JP2015069652A5 - 半導体デバイス及び動作初期化方法 - Google Patents

Claims (5)

1. 半導体デバイスの動作を初期化する方法であって、
   前記半導体デバイスがリセット状態にある間に外部リセット信号のアサート停止を検出する工程と、
   前記半導体デバイスの温度レベルをモニタリングする工程と、
   前記温度レベルが、前記半導体デバイスが最大性能レベルにおいて動作することを可能にする所定の最小動作温度レベルを下回っている間に、
   前記半導体デバイスを前記リセット状態に維持し、
   クロック信号を受信する間に前記半導体デバイスにおいて抵抗加熱を生成するために、上昇周波数レベルで、前記半導体デバイスに対する少なくとも１つのクロックツリーを組み込む高周波ブロックに対してクロック信号をアサートする工程と、
   前記温度レベルが少なくとも前記所定の最小動作温度レベルにあるときに前記リセット状態を解放する工程と、
   を備える方法。
2. 前記クロック信号をアサートする工程は、前記半導体デバイスの周波数生成器の最大周波数レベルにおいてクロック信号をアサートすることを含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記半導体デバイスに提供される供給電圧が、所定の通常動作電圧レベルよりも大きくなるように命令する工程を含む、請求項１に記載の方法。
4. 半導体デバイスであって、
   前記半導体デバイスの温度をモニタリングし、それを示す温度値を提供する温度モニタと、
   クロック信号をアサートする周波数制御ブロックと、
   前記クロック信号を受信する間に抵抗加熱を生成する少なくとも１つのクロックツリーを組み込む高周波ブロックと、
   前記温度が所定の最小動作温度レベルを下回ることを前記温度値が示すときに、外部リセット信号がアサート停止されることに応答して、内部リセット状態を維持する間に前記半導体デバイスにおける抵抗加熱を生成するために、前記周波数制御ブロックに、上昇周波数レベルで前記クロック信号をアサートするように命令する順序論理と、
   を備え、前記順序論理は、前記温度が少なくとも前記所定の最小動作温度レベルであることを前記温度値が示すときに、前記半導体デバイスが最大性能レベルで動作することを可能にするために、前記内部リセット状態を解放する、
   半導体デバイス。
5. 供給電圧要求信号をアサートする電圧制御ブロックをさらに備え、
   前記順序論理は、前記半導体デバイスに提供される供給電圧が上昇電圧レベルにあるよう要求するように、前記電圧制御ブロックに命令する、
   請求項４に記載の半導体デバイス。