JP2015152738A - 固体撮像素子及び撮像装置 - Google Patents

固体撮像素子及び撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2015152738A
JP2015152738A JP2014025834A JP2014025834A JP2015152738A JP 2015152738 A JP2015152738 A JP 2015152738A JP 2014025834 A JP2014025834 A JP 2014025834A JP 2014025834 A JP2014025834 A JP 2014025834A JP 2015152738 A JP2015152738 A JP 2015152738A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
waveguide
solid
core
microlens
pixel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014025834A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015152738A5 (ja
JP6347620B2 (ja
Inventor
愛彦 沼田
Aihiko Numata
愛彦 沼田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2014025834A priority Critical patent/JP6347620B2/ja
Priority to US14/618,935 priority patent/US9565381B2/en
Publication of JP2015152738A publication Critical patent/JP2015152738A/ja
Publication of JP2015152738A5 publication Critical patent/JP2015152738A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6347620B2 publication Critical patent/JP6347620B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H01L27/14607Geometry of the photosensitive area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/1461Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements characterised by the photosensitive area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14629Reflectors
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/703SSIS architectures incorporating pixels for producing signals other than image signals
    • H04N25/704Pixels specially adapted for focusing, e.g. phase difference pixel sets

Abstract

【課題】 固体撮像素子にある周辺領域においても、高精度な測距を行うことができる固体撮像素子の提供を目的とする。
【解決手段】 固体撮像素子100の周辺領域100aに配置された測距画素110aにおいて、マイクロレンズ101は、その中心軸1が測距画素110aの中心軸2に対して偏心して配置され、複数の導波路は、第1の導波路103と第2の導波路102を有し、第1の導波路103は、測距画素110aの中心軸2に対して、マイクロレンズ101の偏心方向を第1の導波路103の中心と第2の導波路102の中心とを結ぶ直線上に射影した方向(射影偏心方向)とは反対方向に配置され、第2の導波路102は、測距画素110aの中心軸2に対して、マイクロレンズ101の射影偏心方向と同じ方向に配置され、第1の導波路103は、第2の導波路102よりも、コアとクラッドの屈折率差及びコアの断面積のうち少なくとも一方が大きくなっている。
【選択図】 図2

Description

本発明は、固体撮像素子及びそれを用いた撮像装置に関する。
近年、デジタルカメラの小型化の観点から、バックフォーカスの短いカメラレンズに対応するような固体撮像素子が求められている。また、デジタルカメラのダイナミックレンジ拡大化の観点から、小型のデジタルカメラにおいても、サイズの大きい固体撮像素子を用いることが求められている。このような要求を満たすデジタルカメラでは、固体撮像素子の周辺領域の画素に対して光束が大きく傾いた角度で入射するため、光束が画素の光電変換部からずれた位置に入射するため、光束の利用効率が下がり、周辺領域の画素の感度が低下する。
この課題に対し、特許文献1では、画素表面に設けたマイクロレンズを固体撮像素子の中央方向に偏心させ、画素に対して傾いた角度で入射する光束を効率良く検出することができる固体撮像素子が開示されている。
一方、デジタルカメラにおいて、焦点検出技術が知られている。この技術に関し、特許文献2では、固体撮像素子の一部の画素に位相差方式によって焦点検出するための構成を持たせた固体撮像素子が開示されている。位相差方式とは、結像光学系の瞳上の異なる領域を通過した光の像を比較し、ステレオ画像による三角測量を用いて焦点から被写体までの距離を検出する方法である。特許文献2では、結像光学系の瞳上の異なる領域を通過した光束を、マイクロレンズを用いて層間膜上に結合させた後、層間膜中に設けられた間隙によって分割して異なる光電変換部に導き、光電変換部からの電気信号を基に距離を測定している。
特開2010−182765号公報 特開2009−158800号公報
特許文献2のような固体撮像素子に対しても、バックフォーカスを短くしたりダイナミックレンジを拡大したりするためには、周辺領域の画素感度の低下と言う課題が発生する。この課題に対応するために、特許文献1に開示されているような、マイクロレンズを固体撮像素子の中心方向に偏心する手法を適用することが考えられる。
しかし、単に特許文献2に特許文献1を適用した場合、以下のような課題が発生する。すなわち、マイクロレンズが偏心している場合、異なる導波路に入射する主光線の角度の大きさが異なるため、画素に入射した光束の、複数の導波路に対する結合効率が異なる。そのため、画素中の異なる導波路に対応する光電変換部の感度に差異が生じ、位相差方式による測距精度が悪化してしまう。
本発明は、上記課題に鑑み、固体撮像素子にある周辺領域においても、高精度な測距を行うことができる固体撮像素子の提供を目的とする。
本発明は、複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部に対応して配置されたコアとクラッドを有する複数の導波路と、前記複数の導波路に対応して配置されたマイクロレンズと、を有する測距画素を備えた固体撮像素子であって、前記固体撮像素子にある周辺領域に配置された少なくとも1つの測距画素において、前記マイクロレンズは、その中心軸が前記測距画素の中心軸に対して偏心して配置され、前記複数の導波路は、第1の導波路と第2の導波路とを有し、前記第1の導波路は、前記測距画素の中心軸に対して、前記マイクロレンズの偏心方向を前記第1の導波路の中心と前記第2の導波路の中心とを結ぶ直線上に射影した方向とは反対方向に配置され、前記第2の導波路は、前記測距画素の中心軸に対して、前記マイクロレンズの偏心方向を前記直線上に射影した方向と同じ方向に配置され、前記第1の導波路は、前記第2の導波路よりも、コアとクラッドの屈折率差及びコアの断面積のうち少なくとも一方が大きいことを特徴とする。
本発明によれば、固体撮像素子にある周辺領域においても、高精度な測距を行うことができる。
実施形態1に係る固体撮像素子の一例を示す模式図 実施形態1に係る測距画素の一例を示す模式図 実施形態1に係る測距画素の画素感度を示す模式図 実施形態1に係る測距画素の他の例を示す模式図 実施形態1に係る測距画素の他の例を示す模式図 実施形態2に係る測距画素の一例を示す模式図、及び実施形態2に係る測距画素中の光束の伝搬を示す模式図 実施形態3に係る測距画素の一例を示す模式図 実施形態3に係る測距画素の画素感度を示す模式図 実施形態3に係る測距画素の一例の製造方法を示す模式図 実施形態3に係る測距画素の他の例の製造方法を示す模式図 実施形態4に係る固体撮像素子の一例を示す模式図 実施形態4に係る測距画素の一例を示す模式図 実施形態5に係る撮像装置の一例を示す模式図 比較例に係る測距画素を示す模式図、及び比較例に係る測距画素の画素感度を示す模式図
以下、図を用いて、本発明の実施形態における固体撮像素子について説明する。その際、全ての図において同一の機能を有するものは同一の数字を付け、その繰り返しの説明は省略する。
(実施形態1)
図1は、本実施形態に示す固体撮像素子100内の測距画素の配置を示した図である。測距画素110aは、固体撮像素子100内の−X方向の周辺領域100aに配置された測距画素である。一方、測距画素110bは、固体撮像素子100の+X方向の周辺領域100bに配置された測距画素である。なお、110a、110bの符号が付けられていない画素は、測距画素であってもよいし、通常の撮像画素であってもよい。測距画素、撮像画素については後述する。また、図1において、X方向は固体撮像素子100の長手方向であり、Y方向は固体撮像素子100の短手方向である。そして、Z方向は、X方向とY方向に垂直な方向である。
図2は、一点破線で囲んだ、図1の固体撮像素子の周辺領域100aに配置された3つの測距画素110aの構成を示した図である。図2(a)は、3つ分の測距画素110aのXZ断面模式図である。測距画素110aは、光の入射側より、マイクロレンズ101と、複数の導波路102、103と、基板121内に形成された複数の光電変換部122、123と、を有している。図2(b)は、図1のXY面内における測距画素110a3つ分の平面模式図である。導波路103、102は、+X方向にこの順で配列されて配置されている。また、光電変換部123、122も同様に、+X方向にこの順で配列されて配置されている。
マイクロレンズ101は、不図示の結像光学系の射出瞳の異なる領域を通る光束をそれぞれ導波路102、103に選択的に導いている。各導波路102、103に入射した光束は、各導波路102、103それぞれに対応した光電変換部122、123に導かれ、電気信号に変換される。電気信号は、測距画素を囲むように配置された配線108によって信号処理部(不図示)に送られる。そして、光電変換部122で変換された電気信号から取得した像と光電変換部123で変換された電気信号から取得した像の位置ずれ量を求めることで、三角測量の原理から被写体までの距離を算出することができる。
図2(a)、(b)で示すように、測距画素110aのマイクロレンズ101は、その中心軸1が測距画素110aの中心軸2に対して偏心して配置されている。具体的には、マイクロレンズ101の中心軸1が、測距画素110aの中心軸2に対して+X方向にずれている。ここで、マイクロレンズの中心軸とは、マイクロレンズの光軸のことである。また、測距画素の中心軸とは、測距画素の中心を通る、Z軸に平行な線のことをいう。測距画素の中心とは、光電変換部で変換した電気信号を信号処理部に送る配線を基板の表面のXY断面に射影し、その射影した部分で囲まれてかつ、光電変換部のXY断面を含む領域の重心をいう。また、以下では、マイクロレンズの中心軸が測距画素の中心軸に対して偏心した方向をマイクロレンズの偏心方向という。なお、固体撮像素子100の周辺領域100aの測距画素110aにおいて、マイクロレンズ101が偏心しているのは、特許文献1と同じ理由である。
導波路103は、測距画素110aの中心軸2に対して、マイクロレンズ101の偏心方向を導波路103の中心と導波路102の中心とを結ぶ直線上に射影した方向とは反対方向に配置されている。一方、導波路102は、測距画素110aの中心軸2に対して、マイクロレンズ101の偏心方向を導波路103の中心と導波路102の中心とを結ぶ直線上に射影した方向と同じ方向に配置されている。ここで、導波路の中心とは、導波路の光電変換部側に位置する端面のXY断面におけるクラッドに囲まれたコアの領域の重心をいう。また、以下では、マイクロレンズの偏心方向を2つの導波路の中心同士を結ぶ直線上に射影した方向をマイクロレンズの射影偏心方向という。なお、図2(a)の軸3、4はそれぞれ、Z軸に平行な、導波路103の中心を通る軸、導波路102の中心を通る軸である。
導波路102は、コア104とクラッド106で構成されており、マイクロレンズ101から入射した光の一部を、主にコア104内を伝搬させて、光電変換部122まで導いている。一方、各導波路103は、コア105とクラッド107で構成されており、マイクロレンズ101から入射した光の一部を、主にコア105内を伝搬させて、光電変換部123まで導波いている。
本実施形態においては、導波路102のコア104の断面積よりも、導波路103のコア105の断面積の方が大きい構成になっている。より具体的には、マイクロレンズ101の偏心した偏心方向(+X方向)におけるコアの幅において、導波路102のコア104の幅よりも導波路103のコア105の幅の方が大きい構成となっている。また、マイクロレンズ101の偏心方向と垂直な方向(Y方向)のコアの幅においては、導波路102のコア104の幅と導波路103のコア105の幅とは同じである。
ここで、コアの断面積とは、マイクロレンズ側に位置する端面のXY断面におけるクラッドに囲まれたコアの面積と光電変換部側に位置する端面のXY断面におけるクラッドに囲まれたコアの面積との平均値のことをいう。また、コアの幅とは、マイクロレンズ側に位置する端面のXY断面におけるクラッドに囲まれたコアの幅と光電変換部側に位置する端面のXY断面におけるコアの幅との平均値のことをいう。
なお、図示しないが、測距画素110aと同様に、測距画素110bにおいては、マイクロレンズは、その中心軸が測距画素110bの中心軸に対して偏心して配置されている。具体的には、測距画素110bのマイクロレンズは、測距画素110aのマイクロレンズ101とは反対に、その中心軸が測距画素110bの中心軸に対して−X方向にずれている。また、測距画素110bにおいても、測距画素110bの中心軸に対してマイクロレンズの射影偏心方向とは反対方向に配置された導波路のコアの断面積の方が、射影偏心方向と同じ方向に配置された導波路のコアの断面積よりも大きい構成になっている。
このような測距画素110a、110bの構成とすることで、固体撮像素子100の周辺領域100a、100bにおいても、高精度な測距を行うことができる。以下でその理由について、複数の導波路のコアの断面積が同じである場合と比較して説明を行う。
図14(a)は、比較例の測距画素1010の模式図を示している。測距画素1010は、光入射側より、マイクロレンズ1001と、複数の導波路1002、1003と、複数の光電変換部1022、1023と、を有している。具体的には、マイクロレンズ1001の中心軸が、測距画素1010の中心軸に対して+X方向にずれている。導波路1003は、測距画素110aの中心軸に対してマイクロレンズ1001の射影偏心方向とは反対方向に配置されている。一方、導波路1002は、測距画素110aの中心軸に対してマイクロレンズ1001の射影偏心方向と同じ方向に配置されている。ただし、上述した測距画素110aとは異なり、導波路1002のコアの断面積と導波路1003のコアの断面積が同じである。なお、図14(a)の矢印は、光束の伝搬の様子を示している。これについては後述する。
図14(b)に、測距画素1010の感度特性を示した。図14(b)からわかるように、光電変換部1023の感度の最大値が、光電変換部1022の感度の最大値よりも小さい。その結果、光電変換部1022で取得した電気信号と、光電変換部1023で取得した電気信号の強度に差が生じてしまう。電気信号間に強度差がある場合、測距像の位置ずれ量の読み取り誤差が大きくなり、測距精度が低下してしまう。
次に、光電変換部1023の感度が、光電変換部1022の感度よりも低い原因について説明を行う。図14(a)に、測距画素1010に対してマイクロレンズ1001が偏心している場合の、光束(矢印)の伝搬の様子を示した。図14(a)で示すように、マイクロレンズ1001に入射する光束の一部がマイクロレンズ1001の偏心方向(+X方向)と反対方向(−X方向)に位置する導波路1003に入射する光束1033となる。また、マイクロレンズ1001に入射する光の別の一部がマイクロレンズ1001の偏心方向と同じ方向(+X方向)に位置する導波路1002に入射する光束1032となる。そして、導波路1003に入射する際の光束1033の入射角が、導波路1002に入射する際の光束1032の入射角よりも大きくなっている。
一般に、導波路に入射する光束の入射角が大きいほど、導波路の低次の導波モードよりも導波路の高次の導波モードと結合しやすくなる。しかし、導波路は有限の次数の導波モードしか持たないため、導波路に入射する入射角が大きいほど、光束と導波路との結合効率が小さくなる。従って、導波路1003に対応する光電変換部1023の感度の方が、導波路1002に対応する光電変換部1022に対応する光電変換部の感度よりも低くなる。
このような感度の差は、固体撮像素子の周辺領域100a、100bの測距画素1010では、マイクロレンズ1001を偏心したことにより、入射角の差が大きくなるため、より大きな課題となる。その結果、光電変換部1023の感度が光電変換部1022の感度よりも大きく低下し、周辺領域において測距精度の低下を招いてしまう。
これに対して、本実施形態の固体撮像素子100の周辺領域100a(100b)に配置されている測距画素110a(100b)は、上述したように図2で示す構成を採っている。具体的には、入射する光束の入射角が相対的に大きい導波路103のコア105の断面積を、入射する光束の入射角が相対的に小さい導波路102のコア104の断面積よりも大きくしている。
一般に、コアの断面積と、コアとクラッドの屈折率差の平方根と、の積が大きいと、導波路がより高次の導波モードも有するようになる。従って、上記の構成により、導波路103の方が導波路102よりもより次数の高い導波モードも有する構成になっている。このため、導波路103に入射する光束の入射角が、相対的に大きくなっても、導波路103が高次の導波モードも有する構成であるため、光束と導波路103の結合効率の低下を抑制することができる。
図3(a)は、本実施形態に示す測距画素110aの感度特性を示している。なお、図3(a)には比較のために、図14(b)の測距画素1010の感度特性も示している。実線は、測距画素110aの光電変換部122の感度特性を表している。破線は、測距画素110aの光電変換部123の感度特性を表している。一点破線は、測距画素1010の光電変換部1022の感度特性を表している。二点破線は、測距画素1010の光電変換部1023の感度特性を表している。
図3(a)で示すように、測距画素1010の光電変換部1022、1023の最大感度の差に対し、測距画素110の光電変換部122、123の最大感度の差が低減している。その結果、光電変換部122で取得した電気信号と光電変換部123で取得した電気信号の強度差が低減され、像の位置ずれ量の読み取り精度が上昇するため、測距精度を向上させることができる。
導波路102、103を構成する、コア104、105およびクラッド106、107は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、炭化シリコン、BPSGなどの無機物、ポリマーや樹脂等の有機物を使用することができる。ただし、コア104の屈折率がクラッド106の屈折率よりも大きく、コア105の屈折率がクラッド107よりも大きくなるように、材料の組み合わせは選択される。本実施形態においては、コア104とコア105は同じ材料が使用され、クラッド106とクラッド107は同じ材料が使用されている。ここで、屈折率の比較は、測距画素に入射する光の波長(例えば、デジタルカメラ用の固体撮像素子の緑画素では530nm)における屈折率で比較を行う。また、クラッド106、107内には、光電変換部122、123で発生した電荷を信号処理回路に転送するための配線108が設けられている。
光電変換部122、123は、検出する波長帯域で吸収を有するシリコンなどの材料で形成された基板121に、イオン打ち込みなどでポテンシャル勾配を形成することによって形成される。そして、光電変換部122、123は光を電荷に変換する機能を有する。また、導波路102、103と光電変換部122、123の間には入射光の反射防止と光電変換部の汚染防止のためのゲッタリング層109が形成されている。
マイクロレンズ101は、検出する波長帯域で透明な酸化シリコンや有機物などの材料で形成されており、光電変換部122、123にまたがって配置されている。測距画素110とマイクロレンズ101とは1対1で対応している。つまり、マイクロレンズ101の焦点位置が測距画素110の導波路102、103内に位置するように構成されている。この条件を満たせば、マイクロレンズ101の一部は隣の画素の上にも配置されていてもよい。マイクロレンズ101と導波路102、103の間には、下地層130が形成されている。下地層130はカラーフィルタを有していてもよい。
<変形例>
図2では、導波路102のコア104の断面積と導波路103のコア105の断面積とを変えるために、各コアのX方向の幅を変えていた。この他に、図4(a)のように各コアのY方向の幅を変えてもよいし、図4(b)のように各コアのX方向の幅とY方向の幅の両方を変えてもよい。ただし、配線レイアウトの対称性の観点から、導波路の並置方向(図2の場合は、X方向)の幅のみ変えることが好ましい。コア104、105の平面視形状は、図2(a)、図4(a)、(b)に示すような矩形等の多角形でもよいし、円や楕円等でもよい。
固体撮像素子100の中心(重心位置)から離れる画素ほど、画素に入射する主光線の入射角が大きい。特に、固体撮像素子100の中心から、固体撮像素子100の対角線の長さの0.2倍以上離れた領域では入射角が大きい。それに伴い、この領域では、同一の測距画素内の異なる導波路に入射する入射角の差も大きくなるため、光束と導波路との結合効率の差が大きくなり、上述した課題が大きくなる。そのため、本実施形態では、固体撮像素子100の中心から、固体撮像素子100の対角線の長さの0.2倍以上離れた領域を周辺領域100a、100bとし、この領域にある測距画素を上記構成の測距画素とする。さらに、固体撮像素子100の中心から、固体撮像素子100の対角線の長さの0.3倍以上離れた領域にある測距画素が上記構成の測距画素とすることが好ましい。
上述したように、固体撮像素子の中心から離れる画素ほど、画素に入射する主光線の入射角が大きいため、固体撮像素子の中心から離れる測距画素ほど、マイクロレンズの偏心方向における偏心量を大きくすることが好ましい。つまり、2つの測距画素のうち固体撮像素子の中心から遠い測距画素のマイクロレンズの偏心量が、固体撮像素子の中心に近い測距画素のマイクロレンズの偏心量に比べて大きいことが好ましい。この構成により、固体撮像素子内の画素ごとの感度のばらつきを抑制する効果を有する。なお、2つの測距画素のうち、固体撮像素子の中心から遠い測距画素は、固体撮像素子の中心に近い測距画素よりも、測距画素の重心と固体撮像素子の中心との間の距離が大きい。
複数の導波路102、103が並置された方向(X方向)に沿ったマイクロレンズ101の射影偏心方向における偏心量が大きいほど、測距画素内の異なる導波路の光束に対する結合効率の差が大きくなる。そのため、導波路が並置された方向に沿ったマイクロレンズ101の射影偏心方向における偏心量が大きいほど、導波路102のコア104の断面積と導波路103のコア105の断面積の差を大きくした方が好ましい。
その構成について、図5(a)に一例を示した。図5(a)は図1の一点破線の領域にある3つの測距画素110aについて表している。なお、図5(a)では測距画素110aの間を離して図示している。また、3つの測距画素110aの配置の順番は図1の一点破線の領域にある3つの測距画素110aの配置の順番と同じである。最も左側にある測距画素110aは、3つの測距画素110aの中で最も固体撮像素子の中心から遠い測距画素110aであり、最も右側にある測距画素110aは、3つの測距画素110aの中で最も固体撮像素子の中心に近い測距画素110aである。これに対応して、測距画素110aの位置が左側ほど、マイクロレンズ101の偏心量が大きく、コア104の断面積とコア105の断面積の差が大きくなっている。このように、マイクロレンズの偏心量に応じて導波路のコアの断面積を変えることで、マイクロレンズ101の偏心量によらず、光電変換部122、123の間の感度差が低減するため、測距精度を向上させることができる。
図5(a)では、マイクロレンズ101の偏心量に応じて、コア104とコア105の断面積の双方を変化させた例を示したが、コア104の断面積のみを変化させたり、コア105の断面積のみを変化させたりしてもよい。ただし、測距画素に入射した光の利用効率を向上させるために、コア104の断面積とコア105の断面積の和が、異なる測距画素どうしで一定になるように、各測距画素のコアの断面積の差を変化させることが好ましい。
また、マイクロレンズの偏心方向は、必ずしもX方向でなくてもよく、斜めに偏心していてもよい。固体撮像素子100の周辺領域100a、100bに位置する画素に入射する光束は、固体撮像素子100の中心に向かって傾いているため、固体撮像素子100の中心に向かって斜め方向に偏心している方が、効率良く光束を取り込むことができるため好ましい。図5(b)にその構成の一例を示した。図5(b)は、図1の二点破線の領域にある3つの測距画素110aについて表している。なお、図5(b)では測距画素110aの間を離して図示している。このように、測距画素110aのマイクロレンズ101の偏心方向を測距画素の配置位置によって変えてもよい。
マイクロレンズ101の偏心方向が斜め方向である場合も、導波路103に入射する光束の入射角は、導波路102に入射する光束の入射角よりも大きい。そのため、導波路103のコア105の断面積を、導波路102のコア104の断面積よりも大きくすることで、複数の光電変換部間の感度差を抑えることができ、測距精度が向上する。
固体撮像素子100の中央領域では、画素に入射する主光線の入射角が小さい。具体的には、固体撮像素子100の中心から、固体撮像素子100の対角線の長さの0.2倍未満の位置よりも固体撮像素子100の中心に近い中央領域では主光線の入射角が小さい。そのため、この中央領域に測距画素が配置されている場合、その測距画素では、マイクロレンズの中心軸が測距画素の中心軸に対して偏心していなくてもよい。
また、固体撮像素子100のY方向の周辺領域に位置する測距画素においては、測距画素に入射する主光線がY方向に傾いているため、マイクロレンズをY方向に偏心させることが好ましい。
このように、マイクロレンズの中心軸が測距画素の中心軸に対して、導波路102、103が配列された配列方向であるX方向にずれていない場合は、導波路102と導波路103に結合する主光線の入射角は等しくなる。そのため、導波路102と導波路103のモード数は等しい方が好ましい。即ち、マイクロレンズが偏心していないか、または、偏心方向が複数の導波路が並置された配列方向と直交する場合には、複数の導波路の、コアの断面積およびコアとクラッドの屈折率差がいずれも等しい方が好ましい。
固体撮像素子100の全ての画素が測距画素110であってもよいし、一部だけが測距画素110であり、その他が通常の撮像画素であってもよい。全ての画素が測距画素110の場合、複数の光電変換部で取得した電気信号の和を取ることで、撮影画像を取得することができる。なお、撮像画素とは、単一の光電変換部と、単一の光電変換部の上に配置されたコアとクラッドを有する単一の導波路と、単一の導波路の上に配置されたマイクロレンズと、を有した画素をいう。
図3(b)は、本実施形態の測距画素110aの光電変換部122と123の感度の和を、図14の比較例の測距画素1010における光電変換部1022と1023の感度の和と比較して示したものである。図3(b)で示すように、本実施形態の光電変換部122、123の感度の和の方が、比較例の光電変換部1022、1023の感度の和よりも、平坦に近い角度特性を示している。従って、測距画素から撮像画像を取得する場合、画素間の角度依存性を低減することができるので、撮影画像の品質を向上させることができる。
固体撮像素子100の一部の画素が測距画素110aの場合、測距画素110aにおける撮影画像を、上述した手法で取得してもよいし、測距画素110aの周辺に設けられた通常の撮像画素で取得した撮影画像により補完して取得してもよい。周辺領域100a、100bに位置する撮像画素についても、マイクロレンズが固体撮像素子の中心に向かって偏心している方が、撮影画像の画質が向上するため好ましい。
(実施形態2)
図6(a)は、図1の固体撮像素子100内の周辺領域100aに配置された本実施形態の測距画素210を示した模式図である。図6(a)に示す測距画素210は、実施形態1の測距画素110aとは、光電変換部222、223の形状が異なっている。具体的には、測距画素210の中心軸に対して、マイクロレンズ101の射影偏心方向とは反対方向に位置する光電変換部223の断面積が、マイクロレンズ101の射影偏心方向と同じ方向に位置する光電変換部222の断面積よりも大きくなっている。ここで、光電変換部の断面積は、XY断面における導波路側に位置する端面における断面積をいう。
このような構成とすることで、測距画素内の複数の光電変換部間のクロストークを抑制することができる。その結果、測距画素における入射光束の分割特性が向上し、測距性能が向上する。以下で理由を説明する。
図6(b)は、導波路103から光電変換部123へ射出される光束を示している。導波路103は高次の導波モードを有しているため、導波路103から光電変換部123に向けて射出された光は光束の広がりが大きくなる。そのため、この光束の広がりを考慮して、本実施形態の測距画素210では、光電変換部223の断面積を光電変換部223の断面積より大きくしている。このため、導波路103から光電変換部223に向けて射出された光束のうち、光電変換部222、223の間のバリア領域224に入射する割合が減少するため、クロストークを抑制することができる。
光電変換部222、223の断面積は、対応する導波路102、103から射出された光が効率良く光電変換部に結合するように決めることが好ましい。具体的には、光電変換部223の断面積の光電変換部222の断面積に対する比の値が、導波路103のコア105の断面積の導波路102のコア104の断面積に対する比の値よりも大きくすることが好ましい。なぜならば、導波路103に結合した光の方が、導波路102に結合した光よりも高次の導波モードの割合が大きいため、導波路から射出された後の光束の広がりが大きいためである。光電変換部の断面積の比を、導波路のコアの断面積の比よりも大きくすることで、導波路103から射出された、広がりの大きな光束も効率良く検出することができる。そのため、複数の光電変換部間の感度差が低減し、測距精度を向上させることができる。
(実施形態3)
図7は、図1の固体撮像素子100の周辺領域100aに配置された本実施形態の測距画素310を示した図である。図7に示す測距画素310は、実施形態1の測距画素110に対し、導波路302、303の構成が異なる。実施形態1の測距画素110では、コアの断面積を変えていた。一方、本実施形態の測距画素310では、導波路を構成するコアとクラッドの屈折率差を変えている。ここで、屈折率の比較は、測距画素に入射する光の波長における屈折率で比較を行う。
導波路303は、測距画素110aの中心軸に対してマイクロレンズ101の射影偏心方向とは反対方向に配置された導波路である。一方、導波路302は、測距画素110aの中心軸に対してマイクロレンズ101の射影偏心方向と同じ方向に配置された導波路である。本実施形態の測距画素310では、導波路303のコア305とクラッド307の屈折率差を、導波路302のコア304とクラッド306の屈折率差よりも大きくしている。より具体的には、クラッド306、307は同じ材料で形成し、コア305をコア304よりも屈折率が大きい材料で形成している。
このため、上述したように、導波路303の方が導波路302よりもより次数の高い導波モードも有する構成になり、光束と導波路103の結合効率の低下を抑制することができる。
図8は、本実施形態の測距画素310の感度特性を、図14(b)の比較例の測距画素1010の感度特性と比較して示したものである。図8からわかるように、測距画素310においては、測距画素1010に対し、2つの光電変換部322、323間の最大感度の差が低減していることが分かる。その結果、光電変換部322で取得した電気信号と、光電変換部323で取得した電気信号の強度差が低減し、像の位置ずれ量の読み取り精度が上昇するため、測距精度を向上させることができる。
<製造方法>
導波路302のコア304と導波路303のコア305の屈折率を変えるためには以下のような製造方法を用いればよい。まず、基板121の上にダマシンプロセスで配線108を作製した後、クラッド306、307を構成する材料を成膜する(図9(a))。次に、導波路303のコア305となる部分をリソグラフィとドライエッチングによって除去する(図9(b))。次に、コア305を構成する材料を成膜して、導波路303を作製する(図9(c))。続いて、導波路302のコア304となる部分を、フォトリソグラフィとドライエッチングによって除去する(図9(d))。そして、コア304を構成する材料を成膜して導波路302を作製する(図9(e))。
このように、導波路のエッチングと埋め込みのプロセスを2回行うことで、コアの屈折率の異なる導波路302、303を製造することができる。導波路302と導波路303を形成する順番はどちらでも良く、コアとなる材料の埋め込みやすさ等で決定すればよい。一般的には、屈折率の高い材料の方が埋め込みにくいので、導波路303を先に形成する方が好ましい。
なお、図7に示す測距画素310では、コアの屈折率を変えることで、コアとクラッドの屈折率差を変えていたが、クラッドの屈折率を変えてもよい。具体的には、コア304とコア305は同じ材料で形成し、クラッド307をクラッド306よりも屈折率が小さい材料で形成してもよい。また、コアとクラッドの屈折率差の両方を変えて上記の測距画素310の構成としてもよい。
クラッドの屈折率差を変える場合には、以下のように製造方法を用いればよい。まず、基板121の上に、クラッド307を構成する材料と配線108を作製する(図10(a))。次に、リソグラフィとエッチングによって、導波路302となる部分を除去する(図10(b))。次に、導波路302のクラッド306を構成する材料と配線108を作製する(図10(c))。そして、全面エッチング等によって導波路303となる部分の上に成膜された余分なクラッド306を構成する材料を除去する(図10(d))。この際、図10(b)の工程に用いたエッチングマスクを残しておき、エッチストップ層として用いてもよい。続いて、リソグラフィとドライエッチによって導波路302、303のコアとなる部分を除去する(図10(e))。そして、導波路302、303のコア304を構成する材料、305を構成する材料を埋め込んで、導波路302、303を作製する(図10(f))。
このように、クラッドを形成するプロセスを2回行うことで、クラッドの屈折率の異なる導波路302、303を製造することができる。図9と同様、導波路302と導波路303を形成する順番はどちらでもよく、図10(d)における全面エッチングの容易さ等で決定すればよい。本実施形態に示す固体撮像素子においても、実施形態1に示す固体撮像素子100と同様に、マイクロレンズ101の偏心量が大きいほど、複数の導波路への結合効率の差が大きくなる。そのため、マイクロレンズ101の偏心量が大きいほど、導波路303のコア305とクラッド307の屈折率差と、導波路302のコア304とクラッド306の屈折率差の、差を大きくした方が好ましい。つまり、以下の関係を満たすことが好ましい。マイクロレンズの偏心量が大きい測距画素の方が偏心量が小さい測距画素よりも、マイクロレンズの射影偏心方向と同じ方向に位置する導波路の上記屈折率差に対するマイクロレンズの射影偏心方向とは反対方向に位置する導波路の上記屈折率差の比の値が大きい。
また、同様に、マイクロレンズが測距画素の中心に対して導波路が並置された配列方向(X方向)に偏心していない場合は、導波路302のコアとクラッドの屈折率差と、導波路303のコアとクラッドの屈折率差は等しい方が好ましい。
(実施形態4)
実施形態1から3に示す固体撮像素子中の測距画素では、複数の導波路が並置された方向がX方向であった。すなわち、測距画素に入射した光束をX方向に分割して取得することで測距を行う固体撮像素子を示してきた。しかし、入射方向をX方向以外の方向に分割する測距画素を有する固体撮像素子に本発明を適用してもよい。
図11は、本実施形態の固体撮像素子400の一部を示している。なお、本実施形態においても実施形態1と同様、X方向は固体撮像素子400の長手方向に、Y方向は固体撮像素子400の短手方向に対応している。この固体撮像素子400は、入射光束をY方向に分割して測距を行う測距画素410が配置されている。固体撮像素子400の−Y方向の周辺領域400aには測距画素410aが配置されている。また、固体撮像素子400の+Y方向の周辺領域400bには測距画素410bが配置されている。
図12は、図11の一点破線で囲んだ3つ分の測距画素410aの構成を示した図である。図12(a)は、3つ分の測距画素410aのYZ断面模式図である。測距画素410は、光の入射側より、マイクロレンズ401aと、複数の導波路402、403と、複数の光電変換部422、423と、を有している。図12(b)は、3つ分の測距画素410のXY方向の平面模式図である。
マイクロレンズ401の中心軸は、測距画素410の中心軸に対して固体撮像素子の中心に向かう方向(+Y方向)に偏心している。また、複数の導波路402、403、複数の光電変換部422、423はY方向に並置されている。測距画素410の中で、導波路403は、測距画素410の中心軸に対してマイクロレンズ401の射影偏心方向とは反対方向に配置されている。一方、導波路402は、測距画素410の中心軸に対してマイクロレンズ401の射影偏心方向と同じ方向に配置されている。そして、マイクロレンズ401の偏心方向とは反対の方向(−Y方向)に配置された導波路403のコアのY方向の幅が、マイクロレンズ401の偏心方向と同じ方向(+Y方向)に配置された導波路402のコアのY方向の幅よりも大きい。つまり、導波路403のコアの断面積が導波路402のコアの断面積よりも大きくなっている。この構成により、実施形態1と同様、光電変換部422と光電変換部423の最大感度の差を抑制することができるため、測距精度が向上する。
なお、固体撮像素子は、入射光束をX方向に分割する測距画素110と、入射光束をY方向に分割する測距画素410の双方を有するように構成してもよい。このような構成とすることで、被写体のコントラストの方向に依存せず、測距を行うことができる。この場合でも、マイクロレンズの偏心方向と複数の導波路が並置される方向に応じて、導波路のコアの断面積またはコアとクラッドの屈折率差を決定すればよい。
(実施形態5)
図13は、実施形態1に示す固体撮像素子100を備えたデジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像装置190の概略図である。撮像装置190は、固体撮像素子100の他に、固体撮像素子に光入射側に配置された結像光学系191、CPU192、転送回路193、信号処理部194を有する。CPU192は、転送回路193、信号処理部194の動作を制御する。光電変換部122、123で取得した信号を転送回路193によって信号処理部194に転送し、信号処理部194で測距像を形成し、各々の測距像を信号処理部194で比較することで測距を行っている。また、同様に光電変換部122、123で取得した信号は、信号処理部194で処理され、撮影画像用の信号としても使用される。
(その他の実施形態)
以上の実施形態1から5において、いずれも導波路および光電変換部が2つである場合を示したが、導波路および光電変換部が3つ以上あってもよい。導波路および光電変換部が3つ以上ある場合でも、そのうちの少なくとも2つの導波路において、以下の構成を満たしていればよい。すなわち、測距画素の中心軸に対して、マイクロレンズの射影偏心方向とは反対方向に配置されている導波路の方が、マイクロレンズの射影偏心方向と同じ方向に配置されている導波路よりも、コアの断面積を大きくなっていればよい。または、測距画素の中心軸に対してマイクロレンズの射影偏心方向とは反対方向に配置されている導波路の方が、マイクロレンズの射影偏心方向と同じ方向に配置されている導波路よりも、コアとクラッドの屈折率差を大きくなっていればよい。このような構成とすることで、複数の光電変換部の最大感度の差を低減することができるため、測距精度が向上する。
また、1つの測距画素内で、入射光束をX方向に分割する複数の光電変換部と入射光束をY方向に分割する複数の光電変換部とを有する構成であってもよい。この場合も、測距画素の中心軸に対してマイクロレンズの射影偏心方向とは反対方向に配置された導波路の方が、マイクロレンズの射影偏心方向と同じ方向に配置された導波路よりも、コアの断面積を大きくなっていればよい。または、測距画素の中心軸に対してマイクロレンズの射影偏心方向とは反対方向に配置されている導波路の方が、マイクロレンズの射影偏心方向と同じ方向に配置されている導波路よりも、コアとクラッドの屈折率差を大きくすればよい。
また、上述した各実施形態は、可能であれば適宜組み合わせてもよい。
100、400 固体撮像素子
101、401 マイクロレンズ
102、103、302、303、402、403 導波路
104、105、305、306 コア
106、107、306、307 クラッド
110、210、310、410 測距画素
122、123、222、223、422、423 光電変換部

Claims (19)

  1. 複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部に対応して配置されたコアとクラッドを有する複数の導波路と、前記複数の導波路に対応して配置されたマイクロレンズと、を有する測距画素を備えた固体撮像素子であって、
    前記固体撮像素子にある周辺領域に配置された少なくとも1つの測距画素において、
    前記マイクロレンズは、その中心軸が前記測距画素の中心軸に対して偏心して配置され、
    前記複数の導波路は、第1の導波路と第2の導波路とを有し、
    前記第1の導波路は、前記測距画素の中心軸に対して、前記マイクロレンズの偏心方向を前記第1の導波路の中心と前記第2の導波路の中心とを結ぶ直線上に射影した方向とは反対方向に配置され、
    前記第2の導波路は、前記測距画素の中心軸に対して、前記マイクロレンズの偏心方向を前記直線上に射影した方向と同じ方向に配置され、
    前記第1の導波路は、前記第2の導波路よりも、コアとクラッドの屈折率差及びコアの断面積のうち少なくとも一方が大きいことを特徴とする固体撮像素子。
  2. 前記第1の導波路のコアの断面積が、前記第2の導波路のコアの断面積よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
  3. 前記第1の導波路と前記第2の導波路とが配列された配列方向における前記第1の導波路のコアの幅が、前記配列方向における前記第1の導波路のコアの幅よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像素子。
  4. 前記複数の光電変換部が、前記第1の導波路に対応する第1の光電変換部と、前記第2の導波路に対応する第2の光電変換部と、を有し、
    前記第1の光電変換部の断面積が、前記第2の光電変換部の断面積よりも大きいことを特徴とする請求項2又は3に記載の固体撮像素子。
  5. 前記第1の光電変換部の断面積の前記第2の光電変換部の断面積に対する比の値が、前記第1の導波路のコアの断面積の前記第2の導波路のコアの断面積の比の値よりも大きいことを特徴とする請求項4に記載の固体撮像素子。
  6. 前記周辺領域に、マイクロレンズの偏心量が異なる少なくとも2つの測距画素が配置され、
    前記マイクロレンズの偏心量が大きい測距画素の方が、前記マイクロレンズの偏心量が小さい測距画素よりも、前記第2の導波路のコアの断面積に対する前記第1の導波路のコアの断面積の比の値が大きいことを特徴とする請求項2乃至5のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
  7. 複数の測距画素を有し、
    前記複数の測距画素において、各測距画素内の前記複数の導波路のコアの断面積の和が等しいことを特徴とする請求項2乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
  8. 前記第1の導波路のコアとクラッドの屈折率差が、前記第2の導波路のコアとクラッドの屈折率差よりも大きいことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
  9. 前記第1の導波路のコアの屈折率が、前記第2の導波路のコアの屈折率よりも大きいことを特徴とする請求項8に記載の固体撮像素子。
  10. 前記第1の導波路のクラッドの屈折率が、前記第2の導波路のクラッドの屈折率よりも小さいことを特徴とする請求項8又は9に記載の固体撮像素子。
  11. 前記周辺領域に、マイクロレンズの偏心量が異なる少なくとも2つの測距画素が配置され、
    前記マイクロレンズの偏心量が大きい測距画素の方が、前記マイクロレンズの偏心量が小さい測距画素よりも、前記第2の導波路のコアとクラッドの屈折率差に対する前記第1の導波路のコアとクラッドの屈折率差の比の値が大きいことを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
  12. 前記マイクロレンズが、前記固体撮像素子の中心に向かって偏心していることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
  13. 前記周辺領域が、前記固体撮像素子の中心から前記固体撮像素子の対角線の長さの0.2倍以上離れた領域であることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
  14. 前記周辺領域に、少なくとも2つの測距画素が配置され、
    前記2つの測距画素のうち前記固体撮像素子の中心から遠い測距画素のマイクロレンズが、前記固体撮像素子の中心に近い測距画素のマイクロレンズに比べて偏心量が大きいことを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
  15. さらにマイクロレンズが偏心していない測距画素を有することを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
  16. さらにマイクロレンズが偏心する偏心方向と複数の導波路が配列された配列方向とが直交する測距画素を有し、
    前記偏心方向と前記配列方向とが直交する測距画素において、複数の導波路のコアとクラッドの屈折率差及びコアの断面積のいずれも等しいことを特徴とする請求項1乃至15のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
  17. 前記固体撮像素子の中央領域に、さらに測距画素を有することを特徴とする請求項1乃至16のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
  18. さらに、単一の光電変換部と、前記単一の光電変換部の上に配置されたコアとクラッドを有する単一の導波路と、前記単一の導波路の上に配置されたマイクロレンズと、を有する撮像画素を有することを特徴とする請求項1乃至17のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
  19. 請求項1乃至18のいずれか1項に記載の固体撮像素子と、前記固体撮像素子に光入射側に配置された結像光学系と、を有することを特徴とする撮像装置。
JP2014025834A 2014-02-13 2014-02-13 固体撮像素子及び撮像装置 Active JP6347620B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014025834A JP6347620B2 (ja) 2014-02-13 2014-02-13 固体撮像素子及び撮像装置
US14/618,935 US9565381B2 (en) 2014-02-13 2015-02-10 Solid-state image sensor and image-capturing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014025834A JP6347620B2 (ja) 2014-02-13 2014-02-13 固体撮像素子及び撮像装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015152738A true JP2015152738A (ja) 2015-08-24
JP2015152738A5 JP2015152738A5 (ja) 2017-03-16
JP6347620B2 JP6347620B2 (ja) 2018-06-27

Family

ID=53776071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014025834A Active JP6347620B2 (ja) 2014-02-13 2014-02-13 固体撮像素子及び撮像装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9565381B2 (ja)
JP (1) JP6347620B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019039177A1 (ja) * 2017-08-23 2019-02-28 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像装置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI504256B (zh) * 2008-04-07 2015-10-11 Sony Corp 固態成像裝置,其訊號處理方法,及電子設備
US10015416B2 (en) * 2016-05-24 2018-07-03 Semiconductor Components Industries, Llc Imaging systems with high dynamic range and phase detection pixels
US20180301484A1 (en) * 2017-04-17 2018-10-18 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with high dynamic range and autofocusing hexagonal pixels
DE102017129627B4 (de) 2017-12-12 2020-01-23 Bircher Reglomat Ag Abstandsermittlung basierend auf verschiedenen Tiefenschärfebereichen bei unterschiedlichen Fokuseinstellungen eines Objektivs
JP2020113573A (ja) * 2019-01-08 2020-07-27 キヤノン株式会社 光電変換装置
KR102148127B1 (ko) * 2020-02-14 2020-08-26 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단 상보적인 픽슬렛 구조가 적용된 카메라 시스템

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012230172A (ja) * 2011-04-25 2012-11-22 Nikon Corp 撮像装置
JP2013004635A (ja) * 2011-06-14 2013-01-07 Canon Inc 撮像素子、撮像装置、及び、形成方法
JP2013228692A (ja) * 2012-03-29 2013-11-07 Canon Inc 撮像装置及びカメラシステム

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7060961B2 (en) * 2003-12-12 2006-06-13 Canon Kabushiki Kaisha Image sensing element and optical instrument having improved incident light use efficiency
JP5194688B2 (ja) * 2007-10-01 2013-05-08 株式会社ニコン 固体撮像装置
JP5422889B2 (ja) 2007-12-27 2014-02-19 株式会社ニコン 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置
US7646943B1 (en) * 2008-09-04 2010-01-12 Zena Technologies, Inc. Optical waveguides in image sensors
US20100230583A1 (en) * 2008-11-06 2010-09-16 Sony Corporation Solid state image pickup device, method of manufacturing the same, image pickup device, and electronic device
WO2010061756A1 (en) * 2008-11-27 2010-06-03 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image sensing element and image sensing apparatus
JP2010182765A (ja) 2009-02-04 2010-08-19 Sony Corp 固体撮像装置および電子機器
JP5428400B2 (ja) * 2009-03-04 2014-02-26 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
JP5693082B2 (ja) * 2010-08-09 2015-04-01 キヤノン株式会社 撮像装置
JP2015012127A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 ソニー株式会社 固体撮像素子および電子機器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012230172A (ja) * 2011-04-25 2012-11-22 Nikon Corp 撮像装置
JP2013004635A (ja) * 2011-06-14 2013-01-07 Canon Inc 撮像素子、撮像装置、及び、形成方法
JP2013228692A (ja) * 2012-03-29 2013-11-07 Canon Inc 撮像装置及びカメラシステム

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019039177A1 (ja) * 2017-08-23 2019-02-28 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像装置
JPWO2019039177A1 (ja) * 2017-08-23 2020-10-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像装置
US11330158B2 (en) 2017-08-23 2022-05-10 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging element and imaging device for image plane phase difference detection
JP7231546B2 (ja) 2017-08-23 2023-03-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20150229833A1 (en) 2015-08-13
US9565381B2 (en) 2017-02-07
JP6347620B2 (ja) 2018-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6347620B2 (ja) 固体撮像素子及び撮像装置
JP6347621B2 (ja) 固体撮像素子及び撮像装置
JP5812610B2 (ja) 固体撮像素子及び固体撮像素子を有する撮像システム
JP6091204B2 (ja) 固体撮像素子および撮像装置
JP5506517B2 (ja) 固体撮像素子
US9059059B2 (en) Solid state image sensor having a first optical waveguide with one contiguous core and a second optical waveguide with plural cores
JP6271900B2 (ja) 固体撮像素子およびそれを用いた撮像装置
JP6124555B2 (ja) 固体撮像素子及びそれを用いた測距装置
CN106033761B (zh) 具有非平面光学界面的背面照度图像传感器
US10347778B2 (en) Graded-index structure for optical systems
JP6338443B2 (ja) 固体撮像素子およびそれを用いた撮像装置
KR20220061175A (ko) 분광소자 어레이, 촬상소자 및 촬상장치
WO2014049941A1 (ja) 固体撮像装置及び撮像装置
US20170077154A1 (en) Image sensor and image pickup apparatus including the same
JP6001030B2 (ja) 固体撮像素子及びカメラ
JP2008258367A (ja) 固体撮像素子、固体撮像装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170208

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170208

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170920

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170926

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171117

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180501

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180529

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6347620

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151