JP2015129702A - 半導体試験治具、試験方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、縦型半導体チップの特定部分に電流が集中することを回避できる半導体試験治具及び試験方法を提供することを目的とする。【解決手段】凹部を有する導電性の材料で形成されたベース板と、該凹部に設けられた、絶縁体で形成された絶縁部品と、絶縁体で形成された複数の枠が格子状に設けられ、該ベース板を複数のチップ設置部に区切るように該ベース板に固定された枠体と、を備え、該複数のチップ設置部は、それぞれ、平面視で該ベース板が露出した導電部と、該絶縁部品が露出した絶縁部と、を有し、該枠体のうち、平面視で該絶縁部と接する部分に該ベース板を露出させる貫通孔が形成されたことを特徴とする。【選択図】図１

Description

本発明は、複数の縦型半導体チップの試験に用いられる半導体試験治具、及びその半導体試験治具を用いた試験方法に関する。

特許文献１には、複数のＩＣパッケージを試験中一括して取り扱える半導体搬送トレイ、及びその半導体搬送トレイを用いた検査装置が開示されている。特許文献１の検査装置の検査対象となるＩＣパッケージは、ウエハから切り出された１個以上のベアチップを搭載した状態でパッケージ化された、底面に凸状接触電極を有するものである。

特開２００６−２９２７２７号公報 特開２００８−４７３９号公報 特開２０１０−２７６４７７号公報

特許文献１に開示の検査装置では、上面電極と下面電極の間に縦方向に電流を流す縦型半導体チップの電気的特性を測定することができない。複数の縦型半導体チップを搭載でき、かつ縦型半導体チップ内の特定部分に電流が集中することなく縦型半導体チップの電気的特性を測定できる半導体試験治具、及びその試験治具を用いた試験方法が待望されていた。

本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、縦型半導体チップの特定部分に電流が集中することを回避できる半導体試験治具及び試験方法を提供することを目的とする。

本願の発明に係る半導体試験治具は、凹部を有する導電性の材料で形成されたベース板と、該凹部に設けられた、絶縁体で形成された絶縁部品と、絶縁体で形成された複数の枠が格子状に設けられ、該ベース板を複数のチップ設置部に区切るように該ベース板に固定された枠体と、を備え、該複数のチップ設置部は、それぞれ、平面視で該ベース板が露出した導電部と、該絶縁部品が露出した絶縁部と、を有し、該枠体のうち、平面視で該絶縁部と接する部分に該ベース板を露出させる貫通孔が形成されたことを特徴とする。

本願の発明に係る試験方法は、導電性の材料で形成されたベース板と、該ベース板に固定された絶縁体で形成された絶縁部品と、該ベース板を、平面視で該ベース板が露出した導電部と該絶縁部品が露出した絶縁部を有するチップ設置部が複数形成されるように区切る、絶縁体で形成された枠体と、を備える半導体試験治具の該導電部と該絶縁部に、上面電極と下面電極を有する縦型半導体チップの該下面電極を接触させる工程と、該半導体試験治具をステージにのせる工程と、該枠体のうち平面視で該絶縁部と接する部分に該ベース板を露出させるように設けられた貫通孔に第１プローブをとおして該第１プローブを該ベース板にあてつつ、第２プローブを該導電部の直上の該上面電極と該絶縁部の直上の該上面電極にあてて、該縦型半導体チップの電気的特性を測定する工程と、を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、ベース板に絶縁部品を設けて縦型半導体チップの電流経路を調整するため、縦型半導体チップの特定部分に電流が集中することを回避できる。

本発明の実施の形態１に係る半導体試験治具の平面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ破線における断面図である。 ステージの斜視図である。 測定器の斜視図である。 チップ設置部へ縦型半導体チップを設置したことを示す図である。 縦型半導体チップをのせた半導体試験治具の平面図である。 第１プローブと第２プローブのコンタクト位置を示す図である。 図７の平面図である。 縦型半導体チップの電流の流れを示す平面図である。 本発明の実施の形態２に係る半導体試験治具の一部断面図である。 電流の流れを示す図である。 本発明の実施の形態３に係る半導体試験治具の一部断面図である。 電流の流れを示す図である。 本発明の実施の形態４に係る半導体試験治具の平面図である。 試験時の半導体試験治具の一部平面図である。 変形例に係る半導体試験治具の平面図である。 試験時の半導体試験治具の一部平面図である。 本発明の実施の形態５に係る半導体試験治具の一部断面図である。 電流の流れを示す図である。 本発明の実施の形態６に係る半導体試験治具の一部断面図である。 電流の流れを示す図である。 本発明の実施の形態７に係る半導体試験治具の一部断面図である。 電流の流れを示す図である。

本発明の実施の形態に係る半導体試験治具と試験方法について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。

実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体試験治具１０の平面図である。半導体試験治具１０は、例えばアルミニウムなどの導電性の材料で形成されたベース板１２を備えている。ベース板１２の角には切り欠き部１２ａが形成されている。ベース板１２の外周部分には４つの穴１２ｂが形成されている。切り欠き部１２ａと穴１２ｂは例えばベース板１２に対する機械加工により作成する。切り欠き部１２ａと４つの穴１２ｂはまとめて位置合わせ部と称する。

ベース板１２には枠体１４が固定されている。ベース板１２と枠体１４はねじ止めされている。枠体１４は、絶縁体で形成された複数の枠が格子状に設けられることで、ベース板１２を複数のチップ設置部２０に区切るものである。具体的には、枠体１４は１６個の枠を備えているので、１６個のチップ設置部２０が形成されている。１つのチップ設置部２０は１つの縦型半導体チップを収容できる大きさである。枠体１４にはベース板１２を露出させる貫通孔１４ａが形成されている。貫通孔１４ａは、１６個の枠のそれぞれに少なくとも１つずつ形成されている。

チップ設置部２０には絶縁部品２６が形成されている。絶縁部品２６については、図１のＩＩ−ＩＩ破線における断面図である図２を参照して説明する。ベース板１２には凹部１２ｃが形成されている。凹部１２ｃを容易に形成するために、凹部１２ｃの深さは一定となっている。凹部１２ｃの貫通孔１４ａに接する部分と、貫通孔１４ａにより露出したベース板１２との高さは等しい。言い換えれば、凹部１２ｃの底面と貫通孔１４ａの底面は同じ高さにある。

凹部１２ｃには絶縁体で形成された絶縁部品２６が設けられている。絶縁部品２６は、絶縁部品２６の一部に枠体１４がのることでベース板１２に固定されている。なお、必要に応じて絶縁部品２６をベース板１２に対してねじ止めしてもよい。

そして、チップ設置部２０は、平面視でベース板１２が露出した導電部２２と、絶縁部品２６が露出した絶縁部２４を有している。導電部２２と絶縁部２４は１つの平坦面を形成している。導電部２２は、洗浄又は研磨によりバリ又は突起を除去しフラットな面とすることで、縦型半導体チップにダメージを与えないようにすることが望ましい。

枠体１４には、チップ設置部２０を囲むように斜面が形成されている。貫通孔１４ａには電流を流すプローブを挿入するので、放電防止の観点から、貫通孔１４ａは枠体１４の最も厚い部分に平面視で略円形に形成することが好ましい。

図１の説明に戻る。前述のとおり、複数のチップ設置部２０は、それぞれ、導電部２２と絶縁部２４を有している。導電部２２と絶縁部２４の境界線は、複数のチップ設置部２０のそれぞれを２等分するように複数のチップ設置部２０のそれぞれの中央に位置する。また、貫通孔１４ａは、枠体１４のうち、平面視で絶縁部２４と接する部分に形成されている。

図３は、半導体試験治具１０をのせるステージ３０の斜視図である。ステージ３０は、平坦面３２の角部に形成された平面視で３角形の突起部３４と、平坦面３２の上に形成された平面視で円形の４つの突起部３６とを備えている。突起部３４は突起部３６よりも上方に長く伸びている。

図４は、測定器４０の斜視図である。測定器４０はプローブカード４２を備えている。プローブカード４２は、第１プローブ４２ａと、第１プローブ４２ａより短い４本の第２プローブ４２ｂを備えている。プローブカード４２は取り付け部４４に固定されている。半導体試験治具１０、ステージ３０、及び測定器４０で測定装置を構成している。

続いて、本発明の実施の形態１に係る試験方法について説明する。まず、図５を参照して、試験対象とする縦型半導体チップ５０について説明する。縦型半導体チップ５０は半導体ウエハをダイシングなどで個片化して形成されたものである。縦型半導体チップ５０は、本体部５０ａと、本体部５０ａの上面側に形成された上面電極５０ｂと、本体部５０ａの下面側に形成された下面電極５０ｃを備えている。縦型半導体チップ５０は、上面電極５０ｂと下面電極５０ｃの間に縦方向に電流を流すものである。

最初の工程として、図５に示すように、導電部２２と絶縁部２４に、縦型半導体チップ５０の下面電極５０ｃを接触させる。これにより、下面電極５０ｃの半分は導電部２２と接し、残り半分は絶縁部２４と接する。この工程では、枠体１４の斜面が縦型半導体チップ５０をチップ設置部２０に導くガイドとして機能する。そして、図６に示すように、１６個のチップ設置部２０のすべてに１つずつ縦型半導体チップ５０をのせる。

次いで、縦型半導体チップ５０を搭載した半導体試験治具１０をステージ３０にのせる。このとき、半導体試験治具１０の位置合わせ部を利用して、ステージ３０の予め定められた場所に半導体試験治具１０をのせる。具体的には、まず、切り欠き部１２ａをステージ３０の突起部３４の側面にあてて半導体試験治具１０の方向を確定する。その後、半導体試験治具１０をステージ３０に近づけ、突起部３６を穴１２ｂに挿入する。このように、位置合わせ部を利用して半導体試験治具１０をステージ３０の予め定められた場所にのせることで、１６個の縦型半導体チップ５０を一括して予め定められた場所に位置決めする。

次いで、図７に示すように、第１プローブ４２ａを枠体１４の貫通孔１４ａを通してベース板１２にあてつつ、４本の第２プローブ４２ｂを上面電極５０ｂにあてる。図８は、図７の平面図である。第２プローブ４２ｂは導電部２２の直上の上面電極５０ｂと絶縁部２４の直上の上面電極５０ｂにあてる。つまり、２本の第２プローブ４２ｂは導電部２２の直上に位置し、２本の第２プローブ４２ｂは絶縁部２４の直上に位置している。

この状態で、第１プローブ４２ａ及び第２プローブ４２ｂに電流を印加して縦型半導体チップ５０の電気的特性を測定する。そうすると、図７に矢印で示す方向に電流が流れる。つまり、第１プローブ４２ａからベース板１２に進んだ電流は絶縁部品２６の底面に沿って導電部２２と絶縁部２４の境界まで進み、当該境界の周辺から下面電極５０ｃに流れる。そして、下面電極５０ｃから上面電極５０ｂを経由して第２プローブ４２ｂへ電流が流れる。

図９は、縦型半導体チップ５０の電気的特性を測定する際の縦型半導体チップ５０の電流の流れを矢印で示す平面図である。電流は４本の第２プローブ４２ｂに対してほぼ均等に分散される。なお、図９の矢印と逆方向に電流を流してもよい。

縦型半導体チップ５０の電気的特性を測定する際の電流は、導電部２２と絶縁部２４の境界から下面電極５０ｃへ進み、４本の第２プローブ４２ｂに至る。図８に示すように、当該境界から４本の第２プローブまでの距離は均等であるので、第１プローブ４２ａから４本の第２プローブ４２ｂに至る電流経路長は均等である。よって、縦型半導体チップ５０内の電流分布はほぼ均一となり、縦型半導体チップ５０の特定部分に電流が集中することを回避できる。これにより、縦型半導体チップ５０の発熱及びそれに伴う弊害を抑制できる。

また、本発明の実施の形態１に係る試験方法では、縦型半導体チップ５０の下面電極５０ｃに対しベース板１２を経由した第１プローブ４２ａでコンタクトをとるので、ステージ３０に電流を流すことは無い。そのため、例えばステージの側面からステージを経由して下面電極に電流を流す場合と比較して、複数の縦型半導体チップ５０の配線長を短くできる。しかも、全ての縦型半導体チップ５０の電流経路長を均一にできる。なお、第１プローブ４２ａと縦型半導体チップ５０の端部の距離が近い場合は放電が懸念されるが、第１プローブ４２ａと縦型半導体チップ５０の端部の間に枠体１４があるので放電を抑制できる。

ベース板１２と枠体１４をネジ止めで固定すると分解が容易であるので、枠体１４を交換したり、枠体１４を取り外して洗浄したりする際に便利である。このような利益があるのでベース板１２と枠体１４は取り外し可能とすることが好ましい。ベース板１２と枠体１４を取り外し可能に固定する方法としては、ねじ止め以外にも、ベース板１２と枠体１４の一方に凹部を設け他方に凸部を設けこれらを嵌め合わせる方法がある。

絶縁部品２６と枠体１４は一体的に形成してもよい。これにより、枠体１４をベース板１２にねじ止めするだけで絶縁部品２６をベース板１２に固定できるので、半導体試験治具の組み立てが容易になる。なお、絶縁部品２６と枠体１４は、絶縁体であれば特に限定されないが、例えばＰＰＳ材、ＰＥＥＫ材、又はＰＥＳ材等の樹脂を材料とする射出成形により形成する。例えば２００℃以上の高温環境下で半導体試験治具１０を用いる場合は、耐熱性を有するエンジニアリングプラスチックで絶縁部品２６と枠体１４を作成することが望ましい。

半導体試験治具１０の組み立てを容易にするために、複数のチップ設置部２０のうちの少なくとも２つのチップ設置部では、凹部と絶縁部品をつなげることが好ましい。本発明の実施の形態１では、図１のＹ方向に並んだ４つのチップ設置部２０について、凹部と絶縁部品をつなげている。

半導体試験治具のチップ設置部の数は１６個に限定されず適宜調整することができる。位置合わせ部は切り欠き部１２ａと穴１２ｂに限定されず、例えば切り欠き、穴、凹部、又は凸部を適宜用いることができる。半導体試験治具１０は、縦型半導体チップ５０の電気的特性を測定するためだけでなく、縦型半導体チップ５０の搬送に用いることも可能である。貫通孔１４ａの開口径を大きくして、貫通孔１４ａに積層プローブなどの複数のプローブを通す構成としてもよい。

第２プローブ４２ｂの数は複数であれば特に限定されない。少なくとも１本の第２プローブを導電部２２の直上に配置し、少なくとも１本の第２プローブを絶縁部２４の直上に配置することで、縦型半導体チップ５０内の電流が特定部分に集中することを回避できる。なお、これらの変形は以下の実施の形態に係る半導体試験治具及び試験方法にも応用できる。

以下の実施の形態に係る半導体試験治具及び試験方法については、実施の形態１との共通点が多いので、実施の形態１との相違点を中心に説明する。

実施の形態２．
図１０は、本発明の実施の形態２に係る半導体試験治具１００の一部断面図である。凹部１２ｄは凹部１２ｄの底面が斜面になるように形成されている。凹部１２ｄの深さは貫通孔１４ａ側から設置部の中央部に向かって減少している。絶縁部品１０２はこの凹部１２ｄに嵌るように、断面視で鋭角の先端を有する三角形となっている。平面視での導電部２２と絶縁部２４の境界線は、実施の形態１の導電部２２と絶縁部２４の境界線と同じ位置にある。なお、半導体試験治具１００の全ての凹部と絶縁部品の断面図は図１０で表されるとおりである。

図１１は、縦型半導体チップ５０の試験時の電流の流れを示す図である。電流の流れは矢印で示されている。図１１から分かるように、絶縁部品が断面視で四角形に形成された場合と比較して、第１プローブ４２ａから４本の第２プローブ４２ｂに至る電流の経路長を短縮できる。つまり、実施の形態１と比べるとインダクタンスの低減が可能となる。

ところで、実施の形態１では、絶縁部の直上の第２プローブに流れる電流の経路長と、導電部の直上の第２プローブに流れる電流の経路長に若干の乖離がある（図７参照）。しかし、図１１から分かるように、本発明の実施の形態２に係る半導体試験治具１００によれば、下面電極５０ｃの１点から縦型半導体チップ５０へ電流が流れこむので、４本の第２プローブ４２ｂに流れる電流の経路長をほぼ一致させることができる。

半導体試験治具１００は、凹部１２ｄの深さを、複数のチップ設置部のそれぞれについて、貫通孔１４ａ側から中央部に向かって連続的に減少させるものである。これにより、電流経路長の短縮と縦型半導体チップ内の電流密度の均一化が可能となる。この効果を得るために、例えばチップ設置部の貫通孔側から中央部に向かう経路の一部において、凹部の底面を斜面としてもよい。また、凹部の深さを、貫通孔側からチップ設置部の中央部に向かって段階的に減少させてもよい。

実施の形態３．
図１２は、本発明の実施の形態３に係る半導体試験治具１５０の一部断面図である。ベース板１２には、凹部１２ｅの側面と凹部１２ｅの底面をつなぐ斜面１２ｅ´が形成されている。そして、凹部１２ｅには絶縁部品１５２が設けられている。縦型半導体チップの試験時には、図１３に矢印で示す経路に電流が流れる。ベース板１２に斜面１２ｅ´を形成することで、図２の場合と比較して電流経路長を短くできる。しかも、凹部の側面と底面が直交して電流経路に尖った角部を形成することがないので、電流集中を回避できる。なお、凹部の上端部分（側面上端部）に面取り加工を施したり、凹部を断面視で角がないように形成したりして、電流集中を確実に防止しても良い。

半導体試験治具１５０では、貫通孔１４ａにより露出したベース板１２と複数のチップ設置部２０の高さを等しくした。この場合、第１プローブ４２ａの先端位置と第２プローブ４２ｂの先端位置の高低差は、縦型半導体チップ５０の厚みと等しい。よって、これらの先端位置の設定が容易にできるので、試験時間を短縮できる。

実施の形態４．
図１４は、本発明の実施の形態４に係る半導体試験治具２００の平面図である。絶縁部品２０２は、平面視で導電部２２側に凸となるように形成されている。その結果、チップ設置部２０４の導電部２２と絶縁部２０６の境界線は、導電部２２側に凸形状となっている。図１５は、試験時の半導体試験治具の一部平面図である。縦型半導体チップ５０の上面には上面電極５０ｂに加えてゲート電極５０ｄが形成されている。ゲート電極５０ｄは絶縁部２０６の直上に位置している。

一般的に、ゲート電極を有する縦型半導体チップを試験する場合、ゲート電極の近傍に電流が集中する。本発明の実施の形態４では絶縁部２０６を導電部２２側に凸になるようにしたので、ゲート電極５０ｄに近い第２プローブ（近傍プローブ）に流れる電流の経路長は、ゲート電極５０ｄから遠い第２プローブ（遠方プローブ）に流れる電流の経路長より長くなり、電流経路長だけを考えれば遠方プローブに電流が集中する。しかし、前述のとおり近傍プローブは遠方プローブよりも電流が流れやすくなっているので、結局、近傍プローブと遠方プローブの電流密度をほぼ等しくすることができる。

上記の特徴を失わない限り、絶縁部２０６の平面形状を適宜変更することができる。例えば図１６、１７を参照して変形例について説明する。図１６は、変形例に係る半導体試験治具２５０の平面図である。絶縁部品２５２が形成されることで、チップ設置部２５４に絶縁部２５６が形成されている。導電部２２と絶縁部２５６の境界線は、絶縁部２５６側に凸形状となっている。

図１７は、変形例における試験時の半導体試験治具の一部平面図である。ゲート電極５０ｄは導電部２２の直上に位置している。近傍プローブ(左側の２本の第２プローブ４２ｂ)は遠方プローブ（右側の２本の第２プローブ４２ｂ）よりも導電部２２と絶縁部２５６の境界から離れているので、近傍プローブに流れる電流の経路長は遠方プローブに流れる電流の経路長よりも長い。そのため、電流経路長だけを考えれば遠方プローブに電流が集中する。しかし、近傍プローブは遠方プローブよりも電流が流れやすくなっているので、結局、近傍プローブと遠方プローブの電流密度をほぼ等しくすることができる。

実施の形態５．
図１８は、本発明の実施の形態５に係る半導体試験治具３００の一部断面図である。絶縁部２４には絶縁部品が複数設けられている。具体的には、凹部１２ｆに絶縁部品３０２が設けられ、凹部１２ｆよりも浅く形成された凹部１２ｇに絶縁部品３０４が設けられている。チップ設置部２０の中央に向かうほど凹部を浅くしている。なお、凹部１２ｆの深さは図２の凹部１２ｃの深さと同じである。

図１９は、電流の流れを示す図である。凹部１２ｆよりも浅く形成された凹部１２ｇを設けたため、図２の場合と比較して電流の経路長を短縮できる。さらに、実施の形態２（図１０）のように凹部の底面を傾斜面とすると凹部の形成が難しくなるが、凹部１２ｆと凹部１２ｇの底面はともに平坦面であるので形成が容易である。

実施の形態６．
図２０は、本発明の実施の形態６に係る半導体試験治具３５０の一部断面図である。凹部１２ｈは図１８の凹部１２ｇよりも短く形成されている。凹部１２ｈには絶縁部品３５２が設けられている。チップ設置部２０の中央部に、凹部１２ｈの底面とベース板１２の上面をつなぐ斜面１２ｉが形成されている。斜面１２ｉと絶縁部品３５２の間は間隙３５４となっている。

図２１は、測定時の半導体試験治具の断面図である。間隙３５４を設けることで、絶縁部品の数を増加させることなく、電流経路を短縮することができる。間隙３５４は縦型半導体チップの中央部直下に位置するので、縦型半導体チップの設置上特に問題とならない。第２プローブ４２ｂが間隙３５４の直上に位置すると第２プローブ４２ｂの荷重により縦型半導体チップ５０がダメージを受けるので、第２プローブ４２ｂは導電部２２と絶縁部２４の直上に位置させる。

実施の形態７．
図２２は、本発明の実施の形態７に係る半導体試験治具４００の一部断面図である。凹部１２ｊの内壁と絶縁部品４０２の間に間隙４０４、４０６が設けられている。また、絶縁部品４０２は凹部１２ｊに嵌め合いにより固定されている。具体的には、凹部１２ｊの底面に凸部が形成され、その凸部が絶縁部品４０２の下面に形成された凹部と嵌合している。このように嵌めあい構造を有することで、絶縁部品４０２の位置を固定できる。

図２３は、測定時の電流の流れを示す図である。高温測定を実施した場合、絶縁部品４０２の熱膨張による体積増加分を間隙４０４、４０６が吸収するので、絶縁部品４０２が熱膨張して縦型半導体チップ５０の位置をずらすことを回避できる。従って、高温で試験を行う場合において測定精度を確保することができる。なお、上記の嵌めあい構造と、間隙４０４、４０６のいずれか一方を採用してもよい。

ここまでの各実施の形態に係る半導体試験治具及び試験方法の特徴は、適宜に組み合わせても良い。

１０ 半導体試験治具、 １２ ベース板、 １２ｃ 凹部、 １４ 枠体、 １４ａ 貫通孔、 ２０ チップ設置部、 ２２ 導電部、 ２４ 絶縁部、 ２６ 絶縁部品、 ３０ ステージ、 ３２ 平坦面、 ３４,３６ 突起部、 ４０ 測定器、 ４２ａ 第１プローブ、 ４２ｂ 第２プローブ、 ５０ 縦型半導体チップ、 ５０ｂ 上面電極、 ５０ｃ 下面電極、 ５０ｄ ゲート電極、 １００,１５０,２００,２５０,３００,３５０,４００ 半導体試験治具、 １０２,１５２,２０２,２５２,３０２,３０４,３５２,４０２ 絶縁部品、 ２０４,２５４ チップ設置部、 ２０６,２５６ 絶縁部、 ３５４,４０４,４０６ 間隙

Claims (19)

1. 凹部を有する導電性の材料で形成されたベース板と、
   前記凹部に設けられた、絶縁体で形成された絶縁部品と、
   絶縁体で形成された複数の枠が格子状に設けられ、前記ベース板を複数のチップ設置部に区切るように前記ベース板に固定された枠体と、を備え、
   前記複数のチップ設置部は、それぞれ、平面視で前記ベース板が露出した導電部と、前記絶縁部品が露出した絶縁部と、を有し、
   前記枠体のうち、平面視で前記絶縁部と接する部分に前記ベース板を露出させる貫通孔が形成されたことを特徴とする半導体試験治具。
2. 前記絶縁部品と前記枠体は一体的に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体試験治具。
3. 前記複数のチップ設置部のうちの少なくとも２つのチップ設置部では、前記凹部と前記絶縁部品がつながっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体試験治具。
4. 前記凹部の深さは一定であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体試験治具。
5. 前記凹部の深さは、前記複数のチップ設置部のそれぞれについて、前記貫通孔側から中央部に向かって連続的に減少することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体試験治具。
6. 前記凹部の深さは、前記複数のチップ設置部のそれぞれについて、前記貫通孔側から中央部に向かって段階的に減少することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体試験治具。
7. 前記ベース板には、前記凹部の側面と前記凹部の底面をつなぐ斜面が形成されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体試験治具。
8. 前記凹部は断面視で角がないように形成されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体試験治具。
9. 前記導電部と前記絶縁部の境界線は、前記複数のチップ設置部のそれぞれを２等分するように前記複数のチップ設置部のそれぞれの中央に位置することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体試験治具。
10. 前記導電部と前記絶縁部の境界線は、前記導電部側に凸形状となることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体試験治具。
11. 前記導電部と前記絶縁部の境界線は、前記絶縁部側に凸形状となることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体試験治具。
12. 前記貫通孔により露出した前記ベース板と前記複数のチップ設置部の高さは等しいことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体試験治具。
13. 前記貫通孔により露出した前記ベース板と前記凹部の前記貫通孔に接する部分の高さは等しいことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体試験治具。
14. 前記貫通孔は前記複数の枠のそれぞれに少なくとも１つずつ形成されたことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の半導体試験治具。
15. 前記導電部と前記絶縁部は１つの平坦面を形成することを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の半導体試験治具。
16. 前記凹部の内壁と前記絶縁部品の間に間隙が設けられたことを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の半導体試験治具。
17. 前記絶縁部品は前記凹部に嵌め合いにより固定したことを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１項に記載の半導体試験治具。
18. 前記絶縁部には前記絶縁部品が複数設けられたことを特徴とする請求項１〜１７のいずれか１項に記載の半導体試験治具。
19. 導電性の材料で形成されたベース板と、前記ベース板に固定された絶縁体で形成された絶縁部品と、前記ベース板を、平面視で前記ベース板が露出した導電部と前記絶縁部品が露出した絶縁部を有するチップ設置部が複数形成されるように区切る、絶縁体で形成された枠体と、を備える半導体試験治具の前記導電部と前記絶縁部に、上面電極と下面電極を有する縦型半導体チップの前記下面電極を接触させる工程と、
    前記半導体試験治具をステージにのせる工程と、
    前記枠体のうち平面視で前記絶縁部と接する部分に前記ベース板を露出させるように設けられた貫通孔に第１プローブをとおして前記第１プローブを前記ベース板にあてつつ、第２プローブを前記導電部の直上の前記上面電極と前記絶縁部の直上の前記上面電極にあてて、前記縦型半導体チップの電気的特性を測定する工程と、を備えたことを特徴とする試験方法。

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