JP2015109314A - 固体撮像装置 - Google Patents

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Kazuhiro Nagata
一博 永田
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Katsuo Iwata
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Takayuki Ogasawara
隆行 小笠原
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Abstract

【課題】1つの実施形態は、例えば、シェーディングの発生を抑制することに適した固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】1つの実施形態によれば、撮像領域を備えた固体撮像装置が提供される。撮像領域では、複数の画素が2次元的に配列されている。複数の画素は、第1の画素と第2の画素とを有する。第1の画素は、撮像領域の中心近傍に配されている。第2の画素は、第1の画素より撮像領域の中心から遠い位置に配されている。第1の画素は、第1のマイクロレンズを有する。第1のマイクロレンズは、平面視において円形状である。第2の画素は、第2のマイクロレンズを有する。第2のマイクロレンズは、平面視において楕円形状である。第2のマイクロレンズは、第1のマイクロレンズより面積が大きい。
【選択図】図5

Description

本発明の実施形態は、固体撮像装置に関する。
カメラ等の撮像システムでは、撮影レンズの予定結像面に固体撮像装置が配置される。撮影レンズは、固体撮像装置の撮像領域(撮像面)に被写体の像を形成する。固体撮像装置は、被写体像に応じた画像信号を生成する。このとき、撮像領域における中心近傍の画素に比べて周辺の画素の受光光量が減衰すると、固体撮像装置で生成された画像信号において、撮像領域の中心近傍の画素信号に比べて撮像領域の周辺の画素信号の輝度(信号レベル)が減衰するシェーディングが発生する可能性がある。
特開2010−62438号公報 特表2009−506383号公報
1つの実施形態は、例えば、シェーディングの発生を抑制することに適した固体撮像装置を提供することを目的とする。
1つの実施形態によれば、撮像領域を備えた固体撮像装置が提供される。撮像領域では、複数の画素が2次元的に配列されている。複数の画素は、第1の画素と第2の画素とを有する。第1の画素は、撮像領域の中心近傍に配されている。第2の画素は、第1の画素より撮像領域の中心から遠い位置に配されている。第1の画素は、第1のマイクロレンズを有する。第1のマイクロレンズは、平面視において円形状である。第2の画素は、第2のマイクロレンズを有する。第2のマイクロレンズは、平面視において楕円形状である。第2のマイクロレンズは、第1のマイクロレンズより面積が大きい。
実施形態にかかる固体撮像装置を適用したカメラシステムの構成を示す図。 実施形態にかかる固体撮像装置を適用したカメラシステムの構成を示す図。 実施形態にかかる固体撮像装置の回路構成を示す図。 実施形態における主光線の入射角度を示す図。 実施形態における複数の画素の配列を示す図。 実施形態における撮像領域の中心からX方向に延びた直線上に位置する複数の画素を示す平面図。 実施形態における撮像領域の中心からX方向に延びた直線上に位置する複数の画素を示す断面図。 実施形態における撮像領域の中心からY方向に延びた直線上に位置する複数の画素を示す平面図。 実施形態における撮像領域の中心から斜め方向に延びた直線上に位置する複数の画素を示す平面図。 実施形態による効果を示す図。
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる固体撮像装置を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
(実施形態)
実施形態にかかる固体撮像装置について説明する。固体撮像装置は、例えば、図1及び図2に示す撮像システムに適用される。図1及び図2は、撮像システムの概略構成を示す図である。
撮像システム1は、例えば、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなどであってもよいし、カメラモジュールが電子機器に適用されたもの(例えばカメラ付き携帯端末等)でもよい。撮像システム1は、図2に示すように、撮像部2及び後段処理部3を備える。撮像部2は、例えば、カメラモジュールである。撮像部2は、撮像光学系4及び固体撮像装置5を有する。後段処理部3は、ISP(Image Signal Processor)6、記憶部7、及び表示部8を有する。
撮像光学系4は、撮影レンズ47、ハーフミラー43、メカシャッタ46、レンズ44、プリズム45、及びファインダー48を有する。撮影レンズ47は、撮影レンズ47a,47b、絞り(図示せず)、及びレンズ駆動機構47cを有する。絞りは、撮影レンズ47aと撮影レンズ47bとの間に配され、撮影レンズ47bへ導かれる光量を調節する。なお、図1では、撮影レンズ47が2枚の撮影レンズ47a,47bを有する場合が例示的に示されているが、撮影レンズ47は多数枚の撮影レンズを有していてもよい。
固体撮像装置5は、撮影レンズ47の予定結像面に配置されている。例えば、撮影レンズ47は、入射した光を屈折させて、ハーフミラー43及びメカシャッタ46経由で固体撮像装置5の撮像面へ導き、固体撮像装置5の撮像面(撮像領域IR)に被写体の像を形成する。固体撮像装置5は、被写体像に応じた画像信号を生成する。
固体撮像装置5は、図3に示すように、イメージセンサ10、及び信号処理回路11を有する。図3は、固体撮像装置の回路構成を示す図である。イメージセンサ10は、例えば、CMOSイメージセンサであってもよいし、CCDイメージセンサであっても良い。イメージセンサ10は、画素配列12、垂直シフトレジスタ13、タイミング制御部15、相関二重サンプリング部(CDS)16、アナログデジタル変換部(ADC)17及びラインメモリ18を有する。
画素配列12は、固体撮像装置5における撮像領域IR(図5参照)に配される。撮像領域IRは、例えば、矩形状である。画素配列12では、複数の画素Pが2次元的に配列されている。各画素Pは、マイクロレンズML及び光電変換部PD(図7参照)を有する。マイクロレンズMLは、画素Pへ入射した光を光電変換部PDの受光面に集める。光電変換部PDは、例えばフォトダイオードであり、受光した光量に応じた画素信号を生成する。すなわち、画素配列12は、各画素Pへの入射光量に応じた画像信号(アナログ信号)を生成する。生成された画像信号は、タイミング制御部15及び垂直シフトレジスタ13により画素PからCDS16側へ読み出され、CDS16/ADC17を経て画像信号(デジタル信号)へ変換され、ラインメモリ18経由で信号処理回路11に出力される。信号処理回路11では、画像信号に対して信号処理が行われて画像データが生成される。生成された画像データは、ISP6に出力される。
図1に示すレンズ駆動機構47cは、ISP6(図2参照)による制御のもと、撮影レンズ47bを光軸OPに沿って駆動する。例えば、ISP6は、AF(Auto Focus)機能に従って、焦点調節情報を求め、焦点調節情報に基づいて、レンズ駆動機構47cを制御して、撮影レンズ47a,47bを合焦状態(ジャストフォーカス)に調節する。
次に、撮像領域IRにおける各画素Pへの光(主光線)の入射角度について図4を用いて説明する。図4は、撮像領域IRにおける各画素Pへの光(主光線)の入射角度を示す図である。
図4では、光軸OPに沿った方向をZ軸とし、撮像領域IRの辺SD2(図5参照)に沿った方向をX軸とし、撮像領域IRの辺SD1(図5参照)に沿った方向をY軸として示している。
被写体OBで反射した光が撮影レンズ47により屈折されることで、固体撮像装置5の撮像領域IR(撮像面)に被写体OBの像が形成される。撮像領域IRでは、複数の画素Pが2次元的に配列されており、それに対応して複数のマイクロレンズMLが2次元的に配列されている(図5参照)。このとき、光軸OPと撮像領域IR(撮像面)との交点を撮像領域の中心CPとすると、撮像領域IRの中心CP近傍に配された画素PのマイクロレンズMLに比べて、撮像領域IRの中心CPから遠い位置に配された画素PのマイクロレンズMLへの光の入射角度が大きくなる。
例えば、図4では、画素P−1が、撮像領域IRの中心CP近傍に配されている。画素P−2は、画素P−1より撮像領域IRの中心CPから遠い位置に配されている。これに応じて、画素P−1のマイクロレンズML−1への光の入射角度θ1(≒0)に比べて、画素P−2のマイクロレンズML−2への光の入射角度θ2が大きくなっている。また、画素P−3は、画素P−1、画素P−2より撮像領域IRの中心CPから遠い位置に配されている。これに応じて、画素P−1,P−2のマイクロレンズML−1,ML−2への光の入射角度θ1,θ2に比べて、画素P−3のマイクロレンズML−3への光の入射角度θ3が大きくなっている。すなわち、撮像領域IRに配列された複数の画素Pでは、撮像領域IRの中心CPから遠ざかるにつれて画素PのマイクロレンズMLへの光の入射角度が大きくなる。
このとき、仮に、図10(a)に示す構成を考える。図10(a)は、基本の形態における複数の画素の配列を示す図である。図10(c)では、図10(a)の破線上に位置する複数の画素の画素位置と画素で生成される画素信号の信号レベル(輝度レベル)との関係を基本の形態として示している。
図10(a)に示すように、撮像領域IRにおいて複数のマイクロレンズMLが平面視において一様な面積で配されていると、撮像領域IRでは、撮像領域IRの中心CPから遠ざかるにつれて、画素Pの光電変換部PDに集められる光の量が少なくなる。これにより、図10(c)に基本の形態として示すように、撮像領域IRの中心CPから遠ざかるにつれて、画素Pの光電変換部PDで生成される画素信号の輝度レベル(信号レベル)が大幅に(例えば、減衰幅ΔBLで)減衰する傾向にある。この結果、固体撮像装置5で生成された画像信号において、撮像領域IRの中心CP近傍の画素信号に比べて撮像領域IRの周辺の画素信号の輝度が減衰するシェーディングが発生する可能性がある。
そこで、本実施形態では、撮像領域IRの中心CPから遠ざかるにつれてのマイクロレンズMLの平面視における面積を増加させることで、シェーディングの発生を抑制させることを目指す。
具体的には、図5に示すように、撮像領域IRが例えば矩形状である。撮像領域IRは、辺SD1〜SD4及び角CN1〜CN4を有する。辺SD1及び辺SD2、辺SD2及び辺SD3、辺SD3及び辺SD4、辺SD4及び辺SD1は、それぞれ、互いに隣接している。角CN1,CN2,CN3,CN4は、それぞれ、辺SD1及び辺SD2、辺SD2及び辺SD3、辺SD3及び辺SD4、辺SD4及び辺SD1が交差することで形成されている。
撮像領域IRでは、図5、図6に示すように、直線SL1上に位置する複数の画素P−1,P−1a,・・・,P−2,P−2a,・・・,P−3,P−3aでは、撮像領域IRの中心CPから遠ざかるにつれてマイクロレンズMLの形状が円形状からX方向に延びた楕円形状になる。直線SL1は、撮像領域IRの中心CPからX方向に延びた直線である。図6は、直線SL1上に位置する複数の画素を示す平面図である。
例えば、直線SL1に位置する複数の画素P−1,P−1a,・・・,P−2,P−2a,・・・,P−3,P−3aでは、撮像領域IRの中心CPから遠ざかるにつれてマイクロレンズMLの面積が徐々に大きくなるとともに長径が徐々に大きくなっている。
図6に示すように、撮像領域IRの中心CP近傍に配された画素P−1は、光電変換部PD−1及びマイクロレンズML−1を有する。光電変換部PD−1の受光面に垂直な方向から透視した場合に、マイクロレンズML−1は、光電変換部PD−1を含む。マイクロレンズML−1は、平面視において円形状である。例えば、光電変換部PD−1の受光面に垂直な方向から透視した場合に、マイクロレンズML−1の光軸中心を光電変換部PD−1の重心に一致させることができる。
このとき、図7に示すように、画素P−1へ入射すべき光(主光線)は、入射角θ1≒0であり(図4参照)、光電変換部PD−1の受光面に略垂直な方向からマイクロレンズML−1に入射する。これにより、マイクロレンズML−1は、入射光を光電変換部PD−1の受光面に容易に集めることができる。なお、図7は、直線SL1上に位置する複数の画素を示す断面図である。
直線SL1上で画素P−1に隣接する画素P−1aは、光電変換部PD−1a及びマイクロレンズML−1aを有する。光電変換部PD−1aの受光面に垂直な方向から透視した場合に、マイクロレンズML−1aは、光電変換部PD−1aを含む。マイクロレンズML−1aは、平面視においてほぼ円形状であるが、わずかに辺SD2に沿って延びた楕円形状になっている。すなわち、マイクロレンズML−1aは、マイクロレンズML−1の形状を基本として、マイクロレンズML−1の形状をわずかに中心CP側に延ばした楕円形状である。マイクロレンズML−1の直径をD−1とし、マイクロレンズML−1aの長径をD−1aとすると、次の数式1が成り立つ。なお、マイクロレンズML−1aの短径はマイクロレンズML−1の直径D−1に均等であってもよい。
D−1a>D−1・・・数式1
例えば、光電変換部PD−1aの受光面に垂直な方向から透視した場合に、マイクロレンズML−1aの光軸中心を光電変換部PD−1aの重心よりわずかに中心CP側にシフトさせることができる。
このとき、図7に示すように、画素P−1aへ入射すべき光(主光線)は、入射角θ1a(>θ1)であり、光電変換部PD−1aの受光面に略垂直な方向からわずかに傾いた角度でマイクロレンズML−1aに入射する。数式1により、マイクロレンズML−1aは、その光軸中心がわずかに中心CP側にシフトしているので、わずかに傾いて入射した入射光を光電変換部PD−1aの受光面に容易に集めることができる。また、マイクロレンズML−1aは、マイクロレンズML−1より面積が大きいので、受光光量を容易に確保できる。
直線SL1上で画素P−1,P−1aより中心CPから遠い位置に配された画素P−2は、光電変換部PD−2及びマイクロレンズML−2を有する。光電変換部PD−2の受光面に垂直な方向から透視した場合に、マイクロレンズML−2は、光電変換部PD−2を含む。マイクロレンズML−2は、平面視において辺SD2に沿って延びた楕円形状になっている。すなわち、マイクロレンズML−2は、マイクロレンズML−1の形状を基本として、マイクロレンズML−1の形状をマイクロレンズML−1aよりさらに中心CP側に延ばした楕円形状である。マイクロレンズML−2の長径をD−2とすると、次の数式2が成り立つ。なお、マイクロレンズML−2の短径はマイクロレンズML−1の直径D−1に均等であってもよい。
D−2>D−1a・・・数式2
例えば、光電変換部PD−2の受光面に垂直な方向から透視した場合に、画素P−1aに比べて、マイクロレンズML−2の光軸中心を光電変換部PD−2の重心よりさらに中心CP側にシフトさせることができる。マイクロレンズML−1aの光軸中心の光電変換部PD−1aの重心からのシフト量をSF1aとし、マイクロレンズML−2の光軸中心の光電変換部PD−2の重心からのシフト量をSF2とすると、次の数式3が成り立つ。
SF2>SF1a・・・数式3
このとき、図7に示すように、画素P−2へ入射すべき光(主光線)は、入射角θ2(>θ1a>θ1)であり(図4参照)、光電変換部PD−2の受光面に略垂直な方向から傾いた角度でマイクロレンズML−2に入射する。数式3により、マイクロレンズML−2は、その光軸中心が中心CP側にシフトしているので、斜めに入射した入射光を光電変換部PD−2の受光面に容易に集めることができる。また、マイクロレンズML−2は、マイクロレンズML−1,ML−1aより面積が大きいので、受光光量を容易に確保できる。
直線SL1上で画素P−2に隣接する画素P−2aは、光電変換部PD−2a及びマイクロレンズML−2aを有する。光電変換部PD−2aの受光面に垂直な方向から透視した場合に、マイクロレンズML−2aは、光電変換部PD−2aを含む。マイクロレンズML−2aは、平面視において辺SD2に沿って延びた楕円形状になっている。すなわち、マイクロレンズML−2aは、マイクロレンズML−1の形状を基本として、マイクロレンズML−1の形状をマイクロレンズML−2よりさらに中心CP側に延ばした楕円形状である。マイクロレンズML−2aの長径をD−2aとすると、次の数式4が成り立つ。なお、マイクロレンズML−2aの短径はマイクロレンズML−1の直径D−1に均等であってもよい。
D−2a>D−2・・・数式4
例えば、光電変換部PD−2aの受光面に垂直な方向から透視した場合に、画素P−2に比べて、マイクロレンズML−2aの光軸中心を光電変換部PD−2aの重心よりさらに中心CP側にシフトさせることができる。マイクロレンズML−2aの光軸中心の光電変換部PD−2aの重心からのシフト量をSF2aとすると、次の数式5が成り立つ。
SF2a>SF2・・・数式5
このとき、図7に示すように、画素P−2aへ入射すべき光(主光線)は、入射角θ2a(>θ2)であり、光電変換部PD−2aの受光面に略垂直な方向から傾いた角度でマイクロレンズML−2aに入射する。数式5により、マイクロレンズML−2aは、その光軸中心が中心CP側にシフトしているので、斜めに入射した入射光を光電変換部PD−2aの受光面に容易に集めることができる。また、マイクロレンズML−2aは、マイクロレンズML−1〜ML−2より面積が大きいので、受光光量を容易に確保できる。
直線SL1上で画素P−2,P−2aより中心CPから遠い位置に配された画素P−3は、光電変換部PD−3及びマイクロレンズML−3を有する。光電変換部PD−3の受光面に垂直な方向から透視した場合に、マイクロレンズML−3は、光電変換部PD−3を含む。マイクロレンズML−3は、平面視において辺SD2に沿って延びた楕円形状になっている。すなわち、マイクロレンズML−3は、マイクロレンズML−1の形状を基本として、マイクロレンズML−1の形状をマイクロレンズML−2aよりさらに中心CP側に延ばした楕円形状である。マイクロレンズML−3の長径をD−3とすると、次の数式6が成り立つ。なお、マイクロレンズML−3の短径はマイクロレンズML−1の直径D−1に均等であってもよい。
D−3>D−2a・・・数式6
例えば、光電変換部PD−3の受光面に垂直な方向から透視した場合に、画素P−2aに比べて、マイクロレンズML−3の光軸中心を光電変換部PD−3の重心よりさらに中心CP側にシフトさせることができる。マイクロレンズML−3の光軸中心の光電変換部PD−3の重心からのシフト量をSF3とすると、次の数式7が成り立つ。
SF3>SF2a・・・数式7
このとき、図7に示すように、画素P−3へ入射すべき光(主光線)は、入射角θ3(>θ2a>θ2)であり(図4参照)、光電変換部PD−3の受光面に略垂直な方向から傾いた角度でマイクロレンズML−3に入射する。数式7により、マイクロレンズML−3は、その光軸中心が中心CP側にシフトしているので、斜めに入射した入射光を光電変換部PD−3の受光面に容易に集めることができる。また、マイクロレンズML−3は、マイクロレンズML−1〜ML−2aより面積が大きいので、受光光量を容易に確保できる。
直線SL1上で画素P−3に隣接する画素P−3aは、光電変換部PD−3a及びマイクロレンズML−3aを有する。光電変換部PD−3aの受光面に垂直な方向から透視した場合に、マイクロレンズML−3aは、光電変換部PD−3aを含む。マイクロレンズML−3aは、平面視において辺SD2に沿って延びた楕円形状になっている。すなわち、マイクロレンズML−3aは、マイクロレンズML−1の形状を基本として、マイクロレンズML−1の形状をマイクロレンズML−3よりさらに中心CP側に延ばした楕円形状である。マイクロレンズML−3aの長径をD−3aとすると、次の数式8が成り立つ。なお、マイクロレンズML−3aの短径はマイクロレンズML−1の直径D−1に均等であってもよい。
D−3a>D−3・・・数式8
例えば、光電変換部PD−3aの受光面に垂直な方向から透視した場合に、画素P−3に比べて、マイクロレンズML−3aの光軸中心を光電変換部PD−3aの重心よりさらに中心CP側にシフトさせることができる。マイクロレンズML−3aの光軸中心の光電変換部PD−3aの重心からのシフト量をSF3aとすると、次の数式9が成り立つ。
SF3a>SF3・・・数式9
このとき、図7に示すように、画素P−3aへ入射すべき光(主光線)は、入射角θ3a(>θ3)であり、光電変換部PD−3aの受光面に略垂直な方向から傾いた角度でマイクロレンズML−3aに入射する。数式9により、マイクロレンズML−3aは、その光軸中心が中心CP側にシフトしているので、斜めに入射した入射光を光電変換部PD−3aの受光面に容易に集めることができる。また、マイクロレンズML−3aは、マイクロレンズML−1〜ML−3より面積が大きいので、受光光量を容易に確保できる。
また、撮像領域IRでは、図5、図8に示すように、直線SL2上に位置する複数の画素P−1,P−1b,・・・,P−4,P−4b,・・・,P−5,P−5bでは、撮像領域IRの中心CPから遠ざかるにつれてマイクロレンズMLの形状が円形状からY方向に延びた楕円形状になる。直線SL2は、撮像領域IRの中心CPからY方向に延びた直線である。図8は、直線SL2上に位置する複数の画素を示す平面図である。
例えば、直線SL2に位置する複数の画素P−1,P−1b,・・・,P−4,P−4b,・・・,P−5,P−5bでは、撮像領域IRの中心CPから遠ざかるにつれてマイクロレンズMLの面積が徐々に大きくなるとともに長径が徐々に大きくなっている。
直線SL2上で画素P−1に隣接する画素P−1bは、光電変換部PD−1b及びマイクロレンズML−1bを有する。光電変換部PD−1bの受光面に垂直な方向から透視した場合に、マイクロレンズML−1bは、光電変換部PD−1bを含む。マイクロレンズML−1bは、平面視においてほぼ円形状であるが、わずかに辺SD1に沿って延びた楕円形状になっている。すなわち、マイクロレンズML−1bは、マイクロレンズML−1の形状を基本として、マイクロレンズML−1の形状をわずかに中心CP側に延ばした楕円形状である。マイクロレンズML−1の直径をD−1とし、マイクロレンズML−1bの長径をD−1bとすると、次の数式10が成り立つ。なお、マイクロレンズML−1bの短径はマイクロレンズML−1の直径D−1に均等であってもよい。
D−1b>D−1・・・数式10
例えば、光電変換部PD−1aの受光面に垂直な方向から透視した場合に、マイクロレンズML−1bの光軸中心を光電変換部PD−1bの重心よりわずかに中心CP側にシフトさせることができる。これにより、マイクロレンズML−1bは、入射光を光電変換部PD−1bの受光面に容易に集めることができる。また、マイクロレンズML−1bは、マイクロレンズML−1より面積が大きいので、受光光量を容易に確保できる。
直線SL2上で画素P−1,P−1bより中心CPから遠い位置に配された画素P−4は、光電変換部PD−4及びマイクロレンズML−4を有する。光電変換部PD−4の受光面に垂直な方向から透視した場合に、マイクロレンズML−4は、光電変換部PD−4を含む。マイクロレンズML−4は、平面視において辺SD1に沿って延びた楕円形状になっている。すなわち、マイクロレンズML−4は、マイクロレンズML−1の形状を基本として、マイクロレンズML−1の形状をマイクロレンズML−1bよりさらに中心CP側に延ばした楕円形状である。マイクロレンズML−4の長径をD−4とすると、次の数式11が成り立つ。なお、マイクロレンズML−4の短径はマイクロレンズML−1の直径D−1に均等であってもよい。
D−4>D−1b・・・数式11
例えば、光電変換部PD−4の受光面に垂直な方向から透視した場合に、画素P−1bに比べて、マイクロレンズML−4の光軸中心を光電変換部PD−4の重心よりさらに中心CP側にシフトさせることができる。マイクロレンズML−1bの光軸中心の光電変換部PD−1bの重心からのシフト量をSF1bとし、マイクロレンズML−4の光軸中心の光電変換部PD−4の重心からのシフト量をSF4とすると、次の数式12が成り立つ。
SF4>SF1b・・・数式12
数式12により、マイクロレンズML−4は、その光軸中心が中心CP側にシフトしているので、斜めに入射した入射光を光電変換部PD−4の受光面に容易に集めることができる。また、マイクロレンズML−4は、マイクロレンズML−1,ML−1bより面積が大きいので、受光光量を容易に確保できる。
直線SL2上で画素P−4に隣接する画素P−4bは、光電変換部PD−4b及びマイクロレンズML−4bを有する。光電変換部PD−4bの受光面に垂直な方向から透視した場合に、マイクロレンズML−4bは、光電変換部PD−4bを含む。マイクロレンズML−4bは、平面視において辺SD1に沿って延びた楕円形状になっている。すなわち、マイクロレンズML−4bは、マイクロレンズML−1の形状を基本として、マイクロレンズML−1の形状をマイクロレンズML−4よりさらに中心CP側に延ばした楕円形状である。マイクロレンズML−4bの長径をD−4bとすると、次の数式13が成り立つ。なお、マイクロレンズML−4bの短径はマイクロレンズML−1の直径D−1に均等であってもよい。
D−4b>D−4・・・数式13
例えば、光電変換部PD−4bの受光面に垂直な方向から透視した場合に、画素P−4に比べて、マイクロレンズML−4bの光軸中心を光電変換部PD−4bの重心よりさらに中心CP側にシフトさせることができる。マイクロレンズML−4bの光軸中心の光電変換部PD−4bの重心からのシフト量をSF4bとすると、次の数式14が成り立つ。
SF4b>SF4・・・数式14
数式14により、マイクロレンズML−4bは、その光軸中心が中心CP側にシフトしているので、斜めに入射した入射光を光電変換部PD−4bの受光面に容易に集めることができる。また、マイクロレンズML−4bは、マイクロレンズML−1〜ML−4より面積が大きいので、受光光量を容易に確保できる。
直線SL2上で画素P−4,P−4bより中心CPから遠い位置に配された画素P−5は、光電変換部PD−5及びマイクロレンズML−5を有する。光電変換部PD−5の受光面に垂直な方向から透視した場合に、マイクロレンズML−5は、光電変換部PD−5を含む。マイクロレンズML−5は、平面視において辺SD1に沿って延びた楕円形状になっている。すなわち、マイクロレンズML−5は、マイクロレンズML−1の形状を基本として、マイクロレンズML−1の形状をマイクロレンズML−4bよりさらに中心CP側に延ばした楕円形状である。マイクロレンズML−5の長径をD−5とすると、次の数式15が成り立つ。なお、マイクロレンズML−5の短径はマイクロレンズML−1の直径D−1に均等であってもよい。
D−5>D−4b・・・数式15
例えば、光電変換部PD−5の受光面に垂直な方向から透視した場合に、画素P−4bに比べて、マイクロレンズML−5の光軸中心を光電変換部PD−5の重心よりさらに中心CP側にシフトさせることができる。マイクロレンズML−5の光軸中心の光電変換部PD−5の重心からのシフト量をSF5とすると、次の数式16が成り立つ。
SF5>SF4b・・・数式16
数式16により、マイクロレンズML−5は、その光軸中心が中心CP側にシフトしているので、斜めに入射した入射光を光電変換部PD−5の受光面に容易に集めることができる。また、マイクロレンズML−5は、マイクロレンズML−1〜ML−4bより面積が大きいので、受光光量を容易に確保できる。
直線SL2上で画素P−5に隣接する画素P−5bは、光電変換部PD−5b及びマイクロレンズML−5bを有する。光電変換部PD−5bの受光面に垂直な方向から透視した場合に、マイクロレンズML−5bは、光電変換部PD−5bを含む。マイクロレンズML−5bは、平面視において辺SD1に沿って延びた楕円形状になっている。すなわち、マイクロレンズML−5bは、マイクロレンズML−1の形状を基本として、マイクロレンズML−1の形状をマイクロレンズML−5よりさらに中心CP側に延ばした楕円形状である。マイクロレンズML−5bの長径をD−5bとすると、次の数式17が成り立つ。なお、マイクロレンズML−5bの短径はマイクロレンズML−1の直径D−1に均等であってもよい。
D−5b>D−5・・・数式17
例えば、光電変換部PD−5bの受光面に垂直な方向から透視した場合に、画素P−5に比べて、マイクロレンズML−5bの光軸中心を光電変換部PD−5bの重心よりさらに中心CP側にシフトさせることができる。マイクロレンズML−5bの光軸中心の光電変換部PD−5bの重心からのシフト量をSF5bとすると、次の数式18が成り立つ。
SF5b>SF5・・・数式18
数式18により、マイクロレンズML−5bは、その光軸中心が中心CP側にシフトしているので、斜めに入射した入射光を光電変換部PD−5bの受光面に容易に集めることができる。また、マイクロレンズML−5bは、マイクロレンズML−1〜ML−5より面積が大きいので、受光光量を容易に確保できる。
また、撮像領域IRでは、図5、図9に示すように、直線SL3上に位置する複数の画素P−1,・・・,P−6,・・・,P−7では、マイクロレンズMLの形状を円形状に保ちながら、撮像領域IRの中心CPから遠ざかるとともにX方向及びY方向に延びた形状になる。直線SL3は、撮像領域IRの中心CPからX方向及びY方向に交差する方向(例えば、角CN1に向う方向)に延びた直線であって、X方向及びY方向の画素位置が均等な画素に沿って延びた直線である。図9は、直線SL3上に位置する複数の画素を示す平面図である。
例えば、直線SL3に位置する複数の画素P−1,・・・,P−6,・・・,P−7では、マイクロレンズMLの形状を円形状に保ちながら、撮像領域IRの中心CPから遠ざかるにつれてマイクロレンズMLの面積が徐々に大きくなるとともに直径が徐々に大きくなっている。
直線SL3上で画素P−1より中心CPから遠い位置に配された画素P−6は、光電変換部PD−6及びマイクロレンズML−6を有する。光電変換部PD−6の受光面に垂直な方向から透視した場合に、マイクロレンズML−6は、光電変換部PD−6を含む。マイクロレンズML−6は、平面視において円形状になっている。すなわち、マイクロレンズML−6は、マイクロレンズML−1の形状を基本として、マイクロレンズML−1の形状をX方向及びY方向に延ばすことで中心CP側に延ばした円形状である。マイクロレンズML−6の直径をD−6とすると、次の数式19が成り立つ。
D−6>D−1・・・数式19
例えば、光電変換部PD−6の受光面に垂直な方向から透視した場合に、画素P−1に比べて、マイクロレンズML−6の光軸中心を光電変換部PD−6の重心よりさらに中心CP側にシフトさせることができる。マイクロレンズML−1の光軸中心の光電変換部PD−1の重心からのシフト量をSF1とし、マイクロレンズML−6の光軸中心の光電変換部PD−6の重心からのシフト量をSF6とすると、次の数式20が成り立つ。
SF6>SF1・・・数式20
数式20により、マイクロレンズML−6は、その光軸中心が中心CP側にシフトしているので、斜めに入射した入射光を光電変換部PD−6の受光面に容易に集めることができる。また、マイクロレンズML−6は、マイクロレンズML−1より面積が大きいので、受光光量を容易に確保できる。
直線SL3上で画素P−6より中心CPから遠い位置に配された画素P−7は、光電変換部PD−7及びマイクロレンズML−7を有する。光電変換部PD−7の受光面に垂直な方向から透視した場合に、マイクロレンズML−7は、光電変換部PD−7を含む。マイクロレンズML−7は、平面視において円形状になっている。すなわち、マイクロレンズML−7は、マイクロレンズML−1の形状を基本として、マイクロレンズML−1の形状をマイクロレンズML−6よりさらにX方向及びY方向に延ばすことで中心CP側に延ばした円形状である。マイクロレンズML−7の直径をD−7とすると、次の数式21が成り立つ。
D−7>D−6・・・数式21
例えば、光電変換部PD−7の受光面に垂直な方向から透視した場合に、画素P−6に比べて、マイクロレンズML−7の光軸中心を光電変換部PD−7の重心よりさらに中心CP側にシフトさせることができる。マイクロレンズML−7の光軸中心の光電変換部PD−7の重心からのシフト量をSF7とすると、次の数式22が成り立つ。
SF7>SF6・・・数式22
数式22により、マイクロレンズML−7は、その光軸中心が中心CP側にシフトしているので、斜めに入射した入射光を光電変換部PD−7の受光面に容易に集めることができる。また、マイクロレンズML−7は、マイクロレンズML−1,ML−6より面積が大きいので、受光光量を容易に確保できる。
なお、複数の画素のうち直線SL3と直線SL1との間に配された複数の画素は、直線SL3から直線SL1に近づくに従って円形状から楕円形状になるとともに短径に対する長径の割合が徐々に大きくなっている。また、複数の画素のうち直線SL3と直線SL2との間に配された複数の画素は、直線SL3から直線SL2に近づくに従って円形状から楕円形状になるとともに短径に対する長径の割合が徐々に大きくなっている。これにより、平面視において複数のマイクロレンズのトータルの面積を大きく確保できる(図5、図10(b)参照)。
次に、実施形態による効果について図10を用いて説明する。
実施形態では、撮像領域IRにおいて複数のマイクロレンズMLが平面視において撮像領域IRの中心CPから遠ざかるにつれて中心CP側へ延びるとともにより大きな面積で配されている。これにより、撮像領域IRでは、撮像領域IRの中心CPから遠ざかっても画素Pの光電変換部PDに集められる光の量の減衰を抑制できる。
すなわち、図10(c)に実施形態として示すように、撮像領域IRの中心CPから遠ざかっても、白抜きの矢印で示すように、画素Pの光電変換部PDで生成される画素信号の輝度レベル(信号レベル)の減衰を抑制できる。例えば、中心CP近傍の画素Pの光電変換部PDで生成される画素信号の輝度レベルに対する周辺の画素Pの光電変換部PDで生成される画素信号の輝度レベルの減衰幅ΔBL’は、基本の形態の減衰幅ΔBLに比べて大幅に低減できる。この結果、固体撮像装置5で生成された画像信号において、撮像領域IRの中心CP近傍の画素信号に比べて撮像領域IRの周辺の画素信号の輝度が減衰するシェーディングの発生を抑制できる。
また、図10(c)に示すように、実施形態における撮像領域IRの中心CP近傍の画素で生成される画素信号の輝度レベルは、基本の形態における撮像領域IRの中心CP近傍の画素で生成される画素信号の輝度レベルと同等である。この結果、撮像領域IRにおいて、中心CP近傍の画素で生成される画素信号の輝度レベルを維持でき、周辺の画素Pで生成される画素信号の輝度レベルを向上できるので、画像信号の平均的な輝度レベルを向上できる。
以上のように、実施形態では、固体撮像装置5において、撮像領域IRの中心CP近傍に配された画素P−1が、平面視において円形状であるマイクロレンズML−1を有する。画素P−1より撮像領域IRの中心CPから遠い位置に配された画素P−3は、平面視において楕円形状でありマイクロレンズML−1より面積が大きいマイクロレンズML−3を有する。例えば、画素P−3は、撮像領域IRの辺SD2に沿った方向において画素P−1より辺SD1に近い位置に配されている。マイクロレンズML−3は、撮像領域IRの辺SD2に沿った方向に延びた楕円形状である。これにより、マイクロレンズML−1の光軸中心の光電変換部PD−1の重心からのシフト量に比べて、マイクロレンズML−3の光軸中心の光電変換部PD−3の重心からのシフト量を中心CP側へ大きなものとすることができるので、画素P−1に対する画素P−3の受光光量の減衰を抑制できる。また、マイクロレンズML−1の面積に比べてマイクロレンズML−3の面積が大きいので、この点からも、画素P−1に対する画素P−3の受光光量の減衰を抑制できる。この結果、画素P−1への光の入射角度と画素P−3への光の入射角度との差による受光光量の差を低減でき、画素P−3の受光光量を画素P−1の受光光量へ近づけることができる。このような画素P−1及び画素P−3の構造は、固体撮像装置5で得られる画像信号における平均的な輝度レベルを向上させながらシェーディングの発生を抑制することに適したものである。すなわち、実施形態によれば、画像信号における平均的な輝度レベルを向上させながらシェーディングの発生を抑制することに適した固体撮像装置5を提供できる。
また、実施形態では、固体撮像装置5において、画素P−1と画素P−3との間に位置する画素P−2は、平面視において楕円形状でありマイクロレンズML−1より面積が大きく且つマイクロレンズML−3より面積が小さいマイクロレンズML−2を有する。これにより、画素P−2の構造を、画素P−2への光の入射角度が画素P−1への光の入射角度と画素P−3への光の入射角度との間の値であることに応じたものとすることができる。この結果、画素P−1への光の入射角度と画素P−2への光の入射角度と画素P−3への光の入射角度との差による受光光量の差を互いに低減でき、画素P−2の受光光量を画素P−1の受光光量へ近づけることができる。
また、実施形態では、固体撮像装置5において、複数の画素のうち撮像領域IRの中心CPから辺SD2に沿った方向に延びた直線SL1上に位置する複数の画素P−1,P−1a,・・・,P−2,P−2a,・・・,P−3,P−3aでは、撮像領域IRの中心CPから遠ざかるにつれてマイクロレンズMLの形状が円形状から楕円形状になりマイクロレンズMLの面積が徐々に大きくなるとともに長径が徐々に大きくなっている。これにより、例えばX方向において、画素位置が撮像領域IRの中心CPから遠ざかっても受光光量が減衰することを抑制でき、固体撮像装置5で得られる画像信号における平均的な輝度レベルを向上させながらシェーディングの発生を抑制できる。
また、実施形態では、固体撮像装置5において、複数の画素のうち撮像領域IRの中心CPから辺SD1に沿った方向に延びた直線SL2上に位置する複数の画素P−1,P−1b,・・・,P−4,P−4b,・・・,P−5,P−5bでは、撮像領域IRの中心CPから遠ざかるにつれてマイクロレンズMLの形状が円形状から楕円形状になりマイクロレンズMLの面積が徐々に大きくなるとともに長径が徐々に大きくなっている。これにより、例えばY方向において、画素位置が撮像領域IRの中心CPから遠ざかっても受光光量が減衰することを抑制でき、固体撮像装置5で得られる画像信号における平均的な輝度レベルを向上させながらシェーディングの発生を抑制できる。
また、実施形態では、固体撮像装置5において、複数の画素のうち撮像領域IRの中心CPから角CN1に向う方向に延びた直線SL3上に位置する複数の画素P−1,・・・,P−6,・・・,P−7では、マイクロレンズMLの形状を円形状に保ちながら、撮像領域IRの中心CPから遠ざかるにつれて(角CN1に近づくにつれて)マイクロレンズMLの面積が徐々に大きくなるとともに直径が徐々に大きくなっている。これにより、例えばX方向及びY方向に交差する方向において、画素位置が撮像領域IRの中心CPから遠ざかっても受光光量が減衰することを抑制でき、固体撮像装置5で得られる画像信号における平均的な輝度レベルを向上させながらシェーディングの発生を抑制できる。
また、実施形態では、固体撮像装置5において、複数の画素のうち直線SL3と直線SL1との間に配された複数の画素は、直線SL3から直線SL1に近づくに従って円形状から楕円形状になるとともに短径に対する長径の割合が徐々に大きくなっている。また、複数の画素のうち直線SL3と直線SL2との間に配された複数の画素は、直線SL3から直線SL2に近づくに従って円形状から楕円形状になるとともに短径に対する長径の割合が徐々に大きくなっている。これにより、複数の画素のそれぞれの構造をその画素位置に適したものとすることができ、平面における複数のマイクロレンズのトータルの面積を確保しながら、固体撮像装置5で得られる画像信号におけるシェーディングの発生を抑制できる。
なお、実施形態では、撮像領域IRにおける中心CPを基準として+X方向及び+Y方向にとった領域(第1象限の領域)について例示的に説明しているが、第2象限、第3象限、第4象限についても、第1象限を対称に折り返すことで構成できるため、説明を省略する。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 撮像システム、5 固体撮像装置、IR 撮像領域。

Claims (7)

  1. 複数の画素が2次元的に配列された撮像領域を備え、
    前記複数の画素は、
    前記撮像領域の中心近傍に配された第1の画素と、
    前記第1の画素より前記撮像領域の中心から遠い位置に配された第2の画素と、
    を有し、
    前記第1の画素は、平面視において円形状である第1のマイクロレンズを有し、
    前記第2の画素は、平面視において楕円形状であり前記第1のマイクロレンズより面積が大きい第2のマイクロレンズを有する
    ことを特徴とする固体撮像装置。
  2. 前記撮像領域は、矩形状であり、第1の辺及び前記第1の辺に隣接する第2の辺を有し、
    前記第2の画素は、前記第2の辺に沿った方向において前記第1の画素より前記第1の辺に近い位置に配され、
    前記第2のマイクロレンズは、前記第2の辺に沿った方向に延びた楕円形状である
    ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
  3. 前記複数の画素は、前記第1の画素及び前記第2の画素の間に位置する第3の画素をさらに有し、
    前記第3の画素は、平面視において楕円形状であり前記第1のマイクロレンズより面積が大きく且つ前記第2のマイクロレンズより面積が小さい第3のマイクロレンズを有する
    ことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。
  4. 前記複数の画素のうち前記撮像領域の中心から前記第2の辺に沿った方向に延びた直線上に位置する複数の画素では、前記撮像領域の中心から遠ざかるにつれてマイクロレンズの長径が大きくなっている
    ことを特徴とする請求項2又は3に記載の固体撮像装置。
  5. 前記複数の画素は、前記第1の辺に沿った方向において前記第1の画素より前記第2の辺に近い位置に配された第4の画素をさらに有し、
    前記第4の画素は、平面視において楕円形状であり前記第1のマイクロレンズより面積が大きい第4のマイクロレンズを有し、
    前記第4のマイクロレンズは、前記第1の辺に沿った方向に延びた楕円形状である
    ことを特徴とする請求項2から4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  6. 前記複数の画素のうち前記撮像領域の中心から前記第1の辺に沿った方向に延びた直線上に位置する複数の画素では、前記撮像領域の中心から遠ざかるにつれてマイクロレンズの長径が大きくなっている
    ことを特徴とする請求項2又は3に記載の固体撮像装置。
  7. 前記撮像領域は、前記第1の辺及び前記第2の辺が交差する第1の角をさらに有し、
    前記複数の画素は、前記第1の画素より前記第1の角に近い位置に配された第5の画素をさらに有し、
    前記第5の画素は、平面視において円形状であり前記第1のマイクロレンズより面積が大きい第5のマイクロレンズを有する
    ことを特徴とする請求項2から6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016225584A (ja) * 2015-05-27 2016-12-28 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited イメージセンサ

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150120124A (ko) * 2014-04-17 2015-10-27 삼성전자주식회사 다이내믹 비전 센서 및 이를 포함하는 모션 인식 장치
JP6506614B2 (ja) 2015-05-14 2019-04-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
US9497367B1 (en) * 2015-07-22 2016-11-15 Ic Real Tech, Inc Maximizing effective surface area of a rectangular image sensor concurrently capturing image data from two lenses
KR102558497B1 (ko) * 2018-01-08 2023-07-21 엘지이노텍 주식회사 이미지 센서
TWI806006B (zh) * 2021-02-20 2023-06-21 緯創資通股份有限公司 熱影像定位方法及其系統
KR20230056858A (ko) * 2021-10-20 2023-04-28 삼성전자주식회사 이미지 센서

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3170847B2 (ja) * 1992-02-14 2001-05-28 キヤノン株式会社 固体撮像素子及びそれを用いた光学機器
JP2005057024A (ja) * 2003-08-04 2005-03-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、カメラ
US7476562B2 (en) 2003-10-09 2009-01-13 Aptina Imaging Corporation Gapless microlens array and method of fabrication
US7199931B2 (en) 2003-10-09 2007-04-03 Micron Technology, Inc. Gapless microlens array and method of fabrication
US7307788B2 (en) 2004-12-03 2007-12-11 Micron Technology, Inc. Gapless microlens array and method of fabrication
US7375892B2 (en) * 2003-10-09 2008-05-20 Micron Technology, Inc. Ellipsoidal gapless microlens array and method of fabrication
US7560295B2 (en) 2003-10-09 2009-07-14 Aptina Imaging Corporation Methods for creating gapless inner microlenses, arrays of microlenses, and imagers having same
US7227692B2 (en) 2003-10-09 2007-06-05 Micron Technology, Inc Method and apparatus for balancing color response of imagers
JP2005197379A (ja) * 2004-01-06 2005-07-21 Sony Corp 固体撮像装置および信号処理回路
JP2007103483A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Sharp Corp 固体撮像装置およびその製造方法、電子情報機器
JP5277565B2 (ja) * 2007-05-31 2013-08-28 富士通セミコンダクター株式会社 固体撮像素子
JP2010062438A (ja) 2008-09-05 2010-03-18 Toshiba Corp 固体撮像装置およびその設計方法
JP5329903B2 (ja) * 2008-10-15 2013-10-30 オリンパス株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法
US8283110B2 (en) * 2010-06-16 2012-10-09 Visera Technologies Company Limited Method for fabricating an image sensor device
JP5513623B2 (ja) * 2010-08-24 2014-06-04 富士フイルム株式会社 固体撮像装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016225584A (ja) * 2015-05-27 2016-12-28 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited イメージセンサ

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