JP2015119075A - 配線回路基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】配線パターンの狭ピッチ化を図ることができる配線回路基板を提供する。【解決手段】配線回路基板2は、電気絶縁性を有するベース基板21と、導電性ペーストを印刷して硬化することによりベース基板21に形成され、半田3によって電子部品4と電気的に接続されるランド部221、222を有する配線パターン22と、を備え、硬化後の導電性ペーストの金属含有率は、60%以上である。【選択図】 図1
Description
本発明は、半田によって電子部品が実装される配線回路基板に関するものである。
銀ペースト等の導電性ペーストを印刷することによって回路が形成されたメンブレン回路基板では、半田の代わりに導電性接着剤を用いて実装が行われている(例えば特許文献1(特に、段落[0004]、図13A)参照)。
上記技術では、電子部品の実装時に導電性接着剤が潰れて回路からはみ出すことにより当該回路が短絡し、回路の狭ピッチ化を図ることができない場合がある。
本発明が解決しようとする課題は、配線パターンの狭ピッチ化を図ることができる配線回路基板を提供することである。
本発明者は上記の問題点に鑑みて、鋭意検討を行った結果、基板に印刷して硬化した後の導電性ペーストにおける金属含有率を所定値以上に高めることにより、硬化後の当該導電性ペーストに対する半田の濡れ性が向上することを見出し、本発明を完成するに至った。
[1]本発明に係る配線回路基板は、電気絶縁性を有する基板と、導電性ペーストを印刷して硬化することにより前記基板に形成され、半田によって電子部品と電気的に接続されるランド部を有する配線パターンと、を備え、硬化後の前記導電性ペーストの金属含有率は、60%以上であることを特徴とする。
[1]本発明に係る配線回路基板は、電気絶縁性を有する基板と、導電性ペーストを印刷して硬化することにより前記基板に形成され、半田によって電子部品と電気的に接続されるランド部を有する配線パターンと、を備え、硬化後の前記導電性ペーストの金属含有率は、60%以上であることを特徴とする。
[2]上記発明において、硬化後の前記導電性ペーストの金属含有率は、99%以上であってもよい。
[3]上記発明において、前記基板と、前記配線パターンと、の間に設けられ、電気絶縁性を有する下地層をさらに備え、下記(1)式を満たしていてもよい。
E1<E2・・・(1)
ただし、上記(1)式において、E1は前記半田の融点における前記下地層の弾性率であり、E2は前記半田の融点における前記基板の弾性率である。
E1<E2・・・(1)
ただし、上記(1)式において、E1は前記半田の融点における前記下地層の弾性率であり、E2は前記半田の融点における前記基板の弾性率である。
[4]上記発明において、下記(2)式を満たしていてもよい。
T1<T2<T3・・・(2)
ただし、上記(2)式において、T1は前記半田の融点における硬化後の前記導電性ペーストの線膨張係数であり、T2は前記半田の融点における前記下地層の線膨張係数であり、T3は前記半田の融点における前記基板の線膨張係数である。
T1<T2<T3・・・(2)
ただし、上記(2)式において、T1は前記半田の融点における硬化後の前記導電性ペーストの線膨張係数であり、T2は前記半田の融点における前記下地層の線膨張係数であり、T3は前記半田の融点における前記基板の線膨張係数である。
本発明によれば、硬化後の前記導電性ペーストの金属含有率が60%以上であることにより、導電性ペースト製の配線パターンに対する半田の濡れ性が向上する。これにより、導電性ペースト製の配線パターンへの半田を用いた電子部品の実装が可能となり、配線パターンの狭ピッチ化を図ることができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
<<第1実施形態>>
図1(A)及び図1(B)は、本実施形態における配線回路基板を有する電子部品実装体を示す平面図及び断面図である。
図1(A)及び図1(B)は、本実施形態における配線回路基板を有する電子部品実装体を示す平面図及び断面図である。
本実施形態における電子部品実装体1は、図1(A)及び図1(B)に示すように、配線回路基板2と、半田3を用いて配線回路基板2に実装された電子部品4と、を有している。
配線回路基板2は、いわゆるメンブレン回路基板であり、ベース基板21と、当該ベース基板21上に形成された配線パターン22と、を備えている。
ベース基板21は、電気絶縁性を有する可撓性材料から構成されており、このような可撓性材料としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)やポリエチレンナフタレート(PEN)等の樹脂材料を例示することができる。このようなベース基板21は、例えば、厚さが10μm〜250μmのシート形状を有しており、当該ベース基板21の図1(B)中上側の主面211には、配線パターン22が形成されている。本実施形態におけるベース基板21が本発明の可撓性基板の一例に相当する。
配線パターン22は、導電性ペーストを、ベース基板21の主面211に印刷して硬化することにより形成されている。このような印刷法としては、スクリーン印刷法やグラビアオフセット印刷法等を例示することができる。
本実施形態において、配線パターン22を形成するための導電性ペーストは、導電性粒子や、バインダ、溶剤等から構成されている。
導電性ペーストを構成する導電性粒子は、当該導電性ペーストに導電性を付与するために用いられ、例えば、平均一次粒子径が数μm程度の金属粒子から構成されている。このような金属粒子を構成する材料としては、銀、金、銅、ニッケル、白金、パラジウム等を例示することができる。なお、複数種の材料から構成される金属粒子の混合物として導電性粒子を構成してもよい。
導電性ペーストを構成するバインダは、導電性粒子間の隙間を埋めるために用いられる。このようなバインダとしては、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂等を例示することができる。なお、これらの樹脂を複数種用いて構成される混合物をバインダとしてとして用いてもよい。
導電性ペーストを構成する溶剤は、導電性ペーストの粘度調整等のために用いられる。このような溶剤としては、ブチルカルビトールアセテート、テトラエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールn‐ブチルエーテル、ベンジルグリコール、メチルポリグリコール、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、イソプロパノール、ブタノール、テルピネオール、チキサノール、ブチルセロソルブアセテート、イソホロン、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、γ‐ブチロラクトンの単独またはこれらの混合溶剤を例示することができる。
なお、導電性ペーストは、必要に応じて、顔料、チクソトロピー付与剤、消泡剤、分散剤、防錆剤、還元剤等を含んでいてもよい。
本実施形態において、配線パターン22を形成するための導電性ペーストは、当該導電性ペーストをベース基板21上に印刷して硬化した後において、金属含有率が60vol%以上となっている。
このような導電性ペーストは、例えば、通常の導電性ペースト(硬化後の金属含有率が50vol%程度)と比較して、バインダや溶剤等の樹脂成分の含有率が小さくなるように調整した混合物を用意し、攪拌脱泡装置や、ロール混練機、ミキサー、ホモミキサー、ボールミル、ビーズミルなどの混練機を用いて当該混合物を混練することにより調製することができる。
硬化後における導電性ペーストの金属含有率は、例えば、以下の様にして測定することができる。すなわち、硬化後の導電性ペーストを切断してその断面をSEMで観察した際に、下記(1)式を満たす値S[vol%]として金属含有率を測定することができる。
S=S1/(S1+S2)×100・・・(1)
ただし、上記(1)式において、S1は硬化後の導電性ペーストの断面における単位面積(当該断面に形成されている空隙部分を除く)に占める金属部分の面積であり、S2は硬化後の導電性ペーストの断面における単位面積(当該断面に形成されている空隙部分を除く)に占める樹脂部分の面積である。
S=S1/(S1+S2)×100・・・(1)
ただし、上記(1)式において、S1は硬化後の導電性ペーストの断面における単位面積(当該断面に形成されている空隙部分を除く)に占める金属部分の面積であり、S2は硬化後の導電性ペーストの断面における単位面積(当該断面に形成されている空隙部分を除く)に占める樹脂部分の面積である。
なお、ベース基板21に印刷して硬化した後における導電性ペーストの金属含有率は、99vol%以上であることが好ましい。このような導電性ペーストとしては、例えば、特開2005−200604や特開2006−040603に記載されるような方法を用いて調製された高導電性ペーストを例示することができる。
本実施形態における配線パターン22は、図1(A)及び図1(B)に示すように、図中左側から中央に向かって延在する第1の配線パターン22Lと、図中右側から中央に向かって延在する第2の配線パターン22Rと、を有しており、第1の配線パターン22Lと第2の配線パターン22Rとの間には間隙23が形成されている。
第1の配線パターン22Lは、間隙23側の端部に略円形状の第1のランド部221を有している。また、第2の配線パターン22Rは、間隙23側の端部に略円形状の第2のランド部222を有している。本実施形態における第1及び第2のランド部221、222が本発明のランド部の一例に相当する。
本実施形態における電子部品4は、図1(B)に示すように、電子部品本体41と、当該電子部品本体41における図中の左側部を覆うように設けられた第1の端子42Lと、電子部品本体41における図中の右側部を覆うように設けられた第2の端子42Rと、を有している。このような電子部品4としては、LEDや抵抗、ICチップ、コンデンサ等を例示することができる。
本実施形態では、第1の端子42Lは、半田3によって配線回路基板2の第1の配線パターン22Lにおける第1のランド部221と電気的に接続されている。同様に、第2の端子42Rは、半田3によって配線回路基板2の第2の配線パターン22Rにおける第2のランド部222と電気的に接続されている。
このような接続は、例えば、スクリーン印刷法等によって所定量の半田ペーストを第1及び第2のランド221、222上に印刷した後、電子部品4を当該第1及び第2のランド221、222上に載置してリフロー処理を施すことによって行うことができる。
なお、配線パターン22の第1及び第2のランド部221、222と端子42とを電気的に接続するための半田3は、特に限定されないが、融点が160℃程度以下である低融点半田を用いることが好ましい。このような低融点半田としては、Sn−Bi半田や、Sn−Bi−Ag半田、Sn−In半田等を例示することができる。この場合には、半田3の溶融時の熱により配線回路基板2が損傷するのを抑制することができる。
次に、本実施形態における配線回路基板2の作用について説明する。
ベース基板上に、銀ペースト等の導電性ペーストを印刷して硬化することにより配線パターンを形成する際、硬化後の導電性ペーストの金属含有率が低い(50vol%程度)場合には、当該配線パターンに対する半田の濡れ性が低下するため、導電性接着剤を用いて電子部品の実装を行う必要がある。この場合において、電子部品と配線パターンとの間に介在する導電性接着剤が実装時に潰れて配線パターン外に押し出されることにより、配線パターンが短絡する場合がある。
これに対し、本実施形態における配線回路基板2が備える配線パターン22を構成する導電性ペーストは、ベース基板21上に印刷して硬化した後において、金属含有率が60vol%以上となっている。これにより、配線パターン22に対する半田の濡れ性が良好となるため、半田3を用いて電子部品4を実装することができる。これにより、実装時における接続信頼性を向上することができる。
また、この際、配線パターン22の外部(即ち、ベース基板21の表面)において半田は濡れにくいため、実装時において半田3が配線パターン22外に押し出されることが抑制される。これにより、実装時における配線パターン22の短絡を抑制し、当該配線パターン22の狭ピッチ化を図ることができる。
なお、硬化後の導電性ペーストにおける金属含有率は99vol%以上であることが好ましく、この場合において上記の効果がより向上する。
<<第2実施形態>>
図2(A)及び図2(B)は本実施形態における配線回路基板を有する電子部品実装体を示す平面図及び断面図であり、図3は本実施形態における配線回路基板が備える下地層の温度と弾性率の関係を示すグラフであり、図4は本実施形態の変形例における配線回路基板が備える下地層の温度と膨張率の関係を示すグラフである。
図2(A)及び図2(B)は本実施形態における配線回路基板を有する電子部品実装体を示す平面図及び断面図であり、図3は本実施形態における配線回路基板が備える下地層の温度と弾性率の関係を示すグラフであり、図4は本実施形態の変形例における配線回路基板が備える下地層の温度と膨張率の関係を示すグラフである。
第2実施形態における配線回路基板は、下地層を備えていること以外は、上述した第1実施形態と同様であるので、第1実施形態と相違する部分についてのみ説明し、第1実施形態と同一である部分については、第1実施形態と同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態における電子部品実装体1Bは、図2(A)及び図2(B)に示すように、配線回路基板2Bと、半田3を用いて配線回路基板2Bに実装された電子部品4と、を有している。配線回路基板2Bは、ベース基板21と、配線パターン22と、当該ベース基板21及び配線パターン22の間に設けられた下地層24と、を備えている。
下地層24は、電気絶縁性を有し、厚さ3μm〜50μmの可撓性材料から構成されており、ベース基板21の主面211の全体を覆うように設けられている。このような下地層24は、例えば、ソルダレジストを構成する絶縁樹脂材料をスクリーン印刷によりベース基板21上に設けることにより形成することができる。このような絶縁樹脂材料としては、アクリル系やエポキシ系、シリコーン系の樹脂材料等を例示することができる。なお、下地層24は、ベース基板21において、少なくとも配線パターン22と対応する位置に設けられていればよい。
本実施形態において、下地層24を構成する材料の弾性率は、図3に示すように、広い温度範囲においてベース基板21の弾性率よりも小さくなっており、特に、半田の融点(例えば160℃程度)において下記(2)式の関係を満たしている。
E1<E2・・・(2)
ただし、上記(2)式において、E1は半田3の融点における下地層24の弾性率[GPa]であり、E2は半田3の融点におけるベース基板21の弾性率[GPa]である。
E1<E2・・・(2)
ただし、上記(2)式において、E1は半田3の融点における下地層24の弾性率[GPa]であり、E2は半田3の融点におけるベース基板21の弾性率[GPa]である。
本実施形態における配線パターン22は、第1実施形態で説明したように、導電性ペーストを印刷して硬化することに形成されており、当該導電性ペーストの硬化後における金属含有率は60vol%以上となっている。この場合において、硬化後における導電性ペースト(配線パターン22)に占める樹脂成分等の割合は相対的に小さくなっているため、導電性ペーストの硬化後において、ベース基板21に対する当該導電性ペーストの密着性が低下しやすい。このため、実装時においてベース基板21から配線パターン22が剥離してしまう場合がある。
つまり、電子部品4の実装時においては、溶融した半田3の熱(160℃程度)により配線パターン22及びベース基板21が膨張し、冷却時にこれらが収縮する。この際に、ベース基板21と配線パターン22の弾性率差が大きく(例えば8GPa程度)、配線パターン22及びベース基板21の膨張/収縮差を緩和できないため、ベース基板21から配線パターン22が剥離してしまう場合がある。
これに対し、本実施形態の配線回路基板2Bは、配線パターン22とベース基板21との間に下地層24を備えており、当該下地層24の弾性率は上記(2)式の関係を満たしている。これにより、電子部品4の実装時における配線パターン22及びベース基板21の膨張/収縮差は、下地層24によって緩和されるため、ベース基板21から配線パターン22が剥離するのを抑制することができる。なお、半田3の融点における下地層24の弾性率E1は0.01GPa〜0.1GPaであることが好ましい。また、下地層24の厚さは、3μm〜50μmであることが好ましい。これらの場合において上記の効果がより向上する。
なお、下地層を構成する材料の膨張率(線膨張係数)は、図4に示すように、広い温度範囲において配線パターン22の膨張率よりも大きく、かつ、ベース基板21の膨張率よりも小さくなっており、半田の融点(例えば160℃程度)において下記(3)式を満たしていてもよい。
T1<T2<T3・・・(3)
ただし、上記(3)式において、T1は半田3の融点における導電性ペースト(硬化後)の膨張率(線膨張係数)[1/℃]であり、T2は半田3の融点における下地層の膨張率(線膨張係数)[1/℃]であり、T3は半田3の融点におけるベース基板21の膨張率(線膨張係数)[1/℃]である。
T1<T2<T3・・・(3)
ただし、上記(3)式において、T1は半田3の融点における導電性ペースト(硬化後)の膨張率(線膨張係数)[1/℃]であり、T2は半田3の融点における下地層の膨張率(線膨張係数)[1/℃]であり、T3は半田3の融点におけるベース基板21の膨張率(線膨張係数)[1/℃]である。
この場合において、電子部品4の実装時におけるベース基板21の膨張率(線膨張係数、例えば0.6)と、電子部品4の実装時における硬化後の導電性ペーストの膨張率(線膨張係数、例えば0.3)と、の差により生じる応力を下地層により緩和することができる。このため、実装時にベース基板21から配線パターン22が剥離するのを抑制することができる。
本実施形態においても、配線回路基板2Bが備える配線パターン22を構成する導電性ペーストは、ベース基板21上に印刷して硬化した後における金属含有率が60vol%以上となっているため、半田3を用いて電子部品4を実装することができる。これにより、実装時の接続信頼性を向上することができると共に、配線パターン22の狭ピッチ化を図ることができる。
なお、以上に説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
例えば、上述の実施形態では、メンブレン回路基板に本発明を適用した例について説明したが、特にこれに限定されない。
例えば、導電性ペースト製の配線パターンを、フレキシブル基板やリジッド基板に形成した回路基板に対して、本発明を適用してもよい。なお、フレキシブル基板はポリイミド等から構成され、リジッド基板はガラスエポキシ樹脂、セラミックス、ガラス等から構成される。
以下に、本発明をさらに具体化した実施例及び比較例により本発明の効果を確認した。以下の実施例及び比較例は、上述した実施形態における配線パターンへの半田の濡れ性向上効果を確認するためのものである。
<実施例1>
実施例1では、以下に示すような配線回路基板の試験サンプルを作製した。
実施例1では、以下に示すような配線回路基板の試験サンプルを作製した。
すなわち、まず、ベース基板として厚さ75[μm]のポリエチレンテレフタレートを使用し、硬化前において導電性粒子としての銅を80wt%、フェノール系樹脂を9wt%、ブチルカルビトールを5wt%、添加剤を6wt%含む導電性ペーストを、スクリーン印刷法によりベース基板の全面に印刷した。そして、印刷後のベース基板を、温度150℃で4分間熱乾燥して硬化させることにより、厚さ10[μm]の配線パターンを形成した。この際、硬化後の導電性ペーストの金属含有率は60vol%であった。なお、硬化後における導伝性ペーストの金属含有率は、硬化後の当該導電性ペーストの一部を切断してその断面をSEMで観察し、上記(1)式を満たす値S[vol%]として測定を行った。
以上に説明した構成の実施例1の試験サンプルに対して、以下の半田濡れ性試験を行った。
具体的には、まず、スクリーン印刷法により配線パターンの中央に、直径20[mm]の円形状となるよう導電性ペーストを印刷して硬化させ、その上に、直径10[mm]の円形状となるように半田ペーストを同様に印刷した。半田ペーストとしては、Sn−Bi半田を用いた。そして、その状態で160[℃]、4分間の条件下でリフロー処理を行った後、室温で半田を冷却することにより試験サンプルを作製した。
次いで、試験サンプルを平面視で観察することにより、リフロー処理の前後において配線パターン上に形成された半田の面積比率((リフロー後の半田面積/リフロー前の半田面積)×100)で評価した。この比率が100[%]に近づくほど半田の濡れ性が良いことを示す。
上記の面積比率が90[%]〜100[%]を満たす場合には、半田の濡れ性が優良であるとして「◎」とし、上記の面積比率が90[%]未満であり半田ペーストが導電性ペーストと接合している場合には、半田の濡れ性が良好であるとして「〇」とし、半田ペーストが導電性ペーストと接合していない場合には「×」として評価を行った。
<実施例2>
実施例2では、硬化前において導電性粒子としての銀を96wt%、テルピネオールを3wt%含み、硬化後の金属含有率は99vol%である導電性ペーストを用いて配線パターンを形成したこと以外は実施例1と同様にして、試験サンプルの作製を行った。この試験サンプルについても、実施例1と同等の条件で半田濡れ性試験を行った。
実施例2では、硬化前において導電性粒子としての銀を96wt%、テルピネオールを3wt%含み、硬化後の金属含有率は99vol%である導電性ペーストを用いて配線パターンを形成したこと以外は実施例1と同様にして、試験サンプルの作製を行った。この試験サンプルについても、実施例1と同等の条件で半田濡れ性試験を行った。
<比較例1>
比較例1では、硬化前において導電性粒子としての銀を70〜80wt%、ポリエステル系樹脂を9wt%、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートを10〜15wt%含み、硬化後の金属含有率は50vol%である導電性ペーストを用いて配線パターンを形成したこと以外は実施例1と同様にして、試験サンプルの作製を行った。この試験サンプルについても、実施例1と同等の条件で半田濡れ性試験を行った。
比較例1では、硬化前において導電性粒子としての銀を70〜80wt%、ポリエステル系樹脂を9wt%、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートを10〜15wt%含み、硬化後の金属含有率は50vol%である導電性ペーストを用いて配線パターンを形成したこと以外は実施例1と同様にして、試験サンプルの作製を行った。この試験サンプルについても、実施例1と同等の条件で半田濡れ性試験を行った。
実施例1、実施例2、及び比較例1の測定結果を表1に示す。
表1に示す結果によると、実施例1の試験サンプルでは、半田の濡れ性が良好「〇」であり、実施例2の試験サンプルでは、半田の濡れ性が優良「◎」であることが分かった。一方、比較例1の試験サンプルでは、半田の濡れ性が劣る(「×」である)ことが分かった。
以上のように、硬化後の金属含有率が60vol%以上である実施例1及び実施例2は、半田の濡れ性が優れていることが確認された。また、実施例1及び実施例2の結果から、硬化後の金属含有率が高い方がより半田の濡れ性が優れることが確認された。
これは、硬化後における導電性ペーストの金属含有率が高いほど(60vol%以上)、硬化後の半田ペースト中に占める樹脂成分等の割合が小さくなるため、半田の濡れ性が向上したと考えられる。
1、1B・・・電子部品実装体
2、2B・・・配線回路基板
21・・・ベース基板
22・・・配線パターン
221・・・第1のランド部
222・・・第2のランド部
24・・・下地層
3・・・半田
4・・・電子部品
2、2B・・・配線回路基板
21・・・ベース基板
22・・・配線パターン
221・・・第1のランド部
222・・・第2のランド部
24・・・下地層
3・・・半田
4・・・電子部品
Claims (4)
- 電気絶縁性を有する基板と、
導電性ペーストを印刷して硬化することにより前記基板に形成され、半田によって電子部品と電気的に接続されるランド部を有する配線パターンと、を備え、
硬化後の前記導電性ペーストの金属含有率は、60%以上であることを特徴とする配線回路基板。 - 請求項1に記載の配線回路基板であって、
硬化後の前記導電性ペーストの金属含有率は、99%以上であることを特徴とする配線回路基板。 - 請求項1又は2に記載の配線回路基板であって、
前記基板と、前記配線パターンと、の間に設けられ、電気絶縁性を有する下地層をさらに備え、
下記(1)式を満たすことを特徴とする配線回路基板。
E1<E2・・・(1)
ただし、上記(1)式において、E1は前記半田の融点における前記下地層の弾性率であり、E2は前記半田の融点における前記基板の弾性率である。 - 請求項1〜3の何れか1項に記載の配線回路基板であって、
下記(2)式を満たすことを特徴とする配線回路基板。
T1<T2<T3・・・(2)
ただし、上記(2)式において、T1は前記半田の融点における硬化後の前記導電性ペーストの線膨張係数であり、T2は前記半田の融点における前記下地層の線膨張係数であり、T3は前記半田の融点における前記基板の線膨張係数である。
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013262301A Pending JP2015119075A (ja) | 2013-12-19 | 2013-12-19 | 配線回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015119075A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017023238A1 (en) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Printed circuit board to molded compound interface |
JP2019192824A (ja) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | 株式会社フジクラ | 配線板及び回路板 |
-
2013
- 2013-12-19 JP JP2013262301A patent/JP2015119075A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2017023238A1 (en) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Printed circuit board to molded compound interface |
JP2019192824A (ja) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | 株式会社フジクラ | 配線板及び回路板 |
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