JP2015076613A - 発光ダイオードモジュール及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、発光ダイオードモジュールの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードモジュールの製造方法は、上に複数個のLEDチップが配置される第一載置具を提供するステップと、第二載置具を提供するステップと、複数個のLEDチップを第二載置具に貼着するステップと、第一載置具と複数個のLEDチップを分離させることにより、当該複数個のLEDチップを第二載置具上に残すステップとを含む。
【選択図】図2

Description

本発明の実施例は、発光ダイオード(Light Emitting Diode、LED)モジュール(以下LEDモジュールともいう)及びその製造方法に関するものである。
現在の生活上において、様々なLED製品が応用されていることを発見することができる。例えば、交通信号機、車の尾灯、車の前照灯、街路灯、パソコン表示灯、懐中電灯、LEDバックライトなどである。このような製品のLEDモジュールに対して、LEDチップ製造工程を行うこと以外、実装工程も行わなければならない。
図1は、従来のLEDモジュールの製造方法全般を示す図である。その製造方法において、まず、サファイア(Sapphire)基板10を提供する。次に、エピタキシ、薄膜、現像、エッチングなどのような半導体製造方法により、サファイア基板10上にフェハー(wafer)12のような複数個のLEDチップ(chip)を形成する。各LEDチップには一個又は複数個のLEDユニットが形成され、各LEDユニットは発光層を有する。発光層は、電子と正孔(Electron hole)の結合(recombine)によって発光する。各フェハー12に対してウエハ合格検査(wafer acceptance test、WAT)を行い、合格したフェハー12を切断して、別々に存在する複数個のLEDチップを形成する。したがって、LEDチップをLED結晶粒(die)ともいう。次に、各LEDチップに対して検査を行うとともに、各LEDチップの光電特性、例えば順電圧(forward voltage)、主波長(dominant wavelength)、光度(luminous intensity)などに基づいてLEDチップをいくつかの種類に分類する。また、同じ種類に分類されるLEDチップを臨時載置膜上に貼着する。この臨時載置膜は、チップをその表面上に貼着可能なブルーテープ(blue tape)、テープ巻きなどである。図1の臨時載置膜B1、B2及びB3上には、規格が異なる3種のLEDチップがそれぞれ貼着されている。LED実装メーカでは、LEDチップが貼着された臨時載置膜を購入し、かつそれに対して実装工程を行うことにより、LEDモジュールを生産することができる。例えば、図1のLEDモジュール14には、LEDチップ16、放熱ベース18、ボンディングワイヤ(bonding wire)20、実装用シリコン(silicone)22及びレンズ(lens)24が設けられている。
しかし、LEDモジュールを生産するとき、臨時載置膜に貼着されるLEDチップを1つずつ取り外さなければならないので、それをLED製品のベースに貼着する工程に多い時間がかかる。
本発明の実施例に係る発光ダイオードモジュールの製造方法は、上に複数個のLEDチップが配置される第一載置具を提供するステップと、第二載置具を提供するステップと、複数個のLEDチップを第二載置具に貼着するステップと、第一載置具と複数個のLEDチップを分離させることにより、当該複数個のLEDチップを第二載置具上に残すステップとを含む。
従来のLEDモジュールの製造方法を示すフローチャートである。 本発明の実施例に係るLEDモジュールの製造方法を示すフローチャートである。 本発明の実施例に係る臨時載置膜を示す図である。 本発明の実施例に係る透明載置体を示す図である。 本発明の実施例に係る透明載置体と臨時載置膜とが一体に接着されていないことを示す図である。 本発明の実施例に係る透明載置体と臨時載置膜とが一体に接着されていないことを示す図である。 本発明の実施例に係る透明載置体と臨時載置膜とが一体に接着されることを示す図である。 本発明の実施例に係る臨時載置膜とLEDチップとが分離されていることを示す図である。 本発明の実施例に係る透明載置体を切断して獲得し、かつ1つの区域を具備するLEDモジュールを示す図である 本発明の実施例に係る透明載置体と臨時載置膜とが一体に接着されていないことを示す図である。 本発明の実施例に係る透明載置体と臨時載置膜とが一体に接着されることを示す図である。 本発明の実施例に係る臨時載置膜とLEDチップとが分離されていることを示す図である。 本発明の実施例においてLEDチップ上にボンディングワイヤを形成することを示す図である。
図2は、本発明のLEDモジュールの製造方法を示すフローチャートである。その製造方法のステップ102において、チップを有するフェハー(LEDフェハーともいう)12に対してウエハ合格検査(wafer acceptance test、WAT)を行うことにより、該フェハーが所定の規格に合うかどうかを検査する。ステップ104において、合格したフェハー12を切断して、別々に存在する複数個のLEDチップを形成する。ステップ106において、各LEDチップに対して検査を行うとともに、各LEDチップの光電特性、例えば順電圧(forward voltage)、主波長(dominant wavelength)、光度(luminous intensity)などによりLEDチップをいくつかの種類に分類する。また、同じ種類に分類されるLEDチップを同じ臨時載置膜上に貼着する。この臨時載置膜はブルーテープ(blue tape)であることができる。図3に示されるとおり、本発明の実施例に係る臨時載置膜BB1上には同じ種類のLEDチップ120が貼着されている。LEDチップ120の貼着位置により、臨時載置膜BB1に貼着されるLEDチップ120を4つのグループG1、G2、G3及びG4に分けることができる。1つのグループに貼着されたすべてのLEDチップ120の貼着位置により、所定のパターン(又は図案)が形成される。図3に示されるとおり、各グループのパターンは略同様に形成されている。
図2のステップ108において、透明載置体を提供する。本発明の載置具(透明載置体)の一例として、透明載置体をLEDチップが放射した光線が透明可能な材料で構成することができる。例えば、サファイア(Sapphire)、ガラス又は透明な炭化ケイ素フィルムで構成することができる。ステップ110において、透明載置体上に印刷型電子回路を形成する。図4に示される本実施例の透明載置体CC上には、印刷型電子回路PCが形成されている。透明載置体CC上に複数の溝130が形成されているので、それを容易に切断することができる。図4に示されるとおり、溝130により、透明載置体CCは約8個の区域C1〜C8に分けられ、かつ各区域には同じパターンの印刷型電子回路PCが形成されている。
図2のステップ112において、印刷型電子回路PC上に異方性導電フィルム(Anisotropic Conductive Film、ACF)を形成する。
図5Aは、一体に接着されていない透明載置体CC及び臨時載置膜BB1を示す図である。図5Aに示すとおり、(臨時載置膜BB1の)グループG1中のLEDチップ120を透明載置体CCの区域C1内に貼着し、(臨時載置膜BB1の)グループG2中のLEDチップ120を透明載置体CCの区域C2内に貼着する。また、他のLEDチップも上記のとおりに貼着する。図5Bは、LEDチップ120が臨時載置膜BB1上に貼着され、かつ印刷型電子回路PC上に印刷型電子回路PCと異方性導電フィルム132が形成されることを示す図である。図5Bにおいて、LEDチップ120はまだ透明載置体CCに接触していない。
図2のステップ114において、図6に示すとおり、臨時載置膜BB1上のLEDチップ120を透明載置体CC上に貼着する。図6において、LEDチップ120は臨時載置膜BB1に貼着されるとともに、このLEDチップ120は異方性導電フィルム132によって透明載置体CC上に貼着される。
図2のステップ116において、図7に示すとおり、臨時載置膜BB1とLEDチップ120とを分離させる(すなわち、臨時載置膜BB1をLEDチップ120から外す)。例えば、臨時載置膜BB1は直接に外すか或いは昇温させた後に外すことができる。昇温させる方法として、臨時載置膜BB1、LEDチップ120及び透明載置体CCを同時加熱するか、或いはLEDチップ120の反対側にある臨時載置膜BB1の一側のみを加熱することができるが、いずれによっても臨時載置膜BB1とLEDチップ120とを分離させることができる。図7において、臨時載置膜BB1とLEDチップ120とは分離されており、LEDチップ120は異方性導電フィルム132によって透明載置体CC上に貼着されている。
図3の臨時載置膜BB1は、4つのグループG1〜G4に分けられるLEDチップ120を有し、各LEDチップ120はそれぞれ、透明載置体CCの8個の区域うち4つの区域C1〜C4に貼着される。他の実施例において、臨時載置膜BB1のように複数個のLEDチップ120を有する別の臨時載置膜を、透明載置体CCの8個の区域うち他の4つの区域C5〜C8に貼着することができる。
図2のステップ118において、溝130に沿って透明載置体CCを切断することにより、透明載置体CCを別々に存在する8個の区域(C1〜C8)に切断し、8個のLEDモジュールを形成する。図8は、切断して獲得しかつ区域C1を具備するLEDモジュール140を示す図である。図8に示されるとおり、LEDモジュール140は透明載置体CC中の区域C1の部分を具備し、区域C1上には印刷型電子回路PCとグループG1中のLEDチップ120が形成されている。図8において、各LEDチップ120はフリップチップ方法によって透明載置体CC上に貼着される。LEDチップ120を2つずつ電気的に接続させることは、印刷型電子回路PCと異方性導電フィルム132によって実現する。印刷型電子回路PCによって電気エネルーギが流れるので、LEDチップ120が発光することができる。
図2〜図8の実施例のとおり、臨時載置膜BB1上にLEDチップ120を何個設けても、それらのLEDチップ120を透明載置体CC上に一度に全部貼着することができ、かつそれらのLEDチップ120を臨時載置膜BB1から一度に全部外すことができる。LEDチップを一つずつ載置膜から別の載置体に移す従来の技術より、図2〜図8の本発明の実施例は製造工程を大幅に簡素化し、スループット(throughput)を向上させることができる。
図8のLEDモジュール140がフリップチップ方法によって透明載置体CC上に貼着されるが、本発明がそれに限定されるものではない。図9は、LEDチップ120が臨時載置膜BB1上に貼着され、透明載置体CC上には粘着層134が形成されているが、印刷型電子回路PCが形成されていないことを示す図である。図9において、LEDチップ120はまだ透明載置体CCに接触していない。
図10は、図9以後の製作過程におけるLEDモジュールを示す断面図である。図10において、臨時載置膜BB1上のLEDチップ120は粘着層134によって透明載置体CC上に同時貼着されている。
図11は、図10以後の製作過程におけるLEDモジュールを示す断面図である。図11において、臨時載置膜BB1とLEDチップ120とは既に分離され、LEDチップ120は粘着層134によって透明載置体CC上に同時貼着されている。
LEDチップ120がまだ透明載置体CCに接触していない図9の時点、或いはLEDチップ120が既に透明載置体CCに接触される図10の時点において、図9又は図10に示される透明載置体CC上に所定の導電電極板138を更に設けることができる。次に、図11の時点において、臨時載置膜BB1とLEDチップ120とを分離させる。さらに、図12に示すとおり、LEDチップ120上にボンディングワイヤ136を形成する。ボンディングワイヤ136により、LEDチップ120同士の間の電気接続及びLEDチップ120と導電電極板138との間の電気接続が実現される。図12に示されるとおり、LEDチップ120の電気接続区域(すなわち、導電電極板138が位置する区域)とLEDチップ120が貼着された透明載置体CCの区域とが異なる。すなわち、透明載置体CC上において、導電電極板138が位置する区域とLEDチップ120が貼着された区域とが重なっておらず、LEDチップ120と導電電極板138とはボンディングワイヤ136によって電気的に接続されている。LEDチップ120がフリップチップ方法によって透明載置体CC上に貼着されるものではないが、LEDチップ120の上表面が上方に向くようにLEDチップ120を透明載置体CC上に貼着するため、図8のLEDチップ120はフリップチップ方法によって透明載置体CC上に貼着する。
図9〜図12の実施例は図2〜図8の実施例に類似している。したがって、臨時載置膜BB1上にLEDチップ120を何個設けても、それらのLEDチップ120を透明載置体CC上に一度に全部貼着することができ、かつそれらのLEDチップ120を臨時載置膜BB1から一度に全部外すことができる。それにより、製造工程を大幅に簡素化し、スループットを向上させることができる。
以上、本発明の好適な実施例を詳述してきたが、それらは本発明の例示にしか過ぎないものであるため、この発明は実施例の構成にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても当然にこの発明に含まれる。
12 フェハー
120 LEDチップ
130 溝
132 異方性導電フィルム
140 LEDモジュール
134 粘着層
136 ボンディングワイヤ
138 導電電極板
BB1 臨時載置膜
CC 透明載置体
C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8 区域
G1、G2、G3、G4 グループ
PC 印刷型電子回路

Claims (10)

  1. 発光ダイオードモジュールの製造方法
    上に複数個のLEDチップが配置される第一載置具を提供するステップと、
    第二載置具を提供するステップと、
    前記複数個のLEDチップを前記第二載置具に同時貼着するステップと、
    前記第一載置具と前記複数個のLEDチップを分離させることにより、当該複数個のLEDチップを前記第二載置具上に残すステップとを含む、
    発光ダイオードモジュールの製造方法。
  2. 前記第一載置具はブルーテープ(blue tape)である、請求項1に記載の発光ダイオードモジュールの製造方法。
  3. 前記第二載置具は、透明なガラス又は透明な炭化ケイ素フィルムである、請求項1に記載の発光ダイオードモジュールの製造方法。
  4. LEDフェハーを切断することにより、分類されていない複数個のLEDチップを形成するステップと、
    複数の種類に基づいて、分類されていない前記複数個のLEDチップを分類し、かつ前記第一載置具に設けられるLEDチップたちを同じ種類にするステップとを更に含む、請求項1に記載の発光ダイオードモジュールの製造方法。
  5. 前記第二載置具を切断することにより、別々に存在する複数のLEDモジュールを形成するステップを更に含み、
    前記LEDモジュールの各々は、前記複数個のLEDチップのうち少なくとも一個のLEDチップを含む、請求項1に記載の発光ダイオードモジュールの製造方法。
  6. 前記LEDモジュールの各々が電子回路を含むことにより、前記LEDモジュール中の前記LEDチップが発光するように電気を供給する、請求項5に記載の発光ダイオードモジュールの製造方法。
  7. 前記複数個のLEDチップは、フリップチップ方法によって前記第二載置具上に貼着される、請求項1に記載の発光ダイオードモジュールの製造方法。
  8. 前記第二載置具上に印刷型電子回路を形成するステップと、
    前記複数個のLEDチップにより、第一載置具を前記第二載置具の印刷型電子回路上に貼着するステップとを更に含む、請求項7に記載の発光ダイオードモジュールの製造方法。
  9. 前記第二載置具の前記印刷型電子回路上に異方性導電フィルムを形成するステップと、
    前記第一載置具を前記異方性導電フィルム上に貼着するステップと、
    前記第一載置具を前記複数個のLEDチップから外すことにより、当該複数個のLEDチップを前記異方性導電フィルム上に残すステップとを更に含む、請求項8に記載の発光ダイオードモジュールの製造方法。
  10. 前記第二載置具上に粘着層を形成するステップと、
    前記第一載置具を前記粘着層に貼着するステップと、
    前記第一載置具を前記複数個のLEDチップから外すことにより、当該複数個のLEDチップを前記粘着層上に残すステップとを更に含む、請求項1に記載の発光ダイオードモジュールの製造方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106876286B (zh) * 2017-02-04 2019-08-20 武汉华威科智能技术有限公司 一种极薄柔性电子芯片封装方法及产品
TWI712188B (zh) 2019-11-13 2020-12-01 隆達電子股份有限公司 發光封裝結構及其製造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63262259A (ja) * 1987-04-20 1988-10-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光プリンタ用書き込みヘツド
JPH03233978A (ja) * 1990-02-08 1991-10-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置
JPH08330633A (ja) * 1995-05-29 1996-12-13 Kyocera Corp 半導体発光装置
JPH11191642A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Rohm Co Ltd 半導体発光素子、半導体発光モジュール、およびこれらの製造方法
JP2006324550A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Sony Corp 素子転写装置、素子転写方法および表示装置の製造方法
JP2010199565A (ja) * 2009-01-27 2010-09-09 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオードの製造方法
JP2011009681A (ja) * 2009-06-24 2011-01-13 Paragon Semiconductor Lighting Technology Co Ltd 外側に切断斜面を具えた発光ダイオードパッケージ構造及びその製作方法
US20120021542A1 (en) * 2010-07-22 2012-01-26 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Method of packaging light emitting device
JP2013197236A (ja) * 2012-03-19 2013-09-30 Asahi Glass Co Ltd 発光装置および発光装置の製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN200969348Y (zh) * 2006-10-17 2007-10-31 宏齐科技股份有限公司 发光二极管芯片的封装结构
JP2008159937A (ja) * 2006-12-25 2008-07-10 Kyocera Corp 発光素子用集合基板および発光装置集合基板
US7834365B2 (en) * 2007-09-12 2010-11-16 Harvatek Corporation LED chip package structure with high-efficiency light-emitting effect and method of packing the same
US7811843B1 (en) * 2010-01-13 2010-10-12 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Method of manufacturing light-emitting diode
KR20120067153A (ko) * 2010-12-15 2012-06-25 삼성엘이디 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지, 발광소자의 제조방법, 및 발광소자의 패키징 방법
US8227271B1 (en) * 2011-01-27 2012-07-24 Himax Technologies Limited Packaging method of wafer level chips
CN203339225U (zh) * 2013-06-06 2013-12-11 邱东扬 无封装芯片led发光照明结构

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63262259A (ja) * 1987-04-20 1988-10-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光プリンタ用書き込みヘツド
JPH03233978A (ja) * 1990-02-08 1991-10-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置
JPH08330633A (ja) * 1995-05-29 1996-12-13 Kyocera Corp 半導体発光装置
JPH11191642A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Rohm Co Ltd 半導体発光素子、半導体発光モジュール、およびこれらの製造方法
JP2006324550A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Sony Corp 素子転写装置、素子転写方法および表示装置の製造方法
JP2010199565A (ja) * 2009-01-27 2010-09-09 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオードの製造方法
JP2011009681A (ja) * 2009-06-24 2011-01-13 Paragon Semiconductor Lighting Technology Co Ltd 外側に切断斜面を具えた発光ダイオードパッケージ構造及びその製作方法
US20120021542A1 (en) * 2010-07-22 2012-01-26 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Method of packaging light emitting device
JP2013197236A (ja) * 2012-03-19 2013-09-30 Asahi Glass Co Ltd 発光装置および発光装置の製造方法

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