すことができることから、ホログラムが単に目視による判定だけのものであるときは、真正なホログラムと偽造されたホログラムとの区別は困難である。
従来、情報記録体や上記した種々の物品(総称して、真正性識別対象物と言う。)の偽造を防止する目的で、その構造の精密さから、製造上の困難性を有すると言われるホログラムを真正性の識別可能なものとして適用することが多く行なわれている。しかしながら、ホログラムの製造方法自体は知られており、その方法により精密な加工を施すことができることから、ホログラムが単に目視による判定だけのものであるときは、真正なホログラムと偽造されたホログラムとの区別は困難である。
これらの真正性識別対象物、特にラベル形態や転写形態にてホログラム画像を施された物品は、ホログラム画像の目視確認という真正性識別のみでなく、新たな真正性識別方法を用いてその対象物の真正性を識別する必要が生じている。
(先行技術)
これらの要求に応えるため、ホログラムに積層して、入射した光の内、左回り偏光もしくは、右回り偏光のいずれか一方の光のみを反射する光選択反射層を有するホログラムシートが提案された。(例えば、特許文献1参照。)
この光選択反射層として、コレステリック液晶を使用し、偏光版等を用いて確認する方法で偽造防止性を高めている。
これらの要求に応えるため、ホログラムに積層して、入射した光の内、左回り偏光もしくは、右回り偏光のいずれか一方の光のみを反射する光選択反射層を有するホログラムシートが提案された。(例えば、特許文献1参照。)
この光選択反射層として、コレステリック液晶を使用し、偏光版等を用いて確認する方法で偽造防止性を高めている。
しかしながら、特許文献1の記載にあるように、ホログラム形成層上の反射性薄膜層の反射率が高いため、コレステリック液晶層で反射されず透過した光(選択的反射光の補色光)が、この反射性薄膜層で反射し、再びコレステリック液晶層へ戻る(以下戻り光とする)ことにより、この戻り光が、コレステリック液晶を観察する際のノイズ成分となって、選択的反射光に付加・混在し、液晶本来の色調とならず、視認・識別することすら難しくなっていた。
また、コレステリック液晶材料そのものが高価であり、その液晶性能を引き出すためには液晶層に接して、配向膜の形成が不可欠であって煩雑であり、さらには、コレステリック液晶の光散乱性により、ホログラム画像を再生する光がその液晶層を通過するときに画像にボケ・歪みを生じる等の問題があった。
このため、コレステリック液晶層の光散乱性を抑えたり、コレステリック液晶層そのものを薄くする等の工夫が考えられたが、コレステリック液晶層の光散乱性を抑えるために屈折率差を小さくしたり、コレステリック液晶層を薄くしたりすると、上記した光選択反射層としての機能が低下してしまい、ホログラム画像の鮮明性と偽造防止性能を確保する最適な条件を得ることが難しいという欠点を有していた。
そこで、本発明はこのような問題点を解消するためになされたものである。その目的は、透明基材上に、エレクトロルミネッセンス素子層、及び、位相ホログラムのホログラム形成層を設け、そのホログラム形成層のホログラムレリーフに接するように光学多層薄膜層を設けて、エレクトロルミネッセンス素子層に電圧を印加したとき、所定の波長で光るホログラムを視認することができるホログラムシートを提供することである。
そして、エレクトロルミネッセンス素子層で発光した光が、このホログラムレリーフ形状の光学多層薄膜層を通過する際に、そのホログラムレリーフの位相成分が付与されると同時に、フィルタリング(波長選択、及び角度選択)され、再生するレリーフホログラム再生像がより鮮明となるホログラムシートを提供して、新規な装飾性及び、これを応用する偽造防止性を提供することである。
上記の課題を解決するために、
本発明のホログラムシートの第1の態様は、
透明基材の一方の面に、エレクトロルミネッセンス素子層、ホログラム画像に対応したホログラムレリーフを有する透明樹脂層、及び、前記ホログラムレリーフに接するように、且つ追従するように、光学多層薄膜層が設けられているホログラムシートであって、前記光学多層薄膜層が、前記エレクトロルミネッセンス素子層の発光する光に対する光学干渉フィルターとしての機能を持ち、且つ、前記ホログラム画像に対応したホログラムレリーフが、透過型ホログラム再生像を再生するものであることを特徴とするものである。
本発明のホログラムシートの第1の態様は、
透明基材の一方の面に、エレクトロルミネッセンス素子層、ホログラム画像に対応したホログラムレリーフを有する透明樹脂層、及び、前記ホログラムレリーフに接するように、且つ追従するように、光学多層薄膜層が設けられているホログラムシートであって、前記光学多層薄膜層が、前記エレクトロルミネッセンス素子層の発光する光に対する光学干渉フィルターとしての機能を持ち、且つ、前記ホログラム画像に対応したホログラムレリーフが、透過型ホログラム再生像を再生するものであることを特徴とするものである。
上記第1の態様のホログラムシートによれば、
透明基材の一方の面に、エレクトロルミネッセンス素子層、ホログラム画像に対応したホログラムレリーフを有する透明樹脂層、及び、前記ホログラムレリーフに接するように、且つ追従するように、光学多層薄膜層が設けられているホログラムシートであって、前記光学多層薄膜層が、前記エレクトロルミネッセンス素子層の発光する光に対する光学干渉フィルターとしての機能を持ち、且つ、前記ホログラム画像に対応したホログラムレリーフが、透過型ホログラム再生像を再生するものであることを特徴とするホログラムシートを提供することができ、その意匠性と偽造防止性に優れるホログラムシートを提供することを可能とする。
透明基材の一方の面に、エレクトロルミネッセンス素子層、ホログラム画像に対応したホログラムレリーフを有する透明樹脂層、及び、前記ホログラムレリーフに接するように、且つ追従するように、光学多層薄膜層が設けられているホログラムシートであって、前記光学多層薄膜層が、前記エレクトロルミネッセンス素子層の発光する光に対する光学干渉フィルターとしての機能を持ち、且つ、前記ホログラム画像に対応したホログラムレリーフが、透過型ホログラム再生像を再生するものであることを特徴とするホログラムシートを提供することができ、その意匠性と偽造防止性に優れるホログラムシートを提供することを可能とする。
本発明のホログラムシートの第2の態様は、
前記エレクトロルミネッセンス素子層は、その発光側が前記透明樹脂層に接していることを特徴とするものである。
前記エレクトロルミネッセンス素子層は、その発光側が前記透明樹脂層に接していることを特徴とするものである。
上記第2の態様のホログラムシートによれば、
前記エレクトロルミネッセンス素子層は、その発光側が前記透明樹脂層に接していることを特徴とする請求項1に記載のホログラムシートを提供することができ、より鮮明なホログラム再生像を再生することを可能とするホログラムシートを提供することができる。
前記エレクトロルミネッセンス素子層は、その発光側が前記透明樹脂層に接していることを特徴とする請求項1に記載のホログラムシートを提供することができ、より鮮明なホログラム再生像を再生することを可能とするホログラムシートを提供することができる。
本発明のホログラムシートの第3の態様は、
第1の態様または第2の態様において、前記エレクトロルミネッセンス素子層の厚さは、0.01μm〜2.0μmであることを特徴とするものである。
第1の態様または第2の態様において、前記エレクトロルミネッセンス素子層の厚さは、0.01μm〜2.0μmであることを特徴とするものである。
上記第3の態様のホログラムシートによれば、
第1の態様または第2の態様において、前記エレクトロルミネッセンス素子層の厚さは、0.01μm〜2.0μmであることを特徴とするホログラムシートを提供することができ、さらに鮮明なホログラム再生像を再生することを可能とするホログラムシートを提供することができる。
第1の態様または第2の態様において、前記エレクトロルミネッセンス素子層の厚さは、0.01μm〜2.0μmであることを特徴とするホログラムシートを提供することができ、さらに鮮明なホログラム再生像を再生することを可能とするホログラムシートを提供することができる。
本発明のホログラムシートは、透明基材上に、エレクトロルミネッセンス素子層が設けられて、エレクトロルミネッセンス素子層が「平面形状」を成し、その「平面形状」のエレクトロルミネッセンス素子層の上に、ホログラム画像を再生する干渉縞や回折格子群が、ホログラムレリーフとして、透明樹脂層面上に略一平面として形成されており(これが、「ホログラム画像に対応したホログラムレリーフを有する透明樹脂層」である。)、このホログラムレリーフの上に、このホログラムレリーフに接して、且つ、追従して光学多層薄膜層が設けられている。
ここで、エレクトロルミネッセンス素子層は、そのホログラムレリーフ全面に対応するように設けてもよいし、ホログラムレリーフの一部のみに対応するように設けてもよい。
ここで、エレクトロルミネッセンス素子層が、そのホログラムレリーフの一部のみに対応するように設けるとは、例えば、文字や図形を表現する所望のパターン状に、または、30μm〜300μmの大きさの市松模様状(市松模様の各々の升目は全て導通している。)に設けることを意味する。従って、そのエレクトロルミネッセンス素子層を発光させたときには、その部分的に設けた領域のみが発光することとなり、この発光した領域に対応するホログラムレリーフの一部領域のみが、この発光した光により参照され、そのホログラムレリーフの一部領域のみに基づく、レリーフホログラム再生像が再生されることとなる。
さらには、その所望のパターン状に設けたエレクトロルミネッセンス素子層に対応する位置(上記の市松模様パターンにおいては、その市松模様の各々の升目部分に相当するところ。)に設けた「ホログラムレリーフ(ホログラム画像H1に対応する。)」と、その所望のパターン状の領域以外の位置(上記の市松模様パターンにおいては、その市松模様の各々の升目部分の「隣」の空白部分に相当するところ。)に、上記「ホログラム画像H1に対応するホログラムレリーフ」とはは異なる「ホログラムレリーフ(ホログラム画像H2に対応する。)」を配して、エレクトロルミネッセンス素子層を発光させていないときのレリーフホログラム再生像(「ホログラム画像H1」と「ホログラム画像H2」の両方が再生している状態。)に、発光させたときの新たなレリーフホログラム再生像が浮き上がるようにすることも(「ホログラム画像H1」のみが明るさを増した状態。)、その意匠性や偽造防止性を高めることを可能とし、好適である。
ホログラムレリーフは、位相ホログラムとしての位相差を、レリーフ形状に現しているが、この位相差を有するレリーフ形状に追従して(沿って)、「薄膜」である光学多層薄膜層が設けられることにより、光学多層薄膜層そのものが、ホログラムレリーフ形状を形作る(特に、その光学多層薄膜層を構成する各層が全て、実質的にその「ホログラムレリーフ形状」となっている。)ため、この光学多層薄膜層を通過する光に対して、位相ホログラムとしての位相差を付与し、この光学的薄膜層を通過後に、ホログラフィックな干渉現象を生じて、鮮明なレリーフホログラム再生像を再生(結像)させるものである。
さらに、光学多層薄膜層は、そのエレクトロルミネッセンス素子層が発する(放射する)光に対して「光学干渉フィルター」としての機能を持つ(その発光波長を、設定波長とするショートパスフィルター〈SPF〉、バンドパスフィルター〈BPF〉、もしくは、ロングパスフィルター〈LPF〉もしくは、その組み合わせ。)ため、エレクトロルミネッセンス素子層が発する(放射する)光の「発光波長の幅」(代表的には、「半値幅」で表す。)をより狭く、シャープにしたり、球面波としてあらゆる角度に広がるその「発する(放射する)光の進行方向」に対して「所定の角度方向」に選択的に進むように、その進行方向を制御したりする機能を有する。
すなわち、そのエレクトロルミネッセンス素子層が発する(放射する)光に対して、「波長選択」機能や、「角度選択」機能を発揮する。
より詳しくは、そのエレクトロルミネッセンス素子層が発する(放射する)光が、この光学多層薄膜層内で、「光の『多重反射現象』」を生じて(入射した光が、光学多層薄膜層内にある多数の「界面」の間で繰返し反射をする現象を意味する。)、「波長選択性」と「角度選択性」が出現し、その結果、この光学多層薄膜層に入射する光に対して、「定められた方向に向かう、定められた波長の光」のみをその光学多層薄膜から出射することととなる。
従って、そのエレクトロルミネッセンス素子層が発する光(放射される光。その波長―強度曲線において、最も高い強度を有する「中心波長λ0」を持ち、その波長から長波長側、及び短波長側に、徐々に小さくなる強度を持つ。すなわち、数十nm〜数百nmの波長幅を有する光)が、そのそのエレクトロルミネッセンス素子層内の「一つの点(発光体や発光分子、さらには、その発光分子の中の発光位置。)」から、いわゆる球面波として広がりつつ進み(あらゆる方向へ均等に進むという意味。)、その光学多層薄膜層のレリーフ形状から、ホログラムレリーフの位相差を取り込むことで、あらゆる方向にホログラム再生像を結像する状態となる。
このような「多数のホログラム再生像が、わずかな『ズレ』を持って重なった状態」では、観察者は「『一つ』の鮮明なホログラム再生像」を視認することができない。
そのため、このような「あらゆる方向にホログラム再生像を結像する光」を、この光学多層薄膜層に入射させることで、この光学多層薄膜層によって、その「波長に対する制限(所定の波長範囲のみを通過させるという意味。)」及び、「方向に対する制限(所定の方向範囲に進む光のみを通過させるという意味。)」を施して、その結果、「所定の波長を持って、所定の方向に進む、『一つ』のホログラム再生像のみを、観察者の目に届けることを可能とする。
もしくは、この光学多層薄膜層によって、「波長に対する制限」及び、「方向に対する制限」を受けた「通過光」が、その「通過」後に、互いにホログラフィックな干渉現象をより効果的に生じて、より鮮明性に優れるレリーフホログラム再生像を再生すると考えることもできる。
これは、レリーフホログラムを再生する場合に、そのレリーフホログラムを所定の照明光で照明した際に、そのレリーフホログラム面上のあらゆる点(場所)で生じるホイヘンスの2次波に対し、本発明のホログラムシートの場合においては、この2次波に相当するものが、ホログラムレリーフ面に配された光学多層薄膜層を「通過した光」であり、この光がその役目を担い、ホログラム画像に対応したホログラムレリーフが有する位相差を含んで発光した光を観察者側に届けるものである。
すなわち、この「通過した光」が、ホログラムシート上の空間において干渉現象を起こし、その結果、所定の方向に所定のホログラム再生像を発現する。
ここで、エレクトロルミネッセンスについて、以下に詳述する。
「エレクトロルミネッセンス」とは、電場のエネルギーによって、蛍光物質等が発光する現象であって、面光源を得ることが可能であり、大別して、有機エレクトロルミネッセンスと、無機エレクトロルミネッセンスとがある。
有機エレクトロルミネッセンスは、電流を流すと発光する性質を有する有機物質を用いた発光現象のことであり、ベースとなる層に有機物質を挟み込んだ構造をしている。
その層間に電流を流すことで、その有機物質の分子が励起され発光する仕組みとなっている。
代表的な層構成は、/陽極(透明導電層)/ホール輸送層/有機物質層/電子輸送層/陰極(導電性反射層)からなり、陽極側から発光した光が出る。
すなわち、薄膜で形成された有機エレクトロルミネッセンス素子は、陰極(陰極層)から電子輸送層を経て有機物質層に到達した電子と、陽極からホール輸送層を経て有機物質層に到達した正孔とを再結合させることにより生じた励起子(エキシトン)によって発光する。
つまり、その再結合の際に発生するエネルギーにより有機物質の分子等を励起し、励起状態から、再び、基底状態へ戻るときに、蛍光(燐光を含む。)発光等が起こる。
蛍光発光の原理は、図1に示すジャブロンスキー図にあるように、その有機物質(複数の物質の複合系を含む。)の分子等の基底状態(S0:一重項状態)からエネルギー吸収によって第一(S1)、第二(S2)、第三励起状態(S3)・・・のどれかの振動状態に励起された有機物質の分子等が、無放射過程で非常に速やかに緩和してS1の電子励起状態に移るか、あるいは項間交差によって三重項状態(T1、T2)へ移る。
S1の最低振動状態になった蛍光体は、無放射過程によるか蛍光を発して基底状態に戻り、三重項状態になった分子は、無放射過程によるか、燐光を発して基底状態に戻る。
励起しても光に上手く利用できないエネルギーは無放射失活(熱失活)する。
一重項同士の遷移は瞬間的に起こるため、蛍光の半減期は10-4sec以下と短いものである。遷移に要する時間は、10-15secで励起が起こり、その後10-9〜10-7secで蛍光発光が起こるとされている。
一方、三重項から一重項への遷移はスピン変化禁止により禁制遷移となり自発的放出が起こりにくいので、燐光の半減期は大きく、秒単位のものもある。
基底状態に戻る際に光を発するか否か、光の強度が強いか弱いか、蛍光寿命が長いか短いかは、その有機物質の分子等の分子構造や分子等の置かれた環境に大きく依存する。
有機物質の分子等の放出光の波長分布を発光スペクトルといい、発光スペクトルは発光の波長に対し相対的な発光強度をプロットして作成される。発光スペクトルに示される波長(エネルギー)は一次励起状態の最低振動エネルギー準位から基底状態の優先的な振動エネルギー準位までのエネルギー差と等しくなる。
無機エレクトロルミネッセンスとは、物質に電界を印加したときに発光する物理現象であり、その機構は、固体である無機化合物の蛍光体(発光層)に電圧を印加するとその固体内にあらかじめ存在する電子、あるいは電極から注入された電子が高電界によって加速され、発光中心に衝突してこれを励起し、そのとき生じた電子と正孔が再結合することによって発光するというものである。外部から電流によって注入された電子と正孔の再結合によって発光する有機ELとは、励起の点で異なる。
すなわち、薄膜で形成された無機エレクトロルミネッセンス素子は、二重絶縁構造を有しており、この構造に電界を印加することにより発光が起こる。
発光層の構成形態から「分散型」と「薄膜型」の2種類に分けられ、分散型は、強誘電体粉末を有機バインダーに分散させた絶縁層と蛍光体粉末を有機バインダーに分散させた発光層とを積層させて、透明電極と背面電極で挟んだ構造であり、その代表的な構成は、/透明電極/絶縁層/発光層/背面電極/、若しくは、/透明電極/絶縁層/発光層/絶縁層/背面電極/である。
薄膜型は、薄膜電極付き基板上に薄膜蛍光体からなる発光層と絶縁層を積層させ、電極を付けた構造であって、スパッタリング法や真空蒸着法等の薄膜形成方法を用いて層を形成する。その代表的な構成は、分散型と同様である。
いずれも、透明電極側から、発光した光が出る。
本発明は、従来のホログラムの再生方法、すなわち、ホログラムに照明光源からの照明光を当て、ホログラムレリーフ面での反射光の干渉現象によって、その照明光の波長のホログラムを再生するもの、とは異なり、電圧を印加することによって、エレクトロルミネッセンス素子層が発光し、その発光した光そのものが、上記した光学多層薄膜層を照明し、且つ、通過した結果、干渉現象を生じて、その発光した光の波長におけるホログラムを再生するものである。従って、回折角度も、その発光した光の波長に依存する。
例えば、透明でほとんど何も見えない空間(レーザー再生ホログラム等のようにその再生に単波長光を必要とするものは、白色光光源では視認できない。また、白色光再生に適するレインボーホログラムであっても、ホログラフレリーフ面の界面反射強度が小さい場合にも、やはり視認しにくくなる。)に、電圧印加によって初めて、例えば「緑色」のホログラムを視認することもできるため、観察者の目には、あたかも、通常再生に用いられる「緑色の照明光源」の無いところに、ホログラムシート全体及びホログラムが光輝き、そのホログラムは、空中に浮いているように見え、意匠性にも優れるものとなる。
そして、本発明は、このような原理によって、ホログラム再生像を再生(結像)させるものであるから、本発明のホログラムシートにおける、「ホログラム画像に対応したホログラムレリーフを有する透明樹脂層」に記録するホログラム画像は、「透過参照光によって再生(結像)されるホログラム画像」、すなわち、「そのホログラム画像に対応したホログラムレリーフが、透過型ホログラム再生像を再生するもの」となるようにする。
また、このことによって、本発明のホログラムシートの最表面、すなわち、光学多層薄膜層の露出面が、そのホログラムレリーフと実質的に同一であったとしても、その露出面で発生する「反射光(蛍光灯などの照明により発生するそのホログラムレリーフの位相を含んだ反射光)」が、鮮明なホログラム再生像を出現することは無い。(これは、このホログラムレリーフの照明光として「このホログラムレリーフを透過する光(その照明光をホログラムシートを通して観察するという意味。)」を受けると鮮明なホログラム再生像<透過型ホログラム再生像>を出現するが、照明光として「このホログラムレリーフから反射する光(その照明光側から観察し、照明光がホログラムシートで反射された、その「反射光」を観察するという意味。)」を受けても何らのホログラム再生像<反射型ホログラム再生像>を出現しないことを意味する。)
さらに、ホログラムを再生可能な電源端子(陽極端子と、陰極端子。複数設けてもよいし、ダミー端子を設けることで、その偽造防止性を高めることが出来る。)がどの部分に形成されているか判別しにくくして、その構造を知りうる者のみがホログラム再生を果たすことができるよう設けて、真正性判定用に有用なものとすることができる。
さらに、ホログラムを再生可能な電源端子(陽極端子と、陰極端子。複数設けてもよいし、ダミー端子を設けることで、その偽造防止性を高めることが出来る。)がどの部分に形成されているか判別しにくくして、その構造を知りうる者のみがホログラム再生を果たすことができるよう設けて、真正性判定用に有用なものとすることができる。
また、上記した、発光した光の波長を知りうる者のみがホログラム再生像の色調を予測でき、その再生波長に調整した、別に準備した「バンドパスフィルター」を通して覗いて、その「バンドパスフィルター」を通過できるホログラムのみ(そのホログラム再生像が、このフィルターを通過可能な波長を有しているという意味。)が、真正であると判定することもできる。
また、この「バンドパスフィルター」を通過する角度(回折角度。このフィルターに向かう方向という意味。)も、その発光波長に依存し、やはり、その値を知りうる者のみがその所定の角度で判定を行うことができる。
さらに、薄膜で形成されたエレクトロルミネッセンス素子層を複数含めることにより(発光波長の異なる素子を複数含めるという意味。)、この再生像は複数の角度に異なる色調で現れることになり、意匠性の面でも、真正性判定の面でもより優れたものとすることができる。
もちろん、エレクトロルミネッセンス素子層は、その印加する電圧により、発光スペクトルが大きく異なり、また個々の素子独特の発光特性を有するため、真正性判定に使用する印加電圧(電圧強度や、周波数等。)を知りえない偽造者が、真正品と全く同一のホログラムシートを作製しようとしても、物理的に不可能と言える。
有機エレクトロルミネッセンス素子の構造は、具体的には、発光層となる有機薄膜を陰極と陽極で挟んだ単層構造のものや、陽極と発光層との間に正孔輸送層を有する構造のもの、陰極と発光層との間に電子輸送層を有するもの、発光層部分を電子輸送層、発光層、正孔輸送層の3層構造とするもの、さらには必要に応じて多層化した構造のもの等を用いることができる。
これらの陽極と陰極で挟んだ層は、すべて有機薄膜(固体)で構成されており、各層の厚さは、10〜100nmである。
10nm未満では、各層の機能を十分発揮できず、また、100nmあれば、各層の機能を達成するためには十分であり、それより厚くすることによる不要なレリーフ追従性低下を避けるため、100nm以下とする。
発光層は、主材料(ホスト材料)と不純物材料(ドーパント材料:発光強度向上等の機能向上のために添加される。)との2成分系であり、発光する不純物材料は、0.1〜30%添加で主材料中に均一に分散されている。
0.1%以下では、発光性が不十分であり、30%を超えると、その不純物性(特異点としての存在性)が薄れ、かえって発光性が低下し始める。
陽極には、透明導電性薄膜と称される、透明性と導電性をあわせもつITO薄膜(インジウム・スズ酸化物薄膜)、錫ドープ酸化錫、アンチモンドープ酸化錫、亜鉛ドープ酸化錫、フッ素ドープ酸化錫、酸化亜鉛などの金属酸化物、銀の薄膜を高屈折率層で挟んだ多層構造、ポリアニリン、ポリピロールなどの共役系高分子などが挙げられる。
形成方法は、薄膜形成方法、すなわち、スパッタリング法や、真空蒸着法等を用いて、厚さ50〜500nmで形成する。以上の配慮から、透明導電性薄膜の表面抵抗値は、0.001Ω/□〜0.1Ω/□とする。
形成方法として、印刷法等も用いることが可能であるが、レリーフホログラム再生像に不要なムラを生じないためには、この層の膜厚さが、薄く、且つ、高い精度で均一である必要があり、上記した薄膜形成方法が望ましい。
以上を配慮して、その膜厚さは、50nm未満では、その導電性が不十分であり、500nmを超えると、レリーフホログラム再生像に不要なムラを生じ易くなる。
陰極には、アルミニウム、金、銀、白金、銅、鉄、銀・マグネシウム合金等の金属薄膜や、グラファイトなどを厚さ、50〜500nmで形成する。
50nm未満では、その導電性が不十分であり、500nmを超えると、やはり、レリーフホログラム再生像に不要なムラを生じ易くなる。
さらに、その薄膜形成時の加熱負荷により、透明基材の劣化を生じて、その結果として、レリーフホログラム再生像に不要なムラを生じ易くなる。
50nm未満では、その導電性が不十分であり、500nmを超えると、やはり、レリーフホログラム再生像に不要なムラを生じ易くなる。
さらに、その薄膜形成時の加熱負荷により、透明基材の劣化を生じて、その結果として、レリーフホログラム再生像に不要なムラを生じ易くなる。
金属薄膜はその反射性が高いことから、エレクトロルミネッセンス発光の効率を向上する効果を持つ。もちろん、この金属薄膜に網点状等の穴を設け、透明性を付加することもできるし、金属薄膜の代わりに、透明導電性薄膜を陽極と同様に形成してもよい。
発光層である有機薄膜には、低分子系と高分子系とを用いることができる。
低分子系には、正孔輸送材料として、TPAC(1,1−ビス[4-[N,N―ジ(p−トリル)アミノ]フェニル]シクロヘキサン)、TPD(N,N´―ジフェニル−N,N´―ジ(m―トリル)ベンジジン)、CuPc(フタロシアニン銅)、α―NPD(4,4´―ビス[フェニル(1−ナフチル)アミノ]−1,1´ビフェニール等、
電子輸送材料として、BND(2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4− オキサジアゾール)、PBD(2−(ターシャリー−ブチルフェニル)―5― (4−ビフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール)、Butyl−PBD(2−ビフェニル−5−(パラ−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール)、TAZ(1−フェニル−2−ビフェニル−5−パラ−tert−ブチルフェニル−1,3,4−トリアゾール)、Alq3(トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム)、Beq2(ビス(8−ヒドロキシ−キノリノ)ベリリウム)、Zn(BOZ)2(亜鉛−ビス−ベンゾキサゾール)、Zn(BTZ)2(亜鉛−ビス−ベンゾチアゾール)、Eu(DBM)3(Phen)(トリス(1,3−ジフェニル−1,3−プロパンジオノ)(モノフェナントロリン)ユーロピウム(III))等、
発光層材料として、ZnPBO(ビス[2−(2−ベンゾキサゾリル)フェノラト]亜鉛)等、
ドーピング色素材料として、Coumarin6(3−(2−ベンゾチアゾリル)−7−(ジエチルアミノ)コーマリン、QN−(N,N´−ジメチルキナクリドン)、ナイルレッド、ベリレンラブレン、TBP(1,1,4,4−テトラフェニル−1,3−ブタジエン)キナクリドン等、その他、4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(4−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール、4,4'−ビス(9−カルバゾリル)ビフェニル等を用いることができる。
電子輸送材料として、BND(2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4− オキサジアゾール)、PBD(2−(ターシャリー−ブチルフェニル)―5― (4−ビフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール)、Butyl−PBD(2−ビフェニル−5−(パラ−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール)、TAZ(1−フェニル−2−ビフェニル−5−パラ−tert−ブチルフェニル−1,3,4−トリアゾール)、Alq3(トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム)、Beq2(ビス(8−ヒドロキシ−キノリノ)ベリリウム)、Zn(BOZ)2(亜鉛−ビス−ベンゾキサゾール)、Zn(BTZ)2(亜鉛−ビス−ベンゾチアゾール)、Eu(DBM)3(Phen)(トリス(1,3−ジフェニル−1,3−プロパンジオノ)(モノフェナントロリン)ユーロピウム(III))等、
発光層材料として、ZnPBO(ビス[2−(2−ベンゾキサゾリル)フェノラト]亜鉛)等、
ドーピング色素材料として、Coumarin6(3−(2−ベンゾチアゾリル)−7−(ジエチルアミノ)コーマリン、QN−(N,N´−ジメチルキナクリドン)、ナイルレッド、ベリレンラブレン、TBP(1,1,4,4−テトラフェニル−1,3−ブタジエン)キナクリドン等、その他、4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(4−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール、4,4'−ビス(9−カルバゾリル)ビフェニル等を用いることができる。
これらの低分子系材料は、真空蒸着法、CVD法(化学蒸着法)等の薄膜形成法により設けることができる。
高分子系には、
発光層材料として、PPV(ポリパラフェニレンビニレン)系、PAT(ポリチオフェン)系、PF(ポリフルオレン)系、PPP系(ポリパラフェニレン)等、
正孔層材料として、PEDOT(ポリ-3,4-エチレンジオキシチオフェン)+PSS(ポリスチレンスルホン酸:ドーパント)共重合体、PEDOT+PVS(ポリビニルスルホン酸)共重合体、ポリアニリン+PSS共重合体、ポリピロール+PSS共重合体等、を用いることができる。
発光層材料として、PPV(ポリパラフェニレンビニレン)系、PAT(ポリチオフェン)系、PF(ポリフルオレン)系、PPP系(ポリパラフェニレン)等、
正孔層材料として、PEDOT(ポリ-3,4-エチレンジオキシチオフェン)+PSS(ポリスチレンスルホン酸:ドーパント)共重合体、PEDOT+PVS(ポリビニルスルホン酸)共重合体、ポリアニリン+PSS共重合体、ポリピロール+PSS共重合体等、を用いることができる。
これらの高分子系材料は、各種のコーティング法、印刷法により設けることことができる。印加直流電圧は、1〜10Vである。
無機エレクトロルミネッセンス素子の構造は、基本構造として、透明電極、絶縁層、発光層、背面電極を積層したものであり、発光は、発光層である蛍光体膜から出る。蛍光体は、薄膜型の場合、誘電性のある母体材料に、発光中心となる微量の添加不純物を混ぜたもので、エネルギーを受けることで、その発光中心物質の外殻軌道または高い順位に移動(励起)した、発光中心物質の持つ電子が、元の順位に戻る(遷移)ときに、発光を生じる。
発光層である蛍光体の膜を、絶縁層である誘電体で挟み込み、その両端に電極を配した構造は、コンデンサを3個直列に接続した回路と考えることができ、ここに、交流電圧をかけると、誘電体と蛍光体の中で分極が生じ、印加電圧を上げ、蛍光体の膜にかかる電界が、100MV/m以上となると、発光中心が電界で加速された電子等の衝突のエネルギーを受け取り、励起されるようになる。
発光層としては、母体にZnSや、SrSなどのII族硫化物を用い、発光中心にMnや希土類を添加したもの、母体にBaAL2S4(バリウム・アルミニウム複合硫化物)を用い、発光中心にEuを添加したもの、等が用いられる。
発光層には、周期表の第2族元素と第16族元素とから成る群から選ばれる少なくとも1種の元素及び/又は周期表の第13族元素と第15族元素とから成る群から選ばれる少なくとも1種の元素とを含む半導体を好ましく用いることができる。
そのキャリア密度は、1017/cm3以下であることが好ましい。
発光層を形成する物質の具体例をさらに挙げると、CdS,CdSe,CdTe,ZnSe,ZnTe,CaS,MgS,GaP,GaAs,GaN,InP,InAs及びそれらの混晶などが挙げられるが、ZnSe,CaSなどを好ましく用いることができる。
さらに、BaAl2S4、CaGa2S4、Ga2O3、Zn2SiO4、Zn2GaO4、ZnGa2O4,ZnGeO3,ZnGeO4,ZnAl2O4,CaGa2O4,CaGeO3,Ca2Ge2O7,CaO,Ga2O3,GeO2,SrAl2O4,SrGa2O4,SrP2O7,MgGa2O4,Mg2GeO4,MgGeO3,BaAl2O4,Ga2Ge2O7,BeGa2O4,Y2SiO5,Y2GeO5,Y2Ge2O7,Y4GeO8,Y2O3、Y2O2S,SnO2及びそれらの混晶などを好ましく用いることができる。
キャリア密度等は、一般に用いられるホール効果測定法などで求めることができる。
絶縁層である誘電体膜としては、金属酸化物、窒化物が用いられる。BaTiO3などのペロブスカイト系酸化物は高い誘電率を持ち好適である。
酸化物に含むことができる元素としては、周期表の第2族、3族、9族、12族(旧2B族(旧IIb族))、13族(旧3B族(旧III族))、14族(旧4B族(旧IV族))、第15族、第16族の元素が好ましく、第12族、第13族及び第14族の元素からなる群より選ばれる少なくとも1種の元素を含むことがより好ましい。具体的にはGa、In、Sn、Zn、Al、Sc、Y、La、Si、Ge、Mg、Ca、Sr、Rh、Ir等を挙げることができ、より好ましくは、Ga,In,Sn,Zn,Si,Ge等である。またこれらの元素以外に透明半導体が、S、Se、Te等のカルコゲナイドやCu、Ag等を好ましく含むことができる。
絶縁層と発光層の層厚さは、0.1μm〜2μmとする。もちろん、2μmを超えて10μm程度の厚さとすることで、発光の性能をより向上させることができるが、レリーフホログラム再生像に不要なムラを生じないためには、2μmが限界である。
透明電極、背面電極は、有機エレクトロルミネッセンス素子と同様に、ITOや、金属薄膜が好適に持ちいられる。
異なる発光色の蛍光体膜を交互に並置して、多色とすることもできるが、輝度の高い1色の発光体膜の上に、色変換材料(クマリン系:クマリン6、ローダミン系:ローダミン6G、ローダミンB等の蛍光色素の混合物や、2種以上のベンゾ−α−ビロン骨格を持つ蛍光色素の混合物等、波長350nm〜600nmの光を吸収して、波長600nm以上の可視領域に発光極大を有する光を放出する等。)を重ねて多色とすることも好適である。
印加電圧としては、100V・50〜1000Hzの交流電源等を用いることができる。
次に、ホログラフィの原理について説明する。
物体がコヒーレント光で照明され,物体から回折された光が記録媒体(フォトレジスト等。)を照明しているとした場合、物体から回折されて記録面に到達した波面を物体波は、
F(x,y)=A(x,y)EXP[φ(x,y)]
であらわされる。ここで、
A(x,y) は物体波の振幅分布とし、
φ(x,y) は位相分布とする。
F(x,y)=A(x,y)EXP[φ(x,y)]
であらわされる。ここで、
A(x,y) は物体波の振幅分布とし、
φ(x,y) は位相分布とする。
このとき、記録媒体には、記録媒体に到達する光波の強度分布が記録される。その強度分布は、
I(x,y)=|F(x,y)|2=A2(x,y) (1)
となり、位相分布は記録されない。
I(x,y)=|F(x,y)|2=A2(x,y) (1)
となり、位相分布は記録されない。
ここで,物体波にこれと干渉性のある光波(参照波という)を重ね合わせると,記録される光波の強度分布は、
I(x,y)=|F(x,y)+R(x,y)|2
=|F(x,y)|2+|R(x,y)|2
+F(x,y)R*(x,y)+F*(x,y)R(x,y) (2)
となる.(*は複素共役項を表す。)
ただし,参照光が記録面に角度θで入射する平面波であるとすれば、
R(x,y)=r(x,y)EXP(2πiαx) (3)
と書け、
α = SIN(θ)/λ (4)
である。(2)の第1項と第2項はそれぞれ、物体波の強度と参照波の強度でいずれも位相情報は欠落している。第3項と第4項は干渉の項でそれぞれ
F(x,y)R*(x,y)=
A(x,y)r(x,y)EXP[i [φ(x,y)−2παx] ] (5)
F*(x,y)R(x,y)=
A(x,y)r(x,y)EXP[−i [φ(x,y)−2παx]] (6)
とあらわされ、物体の位相項 φ(x,y) が残っている。(5)、(6)は互いに複素共役であり、(4.2)の第3項は物体の複素振幅分布を含んでいる。(5)、(6)を(2)に代入すると、
I(x,y)=|F(x,y)|2+|R(x,y)|2
+2A(x,y)r(x,y)COS [2παx−φ(x,y)] (7)
となる.物体波と参照波が干渉して干渉縞を形成していることがわかる。
I(x,y)=|F(x,y)+R(x,y)|2
=|F(x,y)|2+|R(x,y)|2
+F(x,y)R*(x,y)+F*(x,y)R(x,y) (2)
となる.(*は複素共役項を表す。)
ただし,参照光が記録面に角度θで入射する平面波であるとすれば、
R(x,y)=r(x,y)EXP(2πiαx) (3)
と書け、
α = SIN(θ)/λ (4)
である。(2)の第1項と第2項はそれぞれ、物体波の強度と参照波の強度でいずれも位相情報は欠落している。第3項と第4項は干渉の項でそれぞれ
F(x,y)R*(x,y)=
A(x,y)r(x,y)EXP[i [φ(x,y)−2παx] ] (5)
F*(x,y)R(x,y)=
A(x,y)r(x,y)EXP[−i [φ(x,y)−2παx]] (6)
とあらわされ、物体の位相項 φ(x,y) が残っている。(5)、(6)は互いに複素共役であり、(4.2)の第3項は物体の複素振幅分布を含んでいる。(5)、(6)を(2)に代入すると、
I(x,y)=|F(x,y)|2+|R(x,y)|2
+2A(x,y)r(x,y)COS [2παx−φ(x,y)] (7)
となる.物体波と参照波が干渉して干渉縞を形成していることがわかる。
このように、物体波に参照波を重ね合わせて干渉記録し、 物体の位相情報を欠落させずに記録する方法がホログラフィである。(7)を記録したものが「ホログラム」と呼ばれる。ホログラムの振幅透過率もしくは振幅反射率が、記録した強度分布 I(x,y)
比例し、
T(x,y)=τI(x,y) (8)
とかけるとする。このホログラムに、記録したときに用いた参照波を所定の角度であてると、ホログラムを透過もしくは反射してきた波面は、
T(x,y)R(x,y)=τ(|F(x,y)|2+|R(x,y)|2 )
+τF(x,y)|R(x,y)|2
+τF*(x,y)R2(x,y) (9)
とあらわすことが出来る.この第2項は
τF(x,y)|R(x,y)|2=
τA(x,y)r2(x,y)EXP[iφ(x,y)]] (10)
第3項は、
τF*(x,y)R2(x,y)=
τA(x,y)r2(x,y)EXP[−iφ(x,y)+2πiα] (11)
とかける。
比例し、
T(x,y)=τI(x,y) (8)
とかけるとする。このホログラムに、記録したときに用いた参照波を所定の角度であてると、ホログラムを透過もしくは反射してきた波面は、
T(x,y)R(x,y)=τ(|F(x,y)|2+|R(x,y)|2 )
+τF(x,y)|R(x,y)|2
+τF*(x,y)R2(x,y) (9)
とあらわすことが出来る.この第2項は
τF(x,y)|R(x,y)|2=
τA(x,y)r2(x,y)EXP[iφ(x,y)]] (10)
第3項は、
τF*(x,y)R2(x,y)=
τA(x,y)r2(x,y)EXP[−iφ(x,y)+2πiα] (11)
とかける。
このことから、(9)の第1項は、照明光と同じ方向にホログラムを突き抜ける光束もしくは正反射する光束であり、第2項は、(10)より、物体光に比例した振幅を持つ光波であることがわかり、第3項は、(11)より、物体波と共役な位相分布を持ち、2θの方向に伝播する光波であることがわかる。
このようにして,ホログラフィの技術を使うと複素振幅分布を記録して再生することが出来る。
本発明の場合は、ホログラムの振幅透過率もしくは振幅反射率が、記録した強度分布に比例し、(8)の式で表されてはいるものの、このホログラムに、記録したときに用いた参照波を所定の角度であてるのではなく、(8)の振幅透過率もしくは振幅反射率と同様の空間的な分布を持つ発光波がこのホログラムから発せられることになる。
従って、参照光にホログラムに記録された位相項を付与するという従来のホログラム再生の原理によらず、ホログラム自体が照明光を発光波を放射し、既にホログラムに記録されている位相項を保持して進むものである。従って、理論上は、物体の位相差を含む空間関数を持つ3次元の連続曲面を、その発光波が照明し、その曲面から再び、光が放射されることになる。
従来のホログラム再生原理を、透過タイプについて、単純化して説明すると、参照光としての平行光をホログラムにあてた際、遮蔽部分では、平行光が遮蔽され、透過部分からのみその平行光を透過し、透過部分と遮蔽部分との境界において回折が起こり、物体の持つ位相項を受け取り、ホログラムを透過した成分全体が重ね合わさり、それがホログラム再生光となって観察者の目に届くものである。
本発明の場合は、上記した参照光としての平行光が存在せず、ホログラムレリーフの近傍に設けられた平面発光面での発光が、その近傍にある光学多層薄膜が成しているホログラムレリーフを照明し、通過することで、その透過光が物体の位相項を保持しており、その通過光同士の干渉現象により、ホログラム再生がなされるものである。
時間的且つ空間的コヒーレンス性を完全には持たない放射光(もしくは、通過光)同士の干渉効果は、レーザー光のような十分な干渉を生じないが、低コヒーレント光で ホログラムを照明した際と同様のレベルでホログラム再生が行われる。以上のような原理による再生であるため、ホログラム撮影時の参照光は平行光であることが好ましく(複雑な参照光を再現できないため。)、もしくは、「回折格子により表現されたホログラム」(回折格子は、物体光、参照光とも平行光である。)であることが好ましく、回折格子は計算機ホログラム等、電子線描画により形成したものが精密であり、好適である。
さらに、上記の理由から、ホログラム再生像をより鮮明にするためには、放射光に対して、時間的若しくは空間的なコヒーレンス性に関する特性を付与することが必要であり、例えば、発光体の発光する部分の厚さ(放射方向の距離)を薄いものとして、発光点の厚さ方向におけるばらつきを小さいものとしたり、発光層その他の層を均一(層厚さを均一にしたり、均一分散や、均一組成とするなど、層内のムラをなくすこと。)にして、発光スペクトルのばらつきや、発光スペクトルの幅を小さいものとすることが望ましい。
また、ホログラムを光学的に記録する際に使用する光の主波長や、回折格子等を形成する際に想定する回折光の主波長と、エレクトロルミネッセンス素子層からの発光波長を同一、乃至はほぼ同一とすることで、より鮮明なホログラム再生像を得ることができる。
さらには、発光した光が通過する光学多層薄膜層内での光の多重反射を考慮して、「発光した波長を持って通過する光」の強度が最大となるように、各層の屈折率と厚さを設定することが好ましい。
もちろん、偽造防止性を高めるために、敢えて、発光する波長を記録形成時の波長と異ならせることも好適である。その場合は、波長が異なることによる、ホログラム再生像の変形や、回折角度の変化を予想し、あらかじめ確認しておくことが必須となる。
さらに、エレクトロルミネッセンス素子層形成領域の部分的なばらつき、すなわち、形成場所による発光波長や、発光強度のばらつきは、ホログラム再生像の品質を劣化させるため、発光層の均一性は重要となる。
少なくとも、発光波長のピーク値の部分的なばらつき(ある1mm径のスポット領域と、それに隣接する1mm径のスポット領域との差など。)や半値幅のばらつきは、30nm以内、発光強度ばらつきは10%以内であることが好適である。発光波長のピーク値や、半値幅のバラツキが30nmを超えると、ホログラム再生像の再生位置のばらつきが発生し、ホログラム再生像がボケて不鮮明となる。また、発光強度のばらつきが10%を超えると、光の干渉にもばらつきが発生し、結果的に不鮮明な再生となる。
但し、このような「ばらつき」を、光学多層薄膜層が吸収する構造とすることも好適である。
また、エレクトロルミネッセンス素子層を多数の微細なスポット(例えば、網点状等)として、離散させて設けた場合(発光層のみを網点状とする等、素子全体を離散的に設けても良いし、単層乃至は複数の層のみを離散的に設けても良い。)には、発光量が減少し、全体的な明るさは低下するものの、個々のスポットに隣接する領域から発光した光がでないため、ホログラム再生像のシャープさが増し、好適である。
但し、このスポットの大きさや、発光層等の厚さが、ホログラムレリーフとは無関係にそのホログラム面上に離散的に形成されている場合には、その大きさ分布や、厚さ分布に起因する蛍光発光強度分布が、場合によっては、ホログラムを再生する光と不要な干渉を生じ、もしくは、あるべき干渉を撹乱し、ホログラム再生像を不鮮明にする要因となり得る。
この要因を排除するため、発光層を、連続して形成する場合、及び、離散的に形成する場合においても、それぞれを、均一な厚さ、そして、均一な分布で形成して、エレクトロルミネッセンス素子層のどの領域からも、同一の強度の発光が生じるようにし、ホログラム再生像の鮮明化を図ることが必要である。
本発明のホログラムシートは、室内照明光や、自然光照明下では、ホログラム再生像があまり認識できず、電圧を印加した時のみ、突然ホログラム再生像が出現し、まったく照明光のないところに、ホログラム再生像が浮き上がっているように観察される。
但し、陰極の金属層が高い反射性を有しているため、この層の反射により、鏡のような反射光が視認できることになる。そこで、陰極そのものも透明層として、室内照明光や、自然光照明下では、ホログラムの存在を全く認識できないようにすることも偽造防止性の向上や、意外性という意味での意匠性の向上に寄与する。
本発明のホログラムシートのホログラム再生像は、空間的なホログラムの位相を含んではいるとはいえ、その発光した光同士の時間的及び空間的なコヒーレント性は小さく、このホログラム再生像は通常のレーザー再生レリーフホログラムの再生像より微弱であって且つ不鮮明となっている。
もちろん、ビーム形状の回折光を観察するのみであれば、その色調と回折方向を確認することは容易であり、そのままでも真正性の判定に差し支えないものの、この微弱且つ不鮮明なホログラム再生像を観察者が認識しその存在を正確に判定可能とするために、発光体の発光性能を向上させ、且つ、回折角度を大きくとって波長―回折角依存性を強め、0次回折光の角度と発光の回折角度の差を大きくし、さらには、発光層を薄くして、発光層厚さ方向のばらつきを抑え且つ均一なものとすることが必要となる。
さらには、時間的なコヒーレント性をより強く発現するため、電圧の印加をパルス状とし、パルスとパルスの時間的間隔を蛍光等の発光時間である10-7sec以上あけて照明することも好適である。これにより、一つの印加パルスによって生じた一つの蛍光の発光面が、次の印加パルスによって生じた蛍光の発光面とは、互いに撹乱現象を起こさず、一つのパルスによって発現した一つの蛍光発光面によって生じるホログラフィックな干渉現象により、鮮明なホログラム再生像を観察することができるようになる。もちろん、単純に秒単位でON−OFFする電圧印加手法(手動でも可能なレベル。)を使用した場合でも、観察者には、連続して発光しているようにも見えるため、このような簡易な手段であっても目視で確認する場合には、上記した効果を十分得ることができる。
本発明のホログラムシートにおいて、エレクトロルミネッセンス素子層の発光側、すなわち、発光層、正孔輸送層と、透明導電性薄膜の積層や、発光層、絶縁層と、透明導電性薄膜の積層等における、透明導電性薄膜の最表面が、前記透明樹脂層に接している場合には、透明導電性薄膜の最表面を通過した発光が、ホログラム形成層と透明基材を通過して、観察者側にその発光した光の波長におけるホログラム再生像を再生する。
この場合には、ホログラム形成層、透明導電性薄膜、及び発光層等の屈折率差を小さくしたり、その分布を制御することで、各層の界面での不要な反射を抑制することができ、エレクトロルミネッセンス素子層に電圧を印加する前の視認性も抑制可能であって、より意匠性を高いものとすることができる。
さらには、発光層の表面からホログラム形成層のホログラムレリーフ面までの距離(その間の各層の層厚さ)を極力大きくすることで、発光層の中の一つの発光点から発する球面波が、ホログラムレリーフの比較的大きな領域を照明する(多くの凹凸を同一の波面が照明するという意味。)ものとすることができる。これにより、より鮮明なホログラム再生像を得ることができる。
また、陰極層を金属反射面として、全体の発光強度を増すことが可能である。
以上のことから、エレクトロルミネッセンス素子層の厚さは、すなわち、素子全体の厚さは、薄く形成することが好適であり、ホログラムレリーフの凹凸の深さや、ピッチの大きさに対して、同じレベルとすることが望ましく、0.01μm〜2.0μmであることが好ましい。
この厚さが、0.01μm、すなわち、10nm未満であれば、素子としての性能が不十分であり、2.0μmを超えると、鮮明なホログラム再生像を得難くなる。
本発明のホログラムシートに用いられる光学多層薄膜層としては、本発明のホログラムシートに用いられるエレクトロルミネッセンス素子層が発する(放射する)光(発光中心波長λ0)に対して「光学干渉フィルター」としての機能を持つもの、すなわち、その発光中心波長を、フィルタリングの中心波長とするショートパスフィルター〈SPF〉、バンドパスフィルター〈BPF〉、もしくは、ロングパスフィルター〈LPF〉もしくは、その組み合わせとすることができる。
すなわち、これらの機能を持つ「『光学干渉フィルター』構造の『多層薄膜』」を順次、一層ずつ、本発明の「ホログラム画像に対応したホログラムレリーフを有する透明樹脂層」のそのホログラムレリーフに接するように、且つ追従するように、設ける。(その一層目は、透明樹脂層上に設けるが、二層目以降は、その前の層のなす実質的に同一のレリーフホログラム形状の上に、接するように、且つ追従するように、順次設けることとなる。)
すなわち、透明樹脂層の「レリーフ」上に、その「レリーフ」形状を維持しつつ、重ねることとなる。
すなわち、透明樹脂層の「レリーフ」上に、その「レリーフ」形状を維持しつつ、重ねることとなる。
そもそも、ホログラムレリーフのレリーフ形状の凹凸は、0.01μm〜1μmと微細であり、その周期も0.01μm〜1μmと、非常に微細でなだらかな変化を有しているが、このなだらかな変化を忠実に再現できないと、再生されるホログラムの像を正確に、且つ、明るく再現することができない。
従って、上記した「ホログラムレリーフへの追従性」は、多層構造となる、光学多層薄膜層を構成する各層の膜厚さ及び、その均一性が、より薄く、且つ、より均一であることが要求されることを意味する。
すなわち、多くの層を積み上げていく構造としても、各層間の「界面」のレリーフ形状が、そのホログラムレリーフのレリーフ形状と実質的に同一となることが重要である。kの「実質的に同一」とは、レリーフ形状の凹凸の再現性が、90%以上であることを意味する。さらには、95%以上であることが望ましい。
これは、一つの凹凸の再現性であると同時に、ホログラムを再生する領域全体の再現性を示す指標である。
この再現性は、例えば、2つの3次元曲線の比較において、元の3次元曲線の凹凸領域の体積に対して、もう一つの3次元曲線との差分領域の体積が、その10%以内、さらには、5%以内にあることを意味する。これは、一つの凹凸の再現性であると同時に、ホログラムを再生する領域全体の再現性を示す指標である。簡易的な評価として、レリーフ断面同士を2次曲線で比較する方法を用いることも好適である。
この再現性は、例えば、2つの3次元曲線の比較において、元の3次元曲線の凹凸領域の体積に対して、もう一つの3次元曲線との差分領域の体積が、その10%以内、さらには、5%以内にあることを意味する。これは、一つの凹凸の再現性であると同時に、ホログラムを再生する領域全体の再現性を示す指標である。簡易的な評価として、レリーフ断面同士を2次曲線で比較する方法を用いることも好適である。
そして、この光学多層薄膜層の中のバンドパスフィルターによる「フィルター機能」、すなわち、「波長選択性」(「透過光波長―透過強度曲線」において、透過光の中心波長のピーク高さに対する半値幅で表す。)は、その半値幅として、1.0nm〜100nm、好適には、1.0nm〜10nmとする。(透過光中心波長λ0に対して、そのピーク強度の半分の強度となる波長が、λ0±0.5nm〜λ0±50nm、好適には、λ0±0.5nm〜λ0±5.0nmとなるようにする。)
また、光学多層薄膜の透過光に対する「角度選択性」は、この「波長選択性」に比例しており、「波長選択性」がシャープであればあるほど、「角度選択性」が強まる。
また、光学多層薄膜の透過光に対する「角度選択性」は、この「波長選択性」に比例しており、「波長選択性」がシャープであればあるほど、「角度選択性」が強まる。
本発明のホログラムシートに用いる光学多層薄膜層の「角度選択性」は、ホログラム再生像の鮮明性を確保するためには、すなわち、所定の角度に対して±5度程度傾いたときの透過光強度低下をピーク値の20%未満とするためには、上記した半値幅を、±0.5nm〜±5.0nm、さらに、好適には、±0.5nm〜±2.0nmとする。
このような非常に狭い「波長選択性」を得るためには、エレクトロルミネッセンス素子層の発光中心波長λ0に対して、SPF、または、LPFによって、その透過光波長範囲の1/3〜2/3を「カット」する構成の「光学多層薄膜層」や、エレクトロルミネッセンス素子層の発光中心波長λ0をその中心波長とするBPFに、さらに、SPF及びLPFを組み合わせた構成の「光学多層薄膜層」とする。
さらに、「光学干渉フィルター」」の原理より、その「フィルター」のフィルター面に垂直な方向に対して、このフィルター機能を設定すると、その垂線方向から傾いた方向(θ度)に対しては、その透過光中心波長が、単純に幾何学的なシフトを生じ、その「傾いた方向に対する透過光中心波長λ(θ)」は、λ0/COS(θ)となる。すなわち、長波長側へシフトする。
従って、本発明のホログラムシートにおいては、その「エレクトロルミネッセンス素子層の発光波長λ0、及び、その半値幅」と、「ホログラム再生像の再生方向(撮影タイプのホログラムであれば、ホログラム撮影時の「参照光」と「物体光」の記録媒体に対する入射角度によって定まる。)」により、光学多層薄膜の積層設計(多層構成の各層の厚さ及び屈折率の設計)を行う。
この設計においては、(株)オプトロニクス発刊の“小檜山光信著「光学薄膜フィルター」(平成18年10月7日発刊)”の設計手法を参考とする。
本発明のホログラムシートによれば、
透明基材上に、エレクトロルミネッセンス素子層、及び、位相ホログラムのホログラム形成層を設け、そのホログラム形成層のホログラムレリーフに接するように光学多層薄膜層を設けられていることを特徴とするホログラムシートが提供され、電圧印加によりエレクトロルミネッセンス素子層が発光し、その発光波長によるホログラム再生像を持つ、意匠性及び真正性判定性に優れるホログラムシートが提供される。
透明基材上に、エレクトロルミネッセンス素子層、及び、位相ホログラムのホログラム形成層を設け、そのホログラム形成層のホログラムレリーフに接するように光学多層薄膜層を設けられていることを特徴とするホログラムシートが提供され、電圧印加によりエレクトロルミネッセンス素子層が発光し、その発光波長によるホログラム再生像を持つ、意匠性及び真正性判定性に優れるホログラムシートが提供される。
特に、エレクトロルミネッセンス素子層で発光した光が、このホログラムレリーフ形状の光学多層薄膜層を通過する際に、そのホログラムレリーフの位相成分が付与されると同時に、フィルタリング(波長選択、及び角度選択)され、再生するレリーフホログラム再生像がより鮮明となるホログラムシートを提供して、新規な装飾性及び、これを応用する偽造防止性を提供することができる。
(エレクトロルミネッセンス素子層3(1層で表わしている。)が、透明基材1 上に平板状に設けられ、光学多層薄膜層K1(1層で表わしている。)が「ホ ログラム形成層2のホログラムレリーフを形成する凹凸に接するように、且つ 追従して形成されている」例である。)
は、本発明の一実施例を判定するプロセスである。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら、詳細に説明する。
(透明基材)本発明で使用される透明基材1は、厚みを薄くすることが可能であって、機械的強度や、ホログラムシートAを製造する際の加工に耐える耐溶剤性および耐熱性を有するものが好ましい。使用目的にもよるので、限定されるものではないが、フィルム状もしくはシート状のプラスチックが好ましい。(図2参照。)
例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポリスルホン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリアリレート、トリアセチルセルロース(TAC)、ジアセチルセルロース、ポリエチレン/ビニルアルコール等の各種のプラスチックフィルムを例示することができる。
例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポリスルホン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリアリレート、トリアセチルセルロース(TAC)、ジアセチルセルロース、ポリエチレン/ビニルアルコール等の各種のプラスチックフィルムを例示することができる。
その中でも、紫外線等の励起光に対する耐性を有するもの、例えば、紫外線吸収剤を含むものであってもよい。紫外線吸収剤を含むものは、自然光等の中に含まれる紫外線により微かではあるが、予定外のホログラム再生を防ぐ効果も有する。
透明基材1の厚さは、通常5〜100μmであるが、ホログラム再生像の視認性を配慮する場合には、5〜50μm、特に5〜25μmとすることが望ましい。
(ホログラムレリーフを有する透明樹脂層:ホログラム形成層ともいう。)
本発明のホログラムシートAの透明基材1上に、薄膜で、且つ、平板状に設けたエレクトロルミネッセンス素子層3のその上に、「ホログラムレリーフを有する透明樹脂層2(ホログラム形成層2)」を設ける。(図2参照。)
ホログラム形成層2を構成するための透明な樹脂材料としては、各種の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、もしくは電離放射線硬化性樹脂を用いることができる。熱可塑性樹脂としてはアクリル酸エステル樹脂、アクリルアミド樹脂、ニトロセルロース樹脂、もしくはポリスチレン樹脂等が、また、熱硬化性樹脂としては、不飽和ポリエステル樹脂、アクリルウレタン樹脂、エポキシ変性アクリル樹脂、エポキシ変性不飽和ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、もしくはフェノール樹脂等が挙げられる。
本発明のホログラムシートAの透明基材1上に、薄膜で、且つ、平板状に設けたエレクトロルミネッセンス素子層3のその上に、「ホログラムレリーフを有する透明樹脂層2(ホログラム形成層2)」を設ける。(図2参照。)
ホログラム形成層2を構成するための透明な樹脂材料としては、各種の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、もしくは電離放射線硬化性樹脂を用いることができる。熱可塑性樹脂としてはアクリル酸エステル樹脂、アクリルアミド樹脂、ニトロセルロース樹脂、もしくはポリスチレン樹脂等が、また、熱硬化性樹脂としては、不飽和ポリエステル樹脂、アクリルウレタン樹脂、エポキシ変性アクリル樹脂、エポキシ変性不飽和ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、もしくはフェノール樹脂等が挙げられる。
これらの熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂は、1種もしくは2種以上を使用することができる。これらの樹脂の1種もしくは2種以上は、各種イソシアネート樹脂を用いて架橋させてもよいし、あるいは、各種の硬化触媒、例えば、ナフテン酸コバルト、もしくはナフテン酸亜鉛等の金属石鹸を配合するか、または、熱もしくは紫外線で重合を開始させるためのベンゾイルパーオキサイド、メチルエチルケトンパーオキサイド等の過酸化物、ベンゾフェノン、アセトフェノン、アントラキノン、ナフトキノン、アゾビスイソブチロニトリル、もしくはジフェニルスルフィド等を配合しても良い。
また、電離放射線硬化性樹脂としては、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、アクリル変性ポリエステル等を挙げることができ、このような電離放射線硬化性樹脂に架橋構造を導入するか、もしくは粘度を調整する目的で、単官能モノマーもしくは多官能モノマー、またはオリゴマー等を配合して用いてもよい。
上記の樹脂材料を用いてホログラム形成層2を形成するには、感光性樹脂材料にホログラムの干渉露光を行なって現像することによって直接的に形成することもできるが、予め作成したレリーフホログラムもしくはその複製物、またはそれらのメッキ型等を複製用型として用い、その型面を、透明基材1上に、コーティング方式、グラビア印刷方式、カーテンコート方式、インクジェット方式等種々の形成方式を用いて、上記の樹脂を、25〜300μm厚さに形成したホログラム形成層2に押し付けることにより、賦型を行なうのがよい。(図2参照。)
ホログラム形成層2には、エレクトロルミネッセンス素子による発光波長に対する高い透明性を有することが要求される。
ホログラム形成層2には、エレクトロルミネッセンス素子による発光波長に対する高い透明性を有することが要求される。
熱硬化性樹脂や電離放射線硬化性樹脂を用いる場合には、型面に未硬化の樹脂を密着させたまま、加熱もしくは電離放射線照射により、硬化を行わせ、硬化後に剥離することによって、硬化した透明な樹脂材料からなる層の片面にレリーフホログラムの微細凹凸を形成することができる。なお、同様な方法によりパターン状に形成して模様状とした回折格子を有する回折格子形成層も光回折構造として使用できる。
ホログラムは物体光と参照光との光の干渉による干渉縞を凹凸のレリーフ形状で記録されたもので、例えば、フレネルホログラムなどのレーザ再生ホログラム、及びレインボーホログラムなどの白色光再生ホログラム、さらに、それらの原理を利用したカラーホログラム、コンピュータジェネレーティッドホログラム(CGH)、ホログラフィック回折格子などがある。また、マシンリーダブルホログラムのように、その再生光を受光部でデータに変換し所定の情報として伝達したり、真偽判定を行うものであってもよい。
いずれにしても、「透過型ホログラム」として記録することが必要である。
微細な凹凸を精密に作成するため、光学的な方法だけでなく、電子線描画装置を用いて、精密に設計されたレリーフ構造を作り出し、より精密で複雑な再生光を作り出すものであってもよい。このレリーフ形状は、ホログラムを再現もしくは再生する光もしくは光源の波長(域)と、再現もしくは再生する方向、及び強度によってその凹凸のピッチや、深さ、もしくは特定の周期的形状が設計される。
また、カラーホログラム画像を、回折格子線からなる回折格子画素(同一の回折格子線からなる単一回折格子エリアの最小単位。これら画素から回折光としてでてくる光の集合が一つのカラーホログラム画像を形成する。)に要素分解し、所定の画素のサイズ、格子線ピッチ、格子線角度をその各要素に割り当てて再現するという画像処理方法を用いて形成することも可能である。
凹凸のピッチ(周期)は再現もしくは再生角度に依存するが、通常0.01μm〜数μmであり、凹凸の深さは、再現もしくは再生強度に大きな影響を与える要素であるが、通常0.01μm〜数μmである。
単一回折格子のように、全く同一形状の凹凸の繰り返しであるものは、隣り合う凹凸が同じ形状であればある程、反射する光の干渉度合いが増しその強度が強くなり、最大値へと収束する。回折方向のぶれも最小となる。立体像のように、画像の個々の点が焦点に収束するものは、その焦点への収束精度が向上し、再現もしくは再生画像が鮮明となる。
ホログラムレリーフ形状を賦形(複製ともいう)する方法は、回折格子や干渉縞が凹凸の形で記録された原版をプレス型(スタンパという)として用い、上記エレクトロルミネッセンス素子層3上にコーティング方法等、適宜な印刷方法により形成したホログラム形成層2上に、前記原版を重ねて加熱ロールなどの適宜手段により、両者を加熱圧着することにより、原版の凹凸模様を複製することができる。形成するホログラムパターンは単独でも、複数でもよい。
上記の極微細な形状を精密に再現するため、また、複製後の熱収縮などの歪みや変形を最小とするため、原版は金属を使用し、低温・高圧下で複製を行う。
原版は、Niなどの硬度の高い金属を用いる。光学的撮影もしくは、電子線描画などにより形成したガラスマスターなどの表面にCr、Ni薄膜層を真空蒸着法、スパッタリングなどにより5〜50nm形成後、Niなどを電着法(電気めっき、無電解めっき、さらには複合めっきなど)により50〜1000μm形成した後、金属を剥離することで作ることができる。
原版は、Niなどの硬度の高い金属を用いる。光学的撮影もしくは、電子線描画などにより形成したガラスマスターなどの表面にCr、Ni薄膜層を真空蒸着法、スパッタリングなどにより5〜50nm形成後、Niなどを電着法(電気めっき、無電解めっき、さらには複合めっきなど)により50〜1000μm形成した後、金属を剥離することで作ることができる。
複製方式は、平板式もしくは、回転式を用い、線圧0.1トン/m〜10トン/m、複製温度は、通常60℃〜200℃とする。
ホログラム形成層2は、そのレリーフ形状を形成する際の、エレクトロルミネッセンス素子層3へのダメージを抑制するため、電離放射線硬化型(特に、紫外線硬化型。)とすることが好ましく、レリーフ形成後にさらに硬化度を向上させるための、追加加熱処理や、追加電離放射処理をするものが、さらに好ましい。
また、電圧を印加した際の電気的絶縁性を確保するため、導電性がなく、絶縁性の高いものが望ましく、絶縁破壊強さ(ASTM−149)で、15MV/m以上、さらには、20MV/m以上のものが望ましい。絶縁破壊強さは、ガラス粉等の充填剤を混入することで、より高い値とすることができるが、本発明の目的から、光学的透明性が要求されるため、絶縁破壊強さは、高いものでも、50MV/m以下となる。
絶縁破壊強さが、15MV/m未満では、エレクトロルミネッセンス素子への印加電圧が安定せず、発光がムラとなることで、ホログラム再生像が劣化する。また、電気が漏れることによる感電の不安が残る。
このことを考慮して、熱硬化性樹脂、もしくは電離放射線硬化性樹脂を用いること好適であって、熱可塑性樹脂としてはアクリル酸エステル樹脂、アクリルアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、もしくはポリスチレン樹脂等が、また、熱硬化性樹脂としては、メラミン樹脂、尿素樹脂、アニリン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、等が挙げられる。
但し、ホログラム形成層そのものが、エレクトロルミネッセンス素子層における陽極の役目をする場合には、これとは逆に、導電性を有する樹脂を用い、その樹脂層にホログラム形成レリーフを施すことも、好適である。この場合には、層構成が簡易となり、また、透明導電性薄膜を形成する際の種々の負荷を避けることが可能となる。
(エレクトロルミネッセンス素子層)
エレクトロルミネッセンス素子層3は、透明基材1の上に、構成する層を順次設けていくことで、形成される。(図2参照。図2において、エレクトロルミネッセンス素子層3の詳細構成は表示していない。)
このエレクトロルミネッセンス素子層3として、有機エレクトロルミネッセンス素子、または、無機エレクトロルミネッセンス素子のいずれを用いる場合にも、まず「電極」である、陽極若しくは陰極から形成する。以下では、陽極から形成する例について説明する。この方法と同様にして陰極から設けていくことは容易に推察できる。
(エレクトロルミネッセンス素子層)
エレクトロルミネッセンス素子層3は、透明基材1の上に、構成する層を順次設けていくことで、形成される。(図2参照。図2において、エレクトロルミネッセンス素子層3の詳細構成は表示していない。)
このエレクトロルミネッセンス素子層3として、有機エレクトロルミネッセンス素子、または、無機エレクトロルミネッセンス素子のいずれを用いる場合にも、まず「電極」である、陽極若しくは陰極から形成する。以下では、陽極から形成する例について説明する。この方法と同様にして陰極から設けていくことは容易に推察できる。
陽極の材料としては、例えば、ITO薄膜(インジウム・スズ酸化物薄膜)、酸化インジウム、錫ドープ酸化錫、アンチモンドープ酸化錫、亜鉛ドープ酸化錫、フッ素ドープ酸化錫、酸化亜鉛等の透明導電性材料、ポリアニリン、ポリピロール、ポリアセチレン、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリシラン誘導体等の導電性高分子等、を使用して形成することができる。
陽極の形成方法は、スパッタリング法、真空蒸着法、化学蒸着法(CVD法)、スピンコート法、キャスト法を用いたゾルゲル法、スプレイパイロリシス法、イオンプレーティング法等の方法、さらには、所望の組成の塗布液を塗布して形成する方法等を採用することができる。
特に、電子ビーム加熱真空蒸着法や、高周波マグネトロンスパッタリング法を採ることが好ましい。具体的には、真空度1×10-7〜1×10-3Pa、成膜速度0.1〜50nm/秒、基材温度−10〜100℃の条件で成膜する。
陽極の代表的なものは、透明導電性薄膜である、ITO薄膜であり、ホログラムレリーフ上に、電子線加熱真空蒸着法により、例えば300nm程度形成する。
透明導電性薄膜の導電性は、その表面抵抗値で管理しており、0.1Ω/□以下となるよう、インジウムと錫の加熱速度や、導入する酸素がスの量を制御する。
透明基材1の表面に対して、この薄膜形成による加熱や、金属粒子の衝突等の衝撃によって、その平面性に変化を生じないよう、透明基材1を十分冷却し、高速で処理する。従って、膜厚さを薄く形成する。
透明導電性薄膜の膜厚さ制御を十分行い、膜厚さばらつきが、数%以内にとどめ(300nmの数%→10nmレベル)、透明導電性薄膜の表面(レリーフと接着している面とは反対の面)が、透明基材1の表面とほぼ同一の形となるようにする。
透明基材1へのダメージをさらに軽減するために、CVD法(化学蒸着法)等を用いることもできる。CVD法の場合は、透明基材1へのダメージはほとんど無いが、薄膜形成後の加熱処理等付加的な処理を要し、薄膜の表面性もやや粗いものとなる。
次に、形成する層は、無機エレクトロルミネッセンス素子の場合には、最も単純な構成としては、この透明導電性薄膜上に、絶縁層を設ける。
絶縁層として用いられる材料は、具体的には、Y2O3、Al2O3、Ta2O5、SiO2、Si3O4等の非晶質酸化物、BaTiO3、PbTiO3等の強誘電体、SiNx、SiOF、SiOC、Pb(Zr,Ti)O3、(Pb、La)(Zr,Ti)O3、Bi4Ti3O12、さらにはぺロブスカイト型強誘電体、タングステン・ブロンズ型強誘電体、ビスマス層状構造強誘電体等を挙げることができる。
さらに、π電子系の酸−塩基二成分型有機物を利用した有機強誘電体、例えば、クロラニク酸、ブロマニル酸等のような強い酸性度(H+(プロトン)の供与能)の水酸基を有するジヒドロキシ−p−ベンゾキノン類、あるいは、クロラニル酸を酸として、ベンゼン環にプロトン受容基の窒素原子を組み入れたフェナジン(Phz)を塩基として作用させ、1:1の分子化合物としたもの等、さらに、分子間で水素結合を形成して一次元のネットワークを形成したこれらの集合構造分子も使用することもできる。
その形成方法は、スパッタリング法、真空蒸着法、化学蒸着法(CVD法)、スピンコート法、キャスト法を用いたゾルゲル法、スプレイパイロリシス法、イオンプレーティング法等の方法、さらには、所望の組成の塗布液を塗布して形成する方法等を採用することができる。
絶縁層である誘電体膜として、代表的には、BaTiO3薄膜を、スパッタリング(Arガス使用)法を用いて、例えば500nmの厚さで形成する。この場合には、透明基材1上に、既に、金属酸化物薄膜が形成されているため、その透明基材1の表面の耐熱性は比較的高く、比較的容易に薄膜形成を行うことができる。
この層は、絶縁性を確保するためには、厚い方が望ましい(〜2μm)が、透明基材1の表面へのダメージを考慮して、また、均一厚さ、及び、その表面性の滑らかさを確保する必要があるため、100nm〜500nmとすることが好適である。
ここで、絶縁層を透明導電性薄膜上の隅々まで形成すると、陽極端子を設けることができないため、マスキング法により、透明導電性薄膜上の一部を、その後に設けるホログラムの大きさとのバランスを考慮して、例えば、50mm×40mmサイズのホログラムの場合には、2mm×4mmサイズのマスキングを施して、絶縁層を形成する。
さらにその上に、無機エレクトロルミネッセンス素子用の発光層を設ける。
発光層は、所望の発光色の発光蛍光体を用いて形成されたものであり、例えば、赤色発光蛍光体として、ZnS、Mn/CdSSe等、緑色発光蛍光体として、ZnS:TbOF、ZnS:Tb等、青色発光蛍光体としては、SrS:Ce、(SrS:Ce/ZnS)n、CaGa2S4:Ce、Sr2Ga2S5:Ceを挙げることができる。また、白色発光蛍光体として、SrS:Ce/ZnS:Mn等が挙げられ、これらの蛍光体を適宜選択して、用いることができる。
発光層としては、代表的には、母体にZnSを用い、発光中心にMnを添加したものを、スパッタリング(Arガス使用)法を用いて、例えば1μm厚さで形成する。
この発光層も、上記した各層の厚さの均一性、界面の滑らかさを確保できる成膜方法を採用する。
発光層形成時にも、上記した位置に同様のマスキング処理を施す。
この上に設ける陰極は、アルミニウム、金、銀、白金、銅、鉄、銀・マグネシウム合金等の金属薄膜や、グラファイトなどを厚さ、50〜500nmで形成する。代表的には、アルミニウム薄膜でよく、真空蒸着法で安定的に、例えば、300nm厚さで形成することができる。
陰極形成時にも、上記した位置に同様のマスキング処理を施す。
以上の様にして、透明基材1上に、無機エレクトロルミネッセンス素子からなる、エレクトロルミネッセンス素子層3を、その透明基材1の平面性を維持しつつ、設けることができる。そして、このエレクトロルミネッセンス素子層3を陰極側から観察した場合、アルミニウム金属面の一部に、陽極である透明導電性薄膜層が露出して見える。
この陽極と、陰極の間に、電圧100V100〜1000Hzの交流電圧を印加6すると、エレクトロルミネッセンス素子層3において、陽極側より発光が生じ、エレクトロルミネッセンス素子層3の上に設けるホログラム形成層2、及び、その上に設ける光学多層薄膜層K1を通して、ホログラム再生像7を視認することができる。(図3参照。)
次に、有機エレクトロルミネッセンス素子について説明すると、上記した、透明導電性薄膜層の上に、発光層となる有機薄膜を形成し、陰極で挟んだものが最も単純な有機エレクトロルミネッセンス素子からなるエレクトロルミネッセンス素子3となる。
次に、有機エレクトロルミネッセンス素子について説明すると、上記した、透明導電性薄膜層の上に、発光層となる有機薄膜を形成し、陰極で挟んだものが最も単純な有機エレクトロルミネッセンス素子からなるエレクトロルミネッセンス素子3となる。
発光層は、主材料(ホスト材料)と不純物材料(ドーパント材料)との2成分系であり、発光する不純物材料は、0.1〜1%添加で主材料中に均一に分散されている。
有機薄膜の電子移動度は、高速応答を目的とするものではないため、比較的小さいものでも用いることができ、1×10-6cm2 /V・s以上の値とするのが好ましい。
発光層である有機薄膜に、低分子系を用いる場合には、
発光層材料として、ZnPBO(ビス[2−(2−ベンゾキサゾリル)フェノラト]亜鉛)と、ドーピング色素材料として、Coumarin6(3−(2−ベンゾチアゾリル)−7−(ジエチルアミノ)コーマリンを用いて、CVD法を用いて、50nm厚さに形成する。
発光層材料として、ZnPBO(ビス[2−(2−ベンゾキサゾリル)フェノラト]亜鉛)と、ドーピング色素材料として、Coumarin6(3−(2−ベンゾチアゾリル)−7−(ジエチルアミノ)コーマリンを用いて、CVD法を用いて、50nm厚さに形成する。
発光層である有機薄膜に、高分子系を用いる場合には、発光層材料として、PPV(ポリパラフェニレンビニレン)系、正孔層材料として、PEDOT(ポリ-3,4-エチレンジオキシチオフェン)+PSS(ポリスチレンスルホン酸:ドーパント)共重合体を、コーティング方式により、固形分を0.5%として、乾燥後の厚さ100nmとする。
また、有機薄膜に、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤や、スチリルベンゼン系化合物、8−キノリノール誘導体を配位子とする金属錯体を併用することも好ましい。また、ジスチリルアリーレン骨格、例えば4,4’一ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル等をホストとし、それに青色から赤色までの強い蛍光色素、例えばクマリン系あるいはホストと同様の蛍光色素をドープしたものを併用することも好適である。
形成方法としては、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB(ラングミュア・ブロジェット)法、スパッタリング法等の方法を採用することができる。例えば、真空蒸着法により形成する場合は、真空度1×10-7〜1×10-3Pa、成膜速度0.1〜50nm/秒、基板温度−10〜100℃の条件を採ることが好ましい。
また、結着剤として機能する適宜な樹脂と有機薄膜用の材料とを所定の溶剤に溶かして溶液状態とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、有機薄膜を形成することができる。なお、有機薄膜は、形成方法や形成条件を適宜選択し、気相状態の材料化合物から沈着されて形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化されて形成された膜である分子堆積膜とすることが好ましい。
これらの上に、陰極層として、金属、合金、それらの酸化物、電気電導性化合物又はこれらの混合物を使用する。具体的には、マグネシウム、アルミニウム、インジウム、リチウム、ナトリウム、セシウム、銀、錫等の一種を単独で、又は二種以上を組み合わせて使用することができる。
代表的には、陰極層として、アルミニウム薄膜層を上記同様に設け、有機エレクトロルミネッセンス素子からなるエレクトロルミネッセンス素子層3を得る。
有機エレクトロルミネッセンス素子においても、無機エレクトロルミネッセンス素子と同様に、陽極端子を露出させる方法を取る。
この陽極と、陰極の間に、電圧10Vの直流電圧を印加6すると、エレクトロルミネッセンス素子層3において発光が生じ、陽極側より発光が生じ、エレクトロルミネッセンス素子層3の上に設けるホログラム形成層2、及び、その上に設ける光学多層薄膜層K1を通して、ホログラム再生像7を視認することができる。(図3参照。)
(光学多層薄膜層)
上記したホログラム形成層2の上に、そのホログラム形成層2のホログラムレリーフに接するように、且つ追従するように、さらには、エレクトロルミネッセンス素子層3の発光する光に対する光学干渉フィルターとしての機能を持つように、光学多層薄膜層K1を設ける。(図2参照。図2においては、光学多層薄膜層K1の詳細構成を表示せず、「一つの層」として示している。)
本発明のホログラムシートAに用いられる光学多層薄膜層K1としては、本発明のホログラムシートAに用いられるエレクトロルミネッセンス素子層3が発する(放射する)光(発光中心波長λ0)に対して「光学干渉フィルター」としての機能を持つもの、すなわち、その発光中心波長を、フィルタリングの中心波長とするショートパスフィルター〈SPF〉、バンドパスフィルター〈BPF〉、もしくは、ロングパスフィルター〈LPF〉もしくは、その組み合わせとする。
(光学多層薄膜層)
上記したホログラム形成層2の上に、そのホログラム形成層2のホログラムレリーフに接するように、且つ追従するように、さらには、エレクトロルミネッセンス素子層3の発光する光に対する光学干渉フィルターとしての機能を持つように、光学多層薄膜層K1を設ける。(図2参照。図2においては、光学多層薄膜層K1の詳細構成を表示せず、「一つの層」として示している。)
本発明のホログラムシートAに用いられる光学多層薄膜層K1としては、本発明のホログラムシートAに用いられるエレクトロルミネッセンス素子層3が発する(放射する)光(発光中心波長λ0)に対して「光学干渉フィルター」としての機能を持つもの、すなわち、その発光中心波長を、フィルタリングの中心波長とするショートパスフィルター〈SPF〉、バンドパスフィルター〈BPF〉、もしくは、ロングパスフィルター〈LPF〉もしくは、その組み合わせとする。
すなわち、これらの機能を持つ「『光学干渉フィルター』構造の『多層薄膜』」を順次、一層ずつ、本発明のホログラム形成層2の「レリーフ」上に、その「レリーフ」形状を維持しつつ、薄膜形成していく。
この薄膜形成方法には、抵抗加熱方式、フラッシュ蒸発方式、アーク蒸発方式、レーザー加熱方式、高周波加熱方式、電子ビーム加熱方式等の真空蒸着法等の物理的気相成長法、DC(直流)2極スパッタ方式、RF(交流)2極スパッタ方式、3極スパッタ方式、4極スパッタ方式、ECR(高周波)スパッタ方式、イオンビームスパッタ方式、マグネトロンスパッタ方式等のスパッタリング法、イオンプレーティング法、MBE(分子結合エピタキシャル)法、レーザーアブレーション法、熱CVD方式、MOCVD方式、RFプラズマCVD方式、ECRプラズマCVD方式、光CVD方式、レーザーCVD方式等の化学的気相成長法(CVD法)、メッキ法、ゾル―ゲル法等の液相成長法などを用いることができる。
そして、この光学多層薄膜層K1の中のバンドパスフィルターによる「フィルター機能」、すなわち、「波長選択性」は、その半値幅として、1.0nm〜100nm、好適には、1.0nm〜10nmとする。(透過光中心波長λ0に対して、そのピーク強度の半分の強度となる波長が、λ0±0.5nm〜λ0±50nm、好適には、λ0±0.5nm〜λ0±5.0nmとする。)
この半値幅が、1.0nm未満とするためには、光学多層薄膜層K1の薄膜数を50層以上設ける必要があり、安定して製膜することが困難となると、同時に、この光学多層薄膜層K1の最上層(露出面)の「レリーフ」が「ホログラム形成層2のホログラムレリーフから逸脱した形状となってしまうため、不適当である。
この半値幅が、1.0nm未満とするためには、光学多層薄膜層K1の薄膜数を50層以上設ける必要があり、安定して製膜することが困難となると、同時に、この光学多層薄膜層K1の最上層(露出面)の「レリーフ」が「ホログラム形成層2のホログラムレリーフから逸脱した形状となってしまうため、不適当である。
また、この半値幅が、100nmを超えると、結像位置の「ズレ」たホログラム再生像が多数出現し、観察者にとっては、もはや、「『一つ』の鮮明なホログラム再生像を視認(判別)することができないものとなるため、不適当である。
本発明のホログラムシートAに用いる光学多層薄膜層K1の「角度選択性」は、ホログラム再生像の鮮明性を確保するためには、所定の角度に対して±5度程度、傾いたときの透過光強度の低下をピーク値の20%未満とするため、上記した半値幅を、±0.5nm〜±5.0nm、さらに、好適には、±0.5nm〜±2.0nmとする。
このような非常に狭い「波長選択性」を得るために、エレクトロルミネッセンス素子層3の発光中心波長λ0に対して、SPF、または、LPFによって、その透過光波長範囲の1/3〜2/3を「カット」する構成の「光学多層薄膜層K1」や、エレクトロルミネッセンス素子層3の発光中心波長λ0をその中心波長とするBPFに、さらに、SPF及びLPFを組み合わせた構成の「光学多層薄膜層K1」とする。
従って、本発明のホログラムシートAにおいては、その「エレクトロルミネッセンス素子層3の発光波長λ0、及び、その半値幅」と、「ホログラム再生像の再生方向(撮影タイプのホログラムであれば、ホログラム撮影時の「参照光」と「物体光」の記録媒体に対する入射角度によって定まる。)」により、光学多層薄膜K1の積層設計(多層構成の各層の厚さ及び屈折率の設計)を行う。
この設計においては、(株)オプトロニクス発刊の“小檜山光信著「光学薄膜フィルター」(平成18年10月7日発刊)”の設計手法を参考とする。
例えば、光学的薄膜層K1の詳細構成として、
「狭帯域バンドフィルター構成」としては、
「金属/誘電体/金属」の構成からなる「MDM型フィルター構成」、例えば、「Ag(40nm)/MgF2(69nm)/Ag(40nm)」:中心波長λ0=550nm、半値幅=±25nm、「Ag(40nm)/MgF2(80nm)/Ag(40nm)」:中心波長λ0=770nm、半値幅=±45nm、「Ag(40nm)/MgF2(56nm)/TiO2(39nm)/MgF2(56nm)/Ag(40nm)」:中心波長λ0=550nm、半値幅=±5.0nmなど、
「誘電体/金属/誘電体」の構成からなる「MDM型フィルター構成」としては、例えば、「TiO2/(Ag/TiO2)3/Ag/MgF2(TiO2/Ag)3/TiO2/Ag」:中心波長λ0=550nm、半値幅=±2.5nmなど、
全ての層が「誘電体」からなる「誘電体型フィルター構成」としては、すなわち、「(λ0/4)の多層反射層/(λ0/2)のスペーサー層/(λ0/4)の多層反射層」構成や、「有機ポリマーを含む誘電多層膜」のみでの構成:中心波長λ0=600nm、半値幅=±25nmなど、
「誘電体マルチキャビティ・バンドフィルター構成」としては、例えば、「(TiO2/MgF2)5TiO2(2MgF2)TiO2(MgF2/TiO2)52MgF2」構成:中心波長λ0=550nm、半値幅=±0.8nmなどを用いることができる。
「狭帯域バンドフィルター構成」としては、
「金属/誘電体/金属」の構成からなる「MDM型フィルター構成」、例えば、「Ag(40nm)/MgF2(69nm)/Ag(40nm)」:中心波長λ0=550nm、半値幅=±25nm、「Ag(40nm)/MgF2(80nm)/Ag(40nm)」:中心波長λ0=770nm、半値幅=±45nm、「Ag(40nm)/MgF2(56nm)/TiO2(39nm)/MgF2(56nm)/Ag(40nm)」:中心波長λ0=550nm、半値幅=±5.0nmなど、
「誘電体/金属/誘電体」の構成からなる「MDM型フィルター構成」としては、例えば、「TiO2/(Ag/TiO2)3/Ag/MgF2(TiO2/Ag)3/TiO2/Ag」:中心波長λ0=550nm、半値幅=±2.5nmなど、
全ての層が「誘電体」からなる「誘電体型フィルター構成」としては、すなわち、「(λ0/4)の多層反射層/(λ0/2)のスペーサー層/(λ0/4)の多層反射層」構成や、「有機ポリマーを含む誘電多層膜」のみでの構成:中心波長λ0=600nm、半値幅=±25nmなど、
「誘電体マルチキャビティ・バンドフィルター構成」としては、例えば、「(TiO2/MgF2)5TiO2(2MgF2)TiO2(MgF2/TiO2)52MgF2」構成:中心波長λ0=550nm、半値幅=±0.8nmなどを用いることができる。
(実施例1)
透明基材1として、12μmのPETフィルムの表面に、
陰極として、アルミニウム薄膜を真空蒸着法により500nm厚さで形成した。
透明基材1として、12μmのPETフィルムの表面に、
陰極として、アルミニウム薄膜を真空蒸着法により500nm厚さで形成した。
その上に、発光層として、母体にZnSを用い、発光中心にMnを添加したものを、スパッタリング(Arガス使用)法を用いて、1μm厚さで形成した。ターゲットには、硫化マンガン(MnS)を0.5mol%添加した硫化亜鉛(ZnS)を用い、ターゲットガスには、高純度のアルゴンガスを用いた。この時、陰極端子を残すため、右端下に3mm×3mmの領域で、マスキング処理を行った。
この発光層上に、絶縁層である誘電体膜として、BaTiO3を、同様の位置のマスキング処理を施して、スパッタリング(Arガス使用)法を用いて、1μmの厚さで形成した。
さらに、その絶縁層上に、ITO薄膜を、同様の位置のマスキング処理を施して、電子線加熱真空蒸着法により、厚さ300nmで形成した。ITO薄膜の表面抵抗値は、0.1Ω/□であった。
以上により、透明基材1上に、陰極層、発光層、絶縁層及びITO薄膜の4層構成からなる、無機エレクトロルミネッセンス素子からなるエレクトロルミネッセンス素子層3(発光波長λ0=550nm)を形成した。(図2参照。但し、図2において、このエレクトロルミネッセンス素子層3を「一つの層」として表示している。)
このエレクトロルミネッセンス素子層3の上に、右端下の3mm×3mmの領域が露出するように(陰極端子となる。図示していない。)、且つ、ITO薄膜の一部が露出するよう(左端下に3mm×3mmの領域を確保した。これが、陽極端子となる。図示していない。)に、アクリルアミド樹脂組成物を塗布し、ホログラム画像位置検知パターン付きの透過型レリーフホログラム(そのホログラム画像に対応したホログラムレリーフが、透過型ホログラム再生像を再生するもの。30mm×40mmサイズ:「発光」の文字画像:図3参照)の複製用型の型面を、接触させたまま加熱硬化させることにより、レリーフホログラムの形成を行ない、厚さ30μmのホログラム形成層2を得た。(図2参照。陰極端子や陽極端子領域は図示していない。)
PETフィルム及びアクリルアミド樹脂の絶縁破壊強さは、それぞれ50MV/m、20MV/mであった。
このエレクトロルミネッセンス素子層3の上に、右端下の3mm×3mmの領域が露出するように(陰極端子となる。図示していない。)、且つ、ITO薄膜の一部が露出するよう(左端下に3mm×3mmの領域を確保した。これが、陽極端子となる。図示していない。)に、アクリルアミド樹脂組成物を塗布し、ホログラム画像位置検知パターン付きの透過型レリーフホログラム(そのホログラム画像に対応したホログラムレリーフが、透過型ホログラム再生像を再生するもの。30mm×40mmサイズ:「発光」の文字画像:図3参照)の複製用型の型面を、接触させたまま加熱硬化させることにより、レリーフホログラムの形成を行ない、厚さ30μmのホログラム形成層2を得た。(図2参照。陰極端子や陽極端子領域は図示していない。)
PETフィルム及びアクリルアミド樹脂の絶縁破壊強さは、それぞれ50MV/m、20MV/mであった。
このホログラム形成層2上に、そのホログラムレリーフ形成領域を覆うように、接して、且つ追従して、「Ag(40nm)/MgF2(69nm)/Ag(40nm)」(中心波長λ0=550nm、半値幅=±25nm)の光学干渉フィルター機能を持つ、光学多層薄膜層K1を設け、本発明の実施例1のホログラムシートAを作製した。(図2参照。光学多層薄膜層K1も「一つの層」として表示している。)
このホログラムシートAを室内の照明光4下で観察5したところ、透明基材1側からは、単なる「鏡面」が観察されるのみであり、また、光学多層薄膜層K1側からも、「発光」の文字のホログラム再生像があまり鮮明には視認できなかった。
このホログラムシートAを室内の照明光4下で観察5したところ、透明基材1側からは、単なる「鏡面」が観察されるのみであり、また、光学多層薄膜層K1側からも、「発光」の文字のホログラム再生像があまり鮮明には視認できなかった。
そして、このホログラムシートAの陰極端子部分と、陽極端子部分との間に、100Vで100Hzの交流電圧を印加6したところ、発光7が生じた。この際も、透明基材1側からは、単なる「鏡面」が観察されるのみであったが、光学多層薄膜層K1側から観察すると、ホログラムシートA全体の発光に加えて、所定の方向に発光した光としての緑色の「発光」の文字がホログラム再生像7として視認できた。(図3参照。)
このホログラムシートAへの電圧印加を止めると、印加前の状態に戻った。
このホログラムシートAへの電圧印加を止めると、印加前の状態に戻った。
以上のことから、このホログラムシートAは、真正品であることが判明した。
(実施例2)
陰極として、ITO薄膜を電子線加熱真空蒸着法による、厚さ300nmの層とした以外は、実施例1と同様にして本発明の実施例2のホログラムシートAを作製した。(図2参照。)
実施例1と同様に評価したところ、電圧印加前における観察5では、ホログラムシートAは、透明なシートとして観察され、その両面からやや不明瞭なホログラム再生像の存在を見て取れたが、鮮明なホログラム再生像を視認することは出来なかった。
(実施例2)
陰極として、ITO薄膜を電子線加熱真空蒸着法による、厚さ300nmの層とした以外は、実施例1と同様にして本発明の実施例2のホログラムシートAを作製した。(図2参照。)
実施例1と同様に評価したところ、電圧印加前における観察5では、ホログラムシートAは、透明なシートとして観察され、その両面からやや不明瞭なホログラム再生像の存在を見て取れたが、鮮明なホログラム再生像を視認することは出来なかった。
しかし、電圧印加6により、鮮明な緑色のホログラム再生像7(「発光」の文字)が空間に浮き上がり、意匠性にも優れていた。そして、電圧印加を止めると、元の状態に戻ることを確認した。(図3参照。)
また、電圧印加を、1秒単位でON/OFFの繰り返しパターンとしたところ、そのホログラム再生像がより鮮明に視認できた。(図示せず。)
(実施例3)
透明基材1の上の陰極を、100nm厚さで形成し、その上の発光層を、500nm厚さで形成し、その上の絶縁層を、300nmの厚さで形成し、さらに、その上のITO薄膜を、厚さ100nmで形成した以外は、実施例1と同様にして、本発明の実施例3のホログラムシートAを得た。(図2参照。)
実施例1と同様に評価したところ、発光時のホログラム再生像7の鮮明度が向上し、文字がより明確に判断でき、真性正の判定がより確実にできると思われた。(図3参照。)
(実施例4)
透明基材1の上に、陽極として、ITO薄膜を、電子線加熱真空蒸着法により、100nm厚さで形成した。
また、電圧印加を、1秒単位でON/OFFの繰り返しパターンとしたところ、そのホログラム再生像がより鮮明に視認できた。(図示せず。)
(実施例3)
透明基材1の上の陰極を、100nm厚さで形成し、その上の発光層を、500nm厚さで形成し、その上の絶縁層を、300nmの厚さで形成し、さらに、その上のITO薄膜を、厚さ100nmで形成した以外は、実施例1と同様にして、本発明の実施例3のホログラムシートAを得た。(図2参照。)
実施例1と同様に評価したところ、発光時のホログラム再生像7の鮮明度が向上し、文字がより明確に判断でき、真性正の判定がより確実にできると思われた。(図3参照。)
(実施例4)
透明基材1の上に、陽極として、ITO薄膜を、電子線加熱真空蒸着法により、100nm厚さで形成した。
その上に、正孔輸送材料として、TPAC(1,1−ビス[4-[N,N―ジ(p−トリル)アミノ]フェニル]シクロヘキサン)を厚さ60nmで、発光層材料として、ZnPBO(ビス[2−(2−ベンゾキサゾリル)フェノラト]亜鉛)及びドーピング色素材料として、Coumarin6(3−(2−ベンゾチアゾリル)−7−(ジエチルアミノ)コーマリン)を3%混入させ、厚さ100nmで、そして、電子輸送材料として、BND(2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール)を厚さ50nmで、真空蒸着法により、実施例1と同様のマスキング処理を施して、形成した。
さらに、その上に、ITO薄膜を、同様の位置のマスキング処理を施して、電子線加熱真空蒸着法により、厚さ100nmで形成した。
そのエレクトロルミネッセンス素子層3の上に、メラミン樹脂組成物を塗布し、ホログラム画像位置検知パターン付きのレリーフホログラム(30mm×40mmサイズ:「発光」の文字画像:図3参照)の複製用型の型面を、接触させたまま加熱硬化させることにより、レリーフホログラムの形成を行ない、厚さ3μmのホログラム形成層2を得た。
以上により、透明基材1上に、陽極層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び陰極層からなる有機エレクトロルミネッセンス素子からなるエレクトロルミネッセンス素子層3を形成したこと以外は実施例1と同様にして、本発明の実施例4のホログラムシートAを作製した。(図2参照。)
このホログラムシートAを室内の照明光4下で観察5したところ、透明基材1側から、及び、光学多層薄膜層K1側からも、ホログラム再生像を明確には視認できなかった。
このホログラムシートAを室内の照明光4下で観察5したところ、透明基材1側から、及び、光学多層薄膜層K1側からも、ホログラム再生像を明確には視認できなかった。
このホログラムシートAの陽極端子部分と、陰極端子部分との間に、6Vの直流電圧を印加6したところ、発光が生じ、透明な空間上に緑色の、より鮮明なホログラム再生像7を視認することができた。(図3参照。)
このホログラムシートAへの電圧印加を止めると、印加前の状態に戻った。
このホログラムシートAへの電圧印加を止めると、印加前の状態に戻った。
以上のことから、このホログラムシートAは、真正品であることを容易に且つ確実に判断することができた。
(実施例5)
透明基材1の上に、エレクトロルミネッセンス素子層3として、酸化インジウムと酸化セリウムとの粉末を、焼結した陽極用のターゲット(セリウムモル比0.05)を用いて、真空度を3×10-1Paまで減圧した状態で、アルゴンガスに酸素ガスを混入したガスを封入し、その雰囲気中において、到達真空度5×10-4Paでの高周波スパッタリングにて、厚さ100nmの透明電極膜を形成し、その上に、真空度7×10-4Paで、正孔輸送層として厚みが50nmのNPD(N,N´−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N´−ジフェニルベンジジン)薄膜を、蒸着速度が6nm/分の条件にて真空蒸着法により形成し、さらに、その上に、有機発光材料層兼電子輸送層として厚みが50nmのAlq3(トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム)の薄膜を、蒸着速度が6nm/分の条件にて真空蒸着法により形成し、その表面に、陰極として厚みが200nmマグネシウム−銀薄膜( 組成比10/1 )を共蒸着法により形成して、4層からなる有機エレクトロルミネッセンス素子を作製し、エレクトロルミネッセンス素子層3とした。各薄膜形成時に、マスキング処理による陽極端子の作製を行ったこと以外は、実施例4と同様にし、本発明の実施例5のホログラムシートAを得た。(図2参照。)
このホログラムシートAの陽極端子部分と、陰極端子部分との間に、6Vの直流電圧を印加6したところ、発光が生じ、シート状の発光を背景として、その中に、緑色の、輝度10cd/m2の、比較的明るく、鮮明なホログラム再生像7を視認することができた。(図3参照。)
このホログラムシートAへの電圧印加を止めると、印加前の状態に戻った。
(実施例5)
透明基材1の上に、エレクトロルミネッセンス素子層3として、酸化インジウムと酸化セリウムとの粉末を、焼結した陽極用のターゲット(セリウムモル比0.05)を用いて、真空度を3×10-1Paまで減圧した状態で、アルゴンガスに酸素ガスを混入したガスを封入し、その雰囲気中において、到達真空度5×10-4Paでの高周波スパッタリングにて、厚さ100nmの透明電極膜を形成し、その上に、真空度7×10-4Paで、正孔輸送層として厚みが50nmのNPD(N,N´−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N´−ジフェニルベンジジン)薄膜を、蒸着速度が6nm/分の条件にて真空蒸着法により形成し、さらに、その上に、有機発光材料層兼電子輸送層として厚みが50nmのAlq3(トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム)の薄膜を、蒸着速度が6nm/分の条件にて真空蒸着法により形成し、その表面に、陰極として厚みが200nmマグネシウム−銀薄膜( 組成比10/1 )を共蒸着法により形成して、4層からなる有機エレクトロルミネッセンス素子を作製し、エレクトロルミネッセンス素子層3とした。各薄膜形成時に、マスキング処理による陽極端子の作製を行ったこと以外は、実施例4と同様にし、本発明の実施例5のホログラムシートAを得た。(図2参照。)
このホログラムシートAの陽極端子部分と、陰極端子部分との間に、6Vの直流電圧を印加6したところ、発光が生じ、シート状の発光を背景として、その中に、緑色の、輝度10cd/m2の、比較的明るく、鮮明なホログラム再生像7を視認することができた。(図3参照。)
このホログラムシートAへの電圧印加を止めると、印加前の状態に戻った。
以上のことから、このホログラムシートAは、真正品であることを容易に且つ確実に判断することができた。
(比較例)
光学多層薄膜層を形成せず、実施例1と同様にホログラムシートを形成し、比較例とした。
光学多層薄膜層を形成せず、実施例1と同様にホログラムシートを形成し、比較例とした。
実施例1と同様に観察したところ、室内照明下で目視にて、反射光によるホログラム再生像は不明確で十分に視認できず、且つ、電圧印加後も、シート全体が緑色に発色して、その「緑色」の背景の中に、少しぼんやりした「光の像」が浮かんだのみであって、それを「発光」の文字状のホログラム再生像として明確には判定するには至らなかった。
このことより、このホログラムシートが真正なものでないと判断できた。
A ホログラムシート
1 透明基材
2 ホログラムレリーフを有する透明樹脂層(ホログラム形成層)
3 エレクトロルミネッセンス素子層
K1 光学多層薄膜層
4 観察状態の例示:可視光線(室内照明光)
5 同上 :反射光による再生像(視認できる場合と、出来ない場合が ある。)
6 同上 :電圧を印加した状態
7 同上 :緑色の再生像(発光による再生像)
1 透明基材
2 ホログラムレリーフを有する透明樹脂層(ホログラム形成層)
3 エレクトロルミネッセンス素子層
K1 光学多層薄膜層
4 観察状態の例示:可視光線(室内照明光)
5 同上 :反射光による再生像(視認できる場合と、出来ない場合が ある。)
6 同上 :電圧を印加した状態
7 同上 :緑色の再生像(発光による再生像)
Claims (3)
- 透明基材の一方の面に、エレクトロルミネッセンス素子層、ホログラム画像に対応したホログラムレリーフを有する透明樹脂層、及び、前記ホログラムレリーフに接するように、且つ追従するように、光学多層薄膜層が設けられているホログラムシートであって、
前記光学多層薄膜層が、前記エレクトロルミネッセンス素子層の発光する光に対する光学干渉フィルターとしての機能を持ち、且つ、前記ホログラム画像に対応したホログラムレリーフが、透過型ホログラム再生像を再生するものであることを特徴とするホログラムシート。
- 前記エレクトロルミネッセンス素子層は、その発光側が前記透明樹脂層に接していることを特徴とする請求項1に記載のホログラムシート。
- 請求項1または請求項2において、前記エレクトロルミネッセンス素子層の厚さは、0.01μm〜2.0μmであることを特徴とするホログラムシート。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014033646A JP2015158612A (ja) | 2014-02-25 | 2014-02-25 | ホログラムシート |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014033646A JP2015158612A (ja) | 2014-02-25 | 2014-02-25 | ホログラムシート |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2015158612A true JP2015158612A (ja) | 2015-09-03 |
Family
ID=54182635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2014033646A Pending JP2015158612A (ja) | 2014-02-25 | 2014-02-25 | ホログラムシート |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015158612A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3778759A4 (en) * | 2018-04-09 | 2022-01-05 | Zhijing Nanotech Co., Ltd | POLYMER-BASED NANO COMPOSITE FABRIC AND OPTICAL FILTERS BASED ON IT |
-
2014
- 2014-02-25 JP JP2014033646A patent/JP2015158612A/ja active Pending
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