JP2015149435A - 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】塩化ハフニウムガスと水蒸気とをウエハWに交互に供給して酸化ハフニウム膜を成膜する時に、水蒸気を供給した後に行われる処理雰囲気の置換工程の前段ステップ及び後段ステップに各々充てる時間tと、成膜後に得られる酸化ハフニウム膜の成膜量Dとの相関関係をプロットする。そして、2分あたりの成膜量Dの減少率を計算して、この減少率が2.4%を下回る大きさとなるように、前記時間tを設定する。
【選択図】図9
Description
反応管内の基板保持具に棚状に保持された複数枚の基板に対して原料ガス及びこの原料ガスと反応する水蒸気を順番に供給する成膜サイクルを複数回繰り返して、これら原料ガスと水蒸気との反応生成物を基板上に積層する成膜方法であって、
前記成膜サイクルは、水蒸気の供給を停止した後、原料ガスの供給を開始する前に、前記反応管内を真空排気する前段ステップと次いで不活性ガスを供給する後段ステップとを含む雰囲気置換工程を含み、
前記雰囲気置換工程の前段ステップ及び後段ステップを各々1回ずつ同じ時間tに設定して前記成膜サイクルを実施して得られた成膜量をDとし、時間tと成膜量Dとの関係を示すグラフにおいて時間tの増大により成膜量Dが減少して、時間tが2分増大したときに成膜量Dの減少率が2.4%以下となる成膜量DをD0とすると、
前記雰囲気置換工程は、前記成膜サイクルを行ったときの成膜量DがD0となるように実施されることを特徴とする。
反応管内の基板保持具に棚状に保持された複数枚の基板に対して原料ガス及びこの原料ガスと反応する水蒸気を順番に供給する成膜サイクルを複数回繰り返して、これら原料ガスと水蒸気との反応生成物を基板上に積層する成膜装置であって、
水蒸気の供給を停止した後、原料ガスの供給を開始する前に、前記反応管内を真空排気する前段ステップと次いで不活性ガスを供給する後段ステップとを含む雰囲気置換工程を前記成膜サイクルの一部として行うように制御信号を出力する制御部を備え、
前記雰囲気置換工程の前段ステップ及び後段ステップを各々1回ずつ同じ時間tに設定して前記成膜サイクルを実施して得られた成膜量をDとし、時間tと成膜量Dとの関係を示すグラフにおいて時間tの増大により成膜量Dが減少して、時間tが2分増大したときに成膜量Dの減少率が2.4%以下となる成膜量DをD0とすると、
前記制御部は、前記成膜サイクルを行ったときの成膜量DがD0となるように、前記雰囲気置換工程を実施するように制御信号を出力することを特徴とする。
また、本発明の記憶媒体は、
コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、既述の成膜方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする。
(実施例1)
図9は、既述の図8に示した模式図の元となるグラフとなっている。即ち、図9では、前段ステップ及び後段ステップの時間tと、成膜量Dとの相関関係を示している。具体的には、前記時間tを種々変えて酸化ハフニウム膜の成膜を行い、その後酸化ハフニウム膜の成膜量Dや成膜量Dの均一性を夫々求めた。
R=(Dn−Dn+1)÷Dn÷(tn+1−tn)×2×100
となっている。即ち、この減少率Rの計算式では、単位時間当たりの成膜量Dの減少率を計算して、この減少率を2分あたりの値に換算している。
(表)
ここで、前記時間tを各々例えば20秒に設定して酸化ハフニウム膜をウエハWに成膜した後、当該酸化ハフニウム膜に残るガス成分の分析を行った。具体的には、成膜後のウエハWを加熱すると共に、ウエハW(酸化ハフニウム膜)から発生するガスをモニターしたところ、図13に示すように、250℃〜350℃の加熱温度にて水に由来するピークが確認された。原料ガスとして塩化ハフニウムガス及びTDMAHガスのいずれを用いた場合についても同様の結果となっていた。従って、水蒸気から原料ガスにガスを切り替えるときに雰囲気置換工程を行っても、ウエハWの表面及び反応管12の内壁に付着した反応層から水分が排出されることになるため、既述のような短時間では酸化ハフニウム膜から水蒸気を排出しきれていないことが分かる。
図14は、原料ガスとして塩化ハフニウムガスを使用した時、成膜後に酸化ハフニウム膜に含まれる塩素元素の濃度を当該酸化ハフニウム膜の膜厚方向にて測定した結果を示している。この実験は、前段ステップ及び後段ステップの時間tを夫々2分に設定した場合(短時間)と、前段ステップ及び後段ステップの時間tを夫々1分及び10分に設定した場合(長時間)とについて行った。尚、この実験においても、塩化ハフニウムガスを酸化する酸化ガスとしては水蒸気を使用した。
図15は、原料ガス及び反応ガスとして夫々塩化ハフニウムガス及び水蒸気を用いて酸化ハフニウム膜を成膜するにあたって、1回の成膜サイクルにて形成される酸化ハフニウム膜の成膜量D及び成膜量Dの均一性について、成膜温度の依存性を確認した結果を示している。図15から分かるように、成膜温度が高くなるにつれて、成膜量Dは薄くなり、一方成膜量Dの均一性は良好になっていた。そして、成膜温度が400℃以上の場合には、図15では描画を省略しているが、成膜量D及び成膜量Dの均一性のいずれについてもほぼ一定となっていた。図16〜図18は、以上の図15の元データを示しており、既述の図10〜図12と同様に、ウエハWを周方向に沿って複数箇所において測定した結果となっており、夫々ウエハボート11の上段、中段及び下段のウエハWを測定している。
11 ウエハボート
12 反応管
13 ヒータ
21 排気口
51a〜51c ガスノズル
52 ガス吐出口
D 膜厚寸法
Claims (15)
- 反応管内の基板保持具に棚状に保持された複数枚の基板に対して原料ガス及びこの原料ガスと反応する水蒸気を順番に供給する成膜サイクルを複数回繰り返して、これら原料ガスと水蒸気との反応生成物を基板上に積層する成膜方法であって、
前記成膜サイクルは、水蒸気の供給を停止した後、原料ガスの供給を開始する前に、前記反応管内を真空排気する前段ステップと次いで不活性ガスを供給する後段ステップとを含む雰囲気置換工程を含み、
前記雰囲気置換工程の前段ステップ及び後段ステップを各々1回ずつ同じ時間tに設定して前記成膜サイクルを実施して得られた成膜量をDとし、時間tと成膜量Dとの関係を示すグラフにおいて時間tの増大により成膜量Dが減少して、時間tが2分増大したときに成膜量Dの減少率が2.4%以下となる成膜量DをD0とすると、
前記雰囲気置換工程は、前記成膜サイクルを行ったときの成膜量DがD0となるように実施されることを特徴とする成膜方法。 - 複数回繰り返される成膜サイクルのうち、80%以上の回数に相当する成膜サイクルにおける各雰囲気置換工程は、前記時間tが各々4分以上に設定されていることを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
- 各成膜サイクルにおける雰囲気置換工程は、前記時間tが各々4分以上に設定されていることを特徴とする請求項2に記載の成膜方法。
- 複数回繰り返される成膜サイクルのうち、80%以上の回数に相当する成膜サイクルにおける各雰囲気置換工程は、前記時間tが各々8分以上に設定されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の成膜方法。
- 各成膜サイクルにおける雰囲気置換工程は、前記時間tが各々8分以上に設定されていることを特徴とする請求項4に記載の成膜方法。
- 前記原料ガスは、ハフニウムを含むガスであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の成膜方法。
- 前記原料ガスは、ハフニウムと塩素とからなるガスであることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載の成膜方法。
- 反応管内の基板保持具に棚状に保持された複数枚の基板に対して原料ガス及びこの原料ガスと反応する水蒸気を順番に供給する成膜サイクルを複数回繰り返して、これら原料ガスと水蒸気との反応生成物を基板上に積層する成膜装置であって、
水蒸気の供給を停止した後、原料ガスの供給を開始する前に、前記反応管内を真空排気する前段ステップと次いで不活性ガスを供給する後段ステップとを含む雰囲気置換工程を前記成膜サイクルの一部として行うように制御信号を出力する制御部を備え、
前記雰囲気置換工程の前段ステップ及び後段ステップを各々1回ずつ同じ時間tに設定して前記成膜サイクルを実施して得られた成膜量をDとし、時間tと成膜量Dとの関係を示すグラフにおいて時間tの増大により成膜量Dが減少して、時間tが2分増大したときに成膜量Dの減少率が2.4%以下となる成膜量DをD0とすると、
前記制御部は、前記成膜サイクルを行ったときの成膜量DがD0となるように、前記雰囲気置換工程を実施するように制御信号を出力することを特徴とする成膜装置。 - 前記制御部は、複数回繰り返される成膜サイクルのうち、80%以上の回数に相当する成膜サイクルの各雰囲気置換工程における前記時間tを各々4分以上に設定するように制御信号を出力することを特徴とする請求項8に記載の成膜装置。
- 各成膜サイクルにおける雰囲気置換工程は、前記時間tが各々4分以上に設定されていることを特徴とする請求項9に記載の成膜装置。
- 前記制御部は、複数回繰り返される成膜サイクルのうち、80%以上の回数に相当する成膜サイクルの各雰囲気置換工程における前記時間tを各々8分以上に設定するように制御信号を出力することを特徴とする請求項8ないし10のいずれか一つに記載の成膜装置。
- 各成膜サイクルにおける雰囲気置換工程は、前記時間tが各々8分以上に設定されていることを特徴とする請求項11に記載の成膜装置。
- 前記原料ガスは、ハフニウムを含むガスであることを特徴とする請求項8ないし12のいずれか一つに記載の成膜装置。
- 前記原料ガスは、ハフニウムと塩素とからなるガスであることを特徴とする請求項8ないし13のいずれか一つに記載の成膜装置。
- コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項1ないし7のいずれか一つに記載の成膜方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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