JP2015103281A - 高エネルギーイオン注入装置、ビーム電流調整装置、及びビーム電流調整方法 - Google Patents

Abstract

【課題】例えば高エネルギーイオン注入装置において注入ビーム電流を調整する。
【解決手段】イオン注入装置のためのビーム電流調整装置３００は、イオンビームの収束点Ｐまたはその近傍に配置されている可変アパチャー３０２を備える。可変アパチャー３０２は、注入ビーム電流を制御するために、収束点Ｐにおけるイオンビームの収束方向に垂直な方向のビーム幅を調整するよう構成されている。可変アパチャー３０２は、質量分析スリット２２ｂの直後に配置されていてもよい。ビーム電流調整装置３００は、高エネルギー多段直線加速ユニット１４を有する高エネルギーイオン注入装置１００に設けられていてもよい。
【選択図】図１９

Description

本発明は、高エネルギーイオン注入装置に関する。

半導体素子製造工程では、真空中で半導体ウェハにイオンを打ち込んで半導体ウェハの結晶に不純物を添加することにより導電性を変化させ、半導体ウェハを半導体素子化させるための重要な工程が標準的に実施されている。この工程で使用される装置は、一般に半導体素子化させるための不純物原子をイオンとして加速して、半導体ウェハに打ち込むイオン注入装置と呼ばれる。

半導体素子の高集積化・高性能化に伴い、より深く半導体ウェハに打ち込むための高エネルギーのイオン注入が可能な装置が従来利用されてきた。このような装置は、特に高エネルギーイオン注入装置と呼ばれている。その一例として、イオンビームの加速系をタンデム型静電加速器で構成する方法がある（特許文献１参照）。

（バッチ式）
また、高周波加速を行う高周波線形加速器を備えたバッチ処理式高エネルギーイオン注入装置も長年使用されてきた（特許文献２参照）。

バッチ処理式のイオン注入は、十数枚のシリコンウェハを直径１ｍ程度のアルミディスクの外周側に乗せ、ディスクを毎分１０００回転程度で高速回転させながら、イオンを均一に注入する手法である。遠心力によってウェハが飛び出さないように、ディスクのウェハを乗せる部分には、回転面（回転軸に直交する面）に対して５°程度の角度が付けられている。この角度と、ウェハの回転運動とによって、ウェハの中心部と端部とで、注入角度（イオンがウェハに入射する角度）が、１°前後異なる（注入角度偏差）問題を、バッチ処理式のイオン注入方法は持っている。

一般に、ウェハ上のダイには、イオン注入を行いたい領域と行ってはいけない領域があり、行ってはいけない領域は、フォトレジストと呼ばれる有機物で覆われている。注入時にイオンはフォトレジストを突き抜けてはいけないため、高エネルギーイオン注入時に塗布されるフォトレジストは、非常に厚くなる。注入が必要な領域は、リソグラフィーによって、フォトレジストが除かれているが、集積度が高く、注入領域が微小であると、そそり立つフォトレジストの壁に囲まれた深い穴の底に垂直にイオンを打ち込むような状況になる。このようなアスペクト比の高い構造へのイオン注入には、高い注入角度精度が要求される。

特に、ＣＣＤなど、高品位の撮像素子の製造では、深くイオン注入するほど解像度が上がり、感度が高くなるため、超高エネルギーのイオン注入（３〜８ＭｅＶ）も行われるようになってきた。この場合、許される注入角度誤差は、０．１°程度であり、大きな注入角度偏差のあるバッチ式装置は、使えなくなっている。

（枚葉式高エネルギーイオン注入装置）
そこで、近年、枚葉式高エネルギーイオン注入装置が実用化された（特許文献３）。バッチ方式が、ビームを固定してウェハを動かすこと（ディスク上の回転移動）によって、水平方向に均一な注入を行っているのに対して、枚葉式装置では、ビームを動かして（水平方向にビームスキャンして）ウェハを固定している。この方式では、スキャンビームを平行化することによって、ウェハ面内で注入ドーズを均一にするだけでなく、注入角度も均一にすることができ、注入角度偏差の問題を解消できる。なお、鉛直方向のドーズ均一性は、両方式ともウェハを一定速度で平行移動させることによって実現しているが、この運動によっては、角度誤差は発生しない。

この他にも、枚葉式イオン注入装置は、少数枚数の処理を行う際に無駄なシリコンウェハの消費がないなどの理由から、多品種少量生産に適しており、近年需要が増大している。

ただし、高品位撮像素子の生産では、角度精度だけでなく、金属汚染がないこと、注入ダメージ（アニール後の残留結晶欠陥）が少ないこと、注入深さ精度（エネルギー精度）が良いことなど、厳しい要求が多々あり、枚葉式イオン注入装置にも、改善すべき点が多数残されている。

従来の枚葉式高エネルギーイオン注入装置では、高エネルギー加速方式として、タンデム式静電加速装置、または、高周波加速方式の重イオンリナック（線形加速器）が用いられている。

このような加速系の下流には、エネルギーフィルタリングマグネット、ビームスキャナー、磁場によるスキャン軌道の平行化を行うパラレル（平行化）マグネットが設けられている。そして、パラレルマグネットによって、ビームがどのスキャン位置にあっても、ウェハへの入射角（注入角）は同じになるようにされている。イオンのエネルギーは、３〜４ＭｅＶ程度までである。

また、高エネルギーイオン注入装置よりも低いエネルギー領域（１０〜６００ｋｅＶ）で使用される（枚葉式）中電流イオン注入装置の一部では、電場（電極）によってスキャン軌道を平行化する電場パラレルレンズが使われている（特許文献４）。電場パラレルレンズは、軌道の対称性を保ちながらスキャン軌道を平行化できるので、パラレルマグネットより角度精度を上げられる。また、この装置には、ＡＥＦ（Angular Energy Filter）と呼ばれる電場式偏向電極が、ウェハの近傍に取り付けられている。ＡＥＦによって、ビーム輸送中に価数変化したイオンやビームラインで発生したパーティクルが除去されるので、純度の高いビームを供給することができる。

特許第３３７４３３５号公報 特開２０００−１１９４４号公報 米国特許第８０３５０８０号公報 特開２００３−２８８８５７号公報

本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、本発明のある態様の例示的な目的の一つは、高エネルギーイオン注入装置において注入ビーム電流を調整することにある。

本発明のある態様によると、高エネルギー多段直線加速ユニットを有する高エネルギーイオン注入装置が提供される。高エネルギーイオン注入装置は、前記高エネルギー多段直線加速ユニットの上流または下流に配設されており、イオンビームの収束点を形成するビームライン構成要素と、前記収束点またはその近傍に配置されており、注入ビーム電流を制御するために、前記収束点における前記イオンビームの収束方向に垂直な方向のビーム幅を調整するよう構成されている可変アパチャーと、を備える。

本発明のある態様によると、イオン注入装置のためのビーム電流調整装置が提供される。ビーム電流調整装置は、イオンビームの収束点またはその近傍に配置されており、注入ビーム電流を制御するために、前記収束点における前記イオンビームの収束方向に垂直な方向のビーム幅を調整するよう構成されている可変アパチャーを備える。

本発明のある態様によると、高エネルギー多段直線加速ユニットを有する高エネルギーイオン注入装置のためのビーム電流調整方法が提供される。本方法は、前記高エネルギー多段直線加速ユニットの上流または下流に形成される収束点にイオンビームを収束することと、前記収束点またはその近傍に配置されている可変アパチャーにより、注入ビーム電流を制御するために、前記イオンビームの収束方向に垂直な方向のビーム幅を調整することと、を備える。

なお、以上の構成要素の任意の組合せや本発明の構成要素や表現を、方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。

本発明によれば、高エネルギーイオン注入装置において注入ビーム電流を調整することができる。

本実施の形態に係る高エネルギーイオン注入装置の概略レイアウトとビームラインを模式的に示した図である。 図２（ａ）は、イオンビーム生成ユニットの概略構成を示す平面図、図２（ｂ）は、イオンビーム生成ユニットの概略構成を示す側面図である。 高エネルギー多段直線加速ユニットの概略構成を含む全体レイアウトを示す平面図である。 複数の高周波共振器先端の加速電場（ギャップ）を直線状に並べた高エネルギー多段直線加速ユニット及び収束発散レンズの制御系の構成を示すブロック図である。 図５（ａ）、図５（ｂ）は、ＥＦＭ（エネルギー分析用偏向電磁石）、エネルギー幅制限スリット、エネルギー分析スリット、ＢＭ（横方向中心軌道補正用偏向電磁石）、ビーム整形器、ビーム走査器（スキャナー）の概略構成を示す平面図である。 図６（ａ）は、ビーム走査器からビーム平行化器以降のビームラインから基板処理供給ユニットまでの概略構成を示す平面図、図６（ｂ）は、ビーム走査器からビーム平行化器以降のビームラインから基板処理供給ユニットまでの概略構成を示す側面図である。 ビーム走査器の一例の主要部を上方から見た模式図である。 ビーム走査器の一例の主要部を側方から見た模式図である。 ビーム走査器の一例をイオンビームラインの途中経路に着脱自在に装着した構造を下流側から見た正面模式図である。 角度エネルギーフィルターの偏向電極の他の態様を示す模式図である。 図１１（ａ）は、横収束レンズである四重極レンズを模式的に示す平面図、図１１（ｂ）は、四重極レンズを模式的に示す正面図である。 図１２（ａ）、図１２（ｂ）は、電磁石の構成の一例を示す斜視図である。 電磁石が備える開閉装置を模式的に示した図である。 図１４（ａ）は、インジェクターファラデーカップとほぼ同じ構成のリゾルバーファラデーカップを正面から見た模式図、図１４（ｂ）は、リゾルバーファラデーカップの動作を説明するための模式図である。 横長ファラデーカップを正面から見た模式図である。 図１６（ａ）は、本実施の形態に係るビーム整形器からビーム走査器までの概略構成を示す上面図、図１６（ｂ）は、本実施の形態に係るビーム整形器からビーム走査器までの概略構成を示す側面図である。 下流側グランド電極の開口幅とサプレッション電極の開口幅と上流側グランド電極の開口幅との大きさの関係を説明するための模式図である。 ビーム平行化器の他の例を模式的に示す図である。 本発明のある実施形態に係るビーム電流調整装置を示す模式図である。 イオンビームの収束点におけるイオンビーム断面を例示する図である。 図２１（ａ）及び図２１（ｂ）は、本実施形態に係る可変アパチャーを示す模式図である。 本発明のある他の実施形態に係るビーム電流調整装置の配置を示す模式図である。 本発明のある他の実施形態に係るビーム電流調整装置の配置を示す模式図である。

以下、本実施の形態に係る高エネルギーイオン注入装置の一例についてより詳細に説明する。はじめに、本願発明者らが本願発明に想到した経緯について説明する。

（平行化マグネット）
偏向磁場によって軌道を平行化する平行化マグネットを使用している従来の高エネルギーイオン注入装置には、次のような課題がある。

フォトレジスト付きウェハに高エネルギーイオンを注入すると、大量のアウトガスが発生し、このアウトガスの分子とビームイオンとが相互作用し、一部のイオンの価数が変化する。平行化マグネット通過中にこの価数変化が起こると、偏向角が変わるので、ビームの平行性が崩れ、ウェハへの注入角が一様ではなくなる。

また、注入されるイオンの量（個数またはドーズ）は、ウェハ付近に置かれたファラデーカップで、ビーム電流値を測定することによって求められるが、価数変化によってその計測値が狂い、予定の注入量から外れ、半導体素子の特性が予定された通りにならない。

さらに、１台の平行化マグネットによる平行化は、内側の軌道と外側の軌道で、偏向角と軌道長が異なるため、外側の軌道ほど価数変化するイオンの割合が増え、ウェハ面内のドーズ均一性も悪化する。

したがって、従来の高エネルギーイオン注入装置のビーム輸送方式では、最近の高精度注入への要求に十分応えることができない。

また、平行化マグネットは、スキャン方向に幅の広い磁極と、ある程度長い平行化区間とを必要とし、エネルギーが高くなるとさらに磁極が長く大きくなるので、重量が非常に大きくなる。装置を安全に据え付けし維持するために、半導体工場自体の強度設計を強化する必要が出てくる上に、消費電力も非常に大きくなる。

これらの問題は、前述の中電流イオン注入装置で用いられている電場平行化レンズと、電場（電極式）エネルギーフィルター（ＡＥＦ：Angular Energy Filter）を高エネルギー領域で使うことができれば、解消する。電場平行化レンズは、軌道の対称性を保ちながらスキャン軌道を中心軌道方向に揃えて平行化し、ＡＥＦは、ウェハ直前で価数変化したイオンを除去する。これによって、アウトガスが多いときでも、エネルギーコンタミネーションのないビームを得ることができ、平行化マグネットのようなスキャン方向の注入角度のバラツキも発生せず、結果として、正確な深さ方向の注入分布と注入量（ドーズ）を均一に注入できるとともに、注入角度も一様になって、非常に精度の高いイオン注入が実現する。また、軽量な電極部材で構成され、電磁石と比べて、消費電力も少なくできる。

本発明の核心は、この中電流イオン注入装置の優れたシステムを高エネルギーイオン注入装置に導入し、高エネルギー装置でありながら中電流装置と同等の高精度注入ができる装置を生み出した点にある。その過程で解決されてきた課題について以下で述べる。第一に問題になるのは、装置の長さである。

イオンビームを同じ角度偏向する場合、必要な磁場はエネルギーの平方根に比例するのに対して、必要な電場はエネルギーそのものに比例する。したがって、偏向磁極の長さはエネルギーの平方根に比例するのに対して、偏向電極の長さはエネルギーに比例して長くなる。高エネルギーイオン注入装置に前記の電場平行化レンズと電場ＡＥＦを搭載して、高精度角度注入を実現しようとすると、ビーム輸送系（スキャナーからウェハまでの距離）が、平行化マグネットを使う従来の装置に比べて、大幅に長くなる。

例えば、このような電場による平行化機構を備える高エネルギーイオン注入装置として、従来の高エネルギーイオン注入装置と同様に、イオン源、質量分析磁石、タンデム型静電加速装置若しくは高周波線形加速装置、ビーム走査器、スキャン軌道平行化装置、エネルギーフィルター、注入処理室および基板搬送機器（エンドステーション）等の構成機器を、ほぼ直線状に据え付ける構造が考えられる。この場合、従来の装置の長さが８ｍ程度であるのに対して、装置の全長が２０ｍ程度まで長くなり、設置場所の設定と準備、設置作業等が大がかりとなって、しかも設置面積も大きくなる。また、各機器の据付けアライメントの調整、装置稼働後のメンテナンスや修理、調整のための作業スペースも必要である。このような大がかりなイオン注入装置は、半導体製造ラインにおける装置サイズを、工場の製造ラインの配置の実状に合わせることへの要求を満たすことができない。

このような状況から、本発明のある態様におけるビームライン構成の目的は、十分な作業領域を確保しつつ設置場所の設定と準備、設置作業やメンテナンス作業を簡略化・効率化し、設置面積を抑える技術を実現することによって、電場平行化レンズと電場エネルギーフィルターとを備えた高精度の高エネルギーイオン注入装置を提供することである。

（Ｕ字状の折り返し型ビームライン）
前記目的は、高エネルギーイオン注入装置のビームラインを、イオン源で生成したイオンビームを加速する複数のユニットから成る長直線部と、スキャンビームを調整してウェハに注入する複数のユニットから成る長直線部とで構成し、対向する長直線部を有する水平のＵ字状の折り返し型ビームラインにすることによって達成できる。このようなレイアウトは、イオン源からイオンを加速するユニットの長さに合わせて、ビーム走査器、ビーム平行化器、エネルギーフィルターなどから成るビーム輸送ユニットの長さをほぼ同じ長さに構成することで実現している。そして、二本の長直線部の間に、メンテナンス作業のために十分な広さのスペースを設けている。

本発明のある態様は、こうしたビームラインのレイアウトを前提としてなされたものであり、その目的は、高エネルギーのイオンビームをウェハサイズより充分広い範囲で走査でき、ビーム輸送で問題が発生したときに瞬時に輸送を停止できる応答性の良い高エネルギービームの走査を行うことにより、常に高精度の注入が維持できる高エネルギーイオン注入装置を提供することである。

本発明のある態様の高エネルギーイオン注入装置は、イオン源で発生したイオンを加速してイオンビームを生成し、ビームラインに沿ってウェハまでイオンビームを輸送し、該ウェハに注入する高エネルギーイオン注入装置であって、イオン源と質量分析装置を有するビーム生成ユニットと、イオンビームを加速して高エネルギーイオンビームを生成する高エネルギー多段直線加速ユニットと、前記高エネルギーイオンビームをウェハに向けて方向変換する高エネルギービームの偏向ユニットと、偏向された高エネルギーイオンビームをウェハまで輸送するビーム輸送ラインユニットと、輸送された高エネルギーイオンビームを均一に半導体ウェハに注入する基板処理供給ユニットと、を備える。ビーム輸送ラインユニットは、ビーム整形器と、高エネルギー用のビーム走査器と、高エネルギー用の電場式ビーム平行化器と、高エネルギー用の電場式最終エネルギーフィルターとを有し、偏向ユニットを出た高エネルギーイオンビームを、前記ビーム走査器および前記電場式ビーム平行化器により、ビームスキャンするとともに平行化し、前記高エネルギー用の電場式最終エネルギーフィルターにより、質量、イオン価数、エネルギー等が異なる混入イオンを取り除いて、ウェハに注入するように構成されている。

この構成の中の高エネルギー用のビーム走査器は、微調整可能な三角波で動作する電場式のビーム走査器とした。応答の早い電場式とすることで、イオン注入中に放電などが発生してビームが不安定になり、注入量が不均一になることが予想される場合に、瞬時に注入を中止し、安定化後直ちに再開するシステムを作ることができ、どんな場合でも注入精度を維持できる。また、動作周波数を可変にすることが容易で、イオン注入時にシリコン結晶中に生じる結晶欠陥の量を制御して、製品の品質を上げることもできる。

電場式ビーム走査器は、一対の偏向電極を有するが、高速で応答させるためには、その電極にあまり高い電圧をかけることが出来ない。しかし、ウェハ面全体の注入ドーズ不均一性を０．５％以下に抑える高精度注入を行うためには、走査範囲をウェハサイズより充分広く取らなければならない。そのためには、ビーム走査器が高エネルギービームに対して充分な偏向角を持たなければならない。そこで、本発明では、当該偏向電極対の間隔をＤ１、ビーム進行方向の長さをＬ１としたとき、Ｌ１≧５Ｄ１を満たすように構成することによって、充分な偏向角を得ている。

本発明のある態様によれば、高エネルギーのイオンビームをウェハサイズより充分広い範囲で走査でき、ウェハ前面で注入ドーズの不均一性を０．５％以下に抑える高精度注入が可能になる。また、ビーム輸送で電極の放電などの問題が発生したときに、瞬時にイオン注入を停止できる応答性の良い高エネルギービームの走査を行うことができる。これにより常に高精度の注入が維持できる。

そこで、本実施の形態のある態様の高エネルギーイオン注入装置は、イオン源で発生したイオンを加速し、ビームラインに沿ってウェハまでイオンビームとして輸送し、ウェハに注入するイオン注入装置である。この装置は、イオンビームを加速して高エネルギーイオンビームを生成する高エネルギー多段直線加速ユニットと、高エネルギーイオンビームの軌道をウェハに向かって方向転換する偏向ユニットと、偏向された高エネルギーイオンビームをウェハまで輸送するビーム輸送ラインユニットとを備え、平行化したイオンビームをメカニカルに走査移動中のウェハに高精度に照射して、ウェハに注入するものである。

イオンビームを高加速する高周波（交流方式）の高エネルギー多段直線加速ユニットを出た高エネルギーイオンビームは、ある範囲のエネルギー分布を持っている。このため、後段の高エネルギーのイオンビームをビームスキャンおよびビーム平行化させてメカニカルに走査移動中のウェハに照射するためには、事前に高い精度のエネルギー分析と、中心軌道補正、及びビーム収束発散の調整を実施しておくことが必要となる。

ビーム偏向ユニットは、少なくとも二つの高精度偏向電磁石と少なくとも一つのエネルギー幅制限スリットとエネルギー分析スリット、及び、少なくとも一つの横収束機器とを備える。複数の偏向電磁石は、高エネルギーイオンビームのエネルギー分析とイオン注入角度の精密な補正、及び、エネルギー分散の抑制とを行うよう構成されている。高精度偏向電磁石のうちエネルギー分析を行う電磁石には、核磁気共鳴プローブとホールプローブが取り付けられており、他の電磁石にはホールプローブのみ取り付けられている。核磁気共鳴プローブは、ホールプローブの校正に使用され、ホールプローブは、磁場一定のフィードバック制御に使用される。

ビーム輸送ラインユニットは、高エネルギーのイオンビームをビームスキャンおよびビーム平行化させて、メカニカルに走査移動中のウェハに高精度にスキャンビームを照射して、イオンを注入することができる。

以下、本実施の形態に係る高エネルギーイオン注入装置の一例について、図面を参照しながら、より詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。また、以下に述べる構成は例示であり、本発明の範囲を何ら限定するものではない。

（高エネルギーイオン注入装置）
はじめに、本実施の形態に係る高エネルギーイオン注入装置の構成を簡単に説明する。なお、本明細書の内容は、荷電粒子の種類の一つであるイオンビームのみならず荷電粒子ビーム全般にかかる装置にも適用できるものである。

図１は、本実施の形態に係る高エネルギーイオン注入装置１００の概略レイアウトとビームラインを模式的に示した図である。

本実施の形態に係る高エネルギーイオン注入装置１００は、高周波線形加速方式のイオン加速器と高エネルギーイオン輸送用ビームラインを有するイオン注入装置であり、イオン源１０で発生したイオンを加速し、ビームラインに沿ってウェハ（基板）２００までイオンビームとして輸送し、ウェハ２００に注入する。

図１に示すように、高エネルギーイオン注入装置１００は、イオンを生成して質量分離するイオンビーム生成ユニット１２と、イオンビームを加速して高エネルギーイオンビームにする高エネルギー多段直線加速ユニット１４と、高エネルギーイオンビームのエネルギー分析、中心軌道補正、エネルギー分散の制御を行うビーム偏向ユニット１６と、分析された高エネルギーイオンビームをウェハまで輸送するビーム輸送ラインユニット１８と、輸送された高エネルギーイオンビームを均一に半導体ウェハに注入する基板処理供給ユニット２０とを備える。

イオンビーム生成ユニット１２は、イオン源１０と、引き出し電極４０と、質量分析装置２２と、を有する。イオンビーム生成ユニット１２では、イオン源１０から引き出し電極を通してビームが引き出されると同時に加速され、引き出し加速されたビームは質量分析装置２２により質量分析される。質量分析装置２２は、質量分析磁石２２ａ、質量分析スリット２２ｂを有している。質量分析スリット２２ｂは、質量分析磁石２２ａの直後に配置する場合もあるが、実施例では、その次の構成である高エネルギー多段直線加速ユニット１４の入り口部内に配置している。

質量分析装置２２による質量分析の結果、注入に必要なイオン種だけが選別され、選別されたイオン種のイオンビームは、次の高エネルギー多段直線加速ユニット１４に導かれる。高エネルギー多段直線加速ユニット１４により、さらに加速されたイオンビームは、ビーム偏向ユニット１６により方向が変化させられる。

ビーム偏向ユニット１６は、エネルギー分析電磁石２４と、エネルギー分散を抑制する横収束四重極レンズ２６と、エネルギー幅制限スリット２７（後述する図５参照）と、エネルギー分析スリット２８と、ステアリング機能を持つ偏向電磁石３０とを有する。なお、エネルギー分析電磁石２４は、エネルギーフィルター電磁石（ＥＦＭ）と呼ばれることもある。高エネルギーイオンビームは、偏向ユニットによって方向転換され、基板ウェハの方向へ向かう。

ビーム輸送ラインユニット１８は、ビーム偏向ユニット１６から出たイオンビームを輸送するものであり、収束／発散レンズ群から構成されるビーム整形器３２と、ビーム走査器３４と、ビーム平行化器３６と、最終エネルギーフィルター３８（最終エネルギー分離スリットを含む）とを有する。ビーム輸送ラインユニット１８の長さは、イオンビーム生成ユニット１２と高エネルギー多段直線加速ユニット１４との長さに合わせて設計されており、ビーム偏向ユニット１６で結ばれて、全体でＵ字状のレイアウトを形成する。

ビーム輸送ラインユニット１８の下流側の終端には、基板処理供給ユニット２０が設けられており、注入処理室の中に、イオンビームのビーム電流、位置、注入角度、収束発散角、上下左右方向のイオン分布等を計測するビームモニター、イオンビームによる基板の帯電を防止する帯電防止装置、ウェハ（基板）２００を搬入搬出し適正な位置・角度に設置するウェハ搬送機構、イオン注入中ウェハを保持するＥＳＣ（Electro Static Chuck）、注入中ビーム電流の変動に応じた速度でウェハをビームスキャン方向と直角方向に動かすウェハスキャン機構が収納されている。

このように各ユニットをＵ字状に配置した高エネルギーイオン注入装置１００は、設置面積を抑えつつ良好な作業性が確保されている。また、高エネルギーイオン注入装置１００においては、各ユニットや各装置をモジュール構成とすることで、ビームライン基準位置に合わせて着脱、組み付けが可能となっている。

次に、高エネルギーイオン注入装置１００を構成する各ユニット、各装置について更に詳述する。

（イオンビーム生成ユニット）
図２（ａ）は、イオンビーム生成ユニットの概略構成を示す平面図、図２（ｂ）は、イオンビーム生成ユニットの概略構成を示す側面図である。

図２（ａ）、図２（ｂ）に示すように、ビームラインの最上流に配置されているイオン源１０の出口側には、イオンチャンバ（アークチャンバー）内で生成されたプラズマからイオンビームを引き出す引き出し電極４０が設けられている。引き出し電極４０の下流側近傍には、引き出し電極４０から引き出されたイオンビーム中に含まれる電子が引き出し電極４０に向かって逆流するのを抑制する引き出しサプレッション電極４２が設けられている。

イオン源１０は、イオン源高圧電源４４と接続されている。引き出し電極４０とターミナル４８との間には、引き出し電源５０が接続されている。引き出し電極４０の下流側には、入射するイオンビームから所定のイオンを分離し、分離したイオンビームを取り出すための質量分析装置２２が配置されている。

後述する図５に示すように、高エネルギー多段直線加速ユニット１４の直線加速部ハウジング内の最前部に、イオンビームの総ビーム電流値を計測するためのファラデーカップ８０ａ（インジェクター）が配置されている。

図１４（ａ）は、インジェクターファラデーカップ８０ａとほぼ同じ構成のリゾルバーファラデーカップ８０ｂを正面から見た模式図、図１４（ｂ）は、リゾルバーファラデーカップ８０ｂの動作を説明するための模式図である。

インジェクターファラデーカップ８０ａは、駆動機構によりビームライン上に上下方向から出し入れ可能に構成され、また、水平方向に長い長方形の枡状形状で、開口部をビームライン上流側に向けて構成されており、イオン源や質量分析電磁石の調整時に、イオンビームの総ビーム電流を計測する目的の他、ビームライン下流に到達するイオンビームを必要に応じてビームライン上で完全に遮断するために用いられる。さらに、インジェクターファラデーカップ８０ａの直前の高エネルギー多段直線加速ユニット１４の入り口部内には、前述の通り、質量分析スリット２２ｂが配置されており、単一の質量分析スリット、あるいは、質量の大きさにより、幅の異なる多数スリットの選択方式、または質量スリット幅を無段階または多段に変更できる方式の構成としている。

（高エネルギー多段直線加速ユニット）
図３は、高エネルギー多段直線加速ユニット１４の概略構成を含む全体レイアウトを示す平面図である。高エネルギー多段直線加速ユニット１４は、イオンビームの加速を行う複数の線形加速装置、すなわち、一つ以上の高周波共振器１４ａを挟む加速ギャップを備えている。高エネルギー多段直線加速ユニット１４は、高周波（ＲＦ）電場の作用により、イオンを加速することができる。図３において、高エネルギー多段直線加速ユニット１４は、高エネルギーイオン注入用の基本的な複数段の高周波共振器１４ａを備えた第１線形加速器１５ａと、さらに、超高エネルギーイオン注入用の追加の複数段の高周波共振器１４ａを備えた第２線形加速器１５ｂとから構成されている。

一方、高周波（ＲＦ）加速を用いたイオン注入装置においては、高周波のパラメータとして電圧の振幅Ｖ[ｋＶ]、周波数ｆ［Ｈｚ］を考慮しなければならない。更に、複数段の高周波加速を行う場合には、お互いの高周波の位相φ［ｄｅｇ］がパラメータとして加わる。加えて、加速の途中や加速後にイオンビームの上下左右への広がりを収束・発散効果によって制御するための磁場レンズ（例えば、四極電磁石）や電場レンズ（例えば、静電四極電極）が必要であり、それらの運転パラメータは、そこを通過する時点でのイオンのエネルギーによって最適値が変わることに加え、加速電界の強度が収束・発散に影響を及ぼすため、高周波のパラメータを決めた後にそれらの値を決めることになる。

図４は、複数の高周波共振器先端の加速電場（ギャップ）を直線状に並べた高エネルギー多段直線加速ユニット及び収束発散レンズの制御系の構成を示すブロック図である。

高エネルギー多段直線加速ユニット１４には一つ以上の高周波共振器１４ａが含まれている。高エネルギー多段直線加速ユニット１４の制御に必要な構成要素としては、オペレータが必要な条件を入力するための入力装置５２、入力された条件から各種パラメータを数値計算し、更に各構成要素を制御するための制御演算装置５４、高周波の電圧振幅を調整するための振幅制御装置５６、高周波の位相を調整するための位相制御装置５８、高周波の周波数を制御するための周波数制御装置６０、高周波電源６２、収束発散レンズ６４のための収束発散レンズ電源６６、運転パラメータを表示するための表示装置６８、決定されたパラメータを記憶しておくための記憶装置７０が必要である。また、制御演算装置５４には、あらかじめ各種パラメータを数値計算するための数値計算コード（プログラム）が内蔵されている。

高周波線形加速器の制御演算装置５４では、内蔵している数値計算コードによって、入力された条件を基にイオンビームの加速並びに収束・発散をシミュレーションし、最適な輸送効率が得られるよう高周波パラメータ（電圧振幅、周波数、位相）を算出する。また同時に、効率的にイオンビームを輸送するための収束発散レンズ６４のパラメータ（Ｑコイル電流、またはＱ電極電圧）も算出する。計算された各種パラメータは、表示装置６８に表示される。高エネルギー多段直線加速ユニット１４の能力を超えた加速条件に対しては、解がないことを意味する表示が表示装置６８に表示される。

電圧振幅パラメータは、制御演算装置５４から振幅制御装置５６に送られ、振幅制御装置５６が、高周波電源６２の振幅を調整する。位相パラメータは、位相制御装置５８に送られ、位相制御装置５８が、高周波電源６２の位相を調整する。周波数パラメータは、周波数制御装置６０に送られる。周波数制御装置６０は、高周波電源６２の出力周波数を制御するとともに、高エネルギー多段直線加速ユニット１４の高周波共振器１４ａの共振周波数を制御する。制御演算装置５４はまた、算出された収束発散レンズパラメータにより、収束発散レンズ電源６６を制御する。

イオンビームを効率的に輸送するための収束発散レンズ６４は、高周波線形加速器の内部あるいはその前後に、必要な数が配置される。すなわち、複数段の高周波共振器１４ａの先端の加速ギャップの前後には交互に発散レンズまたは収束レンズが備えられている、その一方で、第２線形加速器１５ｂの終端の横収束レンズ６４ａ（図５参照）の後方には追加の縦収束レンズ６４ｂ（図５参照）が配置され、高エネルギー多段直線加速ユニット１４を通過する高エネルギー加速イオンビームの収束と発散を調整して、後段のビーム偏向ユニット１６に最適な二次元ビームプロファイルのイオンビームを入射させるようにしている。

高周波線形加速器の加速ギャップに生じる電界の方向は、イオンを加速する方向と減速する方向が数十ナノ秒毎に切り替わる。イオンビームを高エネルギーまで加速するためには、数十か所ある加速ギャップの全てで、イオンが加速ギャップに入ったとき、電界は加速方向を向いていなければならない。ある加速ギャップで加速されたイオンは、次の加速ギャップの電界が加速方向を向くまでの間に、二つの加速ギャップの間の電界がシールドされた空間（ドリフトスペース）を通過しなければならない。速すぎても遅すぎても減速されるので、高エネルギーに到達できない。全加速ギャップで加速位相に乗るのは、非常に厳しい条件になるため、予定エネルギーに達するということは、高周波線形加速器による、質量、エネルギー、電荷（速度を決める要因）に対する厳しい選別をくぐり抜けたことになる。その意味で、高周波線形加速器は良い速度フィルターでもある。

（ビーム偏向ユニット）
図１に示すように、ビーム偏向ユニット１６は、エネルギーフィルター偏向電磁石（ＥＦＭ）であるエネルギー分析電磁石２４と、エネルギー幅制限スリット２７（図５参照）と、エネルギー分析スリット２８と、偏向後のエネルギー分散を制御する横収束四重極レンズ２６と、注入角度補正機能を有する偏向電磁石３０を含む。

図５（ａ）、図５（ｂ）は、ＥＦＭ（エネルギー分析用偏向電磁石）、エネルギー幅制限スリット、エネルギー分析スリット、ＢＭ（横方向中心軌道補正用偏向電磁石）、ビーム整形器、ビーム走査器（スキャナー）の概略構成を示す平面図である。なお、図５（ａ）に示す符号Ｌは、イオンビームの中心軌道を示している。

高エネルギー多段直線加速ユニット１４通過後のイオンビームは、シンクロトロン振動によってエネルギー分布ができてしまう。また、加速位相の調整量が大きいときに、中心値が予定のエネルギーからややずれたビームが高エネルギー多段直線加速ユニット１４から出てくることがある。そこで、後述のビーム偏向ユニット１６により所望のエネルギーのイオンのみが通過できるように、エネルギーフィルター偏向磁石（ＥＦＭ）の磁場を設定して、エネルギー幅制限スリット２７とエネルギー分析スリット２８により、ビームの一部を選択的に通過させ、イオンのエネルギーを設定値に揃える。通過できるイオンビームのエネルギー幅はエネルギー幅制限スリットと分析スリットの開口横幅によってあらかじめ設定できる。エネルギー分析スリットを通過したイオンのみが後段のビームラインに導かれ、ウェハに注入される。

エネルギー分布を持ったイオンビームが、前述したフィードバックループ制御系で磁場を一定値に制御されたエネルギーフィルター電磁石（ＥＦＭ）に入射すると、入射イオンビーム全体が設計軌道に沿って偏向されながらエネルギー分散を起こし、所望のエネルギー幅の範囲にあるイオンが、ＥＦＭ出口付近に設置されたエネルギー幅制限スリット２７を通過する。この位置では、エネルギー分散は極大値に向かって増加中であり、エミッタンスによるビームサイズσ１（エネルギー幅がないときのビームサイズ）は、極小値に向かって減少中であるが、エネルギー分散によるビーム幅がエミッタンスによるビーム幅より大きくなっている。このような状態のイオンビームをスリットで切る場合、空間的な分布はシャープに切られるが、エネルギー分布は２σ１に対応するエネルギー幅でなまらされた切り口になる。言い換えると、例えば、スリット幅を、３％のエネルギー幅に対応する寸法に設定したとしても、予定注入エネルギーとのエネルギー差が３％より小さいイオンの一部はスリットの壁に当たって失われ、逆にエネルギー差が３％より大きいイオンの一部は、スリットを通過してしまう。

エネルギー分析スリットは、σ１が極小になる位置に設置する。この位置では、σ１はスリット幅に比べて無視できるほど小さくなるので、エネルギー分布も空間分布とほとんど同じくシャープに切断される。例えば、エネルギー分析スリットの開口幅もエネルギー幅３％に相当する寸法（０．０３η）に設定した場合、エネルギー幅制限スリットを通過できたエネルギー差が３％を超えるイオンは、全てここで阻止される。この結果、最初矩形のエネルギー分布だったビームが二枚のスリットを通過した後では、０％でピークになり、±３％で高さが１／２に減り、その後急激にゼロまで低下するドーム状の分布に変わる。エネルギー差の小さいイオンの数が相対的に多くなるので、一枚のエネルギー分析スリットだけ設置して、ほぼ矩形のエネルギー分布のままスリットを通過させたときより、エネルギー幅が実質的に小さくなる。

二重のスリットシステムは、エネルギー分布の端部を削る効果によって、リナックにより加速されたビームのエネルギーが予定注入エネルギーからわずかにずれている場合、通過後のビームのエネルギーずれを小さくする効果がある。例えば、エネルギー幅が±３％で、エネルギーずれも３％ある場合、二重スリットを通過した後のエネルギー分布は、前記ドーム状分布のエネルギーのプラス側半分になり、その分布の重心であるエネルギー中心は、ほぼΔＥ／Ｅ＝１％付近に来る。一方、単一のエネルギー分析スリットでカットした場合、中心はΔＥ／Ｅ＝１．５％になる。分布をなまらせる効果は、必ずエネルギー中心のずれを抑える方向に働く。

このように、エネルギー幅とエネルギーずれの両方を持つ加速システムで、エネルギー幅とエネルギー中心のずれを両方縮小して、エネルギー精度を上げるためには、二重スリットによるエネルギー制限が有効である。

エネルギー分析電磁石には高い磁場精度が必要であるので、精密な磁場測定を行う高精度な測定装置８６ａ，８６ｂが、取り付けられている（図５（ｂ）参照）。測定装置８６ａ，８６ｂは、ＭＲＰ（磁気共鳴プローブ)とも呼ばれるＮＭＲ(核磁気共鳴)プローブとホールプローブとを適宜組み合わせたもので、ＭＲＰはホールプローブの校正に、ホールプローブは磁場一定のフィードバック制御にそれぞれ使用される。また、エネルギー分析電磁石は、磁場の不均一性が０．０１％未満になるように、厳しい精度で製作されている。さらに、それぞれの電磁石には、電流設定精度と電流安定度とが１×１０−４以上の電源とその制御機器が接続されている

また、エネルギー分析スリット２８の上流側であって、エネルギー分析スリット２８とエネルギー分析電磁石２４との間に、横収束レンズとして四重極レンズ２６が配置されている。四重極レンズ２６は、電場式若しくは磁場式で構成することができる。これによって、イオンビームがＵ字状に偏向された後のエネルギー分散が抑制され、ビームサイズが小さくなるので、高効率のビーム輸送ができる。また、偏向電磁石の磁極部ではコンダクタンスが小さくなるため、例えば、エネルギー分析スリット２８の近傍に、アウトガス排出用の真空ポンプを配置することが有効である。磁気浮上式のターボ分子ポンプを使用する場合は、エネルギー分析電磁石２４や偏向電磁石３０の電磁石の漏れ磁場の影響を受けない位置に設置しなければならない。この真空ポンプによって、偏向ユニットでの残留ガス散乱によるビーム電流低下が防がれる。

高エネルギー多段直線加速ユニット１４中の四重極レンズや、分散調整用四重極レンズ２６、ビーム整形器３２に、大きな据付け誤差があると、図５（ｂ）に示されているビームの中心軌道が歪み、ビームがスリットに当たって失われやすくなり、最終的な注入角度と注入位置も狂ってしまう。これに対しては、注入角度補正機能を有する偏向電磁石３０の磁場補正値によって、水平面上では、ビームの中心軌道が、必ずビーム走査器３４の中心を通るようになっている。これによって、注入角度の狂いは矯正される。さらに、ビーム走査器３４に適切なオフセット電圧を加えると、走査器からウェハまでの中心軌道の歪みはなくなり、注入位置の左右ずれは解消される。

ビーム偏向ユニット１６の各偏向電磁石を通過中のイオンには、遠心力とローレンツ力が働いており、それらが釣り合って、円弧状の軌跡が描かれる。この釣合いを式で表すとｍｖ＝ｑＢｒとなる。ｍはイオンの質量、ｖは速度、ｑはイオン価数、Ｂは偏向電磁石の磁束密度、ｒは軌跡の曲率半径である。この軌跡の曲率半径ｒが、偏向電磁石の磁極中心の曲率半径と一致したイオンのみが、偏向電磁石を通過できる。言い換えると、イオンの価数が同じ場合、一定の磁場Ｂがかかっている偏向電磁石を通過できるのは、特定の運動量ｍｖを持ったイオンのみである。ＥＦＭは、エネルギー分析電磁石と呼ばれているが、実際は、イオンの運動量を分析する装置である。ＢＭや、イオン生成ユニットの質量分析電磁石も、全て運動量フィルターである。

また、ビーム偏向ユニット１６は、複数の磁石を用いることで、イオンビームを１８０°偏向させることができる。これにより、ビームラインがＵ字状の高エネルギーイオン注入装置１００を簡易な構成で実現できる。

図５（ａ）に示すように、ビーム偏向ユニット１６は、高エネルギー多段直線加速ユニット１４から出たイオンビームを、エネルギー分析電磁石２４で９０°偏向する。そして、軌道補正兼用偏向電磁石３０によりビーム進路をさらに９０°偏向し、後述するビーム輸送ラインユニット１８のビーム整形器３２に入射させる。ビーム整形器３２は、入射したビームを整形してビーム走査器３４に供給する。また、図５（ｂ）に示す四重極レンズ２６のレンズ作用により、ビームのエネルギー分散による発散を防止し、あるいは、エネルギー分散によるビーム拡大効果を利用して、ビームが小さくなりすぎることを防いでいる。

図１１（ａ）は、横収束レンズである四重極レンズを模式的に示す平面図、図１１（ｂ）は、四重極レンズを模式的に示す正面図である。図１１（ａ）の平面図では、四重極レンズ２６のビームライン進行方向の電極長さを示すとともに、エネルギー分析器（ＥＦＭ偏向磁石）２４に選別されたエネルギーのビームについて、横発散していくビームが四重極レンズ２６により横収束される作用を示す。図１１（ｂ）の正面図では、四重極レンズ２６の電極による収束発散作用によるビームの横収束作用を示す。

上述のように、ビーム偏向ユニット１６は、イオン源で発生したイオンを加速してウェハまで輸送して打ち込むイオン注入装置において、高エネルギー多段直線加速ユニット１４とビーム輸送ラインユニット１８との間において、イオンビームの１８０°の偏向を複数の電磁石で行っている。つまり、エネルギー分析電磁石２４および軌道補正兼用偏向電磁石３０は、それぞれ偏向角度が９０度となるように構成されており、その結果、合計の偏向角度が１８０度となるように構成されている。なお、一つの磁石で行う偏向量は９０°に限られず、以下の組合せでもよい。

（１）偏向量が９０°の磁石が１つ＋偏向量が４５°の磁石が２つ
（２）偏向量が６０°の磁石が３つ
（３）偏向量が４５°の磁石が４つ
（４）偏向量が３０°の磁石が６つ
（５）偏向量が６０°の磁石が１つ＋偏向量が１２０°の磁石が１つ
（６）偏向量が３０°の磁石が１つ＋偏向量が１５０°の磁石が１つ
エネルギー分析部としてのビーム偏向ユニット１６は、Ｕ字状のビームラインにおける折り返し路であり、それを構成する偏向電磁石の曲率半径ｒは、輸送できるビームの最大エネルギーを限定するとともに、装置の全幅や中央のメンテナンスエリアの広さを決定する重要なパラメータである（図５参照）。その値を最適化することによって、最大エネルギーを下げることなく、装置の全幅を最小に抑えている。そして、これにより、高エネルギー多段直線加速ユニット１４とビーム輸送ラインユニット１８との間の間隔が広くなり、十分な作業スペースＲ１が確保できている（図１参照）。

図１２（ａ）、図１２（ｂ）は、電磁石の構成の一例を示す斜視図である。図１３は、電磁石が備える開閉装置を模式的に示した図である。エネルギー分析電磁石２４や偏向電磁石３０を構成する電磁石は、例えば、図１２（ａ）、図１２（ｂ）に示すように、アッパーヨーク８７、ロアーヨーク８８、内側と外側のサイドヨーク８９ａ，８９ｂ、上ポール（不図示）、下ポール９３、上コイル９１ａ、下コイル９１ｂ、で構成されている。また、図１３に示すように、外側サイドヨーク８９ｂは、２つの部材８９ｂ１，８９ｂ２に分割されており、開閉装置９２ａ，９２ｂによって、外側に観音開きできるようになっており、図示しない、ビームラインを構成するビームガイド容器を着脱できるよう構成されている。

また、ビーム偏向ユニット１６の中央部の真空容器、例えば、エネルギー幅制限スリット２７、四重極レンズ２６、エネルギー分析スリット２８等を収納している容器は、ビームラインから容易に脱着できる構造になっている。これによって、メンテナンス作業時に、Ｕ字状ビームライン中央の作業エリアに、簡単に出入りすることができる。

高エネルギー多段直線加速ユニット１４は、イオンの加速を行う複数の線形加速装置を備えている。複数の線形加速装置のそれぞれは、共通の連結部を有しており、その連結部は、複数の電磁石のうちエネルギー分析スリット２８よりも上流側にあるエネルギー分析電磁石２４に対して着脱可能に構成されている。同様に、ビーム輸送ラインユニット１８は、偏向電磁石３０に対して着脱可能に構成されていてもよい。

また、エネルギー分析スリット２８より上流側に設けられている、電磁石を含むエネルギー分析電磁石２４は、上流の高エネルギー多段直線加速ユニット１４に対して着脱したり連結したりできるように構成してもよい。また、後述するビーム輸送ラインユニット１８をモジュール型のビームラインユニットで構成した場合、エネルギー分析スリット２８より下流側に設けられている偏向電磁石３０は、下流のビーム輸送ラインユニット１８に対して着脱したり連結したりできるように構成してもよい。

リナック、ビーム偏向ユニットは、それぞれ平面架台上に配置され、それぞれの機器を通過するイオンビーム軌道が実質的に１水平面に含まれる（最終エネルギーフィルターの偏向後の軌道は除く）ように構成されている。

（ビーム輸送ラインユニット）
図６（ａ）は、ビーム走査器からビーム平行化器以降のビームラインから基板処理供給ユニットまでの概略構成を示す平面図、図６（ｂ）は、ビーム走査器からビーム平行化器以降のビームラインから基板処理供給ユニットまでの概略構成を示す側面図である。

ビーム偏向ユニット１６によって必要なイオン種のみが分離され、必要なエネルギー値のイオンのみとなったビームは、ビーム整形器３２により所望の断面形状に整形される。図５、図６に示すように、ビーム整形器３２は、Ｑ（四重極）レンズ等（電場式若しくは磁場式）の収束／発散レンズ群により構成される。整形された断面形状を持つビームは、ビーム走査器３４により図１（ａ）の面に平行な方向にスキャンされる。例えば、横収束（縦発散）レンズＱＦ／横発散（縦収束）レンズＱＤ／横収束（縦発散）レンズＱＦからなるトリプレットＱレンズ群として構成される。ビーム整形器３２は、必要に応じて、横収束レンズＱＦ、横発散レンズＱＤをそれぞれ単独で、あるいは複数組み合わせて構成することができる。

図５に示すようにスキャナーハウジング内の最前部のビーム整形器３２の直前部とには、イオンビームの総ビーム電流値を計測するためのファラデーカップ８０ｂ（リゾルバーファラデーカップと呼ぶ）が配置されている。

図１４（ａ）は、リゾルバーファラデーカップ８０ｂを正面から見た模式図、図１４（ｂ）は、リゾルバーファラデーカップ８０ｂの動作を説明するための模式図である。

リゾルバーファラデーカップ８０ｂは、駆動機構によりビームライン上に上下方向から出し入れ可能に構成され、また、水平方向に長い長方形の枡状形状で、開口部をビームライン上流側に向けて構成されており、リナック及びビーム偏向部の調整の際に、イオンビームの総ビーム電流を計測する目的の他、ビームライン下流に到達するイオンビームを必要に応じてビームライン上で完全に遮断するために用いられる。またリゾルバーファラデーカップ８０ｂ、ビーム走査器３４及びサプレッション電極７４、グランド電極７６ａ、７８ａ、７８ｂは、スキャナーハウジング８２に収容されている。

ビーム走査器３４は、周期変動する電場により、イオンビームの進行方向と直交する水平方向にイオンビームを周期的に往復走査させる偏向走査装置（ビームスキャナーとも呼ばれる）である。

ビーム走査器３４は、ビーム進行方向に関して、イオンビームの通過域を挟むようにして対向配置された一対（２枚）の対向走査電極（二極式偏向走査電極）を備え、０．５Ｈｚ〜４０００Ｈｚの範囲の一定の周波数で正負に変動する三角波に近似する走査電圧が、２枚の対向電極にそれぞれ逆符号で印加される。この走査電圧は、２枚の対向電極のギャップ内において、そこを通過するビームを偏向させる変動する電場を生成する。そして、走査電圧の周期的な変動により、ギャップを通過するビームが水平方向にスキャンされる。

高エネルギーイオン注入された際に、シリコンウェハ内部に生成される結晶ダメージの量は、スキャン周波数に反比例する。そして、結晶ダメージの量が、生産される半導体デバイスの品質に影響することがある。このような場合に、スキャン周波数を自由に設定できるようにすることにより、生産される半導体デバイスの品質を高めることができる。

さらに、走査電圧をかけない状態で、ウェハ直近で測定されたビーム位置ずれ量を補正するために、オフセット電圧（固定電圧）が走査電圧に重畳される。このオフセット電圧によって、スキャン範囲が左右に偏ることがなくなり、左右対称なイオン注入が実施できる。

ビーム走査器３４の下流側には、イオンビームの通過域に開口を有するサプレッション電極７４が２つのグランド電極７８ａ、７８ｂの間に配置されている。上流側には、走査電極の前方にグランド電極７６ａを配置しているが、必要に応じて下流側と同じ構成のサプレッション電極を配置することができる。サプレッション電極は、正電極への電子の侵入を抑制する。

また、偏向電極８７ａ，８７ｂの上方と下方には、グランド遮蔽板８９が配置されている。グランド遮蔽板は、ビームに付随する二次電子が、外側から回り込んでビーム走査器３４の正電極に流れ込むことを防いでいる。サプレッション電極とグランド遮蔽板により、走査器の電源が保護されるとともに、イオンビームの軌道が安定化される。

ビーム走査器３４の後方側にはビームパーク機能が備わっている。ビームパークは、ビームスキャナーを通過したイオンビームを必要に応じて水平に大きく偏向させてビームダンプに導くように構成されている。

ビームパークは、電極の放電など、イオン注入中に予期せぬ障害が発生し、そのまま注入動作を続けると、ドーズの均一性不良などの注入不良が発生する場合に、瞬間的（１０μｓ以内）にビーム輸送を中止するシステムである。実際には、ビーム電流の著しい低下を観測した瞬間に、ビームスキャナー電源の出力電圧を最大スキャン幅に対応する電圧の１．５倍に上げて、ビームをパラレルレンズ横のビームダンプに導いている。障害が発生した時点のウェハ上のビーム照射位置を記憶しておき、障害が解消した後、上下に走査運動しているウェハがその位置に来た瞬間にビームを元の軌道に戻すことによって、あたかも何もなかったかのように、イオン注入が継続される。

このように高速応答する電源は、あまり電圧を高くできない（主にコスト上の問題）。一方で、高度な注入ドーズの均一性を得るためには、走査範囲をウェハより広く取らなければならない。そのためには、ビーム走査器に高エネルギービームを充分偏向できる能力が必要である。これは、ビーム走査器の偏向電極の間隔と長さに制約を設けることで実現できる。本発明のエネルギー領域では、電極長を間隔の５倍以上とすればよい。

スキャンハウジング内において、ビーム走査器３４の下流側には、ビーム走査空間部が長い区間において設けられ、ビーム走査角度が狭い場合でも十分なスキャン幅を得られるように構成されている。ビーム走査空間部の下流にあるスキャンハウジングの後方には、偏向されたイオンビームを、ビーム走査偏向前のイオンビームの方向になるように調整する、つまり、ビームラインに平行となるように曲げ戻すビーム平行化器３６が設けられている。

ビーム平行化器３６で発生する収差（ビーム平行化器の中心部と左右端部の焦点距離の差）は、ビーム走査器３４の偏向角の２乗に比例するので、ビーム走査空間部を長くして偏向角を小さくすることは、ビーム平行化器の収差を抑えることに大きく寄与する。収差が大きいと、半導体ウェハにイオンビームを注入する際に、ウェハの中心部と左右端部とでビームサイズとビーム発散角が異なるため、製品の品質にバラツキが生じることがある。

また、このビーム走査空間部の長さを調整することによって、ビーム輸送ラインユニットの長さを、高エネルギー多段直線加速ユニット１４の長さに合わせることができる。

図７は、ビーム走査器の一例の主要部を上方から見た模式図である。図８は、ビーム走査器の一例の主要部を側方から見た模式図である。図９は、ビーム走査器の一例をイオンビームラインの途中経路に着脱自在に装着した構造を下流側から見た正面模式図である。

ビーム走査器１３４は、図７、図８に示すように、一対の偏向電極１２８、１３０とこれらの上流側近傍、下流側近傍に組み付けられたグランド電極１３２、１３３とが箱体１５０内に収容、設置されている。箱体１５０の上流側側面及び下流側側面であって、グランド電極１３２、１３３の開口部に対応する箇所には、それぞれ、上流側開口部（図示省略）、グランド電極１３３の開口部より大きめの開口部１５２Ａが設けられている。

偏向電極と電源との接続は、フィードスルー構造にて実現されている。一方、箱体１５０の上面には偏向電極１２８、１３０と電源とを接続するためのターミナルとグランド用のターミナルが設けられている。また、箱体１５０には、ビーム軸に平行な２つの側面に、着脱や持ち運びに都合のよい取っ手が設けられている。なお、箱体１５０には、ビーム走査器１３４内の圧力を下げるための真空排気用の開口部が形成されており、図示しない真空排気装置に接続されている。

図９に示すように、箱体１５０は、架台１６０上に固定設置されたビームガイドボックス１７０にスライド自在に設置されている。ビームガイドボックス１７０は箱体１５０より十分に大きく、底部には箱体１５０をスライド可能にするための２本のガイドレールが敷設されている。ガイドレールは、ビーム軸に直交する方向に延びており、その一端側のビームガイドボックス１７０の側面は扉１７２により開閉自在にされている。これにより、ビーム走査器１３４の保守・点検時には、箱体１５０をビームガイドボックス１７０から簡単に取り出すことができる。なお、ビームガイドボックス１７０内に押し込まれた箱体１５０をロックするために、ガイドレールの他端には係止機構（不図示）が設けられている。

これらのスキャナー周辺のユニット部材は、ビームラインのメンテナンス時の作業対象であり、メンテナンス作業は作業スペースＲ１から容易に実施することができる。高エネルギー多段直線加速ユニット１４のメンテナンス作業時にも、同様に、作業スペースＲ１から容易に実施することができる。

ビーム平行化器３６には、電場平行化レンズ８４が配置されている。図６に示すように、電場平行化レンズ８４は、略双曲線形状の複数の加速電極対と減速電極対で構成されている。各電極対は、放電が起きない程度の広さの加速・減速ギャップを介して向き合っており、加速減速ギャップには、イオンビームの加減速を引き起こす軸方向の成分と、基準軸からの距離に比例して強くなって、イオンビームに横方向の収束作用を及ぼす横成分とを併せ持つ電界が形成される。

加速ギャップを挟む電極対のうち下流側の電極と、減速ギャップの上流側の電極、及び、減速ギャップの下流側の電極と次の加速ギャップの上流側の電極とは、同一電位になるように、それぞれ一体の構造体を形成している。図６（ｂ）に示すように、さらにこれらの構造体は、上部ユニットと下部ユニットの上下対の組体で構成され、上部ユニットと下部ユニットの間には、イオンビームが通過する空間部が設けられている。

電場平行化レンズ８４の上流側から最初の電極（入射電極）と最後の電極（出射電極）は、接地電位に保たれている。これによって、平行化レンズ８４通過前後で、ビームのエネルギーは変化しない。

中間の電極構造体において、加速ギャップの出口側電極と減速ギャップの入り口側電極には、可変式定電圧の負電源９０が、減速ギャップの出口側電極と加速ギャップの入り口側電極には、可変式定電圧の正電源が接続されている（ｎ段の時は負正負正負・・・）。これによって、イオンビームは加速・減速を繰り返しながら、ビームラインの中心軌道と平行な方向に段階的に向いていく。そして、最終的に偏向走査前のイオンビーム進行方向（ビームライン軌道方向）に平行な軌道に乗る。

このように、ビーム走査器３４によりスキャンされたビームは、電場平行化レンズ等を含むビーム平行化器３６により、スキャン前のイオンビーム進行方向（ビームライン軌道方向）に平行な偏向角０度の軸（基準軸）に対して平行になる。このとき、スキャン領域は、基準軸に関して左右対称になる。

電場平行化レンズ８４から出たイオンビームは、電場最終エネルギーフィルター３８（ＡＥＦ（９４）：Angular Energy Filter）に送られる。最終エネルギーフィルター９４では、ウェハに注入する直前のイオンビームのエネルギーに関する最終的な分析が行われ、必要なエネルギー値のイオン種のみが選択されるとともに、合わせて、中性化した価数のない中性粒子や、イオン価数の異なるイオンの除去が行われる。この電界偏向による最終エネルギーフィルター９４は、ビームライン軌道方向の上下方向に対向する一対の平面若しくは曲面からなる板状の偏向電極により構成され、ビームライン軌道方向の上下方向において最終エネルギーフィルター９４自身の偏向作用により下方に曲がっていくイオンビーム軌道に合わせて屈曲している。

図６（ａ）、図６（ｂ）に示すように、電界偏向用電極は、一対のＡＥＦ電極１０４から構成され、イオンビームを上下方向より挟み込むように配置されている。一対のＡＥＦ電極１０４のうち、上側のＡＥＦ電極１０４には正電圧を、下側のＡＥＦ電極１０４には負電圧をそれぞれ印加している。電界による偏向時には、一対のＡＥＦ電極１０４間で発生する電界の作用によって、イオンビームを下方に約１０〜２０度偏向させ、目的エネルギーのイオンビームのみが選択されることとなる。図６（ｂ）に示されるように、最終エネルギーフィルター９４においては選択された価数のイオンビームのみが設定した軌道角度で下方に偏向される。このようにして選択されたイオン種のみからなるビームが正確な角度で一様に被照射物であるウェハ２００に照射される。

実際に高エネルギービームを偏向する上では、上下方向に対向する一対の板状の偏向電極２０４は、図１０に示すように、イオンビーム軌道に合わせて屈曲させるときに、偏向角と曲率半径に合わせて、前後にｎ分割し、それぞれの上部電極および下部電極が各々同電位に保たれた板状の電極とした方が、製作精度や経済性の点で優れている。また、前後にｎ分割された板状の偏向電極は、上部電極および下部電極を各々同電位に保つ構成のほか、ｎ分割の上下一対の板状電極として、それぞれ別の電位設定とすることも可能である。

このような構造を取ることによって、電場式のエネルギーフィルターを高エネルギーのスキャンビーム輸送ラインに搭載することが可能になっている。電場によって、ビームスキャン面と直交する方向にビームを偏向するため、ビームスキャン方向の注入イオン密度分布（均一性）に影響を与えず、エネルギー分析を行うことができるようになっている。

さらに、最終エネルギーフィルターの搭載によって、本ビームラインには、高エネルギー多段直線加速ユニット１４の高周波線形加速装置、Ｕ字状偏向部の磁場式のＥＦＭ（エネルギー分析電磁石２４）とＢＭ（偏向電磁石３０）と合わせて、３種類のビームフィルターが搭載されることになった。前述のように、高周波線形加速装置は速度（ｖ）フィルターであり、ＥＦＭとＢＭは運動量（ｍｖ）フィルターであり、この最終エネルギーフィルターはその名の通りエネルギー（ｍｖ２／２）フィルターである。このように、方式の異なる三重のフィルターをかけることにより、従来と比べてエネルギー純度が高いだけでなく、パーティクルやメタルコンタミネーションも少ない非常に純粋なイオンビームをウェハに供給できるようになっている。

なお、機能的には、ＥＦＭは高分解能で、高周波線形加速装置をすり抜けたエネルギーコンタミネーションの除去やエネルギー幅の制限を行い、ＡＥＦは比較的低分解能で、ＥＦＭによるエネルギー分析後のビーム輸送ラインユニットで、主にレジストアウトガスによって価数が変化したイオンを除去する役割を担っている。

最終エネルギーフィルター９４は、最終エネルギーフィルター９４の上流側にグランド電極１０８、および下流側の２つのグランド電極の間にＡＥＦサプレッション電極１１０を設けた電極セットを備えている。このＡＥＦサプレッション電極１１０は、正電極へ電子の侵入を抑制する。

最終エネルギーフィルター９４の最下流側のグランド電極の左右端に配置されたドーズカップ１２２により、ドーズ量の目安とする注入注のビーム電流量を測定する。

（基板処理供給ユニット）
図６（ａ）においてウェハ２００に隣接して示した矢印はビームがこれらの矢印の方向にスキャンされることを示し、図６（ｂ）においてウェハ２００に隣接して示した矢印はウェハ２００がこれらの矢印の方向に往復移動、すなわち機械走査されることを示している。つまり、ビームが、例えば一軸方向に往復スキャンされるものとすると、ウェハ２００は、図示しない駆動機構により上記一軸方向に直角な方向に往復移動するように駆動される。

ウェハ２００を所定の位置に搬送供給し、イオン注入による処理を行う基板処理供給ユニット２０は、プロセスチャンバ（注入処理室）１１６に収納されている。プロセスチャンバ１１６は、ＡＥＦチャンバ１０２と連通している。プロセスチャンバ１１６内には、エネルギー制限スリット（ＥＤＳ：Energy Defining Slit）１１８が配置されている。エネルギー制限スリット１１８は、所用以外のエネルギー値と価数を持つイオンビームの通過を制限することにより、ＡＥＦを通過した所用のエネルギー値と価数を持つイオンビームだけを分離するために、スキャン方向に横長のスリットで構成されている。また、エネルギー制限スリット１１８は、スリットの分離の間隔を調整するために上下方向から可動式の部材でスリット体を構成し、エネルギー分析や、注入角度の測定など、複数の測定目的に対応できるようにしても良い。さらに、可動式の上下の切替えスリット部材は、複数のスリット面を備えて、これらのスリット面を切り替えた後、さらに上下スリットの軸を上下方向に調整させたり、回転させたりすることによって、所望のスリット幅に変更するよう構成しても良い。これら複数のスリット面をイオン種に応じて順次切り替えることにより、クロスコンタミネーションを低減する構成とすることも可能である。

プラズマシャワー１２０は、低エネルギー電子をイオンビームのビーム電流量に応じて軌道上のイオンビームとウェハ２００の前面に供給し、イオン注入で生じる正電荷のチャージアップを抑制する。なお、最終エネルギーフィルター９４の最下流側のグランド電極の左右端に配置されたドーズカップ１２２の代わりに、プラズマシャワー１２０の左右端にドーズ量を測定するドーズカップ（不図示）を配置しても良い。

ビームプロファイラ１２４は、イオン注入位置でのビーム電流の測定を行うためのビームプロファイラカップ（図示省略）を備えている。ビームプロファイラ１２４は、イオン注入前に水平方向へ移動させながら、イオン注入位置のイオンビーム密度を、ビームスキャン範囲において測定する。ビームプロファイル測定の結果、イオンビームの予想不均一性（ＰＮＵ:Predicted Non Uniformity）がプロセスの要求に満たない場合には、ビーム走査器３４の印加電圧の制御関数を補正して、プロセス条件を満たすように自動的に調整する。また、ビームプロファイラ１２４に、バーティカルプロファイルカップ（図示省略）を併設して、ビーム形状・ビームＸ−Ｙ位置を測定して、注入位置でのビーム形状を確認し、ビーム幅やビーム中心位置、ダイバージェンスマスクと組み合わせて注入角度やビーム発散角を確認できるよう構成することも可能である。

ビームラインの最下流には、スキャン範囲のイオンビームをウェハ領域において全て計測できるビーム電流計測機能を有する横長ファラデーカップ１２６が配置されており、最終セットアップビームを計測するよう構成されている。図１５は、横長ファラデーカップを正面から見た模式図である。なお、クロスコンタミネーションを低減するために、横長ファラデーカップ１２６は、イオン種に応じて三角柱の３面を切り替えることができるトリプルサーフェス構造のファラデーカップの切り換え式底面を持つ構成とすることも可能である。また、横長ファラデーカップ１２６に、バーティカルプロファイルカップ（図示省略）を併設して、ビーム形状やビーム上下位置を測定して、注入位置での上下方向の注入角度やビーム発散角をモニターできるよう構成することも可能である。

前述のように、高エネルギーイオン注入装置１００は、図１に示すように、作業スペースＲ１を囲むように、各ユニットがＵ字状に配置されている。そのため、作業スペースＲ１にいる作業者は、最小限の移動により、多くのユニットに対して部品の交換やメンテナンス、調整を行うことができる。

（全体レイアウト、メンテナンス性、製造性、地球環境配慮）
以上、本実施の形態に係る高エネルギーイオン注入装置１００は、イオンビーム生成ユニット１２にて生成したイオンビームを、高エネルギー多段直線加速ユニット１４にて加速するとともに、ビーム偏向ユニット１６により方向転換し、ビーム輸送ラインユニット１８の終端に設けられている基板処理供給ユニット２０にある基板に照射する。

また、高エネルギーイオン注入装置１００は、複数のユニットとして、高エネルギー多段直線加速ユニット１４と、ビーム輸送ラインユニット１８と、を含んでいる。そして、高エネルギー多段直線加速ユニット１４およびビーム輸送ラインユニット１８は、図１に示す作業スペースＲ１を挟んで対向するように配置されている。これにより、従来装置ではほぼ直線状に配置されてきた高エネルギー多段直線加速ユニット１４と、ビーム輸送ラインユニット１８とが折り返して配置されるため、高エネルギーイオン注入装置１００の全長を抑えることができる。また、ビーム偏向ユニット１６を構成する複数の偏向電磁石の曲率半径は、装置幅を最小にするように最適化されている。これらによって、装置の設置面積を最小化するとともに、高エネルギー多段直線加速ユニット１４とビーム輸送ラインユニット１８との間に挟まれた作業スペースＲ１において、高エネルギー多段直線加速ユニット１４やビーム輸送ラインユニット１８の各装置に対する作業が可能となる。

また、高エネルギーイオン注入装置１００を構成する複数のユニットは、ビームラインの上流側に設けられている、イオンビームを発生させるイオンビーム生成ユニット１２と、ビームラインの下流側に設けられている、イオンが注入される基板を供給し処理する基板処理供給ユニット２０と、イオンビーム生成ユニット１２から基板処理供給ユニット２０へ向かうビームラインの途中に設けられている、イオンビームの軌道を偏向するビーム偏向ユニット１６とを含んでいる。そして、イオンビーム生成ユニット１２および基板処理供給ユニット２０をビームライン全体の一方の側に配置し、ビーム偏向ユニット１６をビームライン全体の他方の側に配置している。これにより、比較的短時間でメンテナンスの必要なイオン源１０や、基板の供給、取り出しが必要な基板処理供給ユニット２０が隣接して配置されるため、作業者の移動が少なくてすむ。

また、高エネルギー多段直線加速ユニット１４は、イオンの加速を行う複数の一連の線形加速装置を備えており、複数の一連の線形加速装置のそれぞれは、共通の連結部を有していてもよい。これにより、基板へ注入するイオンに必要とされるエネルギーに応じて、線形加速装置の数や種類を容易に変更できる。

また、スキャナー装置であるビーム走査器３４および平行化レンズ装置であるビーム平行化器３６は、隣接するユニットとの連結部として標準化された形状を有していてもよい。これにより、線形加速装置の数や種類を容易に変更できる。そして、ビーム走査器３４やビーム平行化器３６は、高エネルギー多段直線加速ユニット１４が備える線形加速装置の構成および数に応じて選択されてもよい。

また、高エネルギーイオン注入装置１００において、各装置のフレームと真空チャンバとを一体化し、装置フレームまたは真空チャンバの基準位置に合わせて組付けを行うことにより、ビームの芯出し（位置調整）が可能となるように構成してもよい。これにより、煩雑な芯出し作業が最小限となり、装置立ち上げ時間が短縮でき、作業間違いによる軸ずれの発生が抑制できる。また、連続する真空チャンバ同士の芯出しを、モジュール単位で実施してもよい。これにより、作業負荷を低減できる。また、モジュール化された装置の大きさを、装置の移動がし易い大きさ以下にしてもよい。これにより、モジュールや高エネルギーイオン注入装置１００の移設負荷を低減できる。

また、高エネルギーイオン注入装置１００は、高エネルギー多段直線加速ユニット１４、ビーム輸送ラインユニット１８、排気装置等を含む構成機器を一体の架台に組み込んでもよい。また、高エネルギーイオン注入装置１００は、高エネルギー多段直線加速ユニット１４やビーム偏向ユニット１６、ビーム輸送ラインユニット１８を平面基盤上にほぼ一水平面に含まれるようにしている。これにより、高エネルギーイオン注入装置１００を一水平面の平面基盤上に固定された状態で調整しブロック毎にそのまま運搬することもできるので、輸送中に調整ずれを生ずることが少なく、現地で再調整する手間が大いに省ける。そのため、現場に多数の熟練者を送り込んで長期間滞在させる不経済を避けることができる。

また、上記の平面基盤を架台の床でなく中間に形成すると、平面基盤上に、イオンビーム軌道に直接的に関係する上述の機器のみを搭載するようにできる。そして、これらに対する補助的な機器である高周波立体回路等の部材を、全て平面基盤の下に形成される空間中に組み込むことで、空間利用率を向上させ、よりコンパクトなイオン注入装置を実現することも可能になる。

したがって、上述の高エネルギーイオン注入装置１００は、設置場所に余裕がない場所でも設置でき、製作工場内で組み付け調整したままの状態で需要箇所に輸送して、現地に据え付け、最終調整により使用ができる。また、高エネルギーイオン注入装置１００は、半導体製造工場の半導体製造装置ラインの標準的な水準における利用に耐えられる以上の高エネルギーのイオン注入を実現できる。

このように、高エネルギーイオン注入装置１００は、各ユニットや各装置のレイアウトを工夫することで、従来と比較して大いに小型化され、従来の半分程度の設置長さに納めることができる。また、本実施の形態に係るイオン注入装置は、製造工場内で各構成要素を基盤上に組み込み、基盤上で位置調整してイオンビーム軌道を確立したまま輸送車に搭載して現地に輸送し、架台ごと据え付けた上で輸送中に生じた狂いを微調整して除去することにより稼働させることができる。そのため、熟練者でなくとも現場調整が格段に容易かつ確実に実施でき、また立ち上げ期間を短縮できる。

また、長いＵ字状の折り返し型ビームラインのようなレイアウトを取ることによって、最高５〜８ＭｅＶの高エネルギーイオンを高精度で注入できるイオン注入装置を実現することができる。また、このイオン注入装置は、中央通路（中央領域）を持つこのレイアウトによって、小さな設置面積で十分なメンテナンスエリアを持つ。また、イオン注入装置の運転時においては、電場パラレルレンズや電場式スキャナー、電場ＡＥＦ等の使用による低消費電力運転によって、消費電力を少なくできる。換言すると、本実施の形態に係るイオン注入装置は、電場偏向式の平行化レンズ装置の使用によるスキャンビームの平行化機構を有することで、低消費電力運転が可能となる。

以上、本発明を上述の実施の形態を参照して説明したが、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、実施の形態の構成を適宜組み合わせたものや置換したものについても本発明に含まれるものである。また、当業者の知識に基づいて各実施の形態における組合せや処理の順番を適宜組み替えることや各種の設計変更等の変形を各実施の形態に対して加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれうる。

以下、本願発明の異なる態様を実施の形態に沿って列挙する。

前述の高エネルギーイオン注入装置は、少なくともビーム輸送ラインユニットに含まれる各装置が電場式のため、装置構成の簡略化や電源の低出力化が可能となる。

図１６（ａ）は、本実施の形態に係るビーム整形器３２からビーム走査器３４までの概略構成を示す上面図、図１６（ｂ）は、本実施の形態に係るビーム整形器３２からビーム走査器３４までの概略構成を示す側面図である。

図１６（ａ）、図１６（ｂ）に示すように、電場式のビーム走査器３４は、一対の偏向電極８７ａ，８７ｂを有している。また、偏向電極８７ａ，８７ｂの上方と下方には、グランド遮蔽板８９が配置されている。グランド遮蔽板８９は、ビームに付随する二次電子が、外側から回り込んでビーム走査器３４の電極に流れ込むことを防いでいる。外側から一対の偏向電極８７ａ，８７ｂの平行部の間隔をＷ１、偏向電極８７ａ，８７ｂのビーム進行方向の長さをＬ１とすると、Ｌ１≧５Ｗ１を満たすように構成されてもよい。また、電源（増幅器）は、０．５Ｈｚ〜４ｋＨｚの範囲の任意の走査周波数で動作が可能なように構成されてもよい。また、平行部のない一対の偏向電極８７ａ，８７ｂの間隔をＤ１とすると、Ｌ１≧５Ｄ１を満たすように構成されていてもよい。

一般に高エネルギービームを十分に偏向するためには，ビームを、高い電界の中を長い距離通過させる必要がある。高い電界を作るためには高い電圧を利用するか電極間隔を狭める必要がある。また、ビーム走査器では、電圧を１ｋＨｚ程度の周波数で変化させることのできる高圧電源を使用する必要があるが，この種の電源で高い電圧を出力できるものを一般に入手することは困難である。したがって、ビーム走査器における偏向電極の間隔を狭める必要がある。

偏向電極８７ａ，８７ｂの間隔は、通過させるビームの幅より大きくなければならない。これによって、電極の最低間隔が決定される。また、電極の長さは、ビームエネルギー、電界および偏向する角度によって決まる。また、ビームエネルギーは装置仕様で決められている。電界は上の条件により決まる。よって、偏向する角度を決めることで電極の長さが決まる。

例えば、本実施の形態に係るビーム走査器における左右スキャナー電極の間隔は６０ｍｍ程度（ビームサイズ最大４０ｍｍを想定、電極間の耐圧については問題がない程度。）、スキャナー電極のビーム進行方向幅は４６０ｍｍ程度と長くした。また、スキャン電圧±３０ｋＶ、走査周波数は０．５〜４ｋＨｚ程度である。

電場式のビーム走査器３４を有する一対の偏向電極８７ａ，８７ｂの平行部の間隔をＷ１、偏向電極の高さをＨ１とすると、Ｈ１≧１．５Ｗ１を満たすように構成されていてもよい。ビームの全体にわたって均一な走査を行うためには，スキャナー中の電界は上下方向に一様になっている必要がある。そこで、電極高さが十分に高い偏向電極を用いることで、電界を一様にすることができる。

偏向電極８７ａ（８７ｂ）は、長方形のロングプレート形状であり、他の偏向電極８７ｂ（８７ａ）との対向面が平面または曲面で構成されており、対向面と反対側の外側面は段差形状となるように構成されていてもよい。

また、偏向電極８７ａ（８７ｂ）は、他の偏向電極８７ｂ（８７ａ）との対向面が二段平面で構成されており、対向面と反対側の外側面は段差形状となるように構成されていてもよい。これにより、加工性（製作性）が向上する。このように、外側面を簡易な平面構造とすることで加工費用を低減することができる。また、段差を付けてより多く外側を削ることにより部品重量が軽なり、取付け作業時の作業者負担を軽減することができる。

また、偏向電極８７ｂ（８７ａ）は、他の偏向電極８７ｂ（８７ａ）との対向面がノコギリ刃状に加工された段差で構成されていてもよい。これにより、メタルコンタミネーションの発生を抑えることができる。

なお、上述のように、ビーム走査器の偏向電極の間隔は狭い方が望ましい。しかしながら、スキャンされたビームは幅を持っているため、電極間隔が狭すぎると電極にビームが当たってしまう。そこで、一対の偏向電極は、スキャン幅がまだ広がっていない上流側の間隔が狭くなるように上流側の形状は互いに平行な直線構造とし、スキャン幅の広がる下流に向かって約±５度で広がっていく形状とした。広がる部分を曲線や段差にすることもできるが、直線構造は加工がより簡易であり低コストで作ることができる。

高エネルギーイオン注入装置１００は、電場式のビーム走査器３４のビームライン下流側に配置され、イオンビームの通過域に開口を有する上流側のグランド電極７８ａおよび下流側のグランド電極７８ｂと、上流側のグランド電極７８ａと下流側のグランド電極７８ｂとの間に配置されているサプレッション電極７４と、を更に備えている。

図１７は、下流側グランド電極の開口幅とサプレッション電極の開口幅と上流側グランド電極の開口幅との大きさの関係を説明するための模式図である。上流側のグランド電極７８ａの開口７８ａ１の幅をＷ１、サプレッション電極７４の開口７４ａ１の幅をＷ2、下流側のグランド電極７８ｂの開口７８ｂ１の幅をＷ3、とすると、各電極は、Ｗ１≦Ｗ２≦Ｗ３２を満たすように構成されていてもよい。スキャンされたビームは、下流に向かうにつれて横方向に広がるため、サプレッション電極７４、グランド電極７８ａ，７８ｂのそれぞれの開口幅を上述の関係を満たすように構成することで、スキャンされたビームが各部材に当たらないようにできる。

電場式のビーム走査器３４は、図１６（ａ）に示すように、偏向角度が±５°以下であってもよい。これにより、下流にある電場式のビーム平行化器３６（図６参照）への入射角が小さくなり、収差の発生を抑えられる。収差（ビーム平行化器中心と端部との焦点距離の差）はこの入射角の２乗に比例して大きくなる。

電場式のビーム走査器３４と電場式のビーム平行化器３６との間に、電場式のビーム走査器３４の偏向角度を小さくするためのビーム走査空間９６が設けられている。これにより、電場式のビーム走査器３４と電場式のビーム平行化器３６との間隔を広げることができる。そのため、電場式のビーム走査器３４における偏向角度が小さくても、スキャンされたビームが電場式のビーム平行化器３６に到達するまでに十分に広がる。そのため、電場式のビーム平行化器３６でのビームの収差を抑えつつ十分な広さのスキャン範囲を確保できる。

電場式のビーム走査器３４が収納され、ビーム走査空間９６が設けられている真空容器９１と、真空容器９１に接続され、真空容器の内部の気体を排出するための真空ポンプ（不図示）と、を備えてもよい。例えば、電場式ビーム走査器の位置に真空度確保のためのターボ分子ポンプを設け、電場式ビーム走査器の直下にターボポンプを配置してもよい。これにより、電場式のビーム走査器３４のビームライン真空度を確保することができる。また、電場式のビーム走査器３４近傍のアパチャや電極等にイオンが衝突することで発生するアウトガスを効率よく排気できる。このように、発生したガスを発生源付近でできるだけ多く取り除くことができれば周囲に拡散するガスが少なくなる。また、不要なガスがなければそのガスに邪魔されずビームが通過できるため、ビームの輸送効率が向上する。

電場式のビーム平行化器３６（図６参照）は、ビーム走査空間９６を挟んで上流側に配置されている電場式のビーム走査器３４が有する一対の偏向電極８７ａ，８７ｂの間の領域に焦点Ｆが位置するように構成される。走査範囲が一定のとき、ビーム平行化器の収差はその焦点距離の２乗に反比例するため、焦点距離の長いビーム平行化器３６を設置することで、収差を抑えることができる。

図１８は、ビーム平行化器の他の例を模式的に示す図である。図１８に示す電場式の多段式のビーム平行化器１３６は、多段の平行化レンズ８４ａ，８４ｂ，８４ｃを有している。これにより、スキャンされたビームを徐々に平行化することができるため、電場式のビーム走査器３４と電場式のビーム平行化器１３６との間隔、例えば上述のビーム走査空間９６の長さ、を短くできる。そのため、ビームライン全長を短縮できる。

本実施の形態に係る高エネルギーイオン注入装置１００は、図１に示すように、イオン源１０を有するイオンビーム生成ユニット１２および高エネルギー多段直線加速ユニット１４を含む、長い軌道を有する第１セクションと、ビーム偏向ユニット１６を含む偏向部による方向変換のための第２セクションと、ビーム輸送ラインユニット１８を含む、長い軌道を有する第３セクションと、により高エネルギーイオン注入ビームラインを構成し、第１セクションと第３セクションとを対向させて配置して、対向する長直線部を有するＵ字状の装置レイアウトを構成した。

また、高エネルギーイオン注入装置１００は、図５に示すように、イオンビーム生成ユニット１２と高エネルギー多段直線加速ユニット１４との間に、イオンビームの総ビーム電流量を測定するインジェクターファラデーカップ８０ａを、ビームラインへの挿入退避が可能なように設けた。

同様に、ビーム偏向ユニット１６とビーム輸送ラインユニット１８との間に、イオンビームの総ビーム電流量を測定するリゾルバーファラデーカップ８０ｂを、ビームラインへの挿入退避が可能なように設けた。

また、高エネルギーイオン注入装置１００は、図１に示すように、ビーム輸送ラインユニット１８の下流側に配置され、イオン注入による処理を行う基板処理供給ユニット２０を更に備えている。基板処理供給ユニット２０は、図６に示すように、イオン注入位置の後方に、イオンビームの総ビーム電流量を測定する固定式の横長ファラデーカップ１２６を設けた。

また、高エネルギーイオン注入装置１００は、図１等に示すように、イオンビーム生成ユニット１２に設けたビーム方向調整部を含む引出電極装置（引き出し電極４０：図２参照）と、高エネルギー多段直線加速ユニット１４の終端内部に設けた、ビーム方向性並びに収束発散の調整を行う調整部（横収束レンズ６４ａ、縦収束レンズ６４ｂ：図５参照）と、エネルギー分析ユニット（ビーム偏向ユニット１６：図１参照）に設けた電場式の高エネルギービーム調整部（軌道調整四重極レンズ２６：図５参照）と、ビーム輸送ラインユニット１８が有する電場式のビーム整形器３２および電場式のビーム平行化器３６と、を調整することにより、ビーム収束発散量が均質で軌道ずれの少ない方向性が均一なビームを生成し、そのビームを電場式のビーム走査器３４に供給するよう構成した。

電場式のビーム走査器３４は、図１６に示すように、イオンビームを通常のスキャン範囲の更に外側に偏向させて、電場式のビーム平行化器３６の手前部に配設された左右いずれか一方のビームダンプ部９５ａ，９５ｂに導くことで、ビームを一時的にダンプできるように構成されていてもよい。

また、電場式のビーム走査器３４は、走査範囲の左右の偏りを補正するためのオフセット電圧（電界がゼロになる位置を左右の中心からずらすための一定電圧）が印加できるように構成されている。また、ビーム走査器３４は、オフセット電圧を、電場式のビーム走査器３４の中心付近を通るように調整されたビームがウェハに到達したときの位置ずれから逆算して決められるようにし、注入角度・注入位置微調整システムの一部を構成するようにした。

上述の実施の形態では、電場式のビーム平行化器を例に説明したが、場合によっては磁場式のビーム平行化器を採用してもよい。

図１９は、本発明のある実施形態に係るビーム電流調整装置３００を示す模式図である。詳しくは後述するが、ビーム電流調整装置３００は、可変アパチャー３０２及び制御装置３０４を備える。

ビーム電流調整装置３００は、高エネルギー多段直線加速ユニット１４を有する高エネルギーイオン注入装置１００に設けられている。ビーム電流調整装置３００は、イオンビーム生成ユニット１２と高エネルギー多段直線加速ユニット１４との間に配設されている。高エネルギー多段直線加速ユニット１４は、図１及び図３等を参照して説明した構成と同様の構成を備えていてもよい。イオンビーム生成ユニット１２は、図１及び図２（ａ）等を参照して説明した構成と同様の構成を備えていてもよい。また、上述のように、高エネルギーイオン注入装置１００は、高エネルギー多段直線加速ユニット１４により加速された高エネルギーイオンビームを基板に向けて方向変換するビーム偏向ユニット１６を備えてもよい。

図１９にはイオンビームの中心軌道を図５（ａ）と同様に符号Ｌで示す。中心軌道Ｌは一点鎖線で図示する。以下では説明の便宜上、高エネルギー多段直線加速ユニット１４における中心軌道Ｌに沿う方向をＺ方向と呼ぶことがある。Ｚ方向はイオンビーム輸送方向と呼ぶこともできる。Ｚ方向に関してイオン源１０に近い側を上流と呼び、イオン源１０から遠い側を下流と呼ぶことがある。この実施形態においては、Ｚ方向は水平面内にある。水平面内においてＺ方向に垂直な方向をＹ方向と呼び、Ｚ方向及びＹ方向に垂直な方向をＸ方向と呼ぶことがある。また、Ｘ方向を横方向と呼び、Ｙ方向を縦方向と呼ぶこともある。

高エネルギー多段直線加速ユニット１４の入口部には、注入ビーム電流を測定するために可変アパチャー３０２の下流に配設されうるビーム電流検出器、例えばインジェクターファラデーカップ８０ａが設けられている。ここで、注入ビーム電流とは、基板（例えば、図１に示すウェハ２００）に注入されるビーム電流量、つまり、基板レベル（言い換えれば基板表面）でのビーム電流量をいう。ビーム電流検出器は中心軌道Ｌに出し入れ可能に構成されており、測定のために中心軌道Ｌに配置されるときイオンビームの全体（つまりビームのＸＹ断面の全域）を受けるよう構成されている。よって、ビーム電流検出器は、ビーム電流の総量を測定するよう構成されている。

また、高エネルギー多段直線加速ユニット１４の入口部には、インジェクターファラデーカップ８０ａの下流に入口Ｑレンズ１７４が設けられている。入口Ｑレンズ１７４は、高エネルギー多段直線加速ユニット１４において最も上流に配設されているビームライン構成要素であってもよい。ここで、ビームライン構成要素とは、例えば、偏向、加速、減速、整形、走査などを含む操作のためにイオンビームに電気的及び／または磁気的に作用する高エネルギーイオン注入装置１００の構成要素をいう。入口Ｑレンズ１７４の下流に高周波共振器１４ａ（図３参照）が設けられている。

イオンビーム生成ユニット１２は、少なくとも１つのビームライン構成要素、例えば質量分析装置２２を備える。図示されるように質量分析磁石２２ａの偏曲軌道はＸＺ面にあり、破線で図示するように、質量分析磁石２２ａは、高エネルギー多段直線加速ユニット１４の上流にイオンビームの収束点Ｐを形成するよう構成されている。

イオンビームの収束点Ｐは、質量分析磁石２２ａとその下流のビームライン構成要素（例えば入口Ｑレンズ１７４）との間に形成される。したがって、収束点Ｐが形成される「高エネルギー多段直線加速ユニット１４の上流」とは、高エネルギー多段直線加速ユニット１４の最上流部または入口部を含んでもよい。つまり、図１９においては収束点Ｐが高エネルギー多段直線加速ユニット１４の外にあるが、収束点Ｐは、高エネルギー多段直線加速ユニット１４の中（例えば、高エネルギー多段直線加速ユニット１４の入口部）にあってもよい。

図２０は、イオンビームの収束点Ｐにおけるイオンビーム断面３０６を例示する図である。図２０に示されるイオンビーム断面３０６は、収束点Ｐにおけるイオンビーム輸送方向に垂直な平面（つまりＸＹ面）によるイオンビームの断面である。

質量分析磁石２２ａは、収束点Ｐにおいてイオンビームを横方向（つまりＸ方向）に関して収束する。よって、収束点Ｐは横方向ビーム収束点である。

したがって、イオンビーム断面３０６は縦方向（Ｙ方向）に細長い形状を有する。イオンビーム断面３０６は収束点Ｐにおいて、横方向に第１ビーム幅Ｗ１を有し、縦方向に第２ビーム幅Ｗ２を有する。第２ビーム幅Ｗ２は、第１ビーム幅Ｗ１より長い。イオンビーム断面３０６の形状は、図示されるように、例えば楕円である。第１ビーム幅Ｗ１は短径に相当し、第２ビーム幅Ｗ２は長径に相当する。

加えて、図２０には、イオンビーム断面３０６における強度分布を等高線で示す。また、この等高線に相当するＹ方向の強度分布３０８をイオンビーム断面３０６の右側に図示し、Ｘ方向の強度分布３１０をイオンビーム断面３０６の下側に図示する。図からわかるように、イオンビーム断面３０６の外周部においては、Ｙ方向の強度分布３０８の勾配がＸ方向の強度分布３１０の勾配よりも緩やかである。

また、図２０には、本実施形態に係る縦方向のビーム幅制限（縦締めともいう）を実線の矢印Ｖで模式的に示し、横方向のビーム幅制限（横締めともいう）を破線の矢印Ｈで模式的に示す。これらの詳細は後述する。

図１９に示されるように、質量分析装置２２は、質量分析スリット２２ｂを備える。本実施形態においては、質量分析スリット２２ｂは固定式であり、質量分析スリット２２ｂのスリット位置及びスリット幅は固定されている。Ｚ方向に関して質量分析スリット２２ｂは収束点Ｐに配置されている。また、ＸＹ面においては質量分析スリット２２ｂはその開口の中心が中心軌道Ｌに一致するように配置されている。質量分析スリット２２ｂの横方向スリット幅は、所望の質量分解能を与えるよう定められている。また、質量分析スリット２２ｂのスリット形状は例えば、収束点Ｐにおけるイオンビーム断面３０６の形状に一致していてもよく、従って縦長の楕円であってもよい。

なお、ある実施形態においては、質量分析装置２２は、複数の質量分析スリット２２ｂを備えてもよい。複数の質量分析スリット２２ｂはそれぞれが異なる位置及び／または幅のスリットを有してもよい。また、複数の質量分析スリット２２ｂは異なる形状のスリットを有してもよい。必要に応じて複数の質量分析スリット２２ｂのうち選択されたある１つのスリットが中心軌道Ｌに配置され使用されてもよい。

また、ある実施形態においては、質量分析スリット２２ｂは可変式であってもよい。この場合、質量分析スリット２２ｂはスリット位置及び／またはスリット幅を、例えば、収束点Ｐにおけるイオンビームの収束方向に調整可能に構成されていてもよい。このようなスリット位置及び／またはスリット幅の調整がイオンビームの横締めに用いられてもよい。

ビーム電流調整装置３００は、隣接して配置されている２つのビームライン構成要素（例えば、質量分析磁石２２ａ及び入口Ｑレンズ１７４）の間に配設されている。ビーム電流調整装置３００の可変アパチャー３０２は、質量分析スリット２２ｂの直後に配置されている。可変アパチャー３０２は、質量分析スリット２２ｂの下流にて質量分析スリット２２ｂに接触し又はわずかな隙間を有して隣接して設けられている。このように、可変アパチャー３０２は、収束点Ｐの近傍に配置されている。なお、可変アパチャー３０２が収束点Ｐに配置されていてもよく、その場合、質量分析スリット２２ｂは可変アパチャー３０２の直前に配置され、収束点Ｐの近傍に配置されていてもよい。

ここで、可変アパチャー３０２が配置される「質量分析スリット２２ｂの直後」とは、質量分析スリット２２ｂと可変アパチャー３０２との間にビームライン構成要素（すなわち、上述のように、イオンビームに電気的及び／または磁気的に作用する構成要素）が介在しないことをいう。したがって、可変アパチャー３０２は、質量分析スリット２２ｂと高エネルギー多段直線加速ユニット１４（又は入口Ｑレンズ１７４）との間の任意のＺ方向位置に設けられていてもよい。このようにして、可変アパチャー３０２は、収束点Ｐまたはその近傍に配置されている。

図２１（ａ）及び図２１（ｂ）は、本実施形態に係る可変アパチャー３０２を示す模式図である。図２１（ａ）は、可変アパチャー３０２を開放した状態を示し、図２１（ｂ）は、可変アパチャー３０２をある程度閉じた状態を示す。

可変アパチャー３０２は、Ｙ方向に移動可能に構成されている一組のアパチャープレート３１２を備える。図中の矢印Ｖのように、一組のアパチャープレート３１２は中心軌道Ｌを含む水平面に対し対称に移動するよう構成されており、可変アパチャー３０２にはそのための駆動部（図示せず）が設けられている。すなわち、一方のアパチャープレート３１２が中心軌道Ｌに近づくように＋Ｙ方向にある長さだけ移動するとき、他方のアパチャープレート３１２も中心軌道Ｌに近づくように−Ｙ方向にその長さだけ移動する。このように、一組のアパチャープレート３１２は互いに反対方向に等距離の移動をする。

可変アパチャー３０２は、例えば、ＣＶＡ（Continuously Variable Aperture）であってもよい。ＣＶＡの一構成例は、例えば、特開２０００−２４３３４１号公報及び特開２０００−２４３３４２号公報に開示されており、これらの文献の全体を参照により本願明細書に援用する。

なお、ある実施形態においては、可変アパチャー３０２は、収束点Ｐにおけるイオンビームの収束方向に垂直な方向に移動可能に構成されている少なくとも１つのアパチャープレートを備えてもよい。したがって、可変アパチャー３０２は例えば、収束方向に垂直な方向に移動可能に構成されている可動アパチャープレートと、固定アパチャープレートと、を含む一組のアパチャープレートを備えてもよい。

また、ある実施形態においては、可変アパチャー３０２は、イオンビームの収束方向に平行で輸送方向に垂直な回転軸まわりに回動可能に構成されている少なくとも１つのアパチャープレートを備えてもよい。

図２１（ａ）及び図２１（ｂ）に示されるように、アパチャープレート３１２間に、イオンビームを通すアパチャー幅３１４が形成される。アパチャープレート３１２が移動することにより、アパチャー幅３１４が変更される。上述のようにアパチャープレート３１２はＹ方向に移動するから、アパチャー幅３１４はＹ方向に可変である。イオンビームがアパチャー幅３１４を通過することにより、Ｙ方向のビーム幅が制限される。すなわち、イオンビーム断面３０６（図２０参照）のＹ方向両端部分（アパチャー幅３１４の外側部分）がアパチャープレート３１２により遮蔽され、アパチャー幅３１４に相当するイオンビーム断面３０６の中央部がビームラインの下流に向かう。

このようにして、可変アパチャー３０２を通過したイオンビームは、可変アパチャー３０２に入射するイオンビームに比べて、ビーム電流が低減される。よって、アパチャー幅３１４を変更することにより、ビーム電流を調整することができる。可変アパチャー３０２を通過することにより収束方向に垂直な方向に調整されたビーム幅を有するイオンビームが、高エネルギー多段直線加速ユニット１４（図１９参照）に与えられる。

本実施形態に係る高エネルギーイオン注入装置１００は、可変アパチャー３０２によって注入ビーム電流が決定されるよう構成されている。高エネルギーイオン注入装置１００は、基板に注入されるビーム電流量がアパチャー幅３１４に応じて決定されるように設計されている。よって、アパチャー幅３１４を適切に設定することにより、所望の注入ビーム電流を基板に与えるようイオンビームを制御することができる。

可変アパチャー３０２は、ビーム電流検出器、例えばインジェクターファラデーカップ８０ａにより測定されたビーム電流に基づいて注入ビーム電流を決定するよう構成されている。そのため、制御装置３０４（図１９参照）は、ビーム電流検出器による測定電流に基づいてアパチャー幅３１４を設定するよう構成されている。例えば、制御装置３０４は、測定電流を目標の注入ビーム電流に一致させるようにアパチャー幅３１４を変更するよう構成されている。

なお、制御装置３０４は、高エネルギーイオン注入装置１００を制御するための制御装置またはその一部であってもよいし、そうした制御装置とは別に設けられたビーム電流調整装置３００のための専用のコントローラであってもよい。

ある典型的な構成においては、イオンビームは、質量分析磁石の偏曲軌道を含む平面に垂直な方向に長い縦長ビームとして輸送され、質量分析磁石の出口に配置された横幅制限アパチャーによって質量分解能が決定されている。この横幅制限アパチャーは、質量分解能を決定するだけでなくビーム電流を調整する機能も果たしており、結果的にビーム電流が横締めによって調整されている。

したがって、こうした典型的な構成においては、アパチャーの調整は、質量分解能とビーム電流の両方を考慮して行わなければならず、これらをともに最適に設定することは容易ではない。例えば、精細な質量分解能を実現するためにアパチャーを狭くすると、ビーム電流は小さくなる。よって、精細な質量分解能と大ビーム電流とを両立するのは難しい。

また、図２０を参照して説明したように、縦長ビームの横方向強度分布は勾配が大きいので、アパチャー横幅に対してビーム電流は敏感である。わずかな横幅の変更によって大きなビーム電流の変動が引き起こされるので、目標のビーム電流に制御することが容易でない。

さらに、アパチャー横幅の中心とビーム中心との間にずれがあった場合には、ビームの右側と左側とで非対称にビームが遮蔽されるため、アパチャー通過後のビームは通過前と異なる位置にビーム中心を有することになる。ビームの横方向強度分布の勾配が大きいので、アパチャー通過前後のビーム中心の位置ずれ量も大きくなりやすい。位置ずれ量を小さくするためにアパチャー横幅の中心とアパチャー通過前のビーム中心とを揃えるようビームの調整作業が必要となりうる。こうした作業はウェハ２００へのイオン注入処理に装置を使用できる時間の減少を招くので、装置の生産性に影響する。

しかし、本実施形態においては、可変アパチャー３０２は、注入ビーム電流を制御するために、収束点Ｐにおけるイオンビームの収束方向に垂直な方向のビーム幅を調整するよう構成されている。注入ビーム電流が可変アパチャー３０２の縦締めによって調整される。図２０を参照して説明したように、イオンビーム断面３０６は外周部において縦方向強度分布が横方向強度分布に比べて緩やかな勾配を有するので、アパチャー幅３１４の変化に対して注入ビーム電流が穏やかに変化する。また、可変アパチャー３０２は、質量分析スリット２２ｂとは別に設けられている。

したがって、本実施形態によると、アパチャー幅３１４の変更による目標の注入ビーム電流への調整が容易である。縦締めを採用したことにより、注入ビーム電流の制御性が向上する。

また、本実施形態によると、注入ビーム電流を質量分解能とは独立に調整可能であるので、それぞれを最適に設定することができる。

さらに、本実施形態によると、アパチャー通過前後のビーム中心の位置ずれ量は比較的小さくなるので、上述のようなビームの調整作業が必要とされない点で有利である。ビーム中心の位置ずれ量は基板レベルでのビームの位置誤差及び／または角度誤差に関連し、ビームの輸送距離が長いほど当初の位置ずれ量が基板レベルでの大きな誤差を生む。したがって、ビーム中心の位置ずれ量が小さいことは、高エネルギーイオン注入装置１００のように長いビームラインを有する注入装置にとって有利である。

また、本実施形態のように、収束方向と垂直な方向に、すなわちイオンビーム断面３０６において強度分布の勾配が緩やかである方向にビーム幅を制限することには、次の利点もある。それは、ビーム電流調整装置３００から出るイオンビームのビーム電流量が、ビーム電流調整装置３００に入射するイオンビームの変動による影響を受けにくいということである。例えばイオン源１０において何らかの変動があったとしても、そのときのイオンビーム断面３０６の縦方向強度分布への影響は横方向強度分布への影響に比べて小さいと考えられるからである。

よって、本実施形態によると、質量分解能など他のビーム品質に影響を与えることなく基板レベルでのビーム電流を短時間で調整することができるので、生産性の向上に寄与するイオン注入装置を提供することができる。特に、枚葉式の高エネルギーイオン注入装置１００において、生産性を向上することができる。

ある実施形態においては、ビーム電流調整装置３００は、ビーム電流量のみが異なる連続注入（いわゆるチェーンレシピ）に適応するよう構成されていてもよい。そのため、制御装置３０４は、第１のイオン注入処理についての第１の注入レシピと後続する第２のイオン注入処理についての第２の注入レシピとで注入ビーム電流のみが異なる場合に、第１のイオン注入処理と第２のイオン注入処理との合間に収束方向に垂直な方向について可変アパチャー３０２によりビーム幅を調整し、第１のイオン注入処理に連続して第２のイオン注入処理を実行するよう構成されていてもよい。このようにすれば、ビーム調整作業のために注入作業を停滞させることなく次のイオン注入処理を開始することができるので、生産性の向上に役立つ。

なお、この場合、制御装置３０４は、必要に応じて、注入ビーム電流以外の少なくとも１つの注入条件を、第１のイオン注入処理と第２のイオン注入処理との合間に調整し、第１のイオン注入処理に連続して第２のイオン注入処理を実行するよう構成されていてもよい。

以上、本発明を実施形態にもとづいて説明した。本発明は上記実施形態に限定されず、種々の設計変更が可能であり、様々な変形例が可能であること、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは、当業者に理解されるところである。

上述の実施形態においては、イオンビームの収束点Ｐを形成するビームライン構成要素が高エネルギー多段直線加速ユニット１４の上流に配設されているが、本発明はこれに限られない。ある実施形態においては、イオンビームの収束点を形成するビームライン構成要素が高エネルギー多段直線加速ユニット１４の下流に配設され、その収束点またはその近傍に可変アパチャーが設けられていてもよい。

例えば、ビーム電流調整装置の可変アパチャー３０２は、高エネルギー多段直線加速ユニット１４と、高エネルギー多段直線加速ユニット１４により加速された高エネルギーイオンビームのためのビーム整形器３２との間に配設されていてもよい。この場合、図２２に示されるように、可変アパチャー３０２は、エネルギー分析スリット２８の直後に配置されていてもよい。

また、ビーム電流調整装置の可変アパチャー３０２は、高エネルギー多段直線加速ユニット１４と、高エネルギー多段直線加速ユニット１４により加速された高エネルギーイオンビームのためのビーム走査器３４との間に配設されていてもよい。この場合、図２３に示されるように、可変アパチャー３０２は、ビーム走査器３４のグランド電極７６ａと走査電極３１６との間に配置されていてもよい。

上述の実施形態においては、可変アパチャー３０２は質量分析スリット２２ｂの直後に配置されているが、本発明はこれに限られない。ある実施形態においては、可変アパチャー３０２は、質量分析磁石２２ａと質量分析スリット２２ｂとの間に配置されていてもよい。この場合、可変アパチャー３０２は、例えば、質量分析スリット２２ｂの直前に配置されていてもよい。

上述の実施形態においては、ビーム電流調整装置３００は高エネルギーイオン注入装置１００に設けられているが、本発明はこれに限られない。ある実施形態においては、ビーム電流調整装置３００は、高エネルギー多段直線加速ユニット１４を有しないイオン注入装置に設けられていてもよい。

１０ イオン源、 １２ イオンビーム生成ユニット、 １４ 高エネルギー多段直線加速ユニット、 １４ａ 高周波共振器、 １５ａ 第１線形加速器、 １５ｂ 第２線形加速器、 １６ ビーム偏向ユニット、 １８ ビーム輸送ラインユニット、 ２０ 基板処理供給ユニット、 ２２ 質量分析装置、 ２２ａ 質量分析磁石、 ２２ｂ 質量分析スリット、 ２４ エネルギー分析電磁石、 ２６ 四重極レンズ、 ２７ エネルギー幅制限スリット、 ２８ エネルギー分析スリット、 ３０ 偏向電磁石、 ３２ ビーム整形器、 ３４ ビーム走査器、 ３６ ビーム平行化器、 ３８ 最終エネルギーフィルター、 ４２ サプレッション電極、 ４４ イオン源高圧電源、 ４８ ターミナル、 ５０ 電源、 ５２ 入力装置、 ５４ 制御演算装置、 ５６ 振幅制御装置、 ５８ 位相制御装置、 ６０ 周波数制御装置、 ６２ 高周波電源、 ６４ 収束発散レンズ、 ６４ａ 横収束レンズ、 ６４ｂ 縦収束レンズ、 ６６ 収束発散レンズ電源、 ６８ 表示装置、 ７０ 記憶装置、 ７４ サプレッション電極、 ７４ａ 開口、 ７６ａ グランド電極、 ８０ａ，８０ｂ ファラデーカップ、 ８２ スキャナーハウジング、 ８４ 平行化レンズ、 ８７ アッパーヨーク、 ８７ａ，８７ｂ 偏向電極、 ８８ ロアーヨーク、 ８９ グランド遮蔽板、 ９０ 負電源、 ９１ 真空容器、 ９１ａ 上コイル、 ９１ｂ 下コイル、 ９２ａ 開閉装置、 ９３ 下ポール、 ９４ 最終エネルギーフィルター、 ９５ａ ビームダンプ部、 ９６ ビーム走査空間、 １００ 高エネルギーイオン注入装置、 ３００ ビーム電流調整装置、 ３０２ 可変アパチャー、 ３０４ 制御装置、 ３０６ イオンビーム断面、 ３１２ アパチャープレート、 ３１４ アパチャー幅。

Claims (16)

1. 高エネルギー多段直線加速ユニットを有する高エネルギーイオン注入装置であって、
   前記高エネルギー多段直線加速ユニットの上流または下流に配設されており、イオンビームの収束点を形成するビームライン構成要素と、
   前記収束点またはその近傍に配置されており、注入ビーム電流を制御するために、前記収束点における前記イオンビームの収束方向に垂直な方向のビーム幅を調整するよう構成されている可変アパチャーと、を備えることを特徴とする高エネルギーイオン注入装置。
2. 前記ビームライン構成要素は、前記収束点を前記高エネルギー多段直線加速ユニットの上流に形成するよう配設されており、
   前記可変アパチャーは、前記可変アパチャーを通過することにより前記収束方向に垂直な方向に調整されたビーム幅を有するイオンビームが前記高エネルギー多段直線加速ユニットに与えられるよう前記ビームライン構成要素の下流に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の高エネルギーイオン注入装置。
3. 前記ビームライン構成要素は、質量分析スリットを備える質量分析装置であり、前記可変アパチャーは、前記質量分析スリットの直後に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の高エネルギーイオン注入装置。
4. 第１のイオン注入処理についての第１の注入レシピと後続する第２のイオン注入処理についての第２の注入レシピとで前記注入ビーム電流が異なる場合に、前記第１のイオン注入処理と前記第２のイオン注入処理との合間に前記収束方向に垂直な方向について前記可変アパチャーにより前記ビーム幅を調整し、前記第１のイオン注入処理に連続して前記第２のイオン注入処理を実行するよう構成されている制御装置をさらに備えることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の高エネルギーイオン注入装置。
5. 前記高エネルギー多段直線加速ユニットにより加速された高エネルギーイオンビームのためのビーム整形器をさらに備え、
   前記可変アパチャーは、前記高エネルギー多段直線加速ユニットと前記ビーム整形器との間に配設されていることを特徴とする請求項１に記載の高エネルギーイオン注入装置。
6. 前記高エネルギー多段直線加速ユニットにより加速された高エネルギーイオンビームのためのビーム走査器をさらに備え、
   前記可変アパチャーは、前記高エネルギー多段直線加速ユニットと前記ビーム走査器との間に配設されていることを特徴とする請求項１に記載の高エネルギーイオン注入装置。
7. 前記可変アパチャーによって前記注入ビーム電流が決定されるよう構成されていることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の高エネルギーイオン注入装置。
8. 前記注入ビーム電流を測定するよう前記可変アパチャーの下流に配設されうるビーム電流検出器をさらに備え、
   前記可変アパチャーは、前記ビーム電流検出器により測定されたビーム電流に基づいて前記注入ビーム電流を決定するよう構成されていることを特徴とする請求項７に記載の高エネルギーイオン注入装置。
9. 前記可変アパチャーは、質量分析スリットの直前に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の高エネルギーイオン注入装置。
10. 前記質量分析スリットは、固定のスリットを有することを特徴とする請求項３または９に記載の高エネルギーイオン注入装置。
11. 前記質量分析スリットは、前記収束方向にスリットの位置及び／または幅を調整可能に構成されていることを特徴とする請求項３または９に記載の高エネルギーイオン注入装置。
12. 前記可変アパチャーは、前記収束方向に垂直な方向に移動可能に構成されている少なくとも１つのアパチャープレートを備えることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の高エネルギーイオン注入装置。
13. 前記高エネルギー多段直線加速ユニットにより加速された高エネルギーイオンビームを基板に向けて方向変換する高エネルギービームの偏向ユニットをさらに備えることを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載の高エネルギーイオン注入装置。
14. イオン注入装置のためのビーム電流調整装置であって、
    イオンビームの収束点またはその近傍に配置されており、注入ビーム電流を制御するために、前記収束点における前記イオンビームの収束方向に垂直な方向のビーム幅を調整するよう構成されている可変アパチャーを備えることを特徴とするビーム電流調整装置。
15. 前記可変アパチャーは、質量分析スリットの直後に配置されていることを特徴とする請求項１４に記載のビーム電流調整装置。
16. 高エネルギー多段直線加速ユニットを有する高エネルギーイオン注入装置のためのビーム電流調整方法であって、
    前記高エネルギー多段直線加速ユニットの上流または下流に形成される収束点にイオンビームを収束することと、
    前記収束点またはその近傍に配置されている可変アパチャーにより、注入ビーム電流を制御するために、前記イオンビームの収束方向に垂直な方向のビーム幅を調整することと、を備えることを特徴とする方法。

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