JP2015081633A - Gate valve device and plasma processing device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a gate valve device that reduces damages of a valve body and a processing container while ensuring conduction between the valve body and the processing container, and can suppress occurrence of a metal particle.SOLUTION: A valve seat plate 204 is made into a frame shape, and has an opening 204a with the almost same size as an opening 1b1 for substrate conveyance. The valve seat plate 204 is composed of a conductive material such as a metal, and is interposed between a valve body 202 and a processing container 1 in a state where the opening 1b1 for substrate conveyance is closed by the valve body 202. By constituting the valve seat plate 204 and sealed rings 232, 242 with the same metal material, contact between different metals is reduced, and occurrence of a metal particle is suppressed.

Description

本発明は、例えば基板を真空条件下で処理するプラズマ処理装置において、基板の搬入出を行うゲート開口部を開閉するためのゲートバルブ装置及びそれを備えたプラズマ処理装置に関する。   The present invention relates to a gate valve device for opening and closing a gate opening for loading and unloading a substrate in a plasma processing apparatus that processes a substrate under vacuum conditions, for example, and a plasma processing apparatus including the gate valve device.

ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用のガラス基板等の被処理基板に対して真空条件下でプラズマエッチング、プラズマアッシング、プラズマ成膜等の処理を行うために、プラズマ処理装置が用いられている。プラズマ処理装置は、例えば、基板に対する処理が行われるプロセスモジュールと、プロセスモジュールへの基板の搬入およびプロセスモジュールからの基板の搬出を行う搬送装置を収容した搬送モジュールと、プロセスモジュールと搬送モジュールとの間に設けられたゲートバルブ装置等を備えた真空処理システムの一部分として構成することができる。   2. Description of the Related Art Plasma processing apparatuses are used to perform processing such as plasma etching, plasma ashing, and plasma film formation on a target substrate such as a glass substrate for FPD (flat panel display) under vacuum conditions. The plasma processing apparatus includes, for example, a process module that performs processing on a substrate, a transfer module that contains a transfer device that carries a substrate into and out of the process module, and a process module and a transfer module. It can be configured as a part of a vacuum processing system provided with a gate valve device or the like provided therebetween.

プロセスモジュールは、基板の搬入または搬出の際に基板を通過させるための開口部を有している。プロセスモジュールと搬送モジュールとの間に設けられたゲートバルブ装置は、プロセスモジュールの開口部を開閉する弁体を有している。この弁体によってプロセスモジュールの開口部が閉塞されることによって、プロセスモジュールは気密にシールされる。   The process module has an opening for allowing the substrate to pass through when the substrate is carried in or out. The gate valve device provided between the process module and the transfer module has a valve body that opens and closes an opening of the process module. The process module is hermetically sealed by closing the opening of the process module by the valve body.

プロセスモジュール内で、処理が行われる際には、プロセスモジュールの開口部はゲートバルブ装置の弁体によって閉塞されている。この状態で、金属製の弁体の表面の一部は、プロセスモジュール内の空間に露出している。また、弁体とプロセスモジュールとの間には、絶縁性のエラストマー等からなるシール部材が介在するため、弁体とプロセスモジュールが電位的に独立した状態となる。そのため、プロセスモジュールに高周波を導入してプラズマを生成させると、弁体が高周波によってチャージされ、弁体の付近で局所的なプラズマや異常放電が発生するという問題があった。   When processing is performed in the process module, the opening of the process module is closed by the valve body of the gate valve device. In this state, a part of the surface of the metal valve body is exposed to the space in the process module. Further, since a sealing member made of an insulating elastomer or the like is interposed between the valve body and the process module, the valve body and the process module are in a state independent of potential. Therefore, when a high frequency is introduced into the process module to generate plasma, the valve body is charged with the high frequency, and there is a problem that local plasma or abnormal discharge occurs near the valve body.

特許文献１では、ゲートバルブ装置の弁体とプロセスモジュールとの間の導通を図るため、導電性のシール部材を配備することが提案されている。   In Patent Document 1, it is proposed to provide a conductive seal member in order to achieve conduction between the valve body of the gate valve device and the process module.

特開２００９−２５２６３５号公報JP 2009-252635 A

特許文献１に記載されている導電性のシール部材として、一般に、ステンレス製のスパイラルシールドが使用される。一方、ゲートバルブ装置の弁体や、プロセスモジュールの容器（処理容器）には、通常アルミニウムが使用される。その結果、スパイラルシールドと、弁体又は処理容器との間で、異種金属間の接触が生じる。特に、弁体は可動部材であるため、異種金属間での接触と離間とを繰り返す間に、異種金属接触腐食による化学的なダメージや、硬度が違うことによる物理的なダメージ等により、弁体や処理容器に損傷が生じて交換等のメンテナンスが必要になったり、金属パーティクルが発生したりする原因となる。   Generally, a stainless steel spiral shield is used as the conductive seal member described in Patent Document 1. On the other hand, aluminum is usually used for a valve body of a gate valve device and a container (processing container) of a process module. As a result, contact between dissimilar metals occurs between the spiral shield and the valve body or the processing container. In particular, because the valve body is a movable member, the valve body may be damaged due to chemical damage due to contact corrosion between different metals or physical damage due to different hardness during repeated contact and separation between different metals. This may cause damage to the processing container, necessitate maintenance such as replacement, or generate metal particles.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、弁体と処理容器との導通を確保しながら、弁体及び処理容器の損傷を低減し、金属パーティクルの発生を抑制できるゲートバルブ装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of such problems, and its purpose is to reduce the damage to the valve body and the processing container and to prevent the generation of metal particles while ensuring the conduction between the valve body and the processing container. The object is to provide a valve device.

本発明のゲートバルブ装置は、被処理基板を処理容器内に搬入搬出するための開口部を有し、前記処理容器内で生成させたプラズマにより前記被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に配置されるゲートバルブ装置である。   The gate valve device of the present invention is a plasma processing apparatus having an opening for carrying in and out a substrate to be processed into a processing container, and performing plasma processing on the substrate to be processed by plasma generated in the processing container. It is a gate valve device to be arranged.

本発明のゲートバルブ装置は、前記開口部を開閉するための弁体を備えている。   The gate valve device of the present invention includes a valve body for opening and closing the opening.

本発明のゲートバルブ装置は、前記弁体によって前記開口部を開閉するために前記弁体を移動させる弁体移動手段を備えている。   The gate valve device of the present invention includes valve body moving means for moving the valve body in order to open and close the opening by the valve body.

本発明のゲートバルブ装置は、開口を有する枠状をなし、前記処理容器における前記開口部の周囲の壁に装着され、前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で前記弁体と前記処理容器との間に介在する導電性の弁体受け部材を備えている。   The gate valve device of the present invention has a frame shape having an opening, is mounted on a wall around the opening in the processing container, and the valve body and the processing container are closed with the valve body. And a conductive valve body receiving member interposed therebetween.

本発明のゲートバルブ装置は、前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で、前記弁体と弁体受け部材との間に介在してこれらの間を気密に封止する第１の気密封止部材を備えている。   The gate valve device of the present invention is a first hermetic seal which is interposed between the valve body and the valve body receiving member in a state where the opening is closed by the valve body and hermetically seals between them. A stop member is provided.

本発明のゲートバルブ装置は、前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で、前記弁体と弁体受け部材との間に介在してこれらの間を電気的に接続する第１の導電性部材を備えている。   In the gate valve device of the present invention, the first conductive material is interposed between the valve body and the valve body receiving member and electrically connected between the valve body and the valve body receiving member in a state where the opening is closed by the valve body. A member is provided.

本発明のゲートバルブ装置は、前記開口部を囲むように設けられ、前記弁体受け部材と前記処理容器との間に介在してこれらの間を気密に封止する第２の気密封止部材を備えている。   The gate valve device according to the present invention is provided so as to surround the opening, and is interposed between the valve body receiving member and the processing container to hermetically seal between them. It has.

本発明のゲートバルブ装置は、前記開口部を囲むように設けられ、前記弁体受け部材と前記処理容器との間に介在してこれらの間を電気的に接続する第２の導電性部材を備えている。   The gate valve device of the present invention includes a second conductive member that is provided so as to surround the opening, and is interposed between the valve body receiving member and the processing container to electrically connect them. I have.

本発明の第１の側面において、ゲートバルブ装置は、前記第１の導電性部材と、前記弁体受け部材とが、同じ材料によって形成されている。   In the first aspect of the present invention, in the gate valve device, the first conductive member and the valve body receiving member are formed of the same material.

本発明の第２の側面において、前記弁体は、本体部と、該本体部とは異なる導電性材料からなり、前記第１の導電性部材に当接する第１の当接部と、を有している。そして、本発明の第３の側面では、前記第１の導電性部材と、前記第１の当接部と、前記弁体受け部材とが、同じ材料によって形成されている。   In the second aspect of the present invention, the valve body includes a main body portion and a first abutting portion that is made of a conductive material different from the main body portion and abuts on the first conductive member. doing. In the third aspect of the present invention, the first conductive member, the first contact portion, and the valve body receiving member are formed of the same material.

本発明の第３の側面において、前記弁体は、本体部と、該本体部とは異なる導電性材料からなり、前記第１の導電性部材に当接する第１の当接部と、を有している。また、本発明の第３の側面において、前記弁体受け部材は、弁座本体と、該弁座本体とは異なる導電性材料からなり、前記第１の導電性部材に当接する第２の当接部と、を有している。そして、本発明の第３の側面では、前記第１の導電性部材と、前記第１の当接部と、前記第２の当接部とが、同じ材料によって形成されている。   In the third aspect of the present invention, the valve body includes a main body portion and a first contact portion made of a conductive material different from the main body portion and contacting the first conductive member. doing. In the third aspect of the present invention, the valve body receiving member is made of a valve seat body and a conductive material different from that of the valve seat body, and a second contact that contacts the first conductive member. And a contact portion. In the third aspect of the present invention, the first conductive member, the first contact portion, and the second contact portion are formed of the same material.

本発明のゲートバルブ装置は、さらに、前記第２の導電性部材が、前記第１の導電性部材と同じ材料で形成されていてもよい。   In the gate valve device of the present invention, the second conductive member may be made of the same material as the first conductive member.

本発明のゲートバルブ装置は、前記第１の導電性部材及び前記第２の導電性部材がステンレス鋼によって形成されていてもよい。   In the gate valve device of the present invention, the first conductive member and the second conductive member may be made of stainless steel.

本発明のゲートバルブ装置において、前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で、第１の導電性部材は、前記第１の気密封止部材を囲むように設けられていてもよい。   In the gate valve device of the present invention, the first conductive member may be provided so as to surround the first hermetic sealing member in a state where the opening is closed by the valve body.

本発明のゲートバルブ装置において、第２の導電性部材は、前記第２の気密封止部材を囲むように設けられていてもよい。   In the gate valve device of the present invention, the second conductive member may be provided so as to surround the second hermetic sealing member.

本発明のプラズマ処理装置は、上記いずれかのゲートバルブ装置を備えている。   The plasma processing apparatus of the present invention includes any one of the above gate valve devices.

本発明のゲートバルブ装置によれば、弁体と処理容器との導通を確保しながら、弁体及び処理容器の損傷を低減し、金属パーティクルの発生を抑制できる。   According to the gate valve device of the present invention, it is possible to reduce the damage to the valve body and the processing container and to suppress the generation of metal particles while ensuring the conduction between the valve body and the processing container.

本発明の第１の実施の形態に係るゲートバルブ装置を含む真空処理システムを概略的に示す斜視図である。1 is a perspective view schematically showing a vacuum processing system including a gate valve device according to a first embodiment of the present invention. 図１に示したプロセスモジュールの典型的な実施の形態としてのプラズマエッチング装置の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the plasma etching apparatus as typical embodiment of the process module shown in FIG. 本発明の第１の実施の形態に係るゲートバルブ装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the gate valve apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 図３に示したゲートバルブ装置を閉じた状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which closed the gate valve apparatus shown in FIG. 図３に示したゲートバルブ装置の弁体を示す正面図である。It is a front view which shows the valve body of the gate valve apparatus shown in FIG. 処理容器に装着された弁座プレートを示す正面図である。It is a front view which shows the valve seat plate with which the process container was mounted | worn. 本発明の第２の実施の形態に係るゲートバルブ装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the gate valve apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 図７に示したゲートバルブ装置の弁体を示す正面図である。It is a front view which shows the valve body of the gate valve apparatus shown in FIG. 図７に示したゲートバルブ装置の変形例における弁体を示す正面図である。It is a front view which shows the valve body in the modification of the gate valve apparatus shown in FIG. 本発明の第３の実施の形態に係るゲートバルブ装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the gate valve apparatus which concerns on the 3rd Embodiment of this invention.

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係るゲートバルブ装置を含むシステムの一例としての真空処理システム１００の構成について説明する。 [First Embodiment]
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. First, the configuration of a vacuum processing system 100 as an example of a system including a gate valve device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

＜基板処理システム＞
図１は、真空処理システム１００を概略的に示す斜視図である。真空処理システム１００は、例えばＦＰＤ用のガラス基板（以下、単に「基板」と記す）Ｓに対してプラズマ処理を行うための処理システムとして構成されている。なお、ＦＰＤとしては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネセンス（Electro Luminescence；ＥＬ）ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等が例示される。 <Substrate processing system>
FIG. 1 is a perspective view schematically showing a vacuum processing system 100. The vacuum processing system 100 is configured as a processing system for performing plasma processing on a glass substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”) S for FPD, for example. Examples of the FPD include a liquid crystal display (LCD), an electro luminescence (EL) display, a plasma display panel (PDP), and the like.

真空処理システム１００は、十字形に連結された５つの真空モジュールを備えている。具体的には、真空処理システム１００は、５つの真空モジュールとして、３つのプロセスモジュール１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃと、搬送モジュール１０３と、ロードロックモジュール１０５とを備えている。   The vacuum processing system 100 includes five vacuum modules connected in a cross shape. Specifically, the vacuum processing system 100 includes three process modules 101a, 101b, and 101c, a transfer module 103, and a load lock module 105 as five vacuum modules.

プロセスモジュール１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃは、その内部空間を所定の減圧雰囲気（真空状態）に維持できるように構成されている。プロセスモジュール１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃ内には、それぞれ、基板Ｓを載置する載置台（図示省略）が配備されている。プロセスモジュール１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃでは、基板Ｓを載置台に載置した状態で、基板Ｓに対して、例えば真空条件でのエッチング処理、アッシング処理、成膜処理等のプラズマ処理が行なわれる。   The process modules 101a, 101b, and 101c are configured so that their internal spaces can be maintained in a predetermined reduced pressure atmosphere (vacuum state). In the process modules 101a, 101b, and 101c, a mounting table (not shown) for mounting the substrate S is provided. In the process modules 101a, 101b, and 101c, plasma processing such as etching processing, ashing processing, and film forming processing under vacuum conditions is performed on the substrate S while the substrate S is mounted on the mounting table.

搬送モジュール１０３は、プロセスモジュール１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃと同様に所定の減圧雰囲気に保持できるように構成されている。搬送モジュール１０３内には、図示しない搬送装置が設けられている。この搬送装置によって、プロセスモジュール１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃとロードロックモジュール１０５の間で基板Ｓの搬送が行われる。   The transfer module 103 is configured so that it can be maintained in a predetermined reduced-pressure atmosphere similarly to the process modules 101a, 101b, and 101c. A transport device (not shown) is provided in the transport module 103. By this transfer device, the substrate S is transferred between the process modules 101 a, 101 b, 101 c and the load lock module 105.

ロードロックモジュール１０５は、プロセスモジュール１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃおよび搬送モジュール１０３と同様に所定の減圧雰囲気に保持できるように構成されている。ロードロックモジュール１０５は、減圧雰囲気の搬送モジュール１０３と外部の大気雰囲気との間で基板Ｓの授受を行うためのものである。   The load lock module 105 is configured so that it can be maintained in a predetermined reduced pressure atmosphere, like the process modules 101 a, 101 b, 101 c and the transfer module 103. The load lock module 105 is for transferring the substrate S between the transport module 103 in a reduced pressure atmosphere and the external air atmosphere.

真空処理システム１００は、更に、５つのゲートバルブ装置１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄ，１１０ｅを備えている。ゲートバルブ装置１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃは、それぞれ、搬送モジュール１０３とプロセスモジュール１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃとの間に配置されている。ゲートバルブ装置１１０ｄは、搬送モジュール１０３とロードロックモジュール１０５との間に配置されている。ゲートバルブ装置１１０ｅは、ロードロックモジュール１０５におけるゲートバルブ装置１１０ｄとは反対側に配置されている。ゲートバルブ装置１１０ａ〜１１０ｅは、いずれも、隣接する２つの空間を仕切る壁に設けられた開口部を開閉する機能を有している。   The vacuum processing system 100 further includes five gate valve devices 110a, 110b, 110c, 110d, and 110e. The gate valve devices 110a, 110b, and 110c are disposed between the transfer module 103 and the process modules 101a, 101b, and 101c, respectively. The gate valve device 110 d is disposed between the transfer module 103 and the load lock module 105. The gate valve device 110e is disposed on the opposite side of the load lock module 105 from the gate valve device 110d. Each of the gate valve devices 110a to 110e has a function of opening and closing an opening provided in a wall that partitions two adjacent spaces.

ゲートバルブ装置１１０ａ〜１１０ｄは、閉状態で各モジュールを気密にシールすると共に、開状態でモジュール間を連通させて基板Ｓの移送を可能にする。ゲートバルブ装置１１０ｅは、閉状態でロードロックモジュール１０５の気密性を維持すると共に、開状態でロードロックモジュール１０５内と外部との間で基板Ｓの移送を可能にする。   The gate valve devices 110a to 110d hermetically seal each module in the closed state, and allow the substrate S to be transferred by communicating between the modules in the open state. The gate valve device 110e maintains the airtightness of the load lock module 105 in the closed state, and enables the transfer of the substrate S between the inside and outside of the load lock module 105 in the open state.

真空処理システム１００は、更に、ロードロックモジュール１０５との間でゲートバルブ装置１１０ｅを挟む位置に配置された搬送装置１２５を備えている。搬送装置１２５は、基板保持具としてのフォーク１２７と、フォーク１２７を進出、退避および旋回可能に支持する支持部１２９と、この支持部１２９を駆動する駆動機構を備えた駆動部１３１とを有している。   The vacuum processing system 100 further includes a transfer device 125 arranged at a position where the gate valve device 110e is sandwiched between the vacuum processing system 100 and the load lock module 105. The transport device 125 includes a fork 127 as a substrate holder, a support portion 129 that supports the fork 127 so that the fork 127 can be advanced, retracted, and turned, and a drive portion 131 that includes a drive mechanism that drives the support portion 129. ing.

真空処理システム１００は、更に、駆動部１３１の両側に配置されたカセットインデクサ１２１ａ，１２１ｂと、それぞれカセットインデクサ１２１ａ，１２１ｂの上に載置されたカセットＣ１，Ｃ２とを備えている。カセットインデクサ１２１ａ，１２１ｂは、それぞれ、カセットＣ１，Ｃ２を昇降する昇降機構部１２３ａ，１２３ｂを有している。各カセットＣ１，Ｃ２内には、基板Ｓを、上下に間隔を空けて多段に配置できるようになっている。搬送装置１２５のフォーク１２７は、カセットＣ１，Ｃ２の間に配置されている。   The vacuum processing system 100 further includes cassette indexers 121a and 121b disposed on both sides of the drive unit 131, and cassettes C1 and C2 mounted on the cassette indexers 121a and 121b, respectively. The cassette indexers 121a and 121b have elevating mechanisms 123a and 123b that elevate and lower the cassettes C1 and C2, respectively. In each cassette C1, C2, the substrates S can be arranged in multiple stages at intervals in the vertical direction. The fork 127 of the transport device 125 is disposed between the cassettes C1 and C2.

また、図１では図示しないが、真空処理システム１００は、更に、真空処理システム１００において制御が必要な構成要素を制御する制御部を備えている。制御部は、例えば、ＣＰＵを備えたコントローラと、コントローラに接続されたユーザーインターフェースと、コントローラに接続された記憶部とを有している。コントローラは、真空処理システム１００において制御が必要な構成要素を統括して制御する。ユーザーインターフェースは、工程管理者が真空処理システム１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、真空処理システム１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成される。記憶部には、真空処理システム１００で実行される各種処理をコントローラの制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記録されたレシピが保存されている。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェースからの指示等にて任意のレシピを記憶部から呼び出してコントローラに実行させることで、コントローラの制御下で、真空処理システム１００での所望の処理が行われる。   Although not shown in FIG. 1, the vacuum processing system 100 further includes a control unit that controls components that need to be controlled in the vacuum processing system 100. The control unit includes, for example, a controller including a CPU, a user interface connected to the controller, and a storage unit connected to the controller. The controller controls all components that need to be controlled in the vacuum processing system 100. The user interface includes a keyboard on which a process manager manages command input in order to manage the vacuum processing system 100, a display that visualizes and displays the operating status of the vacuum processing system 100, and the like. The storage unit stores a recipe in which a control program (software) for realizing various processes executed in the vacuum processing system 100 under the control of the controller, processing condition data, and the like are recorded. Then, if necessary, an arbitrary recipe is called from the storage unit by an instruction from the user interface or the like, and is executed by the controller, so that a desired process in the vacuum processing system 100 is performed under the control of the controller.

前記制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体、例えばＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリなどに格納された状態のものを利用できる。あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。   Recipes such as the control program and processing condition data can be stored in a computer-readable storage medium such as a CD-ROM, a hard disk, a flexible disk, or a flash memory. Alternatively, it can be transmitted from other devices as needed via, for example, a dedicated line and used online.

＜プラズマ処理装置＞
図２は、プロセスモジュール１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃの典型的な実施の形態としてのプラズマエッチング装置の概略構成を示す断面図である。プラズマエッチング装置１０１Ａは、基板Ｓに対してエッチングを行なう容量結合型の平行平板プラズマエッチング装置として構成されている。 <Plasma processing equipment>
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a plasma etching apparatus as a typical embodiment of the process modules 101a, 101b, and 101c. The plasma etching apparatus 101A is configured as a capacitively coupled parallel plate plasma etching apparatus that performs etching on the substrate S.

このプラズマエッチング装置１０１Ａは、内側が陽極酸化処理（アルマイト処理）されたアルミニウムからなる角筒形状に成形された処理容器１を有している。処理容器１は、底壁１ａ、４つの側壁１ｂ（２つのみ図示）及び蓋体１ｃにより構成されている。処理容器１は電気的に接地されている。側壁１ｂには、基板Ｓを搬入搬出する基板搬送用開口１ｂ１と、これを封止するゲートバルブ装置１１０が設けられている。なお、ゲートバルブ装置１１０は、図１に示したゲートバルブ装置１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃのいずれでもよい。   This plasma etching apparatus 101A has a processing container 1 formed into a rectangular tube shape made of aluminum, the inside of which is anodized (anodized). The processing container 1 includes a bottom wall 1a, four side walls 1b (only two are shown), and a lid 1c. The processing container 1 is electrically grounded. The side wall 1b is provided with a substrate transfer opening 1b1 for loading and unloading the substrate S, and a gate valve device 110 for sealing the same. The gate valve device 110 may be any of the gate valve devices 110a, 110b, and 110c shown in FIG.

蓋体１ｃは、図示しない開閉機構により、側壁１ｂに対して開閉可能に構成されている。蓋体１ｃを閉じた状態で蓋体１ｃと各側壁１ｂとの接合部分は、Ｏリング３によってシールされ、処理容器１内の気密性が保たれている。   The lid 1c is configured to be openable and closable with respect to the side wall 1b by an opening / closing mechanism (not shown). With the lid 1c closed, the joint between the lid 1c and each side wall 1b is sealed by the O-ring 3 so that the airtightness in the processing container 1 is maintained.

処理容器１内の底部には、枠形状の絶縁部材９が配置されている。絶縁部材９の上には、基板Ｓを載置可能な載置台であるサセプタ１１が設けられている。下部電極でもあるサセプタ１１は、基材１２を備えている。基材１２は、例えばアルミニウムやステンレス鋼（ＳＵＳ）などの導電性材料で形成されている。基材１２は、絶縁部材９の上に配置され、両部材の接合部分にはＯリングなどのシール部材１３が配備されて気密性が維持されている。絶縁部材９と処理容器１の底壁１ａとの間も、Ｏリングなどのシール部材１４により気密性が維持されている。基材１２の側部外周は、絶縁部材１５により囲まれている。これによって、サセプタ１１の側面の絶縁性が確保され、プラズマ処理の際の異常放電が防止されている。   A frame-shaped insulating member 9 is disposed at the bottom in the processing container 1. A susceptor 11, which is a mounting table on which the substrate S can be mounted, is provided on the insulating member 9. The susceptor 11, which is also the lower electrode, includes a base material 12. The substrate 12 is made of a conductive material such as aluminum or stainless steel (SUS). The base material 12 is disposed on the insulating member 9, and a sealing member 13 such as an O-ring is provided at a joint portion between both members to maintain airtightness. Airtightness is also maintained between the insulating member 9 and the bottom wall 1a of the processing container 1 by a sealing member 14 such as an O-ring. The outer periphery of the side portion of the substrate 12 is surrounded by an insulating member 15. Thereby, the insulation of the side surface of the susceptor 11 is ensured, and abnormal discharge during plasma processing is prevented.

サセプタ１１の上方には、このサセプタ１１と平行に、かつ対向して上部電極として機能するシャワーヘッド３１が設けられている。シャワーヘッド３１は処理容器１の上部の蓋体１ｃに支持されている。シャワーヘッド３１は中空状をなし、その内部には、ガス拡散空間３３が設けられている。また、シャワーヘッド３１の下面（サセプタ１１との対向面）には、処理ガスを吐出する複数のガス吐出孔３５が形成されている。このシャワーヘッド３１は電気的に接地されており、サセプタ１１とともに一対の平行平板電極を構成している。   Above the susceptor 11, a shower head 31 that functions as an upper electrode is provided in parallel to and opposite to the susceptor 11. The shower head 31 is supported by a lid 1 c at the top of the processing container 1. The shower head 31 has a hollow shape, and a gas diffusion space 33 is provided therein. A plurality of gas discharge holes 35 for discharging a processing gas are formed on the lower surface of the shower head 31 (the surface facing the susceptor 11). The shower head 31 is electrically grounded and forms a pair of parallel plate electrodes together with the susceptor 11.

シャワーヘッド３１の上部中央付近には、ガス導入口３７が設けられている。このガス導入口３７には、処理ガス供給管３９が接続されている。この処理ガス供給管３９には、２つのバルブ４１，４１およびマスフローコントローラ（ＭＦＣ）４３を介して、エッチングのための処理ガスを供給するガス供給源４５が接続されている。処理ガスとしては、例えばハロゲン系ガスやＯ２ガスのほか、Ａｒガス等の希ガスなどを用いることができる。 A gas inlet 37 is provided near the upper center of the shower head 31. A processing gas supply pipe 39 is connected to the gas inlet 37. A gas supply source 45 for supplying a processing gas for etching is connected to the processing gas supply pipe 39 via two valves 41 and 41 and a mass flow controller (MFC) 43. As the processing gas, for example, a rare gas such as Ar gas can be used in addition to a halogen-based gas or O 2 gas.

前記処理容器１内の底壁１ａには、複数の箇所（例えば８か所）に貫通した排気用開口５１が形成されている。各排気用開口５１には、それぞれ排気管５３が接続されている。各排気管５３は、その端部にフランジ部５３ａを有しており、このフランジ部５３ａと底壁１ａとの間にＯリング（図示省略）を介在させた状態で固定されている。各排気管５３には、ＡＰＣバルブ５５及び排気装置５７が接続されている。   Exhaust openings 51 penetrating through a plurality of locations (for example, 8 locations) are formed in the bottom wall 1a in the processing container 1. An exhaust pipe 53 is connected to each exhaust opening 51. Each exhaust pipe 53 has a flange portion 53a at its end, and is fixed with an O-ring (not shown) interposed between the flange portion 53a and the bottom wall 1a. An APC valve 55 and an exhaust device 57 are connected to each exhaust pipe 53.

プラズマエッチング装置１０１Ａには、処理容器１内の圧力を計測する圧力計６１が設けられている。圧力計６１は、制御部と接続されており、処理容器１内の圧力の計測結果をリアルタイムで制御部へ提供する。   The plasma etching apparatus 101 </ b> A is provided with a pressure gauge 61 that measures the pressure in the processing container 1. The pressure gauge 61 is connected to the control unit, and provides the measurement result of the pressure in the processing container 1 to the control unit in real time.

サセプタ１１の基材１２には、給電線７１が接続されている。この給電線７１には、マッチングボックス（Ｍ．Ｂ．）７３を介して高周波電源７５が接続されている。これにより、高周波電源７５から例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が、下部電極としてのサセプタ１１に供給される。なお、給電線７１は、底壁１ａに形成された貫通開口部としての給電用開口７７を介して処理容器１内に導入されている。   A power supply line 71 is connected to the base material 12 of the susceptor 11. A high frequency power source 75 is connected to the feeder line 71 via a matching box (MB) 73. Thereby, high frequency power of 13.56 MHz, for example, is supplied from the high frequency power supply 75 to the susceptor 11 as the lower electrode. The power supply line 71 is introduced into the processing container 1 through a power supply opening 77 as a through opening formed in the bottom wall 1a.

プラズマエッチング装置１０１Ａの各構成部は、制御部に接続されて制御される構成となっている。   Each component of the plasma etching apparatus 101A is connected to and controlled by the controller.

次に、以上のように構成されるプラズマエッチング装置１０１Ａにおける処理動作について説明する。まず、ゲートバルブ装置１１０が開放された状態で基板搬送用開口１ｂ１を介して、被処理体である基板Ｓが、図示しない搬送装置によって搬送モジュール１０３から処理容器１内へと搬入され、サセプタ１１へ受渡される。その後、ゲートバルブ装置１１０が閉じられ、排気装置５７によって、処理容器１内が所定の真空度まで真空引きされる。   Next, the processing operation in the plasma etching apparatus 101A configured as described above will be described. First, the substrate S, which is an object to be processed, is carried into the processing container 1 from the transfer module 103 by the transfer device (not shown) through the substrate transfer opening 1b1 with the gate valve device 110 opened, and the susceptor 11 It is delivered to. Thereafter, the gate valve device 110 is closed, and the inside of the processing container 1 is evacuated to a predetermined degree of vacuum by the exhaust device 57.

次に、バルブ４１を開放して、処理ガスをガス供給源４５から処理ガス供給管３９、ガス導入口３７を介してシャワーヘッド３１のガス拡散空間３３へ導入する。この際、マスフローコントローラ４３によって処理ガスの流量制御が行われる。ガス拡散空間３３に導入された処理ガスは、さらに複数のガス吐出孔３５を介してサセプタ１１上に載置された基板Ｓに対して均一に吐出され、処理容器１内の圧力が所定の値に維持される。   Next, the valve 41 is opened, and the processing gas is introduced from the gas supply source 45 into the gas diffusion space 33 of the shower head 31 through the processing gas supply pipe 39 and the gas introduction port 37. At this time, the mass flow controller 43 controls the flow rate of the processing gas. The processing gas introduced into the gas diffusion space 33 is further uniformly discharged to the substrate S placed on the susceptor 11 through the plurality of gas discharge holes 35, and the pressure in the processing container 1 is a predetermined value. Maintained.

この状態で高周波電源７５から高周波電力がマッチングボックス７３を介してサセプタ１１に印加される。これにより、下部電極としてのサセプタ１１と上部電極としてのシャワーヘッド３１との間に高周波電界が生じ、処理ガスが解離してプラズマ化する。このプラズマにより、基板Ｓにエッチング処理が施される。   In this state, high frequency power is applied from the high frequency power supply 75 to the susceptor 11 via the matching box 73. As a result, a high-frequency electric field is generated between the susceptor 11 as the lower electrode and the shower head 31 as the upper electrode, and the processing gas is dissociated into plasma. The substrate S is etched by this plasma.

エッチング処理を施した後、高周波電源７５からの高周波電力の印加を停止し、ガス導入を停止した後、処理容器１内を所定の圧力まで減圧する。次に、ゲートバルブ装置１１０を開放し、サセプタ１１から図示しない搬送装置に基板Ｓを受け渡し、処理容器１の基板搬送用開口１ｂ１から搬送モジュール１０３へ基板Ｓを搬出する。以上の操作により、一枚の基板Ｓに対するプラズマエッチング処理が終了する。   After performing the etching process, the application of the high frequency power from the high frequency power source 75 is stopped, the gas introduction is stopped, and then the inside of the processing container 1 is decompressed to a predetermined pressure. Next, the gate valve device 110 is opened, the substrate S is transferred from the susceptor 11 to a transfer device (not shown), and the substrate S is transferred from the substrate transfer opening 1 b 1 of the processing container 1 to the transfer module 103. With the above operation, the plasma etching process for one substrate S is completed.

＜ゲートバルブ装置＞
次に、図３ないし図５を参照して、本実施の形態に係るゲートバルブ装置の構成について詳しく説明する。図３及び図４は、本実施の形態に係るゲートバルブ装置の構成を示す断面図である。なお、図３はゲートバルブ装置の開状態を表し、図４はゲートバルブ装置の閉状態を表している。図５は、ゲートバルブ装置の弁体を示す正面図である。 <Gate valve device>
Next, the configuration of the gate valve device according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4 are cross-sectional views showing the configuration of the gate valve device according to the present embodiment. 3 shows the open state of the gate valve device, and FIG. 4 shows the closed state of the gate valve device. FIG. 5 is a front view showing a valve body of the gate valve device.

本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０は、図１および図２に示した真空処理システム１００における５つのゲートバルブ装置１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄ，１１０ｅのいずれにも適用することができる。その中でも、ゲートバルブ装置１１０は、特に、プロセスモジュール１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃと搬送モジュール１０３の間に設けられたゲートバルブ装置１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃへの適用に好適である。そこで、以下、ゲートバルブ装置１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃに適用した場合を例にとって、本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０について説明する。この例では、ゲートバルブ装置１１０は、プロセスモジュール１０１と搬送モジュール１０３との間に配置されている。なお、「プロセスモジュール１０１」は、プロセスモジュール１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃのいずれかを意味する。   The gate valve device 110 according to the present embodiment can be applied to any of the five gate valve devices 110a, 110b, 110c, 110d, and 110e in the vacuum processing system 100 shown in FIGS. Among them, the gate valve device 110 is particularly suitable for application to the gate valve devices 110a, 110b, and 110c provided between the process modules 101a, 101b, and 101c and the transfer module 103. Therefore, hereinafter, the gate valve device 110 according to the present embodiment will be described by taking as an example a case where the present invention is applied to the gate valve devices 110a, 110b, and 110c. In this example, the gate valve device 110 is disposed between the process module 101 and the transfer module 103. The “process module 101” means any one of the process modules 101a, 101b, and 101c.

プロセスモジュール１０１は、プロセスモジュール１０１内の空間を画定する処理容器１を備えている。上記のとおり、処理容器１は、ゲートバルブ装置１１０に隣接する側壁１ｂを備えている。この側壁１ｂは、プロセスモジュール１０１内の空間とそれに隣接するゲートバルブ装置１１０側の空間とを仕切っている。側壁１ｂには、プロセスモジュール１０１と搬送モジュール１０３との間で基板Ｓの移送を可能にする基板搬送用開口１ｂ１が設けられている。側壁１ｂは、ゲートバルブ装置１１０に向いた面１ｂ２を有している。   The process module 101 includes a processing container 1 that defines a space in the process module 101. As described above, the processing container 1 includes the side wall 1 b adjacent to the gate valve device 110. The side wall 1b partitions the space in the process module 101 and the space on the side of the gate valve device 110 adjacent thereto. The side wall 1b is provided with a substrate transfer opening 1b1 that enables the transfer of the substrate S between the process module 101 and the transfer module 103. The side wall 1 b has a surface 1 b 2 facing the gate valve device 110.

ゲートバルブ装置１１０は、ハウジング２０１と、基板搬送用開口１ｂ１を開閉するための弁体２０２と、弁体２０２を移動させる弁体変位装置２０３と、本発明における弁体受け部材としての弁座プレート２０４とを備えている。弁体変位装置２０３は、本発明における弁体移動手段に対応する。   The gate valve device 110 includes a housing 201, a valve body 202 for opening and closing the substrate transfer opening 1b1, a valve body displacement device 203 for moving the valve body 202, and a valve seat plate as a valve body receiving member in the present invention. 204. The valve body displacement device 203 corresponds to the valve body moving means in the present invention.

（ハウジング）
ハウジング２０１は、弁体２０２と、弁体変位装置２０３の一部と、弁座プレート２０４とを収容している。ハウジング２０１は、上部と、底部と、上部と底部とを連結する側部とを有している。ハウジング２０１におけるプロセスモジュール１０１側の側部と搬送モジュール１０３側の側部はそれぞれ開口している。なお、ハウジング２０１は、ゲートバルブ装置１１０における必須の構成ではなく、搬送モジュール１０３とプロセスモジュール１０１を隣接させ、弁体２０２と弁体変位装置２０３の一部を搬送モジュール１０３内に収容することで省略することができる。 (housing)
The housing 201 accommodates the valve body 202, a part of the valve body displacement device 203, and the valve seat plate 204. The housing 201 has an upper part, a bottom part, and a side part connecting the upper part and the bottom part. The side of the housing 201 on the process module 101 side and the side of the transfer module 103 are opened. The housing 201 is not an essential component of the gate valve device 110, and the conveyance module 103 and the process module 101 are adjacent to each other, and a part of the valve body 202 and the valve body displacement device 203 is accommodated in the conveyance module 103. Can be omitted.

（弁体）
弁体２０２は、例えばアルミニウム等の金属材料によって構成され、ほぼ直方体形状をなしている。弁体２０２は、プロセスモジュール１０１に向き、基板搬送用開口１ｂ１を閉塞可能なシール面２０２Ａと、このシール面２０２Ａとは反対側の背面２０２Ｂと、上面２０２Ｃと、底面２０２Ｄと、２つの側面２０２Ｅ，２０２Ｆとを有している。シール面２０２Ａは、基板搬送用開口１ｂ１を閉塞することができる大きさを有している。 (Valve)
The valve body 202 is comprised, for example with metal materials, such as aluminum, and has comprised the substantially rectangular parallelepiped shape. The valve body 202 faces the process module 101 and has a sealing surface 202A capable of closing the substrate transfer opening 1b1, a back surface 202B opposite to the sealing surface 202A, an upper surface 202C, a bottom surface 202D, and two side surfaces 202E. , 202F. The seal surface 202A has a size capable of closing the substrate transfer opening 1b1.

弁体２０２の上面２０２Ｃには、２つのローラー２１５が回転可能に取り付けられている。２つのローラー２１５の一部は、上面２０２Ｃよりも上方に突出している。   Two rollers 215 are rotatably attached to the upper surface 202C of the valve body 202. A part of the two rollers 215 protrudes above the upper surface 202C.

（弁体変位装置）
弁体変位装置２０３は、エアシリンダー２２１と、ベース部材２２２と、４つのリンク２２３とを有している。エアシリンダー２２１は、シリンダー部２２１ａとロッド部２２１ｂとを含んでいる。シリンダー部２２１ａは、ハウジング２０１の底部に取り付けられている。ロッド部２２１ｂは、シリンダー部２２１ａからハウジング２０１の内部に向けて突出している。ロッド部２２１ｂは、シリンダー部２２１ａに供給されるエアにより、シリンダー部２２１ａおよびロッド部２２１ｂの軸方向（図３、図４における上下方向）に往復運動する。なお、エアシリンダー２２１の代わりに、油圧シリンダーや、モータにより駆動するボールねじ機構を使用してもよい。 (Valve displacement device)
The valve body displacement device 203 includes an air cylinder 221, a base member 222, and four links 223. The air cylinder 221 includes a cylinder part 221a and a rod part 221b. The cylinder part 221 a is attached to the bottom part of the housing 201. The rod portion 221b protrudes from the cylinder portion 221a toward the inside of the housing 201. The rod portion 221b reciprocates in the axial direction of the cylinder portion 221a and the rod portion 221b (vertical direction in FIGS. 3 and 4) by air supplied to the cylinder portion 221a. Instead of the air cylinder 221, a hydraulic cylinder or a ball screw mechanism driven by a motor may be used.

ベース部材２２２は、ロッド部２２１ｂの先端部に取り付けられている。ベース部材２２２は、例えば、弁体２０２と同様に、ほぼ直方体形状をなしている。エアシリンダー２２１は、ベース部材２２２を側壁１ｂの面１ｂ２に平行な方向に移動させる。   The base member 222 is attached to the distal end portion of the rod portion 221b. The base member 222 has a substantially rectangular parallelepiped shape, for example, like the valve body 202. The air cylinder 221 moves the base member 222 in a direction parallel to the surface 1b2 of the side wall 1b.

４つのリンク２２３は、ベース部材２２２と弁体２０２とを接続するリンク機構を構成している。図３ないし図５に示したように、各リンク２２３の一端部は、弁体２０２の側面２０２Ｅ又は２０２Ｆに対して回動可能に接続され、各リンク２２３の他端部は、側面２０２Ｅ又は２０２Ｆに対応するベース部材２２２の側面に対して回動可能に接続されている。   The four links 223 constitute a link mechanism that connects the base member 222 and the valve body 202. As shown in FIGS. 3 to 5, one end of each link 223 is rotatably connected to the side surface 202E or 202F of the valve body 202, and the other end of each link 223 is connected to the side surface 202E or 202F. Are connected to the side surface of the base member 222 corresponding to.

図示しないが、ベース部材２２２は、各リンク２２３を、それらのベース部材２２２の側面に対する接続部を中心として図３、図４における反時計回り方向に回動するように付勢するばね等の付勢手段と、反時計回り方向へのリンク２２３の回動を規制するストッパとを含んでいる。図３は、ストッパによってリンク２２３の回動が規制された状態を表している。   Although not shown, the base member 222 is provided with a spring or the like that urges each link 223 to rotate in the counterclockwise direction in FIGS. 3 and 4 around the connection portion with respect to the side surface of the base member 222. And a stopper that restricts the rotation of the link 223 in the counterclockwise direction. FIG. 3 shows a state in which the rotation of the link 223 is restricted by the stopper.

弁体変位装置２０３は、弁体２０２を、図３に示した待機位置と、図４に示した閉塞位置との間で移動させる。なお、弁体変位装置２０３が弁体２０２を変位させる機構としては、図３及び図４に示した機構に限るものではない。   The valve body displacement device 203 moves the valve body 202 between the standby position shown in FIG. 3 and the closed position shown in FIG. The mechanism by which the valve body displacement device 203 displaces the valve body 202 is not limited to the mechanism shown in FIGS. 3 and 4.

（弁座プレート）
弁座プレート２０４は、処理容器１の側壁１ｂの外側において、基板搬送用開口１ｂ１の周囲に配設されている。弁座プレート２０４は、枠状をなし、基板搬送用開口１ｂ１とほぼ同等の大きさの開口２０４ａを有する。開口２０４ａの大きさは、基板搬送用開口１ｂ１と同じか、それ以上であることが好ましい。弁座プレート２０４は、金属等の導電性材料によって構成されている。 (Valve seat plate)
The valve seat plate 204 is disposed around the substrate transfer opening 1 b 1 outside the side wall 1 b of the processing container 1. The valve seat plate 204 has a frame shape and has an opening 204a having a size substantially equal to that of the substrate transfer opening 1b1. The size of the opening 204a is preferably the same as or larger than that of the substrate transfer opening 1b1. The valve seat plate 204 is made of a conductive material such as metal.

図６は、処理容器１の側壁１ｂに装着した状態の弁座プレート２０４を示す正面図である。弁座プレート２０４は、プロセスモジュール１０１の処理容器１における基板搬送用開口１ｂ１の周囲の側壁１ｂの面１ｂ２に、例えば螺子等の固定手段（図示省略）によって装着されている。そして、弁座プレート２０４は、図４に示したように、弁体２０２によって基板搬送用開口１ｂ１を閉塞した状態で弁体２０２と処理容器１との間に介在する。   FIG. 6 is a front view showing the valve seat plate 204 mounted on the side wall 1b of the processing container 1. FIG. The valve seat plate 204 is attached to a surface 1b2 of the side wall 1b around the substrate transfer opening 1b1 in the processing container 1 of the process module 101 by a fixing means (not shown) such as a screw. Then, as shown in FIG. 4, the valve seat plate 204 is interposed between the valve body 202 and the processing container 1 in a state where the substrate transfer opening 1 b 1 is closed by the valve body 202.

（第１の気密封止部材）
弁座プレート２０４には、第１の気密封止部材としてのＯリング２３１が取り付けられている。Ｏリング２３１は、弁座プレート２０４に形成された溝（図示省略）に嵌め込まれている。Ｏリング２３１は、弁座プレート２０４の開口２０４ａを全周にわたって囲むように設けられている。Ｏリング２３１は、弁体２０２によって基板搬送用開口１ｂ１を閉塞した状態で、弁体２０２と弁座プレート２０４との間に挟まれる。このように、Ｏリング２３１は、弁体２０２によって基板搬送用開口１ｂ１を閉塞した状態で、弁体２０２と弁座プレート２０４との間に介在してこれらの間を気密に封止する。なお、Ｏリング２３１は、弁体２０２側に配備することもできる。 (First hermetic sealing member)
An O-ring 231 as a first hermetic sealing member is attached to the valve seat plate 204. The O-ring 231 is fitted in a groove (not shown) formed in the valve seat plate 204. The O-ring 231 is provided so as to surround the opening 204a of the valve seat plate 204 over the entire circumference. The O-ring 231 is sandwiched between the valve body 202 and the valve seat plate 204 in a state where the substrate transfer opening 1b1 is closed by the valve body 202. As described above, the O-ring 231 is interposed between the valve body 202 and the valve seat plate 204 in a state in which the substrate transfer opening 1b1 is closed by the valve body 202, and seals between them in an airtight manner. The O-ring 231 can also be provided on the valve body 202 side.

（第１の導電性部材）
弁座プレート２０４には、第１の導電性部材としてのシールドリング２３２が取り付けられている。シールドリング２３２は、弁座プレート２０４に形成された溝（図示省略）に嵌め込まれている。シールドリング２３２は、金属等の導電性材料によって構成され、弁座プレート２０４の開口２０４ａを全周にわたって囲むように設けられている。シールドリング２３２は、弁体２０２によって基板搬送用開口１ｂ１を閉塞した状態で、弁体２０２と弁座プレート２０４との間に挟まれる。このように、シールドリング２３２は、弁体２０２によって基板搬送用開口１ｂ１を閉塞した状態で、弁体２０２と弁座プレート２０４との間に介在してこれらの間を電気的に接続する。ここで、電気的に接続するとは、接続される部材間で電荷が移動し電位が等しくなることを意味する。なお、シールドリング２３２は、弁体２０２側に配備することもできる。 (First conductive member)
A shield ring 232 as a first conductive member is attached to the valve seat plate 204. The shield ring 232 is fitted in a groove (not shown) formed in the valve seat plate 204. The shield ring 232 is made of a conductive material such as metal, and is provided so as to surround the opening 204a of the valve seat plate 204 over the entire circumference. The shield ring 232 is sandwiched between the valve body 202 and the valve seat plate 204 in a state where the substrate transfer opening 1b1 is closed by the valve body 202. As described above, the shield ring 232 is interposed between the valve body 202 and the valve seat plate 204 in a state where the substrate transfer opening 1b1 is closed by the valve body 202, and electrically connects them. Here, “electrically connected” means that electric charges move between the connected members and the potentials become equal. The shield ring 232 can also be provided on the valve body 202 side.

Ｏリング２３１は、弁座プレート２０４の開口２０４ａを全周にわたって囲むように設けられ、さらに、Ｏリング２３１の外側を、シールドリング２３２が囲むように配設されている。なお、Ｏリング２３１とシールドリング２３２の配置は、逆でもよい。すなわち、弁座プレート２０４の開口２０４ａを全周にわたって囲むようにシールドリング２３２を設け、シールドリング２３２の外側を囲むように、Ｏリング２３１を設けることができる。   The O-ring 231 is provided so as to surround the opening 204a of the valve seat plate 204 over the entire circumference, and further, the O-ring 231 is disposed so that the shield ring 232 surrounds the outside of the O-ring 231. The arrangement of the O-ring 231 and the shield ring 232 may be reversed. That is, the shield ring 232 can be provided so as to surround the opening 204 a of the valve seat plate 204 over the entire circumference, and the O-ring 231 can be provided so as to surround the outside of the shield ring 232.

（第２の気密封止部材）
弁座プレート２０４には、第２の気密封止部材としてのＯリング２４１が取り付けられている。Ｏリング２４１は、弁座プレート２０４に形成された溝（図示省略）に嵌め込まれている。Ｏリング２４１は、基板搬送用開口１ｂ１を全周にわたって囲むように設けられている。Ｏリング２４１は、弁座プレート２０４と側壁１ｂにおける基板搬送用開口１ｂ１の周囲の面１ｂ２との間に挟まれている。このように、Ｏリング２４１は、弁座プレート２０４と処理容器１との間に介在してこれらの間を気密に封止する。なお、Ｏリング２４１は、処理容器１の側壁１ｂ側に配備することもできる。 (Second hermetic sealing member)
An O-ring 241 as a second hermetic sealing member is attached to the valve seat plate 204. The O-ring 241 is fitted in a groove (not shown) formed in the valve seat plate 204. The O-ring 241 is provided so as to surround the substrate transfer opening 1b1 over the entire circumference. The O-ring 241 is sandwiched between the valve seat plate 204 and the surface 1b2 around the substrate transfer opening 1b1 on the side wall 1b. As described above, the O-ring 241 is interposed between the valve seat plate 204 and the processing container 1 and hermetically seals between them. Note that the O-ring 241 can also be provided on the side wall 1b side of the processing container 1.

（第２の導電性部材）
弁座プレート２０４には、第２の導電性部材としてのシールドリング２４２が取り付けられている。シールドリング２４２は、弁座プレート２０４に形成された溝（図示省略）に嵌め込まれている。シールドリング２４２は、金属等の導電性材料によって構成され、基板搬送用開口１ｂ１を全周にわたって囲むように設けられている。シールドリング２４２は、弁座プレート２０４と側壁１ｂにおける基板搬送用開口１ｂ１の周囲の面１ｂ２との間に挟まれている。このように、シールドリング２４２は、弁座プレート２０４と処理容器１との間に介在してこれらの間を電気的に接続する。なお、シールドリング２４２は、処理容器１の側壁１ｂ側に配備することもできる。 (Second conductive member)
A shield ring 242 as a second conductive member is attached to the valve seat plate 204. The shield ring 242 is fitted in a groove (not shown) formed in the valve seat plate 204. The shield ring 242 is made of a conductive material such as metal and is provided so as to surround the substrate transfer opening 1b1 over the entire circumference. The shield ring 242 is sandwiched between the valve seat plate 204 and the surface 1b2 around the substrate transfer opening 1b1 on the side wall 1b. As described above, the shield ring 242 is interposed between the valve seat plate 204 and the processing container 1 to electrically connect them. Note that the shield ring 242 can also be provided on the side wall 1b side of the processing container 1.

Ｏリング２４１は、弁座プレート２０４の開口２０４ａ及び基板搬送用開口１ｂ１を全周にわたって囲むように設けられ、さらに、Ｏリング２４１の外側を、シールドリング２４２が囲むように配設されている。なお、Ｏリング２４１とシールドリング２４２の配置は、逆でもよい。すなわち、弁座プレート２０４の開口２０４ａ及び基板搬送用開口１ｂ１を全周にわたって囲むようにシールドリング２４２を設け、シールドリング２４２の外側を囲むように、Ｏリング２４１を設けることができる。   The O-ring 241 is provided so as to surround the entire circumference of the opening 204a of the valve seat plate 204 and the substrate transfer opening 1b1, and further, the O-ring 241 is disposed so as to surround the shield ring 242. The arrangement of the O-ring 241 and the shield ring 242 may be reversed. That is, the shield ring 242 can be provided so as to surround the opening 204a of the valve seat plate 204 and the substrate transfer opening 1b1 over the entire circumference, and the O-ring 241 can be provided so as to surround the outside of the shield ring 242.

上記第１の導電性部材であるシールドリング２３２及び第２の導電性部材であるシールドリング２４２は、いずれも電磁波シール機能を有する部材であればよい。シールドリング２３２，２４２としては、例えばステンレス等の金属薄板を螺旋状に形成したスパイラル・スプリング・ガスケットを用いることが好ましい。   The shield ring 232 that is the first conductive member and the shield ring 242 that is the second conductive member may be any members that have an electromagnetic wave sealing function. As the shield rings 232 and 242, it is preferable to use spiral spring gaskets in which a metal thin plate such as stainless steel is formed in a spiral shape.

以上のように、弁体２０２によって基板搬送用開口１ｂ１を閉塞した状態で、２つのＯリング２３１，２４１によって、処理容器１と弁座プレート２０４と弁体２０２との間が気密にシールされ、処理容器１の気密性が保持される。また、弁体２０２によって基板搬送用開口１ｂ１を閉塞した状態で、２つのシールドリング２３２，２４２によって、処理容器１と弁座プレート２０４と弁体２０２との間の導通が確保され、これらの間が電気的に接続される。従って、弁体２０２によって基板搬送用開口１ｂ１を閉塞した状態で、弁体２０２は処理容器１と同様に接地電位となる。アルミニウム等の金属製の弁体２０２が電気的にフローティングな状態にあると、プラズマ処理の間に、弁体２０２の付近で、異常放電や局所的なプラズマが発生する可能性がある。そのため、本実施の形態では、弁体２０２によって基板搬送用開口１ｂ１を閉塞した状態で、弁座プレート２０４及び２つのシールドリング２３２，２４２を介在させることによって、弁体２０２と処理容器１との間の導通を確保し、異常放電や局所的なプラズマの発生を防止している。   As described above, in a state where the substrate transfer opening 1b1 is closed by the valve body 202, the space between the processing container 1, the valve seat plate 204, and the valve body 202 is hermetically sealed by the two O-rings 231 and 241. The airtightness of the processing container 1 is maintained. In addition, in a state where the substrate transfer opening 1b1 is closed by the valve body 202, the two shield rings 232 and 242 ensure conduction between the processing container 1, the valve seat plate 204, and the valve body 202. Are electrically connected. Accordingly, the valve body 202 is at the ground potential in the same manner as the processing container 1 with the valve body 202 closing the substrate transfer opening 1b1. When the valve body 202 made of metal such as aluminum is in an electrically floating state, abnormal discharge or local plasma may be generated in the vicinity of the valve body 202 during the plasma processing. Therefore, in the present embodiment, the valve seat plate 204 and the two shield rings 232 and 242 are interposed between the valve body 202 and the processing container 1 while the substrate transfer opening 1b1 is closed by the valve body 202. In this way, abnormal electrical discharge and local plasma are prevented.

また、本実施の形態では、弁体受け部材としての弁座プレート２０４と、第１の導電性部材としてのシールドリング２３２と、第２の導電性部材としてのシールドリング２４２とを、いずれも同種の金属材料によって構成している。ここで、「同種の金属材料」とは、ａ）含有する主な元素の種類が同じであることを意味し、ｂ）含有する元素の種類が同じであることが好ましく、ｃ）含有する元素の種類が同じで含有比率も同じであることがより好ましい。また、上記ａ）の場合に、「主な元素」とは、例えば金属材料中に７０質量％以上含まれる元素を意味し、微量に含有する元素は種類が異なっていてもよい。上記ｂ）の場合、元素の含有比率は異なっていてもよい。本実施の形態において、シールドリング２３２とシールドリング２４２とを同種の金属材料で構成する場合の好ましい例として、ステンレス鋼などを挙げることができる。このように、弁座プレート２０４及び２つのシールドリング２３２，２４２の材質として、同種の金属を用いることによって、金属パーティクルの発生を抑制できる。   In the present embodiment, the valve seat plate 204 as the valve body receiving member, the shield ring 232 as the first conductive member, and the shield ring 242 as the second conductive member are all of the same type. It is made of metal material. Here, “the same kind of metal material” means that a) the types of main elements contained are the same, b) the types of contained elements are preferably the same, and c) the contained elements. It is more preferable that the types are the same and the content ratio is also the same. In the case of a), the “main element” means, for example, an element contained in the metal material by 70% by mass or more, and the kinds of elements contained in a trace amount may be different. In the case of b) above, the content ratios of elements may be different. In the present embodiment, stainless steel or the like can be given as a preferable example when the shield ring 232 and the shield ring 242 are made of the same kind of metal material. Thus, by using the same kind of metal as the material of the valve seat plate 204 and the two shield rings 232 and 242, the generation of metal particles can be suppressed.

次に、本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０の動作について説明する。図３は、弁体２０２が待機位置にある状態を示している。このとき、弁体２０２は下降した状態にある。この状態で、基板搬送用開口１ｂ１を通して、搬送モジュール１０３とプロセスモジュール１０１との間で基板Ｓが移送される。   Next, the operation of the gate valve device 110 according to the present embodiment will be described. FIG. 3 shows a state where the valve body 202 is in the standby position. At this time, the valve body 202 is in a lowered state. In this state, the substrate S is transferred between the transfer module 103 and the process module 101 through the substrate transfer opening 1b1.

図３に示した状態から、弁体２０２によって基板搬送用開口１ｂ１を閉塞する際には、弁体変位装置２０３のエアシリンダー２２１によってベース部材２２２を上昇させる。ベース部材２２２の上昇に伴って、弁体２０２も上昇する。このとき、ローラー２１５がハウジング２０１の上部に当接するまでは、弁体２０２は、側壁１ｂの面１ｂ２に平行な方向に移動する。   From the state shown in FIG. 3, when closing the substrate transfer opening 1 b 1 by the valve body 202, the base member 222 is raised by the air cylinder 221 of the valve body displacement device 203. As the base member 222 is raised, the valve body 202 is also raised. At this time, the valve body 202 moves in a direction parallel to the surface 1b2 of the side wall 1b until the roller 215 contacts the upper portion of the housing 201.

ローラー２１５がハウジング２０１の上部に当接したとき、弁体２０２は基板搬送用開口１ｂ１に対向する位置に達している。この状態から、更にエアシリンダー２２１によってベース部材２２２を上昇させると、リンク２２３が、ベース部材２２２の側面の接続部を中心として図４における時計回り方向に回動しながら、弁体２０２を基板搬送用開口１ｂ１に向けて側壁１ｂの面１ｂ２に垂直な方向に移動させる。このとき、ローラー２１５の作用により、弁体２０２はハウジング２０１と接触することなく滑らかに移動する。そして、図４に示したように、弁体２０２のシール面２０２Ａが弁座プレート２０４側に押し付けられて、弁体２０２によって基板搬送用開口１ｂ１が閉塞される。   When the roller 215 comes into contact with the upper part of the housing 201, the valve body 202 reaches a position facing the substrate transfer opening 1b1. When the base member 222 is further raised by the air cylinder 221 from this state, the link 223 rotates the clockwise direction in FIG. 4 about the connecting portion on the side surface of the base member 222, and the valve body 202 is conveyed to the substrate. It is moved in a direction perpendicular to the surface 1b2 of the side wall 1b toward the opening 1b1. At this time, the valve body 202 moves smoothly without contacting the housing 201 by the action of the roller 215. As shown in FIG. 4, the sealing surface 202 </ b> A of the valve body 202 is pressed against the valve seat plate 204, and the substrate transport opening 1 b 1 is closed by the valve body 202.

図４に示した状態から、基板搬送用開口１ｂ１を開放するには、弁体変位装置２０３によって、弁体２０２に、基板搬送用開口１ｂ１を閉塞する際とは逆の動作を行わせる。すなわち、弁体変位装置２０３のエアシリンダー２２１によってベース部材２２２を下降させる。このとき、まず、ローラー２１５がハウジング２０１の上部に当接したまま、リンク２２３が、ベース部材２２２の側面との接続部を中心として図４における反時計回り方向に回動する。そして、弁体２０２は、弁座プレート２０４から離れるように側壁１ｂの面１ｂ２に垂直な方向に移動する。これにより、基板搬送用開口１ｂ１が開放される。   In order to open the substrate transport opening 1b1 from the state shown in FIG. 4, the valve body displacement device 203 causes the valve body 202 to perform the reverse operation of closing the substrate transport opening 1b1. That is, the base member 222 is lowered by the air cylinder 221 of the valve body displacement device 203. At this time, first, the link 223 rotates in the counterclockwise direction in FIG. 4 around the connection portion with the side surface of the base member 222 while the roller 215 is in contact with the upper portion of the housing 201. Then, the valve body 202 moves in a direction perpendicular to the surface 1b2 of the side wall 1b so as to be separated from the valve seat plate 204. As a result, the substrate transfer opening 1b1 is opened.

リンク２２３が、ストッパによって規制される位置まで回動すると、その後は、ベース部材２２２の下降に伴って、弁体２０２も下降する。このとき、弁体２０２は、側壁１ｂの面１ｂ２に平行な方向に移動する。そして、最終的には、弁体２０２が図３に示した待機位置に達し、弁体変位装置２０３の動作を停止する。   When the link 223 rotates to the position regulated by the stopper, the valve body 202 also descends as the base member 222 descends thereafter. At this time, the valve body 202 moves in a direction parallel to the surface 1b2 of the side wall 1b. Finally, the valve body 202 reaches the standby position shown in FIG. 3, and the operation of the valve body displacement device 203 is stopped.

次に、本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０の効果について説明する。本実施の形態では、弁座プレート２０４と、シールドリング２３２，２４２を同種の金属材料で構成することによって、弁体２０２と処理容器１との間の導通を図りつつ、金属パーティクルの発生を抑制することができる。すなわち、可動部材である弁体２０２の材質が例えばアルミニウムである場合に、弁体２０２とアルミニウム製の処理容器１との間に、直接、異種金属であるステンレス製のシールドリングを介在させると、弁体２０２や処理容器１に損傷が生じやすくなる。つまり、可動部材である弁体２０２との接触部位に、異種金属であるシールドリング２３２が介在することによって、弁体２０２や処理容器１が損傷を受け、金属パーティクルの発生原因となりやすい。それに対し、弁体２０２と処理容器１との間に、シールドリング２３２，２４２と同種の金属材料で構成された弁座プレート２０４を介在させることによって、弁体２０２や処理容器１の損傷を防ぎ、金属パーティクルの発生を抑制できる。また、メンテナンスの際も、シールドリング２３２，２４２、弁座プレート２０４等を交換すればよいため、大型部品である弁体２０２や処理容器１の長寿命化を図ることができる。   Next, effects of the gate valve device 110 according to the present embodiment will be described. In the present embodiment, the valve seat plate 204 and the shield rings 232 and 242 are made of the same kind of metal material, so that conduction between the valve body 202 and the processing container 1 is achieved and generation of metal particles is suppressed. can do. That is, when the material of the valve body 202 that is a movable member is aluminum, for example, if a stainless steel shield ring that is a dissimilar metal is interposed directly between the valve body 202 and the aluminum processing vessel 1, Damage to the valve body 202 and the processing container 1 is likely to occur. That is, when the shield ring 232 that is a different metal is interposed at the contact portion with the valve body 202 that is a movable member, the valve body 202 and the processing container 1 are easily damaged, which easily causes generation of metal particles. On the other hand, the valve body 202 and the processing container 1 are prevented from being damaged by interposing the valve seat plate 204 made of the same metal material as the shield rings 232 and 242 between the valve body 202 and the processing container 1. The generation of metal particles can be suppressed. Further, since the shield rings 232 and 242, the valve seat plate 204, etc. may be replaced during maintenance, the life of the valve body 202 and the processing container 1 which are large parts can be increased.

［第２の実施の形態］
次に、図７から図９を参照して、本発明の第２の実施の形態に係るゲートバルブ装置について説明する。図７は、本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０Ａの構成を示す断面図である。図８は、本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０Ａの弁体の正面図である。図９は、本実施の形態の変形例を示すゲートバルブ装置１１０Ａの弁体の正面図である。以下、本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０Ａが、第１の実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０と異なる点を中心に説明し、第１の実施の形態と同一の構成は同一の符号を付して説明を省略する。本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０Ａは、弁体の構成が、第１の実施の形態のゲートバルブ装置１１０と相違している。 [Second Embodiment]
Next, a gate valve device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a cross-sectional view showing the configuration of the gate valve device 110A according to the present embodiment. FIG. 8 is a front view of the valve body of the gate valve device 110A according to the present embodiment. FIG. 9 is a front view of the valve body of the gate valve device 110A showing a modification of the present embodiment. Hereinafter, the gate valve device 110A according to the present embodiment will be described with a focus on differences from the gate valve device 110 according to the first embodiment, and the same components as those in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals. A description thereof will be omitted. The gate valve device 110A according to the present embodiment is different from the gate valve device 110 according to the first embodiment in the configuration of the valve body.

図７及び図８に示したように、本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０Ａにおいて、弁体２５０は、本体部２５１と、該本体部２５１とは異なる導電性材料からなる当接プレート２５２とを備えている。説明の便宜上、図８では、当接プレート２５２を格子状のハッチングによって強調して示している。当接プレート２５２は、本発明における第１の当接部に対応する。当接プレート２５２は、ゲートバルブ装置１１０Ａを閉じた状態で、第１の導電性部材としてのシールドリング２３２に、直接、当接する部分である。   As shown in FIGS. 7 and 8, in the gate valve device 110 </ b> A according to the present embodiment, the valve body 250 includes a main body portion 251 and a contact plate 252 made of a conductive material different from the main body portion 251. It has. For convenience of explanation, in FIG. 8, the contact plate 252 is highlighted by lattice-like hatching. The contact plate 252 corresponds to the first contact portion in the present invention. The contact plate 252 is a portion that directly contacts the shield ring 232 as the first conductive member in a state where the gate valve device 110A is closed.

当接プレート２５２は、枠状をなす薄板である。本体部２５１には、当接プレート２５２の厚みと幅に相当する深さと幅の切欠き部２５１ａが設けられており、当接プレート２５２は該切欠き部２５１ａに嵌め込まれている。従って、弁体２５０のシール面２５０Ａにおいて、当接プレート２５２の表面と本体部２５１との表面は面一である。つまり、不要な凹凸はプラズマの均一性に影響する可能性がある為、シール面２５０Ａはフラットな平面をなしている。なお、本体部２５１の切欠き部２５１ａに代えて溝を形成し、そこに当接プレート２５２を嵌め込むこともできる。当接プレート２５２は、本体部２５１に図示しない螺子等の固定手段で固定されている。   The contact plate 252 is a thin plate having a frame shape. The main body 251 is provided with a notch 251a having a depth and a width corresponding to the thickness and width of the contact plate 252, and the contact plate 252 is fitted into the notch 251a. Therefore, in the seal surface 250A of the valve body 250, the surface of the contact plate 252 and the surface of the main body 251 are flush with each other. That is, since unnecessary unevenness may affect the uniformity of plasma, the seal surface 250A is a flat plane. In addition, it replaces with the notch part 251a of the main-body part 251, and a groove | channel can be formed and the contact plate 252 can also be engage | inserted there. The contact plate 252 is fixed to the main body 251 by a fixing means such as a screw (not shown).

当接プレート２５２は、本体部２５１とは異なる金属材料で構成されている。本体部２５１の材質は、例えばアルミニウムであり、当接プレート２５２の材質は、例えばステンレス鋼である。   The contact plate 252 is made of a metal material different from that of the main body 251. The material of the main body 251 is, for example, aluminum, and the material of the contact plate 252 is, for example, stainless steel.

本実施の形態では、弁体受け部材としての弁座プレート２０４と、第１の導電性部材としてのシールドリング２３２と、第２の導電性部材としてのシールドリング２４２と、第１の当接部としての当接プレート２５２を、いずれも同種の金属材料によって構成している。ここで、同種の金属材料としては、例えばステンレス鋼などを挙げることができる。このように、弁座プレート２０４、シールドリング２３２，２４２、当接プレート２５２を、同種の金属材料によって構成することにより、弁体２５０と処理容器１との間の導通を図りつつ、金属パーティクルの発生を抑制することができる。すなわち、可動部材である弁体の材質が例えばアルミニウムである場合に、弁体とアルミニウム製の処理容器１との間に、直接、異種金属であるステンレス製のシールドリングを介在させると、弁体や処理容器１に損傷が生じやすくなる。それに対し、弁体２５０の一部分をステンレス製の当接プレート２５２に置き換えるとともに、弁体２５０と処理容器１との間に、シールドリング２３２，２４２と同種の金属材料で構成された弁座プレート２０４を介在させることによって、弁体２５０や処理容器１の損傷を防ぎ、金属パーティクルの発生を抑制できる。特に、処理容器１側に弁座プレート２０４を設け、かつ、弁体２５０側に当接プレート２５２を設けることによって、摺動部位での異種金属の接触が回避され、金属パーティクルの発生を確実に低減できる。また、メンテナンスの際も、当接プレート２５２、シールドリング２３２，２４２、弁座プレート２０４等を交換すればよいため、大型部品である弁体２５０の本体部２５１や処理容器１の長寿命化を図ることができる。   In the present embodiment, the valve seat plate 204 as the valve body receiving member, the shield ring 232 as the first conductive member, the shield ring 242 as the second conductive member, and the first contact portion Each of the contact plates 252 is made of the same kind of metal material. Here, examples of the same kind of metal material include stainless steel. In this way, by configuring the valve seat plate 204, the shield rings 232 and 242, and the contact plate 252 with the same kind of metal material, conduction between the valve body 250 and the processing vessel 1 is achieved, and Occurrence can be suppressed. That is, when the material of the valve body that is the movable member is aluminum, for example, if a stainless steel shield ring that is a dissimilar metal is interposed directly between the valve body and the aluminum processing vessel 1, the valve body And the processing container 1 is likely to be damaged. On the other hand, a part of the valve body 250 is replaced with a contact plate 252 made of stainless steel, and a valve seat plate 204 made of the same metal material as the shield rings 232 and 242 is provided between the valve body 250 and the processing container 1. By interposing, the damage to the valve body 250 and the processing container 1 can be prevented, and the generation of metal particles can be suppressed. In particular, by providing the valve seat plate 204 on the processing container 1 side and the contact plate 252 on the valve body 250 side, contact of dissimilar metals at the sliding portion is avoided, and generation of metal particles is ensured. Can be reduced. Further, since the contact plate 252, the shield rings 232, 242, the valve seat plate 204, etc. may be replaced during maintenance, the life of the main body 251 of the valve body 250 and the processing container 1 which are large parts can be extended. Can be planned.

＜第２の実施の形態の変形例＞
ここで、図９を参照しながら第２の実施の形態のゲートバルブ装置１１０Ａの変形例について説明する。図７及び図８では、第１の当接部材として、枠状の当接プレート２５２を使用したが、第１の当接部材は複数に分割されていてもよい。図９は、第１の当接部材として、複数の板状の当接プレート２５３を配備した状態を示している。説明の便宜上、図９では、当接プレート２５３を格子状のハッチングによって強調して示している。気密封止のためのＯリングと当接する部材とは異なり、シールドリング２３２と当接する第１の当接部材は導通を確保できればよいため、複数に分割された当接プレート２５３を使用できる。複数に分割されている点を除き、当接プレート２５３の構成は、枠状の当接プレート２５２と同様である。また、弁体２５０の本体部２５１Ａの構成は、切欠き部（図９では図示せず）が複数の部分に分かれて形成されている点を除き、本体部２５１と同様である。 <Modification of Second Embodiment>
Here, a modified example of the gate valve device 110A of the second embodiment will be described with reference to FIG. 7 and 8, the frame-shaped contact plate 252 is used as the first contact member. However, the first contact member may be divided into a plurality of portions. FIG. 9 shows a state in which a plurality of plate-like contact plates 253 are provided as the first contact member. For convenience of explanation, in FIG. 9, the abutting plate 253 is highlighted by lattice hatching. Unlike the member that abuts on the O-ring for hermetic sealing, the first abutting member that abuts on the shield ring 232 only needs to ensure electrical continuity, and thus a plurality of abutting plates 253 can be used. Except for being divided into a plurality of parts, the configuration of the contact plate 253 is the same as that of the frame-shaped contact plate 252. The configuration of the main body 251A of the valve body 250 is the same as that of the main body 251 except that a notch (not shown in FIG. 9) is formed in a plurality of portions.

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。   Other configurations, operations, and effects in the present embodiment are the same as those in the first embodiment.

［第３の実施の形態］
次に、図１０を参照して、本発明の第３の実施の形態に係るゲートバルブ装置について説明する。図１０は、本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０Ｂの構成を示す断面図である。以下、本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０Ｂが、第１及び第２の実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０，１１０Ａと異なる点を中心に説明し、第１及び第２の実施の形態と同一の構成は同一の符号を付して説明を省略する。本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０Ｂは、弁体２５０の構成及び弁体受け部材としての弁座プレート２０５の構成が、第１の実施の形態のゲートバルブ装置１１０と相違している。 [Third Embodiment]
Next, with reference to FIG. 10, a gate valve device according to a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 10 is a cross-sectional view showing the configuration of the gate valve device 110B according to the present embodiment. Hereinafter, the gate valve device 110B according to the present embodiment will be described focusing on differences from the gate valve devices 110 and 110A according to the first and second embodiments, and the first and second embodiments will be described. The same components are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. The gate valve device 110B according to the present embodiment is different from the gate valve device 110 of the first embodiment in the configuration of the valve body 250 and the configuration of the valve seat plate 205 as a valve body receiving member.

図１０に示したように、本実施の形態に係るゲートバルブ装置１１０Ｂにおいて、弁体２５０は、本体部２５１と、該本体部２５１とは異なる導電性材料からなる当接プレート２５２とを備えている。本実施の形態のゲートバルブ装置１１０Ｂにおいて、弁体２５０の構成は、第２の実施の形態の弁体２５０と同様である。なお、当接プレート２５２に代えて、複数に分割された当接プレート２５３を用いることもできる（図９参照）。   As shown in FIG. 10, in the gate valve device 110B according to the present embodiment, the valve body 250 includes a main body portion 251 and a contact plate 252 made of a conductive material different from the main body portion 251. Yes. In the gate valve device 110B of the present embodiment, the configuration of the valve body 250 is the same as that of the valve body 250 of the second embodiment. In addition, it can replace with the contact plate 252 and the contact plate 253 divided | segmented into plurality can also be used (refer FIG. 9).

弁座プレート２０５は、処理容器１の側壁１ｂの外側において、基板搬送用開口１ｂ１の周囲に配設されている。弁座プレート２０５は、枠状をなし、基板搬送用開口１ｂ１とほぼ同等の大きさの開口２０５ａを有する。開口２０５ａの大きさは、基板搬送用開口１ｂ１と同じか、それ以上であることが好ましい。   The valve seat plate 205 is disposed outside the side wall 1b of the processing container 1 and around the substrate transfer opening 1b1. The valve seat plate 205 has a frame shape and has an opening 205a having a size substantially equal to that of the substrate transfer opening 1b1. The size of the opening 205a is preferably equal to or larger than that of the substrate transfer opening 1b1.

弁座プレート２０５は、導電性材料からなる弁座本体２０６と、該弁座本体２０６とは異なる導電性材料からなる弁座側当接プレート２０７とを有している。弁座側当接プレート２０７は、本発明における第２の当接部に相当し、第１の導電性部材としてのシールドリング２３２に当接する。図１０に示したように、弁座プレート２０５は、弁体２５０によって基板搬送用開口１ｂ１を閉塞した状態で弁体２５０と処理容器１との間に介在する。   The valve seat plate 205 includes a valve seat body 206 made of a conductive material and a valve seat side contact plate 207 made of a conductive material different from the valve seat body 206. The valve seat side contact plate 207 corresponds to the second contact portion in the present invention, and contacts the shield ring 232 as the first conductive member. As shown in FIG. 10, the valve seat plate 205 is interposed between the valve body 250 and the processing container 1 in a state where the substrate transfer opening 1 b 1 is closed by the valve body 250.

弁座側当接プレート２０７は、枠状をなす薄板である。弁座本体２０６には、弁座側当接プレート２０７の厚みと幅に相当する深さと幅の切欠き部２０６ａが設けられており、弁座側当接プレート２０７は該切欠き部２０６ａに嵌め込まれている。従って、弁座プレート２０５において、弁体２５０のシール面２５０Ａに当接する側の面は、Ｏリング２３１及びシールドリング２３２の配設部位を除き、フラットな平面をなしている。なお、弁座本体２０６の切欠き部２０６ａに代えて溝を形成し、そこに弁座側当接プレート２０７を嵌め込むこともできる。弁座側当接プレート２０７は、弁座本体２０６に図示しない螺子等の固定手段で固定されている。   The valve seat side contact plate 207 is a thin plate having a frame shape. The valve seat body 206 is provided with a notch 206a having a depth and a width corresponding to the thickness and width of the valve seat side contact plate 207, and the valve seat side contact plate 207 is fitted into the notch 206a. It is. Therefore, in the valve seat plate 205, the surface of the valve body 250 that contacts the seal surface 250A is a flat flat surface except for the portions where the O-ring 231 and the shield ring 232 are disposed. In addition, it replaces with the notch part 206a of the valve seat main body 206, a groove | channel is formed, and the valve seat side contact plate 207 can also be engage | inserted there. The valve seat side contact plate 207 is fixed to the valve seat main body 206 by fixing means such as a screw (not shown).

弁座側当接プレート２０７は、弁座本体２０６とは異なる金属材料で構成することができる。弁座本体２０６の材質は、導電性を有していれば特に制限はなく、例えばアルミニウム、ステンレス鋼などで構成できる。弁座側当接プレート２０７の材質は、例えばステンレス鋼である。なお、弁座本体２０６と弁座側当接プレート２０７とを同じ材質で構成することも可能である。   The valve seat side contact plate 207 can be made of a metal material different from that of the valve seat body 206. The material of the valve seat body 206 is not particularly limited as long as it has conductivity, and can be made of, for example, aluminum or stainless steel. The material of the valve seat side contact plate 207 is, for example, stainless steel. Note that the valve seat body 206 and the valve seat side contact plate 207 may be made of the same material.

本実施の形態では、第２の当接部としての弁座側当接プレート２０７と、第１の導電性部材としてのシールドリング２３２と、第２の導電性部材としてのシールドリング２４２と、第１の当接部としての当接プレート２５２を、いずれも同種の金属材料によって構成している。ここで、同種の金属材料としては、例えばステンレス鋼などを挙げることができる。このように、弁座側当接プレート２０７、シールドリング２３２，２４２、当接プレート２５２を、同種の金属材料によって構成することにより、弁体２５０と処理容器１との間の導通を図りつつ、金属パーティクルの発生を抑制することができる。すなわち、可動部材である弁体の材質が例えばアルミニウムである場合に、弁体とアルミニウム製の処理容器１との間に、直接、異種金属であるステンレス製のシールドリングを介在させると、弁体や処理容器１に損傷が生じやすくなる。それに対し、弁体２５０の一部分をステンレス製の当接プレート２５２に置き換えるとともに、弁体２５０と処理容器１との間に、シールドリング２３２，２４２と同種の金属材料で構成された弁座側当接プレート２０７を有する弁座プレート２０５を介在させることによって、弁体２５０や処理容器１の損傷を防ぎ、金属パーティクルの発生を抑制できる。特に、処理容器１側の弁座プレート２０５に弁座側当接プレート２０７を設け、かつ、弁体２５０側に当接プレート２５２を設けることによって、摺動部位での異種金属の接触が回避され、金属パーティクルの発生を確実に低減できる。また、メンテナンスの際も、当接プレート２５２、シールドリング２３２，２４２、受け側当接プレート２０７等を交換すればよいため、弁体２５０の本体部２５１や処理容器１の長寿命化を図ることができる。   In the present embodiment, the valve seat side contact plate 207 as the second contact portion, the shield ring 232 as the first conductive member, the shield ring 242 as the second conductive member, Each of the contact plates 252 as one contact portion is made of the same kind of metal material. Here, examples of the same kind of metal material include stainless steel. In this way, by configuring the valve seat side contact plate 207, the shield rings 232 and 242, and the contact plate 252 with the same kind of metal material, conduction between the valve body 250 and the processing container 1 is achieved. Generation of metal particles can be suppressed. That is, when the material of the valve body that is the movable member is aluminum, for example, if a stainless steel shield ring that is a dissimilar metal is interposed directly between the valve body and the aluminum processing vessel 1, the valve body And the processing container 1 is likely to be damaged. On the other hand, a part of the valve body 250 is replaced with a contact plate 252 made of stainless steel, and a valve seat side contact made of the same metal material as the shield rings 232 and 242 is provided between the valve body 250 and the processing container 1. By interposing the valve seat plate 205 having the contact plate 207, damage to the valve body 250 and the processing container 1 can be prevented, and generation of metal particles can be suppressed. In particular, by providing the valve seat side contact plate 207 on the valve seat plate 205 on the processing container 1 side and providing the contact plate 252 on the valve body 250 side, contact of dissimilar metals at the sliding portion is avoided. The generation of metal particles can be reliably reduced. Further, since the contact plate 252, the shield rings 232, 242, the receiving contact plate 207, etc. may be replaced during maintenance, the life of the main body 251 of the valve body 250 and the processing container 1 can be increased. Can do.

なお、弁座側当接プレート２０７の形状は、枠状に限らず、例えば複数の部分に分割された板状部材を用いることもできる。   In addition, the shape of the valve seat side contact plate 207 is not limited to a frame shape, and for example, a plate-like member divided into a plurality of portions can be used.

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態及び第２の実施の形態と同様である。   Other configurations, operations, and effects in the present embodiment are the same as those in the first embodiment and the second embodiment.

本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、上記実施の形態では、平行平板型のプラズマエッチング装置を例に挙げたが、本発明は、例えば、誘導結合プラズマ装置、表面波プラズマ装置、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）プラズマ装置、ヘリコン波プラズマ装置、マイクロ波プラズマ処理装置など他の方式のプラズマエッチング装置にも適用可能である。また、プラズマエッチング装置に限らず、例えば、プラズマ成膜装置やプラズマアッシング装置などにも同等に適用可能である。   The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made. For example, in the above embodiment, a parallel plate type plasma etching apparatus has been described as an example. However, the present invention can be applied to, for example, an inductively coupled plasma apparatus, a surface wave plasma apparatus, an ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma apparatus, and a helicon wave plasma. The present invention can also be applied to other types of plasma etching apparatuses such as an apparatus and a microwave plasma processing apparatus. Further, the present invention is not limited to the plasma etching apparatus, and can be equally applied to, for example, a plasma film forming apparatus and a plasma ashing apparatus.

また、本発明は、ＦＰＤ用基板を被処理体とするものに限らず、例えば半導体ウエハや太陽電池用基板を被処理体とする場合にも適用できる。   In addition, the present invention is not limited to the FPD substrate used as an object to be processed, and can be applied to, for example, a semiconductor wafer or a solar cell substrate used as an object to be processed.

１…処理容器、１ａ…底壁、１ｂ…側壁、１ｃ…蓋体、１ｂ１…基板搬送用開口、１０１…プロセスモジュール、１０３…搬送モジュール、１１０…ゲートバルブ装置、２０１…ハウジング、２０２…弁体、２０３…弁体変位装置、２０４…弁座プレート、２０４ａ…開口、２１５…ローラー、２２１…エアシリンダー、２２１ａ…シリンダー部、２２１ｂ…ロッド部、２２２…ベース部材、２２３…リンク、２３１…Ｏリング、２３２…シールドリング、２４１…Ｏリング、２４２…シールドリング。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Processing container, 1a ... Bottom wall, 1b ... Side wall, 1c ... Cover body, 1b1 ... Opening for board | substrate conveyance, 101 ... Process module, 103 ... Transfer module, 110 ... Gate valve apparatus, 201 ... Housing, 202 ... Valve body , 203 ... Valve body displacement device, 204 ... Valve seat plate, 204a ... Opening, 215 ... Roller, 221 ... Air cylinder, 221a ... Cylinder part, 221b ... Rod part, 222 ... Base member, 223 ... Link, 231 ... O-ring 232 ... Shield ring, 241 ... O-ring, 242 ... Shield ring.

Claims (8)

被処理基板を処理容器内に搬入搬出するための開口部を有し、前記処理容器内で生成させたプラズマにより前記被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に配置されるゲートバルブ装置であって、
前記開口部を開閉するための弁体と、
前記弁体によって前記開口部を開閉するために前記弁体を移動させる弁体移動手段と、
開口を有する枠状をなし、前記処理容器における前記開口部の周囲の壁に装着され、前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で前記弁体と前記処理容器との間に介在する導電性の弁体受け部材と、
前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で、前記弁体と弁体受け部材との間に介在してこれらの間を気密に封止する第１の気密封止部材と、
前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で、前記弁体と弁体受け部材との間に介在してこれらの間を電気的に接続する第１の導電性部材と、
前記開口部を囲むように設けられ、前記弁体受け部材と前記処理容器との間に介在してこれらの間を気密に封止する第２の気密封止部材と、
前記開口部を囲むように設けられ、前記弁体受け部材と前記処理容器との間に介在してこれらの間を電気的に接続する第２の導電性部材と、
を備え、
前記第１の導電性部材と、前記弁体受け部材とが、同じ材料によって形成されていることを特徴とするゲートバルブ装置。 A gate valve device disposed in a plasma processing apparatus having an opening for carrying a substrate into and out of a processing container and performing plasma processing on the substrate to be processed by plasma generated in the processing container. And
A valve body for opening and closing the opening;
Valve body moving means for moving the valve body to open and close the opening by the valve body;
A frame shape having an opening, which is mounted on a wall around the opening in the processing container, and is interposed between the valve body and the processing container with the opening being closed by the valve body. A valve body receiving member,
A first hermetic sealing member that is interposed between the valve body and the valve body receiving member and hermetically seals between the valve body and the valve body receiving member in a state where the opening is closed by the valve body;
In a state where the opening is closed by the valve body, a first conductive member that is interposed between the valve body and the valve body receiving member and electrically connects between them,
A second hermetic sealing member that is provided so as to surround the opening, and is interposed between the valve body receiving member and the processing container to hermetically seal between them;
A second conductive member provided so as to surround the opening, and interposed between the valve body receiving member and the processing container to electrically connect between the two,
With
The gate valve device, wherein the first conductive member and the valve body receiving member are formed of the same material. 被処理基板を処理容器内に搬入搬出するための開口部を有し、前記処理容器内で生成させたプラズマにより前記被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に配置されるゲートバルブ装置であって、
前記開口部を開閉するための弁体と、
前記弁体によって前記開口部を開閉するために前記弁体を移動させる弁体移動手段と、
開口を有する枠状をなし、前記処理容器における前記開口部の周囲の壁に装着され、前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で前記弁体と前記処理容器との間に介在する導電性の弁体受け部材と、
前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で、前記弁体と弁体受け部材との間に介在してこれらの間を気密に封止する第１の気密封止部材と、
前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で、前記弁体と弁体受け部材との間に介在してこれらの間を電気的に接続する第１の導電性部材と、
前記開口部を囲むように設けられ、前記弁体受け部材と前記処理容器との間に介在してこれらの間を気密に封止する第２の気密封止部材と、
前記開口部を囲むように設けられ、前記弁体受け部材と前記処理容器との間に介在してこれらの間を電気的に接続する第２の導電性部材と、
を備え、
前記弁体は、本体部と、該本体部とは異なる導電性材料からなり、前記第１の導電性部材に当接する第１の当接部と、を有しており、
前記第１の導電性部材と、前記第１の当接部と、前記弁体受け部材とが、同じ材料によって形成されていることを特徴とするゲートバルブ装置。 A gate valve device disposed in a plasma processing apparatus having an opening for carrying a substrate into and out of a processing container and performing plasma processing on the substrate to be processed by plasma generated in the processing container. And
A valve body for opening and closing the opening;
Valve body moving means for moving the valve body to open and close the opening by the valve body;
A frame shape having an opening, which is mounted on a wall around the opening in the processing container, and is interposed between the valve body and the processing container with the opening being closed by the valve body. A valve body receiving member,
A first hermetic sealing member that is interposed between the valve body and the valve body receiving member and hermetically seals between the valve body and the valve body receiving member in a state where the opening is closed by the valve body;
In a state where the opening is closed by the valve body, a first conductive member that is interposed between the valve body and the valve body receiving member and electrically connects between them,
A second hermetic sealing member that is provided so as to surround the opening, and is interposed between the valve body receiving member and the processing container to hermetically seal between them;
A second conductive member provided so as to surround the opening, and interposed between the valve body receiving member and the processing container to electrically connect between the two,
With
The valve body includes a main body portion and a first contact portion that is made of a conductive material different from the main body portion and contacts the first conductive member.
The gate valve device, wherein the first conductive member, the first contact portion, and the valve body receiving member are formed of the same material. 被処理基板を処理容器内に搬入搬出するための開口部を有し、前記処理容器内で生成させたプラズマにより前記被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に配置されるゲートバルブ装置であって、
前記開口部を開閉するための弁体と、
前記弁体によって前記開口部を開閉するために前記弁体を移動させる弁体移動手段と、
開口を有する枠状をなし、前記処理容器における前記開口部の周囲の壁に装着され、前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で前記弁体と前記処理容器との間に介在する導電性の弁体受け部材と、
前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で、前記弁体と弁体受け部材との間に介在してこれらの間を気密に封止する第１の気密封止部材と、
前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で、前記弁体と弁体受け部材との間に介在してこれらの間を電気的に接続する第１の導電性部材と、
前記開口部を囲むように設けられ、前記弁体受け部材と前記処理容器との間に介在してこれらの間を気密に封止する第２の気密封止部材と、
前記開口部を囲むように設けられ、前記弁体受け部材と前記処理容器との間に介在してこれらの間を電気的に接続する第２の導電性部材と、
を備え、
前記弁体は、本体部と、該本体部とは異なる導電性材料からなり、前記第１の導電性部材に当接する第１の当接部と、を有しており、
前記弁体受け部材は、弁座本体と、該弁座本体とは異なる導電性材料からなり、前記第１の導電性部材に当接する第２の当接部と、を有しており、
前記第１の導電性部材と、前記第１の当接部と、前記第２の当接部とが、同じ材料によって形成されていることを特徴とするゲートバルブ装置。 A gate valve device disposed in a plasma processing apparatus having an opening for carrying a substrate into and out of a processing container and performing plasma processing on the substrate to be processed by plasma generated in the processing container. And
A valve body for opening and closing the opening;
Valve body moving means for moving the valve body to open and close the opening by the valve body;
A frame shape having an opening, which is mounted on a wall around the opening in the processing container, and is interposed between the valve body and the processing container with the opening being closed by the valve body. A valve body receiving member,
A first hermetic sealing member that is interposed between the valve body and the valve body receiving member and hermetically seals between the valve body and the valve body receiving member in a state where the opening is closed by the valve body;
In a state where the opening is closed by the valve body, a first conductive member that is interposed between the valve body and the valve body receiving member and electrically connects between them,
A second hermetic sealing member that is provided so as to surround the opening, and is interposed between the valve body receiving member and the processing container to hermetically seal between them;
A second conductive member provided so as to surround the opening, and interposed between the valve body receiving member and the processing container to electrically connect between the two,
With
The valve body includes a main body portion and a first contact portion that is made of a conductive material different from the main body portion and contacts the first conductive member.
The valve body receiving member includes a valve seat body, and a second contact portion made of a conductive material different from the valve seat body and contacting the first conductive member,
The gate valve device, wherein the first conductive member, the first contact portion, and the second contact portion are formed of the same material. さらに、前記第２の導電性部材が、前記第１の導電性部材と同じ材料で形成されている請求項１から３のいずれか１項に記載のゲートバルブ装置。   The gate valve device according to any one of claims 1 to 3, wherein the second conductive member is made of the same material as the first conductive member. 前記第１の導電性部材及び前記第２の導電性部材がステンレス鋼によって形成されている請求項１から４のいずれか１項に記載のゲートバルブ装置。   The gate valve device according to any one of claims 1 to 4, wherein the first conductive member and the second conductive member are made of stainless steel. 前記弁体によって前記開口部を閉塞した状態で、第１の導電性部材は、前記第１の気密封止部材を囲むように設けられている請求項１から５のいずれか１項に記載のゲートバルブ装置。   The state according to claim 1, wherein the first conductive member is provided so as to surround the first hermetic sealing member in a state where the opening is closed by the valve body. Gate valve device. 第２の導電性部材は、前記第２の気密封止部材を囲むように設けられている請求項１から６のいずれか１項に記載のゲートバルブ装置。   The gate valve device according to any one of claims 1 to 6, wherein the second conductive member is provided so as to surround the second hermetic sealing member. 請求項１から７のいずれか１項に記載のゲートバルブ装置を備えたプラズマ処理装置。   The plasma processing apparatus provided with the gate valve apparatus of any one of Claim 1 to 7.
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