JP2015141172A

JP2015141172A - テラヘルツ波ガイド装置、及びテラヘルツ波装置

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Publication number: JP2015141172A
Application number: JP2014015922A
Authority: JP
Inventors: 田切　孝夫; Takao Tagiri; 孝夫田切; 知幸宮本; Tomoyuki Miyamoto
Original assignee: Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 2014-01-30
Filing date: 2014-01-30
Publication date: 2015-08-03

Abstract

【課題】テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合の発生を防止する。
【解決手段】テラヘルツ波ガイド装置は、例えばテラヘルツ波発生器１０１から出射されたテラヘルツ波、或いはテラヘルツ波検出器２０１において検出すべきテラヘルツ波を案内する案内部（４１１，４１２，４１２，４１４）と、案内部のテラヘルツ波が照射される面に設けられており、テラヘルツ波の少なくとも一部を吸収する吸収部（３１１，３１２）とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えば出射されたテラヘルツ波を案内するテラヘルツ波ガイド装置、及び該テラヘルツ波ガイド装置を備えるテラヘルツ波装置の技術分野に関する。

光学装置においては、光の意図せぬ反射に起因して不具合が生ずる場合があるため、反射防止用の部材が設けられることがある。例えば特許文献１では、黒色塗料を基材表面に塗布して形成される光吸収膜が提案されている。また特許文献２では、アルマイト処理により形成した反射防止用の被膜について記載されている。特許文献３では、Ａ２０００系アルミニウム合金のつや消し処理方法に関する技術が提案されている。

特開２００３−２６６５８０号公報特開平５−３１１３９５号公報特開２００８−２１６６７６号公報

上述した特許文献１から３に記載されている技術は、一般的な光源（例えば、可視光線や紫外線、赤外線等）に対しては有効であると考えられる。しかしながら、比較的長い波長を有するテラヘルツ波に対しては、十分な吸収効果が得られないおそれがある。このため、テラヘルツ波を利用する装置においては、上述した各特許文献に記載された技術を利用しても、光が反射することに起因する不具合を防止できないという技術的問題点が生ずる。

本発明が解決しようとする課題には上記のようなものが一例として挙げられる。本発明は、反射を低減させた状態でテラヘルツ波の案内が可能なテラヘルツ波ガイド装置、及びテラヘルツ波装置を提供することを課題とする。

上記課題を解決するテラヘルツ波ガイド装置は、出射されたテラヘルツ波を案内する案内部と、前記案内部の前記テラヘルツ波が照射される面に設けられており、前記テラヘルツ波の少なくとも一部を吸収する吸収部とを備える。

上記課題を解決するテラヘルツ波装置は、上述したテラヘルツ波ガイド装置と、前記テラヘルツ波ガイド装置に前記テラヘルツ波を出射する出射手段、又は前記テラヘルツ波ガイド装置に案内されたテラヘルツ波を検出する検出手段とを備える。

第１実施例に係るテラヘルツ波計測装置の構成を示す概略図である。吸収部を構成する材料別にテラヘルツ波の減衰率を示す表である。第２実施例に係るテラヘルツ波計測装置の構成を示す概略図である。第３実施例に係るテラヘルツ波計測装置の構成を示す概略図である。第４実施例に係るテラヘルツ波計測装置の構成を示す概略図である。

＜１＞
本実施形態に係るテラヘルツ波ガイド装置は、出射されたテラヘルツ波を案内する案内部と、前記案内部の前記テラヘルツ波が照射される面に設けられており、前記テラヘルツ波の少なくとも一部を吸収する吸収部とを備える。

本実施形態のテラヘルツ波ガイド装置によれば、例えばリレーレンズ等を含んで構成される案内部によってテラヘルツ波が案内される。ここで、テラヘルツ波とは、１テラヘルツ（１ＴＨｚ＝１０^１２Ｈｚ）前後の周波数領域（つまり、テラヘルツ領域）に属する電磁波である。テラヘルツ波は、例えば、光伝導アンテナ（ＰＣＡ：Photo Conductive Antenna）や共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ：Resonant Tunneling Diode）等として構成される発生素子を利用して発生させることができる。

本実施形態に係る案内部は、例えば筒状の構造を有しており、その内部にテラヘルツ波を通すことで所定の位置まで案内する。この際、案内部においてテラヘルツ波が意図せず反射されると、反射光による干渉等が発生し、案内すべきテラヘルツ波に悪影響を与えてしまうおそれがある。具体的には、テラヘルツ波の波面が乱れることにより集光ビームのパターンが歪んだり、集光ビームの周りに不要なパターンが生ずることがある。このようなパターン歪みや不要なパターンの発生は、例えばテラヘルツ波を利用してイメージング処理を行う装置において、イメージ画像の解像度悪化や像が２重になるゴーストの発生を招き、結果として画像品質を悪化させてしまう原因となる。

このため本実施形態に係るテラヘルツ波ガイド装置では、案内部におけるテラヘルツ波が照射される面に、テラヘルツ波の少なくとも一部を吸収する吸収部が設けられている。なお、ここでの「テラヘルツ波が照射される面」とは、案内すべきテラヘルツ波以外のテラヘルツ波が照射される面を意味しており、具体的には、仮にテラヘルツ波がその面で反射されると、上述した不具合が生じてしまうおそれのある面である。言い換えれば、案内部における案内すべきテラヘルツ波が照射される面には吸収部は設けられない。

本実施形態に係る吸収部は、例えば樹脂材料等のテラヘルツ波に対する吸収性能の高い材料を含んで構成されている。テラヘルツ波に対する高い材料の例としては、水分を含んだ材料や数ｍｍ程度の厚みを持った樹脂材料等が挙げられる。吸収部がテラヘルツ波の一部を吸収することで、案内部におけるテラヘルツ波の反射が低減される。従って、テラヘルツ波の反射に起因する不具合の発生を防止できる。言い換えれば、本実施形態に係る吸収部は、テラヘルツ波の反射に起因する不具合の発生を多少なりとも低減できる程度の吸収性能を有することが望まれる。

なお、吸収部は、テラヘルツ波の反射を防止すべき全ての面に設けられずともよく、部分的に設けられることでも相応の効果を発揮し得る。また、特に反射を防止すべき面（即ち、不具合の原因となり易い箇所）においては、例えば部材の厚みを厚くする等して、吸収部の吸収性能を高めるとよい。

以上説明したように、本実施形態に係るテラヘルツ波ガイド装置によれば、反射を低減させた状態でテラヘルツ波を案内できる。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することが可能である。

＜２＞
本実施形態に係るテラヘルツ波ガイド装置の一態様では、前記吸収部は、樹脂材料を含んでいる。

この態様によれば、案内部に設けられた吸収部がテラヘルツ波に対する吸収性能の高い樹脂材料を含んでいるため、反射すべきでないテラヘルツ波が効率的に吸収される。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。

＜３＞
上述の如く吸収部が樹脂材料を含む態様では、前記吸収部は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の少なくとも一つを含んでいてもよい。

この場合、案内部に設けられた吸収部がテラヘルツ波に対する吸収性能の高いエポキシ樹脂又はフェノール樹脂を含んでいるため、反射すべきでないテラヘルツ波が効率的に吸収される。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。
＜４＞
本実施形態に係るテラヘルツ波ガイド装置の他の態様では、前記吸収部は、カーボンを含んだ導電性ゴム、スポンジ及び樹脂の少なくとも１つを含んでいる。

この態様によれば、案内部に設けられた吸収部が、テラヘルツ波に対する吸収性能の高いカーボンを含んだ導電性ゴム（例えば、クロロプレンゴムやニトリルゴム等）、カーボンを含んだスポンジ、或いはカーボンを含んだ樹脂を含んでいるため、反射すべきでないテラヘルツ波が効率的に吸収される。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。

＜５＞
本実施形態に係るテラヘルツ波ガイド装置の他の態様では、前記案内部は、前記テラヘルツ波を導光するレンズを含んでいる。

この態様によれば、出射されたテラヘルツ波は、案内部に含まれるレンズにより導光される。即ち、テラヘルツ波は、レンズに入射されることで案内される。なお、案内部はレンズを複数含んでいてもよい。

レンズに入射されたテラヘルツ波は集光又は拡散されることになるが、特にテラヘルツ波が拡散される場合には、その照射面が大きくなるため反射による不具合が発生し易い状況となる。しかるに本実施形態に係る案内部は、吸収部により反射すべきでないテラヘルツ波が吸収される。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。

＜６＞
上述の如く案内部がレンズを含む態様では、前記吸収部は、前記レンズを保持するレンズホルダを構成してもよい。

この場合、レンズを保持するレンズホルダが吸収部により構成されている（言い換えれば、吸収性能の高い材料でレンズホルダが構成されている）ため、レンズに入射されずにレンズホルダに照射されるテラヘルツ波を効果的に吸収できる。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。

＜７＞
或いは案内部がレンズを含む態様では、前記レンズを保持する透過性のレンズホルダを更に備え、前記吸収部は、前記レンズホルダの外側の面を少なくとも部分的に覆うように設けられていてもよい。

この場合、レンズに入射されずにレンズホルダに照射されるテラヘルツ波は、透過性のレンズホルダを透過して外側に向かい、レンズホルダの外側の面に設けられた吸収部によって吸収される。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。

＜８＞
上述の如くレンズを保持する透過性のレンズホルダを備える態様では、前記レンズホルダは、フッ素系樹脂、ポリアセタール樹脂、超高分子量ポリエチレン、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）樹脂、ＡＢＳ（Acrylonitrile butadiene styrene）樹脂、ＰＥＥＫ（ポリエーテル・エーテル・ケトン）、ＭＣ（Mono Cast）ナイロン、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂及びユニレート（ＰＥＴ樹脂が主原料）の少なくとも一つを含んでいてもよい。

この場合、レンズホルダが、テラヘルツ波に対する透過性の比較的高いフッ素系樹脂、超高分子量ポリエチレン、ＰＢＴ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＰＥＥＫ、ＭＣナイロン、ＰＰＳ樹脂、ユニレート及びポリアセタール樹脂のいずれか、或いはその組み合わせで構成される。このため、テラヘルツ波は、レンズホルダ自体で反射されることなく多くが外側に向かい、レンズホルダの外側の面に設けられた吸収部によって吸収される。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。

＜９＞
更に案内部がレンズを含む態様では、前記レンズを保持するレンズホルダを更に備え、前記吸収部は、前記レンズホルダの内側の面を少なくとも部分的に覆うように設けられていてもよい。

この場合、レンズに入射されずにレンズホルダに照射されるテラヘルツ波は、レンズホルダの内側の面に設けられた収部によって吸収される。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。

＜１０＞
本実施形態に係るテラヘルツ波ガイド装置の他の態様では、前記案内部は、照射された前記テラヘルツ波を少なくとも部分的に通過させる通過部材を更に備え、前記吸収部は、前記通過部材における前記テラヘルツ波を通過させる部分以外の部分に設けられている。

この態様によれば、出射されたテラヘルツ波は、その光路上に配置された通過部材に照射される。通過部材は、テラヘルツ波を少なくとも部分的に通過させる部材であり、例えばアパチャー、シャッター、波長板、偏光子等の光学部品や機構部品として構成される。

そして特に本態様では、吸収部が通過部材におけるテラヘルツ波を通過させる部分以外の部分に設けられている。このため、通過部材に照射されたテラヘルツ波のうち、通過させるべきでない（言い換えれば、案内すべきでない）テラヘルツ波を効果的に吸収できる。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。

＜１１＞
本実施形態に係るテラヘルツ波装置は、上述したテラヘルツ波ガイド装置（但し、その各種態様を含む）と、前記テラヘルツ波ガイド装置に前記テラヘルツ波を出射する出射手段、又は前記テラヘルツ波ガイド装置に案内されたテラヘルツ波を検出する検出手段とを備える。

本実施形態に係るテラヘルツ波装置によれば、上述したテラヘルツ波ガイド装置を備えるため、出射手段から出射されたテラヘルツ波は、反射を低減した状態で案内される。或いは、ガイド装置に入射されたテラヘルツ波は反射を低減した状態で検出手段まで案内される。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。

以下では、図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明する。なお、以下では、本発明のテラヘルツ波ガイド装置が、テラヘルツ波を利用して測定対象物の画像を取得するテラヘルツ波計測装置に適用された場合について説明する。

＜第１実施例＞
初めに、図１を参照しながら、第１実施例に係るテラヘルツ波計測装置１の構成について説明する。ここに図１は、第１実施例に係るテラヘルツ波計測装置の構成を示す概略図である。

図１において、第１実施例のテラヘルツ波計測装置１は、テラヘルツ波を測定対象物であるサンプル５００に照射すると共に、サンプル５００を透過したテラヘルツ波を検出する。

テラヘルツ波は、１テラヘルツ前後の周波数領域（つまり、テラヘルツ領域）に属する電磁波である。テラヘルツ領域は、光の直進性と電磁波の透過性を兼ね備えた周波数領域である。テラヘルツ領域は、様々な物質が固有の吸収スペクトルを有する周波数領域である。従って、テラヘルツ波計測装置１は、サンプル５００を透過した照射されたテラヘルツ波を利用して、サンプル５００のイメージング処理等を実行できる。

本実施例のテラヘルツ波計測装置１は、テラヘルツ波発生器１０１と、テラヘルツ波検出素子２０１と、レンズホルダ３１１及び３１２と、レンズ４１１、４１２、４１３及び４１４と、信号処理回路６００とを備えて構成されている。

テラヘルツ波発生器１０１は、本発明の「出射手段」の一例であり、例えば光伝導アンテナ（ＰＣＡ）や共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ）等のテラヘルツ波発生素子と、該テラヘルツ波発生素子からのテラヘルツ波の取り出し効率を向上させる半球レンズ等を含んで構成されている。

テラヘルツ波検出器２０１は、本発明の「検出手段」の一例であり、テラヘルツ波発生器１０１と同様に、例えば光伝導アンテナや共鳴トンネルダイオードとして構成されるテラヘルツ波検出素子もしくはショットキーバリアダイオード等と、検出面でのスポットを縮小させて検出されるテラヘルツ波の強度を高める半球レンズ等を含んで構成される。テラヘルツ波検出器２０１は、検出したテラヘルツ波の強度に応じた検出信号を信号処理回路６００に出力可能とされている。

レンズホルダ３１１は、レンズ４１１及び４１２を保持する部材として構成されている。レンズ４１１は、テラヘルツ波発生器１０１から入射されたテラヘルツ波をコリメートする機能を有している。レンズ４１２は、レンズ４１１でコリメートされたテラヘルツ波を集光して、サンプル５００に照射する機能を有している。

レンズホルダ３１２は、レンズ４１３及び４１４を保持する部材として構成されている。レンズ４１３は、サンプル５００において透過されたテラヘルツ波をコリメートする機能を有している。レンズ４１４は、レンズ４１３でコリメートされたテラヘルツ波を集光して、テラヘルツ波検出器２１０に照射する機能を有している。

信号処理回路６００は、テラヘルツ波検出器２０１において生成される検出信号を入力とし、入力された検出信号に対して各種処理を実行することで、テラヘルツ波が照射されたサンプル５００のイメージング処理を実行する。なお、イメージング処理については、既知の方法を適宜利用することができるため、ここでの詳細な説明は省略する。

以上説明したように、本実施例に係るテラヘルツ波計測装置１は、サンプル５００において透過されるテラヘルツ波を検出する、所謂透過型の計測装置である。ただし、テラヘルツ波計測装置１は、サンプル５００において反射されたテラヘルツ波を検出する、所謂反射型の計測装置として構成されてもよい。また、テラヘルツ波発生器１０１からサンプル５００の間に配置される光学部材と、サンプル５００からテラヘルツ波検出器２０１の間に配置される光学部材が部分的に共有される構成であってもよい。

本実施形態に係るテラヘルツ波計測装置１では特に、上述したレンズホルダ３１１及び３１２が、テラヘルツ波の吸収性能が高い材料で構成されている。即ち、第１実施形態に係るレンズホルダ３１１及び３１２自体が、本発明の「吸収部」の一例として構成されている。

以下では、図２を参照しながら、材料毎のテラヘルツ波の吸収性能について具体的に説明する。ここに図２は、吸収部を構成する材料別にテラヘルツ波の減衰率を示す表である。なお、表中の減衰率は、厚さ１０ｍｍの材料に周波数２７０ＧＨｚのテラヘルツ波を照射した場合の実験値である。

図２において、本願発明者の研究するところによれば、テラヘルツ波の吸収性能は、その材料によって大きく異なることが判明している。具体的には、フッ素系樹脂による減衰率は、−０．６ｄＢである。超高分子量ポリエチレンによる減衰率は、−５．７ｄＢである。ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）樹脂による減衰率は、−１１．９ｄＢである。ＡＢＳ（Acrylonitrile butadiene styrene）樹脂による減衰率は、−１５．３ｄＢである。ＰＥＥＫ（ポリエーテル・エーテル・ケトン）による減衰率は、−１５．６ｄＢである。ポリアセタールによる減衰率は、−１７．７ｄＢである。ＭＣ（Mono Cast）ナイロンによる減衰率は、−１７．９ｄＢである。ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂による減衰率は、−１９．４ｄＢである。ユニレート（ＰＥＴ樹脂が主原料）による減衰率は、−２２．４ｄＢである。布ベークによる減衰率は、−４１．７ｄＢである。紙ベークによる減衰率は、−４１．７ｄＢである。エポキシガラスによる減衰率は、−４３．２ｄＢである。導電性ゴム（クロロプレン）による減衰率は、＜−５０．０ｄＢである。導電性ゴム（ニトリル）による減衰率は、＜−５０．０ｄＢである。

以上のように、フッ素系樹脂がテラヘルツ波をほぼ透過させる性質を有しているのに対し、布ベーク、紙ベーク、エポキシガラス、及びカーボンを含む導電性ゴムは、テラヘルツ波をほぼ透過させない性質を有している。特に、エポキシガラスは減衰率が−４３．２ｄＢ、カーボンを含む導電性ゴムは減衰率が＜−５０．０ｄＢと、極めてテラヘルツ波に対する吸収性能が高い。よって、第１実施形態に係るレンズホルダ３１１及び３１２（即ち、吸収部）は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂（ベーク）或いはカーボンを含む導電性ゴムを含んで構成されることが好ましい。

図１に戻り、レンズホルダ３１１及び３１２が、テラヘルツ波に対する吸収性能の高い材料によって構成されると、テラヘルツ波発生器１０１から出射されたテラヘルツ波のうち、レンズホルダ３１１及び３１２の内壁面に照射されるテラヘルツ波が吸収される。即ち、レンズ４１１、４１２、４１３及び４１４に対して入射されないテラヘルツ波は、レンズホルダ３１１及び３１２で吸収される。

ここで仮に、レンズホルダ３１１及び３１２でテラヘルツ波が意図せず反射されると、反射光による干渉等が発生し、サンプル５００に照射される、或いはサンプル５００を透過したテラヘルツ波（即ち、検出すべきテラヘルツ波）に悪影響を与えてしまうおそれがある。具体的には、テラヘルツ波の波面が乱れることにより集光ビームのパターンが歪んだり、集光ビームの周りに不要なパターンが生ずることがある。このようなパターン歪みや不要なパターンの発生は、テラヘルツ波計測装置１において、イメージング画像の解像度悪化や像が２重になるゴーストの発生を招き、結果として画像品質を悪化させてしまう原因となる。

これに対し、本実施形態に係るテラヘルツ波計測装置１では、上述したようにレンズホルダ３１１及び３１２がテラヘルツ波に対する吸収性能の高い材料により構成されている。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することが可能である。

＜第２実施例＞
次に、図３を参照しながら、第２実施例に係るテラヘルツ波計測装置２の構成について説明する。ここに図３は、第２実施例に係るテラヘルツ波計測装置の構成を示す概略図である。なお、第２実施例は、上述した第１実施例と比べて一部の構成が異なるのみであり、その他の点については概ね同様である。このため、以下では既に説明した第１実施例と異なる部分について詳細に説明し、他の重複する部分については適宜説明を省略するものとする。

図３において、第２実施例に係るテラヘルツ波計測装置２では、レンズ４１１及び４１２が、フッ素系樹脂で構成されたレンズホルダ４５１に保持されている。また、レンズ４１３及び４１４も同様に、フッ素系樹脂で構成されたレンズホルダ４５２に保持されている。ここで、フッ素系樹脂は、図２を見ても分かるように、テラヘルツ波に対する吸収性能が低い（言い換えれば、テラヘルツ波の透過性が高い）材料である。よって、上述した第１実施例に係るレンズホルダ３１１及び３１２（図１参照）が、テラヘルツ波に対する吸収性能が高いものとして構成されていたのとは逆に、第２実施例に係るレンズホルダ４５１及び４５２は、テラヘルツ波の透過性が高いものとして構成されている。なお、レンズホルダ４５１及び４５２の材料としてのフッ素系樹脂はあくまで一例であり、テラヘルツ波の透過性が低過ぎない材料（言い換えれば、テラヘルツの減衰率が一定の基準よりも低い材料）であればよい。具体的には、フッ素系樹脂に代えてポリアセタール樹脂を用いてもよい。

また、第２実施例に係るテラヘルツ波計測装置２では特に、レンズホルダ４５１の外壁に吸収部材３２１が設けられている。同様に、レンズホルダ４５２の外壁に吸収部材３２２が設けられている。吸収部材３２１及び３２２は、本発明の「吸収部」の一例であり、テラヘルツ波の吸収性能が高い材料（例えば、エポキシ樹脂等）によって構成されている。

上述した構成によれば、レンズホルダ４５１及び４５２の内部に入射したテラヘルツ波のうち、レンズ４１１、４１２、４１３及び４１４に入射されずにレンズホルダ４５１及び４５２の内壁に照射されるテラヘルツ波は、透過性のレンズホルダ４５１及び４５２を透過して外側に向かう。そして、レンズホルダ４５１及び４５２を透過したテラヘルツ波は、レンズホルダ４５１及び４５２の外壁に設けられた吸収部材３２１及び３２２によって吸収される。

以上のように、第２実施例に係るテラヘルツ波計測装置２においても、第１実施例に係るテラヘルツ波計測装置１と同様に、検出すべきテラヘルツ波に悪影響を与えるおそれのあるテラヘルツ波が吸収される。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。

＜第３実施例＞
次に、図４を参照しながら、第３実施例に係るテラヘルツ波計測装置３の構成について説明する。ここに図４は、第３実施例に係るテラヘルツ波計測装置の構成を示す概略図である。なお、第３実施例は、上述した第１及び第２実施例と比べて一部の構成が異なるのみであり、その他の点については概ね同様である。このため、以下では既に説明した第１及び第２実施例と異なる部分について詳細に説明し、他の重複する部分については適宜説明を省略するものとする。

図４において、第３実施例に係るテラヘルツ波計測装置３では、レンズ４１１及び４１２が、金属で構成されたレンズホルダ４５１ｂに保持されている。また、レンズ４１３及び４１４も同様に、金属で構成された構成されたレンズホルダ４５２ｂに保持されている。即ち、第３実施例に係るレンズホルダ４５１ｂ及び４５２ｂは、第２実施例に係るレンズホルダ４５１及び４５２（図３参照）のように、テラヘルツ波に対する透過性の高い材料で構成されてはいない。ただし、レンズホルダ４５１ｂ及び４５２ｂを構成する材料は、特に限定されるものではない。

そして、第３実施例に係るテラヘルツ波計測装置２では特に、レンズホルダ４５１ｂの内壁に吸収部材３３１が設けられている。同様に、レンズホルダ４５２ｂの内壁に吸収部材３３２が設けられている。即ち、第３実施例に係る吸収部材３３１及び３３２は、第２実施例に係る吸収部材３２１及び３２２（図３参照）のように、レンズホルダ４５１及び４５２の外側に設けられるのではなく、レンズホルダ４５１ｂ及び４５２ｂの内側に設けられている。

上述した構成によれば、レンズホルダ４５１ｂ及び４５２ｂの内部に入射したテラヘルツ波のうち、レンズ４１１、４１２、４１３及び４１４に入射されずにレンズホルダ４５１ｂ及び４５２ｂの内壁に照射されるテラヘルツ波は、レンズホルダ４５１ｂ及び４５２ｂの外壁に設けられた吸収部材３３１及び３３２によって吸収される。

以上のように、第３実施例に係るテラヘルツ波計測装置３においても、第２実施例に係るテラヘルツ波計測装置２と同様に、検出すべきテラヘルツ波に悪影響を与えるおそれのあるテラヘルツ波が、吸収部材によって吸収される。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。

＜第４実施例＞
次に、図５を参照しながら、第４実施例に係るテラヘルツ波計測装置４の構成について説明する。ここに図５は、第４実施例に係るテラヘルツ波計測装置の構成を示す概略図である。なお、第４実施例は、上述した第１から第３実施例と比べて一部の構成が異なるのみであり、その他の点については概ね同様である。このため、以下では既に説明した第１から第３実施例と異なる部分について詳細に説明し、他の重複する部分については適宜説明を省略するものとする。

図５において、第４実施例に係るテラヘルツ波計測装置４では、レンズ４１２から出射されたテラヘルツ波の照射領域に、開口部を有するアパチャー７００が配置されている。アパチャー７００は、本発明の「通過部材」の一例であり開口部に照射されたテラヘルツ波を照射面とは反対側に出射する。

アパチャー７００から出射されたテラヘルツ波の照射領域には、レンズ４１５及び４１６が配置されている。レンズ４１５及び４１６は、金属製のレンズホルダ４５３ｂに保持されている。なお、レンズホルダ４５３ｂの内部にも、他のレンズホルダ４５１ｂ及び４５２ｂと同様に、テラヘルツ波の吸収性能が高い吸収部材３３３が設けられている。レンズ４１５に入射したテラヘルツ波は、コリメートされレンズ４１６に向けて出射される。レンズ４１６に入射したテラヘルツ波は、集光されてサンプル５００に向けて出射される。

第４実施例に係るテラヘルツ波計測装置４では特に、上述したアパチャー４００のテラヘルツ波が照射される面に、吸収部材３５０が設けられている。このような構成によれば、アパチャー７００に照射されるテラヘルツ波のうち、開口部を通過しないテラヘルツ波（言い換えれば、サンプル５００には照射されないテラヘルツ波）が、吸収部材３５０によって吸収される。

以上のように、第４実施例に係るテラヘルツ波計測装置３においては、レンズホルダ４５１ｂ、４５２ｂ、４５３ｂの内壁に設けられた吸収部材３３１、３３２及び３３３に加えて、アパチャー７００に設けられた吸収部材３５０によっても、検出すべきテラヘルツ波に悪影響を与えるおそれのあるテラヘルツ波が吸収される。従って、テラヘルツ波の意図せぬ反射に起因する不具合を効果的に防止することができる。

なお、上述した実施例では、「通過部材」の例としてアパチャー４００を挙げたが、アパチャー４００に代えて或いは加えて、シャッター、波長板及び偏光子等の光学部品や機構部品が配置されてもよい。この場合においても、各部材におけるテラヘルツ波を通過させない部分に吸収部材３５０を設けることで、案内すべきでないテラヘルツ波を好適に吸収できる。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴うテラヘルツ波ガイド装置、及びテラヘルツ波装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

１，２，３，４テラヘルツ波計測装置
１０１テラヘルツ波発生器
２０１テラヘルツ波検出器
３１１，３１２，４５１，４５２，４５３レンズホルダ
３２１，３２２，３３１，３３２，３３３，３５０吸収部材
４１１，４１２，４１３，４１４，４１５，４１６レンズ
５００サンプル
６００信号処理回路
７００アパチャー

Claims

出射されたテラヘルツ波を案内する案内部と、
前記案内部の前記テラヘルツ波が照射される面に設けられており、前記テラヘルツ波の少なくとも一部を吸収する吸収部と
を備えることを特徴とするテラヘルツ波ガイド装置。
前記吸収部は、樹脂材料を含んでいることを特徴とする請求項１に記載のテラヘルツ波ガイド装置。
前記吸収部は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の少なくとも１つを含んでいることを特徴とする請求項２に記載のテラヘルツ波ガイド装置。
前記吸収部は、カーボンを含んだ導電性ゴム、スポンジ及び樹脂の少なくとも一つを含んでいることを特徴とする請求項１に記載のテラヘルツ波ガイド装置。
前記案内部は、前記テラヘルツ波を導光するレンズを含んでいることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のテラヘルツ波ガイド装置。
前記吸収部は、前記レンズを保持するレンズホルダを構成していることを特徴とする請求項５に記載のテラヘルツ波ガイド装置。
前記レンズを保持する透過性のレンズホルダを更に備え、
前記吸収部は、前記レンズホルダの外側の面を少なくとも部分的に覆うように設けられている
ことを特徴とする請求項５に記載のテラヘルツ波ガイド装置。
前記レンズホルダは、フッ素系樹脂、ポリアセタール樹脂、超高分子量ポリエチレン、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）樹脂、ＡＢＳ（Acrylonitrile butadiene styrene）樹脂、ＰＥＥＫ（ポリエーテル・エーテル・ケトン）、ＭＣ（Mono Cast）ナイロン、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂及びユニレート（ＰＥＴ樹脂が主原料）の少なくとも一つを含んでいることを特徴とする請求項７に記載のテラヘルツ波ガイド装置。
前記レンズを保持するレンズホルダを更に備え、
前記吸収部は、前記レンズホルダの内側の面を少なくとも部分的に覆うように設けられている
ことを特徴とする請求項５に記載のテラヘルツ波ガイド装置。
前記案内部は、照射された前記テラヘルツ波を少なくとも部分的に通過させる通過部材を更に備え、
前記吸収部は、前記通過部材における前記テラヘルツ波を通過させる部分以外の部分に設けられている
ことを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載のテラヘルツ波ガイド装置。
請求項１から１０のいずれか一項に記載のテラヘルツ波ガイド装置と、
前記テラヘルツ波ガイド装置に前記テラヘルツ波を出射する出射手段、又は前記テラヘルツ波ガイド装置に案内されたテラヘルツ波を検出する検出手段と
を備えることを特徴とするテラヘルツ波装置。