JP2013011758A - ホログラムシート - Google Patents

Abstract

【課題】ホログラムを用いたホログラムシートにおいて、その真正性を高めるために、照明光と同一の波長のホログラム再生像を再生するホログラムとは異なり、電圧を印加することで、照明光とは異なる波長のホログラム再生をする新規なホログラムシートを提供する。
【解決手段】ホログラム形成層２上にエレクトロルミネッセンス素子層３及び、全反射性薄膜４を設け、そのエレクトロルミネッセンス素子層３及び、全反射性薄膜層４が、ホログラムレリーフの形状を有することで、通常照明光下では通常のホログラムシートＡとしか認識できないホログラムシートＡに、所定の電圧を印加したときに、空間にその所定の波長のホログラムが浮き上がり、このことによって、そのホログラムが真正品であると判定可能な、偽造防止性の高いホログラムシートＡ。
【選択図】図２

Description

本発明は、新規なホログラムシート、特に、位相ホログラムを呈するレリーフホログラムのレリーフ位置に、蛍光および／又は燐光（以後、まとめて「蛍光」と称す。）発光するエレクトロルミネッセンス素子薄膜を配した自発光型のホログラムシートに関するものである。
ここで、「全反射性薄膜層」の「全反射性」とは、可視光領域の光、すなわち、その波長が４００ｎｍ〜８００ｎｍの光を全て反射することを意味し、可視光領域の光を透過しないことを意味する。
但し、その波長域内のあらゆる光を１００％反射する「層」を設けることは物理的には不可能であり、ここでいう「全反射性」とは、例えば、アルミニウム金属薄膜層のように、その波長域内の光を９０％〜１００％の反射率（測定する光の波長により値が異なる。）で反射する「層」のことを意味し、従って、この層のその波長域内での透過率が１０％未満の「層」を意味する。
このような「層」を設けることにより、本発明のホログラムシートは、「反射型」でのみホログラム再生像を観察するものとなる。
本明細書において、配合を示す「部」は質量基準である。また、「ホログラム」はホログラムと、回折格子などの光回折性機能を有するものも含む。

（主なる用途）
本発明のホログラムシートの主なる用途としては、ホログラムそのものを装飾用として用いる美術・工芸品分野や商業用分野があるが、それにとどまらず、偽造防止分野に使用されるホログラムシートであって、具体的には、クレジットカード等の偽造されて使用されると、カード保持者やカード会社等に損害を与え得るもの、運転免許証、社員証、会員証等の身分証明書、入学試験用の受験票、パスポート等、紙幣、商品券、ポイントカード、株券、証券、抽選券、馬券、預金通帳、乗車券、通行券、航空券、種々の催事の入場券、遊戯券、交通機関や公衆電話用のプリペイドカード等がある。
これらはいずれも、経済的、もしくは社会的な価値を有する情報を保持した情報記録体であり、偽造による損害を防止する目的で、記録体そのものの真正性を識別できる機能を有することが望まれる。

また、これら情報記録体以外であっても、高額商品、例えば、高級腕時計、高級皮革製品、貴金属製品、もしくは宝飾品等の、しばしば、高級ブランド品と言われるもの、または、それら高額商品の収納箱やケース等も偽造され得るものである。また、量産品でも有名ブランドのもの、例えば、オーディオ製品、電化製品等、または、それらに吊り下げられるタグも、偽造の対象となりやすい。
さらに、著作物である音楽ソフト、映像ソフト、コンピュータソフト、もしくはゲームソフト等が記録された記憶体、またはそれらのケース等も、やはり偽造の対象となり得る。また、プリンター用のトナー、用紙など、交換する備品を純正材料に限定している製品などにも、偽造による損害を防止する目的で、そのものの真正性を識別できる機能を有することが望まれる。

（背景技術）
従来、情報記録体や上記した種々の物品（総称して、真正性識別対象物と言う。）の偽造を防止する目的で、その構造の精密さから、製造上の困難性を有すると言われるホログラムを真正性の識別可能なものとして適用することが多く行なわれている。しかしながら、ホログラムの製造方法自体は知られており、その方法により精密な加工を施すことができることから、ホログラムが単に目視による判定だけのものであるときは、真正なホログラムと偽造されたホログラムとの区別は困難である。
これらの真正性識別対象物、特にラベル形態や転写形態にてホログラム画像を施された物品は、ホログラム画像の目視確認という真正性識別のみでなく、新たな真正性識別方法を用いてその対象物の真正性を識別する必要が生じている。

（先行技術）
これらの要求に応えるため、ホログラムに積層して、入射した光の内、左回り偏光もしくは、右回り偏光のいずれか一方の光のみを反射する光選択反射層を有するホログラムシートが提案された。（例えば、特許文献１参照。）
この光選択反射層として、コレステリック液晶を使用し、偏光版等を用いて確認する方法で偽造防止性を高めている。
しかしながら、特許文献１の記載にあるように、ホログラム形成層上の反射性薄膜層の反射率が高いため、コレステリック液晶層で反射されず透過した光（選択的反射光の補色光）が、この反射性薄膜層で反射し、再びコレステリック液晶層へ戻る（以下戻り光とする）ことにより、この戻り光が、コレステリック液晶を観察する際のノイズ成分となって、選択的反射光に付加・混在し、液晶本来の色調とならず、視認・識別することすら難しくなっていた。

また、コレステリック液晶材料そのものが高価であり、その液晶性能を引き出すためには液晶層に接して、配向膜の形成が不可欠であって煩雑であり、さらには、コレステリック液晶の光散乱性により、ホログラム画像を再生する光がその液晶層を通過するときに画像にボケ・歪みを生じる等の問題があった。
このため、コレステリック液晶層の光散乱性を抑えたり、コレステリック液晶層そのものを薄くする等の工夫が考えられたが、コレステリック液晶層の光散乱性を抑えるために屈折率差を小さくしたり、コレステリック液晶層を薄くしたりすると、上記した光選択反射層としての機能が低下してしまい、ホログラム画像の鮮明性と偽造防止性能を確保する最適な条件を得ることが難しいという欠点を有していた。

特開２００７−９０５３８号公報

そこで、本発明はこのような問題点を解消するためになされたものである。その目的は、位相ホログラムのホログラム形成層、すなわちホログラムレリーフを有する透明樹脂の、そのホログラムレリーフに接するように、且つ追従するようにエレクトロルミネッセンス素子層を設け、さらにその上に、全反射性薄膜層を設けて、自然光の下では、その全反射性薄膜層による反射光によりホログラム再生像を視認でき、一見、通常のホログラムシートのように観察できるものの、定められた所定の電界の印加により、特定の自発光波長のみによるホログラム再生像を特定の方向に出現させる新規なホログラムシートを提供することである。さらに、このようなホログラムシートはこれまでに存在しないため、新規な装飾性及び、これを応用する偽造防止性を提供することである。

上記の課題を解決するために、
本発明のホログラムシートの第１の態様は、
透明基材の一方の面に、ホログラム画像に対応した回折格子群を含むホログラムレリーフを有する透明樹脂層、前記ホログラムレリーフに接するように、且つ追従するように設けられたエレクトロルミネッセンス素子層、及び全反射性薄膜層が、この順序で設けられていることを特徴とするものである。
上記第１の態様のホログラムシートによれば、
透明基材の一方の面に、ホログラム画像に対応した回折格子群を含むホログラムレリーフを有する透明樹脂層、前記ホログラムレリーフに接するように、且つ追従するように設けられたエレクトロルミネッセンス素子層、及び全反射性薄膜層が、この順序で設けられていることを特徴とするホログラムシートを提供することができ、高い意匠性と高度な偽造防止性を持つホログラムシートを提供できる。
本発明のホログラムシートの第２の態様は、
前記エレクトロルミネッセンス素子層の厚さは、０．０１μｍ〜２．０μｍであることを特徴とするものである。
上記第２の態様のホログラムシートによれば、
前記エレクトロルミネッセンス素子層の厚さは、０．０１μｍ〜２．０μｍであることを特徴とする第１の態様のホログラムシートを提供することができ、より鮮明なホログラム再生像を出現可能な、ホログラムシートを提供できる。
本発明のホログラムシートの第３の態様は、
前記透明樹脂層のホログラムレリーフが、
前記透明基材上に、均一な厚さの透明な層を形成し、前記透明な層上に、均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層を形成した後に、前記透明な層と前記エレクトロルミネッセンス素子層とを同時に変形させることにより設けられたものであることを特徴とするものである。

上記第３の態様のホログラムシートによれば、
前記透明樹脂層のホログラムレリーフが、
前記透明基材上に、均一な厚さの透明な層を形成し、前記透明な層上に、均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層を形成した後に、前記透明な層と前記エレクトロルミネッセンス素子層とを同時に変形させることにより設けられたものであることを特徴とする第１または第２のいずれかの態様のホログラムシートを提供することができ、自然光下でのホログラム再生像がより鮮明な、ホログラムシートを提供できる。
ホログラム画像を再生する回折格子群が、ホログラムレリーフとして、透明樹脂層面上に略一平面として形成されており、このホログラムレリーフ上に、且つ、このホログラムレリーフに追従して均一な厚さでエレクトロルミネッセンス素子層が設けられている。
すなわち、ホログラムレリーフは、位相ホログラムとしての位相差を「レリーフ形状」に現しているが、この位相差を有する「レリーフ形状」に追従して（沿って）エレクトロルミネッセンス素子層が設けられることにより、エレクトロルミネッセンス素子層が発する光が、上記位相差を有して（含んで）発することになる。
そして、そのレリーフ形状をしているエレクトロルミネッセンス素子層のその「レリーフ形状」に追従して、さらにそのエレクトロルミネッセンス素子層の上に、全反射性薄膜層が設けられている。
従って、全反射性薄膜層も、「レリーフ形状」を持ち、自然光下では、このエレクトロルミネッセンス素子層は視認されず、この全反射性薄膜層の反射面における「レリーフ形状」によって、ホログラム再生像を観察することとなる。
しかし、このエレクトロルミネッセンス素子層を発光させる電界を印加すると、すなわち、このエレクトロルミネッセンス素子層内の陽極と陰極に所定の電圧をかけると、「特定の波長のみ」によるホログラム再生像が特定の方向に出現して、観察者は、改めて、この「特定の波長」によるホログラム再生像を観察することとなる。

以下、エレクトロルミネッセンス素子層により、ホログラム再生像が出現する原理について以下に説明する。
レリーフホログラムを再生する場合に、そのレリーフホログラムを所定の照明光で照明した際に、そのレリーフホログラム面上のあらゆる点（場所）で生じるホイヘンスの２次波が発生するが、これに対し、本発明のホログラムシートの場合においては、この２次波に相当するものが、ホログラムレリーフ面に配されたエレクトロルミネッセンス素子層の発光（発する光）であり、この光がその役目を担い、ホログラム画像に対応したホログラムレリーフが有する位相差を含んで発する光（発光）を観察者側に届けるものである。
すなわち、この発する光（発光）が、ホログラムレリーフ面上の空間において干渉現象を起こし、その結果、所定の方向に所定のホログラム再生像を発現する。
エレクトロルミネッセンスとは、電場のエネルギーによって、蛍光物質等が発光する現象であって、面光源を得ることが可能であり、大別して、有機エレクトロルミネッセンスと、無機エレクトロルミネッセンスとがある。
有機エレクトロルミネッセンスは、電流を流すと発光する性質を有する有機物質を用いた発光現象のことであり、ベースとなる層に有機物質を挟み込んだ構造をしている。
その層間に電流を流すことで、その有機物質の分子が励起され発光する仕組みとなっている。
代表的な層構成は、／陽極（透明導電層）／ホール輸送層／有機物質層／電子輸送層／陰極（透明導電層）からなり、陽極側から発する光（発光）が出る。
すなわち、薄膜で形成された有機エレクトロルミネッセンス素子は、陰極（陰極層）から電子輸送層を経て有機物質層に到達した電子と、陽極からホール輸送層を経て有機物質層に到達した正孔とを再結合させることにより生じた励起子（エキシトン）によって発光する。

つまり、その再結合の際に発生するエネルギーにより有機物質の分子等を励起し、励起状態から、再び、基底状態へ戻るときに、蛍光（燐光を含む。）発光等が起こる。
蛍光発光の原理は、図１に示すジャブロンスキー図にあるように、その有機物質（複数の物質の複合系を含む。）の分子等の基底状態（Ｓ０：一重項状態）からエネルギー吸収によって第一（Ｓ１）、第二（Ｓ２）、第三励起状態（Ｓ３）・・・のどれかの振動状態に励起された有機物質の分子等が、無放射過程で非常に速やかに緩和してＳ１の電子励起状態に移るか、あるいは項間交差によって三重項状態（Ｔ１、Ｔ２）へ移る。
Ｓ１の最低振動状態になった蛍光体は、無放射過程によるか蛍光を発して基底状態に戻り、三重項状態になった分子は、無放射過程によるか、燐光を発して基底状態に戻る。
励起しても光に上手く利用できないエネルギーは無放射失活（熱失活）する。
一重項同士の遷移は瞬間的に起こるため、蛍光の半減期は１０^-4ｓｅｃ以下と短いものである。遷移に要する時間は、１０^-15ｓｅｃで励起が起こり、その後１０^-9〜１０^-7ｓｅｃで蛍光発光が起こるとされている。
一方、三重項から一重項への遷移はスピン変化禁止により禁制遷移となり自発的放出が起こりにくいので、燐光の半減期は大きく、秒単位のものもある。
基底状態に戻る際に光を発するか否か、光の強度が強いか弱いか、蛍光寿命が長いか短いかは、その有機物質の分子等の分子構造や分子等の置かれた環境に大きく依存する。
有機物質の分子等の放出光の波長分布を発光スペクトルといい、発光スペクトルは発光の波長に対し相対的な発光強度をプロットして作成される。発光スペクトルに示される波長（エネルギー）は一次励起状態の最低振動エネルギー準位から基底状態の優先的な振動エネルギー準位までのエネルギー差と等しくなる。

無機エレクトロルミネッセンスとは、物質に電界を印加したときに発光する物理現象であり、その機構は、固体である無機化合物の蛍光体（発光層）に電圧を印加するとその固体内にあらかじめ存在する電子、あるいは電極から注入された電子が高電界によって加速され、発光中心に衝突してこれを励起し、そのとき生じた電子と正孔が再結合することによって発光するというものである。外部から電流によって注入された電子と正孔の再結合によって発光する有機エレクトロルミネッセンスとは、励起の点で異なる。
すなわち、薄膜で形成された無機エレクトロルミネッセンス素子は、二重絶縁構造を有しており、この構造に電界を印加することにより発光が起こる。
発光層の構成形態から「分散型」と「薄膜型」の２種類に分けられ、分散型は、強誘電体粉末を有機バインダーに分散させた絶縁層と蛍光体粉末を有機バインダーに分散させた発光層とを積層させて、透明電極と背面電極で挟んだ構造であり、その代表的な構成は、／透明電極／絶縁層／発光層／背面電極／、若しくは、／透明電極／絶縁層／発光層／絶縁層／背面電極／である。
この層構成において、
薄膜型は、薄膜電極付き基板上に薄膜蛍光体からなる発光層と絶縁層を積層させ、電極を付けた構造であって、スパッタリング法や真空蒸着法等の薄膜形成方法を用いて層を形成する。その代表的な構成は、分散型と同様である。
いずれも、透明電極側から、発する光（発光）が出る。
本発明は、従来のホログラムの再生方法、すなわち、ホログラムに照明光源からの照明光を当て、ホログラムレリーフ面での反射光の干渉現象によって、その照明光の波長のホログラムを再生するもの、とは異なり、電圧を印加することによって、エレクトロルミネッセンス素子が発光し、その発する光（発光）そのものが上記干渉現象を生じて、その発する光（発光）の波長におけるホログラムを再生するものである。従って、回折角度も、その発する光（発光）の波長に依存する。

例えば、透明でほとんど何も見えない空間（レーザー再生ホログラム等のようにその再生に単波長光を必要とするものは、白色光光源では視認できない。また、白色光再生に適するレインボーホログラムであっても、ホログラフレリーフ面の界面反射強度が小さい場合にも、やはり視認しにくくなる。）に、電圧印加によって初めて、例えば「緑色」のホログラムを視認することもできるため、観察者の目には、あたかも、通常再生に用いられる「緑色の照明光源」の無いところに、ホログラムだけが光輝き、空中に浮いているように見え、意匠性にも優れるものとなる。
さらに、ホログラムを再生可能な電源端子（陽極端子と、陰極端子。複数設けてもよいし、ダミー端子を設けることで、その偽造防止性を高めることが出来る。）がどの部分に形成されているか判別しにくくして、その構造を知りうる者のみがホログラム再生を果たすことができるよう設けて、真正性判定用に有用なものとすることができる。
また、上記した、発する光（発光）の波長を知りうる者のみがホログラム再生像の色調を予測でき、その再生波長に調整したバンドパスフィルターを通して覗いて、そのバンドパスフィルターを通過できるホログラムのみが、真正であると判定することもできる。
また、このバンドパスフィルターを通過する角度（回折角度）も、その発光波長に依存し、やはり、その値を知りうる者のみがその所定の角度で判定を行うことができる。
さらに、薄膜で形成されたエレクトロルミネッセンス素子を複数含めることにより、この再生像は複数の角度に異なる色調で現れることになり、意匠性の面でも、真正性判定の面でもより優れたものとすることができる。
もちろん、エレクトロルミネッセンス素子は、その印加する電圧により、発光スペクトルが大きく異なり、また個々の素子独特の発光特性を有するため、真正性判定に使用する印加電圧（電圧強度や、周波数等。）を知りえない偽造者が、真正品と全く同一のホログラムラベルを作製しようとしても、物理的に不可能と言える。

有機エレクトロルミネッセンス素子の構造は、具体的には、発光層となる有機薄膜を陰極と陽極で挟んだ単層構造のものや、陽極と発光層との間に正孔輸送層を有する構造のもの、陰極と発光層との間に電子輸送層を有するもの、発光層部分を電子輸送層、発光層、正孔輸送層の３層構造とするもの、さらには必要に応じて多層化した構造のもの等を用いることができる。
これらの陽極と陰極で挟んだ層は、すべて有機薄膜（固体）で構成されており、各層の厚さは、１０〜１００ｎｍである。
１０ｎｍ未満では、各層の機能を十分発揮できず、また、１００ｎｍあれば、各層の機能を達成するためには十分であり、それより厚くすることによる不要なレリーフ追従性低下を避けるため、１００ｎｍ以下とする。
発光層は、主材料（ホスト材料）と不純物材料（ドーパント材料：発光強度向上等の機能向上のために添加される。）との２成分系であり、発光する不純物材料は、０．１〜３０％添加で主材料中に均一に分散されている。
０．１％以下では、発光性が不十分であり、３０％を超えると、その不純物性（特異点としての存在性）が薄れ、かえって発光性が低下し始める。
陽極には、透明導電性薄膜と称される、透明性と導電性をあわせもつＩＴＯ薄膜（インジウム・スズ酸化物薄膜）、錫ドープ酸化錫、アンチモンドープ酸化錫、亜鉛ドープ酸化錫、フッ素ドープ酸化錫、酸化亜鉛などの金属酸化物、銀の薄膜を高屈折率層で挟んだ多層構造、ポリアニリン、ポリピロールなどの共役系高分子などが挙げられる。
形成方法は、薄膜形成方法、すなわち、スパッタリング法や、真空蒸着法等を用いて、厚さ５０〜５００ｎｍで形成する。以上の配慮から、透明導電性薄膜の表面抵抗値は、０．００１Ω／□〜０．１Ω／□とする。
形成方法として、印刷法等も用いることが可能であるが、ホログラムレリーフに接して、且つ、追従して設ける必要があり、この層がレリーフ形状を維持し、次の薄膜層にもそのレリーフ形状を与えるためには、この層の膜厚さが、薄く且つ高度に均一である必要があり、上記した薄膜形成方法が望ましい。

ホログラムレリーフのレリーフ形状の凹凸は、０．０１μｍ〜１μｍと微細であり、その周期も０．０１μｍ〜１μｍと、非常に微細でなだらかな変化を有しているが、このなだらかな変化を忠実に再現できないと、再生されるホログラムの像を正確に、且つ、明るく再現することができない。
従って、上記した「ホログラムレリーフへの追従性」は、多層構造となる、エレクトロルミネッセンス素子の発光層及び、発光層から光が放出される透明導電性薄膜層の膜厚さ及び、その均一性が、より薄く、且つ、より均一であることが要求されることを意味する。
すなわち、ホログラムレリーフ面と、発光層との間に、多層が介在しても、発光層の発光面のレリーフ形状が、そのホログラムレリーフのレリーフ形状と同一乃至はほぼ同一となることが重要である。ほぼ同一とは、レリーフ形状の凹凸の再現性が、９０％以上、さらには、９５％以上であることが望ましい。
これは、一つの凹凸の再現性であると同時に、ホログラムを再生する領域全体の再現性を示す指標である。
この再現性は、例えば、２つの３次元曲線の比較において、元の３次元曲線の凹凸領域の体積に対して、もう一つの３次元曲線との差分領域の体積が、その１０％以内、さらには、５％以内にあることを意味する。これは、一つの凹凸の再現性であると同時に、ホログラムを再生する領域全体の再現性を示す指標である。簡易的な評価として、レリーフ断面同士を２次曲線で比較する方法を用いることも好適である。
以上を配慮して、その膜厚さは、５０ｎｍ未満では、その導電性が不十分であり、５００ｎｍを超えると、ホログラムレリーフへの追従性が劣化する。さらに、ホログラムレリーフに接して設けた場合に、その加熱負荷により、ホログラムレリーフ形状を保持している透明樹脂の劣化、すなわち、ホログラムレリーフ形状の変形（劣化）を起こす。
陰極には、陽極と同様の材料を同様の方法を用いて、厚さ、５０〜５００ｎｍで形成する。
５０ｎｍ未満では、その導電性が不十分であり、５００ｎｍを超えると、やはり、ホログラムレリーフへの追従性が劣化する。さらに、ホログラムレリーフに接して設けていなくても、その薄膜形成時の加熱負荷により、この場合であっても、ホログラムレリーフ形状を保持している透明樹脂の劣化、すなわち、ホログラムレリーフ形状の変形（劣化）を起こし易くなる。

発光層である有機薄膜には、低分子系と高分子系とを用いることができる。
低分子系には、正孔輸送材料として、ＴＰＡＣ（１，１−ビス[４-［Ｎ，Ｎ―ジ（ｐ−トリル）アミノ］フェニル]シクロヘキサン）、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ´―ジフェニル−Ｎ，Ｎ´―ジ（ｍ―トリル）ベンジジン）、ＣｕＰｃ（フタロシアニン銅）、α―ＮＰＤ（４，４´―ビス[フェニル（１−ナフチル）アミノ]−１，１´ビフェニール等、
電子輸送材料として、ＢＮＤ（２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール）、ＰＢＤ（２−（ターシャリー−ブチルフェニル）―５―（４−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール）、Ｂｕｔｙｌ−ＰＢＤ（２−ビフェニル−５−（パラ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル)−１，３，４−オキサジアゾール）、ＴＡＺ（１−フェニル−２−ビフェニル−５−パラ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，３，４−トリアゾール）、Ａｌｑ₃（トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）、Ｂｅｑ₂（ビス（８−ヒドロキシ−キノリノ）ベリリウム）、Ｚｎ（ＢＯＺ）２（亜鉛−ビス−ベンゾキサゾール）、Ｚｎ（ＢＴＺ）２（亜鉛−ビス−ベンゾチアゾール）、Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ）（トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオノ）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（III））等、
発光層材料として、ＺｎＰＢＯ（ビス[２−（２−ベンゾキサゾリル）フェノラト]亜鉛）等、
ドーピング色素材料として、Ｃｏｕｍａｒｉｎ６（３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−（ジエチルアミノ）コーマリン、ＱＮ−（Ｎ，Ｎ´−ジメチルキナクリドン）、ナイルレッド、ベリレンラブレン、ＴＢＰ（１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン）キナクリドン等、その他、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（４−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール、４，４'−ビス（９−カルバゾリル）ビフェニル等を用いることができる。
これらの低分子系材料は、真空蒸着法、ＣＶＤ法（化学蒸着法）等の薄膜形成法により設けることができる。

高分子系には、
発光層材料として、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）系、ＰＡＴ（ポリチオフェン）系、ＰＦ（ポリフルオレン）系、ＰＰＰ系（ポリパラフェニレン）等、
正孔層材料として、ＰＥＤＯＴ（ポリ-3,4-エチレンジオキシチオフェン）＋ＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸：ドーパント）共重合体、ＰＥＤＯＴ+ＰＶＳ（ポリビニルスルホン酸）共重合体、ポリアニリン＋ＰＳＳ共重合体、ポリピロール＋ＰＳＳ共重合体等、を用いることができる。
これらの高分子系材料は、各種のコーティング法、印刷法により設けることことができる。印加直流電圧は、１〜１０Ｖである。
無機エレクトロルミネッセンス素子の構造は、基本構造として、透明電極、絶縁層、発光層、背面電極を積層したものであり、発光は、発光層である蛍光体膜から出る。蛍光体は、薄膜型の場合、誘電性のある母体材料に、発光中心となる微量の添加不純物を混ぜたもので、エネルギーを受けることで、その発光中心物質の外殻軌道または高い順位に移動（励起）した、発光中心物質の持つ電子が、元の順位に戻る（遷移）ときに、発光を生じる。
発光層である蛍光体の膜を、絶縁層である誘電体で挟み込み、その両端に電極を配した構造は、コンデンサを３個直列に接続した回路と考えることができ、ここに、交流電圧をかけると、誘電体と蛍光体の中で分極が生じ、印加電圧を上げ、蛍光体の膜にかかる電界が、１００ＭＶ／ｍ以上となると、発光中心が電界で加速された電子等の衝突のエネルギーを受け取り、励起されるようになる。
発光層としては、母体にＺｎＳや、ＳｒＳなどのＩＩ族硫化物を用い、発光中心にＭｎや希土類を添加したもの、母体にＢａＡＬ₂Ｓ₄（バリウム・アルミニウム複合硫化物）を用い、発光中心にＥｕを添加したもの、等が用いられる。
発光層には、周期表の第２族元素と第１６族元素とから成る群から選ばれる少なくとも１種の元素及び／又は周期表の第１３族元素と第１５族元素とから成る群から選ばれる少なくとも１種の元素とを含む半導体を好ましく用いることができる。
そのキャリア密度は、１０¹⁷／ｃｍ³以下であることが好ましい。
発光層を形成する物質の具体例をさらに挙げると、ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＺｎＳｅ，ＺｎＴｅ，ＣａＳ，ＭｇＳ，ＧａＰ，ＧａＡｓ，ＧａＮ，ＩｎＰ，ＩｎＡｓ及びそれらの混晶などが挙げられるが、ＺｎＳｅ，ＣａＳなどを好ましく用いることができる。

さらに、ＢａＡｌ₂Ｓ₄、ＣａＧａ₂Ｓ₄、Ｇａ₂Ｏ₃、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄、Ｚｎ₂ＧａＯ₄、ＺｎＧａ₂Ｏ₄，ＺｎＧｅＯ₃，ＺｎＧｅＯ₄，ＺｎＡｌ₂Ｏ₄，ＣａＧａ₂Ｏ₄，ＣａＧｅＯ₃，Ｃａ₂Ｇｅ₂Ｏ₇，ＣａＯ，Ｇａ₂Ｏ₃，ＧｅＯ₂，ＳｒＡｌ₂Ｏ₄，ＳｒＧａ₂Ｏ₄，ＳｒＰ₂Ｏ₇，ＭｇＧａ₂Ｏ₄，Ｍｇ₂ＧｅＯ₄，ＭｇＧｅＯ₃，ＢａＡｌ₂Ｏ₄，Ｇａ₂Ｇｅ₂Ｏ₇，ＢｅＧａ₂Ｏ₄，Ｙ₂ＳｉＯ₅，Ｙ₂ＧｅＯ₅，Ｙ₂Ｇｅ₂Ｏ₇，Ｙ₄ＧｅＯ₈，Ｙ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₂Ｓ，ＳｎＯ₂及びそれらの混晶などを好ましく用いることができる。
キャリア密度等は、一般に用いられるホール効果測定法などで求めることができる。
絶縁層である誘電体膜としては、金属酸化物、窒化物が用いられる。ＢａＴｉＯ３などのペロブスカイト系酸化物は高い誘電率を持ち好適である。
酸化物に含むことができる元素としては、周期表の第２族、３族、９族、１２族（旧２Ｂ族（旧ＩＩｂ族））、１３族（旧３Ｂ族（旧ＩＩＩ族））、１４族（旧４Ｂ族（旧ＩＶ族））、第１５族、第１６族の元素が好ましく、第１２族、第１３族及び第１４族の元素からなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含むことがより好ましい。具体的にはＧａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｒｈ、Ｉｒ等を挙げることができ、より好ましくは、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｇｅ等である。またこれらの元素以外に透明半導体が、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ等のカルコゲナイドやＣｕ、Ａｇ等を好ましく含むことができる。
絶縁層と発光層の層厚さは、０．１μｍ〜２μｍとする。もちろん、２μｍを超えて１０μｍ程度の厚さとすることで、発光性性能をより向上させることができるが、ホログラムレリーフの追従性の面で、２μｍが限界である。
透明電極、背面電極は、有機エレクトロルミネッセンス素子と同様に、ＩＴＯや、金属薄膜が好適に用いられる。
異なる発光色の蛍光体膜を交互に並置して、多色とすることもできるが、輝度の高い１色の発光体膜の上に、色変換材料（クマリン系：クマリン６、ローダミン系：ローダミン６Ｇ、ローダミンＢ等の蛍光色素の混合物や、２種以上のベンゾ−α−ビロン骨格を持つ蛍光色素の混合物等、波長３５０ｎｍ〜６００ｎｍの光を吸収して、波長６００ｎｍ以上の可視領域に発光極大を有する光を放出する等。）を重ねて多色とすることも好適である。
印加電圧としては、１００Ｖ・５０〜１０００Ｈｚの交流電源等を用いることができる。

次に、ホログラフィの原理について説明する。
物体がコヒーレント光で照明され，物体から回折された光が記録媒体(フォトレジスト等。）を照明しているとした場合、物体から回折されて記録面に到達した波面を物体波は、
Ｆ（ｘ，ｙ）＝Ａ（ｘ，ｙ）ＥＸＰ[φ（ｘ，ｙ）]
であらわされる。ここで、
Ａ（ｘ，ｙ） は物体波の振幅分布とし、
φ（ｘ，ｙ） は位相分布とする。
このとき、記録媒体には、記録媒体に到達する光波の強度分布が記録される。その強度分布は、
Ｉ（ｘ，ｙ）＝｜Ｆ（ｘ，ｙ）｜²＝Ａ²（ｘ，ｙ） （１）
となり、位相分布は記録されない。
ここで，物体波にこれと干渉性のある光波（参照波という）を重ね合わせると，記録される光波の強度分布は、
Ｉ（ｘ，ｙ）＝｜Ｆ（ｘ，ｙ）＋Ｒ（ｘ，ｙ）｜²
＝｜Ｆ（ｘ，ｙ）｜²＋｜Ｒ（ｘ，ｙ）｜²
＋Ｆ（ｘ，ｙ）Ｒ^*（ｘ，ｙ）＋Ｆ^*（ｘ，ｙ）Ｒ（ｘ，ｙ） （２）
となる．（＊は複素共役項を表す。）

ただし，参照光が記録面に角度θで入射する平面波であるとすれば、
Ｒ（ｘ，ｙ）＝ｒ（ｘ，ｙ）ＥＸＰ（２πｉαｘ） （３）
と書け、
α ＝ ＳＩＮ（θ）／λ （４）
である。（２）の第１項と第２項はそれぞれ、物体波の強度と参照波の強度でいずれも位相情報は欠落している。第３項と第４項は干渉の項でそれぞれ
Ｆ（ｘ，ｙ）Ｒ＊（ｘ，ｙ）＝
Ａ（ｘ，ｙ）ｒ（ｘ，ｙ）ＥＸＰ[ｉ [φ（ｘ，ｙ）−2παｘ] ] （５）
Ｆ＊（ｘ，ｙ）Ｒ（ｘ，ｙ）＝
Ａ（ｘ，ｙ）ｒ（ｘ，ｙ）ＥＸＰ[−ｉ [φ（ｘ，ｙ）−2παｘ]] （６）
とあらわされ、物体の位相項 φ（ｘ，ｙ） が残っている。（５）、（６）は互いに複素共役であり、(4.2)の第３項は物体の複素振幅分布を含んでいる。（５）、（６）を（２）に代入すると、
Ｉ（ｘ，ｙ）＝｜Ｆ（ｘ，ｙ）｜²＋｜Ｒ（ｘ，ｙ）｜²
＋２Ａ（ｘ，ｙ）ｒ（ｘ，ｙ）ＣＯＳ [２παｘ−φ（ｘ，ｙ）] （７）
となる．物体波と参照波が干渉して干渉縞を形成していることがわかる。

このように、物体波に参照波を重ね合わせて干渉記録し、 物体の位相情報を欠落させずに記録する方法がホログラフィである。（７）を記録したものが「ホログラム」と呼ばれる。ホログラムの振幅透過率もしくは振幅反射率が、記録した強度分布 Ｉ（ｘ，ｙ）
比例し、
Ｔ（ｘ，ｙ）＝τＩ（ｘ，ｙ） （８）
とかけるとする。このホログラムに、記録したときに用いた参照波を所定の角度であてると、ホログラムを透過もしくは反射してきた波面は、
Ｔ（ｘ，ｙ）Ｒ（ｘ，ｙ）＝τ（｜Ｆ（ｘ，ｙ）｜²＋｜Ｒ（ｘ，ｙ）｜² ）
＋τＦ（ｘ，ｙ）｜Ｒ（ｘ，ｙ）｜²
＋τＦ^*（ｘ，ｙ）Ｒ²（ｘ，ｙ） （９）
とあらわすことが出来る．この第２項は
τＦ（ｘ，ｙ）｜Ｒ（ｘ，ｙ）｜²＝
τＡ（ｘ，ｙ）ｒ²（ｘ，ｙ）ＥＸＰ[ｉφ（ｘ，ｙ）]] （１０）
第３項は、
τＦ＊（ｘ，ｙ）Ｒ²（ｘ，ｙ）＝
τＡ（ｘ，ｙ）ｒ²（ｘ，ｙ）ＥＸＰ[−ｉφ（ｘ，ｙ）＋２πｉα] （１１）
とかける。

このことから、（９）の第１項は、照明光と同じ方向にホログラムを突き抜ける光束もしくは正反射する光束であり、第２項は、(１０)より、物体光に比例した振幅を持つ光波であることがわかり、第３項は、(１１)より、物体波と共役な位相分布を持ち、２θの方向に伝播する光波であることがわかる。
このようにして，ホログラフィの技術を使うと複素振幅分布を記録して再生することが出来る。
本発明の場合は、ホログラムの振幅透過率もしくは振幅反射率が、記録した強度分布に比例し、（８）の式で表されてはいるものの、このホログラムに、記録したときに用いた参照波を所定の角度であてるのではなく、（８）の振幅透過率もしくは振幅反射率と同様の空間的な分布を持つ発光波がこのホログラムから発せられることになる。
従って、参照光にホログラムに記録された位相項を付与するという従来のホログラム再生の原理によらず、既にホログラムに記録されている位相項を保持して発光波を放射するものである。従って、理論上は、物体の位相差を含む空間関数を持つ３次元の連続曲面状の発光面を有し、その１曲面から光が放射されることになる。

従来のホログラム再生原理を透過タイプについて、単純化して説明すると、参照光としての平行光をホログラムにあてた際、遮蔽部分では、平行光が遮蔽され、透過部分からのみその平行光を透過し、透過部分と遮蔽部分との境界において回折が起こり、物体の持つ位相項を受け取り、ホログラムを透過した成分全体が重ね合わさり、それがホログラム再生光となって観察者の目に届くものである。
本発明の場合は、上記した参照光としての平行光が存在せず、ホログラムレリーフに接するように設けられた発光面での発光時、その放射光が物体の位相項を保持しており、その放射光同士の干渉現象により、ホログラム再生がなされるものである。
時間的且つ空間的コヒーレンス性を持たない放射光同士の干渉効果は、レーザー光のような十分な干渉を生じないが、低コヒーレント光で ホログラムを照明した際と同様のレベルでホログラム再生が行われる。以上のような原理による再生であるため、ホログラム撮影時の参照光は平行光であることが好ましく（複雑な参照光を再現できないため。）、もしくは、「回折格子により表現されたホログラム」（回折格子は、物体光、参照光とも平行光である。）であることが好ましく、回折格子は計算機ホログラム等、電子線描画により形成したものが精密であり、好適である。
さらに、上記の理由から、ホログラム再生像をより鮮明にするためには、放射光に対して、時間的若しくは空間的なコヒーレンス性に関する特性を付与することが必要であり、例えば、発光体の発光する部分の厚さ（放射方向の距離）を薄いものとして、発光点の厚さ方向におけるばらつきを小さいものとしたり、発光層その他の層を均一（層厚さを均一にしたり、均一分散や、均一組成とするなど、層内のムラをなくすこと。）にして、発光スペクトルのばらつきや、発光スペクトルの幅を小さいものとすることが望ましい。

また、ホログラムを光学的に記録する際に使用する光の主波長や、回折格子等を形成する際に想定する回折光の主波長と、エレクトロルミネッセンス素子からの発光波長を同一、乃至はほぼ同一とすることで、より鮮明なホログラム再生像を得ることができる。
さらには、発光光が通過する透明導電性薄膜、絶縁層、正孔輸送層等の透明な層での光の多重反射を考慮して、発光発光波長の通過する光の強度が最大となるように、各層の屈折率と厚さを設定することが好ましい。
特に、陽極もしくは陰極に用いる透明導電性薄膜の厚さを、精密に制御して、その透明導電性薄膜を通過する光が、透明導電層内で多重反射し、所定の方向（通常は、形成面に垂直な方向。）へ進む光の強度を大きくし、それ以外の方向へ進む光の強度を抑制することも好適である。
但し、本発明のホログラムシートの本来の目的は、発光層の発光面で有する位相差分布を維持したまま素子から光を放出し、放出直後の空間において、その位相差分布に基づく光の干渉を十分行わせることであるから、この位相差分布を撹乱するような多重反射は、光の強度を増すことはあっても、返ってホログラム再生像の鮮明度の低下を招く。
従って、上記した透明導電薄膜層等の屈折率分布や、厚さの設定は、これを配慮して行う必要がある。例えば、ホログラムレリーフの凹凸がほとんど０．０１μｍ程度と小さく、透明基材表面に平行な領域が多いホログラムを用いた場合には、この多重反射を利用し、この透明導電薄膜層の厚さを、その発光波長に対して、その平面に垂直に通過する光の強度を最大となるよう設定することで、そのホログラムレリーフ面から「発する」光の方向をおおよそ垂直方向のみとすることが可能となる。
もちろん、偽造防止性を高めるために、敢えて、発光する波長を記録形成時の波長と異ならせることも好適である。その場合は、波長が異なることによる、ホログラム再生像の変形や、回折角度の変化を予想し、あらかじめ確認しておくことが必須となる。

さらに、エレクトロルミネッセンス素子形成領域の部分的なばらつき、すなわち、形成場所による発光波長や、発光強度のばらつきは、ホログラム再生像の品質を劣化させるため、発光層の均一性は重要となる。
少なくとも、発光波長のピーク値の部分的なばらつき（ある１ｍｍ径のスポット領域と、それに隣接する１ｍｍ径のスポット領域との差など。）や半値幅のばらつきは、３０ｎｍ以内、発光強度ばらつきは１０％以内であることが好適である。発光波長のピーク値や、半値幅のバラツキが３０ｎｍを超えると、ホログラム再生像の再生位置のばらつきが発生し、ホログラム再生像がボケて不鮮明となる。また、発光強度のばらつきが１０％を超えると、光の干渉にもばらつきが発生し、結果的に不鮮明な再生となる。
また、エレクトロルミネッセンス素子を多数の微細なスポット（例えば、網点状等）として、離散させて設けた場合（発光層のみを網点状とする等、素子全体を離散的に設けても良いし、単層乃至は複数の層のみを離散的に設けても良い。）には、発光量が減少し、全体的な明るさは低下するものの、個々のスポットに隣接する領域から発光光がでないため、不要な干渉を低減させることができ、ホログラム再生像のシャープさが増し、好適である。
但し、このスポットの大きさや、発光層等の厚さが、ホログラムレリーフとは無関係にそのホログラム面上に離散的に形成されている場合には、その大きさ分布や、厚さ分布に起因する発光強度分布が、場合によっては、ホログラムを再生する光と不要な干渉を生じ、若しくは、あるべき干渉を撹乱し、ホログラム再生像を不鮮明にする要因となり得る。
この要因を排除するため、発光層を、連続して形成する場合、及び、離散的に形成する場合においても、ホログラムレリーフを形成する凹凸に追従して均一な厚さ、そして、均一な分布で形成して、ホログラムレリーフ面のどの領域からも、同一の強度の発光が生じるようにし、ホログラム再生像の鮮明化を図ることができる。

本発明のホログラムシートのホログラム再生像は、空間的なホログラムの位相を含んでいるとはいえ、その発光光同士の時間的及び空間的なコヒーレント性は小さく、このホログラム再生像は通常のレーザー再生レリーフホログラムの再生像より微弱であって且つ不鮮明となっている。
もちろん、ビーム形状の回折光を観察するのみであれば、その色調と回折方向を確認することは容易であり、そのままでも真正性の判定に差し支えないものの、この微弱且つ不鮮明なホログラム再生像を観察者が認識しその存在を正確に判定可能とするために、発光体の発光性能を向上させ、且つ、回折角度を大きくとって波長―回折角依存性を強め、０次回折光の角度と発光の回折角度の差を大きくし、さらには、発光層を薄くして、発光層厚さ方向のばらつきを抑え、且つ、均一なものとすることが必要となる。（発光面が位相情報を含んでいるため、その空間的な形状を正確に再現するものとする。）
さらには、時間的なコヒーレント性をより強く発現するため、電圧の印加をパルス状とし、パルスとパルスの時間的間隔を蛍光等の発光時間である１０^-7ｓｅｃ以上あけて照明することも好適である。これにより、一つの印加パルスによって生じた一つの発光面が、次の印加パルスによって生じた発光面とは、互いに撹乱現象を起こさず、一つのパルスによって発現した一つの発光面によって生じるホログラフィックな干渉現象により、鮮明なホログラム再生像を観察することができるようになる。もちろん、単純に秒単位でＯＮ−ＯＦＦする電圧印加手法（手動でも可能なシート。）を使用した場合でも、観察者には、連続して発光しているようにも見えるため、このような簡易な手段であっても目視で確認する場合には、上記した効果を十分得ることができる。

本発明のホログラムシートにおいては、エレクトロルミネッセンス素子層の発光側、すなわち、発光層、正孔輸送層と、透明導電性薄膜の積層や、発光層、絶縁層と、透明導電性薄膜の積層等における、透明導電性薄膜の最表面が、ホログラム形成層のホログラムレリーフに接し、且つ追従しているため、透明導電性薄膜の最表面を通過した発光が、ホログラム形成層と透明基材を通過して、観察者側にその発光波長におけるホログラム再生像を再生する。
この場合には、ホログラム形成層、透明導電性薄膜、及び発光層等の屈折率差を小さくしたり（それらの屈折率を同一とするか、または、その屈折率差を０．１以下とすることが好適である。）、その分布を制御することで、各層の界面での不要な反射を抑制することができ、エレクトロルミネッセンス素子に電圧を印加する前の視認性を抑制可能であって、より意匠性を高いものとすることができる。（エレクトロルミネッセンス素子層の見え方を意味し、その存在が目立たないことが望ましい。）
さらには、発光層の表面からホログラム形成層のホログラムレリーフ面までの距離（その間の各層の層厚さ）を極力小さいものとすることで、発光層表面のレリーフ形状のホログラムレリーフに対する追従性を高いものとすることができる。これにより、より鮮明なホログラム再生像を得ることができる。
さらに、エレクトロルミネッセンス素子層を、レリーフ形状に、接するように、且つ追従するように設ける際に、ホログラム再生像をより鮮明にするためには、エレクトロルミネッセンス素子層の厚さは、すなわち、素子全体の厚さは、薄く形成することが好適であり、ホログラムレリーフの凹凸の深さや、ピッチの大きさに対して、同じ程度とすることが望ましく、０．０１μｍ〜２．０μｍであることが好ましい。
この厚さが、０．０１μｍ、すなわち、１０ｎｍ未満であれば、素子としての性能が不十分であり、２．０μｍを超えると、ホログラムレリーフの追従性が低下し、いずれにしても鮮明なホロググラム再生像を得ることはできない。

また、このエレクトロルミネッセンス素子層の厚さが、ホログラムレリーフとは無関係にそのホログラム面上に分布（変動を意味する。）している場合には、その厚さ分布に起因する発光強度分布が、場合によっては、ホログラムを再生する光と不要な干渉を生じ、ホログラム再生像を不鮮明にする要因となり得る。
しかも、エレクトロルミネッセンス素子層の「ホログラムレリーフを有する透明樹脂層と接していない側」の「レリーフ形状」と、ホログラムレリーフを有する透明樹脂層上に設けられている「ホログラムレリーフ」の「レリーフ形状」との間に、「ズレ」が発生することとなる。
この「ズレ」は、「レリーフ形状」の深さ方向に発生し易く、エレクトロルミネッセンス素子層の厚さが厚くなればなる程、その「ズレの大きさ」が大きくなる。
ホログラムレリーフにおける「深さ方向のズレ」は、ホログラム再生像の「明るさ」に強く影響し、ホログラムレリーフの深さが「最適深さ（最も明るいホログラム再生像を再生し得る深さを意味する。）」より一様に浅くなっても、また、一様に深くなっても、その「明るさ」が低下することとなる。
この「ズレ」を最小限に抑えるために、まず、透明基材上に、「均一な厚さの透明な層」を形成し、その透明な層の上に、「均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層」を形成する。
このとき、透明基材として、表面平滑性の高いもの（例えば、その表面粗さ：Ｒａが０．０１μｍ以下。）を用いて、その表面上に、透明な樹脂材料を用いて、１μｍ〜１０μｍで形成し、その厚さ精度を±１％以内とした「均一な厚さの透明な層」を設け、さらに、その上に、エレクトロルミネッセンス素子層を０．０１μｍ〜２．０μｍで形成し、その厚さ精度を±５％以内とした「均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層」を設ける。
この「均一な厚さの透明な層」のエレクトロルミネッセンス素子層と接している平面が、下記する変形により、「ホログラムレリーフ」の「レリーフ形状」とされ、「均一な厚さの透明な層」が、「ホログラム画像に対応した回折格子群を含むホログラムレリーフを有する透明樹脂層」となる。通常は、その透明樹脂層の厚さは、１μｍ〜３０μｍの厚さで形成するところ、より均一な厚さを実現すべく、より薄く形成する。

このような「均一さ」は、スピンコーティング方式等の精密コーティング方式により得ることができ、また、使用するインキ組成において、インキ中の固形分を０．５％〜５．０％と低く設定し、インキ塗布後に緩やかな乾燥を行うことで、その乾燥前の塗膜の厚さムラを１／２０〜１／２００の大きさとする手法を用いることもできる。
例えば、３μｍ厚さの透明な樹脂層を、その厚さ精度±１％、すなわち、±０．０３μｍ以下の厚さムラで設け、その上に、１．０μｍ厚さのエレクトロルミネッセンス素子層を、その厚さ精度±５％、すなわち、±０．０５μｍ以下の厚さムラで設けて、「透明基材」上に、「均一な厚さの透明な層」と、「均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層」を重ねて形成する。
この均一な２層に対して、そのエレクトロルミネッセンス素子層の最表面上に、あらかじめホログラムレリーフを設けてある原版（プレス型。）を押し当て、適宜な加熱と加圧を加えて、その均一な２層を変形させ、「均一な厚さの透明な層」においては、「均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層」と接している面側のみを、そして、「均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層」においては、「均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層」そのものを、「レリーフ形状」とする。
これにより、「均一な厚さの透明な層」と「均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層」との界面、及び、「均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層」の最表面に形成される「ホログラムレリーフ」が、あらかじめ金型に設けていた「ホログラムレリーフ」と高い精度で同一となり、この「均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層」の最表面に形成される全反射性反射層の表面形状をも、高い精度で「ホログラムレリーフ」そのものとすることができる。
この結果、全反射性薄膜層によって反射する光は、非常に鮮明なホログラム再生像を再生する。
さらに、「塗布等により設けられた樹脂層上の凹凸として形成されたホログラムレリーフ面」を拡大して観察すると、その「面」には、極く微細な突起や陥没が多数存在しているが、「真空蒸着等の薄膜形成方法で設けられた無機材料層上の凹凸として形成されたホログラムレリーフ面」には、そのような突起や陥没が少なく、いわゆる「鏡面性」（面の平滑性を意味する。）が高いため、このような「無機材料層上の凹凸として形成されたホログラムレリーフ面」に全反射薄膜層を設けることで、さらに鮮明なホログラム再生像を再生することが可能となる。
その全反射性薄膜層は、蒸着や、ＣＶＤ（化学蒸着法）などの真空薄膜法などにより、厚さ１００ｎｍ〜２０００ｎｍで設けることができる。

また、「全反射性薄膜層」の形成厚さ精度が非常に高く、また、その形成厚さそのものが非常に薄いため、上記した「均一な２層」を形成後、その上に「全反射性薄膜層」を設け、この「全反射性薄膜層」の最表面から、上記と同様に、あらかじめホログラムレリーフを設けてある原版（プレス型。）を押し当て、適宜な加熱と加圧を加えて、その３層を変形させ、「均一な厚さの透明な層」の「エレクトロルミネッセンス素子層」と接している面側と、「均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層」そのもの、及び、全反射性薄膜層そのものを、同時に、その「レリーフ形状」とすることも好適である。
この方法を用いると、既にホログラムレリーフ状となっているエレクトロルミネッセンス素子層上へ、全反射性薄膜層を形成する際に生じやすい、エレクトロルミネッセンス素子層の「レリーフ形状」の乱れや、原版へのエレクトロルミネッセンス素子層の一部付着（一部取られ。）等のホログラムレリーフ劣化要因を解消することができ、好適である。
本発明のホログラムシートは、エレクトロルミネッセンス素子層からの発光が、全反射性薄膜層において遮断され、且つ、紫外線等も遮断するため、ホログラムシートの一方の面からしか、発光によるホログラム再生像を観察することができないものとしているが、敢えて、全反射性薄膜層上に（全反射性薄膜層からみて反対側に。）、さらに、エレクトロルミネッセンス素子層をもう一層設けることで、ホログラムシートの他方の面からも、発光によるホログラム再生像を観察できるようにすることも可能であり、その際、その２つのエレクトロルミネッセンス素子層が設けられる位置（領域）を異なるものとしたり、それぞれの発光によるホログラム再生像を異なるものとすることも、その意匠性や偽造防止性を高めるため、好適である。
そして、全反射性薄膜層上に、さらに、適宜な粘着層を形成して「ラベル」として用いたり、適宜な基材上に、適宜な剥離層を設け、その上に、ホログラムレリーフを有する透明樹脂層、エレクトロルミネッセンス素子層、全反射性薄膜層、及び、適宜な接着剤層を設けた、「転写箔」として用いることも好適である。

本発明のホログラムシートによれば、
透明基材の一方の面に、ホログラム画像に対応した回折格子群を含むホログラムレリーフを有する透明樹脂層、及び、そのホログラムレリーフに接するように且つ追従して設けられたエレクトロルミネッセンス素子層、及び全反射性薄膜層が、この順序で設けられているホログラムシートが提供され、自然光の下では、その全反射性薄膜層による反射光によりホログラム再生像を視認でき、一見、通常のホログラムシートのように観察できるものの、定められた所定の電界の印加により、特定の自発光波長のみによるホログラム再生像を特定の方向に出現させる新規なホログラムシートが提供される。さらに、このようなホログラムシートはこれまでに存在しないため、新規な装飾性及び、これを応用する偽造防止性を提供することができる。

は、ジャブロンスキー図である。 は、本発明の一実施例を示すホログラムシートＡの断面図である。 （エレクトロルミネッセンス素子層が、「ホログラムレリーフを形成する凹凸に 接して、且つ、追従して形成されている」例である。） は、本発明の一実施例を判定するプロセスである。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら、詳細に説明する。
（透明基材）本発明で使用される透明基材１は、厚みを薄くすることが可能であって、機械的強度や、ホログラムシートＡを製造する際の加工に耐える耐溶剤性および耐熱性を有するものが好ましい。使用目的にもよるので、限定されるものではないが、フィルム状もしくはシート状のプラスチックが好ましい。（図２参照。）
例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポリスルホン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリアリレート、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ジアセチルセルロース、ポリエチレン／ビニルアルコール等の各種のプラスチックフィルムを例示することができる。
その中でも、紫外線等の励起光に対する耐性を有するもの、例えば、紫外線吸収剤を含むものであってもよい。紫外線吸収剤を含むものは、自然光等の中に含まれる紫外線により微かではあるが、予定外のホログラム再生を防ぐ効果も有する。
透明基材１の厚さは、通常５〜１００μｍであるが、ホログラム再生像の視認性を配慮する場合には、５〜５０μｍ、特に５〜２５μｍとすることが望ましい。

（ホログラム画像に対応した回折格子群を含むホログラムレリーフを有する透明樹脂層：ホログラム形成層ともいう。）
本発明のホログラム形成層２を構成するための透明な樹脂材料としては、各種の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、もしくは電離放射線硬化性樹脂を用いることができる。（図２参照。）
熱可塑性樹脂としてはアクリル酸エステル樹脂、アクリルアミド樹脂、ニトロセルロース樹脂、もしくはポリスチレン樹脂等が、また、熱硬化性樹脂としては、不飽和ポリエステル樹脂、アクリルウレタン樹脂、エポキシ変性アクリル樹脂、エポキシ変性不飽和ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、もしくはフェノール樹脂等が挙げられる。
これらの熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂は、１種もしくは２種以上を使用することができる。これらの樹脂の１種もしくは２種以上は、各種イソシアネート樹脂を用いて架橋させてもよいし、あるいは、各種の硬化触媒、例えば、ナフテン酸コバルト、もしくはナフテン酸亜鉛等の金属石鹸を配合するか、または、熱もしくは紫外線で重合を開始させるためのベンゾイルパーオキサイド、メチルエチルケトンパーオキサイド等の過酸化物、ベンゾフェノン、アセトフェノン、アントラキノン、ナフトキノン、アゾビスイソブチロニトリル、もしくはジフェニルスルフィド等を配合しても良い。
また、電離放射線硬化性樹脂としては、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、アクリル変性ポリエステル等を挙げることができ、このような電離放射線硬化性樹脂に架橋構造を導入するか、もしくは粘度を調整する目的で、単官能モノマーもしくは多官能モノマー、またはオリゴマー等を配合して用いてもよい。
上記の樹脂材料を用いてホログラム形成層２を形成するには、感光性樹脂材料にホログラムの干渉露光を行なって現像することによって直接的に形成することもできるが、予め作成したレリーフホログラムもしくはその複製物、またはそれらのメッキ型等を複製用型として用い、その型面を上記の樹脂材料の層に押し付けることにより、賦型を行なうのがよい。

熱硬化性樹脂や電離放射線硬化性樹脂を用いる場合には、型面に未硬化の樹脂を密着させたまま、加熱もしくは電離放射線照射により、硬化を行わせ、硬化後に剥離することによって、硬化した透明な樹脂材料からなる層の片面にレリーフホログラムの微細凹凸を形成することができる。なお、同様な方法によりパターン状に形成して模様状とした回折格子を有する回折格子形成層も光回折構造として使用できる。
ホログラム形成層２の厚さは、１μｍ〜３０μｍ、特には、３μｍ〜１０μｍとする。
この厚さが、１μｍ未満では、「レリーフ形状」を形成し難く、３０μｍを超えると、ホログラムシートの処理工程や使用環境等による、ホログラム形成層２の熱膨張や、熱変形による「レリーフ形状」の劣化が起こり易くなる。そして、ホログラム形成層２の厚さが、３μｍ〜１０μｍであると、その処理工程中や使用の際の取扱い適性に優れる上、その均一性を向上させることができる。
ホログラムは物体光と参照光との光の干渉による干渉縞を凹凸のレリーフ形状で記録されたもので、例えば、フレネルホログラムなどのレーザ再生ホログラム、及びレインボーホログラムなどの白色光再生ホログラム、さらに、それらの原理を利用したカラーホログラム、コンピュータジェネレーティッドホログラム（ＣＧＨ）、ホログラフィック回折格子などがある。また、マシンリーダブルホログラムのように、その再生光を受光部でデータに変換し所定の情報として伝達したり、真偽判定を行うものであってもよい。（ホログラム形成プロセスは図示せず。）
特に、白色光再生ホログラム等の自然光や蛍光灯などの通常の照明光においてホログラム再生像Ａ１を観察できるホログラムＨ１と、フレネルホログラム等の単波長光でのみホログラム再生像Ａ２を再生可能なホログラムＨ２を、一つのホログラムレリーフとして多重記録することで、本発明のホログラムシートを通常照明光で観察する際にはホログラム再生像Ａ１のみが視認でき、所定の波長の照明光を当てた際には、別のホログラムであるホログラム再生像Ａ２を視認できるようにすることも好適である。

さらに、その所定の波長の照明光が、紫外線等の観察する人の目に入ることが好ましくない光源を用いたものである場合には、その紫外線等が全反射性反射層４にて反射してその目に入ることを避けるため、観察する方向とは大きく異なる方向にその反射光が進むようにその入射角度を調節する（ホログラムシートへの入射角度を、ホログラムシート面に垂直な方向に対して、±６０度〜±８０度とする。もしくは、ホログラム再生像を再生する照明角度がホログラムシートの上方であって、再生角度がその下方に向かう場合に、そのホログラムシートの右方向から入射して、左方向に反射するものとする。）ことも好適である。

しかも、ホログラム再生像Ａ２は、その所定の照明光を当てる角度を変えても、その再生する方向が一定であることから、簡易、且つ、正確に、その真正性を判定可能となる。
微細な凹凸を精密に作成するため、光学的な方法だけでなく、電子線描画装置を用いて、精密に設計されたレリーフ構造を作り出し、より精密で複雑な再生光を作り出すものであってもよい。このレリーフ形状は、ホログラムを再現もしくは再生する光もしくは光源の波長（域）と、再現もしくは再生する方向、及び強度によってその凹凸のピッチや、深さ、もしくは特定の周期的形状が設計される。
また、カラーホログラム画像を、回折格子線からなる回折格子画素（同一の回折格子線からなる単一回折格子エリアの最小単位。これら画素から回折光としてでてくる光の集合が一つのカラーホログラム画像を形成する。このようなホログラムレリーフは、ホログラム画像に対応した回折格子群を含む典型的な例である。）に要素分解し、所定の画素のサイズ、格子線ピッチ、格子線角度をその各要素に割り当てて再現するという画像処理方法を用いて形成することも可能である。
凹凸のピッチ（周期）は再現もしくは再生角度に依存するが、通常０．１μｍ〜数μｍであり、凹凸の深さは、再現もしくは再生強度に大きな影響を与える要素であるが、通常０．０１μｍ〜０．５μｍである。
単一回折格子のように、全く同一形状の凹凸の繰り返しであるものは、隣り合う凹凸が同じ形状であればある程、反射する光の干渉度合いが増しその強度が強くなり、最大値へと収束する。回折方向のぶれも最小となる。立体像のように、画像の個々の点が焦点に収束するものは、その焦点への収束精度が向上し、再現もしくは再生画像が鮮明となる。
ホログラムレリーフ形状を賦形（複製ともいう。）する方法は、回折格子や干渉縞が凹凸の形で記録された原版をプレス型（スタンパとも呼ばれる。）として用い、上記ホログラム形成層２上に、前記原版を重ねて加熱ロールなどの適宜手段により、両者を加熱圧着することにより、原版の凹凸模様を複製することができる。形成するホログラムパターンは単独でも、複数でもよい。

上記の極微細な形状を精密に再現するため、また、複製後の熱収縮などの歪みや変形を最小とするため、原版は金属を使用し、低温・高圧下で複製を行う。
原版は、Ｎｉなどの硬度の高い金属を用いる。光学的撮影もしくは、電子線描画などにより形成したガラスマスターなどの表面にＣｒ、Ｎｉ薄膜層を真空蒸着法、スパッタリングなどにより５〜５０ｎｍ形成後、Ｎｉなどを電着法（電気めっき、無電解めっき、さらには複合めっきなど）により５０〜１０００μｍ形成した後、金属を剥離することで作ることができる。
複製方式は、平板式もしくは、回転式を用い、線圧０．１トン／ｍ〜１０トン／ｍ、複製温度は、通常６０℃〜２００℃とする。（複製プロセスは図示せず。）
そして、上記した、ホログラムレリーフ形状を賦形（複製）する方法を用いて、あらかじめ、透明基材１上に、「均一な厚さの透明な層」（図示せず。この「透明な層」が本発明のホログラムシートＡのホログラム形成層２となる。）を形成し、その透明な層の上に、「均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層」（図示せず。このエレクトロルミネッセンス素子層が本発明のホログラムシートＡのエレクトロルミネッセンス素子層３となる。）を形成したものの、その均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層上から、上記した原版を重ねて加熱ロールなどの適宜手段により、加熱、加圧することにより、原版の凹凸模様を、「均一な厚さの透明な層」に設けてホログラム形成層２とし、「均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層」に設けてエレクトロルミネッセンス素子層３とすることも好適である。
この際、透明基材１は、耐熱性や、耐圧力性が高く、この加熱、加圧によっては、何らの変形も受けない。
さらには、あらかじめ、透明基材１上に、「均一な厚さの透明な層」、「均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層」及び、「全反射性を有する金属薄膜層」を形成したもの（４層構成のシートとなる。）の、その金属薄膜層上から、同様に、ホログラムレリーフ形状を賦形して、ホログラム形成層２、エレクトロルミネッセンス素子層３、及び全反射性薄膜層４を設ける方法も好適である。

（エレクトロルミネッセンス素子層）
エレクトロルミネッセンス素子層３は、ホログラム形成層２のホログラムレリーフ上に、構成する層を順次設けていくことで、形成される。（図２参照。エレクトロルミネッセンス素子層３を一つの「一体となった層」として表し、エレクトロルミネッセンス素子層３を構成する各層（個々の層）については図示せず。）
有機エレクトロルミネッセンス素子、又は無機エレクトロルミネッセンス素子のいずれにしても、まず電極である、陽極若しくは陰極から形成する。以下では、陽極から形成する例について説明する。この方法と同様にして陰極から設けていくことは容易に推察できる。
陽極の材料としては、例えば、ＩＴＯ薄膜（インジウム・スズ酸化物薄膜）、酸化インジウム、錫ドープ酸化錫、アンチモンドープ酸化錫、亜鉛ドープ酸化錫、フッ素ドープ酸化錫、酸化亜鉛等の透明導電性材料、ポリアニリン、ポリピロール、ポリアセチレン、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリシラン誘導体等の導電性高分子等、を使用して形成することができる。
陽極の形成形成方法は、スパッタリング法、真空蒸着法、化学蒸着法（ＣＶＤ法）、スピンコート法、キャスト法を用いたゾルゲル法、スプレイパイロリシス法、イオンプレーティング法等の方法、さらには、所望の組成の塗布液を塗布して形成する方法等を採用することができる。
特に、電子ビーム加熱真空蒸着法や、高周波マグネトロンスパッタリング法を採ることが好ましい。具体的には、真空度１×１０^-7〜１×１０^-3Ｐａ、成膜速度０．１〜５０ｎｍ／秒、基材温度−１０〜１００℃の条件で成膜する。
陽極の代表的なものは、透明導電性薄膜である、ＩＴＯ薄膜であり、ホログラムレリーフ上に、電子線加熱真空蒸着法により、例えば３００ｎｍ程度形成する。
透明導電性薄膜の導電性は、その表面抵抗値で管理しており、０．１Ω／□以下となるよう、インジウムと錫の加熱速度や、導入する酸素ガスの量を制御する。
ホログラムレリーフは、その凹凸深さが０．０１μｍと微細であり、しかも、その微妙に変化する曲線の変化そのものが、ホログラム再生情報を含んでいる為、この薄膜形成による加熱や、金属粒子の衝突等の衝撃によって、その曲線に変化を生じないよう、ホログラム形成層及び透明基材を十分冷却し、高速で処理する。従って、膜厚さを薄く形成する。
透明導電性薄膜の膜厚さ制御を十分行い、膜厚さばらつきが、数％以内にとどめ（３００ｎｍの数％→１０ｎｍレベル）、透明導電性薄膜の表面（レリーフと接着している面とは反対の面）が、ホログラム形成面とほぼ同一の形となるようにする。

ホログラム形成層２へのダメージをさらに軽減するために、ＣＶＤ法（化学蒸着法)等を用いることもできる。ＣＶＤ法の場合は、ホログラム形成層２へのダメージはほとんど無いが、薄膜形成後の加熱処理等付加的な処理を要し、薄膜の表面性もホログラムレリーフのレリーフ形状としてはやや粗いものとなる。
次に、形成する層は、無機エレクトロルミネッセンス素子の場合には、最も単純な構成としては、この透明導電性薄膜上に、絶縁層を設ける。
絶縁層として用いられる材料は、具体的には、Ｙ₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｏ₄等の非晶質酸化物、ＢａＴｉＯ₃、ＰｂＴｉＯ₃等の強誘電体、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＦ、ＳｉＯＣ、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃、（Ｐｂ、Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃、Ｂｉ₄Ｔｉ₃Ｏ１₂、さらにはぺロブスカイト型強誘電体、タングステン・ブロンズ型強誘電体、ビスマス層状構造強誘電体等を挙げることができる。
さらに、π電子系の酸−塩基二成分型有機物を利用した有機強誘電体、例えば、クロラニク酸、ブロマニル酸等のような強い酸性度（Ｈ+（プロトン）の供与能）の水酸基を有するジヒドロキシ−ｐ−ベンゾキノン類、あるいは、クロラニル酸を酸として、ベンゼン環にプロトン受容基の窒素原子を組み入れたフェナジン（Ｐｈｚ）を塩基として作用させ、１：１の分子化合物としたもの等、さらに、分子間で水素結合を形成して一次元のネットワークを形成したこれらの集合構造分子も使用することもできる。
その形成方法は、スパッタリング法、真空蒸着法、化学蒸着法（ＣＶＤ法）、スピンコート法、キャスト法を用いたゾルゲル法、スプレイパイロリシス法、イオンプレーティング法等の方法、さらには、所望の組成の塗布液を塗布して形成する方法等を採用することができる。

絶縁層である誘電体膜として、代表的には、ＢａＴｉＯ₃薄膜を、スパッタリング（Ａｒガス使用）法を用いて、例えば５００ｎｍの厚さで形成する。この場合には、ホログラム形成層２上に、既に、金属酸化物薄膜が形成されているため、そのレリーフの耐熱性は比較的高く、比較的容易に薄膜形成を行うことができる。
この層は、絶縁性を確保するためには、厚い方が望ましい（〜２μｍ）が、ホログラム形成層のホログラムレリーフ面の形状を維持するためには、やはり、均一厚さ、及び、その表面性の滑らかさを確保する必要があるため、１００ｎｍ〜５００ｎｍとすることが好適である。
ここで、絶縁層を透明導電性薄膜上の隅々まで形成すると、陽極端子を設けることができないため、マスキング法により、透明導電性薄膜上の一部を、そのホログラムの大きさとのバランスを考慮して、例えば、５０ｍｍ×４０ｍｍサイズのホログラムの場合には、２ｍｍ×４ｍｍサイズのマスキングを施して、絶縁層を形成する。
さらにその上に、無機エレクトロルミネッセンス素子用の発光層を設ける。
発光層は、所望の発光色の発光蛍光体を用いて形成されたものであり、例えば、赤色発光蛍光体として、ＺｎＳ、Ｍｎ／ＣｄＳＳｅ等、緑色発光蛍光体として、ＺｎＳ：ＴｂＯＦ、ＺｎＳ：Ｔｂ等、青色発光蛍光体としては、ＳｒＳ：Ｃｅ、（ＳｒＳ：Ｃｅ／ＺｎＳ）n、ＣａＧａ₂Ｓ₄：Ｃｅ、Ｓｒ₂Ｇａ₂Ｓ₅：Ｃｅを挙げることができる。また、白色発光蛍光体として、ＳｒＳ：Ｃｅ／ＺｎＳ：Ｍｎ等が挙げられ、これらの蛍光体を適宜選択して、用いることができる。
発光層としては、代表的には、母体にＺｎＳを用い、発光中心にＭｎを添加したものを、スパッタリング（Ａｒガス使用）法を用いて、例えば１μｍ厚さで形成する。

この発光層が、ホログラムレリーフの位相情報を含んで発光するものであるため、この層の両表面（両界面）は、ホログラム形成層のレリーフ形状を忠実に再現していなければならない。
そのために、上記した各層の厚さの均一性、界面の滑らかさを確保できる成膜方法を採用する。
発光層形成時にも、上記した位置に同様のマスキング処理を施す。
この上に設ける陰極は、陽極と同様の材料を用い、陽極と同様の手法を用いて形成することができる。
陰極の発光層と接している面は、発光層のレリーフ形状に追従しており、発光層の形状そのものを再現できる。そして、その反対の面も、そのレリーフ形状に追従しており、発光層の形状そのものを再現できる。
以上の様にして、透明基材１上に、ホログラム形成層２、そして、無機エレクトロルミネッセンス素子からなる、エレクトロルミネッセンス素子層３を、そのホログラムレリーフ面に接して、追従するように設けることができる。
この陽極と、陰極の間に、電圧１００Ｖ１００〜１０００Ｈｚの交流電圧を印加すると、エレクトロルミネッセンス素子層３において発光が生じ、陽極側では、ホログラム形成層２、透明基材１を通して、ホログラム再生像を視認することができる。

次に、有機エレクトロルミネッセンス素子について説明すると、上記した、透明導電性薄膜層の上に、発光層となる有機薄膜を形成し、陰極で挟んだものが最も単純な有機エレクトロルミネッセンス素子からなるエレクトロルミネッセンス素子層３となる。
発光層は、主材料（ホスト材料）と不純物材料（ドーパント材料）との２成分系であり、発光する不純物材料は、０．１〜１％添加で主材料中に均一に分散されている。
有機薄膜の電子移動度は、高速応答を目的とするものではないため、比較的小さいものでも用いることができ、１×１０^-6ｃｍ² ／Ｖ・ｓ以上の値とするのが好ましい。
発光層である有機薄膜に、低分子系を用いる場合には、
発光層材料として、ＺｎＰＢＯ（ビス[２−（２−ベンゾキサゾリル）フェノラト]亜鉛）と、ドーピング色素材料として、Ｃｏｕｍａｒｉｎ６（３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−（ジエチルアミノ）コーマリンを用いて、ＣＶＤ法を用いて、５０ｎｍ厚さに形成する。
発光層である有機薄膜に、高分子系を用いる場合には、
発光層材料として、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）系、正孔層材料として、ＰＥＤＯＴ（ポリ-3,4-エチレンジオキシチオフェン）＋ＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸：ドーパント）共重合体を、コーティング方式により、固形分を０．５％として、乾燥後の厚さ１００ｎｍとする。

また、有機薄膜に、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤や、スチリルベンゼン系化合物、８−キノリノール誘導体を配位子とする金属錯体を併用することも好ましい。また、ジスチリルアリーレン骨格、例えば４，４’一ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル等をホストとし、それに青色から赤色までの強い蛍光色素、例えばクマリン系あるいはホストと同様の蛍光色素をドープしたものを併用することも好適である。
形成方法としては、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ（ラングミュア・ブロジェット）法、スパッタリング法等の方法を採用することができる。例えば、真空蒸着法により形成する場合は、真空度１×１０^-7〜１×１０^-3Ｐａ、成膜速度０．１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−１０〜１００℃の条件を採ることが好ましい。
また、結着剤として機能する適宜な樹脂と有機薄膜用の材料とを所定の溶剤に溶かして溶液状態とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、有機薄膜を形成することができる。なお、有機薄膜は、形成方法や形成条件を適宜選択し、気相状態の材料化合物から沈着されて形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化されて形成された膜である分子堆積膜とすることが好ましい。
これらの上に、陰極層として、同様に、透明導電性薄膜等を用いる。
有機エレクトロルミネッセンス素子においても、無機エレクトロルミネッセンス素子と同様に、陽極端子を露出させる方法を取る。
この陽極と、陰極の間に、電圧１０Ｖの直流電圧を印加すると、エレクトロルミネッセンス素子層３において発光が生じ、（陽極側より）ホログラム形成層２、透明基材１を通して、ホログラム再生像を視認することができる。

（全反射性薄膜層）
エレクトロルミネッセンス素子層３の上に全反射性薄膜層４を形成し、本発明のホログラムシートＡを形成する。（図２参照。）
この全反射性薄膜層４は、入射した可視光を十分に反射する必要があるため、可視光反射率が９０％〜１００％の金属薄膜を用いる。
全反射性薄膜層４としては、真空薄膜法などにより形成される金属薄膜などの金属光沢反射層を設けるが、金属光沢反射層を部分的に設けた場合は、その金属光沢反射層の無い部分を通して、本発明のホログラムシートの向こう側を視認することができるようになる。
具体的には、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ａｇ、ＡＬ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｗ、Ａｕなどが例示でき、エレクトロルミネッセンス素子層３との接着性に優れるものを用いる。
また、可視光波長のほぼ全域にわたる高い反射、すなわち、「全反射」性を有する金属薄膜も、その厚さによって、すなわち、その厚さが１００ｎｍ未満になると、透明性が出てくるため（すなわち、反射率が低下して、自然光下で観察されるホログラム再生像の明るさが低下するとともに、ホログラムシートの背景がホログラムシートを通して再生像と重なり、ホログラム再生像の鮮明度が低下するため。）、その厚さは、１００ｎｍ〜２０００ｎｍとする。

厚さが、２０００ｎｍを超えると、その薄膜形成工程におけるエレクトロルミネッセンス素子層３への熱的ダメージが大きくなりエレクトロルミネッセンス素子層３の有する「レリーフ形状」を歪める要因となる。
反射性薄膜層４の形成方法としては、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、ＣＶＤ（化学蒸着法）などの真空薄膜法などを用いることができる。特にＣＶＤ法は、エレクトロルミネッセンス素子層３への熱的ダメージが少ない。また、他の薄膜形成法を用いても、形成する薄膜層を薄くしておくと、その熱的ダメージを少なくすることができる。
このホログラムシートＡに、蛍光灯等の照明光５を照射すると、その全反射性薄膜層４による反射光によってホログラム再生像６（例えば、レインボーホログラム。）を視認することができる。
さらに、エレクトロルミネッセンス素子層３の陰極に用いられる透明導電性薄膜等と、全反射性薄膜層４の金属薄膜等とが、直接接することによって発生しやすい「酸素原子」の移行現象（マイグレーション）を、抑制するために、全反射性薄膜層４を形成する際の真空度を高く設定し（１×１０^-7〜１×１０^-6Ｐａとする。）、透明導電性薄膜層中の金属酸化物内に存在する「酸素原子」が、この全反射性薄膜層４の層内にある金属原子内へ移行すること（すなわち、全反射性薄膜層４を酸化してしまうことを意味する。）を防止することが好ましい。
このホログラムシートＡを、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた場合には、１〜１０Ｖの直流電圧を、その陽極と陰極の間に印加７し（全反射性薄膜層４が高い導電性を有する場合には、全反射性薄膜層４との間でもよい。）、無機エレクトロルミネッセンス素子を用いた場合には、やはり、その陽極と陰極の間に（同上。）、１００Ｖ・５０〜１０００Ｈｚの交流電源等を用いて、交流電圧を印加７して、各々のエレクトロルミネッセンス素子層４を発光させ、「緑色」等の波長のホログラム再生像８を確認できる。（図３参照。）
このことにより、新規な装飾性及び、高い偽造防止性を提供することができる。

（実施例１）
透明基材１として、１２μｍのＰＥＴフィルムの表面に、メラミン樹脂組成物を塗布し、ホログラム画像位置検知パターン付きのレリーフホログラム（「発光」の文字画像：図３参照）の複製用型の型面を、接触させたまま加熱硬化させることにより、レリーフホログラムの形成を行ない、厚さ３μｍのホログラム形成層２を得た。（図２参照。）
ＰＥＴフィルム及びメラミン樹脂の絶縁破壊強さは、それぞれ５０ＭＶ／ｍ、２０ＭＶ／ｍであった。
このホログラム形成層２上に、そのホログラムレリーフ形成領域を覆うように、陽極として、ＩＴＯ薄膜を電子線加熱真空蒸着法により、３００ｎｍ厚さで形成した。（図示せず。）ＩＴＯ薄膜の表面抵抗値は、０．１Ω／□であった。
その上に、絶縁層である誘電体膜として、ＢａＴｉＯ３を、陽極端子を残すため、ホログラム画像の右端下に３ｍｍ×３ｍｍの領域で、マスキング処理を施して、スパッタリング（Ａｒガス使用）法を用いて、０．７μｍの厚さで形成した。（図示せず。）
その上に、発光層として、母体にＺｎＳを用い、発光中心にＭｎを添加したものを、スパッタリング（Ａｒガス使用）法を用いて、１μｍ厚さで形成した。ターゲットには、硫化マンガン（ＭｎＳ）を０．５ｍｏｌ％添加した硫化亜鉛（ＺｎＳ）を用い、ターゲットガスには、高純度のアルゴンガスを用いた。この時、陽極端子を残すため、ホログラム画像の右端下に３ｍｍ×３ｍｍの領域で、マスキング処理を行った。（図示せず。）
この発光層上に、陰極層としてのＩＴＯ薄膜を、同様の位置のマスキング処理を施して、電子線加熱真空蒸着法により、厚さ５００ｎｍで形成した。
この陽極層、絶縁層、発光層、陰極層及びの４層により、エレクトロルミネッセンス素子層３（無機エレクトロルミネッセンス素子層）が構成されている。（図２参照。）

そのエレクトロルミネッセンス素子層３上に、アルバック社製真空蒸着機にて、２００ｎｍ厚さのアルミニウム薄膜からなる全反射性薄膜層４を形成し、本発明のホログラムシートＡを作製した。（図２参照。）
このホログラムシートを、図３のように、蛍光灯照明光（図３における５に相当する。）下に置くと、鮮明なホログラム再生像（図３における６に相当する。）を視認できた。
そして、このホログラムシートＡの陽極端子部分と、陰極端子部分との間に、１００Ｖ・１００Ｈｚの交流電圧を印加したところ、緑色の発光が生じた。（図３参照。）
このホログラムシートに適宜な粘着剤を、その陽極端子部分、さらには、全反射性薄膜層の一部分（陽極端子領域とは異なる、３ｍｍ角の領域。）を残して塗付して、４０ｍｍ角に切り出し、パスポートに貼付して、暗い環境にて、その陽極端子部分と、陰極端子部分との間に、１００Ｖ・１００Ｈｚの交流電圧を印加したところ、緑色の発光が生じ（図３参照。）、このパスポートが真正なものであると確認することができた。

（実施例２）
ホログラム形成層２上の陽極を１００ｎｍ厚さで形成し、その上の絶縁層を、３００ｎｍの厚さで形成し、その上の発光層を、５００ｎｍ厚さで形成し、さらに、その上の陰極を、厚さ１００ｎｍで形成した以外は、実施例１と同様にして、実施例２のホログラムシートＡを得た。（図２参照。）
実施例１と同様に評価したところ、発光時のホログラム再生像の鮮明度が向上し、判定がより確実にできると思われたこと以外は、実施例１と同様の良好な結果を得た。（図３参照。）
（実施例３）
ホログラム形成層２上に、そのホログラムレリーフ形成領域を覆うように、陽極として、ＩＴＯ薄膜を、電子線加熱真空蒸着法により、１００ｎｍ厚さで形成し、その上に、正孔輸送材料として、ＴＰＡＣ（１，１−ビス[４-［Ｎ，Ｎ―ジ（ｐ−トリル）アミノ］フェニル]シクロヘキサン）を厚さ６０ｎｍで、発光層材料として、ＺｎＰＢＯ（ビス[２−（２−ベンゾキサゾリル）フェノラト]亜鉛）及びドーピング色素材料として、Ｃｏｕｍａｒｉｎ６（３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−（ジエチルアミノ）コーマリン）を３％混入させ、厚さ１００ｎｍで、そして、電子輸送材料として、ＢＮＤ（２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール）を厚さ５０ｎｍで、真空蒸着法により、実施例１と同様のマスキング処理を施して、形成した。
さらに、その上に、ＩＴＯ薄膜を、同様の位置のマスキング処理を施して、電子線加熱真空蒸着法により、厚さ１００ｎｍで形成した。
以上により、ホログラム形成層２上に、陽極層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び陰極層からなるエレクトロルミネッセンス素子層３（有機エレクトロルミネッセンス素子層）を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例３のホログラムシートＡを作製した。（図２参照。）
このホログラムシートＡを、このホログラムシートＡの陽極端子部分と、陰極端子部分との間に、６Ｖの直流電圧を印加８して発光させたこと以外は、実施例１と同様に評価したところ、透明な空間上に緑色の、著しく鮮明なホログラム再生像８を視認することができ、より偽造防止性に優れると思われたこと以外は、実施例１と同様の結果を得た。

（実施例４）
ホログラム形成層２上に、酸化インジウムと酸化セリウムとの粉末を、焼結した陽極用のターゲット（セリウムモル比０．０５）を用いて、真空度を３×１０^-1Ｐａまで減圧した状態で、アルゴンガスに酸素ガスを混入したガスを封入し、その雰囲気中において、到達真空度５×１０^-4Ｐａでの高周波スパッタリングにて、厚さ１００ｎｍの透明電極膜を形成し、その上に、真空度７×１０^-4Ｐａで、正孔輸送層として厚みが５０ｎｍのＮＰＤ（Ｎ，Ｎ´−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ´−ジフェニルベンジジン）薄膜を、蒸着速度が６ｎｍ／分の条件にて真空蒸着法により形成し、さらに、その上に、有機発光材料層兼電子輸送層として厚みが５０ｎｍのＡｌｑ₃（トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）の薄膜を、蒸着速度が６ｎｍ／分の条件にて真空蒸着法により形成し、その表面に、陰極として厚みが２００ｎｍの透明電極膜を上記と同様に形成して、４層からなる有機エレクトロルミネッセンス素子を作製し、エレクトロルミネッセンス素子層３とした。各薄膜形成時に、マスキング処理による陽極端子の作製を行ったこと以外は、実施例１と同様にして、実施例４のホログラムシートＡを得た。（図２参照。）
このホログラムシートＡの陽極端子部分と、マグネシウム−銀薄膜層である陰極端子部分との間に、６Ｖの直流電圧を印加８したところ、発光が生じ、透明な空間上に緑色の、輝度１０ｃｄ／ｍ²の、明るく、著しく鮮明なホログラム再生像８を視認することができたこと以外は、実施例１と同様の良好な結果を得た。
（実施例５）
透明基材１として、１２μｍのＰＥＴフィルムの表面に、均一な厚さの透明な層として、メラミン樹脂組成物をグラビアコーティング方式により均一な厚さで塗布して、３μｍ厚さのメラミン樹脂組成物塗布層とし、その上に、陽極として、ＩＴＯ薄膜を電子線加熱真空蒸着法により、高度な厚さ制御方法を用いて３００ｎｍ厚さで形成した。（図示せず。）ＩＴＯ薄膜の表面抵抗値は、０．１Ω／□であった。
その上に、絶縁層である誘電体膜として、ＢａＴｉＯ３を、陽極端子を残すため、ホログラム画像の右端下に３ｍｍ×３ｍｍの領域で、マスキング処理を施し、高度な厚さ制御方法を適用したスパッタリング（Ａｒガス使用）法を用いて、０．７μｍの厚さで形成した。（図示せず。）
その上に、発光層として、母体にＺｎＳを用い、発光中心にＭｎを添加したものを、スパッタリング（Ａｒガス使用）法を用いて、高い精度にて１μｍ厚さで形成した。ターゲットには、硫化マンガン（ＭｎＳ）を０．５ｍｏｌ％添加した硫化亜鉛（ＺｎＳ）を用い、ターゲットガスには、高純度のアルゴンガスを用いた。この時、陽極端子を残すため、ホログラム画像の右端下に３ｍｍ×３ｍｍの領域で、マスキング処理を行った。（図示せず。）
この発光層上に、陰極層としてのＩＴＯ薄膜を、同様の位置のマスキング処理を施して、電子線加熱真空蒸着法により、高い精度にて厚さ５００ｎｍで形成した。
この陽極層、絶縁層、発光層、陰極層及びの４層により、均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層３（無機エレクトロルミネッセンス素子層）が構成されている。（図２参照。）
次に、このエレクトロルミネッセンス素子層３上から、ホログラム画像位置検知パターン付きのレリーフホログラム（「発光」の文字画像：図３参照）の複製用型の型面を、接触させたまま加熱・加圧することにより、「均一な厚さの透明な層」の片方の面及び、「均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層３」の両面のそれぞれに、レリーフホログラムのホログラムレリーフ形成を行なった。（図２参照。）
そのホログラムレリーフ形成を行なったエレクトロルミネッセンス素子層３上に、アルバック社製真空蒸着機にて、２００ｎｍ厚さのアルミニウム薄膜からなる全反射性薄膜層４を、そのレリーフの凹凸に追従するように形成し、本発明のホログラムシートＡを作製した。（図２参照。）
このホログラムシートＡを実施例１と同様に評価したところ、非常に鮮明な緑色のホログラム再生像８を得たこと（図３参照。）以外は、実施例１と同様の良好な結果を得た。

(比較例)
エレクトロルミネッセンス素子層を形成せず、ホログラムシートを形成し、比較例とした。
実施例１と同様に観察したところ、蛍光灯の下で目視にて認識できるホログラム再生像を確認することができたが、周りを暗くして、電界を印加しても、ホログラム再生像は現れなかった。
このことより、このホログラムシートが真正なものでなく、このパスポートが偽物であると判断できた。

Ａ ホログラムシート
１ 透明基材
２ ホログラム画像に対応した回折格子群を含むホログラムレリーフを有する透 明樹脂層（ホログラム形成層）
３ エレクトロルミネッセンス素子層
４ 全反射性薄膜層
５ 観察状態の例示：可視光線（室内照明光）
６ 同上 ：反射光による再生像（視認できる場合と、出来ない場合が ある。）
７ 同上 ：電圧を印加した状態
８ 同上 ：緑色の再生像（発光による再生像）

Claims (3)

1. 透明基材の一方の面に、ホログラム画像に対応した回折格子群を含むホログラムレリーフを有する透明樹脂層、前記ホログラムレリーフに接するように、且つ追従するように設けられたエレクトロルミネッセンス素子層、及び全反射性薄膜層が、この順序で設けられていることを特徴とするホログラムシート。
   
2. 前記エレクトロルミネッセンス素子層の厚さは、０．０１μｍ〜２．０μｍであることを特徴とする請求項１に記載のホログラムシート。
   
3. 前記透明樹脂層のホログラムレリーフが、
   前記透明基材上に、均一な厚さの透明な層を形成し、前記透明な層上に、均一な厚さのエレクトロルミネッセンス素子層を形成した後に、前記透明な層と前記エレクトロルミネッセンス素子層とを同時に変形させることにより設けられたものであることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のホログラムシート。

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