CN200969348Y - 发光二极管芯片的封装结构 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管芯片的封装结构,包括一基材单元、一发光单元、一胶体单元。该基材单元的基材本体分别形成于该基材本体的正极导电轨迹与负极导电轨迹;该发光单元具有复数个设置于该基材本体的发光二极管芯片,其中每一个发光二极管芯片具有一正极端与一负极端,并且所述的发光二极管芯片的正、负极端分别与该正、负极导电轨迹产生电性连接;该胶体单元,其覆着于该基材单元与该发光单元上;藉此,该发光单元产生的光线而于该胶体单元上形成一连续发光区域。本实用新型可以克服该发光二极管间的暗光带问题,并且使该发光二极管的封装结构简单化,并且缩短其制程时间。

Description

发光二极管芯片的封装结构
技术领域
本实用新型涉及一种发光二极管芯片的封装结构,尤其涉及一种将发光二极管芯片设置于基材本体上,并且通过导电介质连接而产生电性连接,再利用胶体以压模等方式封装该发光二极管芯片结构,使该发光二极管的封装结构发光时形成一连续光束,并且缩短其制程时间。
背景技术
请参阅图1所示,为已知的以打线(wire-bounding)制程制作的发光二极管封装结构的示意图。由图中可知,已知的发光二极管封装结构包括:一基板结构1a、复数个设置于该基板结构1a上的发光二极管2a、复数条导线3a、及复数个萤光胶体4a。
其中,每一个发光二极管2a设置于该基底结构1a上,并每一个发光二极管2a的正、负电极区域21a、22a通过两条导线3
a,电性连接于该基底结构1a的相对应的正、负电极区域11a、12a。再者,每一个萤光胶体4a覆盖于每一发光二极管2a及两条导线3a上,以保护该发光二极管2a。
然而,由于所述的发光二极管2a封装须切割成单颗,再以表面粘着技术(SMT)制程,将该发光二极管2a置于该基板结构1a上,因此无法有效缩短其制程时间,再者,发光时所述的发光二极管2a之间会有暗带现像存在,对于使用者视线仍然产生不佳效果。
因此,本发明人有感上述缺陷的可改善,且依据多年来从事此方面的相关经验,悉心观察且研究的,并配合学理的运用,而提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的设计。
发明内容
为了解决上述技术问题,本实用新型的目的在于提供一种发光二极管芯片的封装结构,以粘着或印刷等方式将发光二极管芯片设置于基材本体上,该基材本体可为印刷电路板、软基板、铝基板或是陶瓷基板,并且利用导线打线(wire-bounding)或锡球覆晶(flip chip)等方式,使该发光二极管芯片与该基材本体产生电性连接,并且利用压模(die mold)等方式,将以环氧树脂为材质的胶体覆着于该基材本体与该发光二极管芯片上,藉此,当该发光二极管结构发光时,形成一连续的发光区域,而无亮暗带情况发生,并且有效缩短其制程时间,再者,该发光二极管结构可为一蓝光发光二极管搭配一萤光型态的胶体的组合;此外本实用新型的结构设计更适用于各种光源,诸如背光模块、装饰灯条、照明用灯或是Scanner光源等应用,皆为本实用新型所应用的范围与产品。
为了达到上述目的,本实用新型提供的技术方案如下:
一种发光二极管芯片的封装结构,其包括:一基材单元,其具有一基材本体及分别形成于该基材本体的正极导电轨迹与负极导电轨迹;一发光单元,其具有复数个设置于该基材本体上的发光二极管芯片,其中每一个发光二极管芯片具有一正极端与一负极端,并且所述的发光二极管芯片的正、负极端与该正、负极导电轨迹产生电性连接;以及一以环氧树脂为材质的胶体单元,其覆着于该基材单元与该发光单元上。
通过上述技术特征,本实用新型提供的发光二极管芯片的封装结构具有以下有益效果:本实用新型通过传统压模(die mold)或印刷(printing)方式、并且以打线(wire-bounding)或覆晶(flip chip)的结构,可以克服该发光二极管间的暗光带问题,并且使该发光二极管的封装结构简单化,并且缩短其制程时间。
为了能更进一步了解本实用新型为达成预定目的所采取的技术、手段及功效,请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图,相信本实用新型的目的、特征与特点,当可由此得一深入且具体的了解,然而所附图仅提供参考与说明用,并非用来对本实用新型加以限制。
附图说明
图1A为现有技术的发光二极管封装结构的立体图;
图1B为现有技术的发光二极管封装结构的前视图;
图1C为现有技术的发光二极管封装结构的俯视图;
图2A为本实用新型第一实施例的立体图;
图2B为图2A的俯视图;
图2C为第一实施例的排列结构俯视图;
图2D为第一实施例的排列组合;
图3A为本实用新型第二实施例的立体图;
图3B为图3A的俯视图;
图3C为第二实施例的排列结构的俯视图;
图3D为第二实施例的排列组合;
图4A为本实用新型第三实施例的立体图;
图4B为图4A的俯视图;
图4C为第三实施例的排列结构的俯视图;
图4D为第三实施例的排列组合。
图中符号说明:
基板结构            1a    正电极区域         11a
负电极区域          12a
发光二极管          2a    正电极区域         21a
负电极区域          22a
导线                3a
萤光胶体            4a
基材单元        1    基材本体        10
正极导电轨迹    11
负极导电轨迹    12
发光单元        2    发光二极管芯片  20
正极端          201
负极端          202
胶体单元        3
具体实施方式
请参阅图2A、图2B所示,为本实用新型发光二极管芯片的封装结构的第一实施例的示意图。由图中可知,本实用新型提供一种发光二极管芯片的封装结构,其包括:一基材单元1、一发光单元2、一胶体单元3;其中该基材单元1具有一基材本体10及分别形成于该基材本体10上的正极导电轨迹11及负极导电轨迹12,其中,该正极导电轨迹11及负极导电轨迹12可通过蚀刻、印刷或任何形成该轨迹的方法形成。该发光单元2具有复数个发光二极管芯片20,可利用粘着或热压印刷等方式,设置于该基材本体10上,每一发光二极管芯片20具有一正极端201及一负极端202,每一发光二极管的正极端201与负极端202以并联方式,并且通过导线打线相对应地与该基材本体10上的正极导电轨迹11、负极导电轨迹12电性连接,此外,每一发光二极管的正极端201与负极端202亦可以并联方式并通过锡球覆晶相对应地与该基材本体10上的正极导电轨迹11、负极导电轨迹12电性连接。另外,提供一胶体单元3,其为一覆着于该基材单元1与该发光单元2上的胶体,藉此,当该发光单元2通过该正极导电轨迹11、负极导电轨迹12的通电而产生光线时,该光线通过该胶体单元3的导引而于该胶体单元3上形成一连续的发光区域,同时,也用以保护该发光单元2而不容易遭到破坏。
此外,从图2C、图2D所示,本实用新型的发光二极管芯片的封装结构可以复数条发光单元2排列形式存在,该基材单元1可切割成数条发光单元2的发光二极管,再将所述的发光二极管依需求而组合成不同形状(如面板状)的发光二极管组。
请参阅图3A、图3B所示,为本实用新型发光二极管芯片的封装结构的第二实施例的示意图。由图中可知,本第二实施例与该第一实施例最大的不同在于:该发光单元2的各发光二极管芯片20间,每一个相邻的发光二极管芯片20的正极端201的摆放方向相反而排列,并且各正极端201、负极端202以串联方式并通过导线打线与该正、负极导电轨迹产生电性连接,其外观为一U型串联形式。
此外,从图3C、图3D所示,本实用新型的发光二极管芯片的封装结构可以复数条发光单元2排列形式存在,该基材单元1可切割成数条发光单元2的发光二极管,再将所述的发光二极管依需求而组合成不同形状(如面板状)的发光二极管组。
请参阅图4A、图4B所示,为本实用新型发光二极管芯片的封装结构的第三实施例的示意图。由图中可知,本第三实施例与该第二实施例最大的不同在于:该发光单元2的各发光二极管芯片20间,每一个发光二极管芯片20的正极端201的摆放方向一致而排列,并且各正极端201、负极端202以串联方式并通过导线打线与该正、负极导电轨迹产生电性连接,其外观为一S型串联形式。
此外,从图4C、图4D所示,本实用新型的发光二极管芯片的封装结构可以复数条发光单元2排列形式存在,该基材单元1可切割成数条发光单元2的发光二极管,再将所述的发光二极管依需求而组合成不同形状(如面板状)的发光二极管组。
综上所述,本实用新型发光二极管芯片的封装结构通过传统压模(die mold)或印刷(printing)方式、并且以打线(wire-bounding)或覆晶(flip chip)的结构,克服该发光二极管间的暗光带问题,并且使该发光二极管的封装结构简单化,并且缩短其制程时间。
以上所述,仅为本实用新型最佳的一具体实施例的详细说明与附图,惟本实用新型的特征并不局限于此,并非用以限制本实用新型,本实用新型的所有范围应以所述的申请专利范围为准,凡合于本实用新型申请专利范围的精神与其类似变化的实施例,皆应包含于本实用新型的范畴中,任何熟悉该项技艺者在本实用新型的领域内,可轻易思及的变化或修饰皆可涵盖在以下本案的专利范围。

Claims (11)

1、一种发光二极管芯片的封装结构,其特征在于,包括:
一基材单元,其具有一基材本体、及分别形成于该基材本体的正极导电轨迹与负极导电轨迹;
一发光单元,其具有复数个设置于该基材本体上的发光二极管芯片,其中每一个发光二极管芯片具有一正极端与一负极端,并且所述的发光二极管芯片的正、负极端分别与该正、负极导电轨迹产生电性连接;以及
一胶体单元,其覆着于该基材单元与该发光单元上,该发光单元产生的光线通过该胶体单元的导引而于该胶体单元上形成一连续的发光区域。
2、如权利要求1所述的发光二极管芯片的封装结构,其特征在于:该基材单元系为印刷电路板软基板、铝基板或陶瓷基板。
3、如权利要求1所述的发光二极管芯片的封装结构,其特征在于:所述的发光二极管芯片的正、负极端通过相对应的导线并以打线的方式,以与该正、负极导电轨迹产生电性连接。
4、如权利要求1所述的发光二极管芯片的封装结构,其特征在于:所述的发光二极管芯片的正、负极端通过相对应的锡球并以覆晶的方式,以与该正、负极导电轨迹产生电性连接。
5、如权利要求4所述的发光二极管芯片的封装结构,其特征在于:该锡球以热压方式覆晶于该基板上。
6、如权利要求1所述的发光二极管芯片的封装结构,其特征在于:所述的发光二极管芯片的正、负极端以并联的方式与该正、负极导电轨迹产生电性连接。
7、如权利要求1所述的发光二极管芯片的封装结构,其特征在于:所述的发光二极管芯片的正、负极端以串联的方式与该正、负极导电轨迹产生电性连接。
8、如权利要求1所述的发光二极管芯片的封装结构,其特征在于:所述的发光二极管芯片以一直线排列的方式设置于该基材单元上。
9、如权利要求1所述的发光二极管芯片的封装结构,其特征在于:所述的发光二极管芯片以复数条直线排列的方式设置于该基材单元上。
10、如权利要求1所述的发光二极管芯片的封装结构,其特征在于:每一个发光二极管芯片为一蓝光发光二极管,并且该胶体单元为一萤光胶体。
11、如权利要求1所述的发光二极管芯片的封装结构,其特征在于:该胶体单元为环氧树脂。
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