JP2015126220A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
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Abstract
【課題】耐湿信頼性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】内層用セラミック層11はBaとTiを含有するペロブスカイト型化合物を主成分としている。内部電極12,13が挟持している電気的に有効な内層用セラミック層の部分28のうち内部電極12(13)と外部電極20(22)との接続部近傍30(32)がエネルギー分散法によってマッピング分析される。該分析によって得られたマッピング画像の、内部電極12(13)と内層用セラミック層11との界面から積層方向に1/3の距離の範囲11aおよび11bにおいて、該画像から検出されるセラミックス粒界の総距離をL1とし、希土類元素が存在する粒界の総距離をL2とし、希土類元素が存在する粒界とBa,Ca,Sr,Ti,Zr,O,Ni以外の元素が存在する粒界とが重畳している部分の総距離をL3とした場合、関係式((L2−L3)/L1)×100≧50を満足している。
【選択図】図1
【解決手段】内層用セラミック層11はBaとTiを含有するペロブスカイト型化合物を主成分としている。内部電極12,13が挟持している電気的に有効な内層用セラミック層の部分28のうち内部電極12(13)と外部電極20(22)との接続部近傍30(32)がエネルギー分散法によってマッピング分析される。該分析によって得られたマッピング画像の、内部電極12(13)と内層用セラミック層11との界面から積層方向に1/3の距離の範囲11aおよび11bにおいて、該画像から検出されるセラミックス粒界の総距離をL1とし、希土類元素が存在する粒界の総距離をL2とし、希土類元素が存在する粒界とBa,Ca,Sr,Ti,Zr,O,Ni以外の元素が存在する粒界とが重畳している部分の総距離をL3とした場合、関係式((L2−L3)/L1)×100≧50を満足している。
【選択図】図1
Description
本発明は、耐湿信頼性に優れた積層セラミックコンデンサに関する。
近年、積層セラミックコンデンサは、従来と比較してより過酷な環境下で使用されるようになってきている。
そこで、優れた温度特性および寿命特性を満たすために、特許文献1に記載の積層セラミックコンデンサが提案されている。この積層セラミックコンデンサは、誘電体セラミック組成物からなる誘電体層と、この誘電体層を挟持している内部電極と、この内部電極に電気的に接続されている外部電極とを備えている。誘電体セラミック組成物は、所定の成分元素の濃度を異にする2種以上のセラミック粒子からなる。
しかしながら、特許文献1の積層セラミックコンデンサは、高湿高温環境下で電圧を印加した場合、IR(絶縁抵抗)が劣化するという不具合があった。
それゆえに、本発明の目的は、耐湿信頼性に優れた積層セラミックコンデンサを提供することである。
本発明は、複数の誘電体セラミック層と複数の内部電極とが交互に積層されてなるセラミック素体と、セラミック素体の外表面に形成され、内部電極と電気的に接続されている外部電極と、を備えた積層セラミックコンデンサであって、誘電体セラミック層はBaとTiを含有するペロブスカイト型化合物を主成分とし、内部電極が挟持している電気的に有効な誘電体セラミック層の部分のうち、内部電極と外部電極との接続部近傍を、FE−TEM/EDS分析(エネルギー分散型X線分析法を備えた走査透過型電子顕微鏡)によって観察し得られた画像の、内部電極と誘電体セラミック層との界面から積層方向に誘電体セラミック層の1/3の距離の範囲内において、TEM透過画像を用いて算出したセラミックス粒界の総距離をL1とし、マッピング画像から希土類元素が検出される粒界の総距離をL2とし、マッピング画像から希土類元素とBa,Ca,Sr,Ti,Zr,O,Ni以外の元素が重畳して検出される粒界の総距離をL3とした場合、関係式((L2−L3)/L1)×100≧50を満足していること、を特徴とする、積層セラミックコンデンサである。
ここで、関係式((L2−L3)/L1)×100で表わされるA値は、TEM透過像とマッピング画像において、セラミックス粒界の総距離L1に対する、希土類元素が存在する粒界の総距離L2(ただし、「希土類元素が存在する粒界」と「Ba,Ca,Sr,Ti,Zr,O,Ni以外の元素が存在する粒界」とが重畳している部分の総距離L3は除く。)の割合(%)を意味している。
また、「電気的に有効な誘電体セラミック層の部分」とは、コンデンサの静電容量が実効的に形成される誘電体セラミック層の部分を意味している。
積層セラミックコンデンサは、高湿高温環境下で電圧を印加した場合、IR(絶縁抵抗)が劣化する。これは、コンデンサ内部に浸入した水分が、電気分解してH+イオンとOH-イオンとが生成され、これらのイオンが、内部電極が挟持している電気的に有効な誘電体セラミック層の部分のうち、内部電極と外部電極との接続部近傍を主に移動することによって、漏れ電流が増えるためであると考えられる。
本発明では、電気的に有効な誘電体セラミック層の部分のうち、内部電極と外部電極との接続部近傍であって、内部電極と誘電体セラミック層との界面から積層方向に誘電体セラミック層の1/3の距離の範囲内において、A値が50%以上と高い数値を示す。そして、希土類元素の存在割合が高い粒界部分は、イオンの移動抵抗が高いため、H+イオンとOH-イオンの移動が抑制され、IRの劣化が抑えられる。
また、本発明は、希土類元素がDy,Tb,Ho,Y,Er,Gd,Laから選択された1種以上の元素を含むこと、を特徴とする、積層セラミックコンデンサである。
本発明では、より一層耐湿信頼性に優れた積層セラミックコンデンサが得られる。
本発明によれば、耐湿信頼性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
1.積層セラミックコンデンサの構成
図1は、積層セラミックコンデンサ1を示す垂直断面図である。積層セラミックコンデンサ1は、セラミック素体10と、セラミック素体10の左右の端部に形成された外部電極20,22と、を備えている。
図1は、積層セラミックコンデンサ1を示す垂直断面図である。積層セラミックコンデンサ1は、セラミック素体10と、セラミック素体10の左右の端部に形成された外部電極20,22と、を備えている。
セラミック素体10は、複数の内層用セラミック層11と、複数の内層用セラミック層11同士の界面に配設された複数の内部電極12,13と、複数の内層用セラミック層11を挟むように上下に配設された外層用セラミック層15a,15bとで構成されている。すなわち、セラミック素体10は、セラミック層11,15a,15bと内部電極12,13とが交互に積層された直方体形状の積層体構造を有している。
内層用セラミック層11は、BaとTiを含有するペロブスカイト型化合物を主成分とする誘電体セラミック材料からなる。さらに、このチタン酸バリウムの主成分に、Mg化合物、Mn化合物などの副成分が添加されている。内層用セラミック層11の厚みは0.3〜10.0μmであることが好ましい。
上下に配設された外層用セラミック層15a,15bも、それぞれ、内層用セラミック層11と同じ誘電体セラミック材料が用いられている。なお、外層用セラミック層15a,15bは、内層用セラミック層11と異なる誘電体セラミック材料で構成されていてもよい。
内部電極12と内部電極13とは、厚み方向において、内層用セラミック層11を介して対向している。この内部電極12と内部電極13とが、内層用セラミック層11を介して対向している部分に静電容量が実効的に形成されている。つまり、「電気的に有効な誘電体セラミック層の部分」とは、内部電極12と内部電極13とが対向している内層用セラミック層11の部分(図1において、一点鎖線で囲んだ内層用セラミック層11の部分)28である。
内部電極12の引出部12aは、セラミック素体10の左側の端面に引き出されて外部電極20に電気的に接続されている。内部電極13の引出部13aは、セラミック素体10の右側の端面に引き出されて外部電極22に電気的に接続されている。
内部電極12,13は、例えば、Ni、Cu、Ag、Pd、Ag−Pd合金、Auなどからなる。内部電極12,13の厚みは0.3〜2.0μmであることが好ましい。
外部電極20,22は、例えば、Ni、Cu、Ag、Pd、Ag−Pd合金、Auなどからなり、表面にNiめっき層およびSnめっき層が形成されている。
以上の構成からなる積層セラミックコンデンサ1は、内部電極12,13が挟持している電気的に有効な内層用セラミック層11の部分28のうち、内部電極12と外部電極20との接続部近傍であって、内部電極12の引出部12aに最も近い部分(例えば点線で囲んだ部分)30が、周知のエネルギー分散型X線分析法(Energy Dispersive Spectoroscopy、EDS)によってマッピング分析される。もしくは、内部電極13と外部電極22との接続部近傍であって、内部電極13の引出部13aに最も近い部分(例えば点線で囲んだ部分)32が、エネルギー分散型X線分析法によってマッピング分析される。
マッピング分析の測定部分として、内部電極12と外部電極20との接続部近傍30(もしくは、内部電極13と外部電極22との接続部近傍32)が採用される理由は、この部分が、水分の浸入が起こり易いからである。
そして、図2に示すように、透過観察、及びマッピング分析によって得られた透過像とマッピング画像の、内部電極12と内層用セラミック層11との界面、並びに、内部電極13と内層用セラミック層11との界面の、それぞれから積層方向に内層用セラミック層11の1/3の距離の範囲11aおよび11bにおいて、TEM透過像を用いて算出したセラミックス粒界の総距離をL1とし、マッピング画像から希土類元素が検出された粒界の総距離をL2とし、マッピング画像から希土類元素とBa,Ca,Sr,Ti,Zr,O,Ni以外の元素が重畳して検出される粒界の総距離をL3とした場合、関係式((L2−L3)/L1)×100≧50を満足している。
なお、図2はエネルギー分散型X線分析法によるマッピング分析によって得られた結果をマーキングしたTEM透過像の概略模式図である。図2において、内層用セラミック層11のセラミックス粒界は省略されている。
積層セラミックコンデンサ1は、電気的に有効な内層用セラミック層11の部分のうち、内部電極12と外部電極20との接続部近傍30の、内部電極12と内層用セラミック層11との界面、並びに、内部電極13と内層用セラミック層11との界面の、それぞれから積層方向に内層用セラミック層11の1/3の距離の範囲11aおよび11bにおいて、A値が50%以上と高い数値を示している。希土類元素の存在割合が高い粒界部分は、イオンの移動抵抗が高いため、H+イオンとOH-イオンの移動が抑制される。つまり、希土類元素の存在割合が高い粒界部分(すなわち、内層用セラミック層11の範囲11aおよび11b)は、IRの劣化を抑えることができる。この結果、耐湿信頼性に優れた積層セラミックコンデンサ1を得ることができる。
2.積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、積層セラミックコンデンサ1の製造方法を説明する。
次に、積層セラミックコンデンサ1の製造方法を説明する。
(1)誘電体原料配合物の作製
先ず、BaTiO3が秤量された後、ボールミルによって湿式混合され、凝集体が解砕される。さらに、BaTiO3中のTi100モル部に対して、添加化合物として、MgCO3が1.0モル部、MnCO3が0.5モル部、SiO2が1.5モル部となるように秤量される。また、焼成後のBaTiO3中におけるBaとTiの含有比が1.007:1となるように、BaCO3が適量秤量される。
先ず、BaTiO3が秤量された後、ボールミルによって湿式混合され、凝集体が解砕される。さらに、BaTiO3中のTi100モル部に対して、添加化合物として、MgCO3が1.0モル部、MnCO3が0.5モル部、SiO2が1.5モル部となるように秤量される。また、焼成後のBaTiO3中におけるBaとTiの含有比が1.007:1となるように、BaCO3が適量秤量される。
次に、BaTiO3とこれらの添加化合物が配合され、水を媒体としてボールミルによって混合された後、蒸発乾燥されて誘電体原料配合物とされる。
(2)セラミックグリーンシートの作製
次に、誘電体原料配合物は、ポリビニルブチラール系バインダーおよびエタノール等の有機溶媒が加えられて、ボールミルによって湿式混合され、セラミックスラリーとされる。セラミックスラリーは、リップ(Lip)方式によって、焼成後の層厚が3.0μmになるようにシート成形され、内層用セラミックグリーンシートや外層用セラミックグリーンシートとされる。
次に、誘電体原料配合物は、ポリビニルブチラール系バインダーおよびエタノール等の有機溶媒が加えられて、ボールミルによって湿式混合され、セラミックスラリーとされる。セラミックスラリーは、リップ(Lip)方式によって、焼成後の層厚が3.0μmになるようにシート成形され、内層用セラミックグリーンシートや外層用セラミックグリーンシートとされる。
(3)内部電極の形成
次に、内層用セラミックグリーンシート上に、Ni,Cu,Pd等を主成分とする内部電極用導電ペーストが、スクリーン印刷などによって塗布され、所定のパターンの内部電極12,13が形成される。内部電極用導電ペーストは、Ni等の主成分に対して、希土類元素を含む化合物が副成分として、所定量添加されている。希土類元素を含む化合物は、Y2O3,La2O3,Eu2O3,Gd2O3,Tb4O7,Dy2O3,Ho2O3,Er2O3,Tm2O3などである。内部電極12,13の膜厚は、焼成後の厚みが1μmになるように設定される。
次に、内層用セラミックグリーンシート上に、Ni,Cu,Pd等を主成分とする内部電極用導電ペーストが、スクリーン印刷などによって塗布され、所定のパターンの内部電極12,13が形成される。内部電極用導電ペーストは、Ni等の主成分に対して、希土類元素を含む化合物が副成分として、所定量添加されている。希土類元素を含む化合物は、Y2O3,La2O3,Eu2O3,Gd2O3,Tb4O7,Dy2O3,Ho2O3,Er2O3,Tm2O3などである。内部電極12,13の膜厚は、焼成後の厚みが1μmになるように設定される。
(4)積層
次に、外層用セラミックグリーンシートが、焼成後の外層用セラミック層15bの厚みが70μmになるように、所定枚数積層される。その上に、内部電極12,13が形成された内層用セラミックグリーンシートが、内部電極12,13が交互になるように、順次積層される。その上に、外層用セラミックグリーンシートが、焼成後の外層用セラミック層15aの厚みが70μmになるように、所定枚数積層される。こうして、マザーセラミック素体が作製される。
次に、外層用セラミックグリーンシートが、焼成後の外層用セラミック層15bの厚みが70μmになるように、所定枚数積層される。その上に、内部電極12,13が形成された内層用セラミックグリーンシートが、内部電極12,13が交互になるように、順次積層される。その上に、外層用セラミックグリーンシートが、焼成後の外層用セラミック層15aの厚みが70μmになるように、所定枚数積層される。こうして、マザーセラミック素体が作製される。
次に、マザーセラミック素体が、静水圧プレスなどの手段によって、積層方向にプレスされる。その後、マザーセラミック素体は、ダイシングソーによって所定の製品サイズにカットされ、未焼成のセラミック素体10が切り出される。セラミック素体10の幅W方向において、セラミック素体10の側面と内部電極12,13との間のギャップは100μmである。セラミック素体10は、バレル研磨などによって、コーナー部や稜部に丸みが形成される。
(5)焼成
次に、未焼成のセラミック素体10は焼成される。すなわち、セラミック素体10は、大気中もしくはN2気流中(本実施の形態の場合はN2気流中)で、最高温度270℃にて熱処理される。引き続いて、セラミック素体10は、N2−H2O−H2気流中、酸素分圧が10-10.6MPaの雰囲気下で、最高温度700℃にて熱処理される。引き続いて、セラミック素体10は、N2気流中、酸素分圧が10-4.6MPaの雰囲気下で、所定の昇温速度の条件で、最高温度1300℃にて焼成される。なお、焼成は、最高温度1300℃に到達後、すぐに冷却した。焼成温度は、900〜1300℃であることが好ましい。こうして、内層用セラミックグリーンシートは内層用セラミック層11とされ、外層用セラミックグリーンシートは外層用セラミック層15a,15bとされる。
次に、未焼成のセラミック素体10は焼成される。すなわち、セラミック素体10は、大気中もしくはN2気流中(本実施の形態の場合はN2気流中)で、最高温度270℃にて熱処理される。引き続いて、セラミック素体10は、N2−H2O−H2気流中、酸素分圧が10-10.6MPaの雰囲気下で、最高温度700℃にて熱処理される。引き続いて、セラミック素体10は、N2気流中、酸素分圧が10-4.6MPaの雰囲気下で、所定の昇温速度の条件で、最高温度1300℃にて焼成される。なお、焼成は、最高温度1300℃に到達後、すぐに冷却した。焼成温度は、900〜1300℃であることが好ましい。こうして、内層用セラミックグリーンシートは内層用セラミック層11とされ、外層用セラミックグリーンシートは外層用セラミック層15a,15bとされる。
(6)外部電極の形成
次に、焼成後のセラミック素体10の両端面に、Cuを主成分とする導電性ペーストが塗布され、940℃にて焼き付けられて外部電極20,22が形成される。さらに、外部電極20,22の表面に、湿式めっきによってNi−Snめっき層が形成される。こうして、積層セラミックコンデンサ1が作成される。積層セラミックコンデンサ1の寸法(外部電極20,22を含む)は、長さLが2.0mm、幅Wが1.25mm、高さTが0.5mmである。内部電極12,13間に介在する内層用セラミック層11の厚みは3.0μmであり、層数は100層である。
次に、焼成後のセラミック素体10の両端面に、Cuを主成分とする導電性ペーストが塗布され、940℃にて焼き付けられて外部電極20,22が形成される。さらに、外部電極20,22の表面に、湿式めっきによってNi−Snめっき層が形成される。こうして、積層セラミックコンデンサ1が作成される。積層セラミックコンデンサ1の寸法(外部電極20,22を含む)は、長さLが2.0mm、幅Wが1.25mm、高さTが0.5mmである。内部電極12,13間に介在する内層用セラミック層11の厚みは3.0μmであり、層数は100層である。
3.エネルギー分散型X線分析法によるマッピング分析
次に、積層セラミックコンデンサ1のエネルギー分散型X線分析法(EDS)によるマッピング分析について説明する。
次に、積層セラミックコンデンサ1のエネルギー分散型X線分析法(EDS)によるマッピング分析について説明する。
(1)分析試料の作製
積層セラミックコンデンサ1は、樹脂で固められた後、内部電極12,13が露出するまで垂直断面(LT断面)が研磨される。
積層セラミックコンデンサ1は、樹脂で固められた後、内部電極12,13が露出するまで垂直断面(LT断面)が研磨される。
次に、積層セラミックコンデンサ1は、電気的に有効な内層用セラミック層11の部分28のうち、例えば、内部電極12と外部電極20との接続部近傍であって、内部電極12の引出部12aに最も近い部分30が、集束イオンビーム(FIB)加工され、走査透過型電子顕微鏡(TEM)観察用試料とされる。試料の厚みは、約100nm以下である。
(2)エネルギー分散型X線分析法によるマッピング分析
この試料は、ショットキー型FE電子銃を備えた走査透過型電子顕微鏡(JEM−2200FS/JEM−2300T)によって観測され、エネルギー分散型X線分析法によるマッピング分析が行われる。この結果、走査透過型電子顕微鏡(TEM)画像と、マッピング画像が得られる。各画像の視野は、積層方向と垂直な方向に内層用セラミック層11の平均厚みの1.3倍の範囲が観測でき、かつ、積層方向に内層用セラミック層11の厚み方向全体が観測できる範囲とした。
この試料は、ショットキー型FE電子銃を備えた走査透過型電子顕微鏡(JEM−2200FS/JEM−2300T)によって観測され、エネルギー分散型X線分析法によるマッピング分析が行われる。この結果、走査透過型電子顕微鏡(TEM)画像と、マッピング画像が得られる。各画像の視野は、積層方向と垂直な方向に内層用セラミック層11の平均厚みの1.3倍の範囲が観測でき、かつ、積層方向に内層用セラミック層11の厚み方向全体が観測できる範囲とした。
さらに、本実施の形態では、微量添加元素の分布状態を精度よく検出するために、以下の条件が設定される。
(a)観測時間は10時間である。
(b)電子プローブ径は約2nmである。
(a)観測時間は10時間である。
(b)電子プローブ径は約2nmである。
なお、エネルギー分散型X線分析法の感度は一般的に約0.1atm%であり、0.5atm%より低い場合は検出されなかったものと見做される。
次に、画像解析ソフトを用いて、TEM透過像とマッピング画像から、セラミックス粒界の総距離L1、希土類元素が存在する粒界の総距離L2、および、「希土類元素が存在する粒界」と「Ba,Ca,Sr,Ti,Zr,O,Ni以外の元素が存在する粒界」とが重畳している部分の総距離L3が算出される。算出手順は以下の通りである。
(a)先ず、図3(A)に示すように、TEM透過像の、内部電極12と内層用セラミック層11との界面、並びに、内部電極13と内層用セラミック層11との界面の、それぞれから積層方向に内層用セラミック層11の平均厚さの1/3の距離の範囲11aおよび11bにおいて、セラミックス粒界(粒子全体がマッピング画像の視野内に入っているセラミックス粒子の粒界であって、内部電極12,13に接しているセラミックス粒子の粒界も含む。)が検出される。そして、検出されたセラミックス粒界がペイントでマーキングされ(図3(A)中の黒線部)、画像解析ソフトでセラミックス粒界の総距離L1が測定および算出される。なお、範囲11aおよび11bは、次のようにして求めた。まず、内層用セラミック層11の画像上における両端近傍で、内層用セラミック層11の積層方向厚みを測定した。この厚みを3等分する点を前記両端近傍で求め、各点間に直線を引いた。画像上において、内部電極と内層用セラミック層11との界面と、前記直線とによって挟まれる領域を範囲11aおよび11bとした。
(b)次に、図3(B)に示すように、マッピング分析によって得られた結果をマーキングしたTEM透過像の範囲11aおよび11bから、希土類元素が存在する粒界が検出される。そして、検出された希土類元素が存在する粒界がペイントでマーキングされ(図3(B)中の黒線部)、画像解析ソフトで希土類元素が存在する粒界の総距離L2が測定および算出される。
(c)次に、図3(C)に示すように、マッピング分析によって得られた結果をマーキングしたTEM透過像の範囲11aおよび11bから、「希土類元素が存在する粒界」と「Ba,Ca,Sr,Ti,Zr,O,Ni以外の元素が存在する粒界」とが重畳している部分が検出される。そして、検出された前記部分がペイントでマーキングされ(図3(C)中の黒線部)、画像解析ソフトでこの部分の総距離L3が測定および算出される。
(d)次に、(a)〜(c)で求めた総距離L1,L2,L3と以下のA値が用いられ、希土類元素の存在割合が高い粒界の割合が算出される。
A=((L2−L3)/L1)×100
こうして、内部電極12と外部電極20との接続部近傍30の、内部電極12と内層用セラミック層11との界面、並びに、内部電極13と内層用セラミック層11との界面の、それぞれから積層方向に内層用セラミック層11の1/3の距離の範囲11aおよび11bにおいて、TEM透過像における希土類元素の分布状態がマッピング分析される。
A=((L2−L3)/L1)×100
こうして、内部電極12と外部電極20との接続部近傍30の、内部電極12と内層用セラミック層11との界面、並びに、内部電極13と内層用セラミック層11との界面の、それぞれから積層方向に内層用セラミック層11の1/3の距離の範囲11aおよび11bにおいて、TEM透過像における希土類元素の分布状態がマッピング分析される。
(1)分析試料の作製
分析試料の積層セラミックコンデンサ1が、前記製造方法で17種類(試料No.1〜試料No.17、表1参照)作製された。試料数はそれぞれ100個とした。
分析試料の積層セラミックコンデンサ1が、前記製造方法で17種類(試料No.1〜試料No.17、表1参照)作製された。試料数はそれぞれ100個とした。
ただし、試料No.1〜試料No.17のそれぞれの内部電極12,13の形成において、内部電極用導電ペーストは、Niの主成分であるNiに、表1に示す希土類元素を含む化合物(希土類元素種)が副成分として、内部電極用導電ペースト中のNi100モル部に対して希土類元素が0.68モル部となるように添加されている。
また、試料No.1〜試料No.16のそれぞれの未焼成のセラミック素体10の焼成において、N2気流中、酸素分圧が10-4.6MPaの雰囲気下での昇温速度は40℃/secであり、最高温度1300℃にて焼成される。なお、焼成は、最高温度1300℃に到達後、すぐに冷却した。
一方、試料No.17の未焼成のセラミック素体10の焼成において、N2気流中、酸素分圧が10-4.6MPaの雰囲気下での昇温速度は、3.33℃/minであり、最高温度1300℃にて焼成される。なお、焼成は、最高温度1300℃に到達後、最高温度1300℃で2時間保持して冷却した。
(2)分析試料の耐湿信頼性評価
作製された積層セラミックコンデンサ1は、温度が134.7℃、相対湿度が95%RH、印加電圧が10V、ゲージ圧が0.13MPaの環境下で、144時間放置させて、耐湿信頼性が評価された。
作製された積層セラミックコンデンサ1は、温度が134.7℃、相対湿度が95%RH、印加電圧が10V、ゲージ圧が0.13MPaの環境下で、144時間放置させて、耐湿信頼性が評価された。
耐湿不良率は、評価試料数に対するIR劣化が生じた試料数の割合とした。ここで、IR劣化とは初期値に対してLogIR値で0.5以上低くなったものを指す。
耐湿信頼性の不良率=(IR劣化が生じた試料数/評価試料数)×100(%)
耐湿信頼性の不良率=(IR劣化が生じた試料数/評価試料数)×100(%)
(3)分析試料のエネルギー分散型X線分析法によるマッピング分析
作製された積層セラミックコンデンサ1の試料のうち3個/種類が、前記エネルギー分散型X線分析法によるマッピング分析によって分析された。
作製された積層セラミックコンデンサ1の試料のうち3個/種類が、前記エネルギー分散型X線分析法によるマッピング分析によって分析された。
ただし、分析は、試料1個あたり2箇所、つまり、積層セラミックコンデンサ1の垂直断面(LT断面)において、積層セラミックコンデンサ1の高さT方向の中央付近と外層用セラミック層15a(15b)付近が走査透過型電子顕微鏡(JEM−2200FS/JEM−2300T)によって観測され、それぞれ、マッピング画像が得られた。
そして、得られた透過像とマッピング画像から、画像解析ソフトが用いられ、総距離L1,L2,L3が測定および算出された。さらに、総距離L1,L2,L3と前記A値とが用いられ、希土類元素Dyの存在割合が高い粒界の割合が算出された。合計12箇所(試料3個×高さT方向の中央付近と外層用セラミック層付近の2箇所×11aおよび11bの2箇所)で測定された割合の平均値が表1に示されている。
(4)評価結果
表1は、作製された積層セラミックコンデンサ1の評価結果を示す。また、図4には、希土類元素の存在割合と耐湿信頼性の不良率との関係が示されている。
表1は、作製された積層セラミックコンデンサ1の評価結果を示す。また、図4には、希土類元素の存在割合と耐湿信頼性の不良率との関係が示されている。
表1より、積層セラミックコンデンサ1は、電気的に有効な内層用セラミック層11の部分28のうち、内部電極12(13)と外部電極20(22)との接続部近傍30(32)の、内部電極12と内層用セラミック層11との界面、並びに、内部電極13と内層用セラミック層11との界面の、それぞれから積層方向に内層用セラミック層11の1/3の距離の範囲11aおよび11bにおいて、希土類元素の存在割合が高いほど、耐湿信頼性の不良率が小さくなることが認められた。
そして、耐湿信頼性に優れたコンデンサ(耐湿信頼性の不良率が40%以下のコンデンサ)が実現されるためには、前記A値を50%以上にする必要がある。
さらに、より一層優れた耐湿信頼性のコンデンサ(耐湿信頼性の不良率が30%以下のコンデンサ)が実現されるためには、前記A値を60%以上にする必要がある。
また、試料No.1および試料No.17のコンデンサ(同じ希土類元素種が添加された内部電極用導電ペーストを使用したもの)において、試料No.1のコンデンサ(昇温速度が40℃/secで、かつ、最高温度1300℃で保持時間が0時間の分析試料)の方が、試料No.17のコンデンサ(昇温速度が3.33℃/minで、かつ、最高温度1300℃で保持時間が2時間の分析試料)より希土類元素の存在割合が高いことが認められた。
昇温速度が遅い場合、希土類元素種が内層用セラミック層11および外層用セラミック層15a,15bの全体に拡散してしまう。そのため、希土類元素は、内部電極12と内層用セラミック層11との界面、並びに、内部電極13と内層用セラミック層11との界面の、それぞれから積層方向に内層用セラミック層11の1/3の距離の範囲11aおよび11b内に留まらない。従って、範囲11aおよび11bにおける希土類元素の濃度が低下してしまう。
なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。
1 積層セラミックコンデンサ
10 セラミック素体
11 内層用セラミック層
11a,11b 内部電極と内層用セラミック層との界面のそれぞれから積層方向に内層用セラミック層の1/3の距離の範囲
12,13 内部電極
12a,13a 引出部
15a,15b 外層用セラミック層
20,22 外部電極
28 電気的に有効な内層用セラミック層の部分
30,32 内部電極と外部電極との接続部近傍
10 セラミック素体
11 内層用セラミック層
11a,11b 内部電極と内層用セラミック層との界面のそれぞれから積層方向に内層用セラミック層の1/3の距離の範囲
12,13 内部電極
12a,13a 引出部
15a,15b 外層用セラミック層
20,22 外部電極
28 電気的に有効な内層用セラミック層の部分
30,32 内部電極と外部電極との接続部近傍
Claims (2)
- 複数の誘電体セラミック層と複数の内部電極とが交互に積層されてなるセラミック素体と、
前記セラミック素体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている外部電極と、を備えた積層セラミックコンデンサであって、
前記誘電体セラミック層はBaとTiを含有するペロブスカイト型化合物を主成分とし、
前記内部電極が挟持している電気的に有効な前記誘電体セラミック層の部分のうち、前記内部電極と前記外部電極との接続部近傍を、TEM(透過型電子顕微鏡)にて観測し、またEDS(エネルギー分散型X線分析法)によってマッピング分析し、
前記マッピング分析によって得られたマッピング画像の、前記内部電極と前記誘電体セラミック層との界面から積層方向に前記誘電体セラミック層の1/3の距離の範囲内おいて、前記TEM観測によって得られたTEM透過像から検出されるセラミックス粒界の総距離をL1とし、前記マッピング分析によって得られたマッピング画像と前記TEM透過像から検出される希土類元素が存在する粒界の総距離をL2とし、前記マッピング分析によって得られたマッピング画像と前記TEM透過像から検出される希土類元素が存在する粒界とBa,Ca,Sr,Ti,Zr,O,Ni以外の元素が存在する粒界とが重畳している部分の総距離をL3とした場合、
関係式((L2−L3)/L1)×100≧50を満足していること、
を特徴とする、積層セラミックコンデンサ。 - 前記希土類元素がDy,Tb,Ho,Y,Er,Gd,Laから選択された1種以上の元素を含むこと、を特徴とする、請求項1に記載の積層セラミックコンデンサ。
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