JP2015073043A - 発光装置およびプロジェクター - Google Patents

Abstract

【課題】光導波路の温度上昇を抑制し、発光効率のより高い発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、基板２０と、基板２０上に電気接続部材３０と接合部材３１を介して設置される発光素子１０と、を備える発光装置であって、発光素子１０は、基板２０との接合面から発光素子１０の内部に向かう孔部（孔５０）を備え、接合部材３１が、孔５０内にも充填されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置およびプロジェクターに関する。

近年、固体発光装置を光源としたプロジェクターが実用化されている。しかしながら固体発光装置は発熱により発光効率が低下するという問題もあった。そのため、効率よく放熱することが可能な実装方法が工夫されている。例えば、特許文献１には、微細配線と高い放熱の両立が可能で、かつ許容電流に余裕を持たせられる放熱基板や、これを用いた発光装置（発光モジュール）が提案されている。

特開２００７−２９４５０６号公報

しかしながら、特許文献１に記載の発光装置では、放熱基板に実装される発光素子の放熱効果には限界があり、発熱をさらに抑制することが困難であるという課題があった。具体的には、発光素子を構成する部材の熱伝導率が低い場合に、発光素子内部にこもる熱の放散が充分にできないという課題であった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決、あるいは改善するためになされたものであり、以下の適用例または形態として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る発光装置は、基板と、前記基板上に設置される発光素子と、前記基板と前記発光素子とを接合する接合部材と、前記基板と前記発光素子とを電気的に接続する電気接続部材と、を備え、前記発光素子には、前記基板との接合面側に開口部を有する孔部が設けられ、前記接合部材の一部が、前記孔部に入り込んでおり、前記接合部材と前記電気接続部材とが電気的に絶縁されていることを特徴とする。

本適用例によれば、発光素子は、基板との接合面側に開口部を有する孔部を備えており、基板と発光素子とは、接合部材と、電気接続部材によって接合されている。一般に、基板と発光素子との機械的接合に供する接合部材は、比較的熱伝導率の大きな金属材料、または金属粒子を含む樹脂材料等が用いられる。その為、上記構成によれば、発光素子の発光に伴って発光素子内部に発生する熱が、発光素子内部に設けられた孔部に入り込んだ接合部材を通じて、より効率的に基板に伝達される。したがって、発熱した発光素子をより効果的に放熱することにより、発光効率の劣化等が抑制された発光素子を提供することができる。

［適用例２］上記適用例に係る発光装置において、前記発光素子は、内部に光導波路を有するスーパールミネッセントダイオードであって、前記接合部材は、前記基板の厚み方向に平面視したときに、前記光導波路よりも前記発行素子の外周縁に近い位置に設けられ、前記孔部は、前記孔部を形成する内壁面に、前記接合部材を電気的に絶縁する絶縁層を有することが好ましい。

本適用例によれば、発光素子は、内部に光導波路を有するスーパールミネッセントダイオード（以下ＳＬＤ＝Ｓｕｐｅｒ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｉｏｄｅ）である。ＳＬＤは、駆動時に光導波路が発熱し、ＳＬＤ全体に蓄熱されることで、光導波路からの発光効率が低下する虞がある。これに対し、上記構成では、発光素子に蓄積される熱が、孔部に入り込んだ接合部材によって、より効率的に基板に伝達される。しかも、孔部は、その内壁面に絶縁層を有しているので、ＳＬＤと接合部材とは電気的に絶縁されることから、孔部の内壁面の絶縁層に欠陥があった場合でも電気的に短絡することがない。したがって、発光素子の電気的特性に悪影響を与えることなく、孔部と接合部材とによる放熱効果を得ることができる。

［適用例３］上記適用例に係る発光装置において、複数の前記孔部を備え、前記複数の孔部は、前記発光素子の前記基板との接合面全体に所定の間隔を置いて配置されていることが好ましい。

本適用例によれば、発光装置は、発光素子の基板との接合面全体に規則性を有して配設された複数の孔部による放熱経路が設けられているので、より安定して効果的な放熱硬化を有する発光素子を提供することができる。

［適用例４］上記適用例に係る発光装置において、前記接合部材の熱伝導率は、前記発光素子の基材の熱伝導率よりも大きいことが好ましい。

本適用例によれば、接合部材の熱伝導率は、発光素子の基材の熱伝導率よりも大きいため、発光素子内部に発生する熱が、発光素子内部に設けられた孔部に入り込んだ接合部材を通じて、より効率的に基板に伝達される。したがって、発熱する発光素子をより効果的に放熱させることにより、発光効率の低下が抑制された発光素子を提供することができる。

［適用例５］本適用例に係るプロジェクターは、基板と、前記基板上に設置される発光素子と、前記基板と前記発光素子とを接合する接合部材と、前記基板と前記発光素子とを電気的に接続する電気接続部材と、を備え、前記発光素子は、前記基板との接合面から前記発光素子の内部に向かう孔部を備え、前記接合部材の一部が、前記孔部に入り込んでいることが好ましい。

本適用例によれば、発光効率の低下がより効果的に抑制された発光装置を備えるため、プロジェクターの発光特性をより優れたものとすることができる。

（ａ）実施形態１に係る発光装置の平面図、（ｂ）Ａ−Ａ断面図。 実施形態２に係るプロジェクターを示す模式図。 （ａ）光源の平面図、（ｂ）Ｅ−Ｅ断面図。 変形例１に係る発光装置の断面図。 （ａ）変形例２に係る孔部のバリエーションを示す発光装置の平面図、（ｂ）変形例３に係る孔部のバリエーションを示す発光素子の平面図。

以下に本発明を具体化した実施形態について、図面を参照して説明する。以下は、本発明の一実施形態であって、本発明を限定するものではない。なお、以下の各図においては、説明を分かりやすくするため、実際とは異なる尺度で記載している場合がある。

（実施形態１）
まず、実施形態１に係る発光装置としての発光装置１００について説明する。
図１（ａ）は、発光装置１００の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線部分拡大断面図である。
発光装置１００は、基板２０と、基板２０の一方の面上に電気接続部材３０、接合部材３１を介して設置される発光素子１０とを備える発光装置である。発光装置１００は、基板２０との接合面から発光素子１０の内部に向かう孔部としての孔５０を備え、接合部材３１は、図１（ｃ）に示すように、孔５０にも充填されている。

本実施形態の発光素子１０は、内部に光導波路４０を有するスーパールミネッセンスダイオード（ＳＬＤ＝Ｓｕｐｅｒ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｉｏｄｅ）である。発光素子１０は、矩形板状の形状を呈しており、基板２０との接合面から順に、コンタクト層１２、第１クラッド層１３、活性層１４、第２クラッド層１５、バッファー層１６、素子基板１７、および第２電極１８が積層されている。基板２０との接合面となるコンタクト層１２には、第１電極１１が備えられている。
以下、発光素子１０の具体例として、赤色系のＳＬＤについて具体的に説明する。

コンタクト層１２は、第１電極１１とオーミックコンタクトを形成する層であり、好適例として、例えば、ｐ型ＧａＡｓ層などから形成されている。
第１クラッド層１３は、好適例として、例えば、ｐ型ＡｌＧａＰ層などから形成されている。
活性層１４は、好適例として、例えば、ＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）構造を有している。
第２クラッド層１５は、好適例として、例えば、ｎ型ＡｌＧａＰ層などから形成されている。
バッファー層１６は、好適例として、例えば、ｎ型のＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層などから形成されている。
素子基板１７は、好適例として、例えば、ｎ型のＧａＡｓ基板などから形成されている。
第２電極１８は、発光素子１０を駆動するための一方の電極であり、例えば、素子基板１７側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層し形成されている。第２電極１８は、素子基板１７の全面とオーミックコンタクトし、バッファー層１６を介して、第２クラッド層１５と電気的に接続されている。

第１電極１１は、発光素子１０を駆動するための他方の電極であり、例えば、コンタクト層１２側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層し形成されている。第１電極１１は、コンタクト層１２を介して、第１クラッド層１３と電気的に接続されている。
第１電極１１は、図１（ａ）に示すように、基板２０を平面視したときに、長方形の発光素子１０の長手方向に対して斜めに傾いて帯状に延在するように設けられている。

このような構成において、ｐ型の第１クラッド層１３、不純物がドーピングされていない活性層１４、およびｎ型の第２クラッド層１５により、ｐｉｎダイオードが構成される。第１クラッド層１３および第２クラッド層１５の各々は、活性層１４よりも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さい層である。活性層１４は、光を増幅する機能を有する。第１クラッド層１３および第２クラッド層１５は、活性層１４を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光を閉じ込める機能を有する。

第１電極１１と第２電極１８とによって挟まれる活性層１４の一部の領域は、活性層１４における電流経路（発光領域）となり、光導波路４０として構成される。従って、光導波路４０を平面視したときの形状は、第１電極１１と略同じ形状で形成される。つまり、光導波路４０は、基板２０を平面視したときに、第１電極１１の配置に従って、長方形の発光素子１０の長手方向に対して斜めに傾いて帯状に延在するように形成される。斜めに配置されることにより、光導波路４０に生じる光のレーザー発振を抑制または防止することができ、その結果、例えば、プロジェクターの光源として活用した場合などに、スペックルノイズを低減することができる。光導波路４０に生じる光は、発光素子１０の側面に露出する光導波路４０の端面４０ａ、および４０ｂから射出される。
なお、第１電極１１および光導波路４０の平面形状は、例えば、図１（ａ）に示すような平行四辺形などであるが、例えば、曲線や、直線と曲線の組み合わせなどによって構成される形状であってもよい。また、第２電極１８と素子基板１７との接触面が、第１電極１１と同じ平面形状を有するように構成しても良い。

発光素子１０では、第１電極１１と第２電極１８との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、活性層１４の光導波路４０において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、光導波路４０内を光が進行し、その間に光強度が増幅され、光導波路４０の端面４０ａから第１出射光Ｌ１として出射され、端面４０ｂから第２出射光Ｌ２として出射される。第１出射光Ｌ１の向きと第２出射光Ｌ２の向きとは、例えば、互いに逆方向である。
この発光再結合の確率は、温度に依存し、温度の上昇に伴って発光強度が低下するため、光導波路４０の温度上昇を抑制する必要がある。

基板２０は、板状体であり、発光素子１０を搭載する面に接続パターン２１を有している。基板２０は、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ｃ、Ｂｅ、Ａｕや、これらの化合物（例えば、ＡｌＮ、ＢｅＯなど）や合金（例えばＣｕＭｏなど）などを用いることができる。また、これらの例示を組み合わせたもの、例えばＣｕ層とＭｏ層の多層構造などから基板２０を構成することもできる。
接続パターン２１と第１電極１１とは、電気接続部材３０によって電気的に接続されている。
また、基板２０と発光素子１０とは、電気接続部材３０によって接合される領域以外の領域において、接合部材３１と、接着剤２２によって接着されている。なお、電気接続部材３０および接合部材３１により、基板２０と発光素子１０との接合強度が十分に確保できる場合には、接着剤２２は無い構成としてもよい。

発光素子１０には、基板２０との接合面側に開口部を有する孔部としての孔５０が設けられている。
孔５０は、基板２０との接合面（コンタクト層１２の表面）から、接合面に略垂直の方向に発光素子１０の内部に向かって形成された孔部であり、図１（ｂ）に示すように、発光素子の基板との接合面の略全体に所定の間隔Ｄをおいて設けられている。本実施形態では、平面視で光導波路４０と重ならない領域に複数の孔５０が設けられている。

孔５０の内壁面には、上記した発光素子１０の基板２０との接合面側に積層された絶縁層５１が形成されている。絶縁層５１の形成材料には、好適例として、例えば、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、ＳｉＯＮなどを用いることができる。
なお、孔５０の内壁面に形成された絶縁層５１上に、金属層を積層させた構成としてもよい。このような構成とすることにより、後述する孔５０に充填された接合部材３１を介した発光素子１０の放熱の効率をさらに高めることができる。この金属層の形成材料としては、例えば金、銀、銅、クロム、パラジウム、アルミニウム、ニッケルなどの金属やそれらの合金を用いることができる。

コンタクト層１２の表面からの孔５０の深さは、発光素子１０の剛性（製造工程から使用環境までの間で加わる力学的ストレスに耐える強度）を確保できる範囲でより深いことが好ましい。
また、孔５０と孔５０の間隔Ｄは、孔５０ひとつあたりの放熱量と、発光素子１０の単位面積あたりに必要な放熱量とから算出された孔５０の必要個数に対応させて設定される。孔５０の個数や配置は、発光素子１０の素子基材として必要な強度や発光素子としての機能を保てる範囲で配置することがより好ましい。
なお、本実施形態では、発光素子１０に複数の孔５０が設けられている例を説明するが、必ずしも複数設ける必要はなく、適切な箇所に１つのみ設ける構成であっても良い。
また、孔５０は、必要な放熱量に応じて内径（大きさ）を変え設置される。例えば、大きな放熱量が必要な場合は、孔５０の内径（大きさ）を大きくする。これにより、孔５０と接合部材３１との接触面積が大きくなり、また、孔５０に入り込む接合部材３１の体積が増えることで熱容量が大きくなる。これらの効果として、孔５０による放熱性を向上させることが出来る。同様に、小さな放熱量でも良い場合は孔５０の内径（大きさ）を小さくする。このように、孔５０の内径（大きさ）は、発光素子１０の接合面内各所に必要な放熱量や、素子基材としての必要な強度、あるいは発光素子としての機能を保てる範囲で適宜に決定される。

基板２０と発光素子１０との接合に供する接合部材３１は、孔５０の内部にも充填されている。ここで、接続パターン２３と発光素子１０との間は絶縁層５１により電気的に絶縁されている。即ち、絶縁層５１は、接続パターン２３の領域に設けられた接合部材３１によって発光素子１０と接続パターン２３とが電気的に接続されないように形成されている。

接合部材３１に好適な例として、例えば、高熱伝導性の銀ペーストを用いることができる。具体的に、本実施形態では、上述した発光素子１０の積層構造を構成する各材料の熱伝送率より高い熱伝導率（例えば１１０Ｗ／ｍ・Ｋ）の銀ペーストを用いている。

なお、接合部材３１は、銀ペーストに限定するものではなく、例えば、クリーム半田、異方性導電ペースト、金属ナノ粒子含有の接合部材、導電性インク、ＵＶ硬化型の接着剤、液体金属の接合材（液体金属グリス等）、放熱グリスであっても良い。但し、発光素子１０の積層構造を構成する各材料よりも高い熱伝導率を有する材料を用いることがより好ましい。
また、発光素子１０の積層構造を構成する材料としては、発光利得領域が形成可能な材料系を用いることができる。例えば、ＡｌＧａＮ系、ＩｎＧａＮ系、ＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＧａＩｎＮＡｓ系、ＺｎＣｄＳｅ系、ＩｎＰ系、ＧａＮ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＧａＡｓＰ系、ＩｎＧａＡｌＰ系、ＺｎＳｅ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＧａＰ系、ＳｉＣ系、Ａｌ₂Ｏ₃などを用いることができる。但し、接合部材３１には、これらの材料の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する部材を用いることがより好ましい。

発光装置１００は、第１電極１１に接続された接続パターン２１と第２電極１８との間に発光素子１０の順バイアス電圧を印加することにより、ＳＬＤとして発光駆動させることができる。

以上述べたように、本実施形態による発光装置１００によれば、以下の効果を得ることができる。

本実施形態の発光装置１００が備える発光素子１０は、内部に光導波路４０を有するＳＬＤであり、一般に、駆動時に光導波路が発熱し高温となるほど光導波路からの発光効率が低下する。これに対し、本実施形態では、基板２０との接合面から発光素子１０の内部に向かう孔部としての孔５０を備えており、基板２０と発光素子１０とを接合する接合部材３１が、孔５０にも充填されている。つまり、発光素子１０の内部において、接合部材３１は、接合面全体に電気的に絶縁されて設けられている。しかも、接合部材３１の熱伝導率は、発光素子１０を構成する材料の熱伝導率よりも大きいため、発光素子１０の内部に発生する熱が、発光素子１０内部に設けられた孔５０に充填された接合部材３１を通じて、より効率的に基板２０に伝達される。つまり、孔５０に充填された接合部材３１をヒートシンクとして機能させることができる。これにより、発熱した発光素子１０が、より効果的に放熱され、光導波路４０の温度上昇を抑制することができるので、発光再結合の確率低下が抑制され、発光効率の低下をより効果的に抑制することができる。

また、発光装置１００を製造するにあたり、光導波路４０のヒートシンクとして機能させる部材は、発光素子１０と基板２０とを接続させる接合部材３１で構成されている。そのため、発光素子１０に孔５０を備えておくことにより、発光素子１０を基板２０に搭載する工程において、発光素子１０と基板２０との接合を図る接合部材３１を付与するのと同時にヒートシンクとしての接合部材３１を孔５０内に充填することが可能となるため、効率よく製造することができる。

なお、上記では、接合部材３１が孔５０に充填されていると説明したが、必ずしも接合部材３１が孔５０の内部全体に詰め込まれている必要は無い。孔５０内への接合部材３１の充填率の差により放熱効果の度合いは異なるものの、接合部材３１が孔５０の内部に入り込んでいることで放熱の効果を得ることができる。

（実施形態２）
次に、実施形態２に係るプロジェクターとしてのプロジェクター１００００について説明する。なお、説明にあたり、上述した実施形態と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。

図２は、プロジェクター１００００を模式的に示す図である。なお、図２では、プロジェクター１００００を構成する筐体は省略している。
プロジェクター１００００は、本発明に係る発光装置を含む。以下では、本発明に係る発光装置として、発光装置１００を用いた例について説明する。

プロジェクター１００００において、赤色光を出射する光源１０００Ｒは、上述した発光装置１００によって構成されている。また、緑色光、青色光を出射する光源１０００Ｇ、光源１０００Ｂは、それぞれ、上述した発光装置１００と同様の構成の発光装置によって構成されており、発光素子には、好適例として、ＧａＮ（窒化ガリウム）系の発光素子を用いている。

プロジェクター１００００は、光源１０００Ｒ，１０００Ｇ，１０００Ｂから出射された光をそれぞれ画像情報に応じて変調する透過型の液晶ライトバルブ（光変調装置）１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂと、液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂによって形成された像を拡大してスクリーン（表示面）１０１０に投射する投射レンズ（投射装置）１００８と、を備えている。また、プロジェクター１００００は、液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂから出射された光を合成して投射レンズ１００８に導くクロスダイクロイックプリズム（色光合成手段）１００６を備えている。

さらに、プロジェクター１００００は、光源１０００Ｒ，１０００Ｇ，１０００Ｂから出射された光の照度分布を均一化させるため、各光源１０００Ｒ，１０００Ｇ，１０００Ｂよりも光路下流側に、均一化光学系１００２Ｒ，１００２Ｇ，１００２Ｂを設けており、これらによって照度分布が均一化された光によって、液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂを照明している。均一化光学系１００２Ｒ，１００２Ｇ、１００２Ｂは、例えば、ホログラム１００２ａおよびフィールドレンズ１００２ｂによって構成される。

各液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム１００６に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は投写光学系である投射レンズ１００８によりスクリーン１０１０上に投写され、拡大された画像が表示される。

なお、上述の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏ Ｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）が挙げられる。また、投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。

次に、光源１０００Ｒ，１０００Ｇ，１０００Ｂについて説明する。
光源１０００Ｒ，１０００Ｇ，１０００Ｂは、それぞれが備える発光素子の素材が異なる点を除き、同様の構成からなるため、以下の説明では、発光装置１００を備える光源１０００として説明する。
図３（ａ）は、光源１０００の平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。
光源１０００は、発光装置１００と発光装置１００を搭載するパッケージ１６０などから構成される。

パッケージ１６０は、図３（ａ），（ｂ）に示すように、第１反射面１６２と、第２反射面１６４と、反射部１６３と、ベース１４０と、リッド１４８とを備えている。

第１反射面１６２は、図３（ｂ）に示すように、第１出射光Ｌ１を、発光素子１０の上側に向けて反射させることができる。同様に、第２反射面１６４は、第２出射光Ｌ２を、発光素子１０の上側に向けて反射させることができる。第１出射光Ｌ１は、第１反射面１６２により反射され、反射光Ｌ３として、例えば、発光素子１０の上面に対して垂直上向きに進むことができる。同様に、第２出射光Ｌ２は、第２反射面１６４により反射され、反射光Ｌ４として、例えば、発光素子１０の上面に対して垂直上向きに進むことができる。また、第１反射面１６２による反射光Ｌ３の進む向きと、第２反射面１６４による反射光Ｌ４の進む向きとは同じである。

ベース１４０は、基板２０を介して、間接的に発光素子１０を支持している。ベース１４０としては、例えば、板状（直方体形状）の部材に空間部１４５を設けたものを用いている。空間部１４５は、ベース（板状の部材）１４０の水平方向に対して、４５度傾いている４つの傾斜面（側面）を有している。つまり、空間部１４５の４つの側面により、発光装置１００は囲まれている。
発光装置１００は、ベース１４０の水平方向に対して平行に光が出射されるように、配置されている。基板２０は、ベース１４０の空間部１４５の底面に固定されている。なお、例えば、基板２０を設けずに、ベース１４０が直接的に発光素子１０を支持する構成であっても良い。

ベース１４０の熱伝導率は、基板２０の熱伝導率よりも高く、基板２０の熱伝導率は、発光素子１０の熱伝導率よりも高い。ベース１４０および基板２０の各々の熱伝導率は、例えば１４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。ベース１４０および基板２０の各々には、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ｃ、Ｂｅ、Ａｕや、これらの化合物（例えば、ＡｌＮ、ＢｅＯなど）や合金（例えばＣｕＭｏなど）などを用いることができる。また、これらの例示を組み合わせたもの、例えばＣｕ層とＭｏ層の多層構造などから、ベース１４０および基板２０の各々を構成することもできる。

反射部１６３は、ベース１４０の空間部１４５の側面上に形成されている。反射部１６３の表面のうち、第１出射光Ｌ１が入射する面が第１反射面１６２であり、第２出射光Ｌ２が入射する面が第２反射面１６４である。反射部１６３は、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕなどからなる。

ベース１４０には、端子１４４が設けられている。端子１４４は、例えばＣｕなどからなり、ベース１４０とは絶縁されて、ベース１４０の裏面（発光装置１００が搭載される面の裏側の面）に貫通している。
端子１４４は、例えば、ボンディングワイヤーなどの第１接続部材１４２により、発光装置１００の第２電極１８と接続されている。第１接続部材１４２は、第１，第２出射光Ｌ１，Ｌ２の光路を遮らないように設けられている。また、発光装置１００の第１電極１１は、電気接続部材３０を介し、例えば、めっきバンプなどの接続パターン２１（図１（ｃ））により、基板２０と接続されている。基板２０は、ベース１４０と接続されている。従って、端子１４４とベース１４０とに異なる電位を与えることにより、第１電極１１と第２電極１８との間に電圧を印加することができる。

リッド１４８は、図３（ｂ）に示すように、ベース１４０の空間部１４５を密閉して、空間部１４５内に設けられた発光装置１００を封止している。リッド１４８は、反射光Ｌ３，Ｌ４の波長に対して透過性のある材質である。リッド１４８には、例えば、石英、ガラス、水晶、プラスチックなどを用いることができる。これらは、反射光Ｌ３，Ｌ４の波長に応じて適宜選択されることが好ましい。

以上の構成により、発光装置１００は、発光装置１００から水平方向に出射された２つの出射光（第１，第２出射光Ｌ１，Ｌ２）を共に発光装置１００の上側に向けて反射させることができる。これにより、プロジェクター１００００の光学系を構成することができる。

本実施形態によれば、プロジェクター１００００は、発光効率の劣化がより効果的に抑制された発光装置１００を備えるため、プロジェクター１００００の発光特性をより優れたものとすることができる。

なお、本発明は、上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。ここで、上述した実施形態と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略している。

（変形例１）
図４は、変形例１に係る発光装置の断面図である。
実施形態１では、図１（ａ），（ｂ）に示すように、発光装置１００は、接合面全体に孔部としての孔５０を備え、接合面（コンタクト層１２の表面）からの孔５０の深度は、発光素子１０の剛性の許容する範囲でより深いことが好ましいとして説明した。変形例１の発光装置１００´では、この孔部としての孔５０に、発光素子１０を貫通する孔５２を備えていることを特徴としている。
孔５２は、孔５０の最深部（図４においては、最頂部）から、第２電極１８まで貫通する孔であり、接合面全体に配置されている孔５０にそれぞれひとつ以上設けられている。
孔５２の径は、孔５０の径と同等、あるいは孔５０の径に比較して小さい大きさである。孔５２の内壁は、絶縁層で覆う必要は無いが、製造工程において、孔５０に充填される接合部材３１が、孔５２の内部にも入ることが危惧される場合には、孔５２の内壁に絶縁層を形成しておくことが好ましい。

本変形例の発光装置１００´によれば、接合部材３１が充填される孔５０は、発光素子１０を貫通する孔５２を備えている。この孔５２は、接合部材３１を孔５０に充填する際のエア抜き孔として機能させることができるため、発光装置１００の製造工程において接合部材３１を孔５０にスムーズに充填させることができる。つまり、発光素子内部に発生する熱を効果的に放散させる接合部材３１が確実に充填された発光装置１００が得られる。
また、この孔５２は、放熱経路としても機能するため、より効果的に発光素子１０の放熱を行なうことができる。

（変形例２）
実施形態１では、図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、発光装置１００は、接合面全体に配置されている孔部としての孔５０を備えているとして説明したが、孔部は、孔に限定するものではない。
図５（ａ）は、変形例２に係る孔部のバリエーションを示す発光装置の平面図である。
図５（ａ）に示す発光装置１００ｖは、発光素子１０ｖを備えている。発光素子１０ｖは、孔部として、発光素子１０ｖの一方の側面から他方の側面まで貫く溝５０ｖが設けられている。溝５０ｖを形成する内壁面には、孔５０と同様に絶縁層（図示せず）を有しており、溝５０ｖの内部には、接合部材３１が、接合面から充填されている。また、複数の溝５０ｖは、接合面全体に設けられている。
また、１つの溝５０ｖは、必ずしも連続して形成されている必要はない。例えば、複数の溝に分かれている構成であっても良い。

本変形例によれば、発光装置１００ｖは、接合面全体に設けられた複数の溝５０ｖを備えている。複数の溝５０ｖによる放熱経路は、溝５０ｖに充填された接合部材３１から基板２０への経路、および、溝５０ｖに充填された接合部材３１から発光素子１０ｖを貫通し、第２電極１８（図１（ｃ））の面に露出する開口への経路に形成される。これらの放熱経路により、より効果的に発光素子の放熱を行なうことができる。

（変形例３）
図５（ｂ）は、変形例３に係る孔部のバリエーションを示す発光素子１０ｗを裏面（基板２０の側）から見た発光装置の平面図である。
本変形例の発光装置１００ｗにおいて、発光素子１０ｗは、孔部として孔５０ｗを備えている。孔５０ｗは、図５（ｂ）に示すように、接合面の適所に複数のフィン６０を有している。複数のフィン６０を備えている点を除き、発光素子１０ｗは、発光素子１０と同様である。

本変形例のように、孔部としての孔５０ｗの内部に複数のフィン６０を備えることにより、光導波路４０において発生する熱は、孔５０ｗの内部に充填された接合部材３１に、より効果的に伝達される。その結果、より効果的に発光素子の放熱を行なうことができる。

このように、本発明における孔部は、単なる孔やくぼみに限定するものではなく、上述したように、溝や貫通孔も含んでおり、それぞれ同様の効果を得ることができる。

Ｌ１…第１出射光、Ｌ２…第２出射光、Ｌ３，Ｌ４…反射光、１０，１０ｖ，１０ｗ…発光素子、１１…第１電極、１２…コンタクト層、１３…第１クラッド層、１４…活性層、１５…第２クラッド層、１６…バッファー層、１７…素子基板、１８…第２電極、２０…基板、２１…接続パターン、２２…接着剤、２３…接続パターン、３０…電気接続部材、３１…接合部材、４０…光導波路、４０ａ，４０ｂ…端面、５０…孔、５０ｖ，５０ｗ…溝、５１…絶縁層、５２…孔部としての孔、６０…フィン、１００，１００ｖ…発光装置、１４０…ベース、１４２…第１接続部材、１４４…端子、１４５…空間部、１４８…リッド、１６０…パッケージ、１６２…第１反射面、１６３…反射部、１６４…第２反射面、１０００，１０００Ｂ，１０００Ｇ，１０００Ｒ…光源、１００００…プロジェクター。

Claims (5)

1. 基板と、
   前記基板上に設置される発光素子と、
   前記基板と前記発光素子とを接合する接合部材と、
   前記基板と前記発光素子とを電気的に接続する電気接続部材と、を備え、
   前記発光素子には、前記基板との接合面側に開口部を有する孔部が設けられ、
   前記接合部材の一部が、前記孔部に入り込んでおり、前記接合部材と前記電気接続部材とが電気的に絶縁されていることを特徴とする発光装置。
2. 前記発光素子は、内部に光導波路を有するスーパールミネッセントダイオードであって、
   前記接合部材は、前記基板の厚み方向に平面視したときに、前記光導波路よりも前記発行素子の外周縁に近い位置に設けられ、
   前記孔部は、前記孔部を形成する内壁面に、前記接合部材を電気的に絶縁する絶縁層を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 複数の前記孔部を備え、前記複数の孔部は、前記発光素子の前記基板との接合面の略全体に所定の間隔を置いて配置されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。
4. 前記接合部材の熱伝導率は、前記発光素子の基材の熱伝導率よりも大きいことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光素子を備えていることを特徴とするプロジェクター。

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