JP2015138008A - 放射線撮影装置、放射線撮影システム - Google Patents

Abstract

【課題】平面検出器を用いた放射線撮影装置において、撓みが発生しても基板どうしの接触による破損を回避し、基板間の画質に影響を及ぼさないようにする。
【解決手段】放射線撮影装置１００は、複数の光電変換素子基板２０２と、これら複数の光電変換素子基板２０２を第１表面２０６に支持するベース２０５と、光電変換素子基板２０２のベース２０５の側とは反対側の面に設けられるシンチレータ２０１と、を含む平面検出器２００と、この平面検出器２００が内部に配置される筺体１０１とを有し、さらに、第１表面２０６に垂直な方向から見た平面視において隣接した光電変換素子基板２０２によって形成される全ての隙間領域と隙間領域に隣接する光電変換素子基板２０２の一部とに重畳して配置され、平面検出器２００の一部を補強する補強部材１０５を有する。
【選択図】図２

Description

本発明は、放射線撮影装置、放射線撮影システムに関する。特には、光電変換素子基板を配列して貼り合わせた平面検出器を用いた放射線撮影装置と、この放射線撮影装置を有する放射線撮影システムに関する。

放射線撮影装置には、放射線を光に変換するシンチレータと、この光を電気信号に変換する複数の光電変換素子が設けられる光電変換素子基板と、を有する間接型撮影装置がある。このような放射線撮影装置において、胸部や腹部等の撮影など、一回の放射線照射で広範囲の撮影を行うためには、有効撮影領域を広くする必要がある。また、高い診断能を有する放射線画像を取得するためには、高解像度や低ノイズ等が求められる。

ガラス基板上にアモルファスシリコンからなる半導体を用いた放射線撮影装置は、有効撮影領域を大きくとることは可能である。しかしながら、画素サイズの微細化はデバイス特性上困難である。一方、ＣＭＯＳ等のシリコン基板からなる光電変換素子を用いた放射線撮影装置は、画素サイズの微細化が可能であり、高感度、低ノイズ、高速駆動が可能である。しかしながら、有効撮影領域を大きくとることはプロセス上困難である。そこで、光電変換素子基板を平面的に配列して貼り合わせる方法が用いられている。このとき、貼り合わせる光電変換素子基板サイズのバラツキや、貼り合わせ位置のバラツキが発生することから、光電変換素子基板どうしの間に、ある程度の隙間を設ける必要がある。しかしながら、この隙間が変形すると、取得する放射線画像の画質劣化や、光電変換素子基板どうしの接触による破損が発生する可能性がある。このため、光電変換素子基板間の隙間を画質に影響しない程度に小さくし、かつ、外力等による撓みが発生した場合でも隙間部分の変形を抑制することが求められる。さらに、従来の医用撮影用カセッテを搭載する撮影架台等の放射線機械装置をそのまま利用したり、可搬性を向上したりするために医用撮影用カセッテ寸法の規格（例えばＩＳＯ４０９０）に準拠できるような放射線撮影装置の薄型化や軽量化が求められる。

特許文献１には、有効撮影領域を大面積化する構成として、複数の光電変換素子基板が平面的に配列されて貼り合わせられた平面検出器について記載されている。また、特許文献２には、光電変換素子基板の破損を防止する構成として、光電変換素子基板と波長変換体（シンチレータ）とが複数個のスペーサを有する接着剤で固定され、このスペーサが光電変換素子基板どうしの間の隙間に入ることができる構成が開示されている。このほか、平面検出器の外力等による撓みに対する破損などを防止する構成として、複数の光電変換素子基板を平面的に配列して貼り合わせるベースの板厚を厚くする構成がある。

特許第３５３１９０８号公報 特開２００６−２７８８７７号公報

しかしながら、特許文献１には、貼り合わせた平面検出器の撓みによる光電変換素子基板どうしの接触や、画質へのリスクを考慮した構成については、何ら記載が無い。また、特許文献２に記載の構成では、スペーサに比較的硬度の低い材質のものを用いるため、貼り合わせられた平面検出器が外力等により撓んだ場合において、この光電変換素子基板どうしの間の隙間を一定にすることが困難である。一方、このスペーサに比較的硬度の高い材質のものを用いると、光電変換素子基板どうしの間の隙間が圧縮された場合に、光電変換素子基板とスペーサが接触し破損する可能性がある。また、ベースの板厚を一律に厚くすると、放射線撮影装置の厚さや重量が増加する。そこで、本発明の課題は、光電変換素子基板を配列して貼り合わせた平面検出器を用いた放射線撮影装置において、薄型・軽量であり、撓みが発生しても基板どうしの接触による破損を回避し、基板間の画質に影響を及ぼさない撮影装置を提供することである。

上述の課題を解決するために本発明は、複数の光電変換素子が配列された矩形の複数の光電変換素子基板と、複数の前記光電変換素子基板を第１表面に支持するベースと、前記光電変換素子基板の前記ベースの側とは反対側の面に設けられ、放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換するシンチレータと、を含む平面検出器が、筺体の内部に設けられる放射線撮影装置であって、前記第１表面に垂直な方向から見た平面視において隣接した前記光電変換素子基板の間の間隔である隙間領域と前記隙間領域に隣接する前記隙間領域を含む前記平面検出器の一部を補強する補強部材を有することを特徴とする。

本発明によれば、光電変換素子基板を配列して貼り合わせた平面検出器を用いた放射線撮影装置において、薄型・軽量であり、撓みが発生しても基板どうしの接触による破損を回避し、画質に影響を及ぼさない撮影装置提供することが可能となる。

第１と第３の実施形態に係る放射線撮影装置内部の内部構成を模式的に示す斜視図である。 第１の実施形態に係る放射線撮影装置の断面構成を模式的に示す断面図である。 第１の実施形態に係る放射線撮影装置の内部構成を模式的に示す平面図である。 本発明の第２の実施例における放射線撮影装置内部の平面検出器の配置状態を模式的に示す斜視図である。 本発明の第２の実施例における放射線撮影装置の内部構造を模式的に示す断面図である。 本発明の第３の実施例における放射線撮影装置の内部構造を模式的に示す断面図である。 放射線撮影システムの構成例を模式的に示す図である。

以下に、本発明を実施するための形態を、図面を参照して詳細に説明する。本発明は、プロセス上有効撮影領域を大きくとることが困難な光電変換素子を配列したシリコン基板であるＣＭＯＳ構造の光電変換素子基板を有する放射線撮影装置に対して好適である。

（第１の実施形態）
図１は、第１と第３の実施形態に係る放射線撮影装置１００の内部構成を模式的に示す斜視図であり、平面検出器２００の配置状態を模式的に示す図である。図２は、第１の実施形態に係る放射線撮影装置１００の断面構成を模式的に示す図であり、図１のＡ−Ａ’線断面図である。図３は、第１の実施形態に係る放射線撮影装置１００の内部構成を模式的に示す平面図であり、ベース２０５の光電変換素子基板２０２が支持される第１表面２０６に垂直な方向から見た図である。図１に示すように、放射線撮影装置１００は、筺体１０１と、この筺体１０１の内部に配置される平面検出器２００および制御部１０３と、を含んで構成される。各図において、矢印Ｒは、放射線撮影装置１００に照射される放射線を模式的に示す。筺体１０１には、外部から放射線が照射される（放射線が入射する）放射線照射面１０２が設けられる。次に、図２に示すように、平面検出器２００は、シンチレータ２０１と、光電変換素子基板２０２と、フレキシブル回路基板２０３と、接着層２０４と、ベース２０５と、封止材２０８を含んで構成される。なお、図１においては、シンチレータ２０１と、制御部１０３と、フレキシブル回路基板２０３の一部とを省略してある。そして、図２に示すように、平面検出器２００は、筺体１０１の放射線照射面１０２の側から順に、シンチレータ２０１と、複数の光電変換素子基板２０２と、ベース２０５とが、積層するように配置されている。シンチレータ２０１は、放射線Ｒを、光電変換素子基板２０２の光電変換素子が感知可能な光に変換する。光電変換素子基板２０２は矩形に形成されており、複数の光電変換素子（図略）が平面的に配列されている。光電変換素子基板２０２は、ＣＭＯＳ構造を有する基板が適用される。ベース２０５は、複数の光電変換素子基板２０２を支持する。制御部１０３は、光電変換素子基板２０２の駆動を制御する。フレキシブル回路基板２０３は、光電変換素子基板２０２と制御部１０３とを信号を送受信可能に接続する。

ここで、複数の光電変換素子基板２０２の支持構造について説明する。複数の光電変換素子基板２０２は、平面状に配列された状態で、接着層２０４によってベース２０５の第１表面２０６（第１の実施形態では、筺体１０１の放射線照射面１０２の側の面）に貼り合わせられている。複数の光電変換素子基板２０２どうしの間には、ある程度の隙間が設けられる。この接着層２０４は、比較的硬度の低い接着剤または粘着材が適用される。なお、各図では、９枚の光電変換素子基板２０２が平面的に配列される構成を示すが、光電変換素子基板２０２の数は限定されるものではない。このような構成により、光電変換素子基板２０２とベース２０５の接触による破損や、光電変換素子基板２０２とベース２０５の熱膨張率の違いによる影響を抑制できる。また、ベース２０５の側面または角部周辺には、検出器支持部材１０４が設けられる。そして、平面検出器２００は、検出器支持部材１０４によって、筺体１０１に対して位置合わせされた状態に固定される。

このような構成は、光電変換素子基板２０２が、プロセス上有効撮影領域を大きくとることが困難な光電変換素子が配列されたＣＭＯＳ構造のシリコン基板である場合に好適である。そして、ベース２０５の材質は、光電変換素子基板２０２がシリコン基板であれば、熱膨張率がシリコンに比較的近いカーボンまたはガラスが適用される。すなわち、第１の実施形態では、接着層２０４によって、光電変換素子基板２０２に熱膨張の影響を与えにくい構造になっている。しかしながら、光電変換素子基板２０２とベース２０５との熱膨張率の差が大きいと、影響を吸収しきれなくなってしまう。また、ベース２０５にはある程度の剛性が必要である。そこで、ベース２０５を、光電変換素子基板２０２と熱膨張率が同じかまたは近い材料から形成することにより、熱膨張率の差に起因する影響を防止または抑制する。

制御部１０３は、ベース２０５の第１表面２０６とは反対側の第２表面２０７の側に設けられる。そして、光電変換素子基板２０２から制御部１０３までフレキシブル回路基板２０３を通すため、ベース２０５と接着層２０４には、部分的なスリット２１０（厚さ方向に貫通する貫通孔）が形成される。スリット２１０にフレキシブル回路基板２０３を通した状態で、少なくともベース２０５のスリット２１０の一部は、遮光性を有する封止材２０８で封止される。封止材２０８によって、外部から光電変換素子に光が入射することを防ぐと共に、フレキシブル回路基板２０３を固定することができる。

さらに、光電変換素子基板２０２どうしの間の隙間領域における撓みを抑制するため、平面検出器２００を部分的に補強する（一部を補強する）補強部材１０５が、ベース２０５の第２表面２０７に固定される。図２に示すように第２表面２０７は、ベース２０５の表面のうち、光電変換素子基板２０２とは反対側の表面である。このように、補強部材１０５は、筺体１０１の放射線照射面１０２から、光電変換素子が設けられる光電変換素子基板２０２よりも遠い側に設けられる。補強部材１０５は、光電変換素子基板２０２より曲げ剛性が大きい。また、補強部材１０５は、光電変換素子より筺体１０１の放射線照射面１０２から遠い側に配置される。これにより、光電変換素子に入射するシンチレータ２０１の光や放射線Ｒ自体が遮蔽されることを防ぐ。また、補強部材１０５は、ベース２０５に対して、溶着、溶接、比較的硬度が高く接着力が強い接着剤等によって、強固に固定される。これにより、光電変換素子基板２０２を補強する効果を高める。なお、補強部材１０５は、ベース２０５に対して強固に固定するため、熱膨張の影響を考慮するとベース２０５と同一材質であることが好ましい。また、補強部材１０５がベース２０５と別部材である構成に限定されるものではない。たとえば、補強部材１０５と同等の構造物が、ベース２０５の表面にベース２０５と同一材料から一体構造に形成される構成であってもよい。補強部材１０５と同等の構造物を形成する方法としては、例えば、切削加工や化学加工等が適用できる。そして、このような構成によれば、別部材として固定する構成に比較して、補強の効果を高めることができる。また、補強部材１０５が光電変換素子基板２０２より曲げ剛性が大きいと、平面検出器２００に全体的な曲げ変形が発生した場合に、光電変換素子基板２０２どうしの間の隙間領域以外において変形は発生するが、隙間領域での曲げ変形を抑制できる。

一方、筺体１０１の内壁面のうち、放射線照射面１０２の天板と対向する底板の内壁面（換言すると、補強部材１０５に対向する底板の内壁面）には、内壁凸部１０６が設けられる。内壁凸部１０６は、第１表面２０６を垂直方向から見た平面視において補強部材１０５に対応する位置（重畳する位置）に設けられる。内壁凸部１０６は、内壁面側に突出する突起状の構造物であり、例えば第１表面２０６を垂直方向から見た平面視において、補強部材１０５と同じまたは近似する形状および寸法に形成される。そして、補強部材１０５と内壁凸部１０６とは、緩衝材１０７を介して接触するように接合される。このような構成により、補強部材１０５と筺体１０１の構造全体で、外力による平面検出器２００の撓みを抑制できる。ただし、筺体１０１の底板の内壁面に、内壁凸部１０６が形成されず、補強部材１０５が緩衝材１０７を介して筺体１０１の底板の内壁面に接合される構成であってもよい。

ベース２０５の第１表面２０６を垂直方向から見た平面視において、補強部材１０５は、隣接する光電変換素子基板２０２どうしの間の全ての隙間領域と、隙間領域に隣接する光電変換素子基板２０２の一部とに重畳する位置に配置される。図３においては、ドットが施される領域が、補強部材１０５が配置される領域である。これによって、ベース２０５の全体を一律に厚くする構成に比較して軽量化を図りつつ、隣接する光電変換素子基板２０２どうしの間の隙間領域における曲げ変形を抑制できる。さらに、図３に示すように、補強部材１０５が格子状のリブ形状に配置される構成であると、補強の効果を高めることができる。また、第１表面２０６を垂直方向から見た平面視において、補強部材１０５が光電変換素子基板２０２の外周縁の一部に重畳する。このような構成であると、平面検出器２００に外力が加わった際に、光電変換素子基板２０２とその隙間領域の境目に応力が集中することを防止できる。

また、制御部１０３は、第１表面２０６を垂直方向から見た平面視において補強部材１０５と重畳しない位置に配置される。このような構成であると、制御部１０３は、補強部材１０５に対して厚さ方向に逃げる必要が無いため、筺体１０１の薄型化を図ることができる。なお、各々の制御部１０３は、制御部１０３どうしの間で通信するために、フレキシブルフラットケーブル１０８により互いに接続される。そこで、補強部材１０５または内壁凸部１０６の一部に凹みを設けることで、フレキシブルフラットケーブル１０８を通すことができる。

第１の実施形態によれば、放射線撮影装置１００の薄型化と軽量化を図ることができ、撓みが発生した場合であっても、光電変換素子基板２０２どうしの接触による破損を回避し、かつ、画質に影響を及ぼさないようにできる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。図４は、第２の実施形態に係る放射線撮影装置１００の内部構成を模式的に示す斜視図であり、平面検出器２００の配置状態を模式的に示す図である。図５は、第２の実施形態に係る放射線撮影装置１００の内部構成を模式的に示す断面図であり、図４のＢ−Ｂ’線断面図である。なお、第１の実施形態と共通の構成については同じ符号を付し、説明は省略する。

図４においては、筺体１０１と、光電変換素子基板２０２と、ベース２０５と、フレキシブル回路基板２０３の一部のみとを示し、他は省略してある。平面検出器２００は、筺体１０１の放射線照射面１０２の側から順に、ベース２０５と、光電変換素子基板２０２と、シンチレータ２０１とが積層するように配置される。なお、第２の実施形態では、ベース２０５の第１表面２０６は、筺体１０１の放射線照射面１０２の反対側の面となる。また、図５に示すように、平面検出器２００は、少なくとも、シンチレータ２０１と、光電変換素子基板２０２と、フレキシブル回路基板２０３と、接着層２０４と、ベース２０５と、封止材２０８と、シンチレータ保護板２０９とを含む。制御部１０３は、シンチレータ保護板２０９のシンチレータ２０１と反対側の面に設けられる。

シンチレータ保護板２０９は、シンチレータ２０１を保護する機能を有する。また、シンチレータ保護板２０９は、平面検出器２００全体の剛性に影響する。このため、シンチレータ保護板２０９は、カーボンやアルミニウムなどといった、比剛性が比較的高い材料により形成される。シンチレータ２０１とシンチレータ保護板２０９には、光電変換素子基板２０２から制御部１０３にフレキシブル回路基板２０３を通すため、部分的なスリット２１０が形成される。なお、シンチレータ２０１に形成されるスリット２１０の幅は、隣接する光電変換素子基板２０２の有効撮影画素間の距離より小さくする。スリット２１０の幅がこのような幅であると、光電変換素子基板２０２の全ての有効撮影画素にシンチレータ２０１の光が入射するため、画質の劣化が生じない。また、フレキシブル回路基板２０３を通した後に、シンチレータ２０１のスリット２１０全体と、シンチレータ保護板２０９のスリット２１０の少なくとも一部は、遮光性を有する封止材２０８で封止される。この封止材２０８によって外部からの光が光電変換素子に入射することを防ぎ、シンチレータ２０１が外部環境から保護されると共に、フレキシブル回路基板２０３が固定される。また、スリット２１０間でシンチレータ２０１の光が伝搬することを防ぐことができる。シンチレータ保護板２０９の側面または角部周辺には、検出器支持部材１０４が設けられる。平面検出器２００は、検出器支持部材１０４によって、筺体１０１に対して位置合わせや固定がなされる。

さらに、隣接する光電変換素子基板２０２どうしの間の隙間領域における撓みを抑制するため、平面検出器２００を部分的に補強する補強部材１０５が、シンチレータ保護板２０９のシンチレータ２０１の側とは反対側の表面に固定される。補強部材１０５は、シンチレータ保護板２０９に対して、溶着、溶接、比較的硬度が高く接着力が強い接着剤等によって、強固に固定される。これにより、補強の効果を高めることができる。補強部材１０５は、シンチレータ保護板２０９に強固に固定されるため、熱膨張の影響を考慮すると、シンチレータ保護板２０９と同一材質からなることが望ましい。また、補強部材１０５は、シンチレータ保護板２０９と別部材でなくてもよく、シンチレータ保護板２０９に、シンチレータ保護板２０９と同一材料から一体構造に形成される構成であってもよい。たとえば、シンチレータ保護板２０９の表面に、切削加工や化学加工等によって、補強部材１０５と同等の構造物を一体構造に形成する構成であってもよい。このような構成によれば、補強部材１０５がシンチレータ保護板２０９と別部材である構成と比較して、補強の効果を高めることができる。そして、シンチレータ保護板２０９の補強部材１０５は、緩衝材１０７を介して内壁凸部１０６に接触するように固定される。なお、筺体１０１の底板の内壁面に内壁凸部１０６が形成されず、補強部材１０５が筺体１０１の底板の内壁面に緩衝材１０７を介して接合される構成であってもよい。第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を奏することができる。

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。図６は、第３の実施形態における放射線撮影装置１００の断面構成を模式的に示す図であり、図１のＡ−Ａ’線断面図に相当する図である。平面検出器２００の構成は、第１の実施形態と同等である。第１の実施形態と共通の構成には同じ符号を付し、説明は省略する。第３の実施形態は、平面検出器２００と制御部１０３を支持するための支持基台１０９が用いられる形態である。そして、第３の実施形態は、ベース２０５の材質にガラス等といった高い脆性を有するものを用いる場合や、重量・装置厚さの関係からベース２０５に十分な剛性が無い場合に好適な形態である。支持基台１０９は、一方の表面において平面検出器２００を支持し、その反対側の表面において制御部１０３も支持する。このため、支持基台１０９には剛性が必要である。そこで、剛性を確保するため、支持基台１０９は、アルミニウムやステンレス等の金属材料から形成されることが好ましい。平面検出器２００と支持基台１０９とは、フォーム材等の緩衝性を有する基材を用いた接合ダンパ材１１０で接着されて固定される。接合ダンパ材１１０によって、筺体１０１にかかる振動・衝撃を、平面検出器２００に伝わりにくくできる。さらに、支持基台１０９の熱膨張による影響をベース２０５に伝わりにくくできる。

なお、光電変換素子基板２０２から制御部１０３までフレキシブル回路基板２０３を通すため、接着層２０４とベース２０５、接合ダンパ材１１０、支持基台１０９に部分的なスリット２１０が設けられる。そして、スリット２１０の少なくとも一部には、フレキシブル回路基板２０３が通された後、遮光性を有する封止材２０８で封止される。封止材２０８によって、外部からの光が光電変換素子に入射することを防ぐと共に、フレキシブル回路基板２０３を固定することができる。支持基台１０９は、その側面または角部周辺に検出器支持部材１０４が設けられる。平面検出器２００は、検出器支持部材１０４によって、筺体１０１に対して位置合わせや固定がなされる。さらに、隣接する光電変換素子基板２０２どうしの間の隙間領域における撓みを抑制するため、平面検出器２００を部分的に補強する補強部材１０５が、支持基台１０９の平面検出器２００の側と反対側の表面に固定される。補強部材１０５は、溶着や、溶接や、比較的硬度が高く接着力が強い接着剤等によって、支持基台１０９に強固に固定される。これにより補強の効果を高めることができる。なお、補強部材１０５は、支持基台１０９に強固に固定するため、熱膨張の影響を考慮すると、支持基台１０９と同一材質であることが望ましい。また、補強部材１０５は、支持基台１０９と別部材でなくてもよく、支持基台１０９に、支持基台１０９と同一材料から一体構造に形成される構成であってもよい。例えば、支持基台１０９の表面を切削加工や化学加工等によって、補強部材１０５と同等の構造物を支持基台１０９と同一材料から一体構造に形成してもよい。このような構成であると、別部材として固定する構成に比較して、補強の効果を高めることができる。そして、支持基台１０９の補強部材１０５は、緩衝材１０７を介して内壁凸部１０６に接触するように固定される。なお、筺体１０１の底板の内壁面に内壁凸部１０６が形成されず、補強部材１０５が筺体１０１の底板の内壁面に緩衝材１０７を介して接合される構成であってもよい。第３の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を奏することができる。

（応用実施形態）
次に、本発明の各実施形態に係る放射線撮影装置１００を用いた放射線撮影システム６０００について、図７を参照して説明する。図７は、本発明の各実施形態に係る放射線撮影装置１００を用いた放射線撮影システム６０００の構成例を模式的に示す図である。放射線源であるＸ線チューブ６０５０から出射された放射線Ｒ（Ｘ線）は、患者あるいは被検者６０６１の胸部６０６２を透過し、放射線撮影装置１００に含まれる各光電変換素子に入射する。この入射した放射線Ｒには被検者６０６１の体内部の情報が含まれている。放射線の入射に対応して変換部で放射線Ｒを電荷に変換して、電気的情報を得る。この情報はデジタルデータに変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室の表示手段となるディスプレイ６０８０で観察できる。また、この情報は電話回線６０９０等の伝送処理手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなど表示手段となるディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディスク等の記録手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また記録手段となるフィルムプロセッサ６１００により記録媒体となるフィルム６１１０に記録することもできる。

以上、発明を実施するための形態について説明したが、本発明はこれらの形態に限定されないことは言うまでもなく、その要旨の範囲内での種々の変形及び変更が可能である。

本発明は、光電変換素子基板を配列して貼り合わせた平面検出器を用いた放射線撮影装置に好適な技術である。そして、本発明によれば、放射線撮影装置の薄型化および軽量化を図ることができ、撓みが発生した場合に、基板どうしの接触による破損の回避と画質への影響の防止を図ることができる。

１００：放射線撮影装置、１０１：筺体、１０２：放射線照射面、１０３：制御部、１０４：検出器支持部材、１０５：補強部材、１０６：内壁凸部、１０７：緩衝材、１０８：フレキシブルフラットケーブル、１０９：支持基台、１１０：接合ダンパ材、２００：平面検出器、２０１：シンチレータ、２０２：光電変換素子基板、２０３：フレキシブル回路基板、２０４：接着層、２０５：ベース、２０６：第１表面、２０７：第２表面、２０８：封止材、２０９：シンチレータ保護板、Ｒ：放射線

Claims (15)

1. 複数の光電変換素子が配列された矩形の複数の光電変換素子基板と、複数の前記光電変換素子基板を第１表面に支持するベースと、前記光電変換素子基板の前記ベースの側とは反対側の面に設けられ、放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換するシンチレータと、を含む平面検出器が、筺体の内部に設けられる放射線撮影装置であって、
   前記第１表面に垂直な方向から見た平面視において隣接した前記光電変換素子基板の間の隙間である隙間領域と前記隙間領域に隣接する前記光電変換素子基板の一部とに重畳して配置され、前記隙間領域を含む前記平面検出器の一部を補強する補強部材を有することを特徴とする放射線撮影装置。
2. 前記補強部材は前記光電変換素子より前記筺体の放射線が照射される放射線照射面から遠い位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮影装置。
3. 前記平面検出器は、前記筺体の放射線が照射される放射線照射面に近い側から順に、前記シンチレータ、前記光電変換素子基板、前記ベースの順になるように前記筺体の内部に配置されており、
   前記補強部材は、前記ベースの第１表面とは反対側の第２表面に固定されることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線撮影装置。
4. 前記平面検出器は、前記筺体の放射線が照射される放射線照射面に近い側から順に、前記ベース、前記光電変換素子基板、前記シンチレータの順になるように前記筺体の内部に配置されており、
   前記平面検出器には、前記シンチレータの前記光電変換素子基板に近い側とは反対側の面に前記シンチレータを保護するシンチレータ保護板がさらに設けられており、
   前記補強部材は、前記シンチレータ保護板のシンチレータの側とは反対側の表面に固定されることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線撮影装置。
5. 前記筺体の内部には、前記光電変換素子基板の駆動を制御する制御部と、前記光電変換素子基板と前記制御部を接続するフレキシブル回路基板と、前記平面検出器と前記制御部とを支持する支持基台とが更に配置されており、
   前記補強部材は、前記支持基台に固定されることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線撮影装置。
6. 前記補強部材は、前記光電変換素子基板より曲げ剛性が大きいことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の放射線撮影装置。
7. 前記筺体の内部には、前記光電変換素子基板の駆動を制御する制御部と、前記光電変換素子基板と前記制御部を接続するフレキシブル回路基板とがさらに配置されており、
   前記制御部は、前記第１表面に垂直方向から見た平面視において、前記補強部材と重畳しない位置に配置されることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の放射線撮影装置。
8. 前記補強部材は、前記ベースと同一材料からなる一体構造であることを特徴とする請求項３に記載の放射線撮影装置。
9. 前記補強部材は、前記シンチレータ保護板と同一材料からなる一体構造であることを特徴とする請求項４に記載の放射線撮影装置。
10. 前記補強部材と、前記補強部材が固定される前記支持基台と同一材料からなる一体構造であることを特徴とする請求項５に記載の放射線撮影装置。
11. 前記補強部材は、前記筺体の前記放射線照射面の側の天板と対向する底板の内壁と接触することを特徴とする請求項３から５のいずれか１項に記載の放射線撮影装置。
12. 前記筺体の前記補強部材と対向する底板の内壁には凸部が設けられ、前記補強部材は、前記凸部と接触することを特徴とする請求項３から５のいずれか１項に記載の放射線撮影装置。
13. 前記補強部材と、前記底板の内壁または前記凸部の間に緩衝材が配置されることを特徴とする請求項１２に記載の放射線撮影装置。
14. 前記光電変換素子基板は、ＣＭＯＳ構造であることを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載の放射線撮影装置。
15. 請求項１から１４のいずれか１項に記載の放射線撮影装置と、
    前記放射線撮影装置によって得られた信号を処理する信号処理手段と、
    を備えることを特徴とする放射線撮影システム。

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