JP2015149429A - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
Description
ウェーハのサイズ:直径寸法300mm、厚さ280μm
デバイスチップのサイズ:0.8×1.2mm
接着フィルム:厚み20μmのダイアタッチフィルム
1a 表面
1b 裏面
2 分割予定ライン
3 デバイス
7 改質層
13 研削砥石
31 接着フィルム
33 エキスパンドテープ
Claims (2)
- 表面が分割予定ラインで区画されてデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、
該ウェーハの裏面を表面粗さRaが5μm以上10μm以下に研削砥石で薄化研削を行う研削工程と、
該裏面側からウェーハ内部に集光点を位置付けて該分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、ウェーハ内部に改質層を形成するレーザー光線照射工程と、
該研削工程及び該レーザー光線照射工程を実施した後に、該裏面にエキスパンドテープを貼着するテープ貼着工程と、
該テープ貼着工程を実施した後に、該エキスパンドテープを拡張して該分割予定ラインに沿って形成された改質層に張力を作用させて、該ウェーハを該分割予定ラインに沿って分割する分割工程と、
を含むことを特徴とするウェーハの加工方法。 - 該テープ貼着工程において、該ウェーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを貼着した後に該接着フィルムに該エキスパンドテープを貼着し、
該分割工程において、該エキスパンドテープを拡張することで、該接着フィルム及び該改質層に張力を作用させて、該接着フィルム及び該ウェーハを該分割予定ラインに沿って破断分割すること、
を特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
JP2018026673A (ja) * | 2016-08-09 | 2018-02-15 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2020123624A (ja) * | 2019-01-29 | 2020-08-13 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2021048274A (ja) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | 株式会社ディスコ | ピックアップ方法、ピックアップ装置、及び、試験装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005223282A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2006059941A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体チップの製造方法 |
WO2015002270A1 (ja) * | 2013-07-05 | 2015-01-08 | リンテック株式会社 | ダイシングシート |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005223282A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2006059941A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体チップの製造方法 |
WO2015002270A1 (ja) * | 2013-07-05 | 2015-01-08 | リンテック株式会社 | ダイシングシート |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018026673A (ja) * | 2016-08-09 | 2018-02-15 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2020123624A (ja) * | 2019-01-29 | 2020-08-13 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7201459B2 (ja) | 2019-01-29 | 2023-01-10 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2021048274A (ja) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | 株式会社ディスコ | ピックアップ方法、ピックアップ装置、及び、試験装置 |
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