JP2015065255A - 光電融合モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子と駆動回路とを接続する配線を短くする。【解決手段】発光素子ＬＤを含めて搭載した光集積回路基板１３と、該発光素子を駆動する駆動回路、及び制御回路を集積した電気集積回路基板１１とを備えた光電融合モジュール１０Ｂであって、前記光集積回路基板と前記電気集積回路基板とを互いに対向させ、前記発光素子と前記駆動回路とが対向配置した。また、前記光集積回路基板と前記電気集積回路基板との間に、金属細線が厚さ方向に複数配列された異方性導電シート２４が介挿され、前記発光素子の電極と前記駆動回路の電極とは、何れか複数の前記金属細線を介して接続される。【選択図】図２

Description

本発明は、光集積回路基板、及び電気集積回路基板を備えた光電融合モジュールに関し、特に、高速光通信用途の光導波路及びフォトダイオード(以下、ＰＤという。)やレーザダイオード(以下、ＬＤという。)等の電気光・光電気変換部品を搭載した光集積回路基板と、ＬＤドライバ(以下、ＬＤＤといい、駆動回路ともいう。)やトランスインピーダンスアンプ(以下、ＴＩＡという。)等を搭載した電気集積回路基板とを備えた光電融合モジュールに関する。

現在、導入が進展しているＦＴＴＨ（Fiber to the Home）システムの中で、特にＰＯＮ（Passive Optical Network）システムが広く採用されている。ＰＯＮシステムは、局舎から出た１本の光ファイバを途中でスプリッタにより分岐することで、多数の加入者が局舎側装置ＯＬＴ（Optical Line Terminal）を共用するものである。ＯＬＴやそのユーザ端末装置であるＯＮＵ（Optical Network Unit）は、１本の光ファイバで双方向通信を行うため、異なる波長の光信号を使用している。

この光通信用途の光部品は、電気部品と共にモジュールやパッケージ内に実装されることにより、電気光・光電気変換を行うように構成されている。非特許文献１には、光電融合モジュールの一例として一芯双方向通信モジュールが開示されている（図５参照）。この一芯双方向通信モジュールは、従来、個別に実装していたＬＤやＰＤ等の電気部品を、光回路基板上に実装することにより小型化を実現した物である。この一芯双方向通信モジュールは、同一基板上に電気部品と光部品とを同一基板上に実装することにより、配線が短縮化され、高速高周波特性の向上を図っている。また、特許文献１には、両面実装の高密度実装電気回路基板と光回路基板とを多層化した光電融合回路基板が開示されている（本願の図６参照）。

特開２００６−１４０１７８号公報（図５（ａ））

志村 大輔，小谷 恭子，高橋 博之，岡山 秀彰，八重樫 浩樹、ＯＫＩテクニカルレビュー、2010年4月／第216号Vol.77 No.1、「シリコンフォトニクス 光電融合モジュール技術」、p.4−p.7

特許文献１に記載の光電融合回路基板（本願の図６参照）は、通信以外の光回路が実装された光回路基板３２と電気回路基板３１とが多層構造に構成されているが、素子又は部品３３ｃ（例えば、ＬＤＤ）が空隙部３０にも設けられている。このため、光回路基板３２に搭載されている素子又は部品３５の一方の電極は、素子又は部品３３ｃに近接させることができるが、他方の電極は、素子又は部品３３ｃから離間しており、且つ、ビア４２，４５を介して、接続されている。このため、配線の長さが長くなってしまう。

また、特許文献１に記載の光電融合回路基板は、素子又は部品３３ｃとしてのＬＤＤが発熱源となるため、ＬＤＤの特性劣化及び信頼性低下が発生する。このため、特許文献１に記載の光電融合回路基板は、周辺部品も温度上昇のため信頼性が低下する。また、特許文献１に記載の光電融合回路基板は、実装精度が必要なため実装・組立コストが高くなったり、多様な部品を実装する必要があるためそれぞれの応力等により信頼性が低下したりする。なおこの問題を回避するためには、厳密に計算したり、複数回試作したりと検証したりする必要がある。

また、非特許文献１の技術は、発光素子としてのＬＤが光集積回路と同一基板上に搭載されているが、駆動回路としてのＬＤＤは同一基板上に搭載されていない。このため、ＬＤとＬＤＤとの間の配線が長くなり、ＬＤの応答特性が悪化する問題点がある。なお、ＬＤＤも光回路やＬＤと同一基板上に搭載することも考えられる。この場合には、非特許文献１の技術は、ＬＤＤを同一基板上に搭載すると、発熱源であるＬＤＤが同一基板上にあるＬＤやＰＤ等に特性変動をもたらし、ＬＤの温度上昇により特性劣化及び信頼性低下をもたらす問題点がある。また、ＬＤＤが発熱源となるため、個別にＬＤやＰＤの温度を制御することが困難である。

また、非特許文献１の技術は、光回路と電気回路とを同一基板上に作製しているため、実装コスト低下や特性向上を図ることができる。しかしながら、同一基板上で作製することは、チップサイズが大きくなってしまう問題点でもある。ＩＣのチップサイズは、歩留まりに影響するものであり、チップサイズの増大は歩留まり低下を起こしてしまう。つまり、非特許文献１の技術は、光回路と電気回路とをそれぞれ作るため、個別に実装するよりも歩留まり低下を起こしやすい。

そこで、本発明は、発光素子と駆動回路とを接続する配線を短くすることができる光電融合モジュールを提供することを目的とする。

前記課題を解決するため、発光素子を含めて搭載した光集積回路基板と、該発光素子を駆動する駆動回路、及び制御回路を集積した電気集積回路基板とを備えた光電融合モジュールであって、前記光集積回路基板と前記電気集積回路基板とを互いに対向させ、前記発光素子と前記駆動回路とが対向配置したことを特徴とする。

これによれば、発光素子と駆動回路とが対向配置しているので、発光素子と駆動回路とを接続する配線が短くなり、発光素子の応答特性が向上する。また、前記光集積回路基板と前記電気集積回路基板との間に、金属線が厚さ方向に複数配列された異方性導電シートが介挿され、前記発光素子の電極と前記駆動回路の電極とは、何れか複数の前記金属線を束ねた金属細線束を介して接続されていることが好ましい。光集積回路基板は、発光素子等の電極を除いて絶縁物で形成されているので、特段の絶縁シートを異方性導電シートと電気集積回路基板との間に挿入する必要がない。

本発明によれば、発光素子と駆動回路とを接続する配線を短くすることができる。

本発明の第１実施形態である光電融合モジュールの構造図である。 本発明の第２実施形態である光電融合モジュールの構造図である。 異方性導電シートの構造図である。 本発明の第３実施形態である光電融合モジュールの構造図である。 第１比較例の光電融合モジュールの構成図である。 第２比較例の光電融合モジュールの断面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態（以下、「本実施形態」と称する）につき詳細に説明する。なお、各図は、本発明を十分に理解できる程度に、概略的に示してあるに過ぎない。よって、本発明は、図示例のみに限定されるものではない。また、各図において、共通する構成要素や同様な構成要素については、同一の符号を付し、それらの重複する説明を省略する。

(第１実施形態)
（構成の説明）
図１は、本発明の第１実施形態である光電融合モジュールの構造図である。
光電融合モジュール１０Ａは、電気集積回路基板１１と、光集積回路基板１３と、電気集積回路基板１１の背面に密接配置されているヒートシンク１６と、光集積回路基板１３の裏面に密接配置されているヒートシンク１７と、電気信号入出力部２０と、レンズ２２と、ヒートシンク１６を固定する上ケース１８と、ヒートシンク１７を固定する下ケース１９とを備え、上ケース１８、及び下ケース１９がケースとしての固定部材２６で固定される。

上ケース１８及びヒートシンク１７は、アルミやステンレス等、コストに応じて選択することができる。また、それぞれ違う素材を組み合わせることにより、コスト低減，性能向上を図ることもできる。例えば、上ケース１８にステンレスを用い、ヒートシンク１７にアルミを用いることが好ましい。

固定部材２６は、上ケース１８、及び下ケース１９を熱分離できるように、例えば、プラスチックなどの熱伝導率の小さな素材を用いるのが好ましい。なお、ヒートシンク１６，１７と上ケース１８及びヒートシンク１７との間は、例えば銀ペースト，シリコングリスや金錫共晶半田等を用いて充填され、接触熱抵抗が低下させられている。なお、発熱が大きい場合には、ケース１８，１９は、その外部に冷却機構を付加することも可能である。

また、電気集積回路基板１１は、電気回路１２として駆動回路（ＬＤＤ）、及び制御回路が集積されている矩形状の基板である。光集積回路基板１３は、光回路１４として、前記駆動回路により駆動される発光素子や受光素子が搭載され、その他の光回路が集積されている矩形状の基板である。つまり、光回路１４は、主として光導波路により構成されているが、発光素子としてのレーザダイオードＬＤや受光素子としてのフォトダイオードＰＤが搭載されており、複数の電極が形成されている。この光回路１４の電極と、電気回路１２の電極とは、接続媒体１５で接続され、封止樹脂２３で固定している。

また、ヒートシンク１６，１７は、例えば、アルミニウム，銅や銅タングステン等の素材を用いており、目的に応じて金メッキ等の表面処理がされている。ヒートシンク１６と電気集積回路基板１１との間、ヒートシンク１７と光集積回路基板１３との間は、例えば銀ペーストや金錫共晶半田等を用いて充填されているので、接触熱抵抗が低下させられている。

電気信号入出力部２０は、例えば、外部に接続するピンや、フレキケーブル等を意味する。レンズ２０は、光信号入出力部を構成し、この光信号入出力部は外部に接続する光ファイバ等が含まれることがある。

（動作説明）
光集積回路基板１３の表面に作製される光回路（光導波路やＬＤ，ＰＤ）１４は、温度依存性が大きく、特に、ＬＤは温度上昇によって特性が劣化する。一方、電気集積回路基板１１に作製される電気回路（特に、ＬＤＤ）１２は発熱が大きい。

ところで、熱伝導率は、一般的な封止樹脂２３が１［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］であり、電気集積回路基板１１がシリコンの場合、１６８［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］である。つまり、熱伝導率は、電気集積回路基板１１の方が封止樹脂２３よりも高い。このため、電気回路１２で発生した熱流は、電気集積回路基板１１を介してヒートシンク１６に流れ、上ケース１８から空気に熱伝達される。発熱量に応じて、上ケース１８の外に冷却機構を追加することも可能である。

光集積回路基板１３は、封止樹脂２３及び接続媒体１５を介して、電気回路１２で発生した熱の影響を受けるが、光集積回路基板１３に接続されたヒートシンク１７及び下ケース１９により冷却されるため光集積回路基板１３の温度上昇は小さくなる。また、接続媒体１５は、封止樹脂２３よりも熱伝導率が大きいので、熱流を点で接続しているといえる。

（効果の説明）
本実施形態の光電融合モジュール１０Ａによれば、光集積回路基板１３と電気集積回路基板１１とが互いに対向しているので、実装面積をほぼ半減することができる。また、それぞれの集積回路基板１１，１３の基板サイズが小さくなるため、チップサイズ増大によるプロセス歩留まりの低下を低減することができる。

光電融合モジュール１０Ａは、光回路１４（具体的には、ＬＤ）と電気回路１２（具体的には、ＬＤＤ）とが対向して配置しているので、同一基板上にＬＤ、及びＬＤＤの素子を配置するよりも熱の影響が少ない。このため、特に、１０Ｇｂｐｓを超えるような伝送速度の場合、その電気特性向上を図ることができる。つまり、電気集積回路基板１１と光集積回路基板１３とを熱的に分離することが可能となり、電気回路１２で発生する熱が光回路１４にもたらす影響を小さくすることができる。また、電気集積回路基板１１と光集積回路基板１３とは、互いに熱分離されているため、温度制御が容易になる。これにより、光電融合モジュール１０Ａは、光集積回路基板１３に搭載されているＬＤの温度を低く保つことが可能となり、特性向上、安定動作が可能となる。

（第２実施形態）
（構成の説明）
図２は、本発明の第２実施形態である光電融合モジュールの構造図である。
光電融合モジュール１０Ｂは、基本構成については図１に示す光電融合モジュール１０Ａと同様であるが、接続媒体１５、及び封止樹脂２３の代わりに、図３に示すような異方性導電シート２４を設けている点で相違する。つまり、光電融合モジュール１０Ｂは、異方性導電シート２４を介して、電気集積回路基板１１と光集積回路基板１３とを対向配置している。これにより、光電融合モジュール１０Ｂは、電気集積回路基板１１と光集積回路基板１３とを接続媒体１５（図１）で接続したり、封止樹脂２３（図１）で封止したりする必要がない。

図３は、異方性導電シートの構造図であり、図３（ａ）はその平面図であり、図３（ｂ）はその横断面図である。
図３（ａ）のように、異方性導電シート２４は、複数の金属細線（金属線）がシリコーンゴムシートに一定間隔、且つ高密度（約０．１ｍｍ間隔）で二次元的に配列した圧接型コネクタである。異方性導電シート２４は、金めっきされた金属細線がシリコーンゴムシートの表面（両面）から突出しているので、低荷重で良好なコンタクト性を有している。つまり、異方性とは、シートの厚さ方向に導電性を有し、隣接する金属細線間では導電性を有していないことをいう。

つまり、電気回路１２（特に、ＬＤＤ）の電極（電極パッド）と光回路１４（特に、ＬＤ）の電極（電極パッド）とが異方性導電シート２４の金属細線束により電気的に接続される。このとき、電気回路１２、及び光回路１４の電極（発光素子や受光素子の電極）の位置は、電極に接触する特定の複数の金属細線（複数の金属細線を金属細線束ともいう。）の位置に合わせる必要があるが、光回路１４は、発光素子や受光素子の電極以外はＳｉＯ_２等の絶縁物であるので、他の金属細線は、この絶縁物に接触している状態になっている。このため、電気回路基板同士を異方性導電シート２４で接続する場合は、絶縁シート等を介挿し、不要な金属細線を絶縁する必要がある。この絶縁シートは、金属細線の突出長さよりも薄くする必要があるが、このことは極めて困難なことである。なお、光回路１４は絶縁物（ＳｉＯ_２）が主たる材料であるので、光電融合モジュール１０Ｂは、電気集積回路基板１１と異方性導電シート２４との間に絶縁シートを介挿する必要がない。

また、異方性導電シート２４は、図３（ｂ）のように、表面側と裏面側とで、一方向にΔＬだけずらされている。これにより、金属細線の束が傾斜し、傾斜した金属細線の先端部と電極とが線又は面で接触するので、より接触抵抗が低減する。

（効果の説明）
以上説明したように、第２実施形態の光電融合モジュール１０Ｂによれば、第１実施形態の効果に加え以下の効果が期待できる。
電気集積回路基板１１と光集積回路基板１３との間に、接続媒体１５（図１）を形成する必要がなく、組立・部材コストの低減を図ることができる。異方性導電シート２４は、シリコーンゴム等の柔らかい素材で作られているので、基板を重ねモジュール封止する際の高さ調整の自由度が増す（工程の簡素化が図れる）。

（第３実施形態）
（構成の説明）
図４は、本発明の第３実施形態である光電融合モジュールの構造図である。
光電融合モジュール１０Ｃは、基本構成が図１と同様であるが、インターポーザ基板２５を電気集積回路基板１１と光集積回路基板１３との間に介挿し、それぞれの基板は、インターポーザ基板２５に対し接続媒体１５を用いて接続され、封止樹脂２３により封止されている。インターポーザ基板２５は、挿入効果を得るためには少なくとも比誘電率が３．５以下とすることが望ましい。特に、扱う周波数帯域がミリ波帯のような場合は、２．５以下のシリコン基板を使うものとする。これにより、電気回路１２に集積されているチップ間の配線長や配線幅を小さくすることができ、チップ間の配線の寄生容量や配線長のバラつきなどを減らすことができる。

（動作の説明）
光電融合モジュール１０Ｃは、第１実施形態の光電融合モジュール１０Ａと同様の動作をするが、電気的接続はインターポーザ基板２５に形成したビアホールを用いている。このとき、それぞれの基板の電気接続点に対し、直接ビアホールを介して接続してもよいし、インターポーザ基板２５に配線パターンを形成して接続することも可能である。

（効果の説明）
以上説明した通り、光電融合モジュール１０Ｃによれば、第１実施形態に加え以下の効果を奏する。
光電融合モジュール１０Ｃは、熱源（電気回路１２のＬＤＤ）が光回路１４から離れるため、熱分離の効果が向上する。また、インターポーザ基板２５は、電気接続部の端子間間隔を表裏異ならせて端子間間隔を拡げることができるので、光回路１４の発光素子や受光素子の電極との接続を簡便にすることができる。また、６０ＧＨｚのような高周波数帯域の信号を用いる場合、周辺の寄生容量が問題になるが、光電融合モジュール１０Ｃは、低誘電率材（例えば、シリコン）のインターポーザ基板２５を使用することにより応答特性が向上する。

（第１比較例）
図５は、第１比較例の光電融合モジュールの構成図である。
光電融合モジュール１０Ｄは、一芯双方向通信モジュールであり、Ｓｉ基板３と、Ｓｉ基板３の表面に形成された光回路１、及び電気回路２とを備え、電気回路２は、受光素子としてのフォトダイオード２ａと発光素子としてのレーザダイオード２ｂとトランスインピーダンスアンプ２ｃとモニタ用フォトダイオード２ｄとを備え、光回路１は、スポットサイズ変換器１ｂと波長合分波器１ａとが形成されている。なお、第１比較例として説明する一芯双方向通信モジュールは、第１実施形態乃至第３実施形態の光回路１４として使用できる。

波長合分波器１ａは、シリコン細線導波路により構成されており、レーザダイオード２ｂが発光した光をスポットサイズ変換器１ｂに導き、スポットサイズ変換器１ｂから導かれた光をフォトダイオード２ａに入射させるものである。また、１本の光ファイバで、双方向通信を行うため、フォトダイオード２ａが入射する光の波長は、光ファイバの他端に設けられているレーザダイオードが発光した光の波長を遮断するようにしている。例えば、レーザダイオード２ｂの送信波長を１．３１０ｎｍとし、フォトダイオード２ａの受信波長を１．４９ｎｍとした場合、フォトダイオード２ａが入射する光の波長は、光ファイバの他端に設けられているレーザダイオードが発光した光の波長１．３１０ｎｍを遮断するようにしている。なお、シリコン細線導波路は、コア材をシリコンとし、クラッド材を石英とする光導波路であり、従来から用いられる石英光導波路に比べて光の経路を鋭く曲げることができる。

スポットサイズ変換器１ｂは、図示しない光ファイバとシリコン細線導波路との間を結合するものであり、先細テーパ型を用いている。つまり、スポットサイズ変換器１ｂは、光のビームスポットの大きさを変換する機能を持ち、光入出力における光パワー損失を低減するために設けられている。なお、レーザダイオード２ｂと導波路との間は、テーパ型スポットサイズ変換を用い、フォトダイオード２ａと導波路との間は、グレーティング型を採用している。

受光素子としてのフォトダイオード２ａと、発光素子としてのレーザダイオード２ｂは、Ｓｉ基板３の表面に表面実装により搭載されている。トランスインピーダンスアンプ２ｃは、フォトダイオード２ａの両端電圧を仮想接地させつつ、フォトダイオード２ａが発生する電流を電圧に変換するものである。
モニタ用フォトダイオード２ｃは、レーザダイオード２ｂの光出力をモニタして帰還制御するためのものであり、レーザダイオード２ｂと近接配置されている。

この光電融合モジュール１０Ｄは、Ｓｉ基板３で形成された電気回路２の領域と、光回路１の領域とがほぼ同一面積なので、占有面積が、前記実施形態の光電融合モジュール１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃの約２倍となる。また、光電融合モジュール１０Ｄは、トランスインピーダンスアンプ２ｃが搭載されているが、発熱体であるＬＤＤは搭載されていない。このため、光電融合モジュール１０Ｄは、光電融合モジュール１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃに対して、ＬＤとＬＤＤとの間の配線が長くなり、高周波特性が悪くなる。

（第２比較例）
図６は、第２比較例の光電融合モジュールの断面図である。
光電融合モジュール１０Ｅは、電気回路基板３１と光回路基板３２とが、空隙部３０を介して対向配置された光電融合回路基板であり、電気回路基板３１は、多層基板（５層基板）であり、各層のパターンが複数のビア４１，４２，４３，４４，４５で接続されている。
電気回路基板３１は、その両側面に素子又は部品３３（３３ａ，３３ｂ，３３ｃ）が搭載されており、空隙部３０を介して、光回路基板３２と対向している。光回路基板３２には、その電気回路基板３１側の面に素子又は部品３５（例えば、発光素子や受光素子）が搭載されている。

また、電気回路基板３１と光回路基板３２とが接続媒体３４（３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄ）で接続されている。
素子又は部品３５（例えば、ＬＤ）は、素子又は部品３３ｃ（例えば、ＬＤＤ）に近接配置されているので、素子又は部品３３ｃと接続媒体３４ｂとは近接配置されている。しかしながら、接続媒体３４ａ，３４ｄは、素子又は部品３３ｃと離間しているだけでなく、他の層から接続されている。なお、接続媒体３４ｃと接続媒体３４ｂとの間は絶縁されているので、接続媒体３４ｃも他の層から接続されている。

つまり、前記実施形態の光電融合モジュール１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃは、電気回路１２（特に、駆動回路（ＬＤＤ））と、光回路１４（特に、発光素子（ＬＤ））とが対向配置しているので、光電融合モジュール１０Ｅに対して、配線距離が短くなり、発光素子の応答特性が向上する。

また、電気回路基板３１は、ガラスエポキシ基板により構成されており、その熱伝導率は、約０．５［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］である。一方、光集積回路基板１３は、シリコンにより構成されており、その熱伝導率は、約１５０［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］である。したがって、第1実施形態乃至第３実施形態において、電気集積回路基板１１の背面に密接配置されているヒートシンク１６の効果は、第２比較例に比べて絶大である。

（変形例）
本発明は前記した実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のような種々の変形が可能である。
（１）前記実施形態は、光集積回路基板１３を用いて電気信号入出力部２０に接続したが、電気集積回路基板１１を用いて電気信号入出力部２０に接続することもできる。
（２）第１実施形態乃至第３実施形態では、光集積回路基板１３と電気集積回路基板１１とについて説明したが、電気集積回路基板１１と電気集積回路基板１１との間や、光集積回路基板１３と光集積回路基板１３との間でも用いることができる。
（３）第１実施形態、乃至第３実施形態では，金属ケースに入れて使用すること前提に説明したがＴＣＰ（Tape Carrier Package）のようなフレキ材や他の材料を用いることもできる。
（４）第１実施形態、及び第３実施形態では、封止樹脂２３を用いてチップを固定したが、接続媒体１５のみでも固定可能である。
（５）第１実施形態、乃至第３実施形態では，電気回路基板の回路形成面に直接電気的接続して説明したが、ＷＬ−ＣＳＰ（Wafer Level Chip Size Package）のような形状の部品を搭載することも可能である。
（６）第３実施形態では、インターポーザ基板２５のみを挿入したが、異方性導電シート２４を組み合わせて、挿入することも可能である。
（７）第３実施形態では、電気接続だけのインターポーザ基板２５について説明したが、部品内蔵基板を用いることも可能である。

１ 光回路
１ａ 波長合分波器
１ｂ スポットサイズ変換器
２ 電気回路
２ａ フォトダイオード
２ｂ レーザダイオード
２ｃ トランスインピーダンスアンプ
２ｄ モニタ用フォトダイオード
３ Ｓｉ基板
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ 光電融合モジュール
１２ 電気回路
１３ 光集積回路基板
１４ 光回路
１５ 接続媒体
１６，１７ ヒートシンク
１８ 上ケース
１９ 下ケース
２０ 電気信号入出力部
２２ レンズ
２３ 封止樹脂
２４ 異方性導電シート
２５ インターポーザ基板
２６ 固定部材
３０ 空隙部
３１ 電気回路基板
３２ 光回路基板
３３，３５ 素子又は部品
３４ 接続媒体
４１，４２，４３，４４，４５ ビア

Claims (4)

1. 発光素子を含めて搭載した光集積回路基板と、該発光素子を駆動する駆動回路、及び制御回路を集積した電気集積回路基板とを備えた光電融合モジュールであって、
   前記光集積回路基板と前記電気集積回路基板とを互いに対向させ、前記発光素子と前記駆動回路とが対向配置していることを特徴とする光電融合モジュール。
2. 請求項１に記載の光電融合モジュールであって、
   前記光集積回路基板と前記電気集積回路基板との間に、金属線が厚さ方向に複数配列された異方性導電シートが介挿され、
   前記発光素子の電極と前記駆動回路の電極とは、何れか複数の前記金属線を介して接続されていることを特徴とする光電融合モジュール。
3. 請求項１に記載の光電融合モジュールであって、
   前記光集積回路基板と前記電気集積回路基板との間に、互いに電気的に接続された端子対が複数形成されたインターポーザ基板が介挿され、
   前記発光素子の電極と前記駆動回路の電極とは、前記端子対を介して接続されていることを特徴とする光電融合モジュール。
4. 請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の光電融合モジュールであって、
   前記電気集積回路基板の背面には、ヒートシンクが設けられている
   ことを特徴とする光電融合モジュール。

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