JP2015064842A - 温度制御装置および温度制御方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ペルチェ素子の両面の温度差を抑え、サーマルサイクルのように刻々と変化する目標温度に対して適切な制御を行う。【解決手段】温度制御装置1は、高温側の制御目標温度である第1の制御目標温度と低温側の制御目標温度である第2の制御目標温度とをくり返し切り替えて、温度制御対象物Aへの加熱および吸熱をおこなう。ペルチェ素子10は、一方の面を温度対象物Aと接し、電流の印加によって温度対象物への加熱および吸熱をおこなう。ヒートシンク11は、ペルチェ素子10の他方の面と接する。ヒートシンク11の温度は、第1の制御目標温度よりも低温かつ第2の制御目標温度よりも高温の所定温度に保たれており、ペルチェ素子10の両面の温度差は第1の制御目標温度と第2の制御目標温度との差分以下に抑えられる。【選択図】図2
Description
本発明は、ペルチェ素子を用いて温度制御対象物を加熱および吸熱する温度制御装置および温度制御方法に関する。
ペルチェ素子は、半導体ビスマステルルなどのペルチェ効果(ゼーベック効果)を利用したヒートポンプである。素子の形状は一般に板状であり、温度制御対象物に接する面とその裏面とを有する。温度制御対象物を吸熱するとき、温度制御対象物から吸熱された熱がペルチェ素子の裏面へ移動して、裏面の温度は上昇する。
セラミックヒーターなど、加熱のための素子はペルチェ素子の他にも多数存在するため、ペルチェ素子は単調な吸熱に使われることが多いが、原理的にペルチェ素子は、電流を流す向きを変えることで加熱と吸熱とを切り替えることができる。この特徴を活かして吸加熱ともにペルチェ素子を用いる温度制御方法が特許文献1に開示されている。
ペルチェ素子を用いた温度制御方法として、PID制御が知られている。PID制御では、ペルチェ素子の温度制御対象物に接する側の面の温度を測定してペルチェ素子に流す電流値を制御するが、ペルチェ素子の特性は両面の温度差に依存するので、このような一般的なPID制御が常に最適な制御にはならない。そのため、PID制御を拡張したペルチェ素子の制御方法が特許文献2に開示されている。
しかしながら、特許文献1はMRI装置の内部のワックスを30℃に維持するための発明であり、サーマルサイクルのように目標温度が刻々と変化する用途には十分に対応できない。
また、特許文献2は電流投入時を別扱いとし、その後にPID制御に移行する発明であるが、ペルチェ素子の両面の温度差がペルチェ素子の特性に与える影響は何ら改善されていない。
本発明はこのような状況を鑑みて為されたものであり、ペルチェ素子の両面の温度差を抑え、サーマルサイクルのように刻々と変化する目標温度に対して適切な制御を行うことを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、高温側の制御目標温度である第1の制御目標温度と低温側の制御目標温度である第2の制御目標温度とをくり返し切り替えて、温度制御対象物への加熱および吸熱をおこなう温度制御装置であって、一方の面を前記温度対象物と接し、電流の印加によって前記温度対象物への加熱および吸熱をおこなうペルチェ素子と、前記ペルチェ素子の他方の面と接するヒートシンクと、前記温度制御対象物の制御目標温度と前記温度制御対象物の現在温度とに基づいて、前記ペルチェ素子に印加する電流を制御する制御回路と、を備え、前記ヒートシンクの温度は、前記第1の制御目標温度よりも低温かつ前記第2の制御目標温度よりも高温の所定温度に保たれている、ことを特徴とする温度制御装置である。
また、本発明は、一方の面を温度制御対象物と接し、電流の印加によって前記温度制御対象物への加熱および吸熱をおこなうペルチェ素子と、前記ペルチェ素子の他方の面と接するヒートシンクと、前記温度制御対象物の制御目標温度に基づいて、前記ペルチェ素子に印加する電流を制御する制御回路と、を備える温度制御装置における温度制御方法であって、高温側の制御目標温度である第1の制御目標温度と、低温側の制御目標温度である第2の制御目標温度とを決定する制御目標温度決定工程と、前記ヒートシンクの温度を所定温度に保ちつつ、前記温度制御対象物の現在温度と前記制御目標温度とに基づいて、前記ペルチェ素子に印加する電流を制御する制御工程と、を含み、前記制御工程では、前記所定温度を、前記第1の制御目標温度よりも低温かつ前記第2の制御目標温度よりも高温とする、ことを特徴とする温度制御方法である。
また、本発明は、一方の面を温度制御対象物と接し、電流の印加によって前記温度制御対象物への加熱および吸熱をおこなうペルチェ素子と、前記ペルチェ素子の他方の面と接するヒートシンクと、前記温度制御対象物の制御目標温度に基づいて、前記ペルチェ素子に印加する電流を制御する制御回路と、を備える温度制御装置における温度制御方法であって、高温側の制御目標温度である第1の制御目標温度と、低温側の制御目標温度である第2の制御目標温度とを決定する制御目標温度決定工程と、前記ヒートシンクの温度を所定温度に保ちつつ、前記温度制御対象物の現在温度と前記制御目標温度とに基づいて、前記ペルチェ素子に印加する電流を制御する制御工程と、を含み、前記制御工程では、前記所定温度を、前記第1の制御目標温度よりも低温かつ前記第2の制御目標温度よりも高温とする、ことを特徴とする温度制御方法である。
本発明によれば、ペルチェ素子の両面の温度差を常に小さく保った状態で温度制御を行うため、刻々と変化するサーマルサイクルにおいて過渡時の温度のオーバーシュートを抑制し、安定時の温度の精度を高めることができる。
以下、本発明の一実施形態の温度制御装置について図を用いて説明する。
図1は温度制御装置の構成を示す図である。温度制御装置1は、ペルチェ素子10とヒートシンク11を備えている。ペルチェ素子10の一方の面には、ヒートスプレッダ12を介して温度制御対象物Aが配置されている。また、ペルチェ素子10の他方の面には、ヒートシンク11が配置されている。よって、ペルチェ素子10の一方の面の温度は、温度制御対象物Aの温度によって、ペルチェ素子10の他方の面の温度は、ヒートシンク11の温度によって、それぞれ近似できる。
図1は温度制御装置の構成を示す図である。温度制御装置1は、ペルチェ素子10とヒートシンク11を備えている。ペルチェ素子10の一方の面には、ヒートスプレッダ12を介して温度制御対象物Aが配置されている。また、ペルチェ素子10の他方の面には、ヒートシンク11が配置されている。よって、ペルチェ素子10の一方の面の温度は、温度制御対象物Aの温度によって、ペルチェ素子10の他方の面の温度は、ヒートシンク11の温度によって、それぞれ近似できる。
ヒートシンク11は、たとえばフィンとファンから成る空冷ヒートシンクである。ヒートスプレッダ12には温度センサー13が組み込まれており、温度センサー13とペルチェ素子10には制御回路14が接続されている。制御回路14は、温度センサー13によって計測される温度制御対象物Aの現在の温度と、あらかじめ設定された温度制御対象物Aの制御目標温度とに基づいて、ペルチェ素子10に印加する電流量および電流の向きを制御する。また、制御回路14は、ヒートシンク11にも接続されており、ヒートシンク11の温度に基づいてヒートシンク11の稼働状態を制御する。すなわち、制御回路14は、ヒートシンク11の温度を制御するヒートシンク制御部(図示なし)を備える。なお、ヒートシンク11の温度を計測する温度センサーを別途設けて、制御回路14と接続してもよい。また、制御回路14とヒートシンク11とを接続せずに、ヒートシンク11が常時一定の温度(たとえば室温近傍)に保たれるようにしてもよい。
すなわち、温度制御装置1は、温度制御対象物Aへの加熱および吸熱をおこなう装置であり、一方の面を温度対象物Aと接し、電流の印加によって温度対象物への加熱および吸熱をおこなうペルチェ素子10と、ペルチェ素子10の他方の面と接するヒートシンク11と、温度制御対象物Aの制御目標温度と温度制御対象物Aの現在温度とに基づいて、ペルチェ素子10に印加する電流を制御する制御回路14と、を備えている。
ペルチェ素子10の一般的な特性について下記式(1)を用いて説明する。下記式(1)では、ペルチェ素子10の吸加熱量Qを、ペルチェ素子10への入力電流Iinとペルチェ素子10の両面の温度差ΔTの関数として示す。より詳細には、右辺の第1項はペルチェ効果による熱移動量であり、第2項は抵抗発熱であり、第3項は通常の熱伝導である。なお、右辺第2項のRはペルチェ素子10の素子抵抗、右辺第3項のLはペルチェ素子10の熱コンダクタンスである。入力電流の向き(Iinの正負)を変えるとQの正負が変わるが、第2項は常に正なので、Qの変化は正負で対称的にならない。
ここで、温度制御装置1において、高温側の制御目標温度である第1の制御目標温度と低温側の制御目標温度である第2の制御目標温度とをくり返し切り替えて、吸熱工程および加熱工程を交互にくり返す場合について説明する。制御回路14には工程毎に最適化されたPIDパラメタ(PID制御値)が予め記憶されており、各工程の開始時に、制御目標温度(設定温度)とともに対応するPID制御値が読み込まれ更新される。PID制御値は、ヒートシンク11の温度(上記式(1)の右辺第3項)および吸加熱の差異(上記式(1)の右辺第2項)を考慮してそれぞれに最適化されている。また、ヒートシンク11の温度は、典型的に2つの制御目標温度(第1の制御目標温度および第2の制御目標温度)の間の所定温度になるように大まかに保たれている。
すなわち、ヒートシンク11の温度は、第1の制御目標温度よりも低温かつ第2の制御目標温度よりも高温の所定温度に保たれている。
すなわち、ヒートシンク11の温度は、第1の制御目標温度よりも低温かつ第2の制御目標温度よりも高温の所定温度に保たれている。
実施例1では、ヒートシンク11の温度が室温(たとえば25℃(15℃〜25℃)程度)に保たれている。この場合、制御回路14とヒートシンク11とが接続していなくてもよい。たとえば、ヒートシンク11を常時稼働させることによって、ヒートシンク11の温度を常温に保つことができる。第1の制御目標温度は40℃、第2の制御目標温度は13℃に設定される。
すなわち、ヒートシンクの温度は、室温に保たれており、第1の制御目標温度は室温よりも高温であり、第2の制御目標温度は室温よりも低温である。
すなわち、ヒートシンクの温度は、室温に保たれており、第1の制御目標温度は室温よりも高温であり、第2の制御目標温度は室温よりも低温である。
また、温度制御対象物Aを第1の制御目標温度とする工程を第1の温度制御工程、第2の制御目標温度とする工程を第2の温度制御工程とすると、制御回路14は、第1および第2の温度制御工程をたとえば67秒毎に切り替える。このとき、制御回路14は、第1および第2の温度制御工程の開始時に制御目標温度およびPID制御値を更新する。
すなわち、制御回路14は、ペルチェ素子10の素子特性に基づくPID制御値を用いてペルチェ素子10に印加する電流を制御し、制御目標温度が第1の制御目標温度と第2の制御目標温度との間で切り替えられる都度、PID制御値を変更する。
すなわち、制御回路14は、ペルチェ素子10の素子特性に基づくPID制御値を用いてペルチェ素子10に印加する電流を制御し、制御目標温度が第1の制御目標温度と第2の制御目標温度との間で切り替えられる都度、PID制御値を変更する。
これにより、ペルチェ素子10の両面の温度差は、第1の温度制御工程時で15℃程度(40℃−25℃)、第2の温度制御工程時で12℃程度(25℃−13℃)に保たれる。すなわち、ペルチェ素子10の両面の温度差は第1の制御目標温度と第2の制御目標温度との差分以下に抑えられる。
図2を用いて、ヒートシンク11が80℃に大まかに制御されており、第1の目標温度が95℃、第2の目標温度が68℃であり、第1および第2の温度制御工程を67秒毎に切り替える実施例について説明する。
本実施例では、温度制御対象物Aは化学反応用チップであり、化学反応用チップはポリプロピレン樹脂から成る厚さ1mmの円板で24個の微小反応槽が配置されており、それら微小反応槽に収められたDNA溶液に対して、PCR(ポリメラーゼ連鎖反応)を発生させるための温度制御を行う。
本実施例では、温度制御対象物Aは化学反応用チップであり、化学反応用チップはポリプロピレン樹脂から成る厚さ1mmの円板で24個の微小反応槽が配置されており、それら微小反応槽に収められたDNA溶液に対して、PCR(ポリメラーゼ連鎖反応)を発生させるための温度制御を行う。
図2は、ヒートシンク11および温度制御対象物であるチップの温度の時間変化を示すグラフであり、縦軸は温度、横軸は時間を示している。第1の温度制御工程がT1に開始されると、所定時間後に温度制御対象物Aの温度は第1の制御目標温度である95℃となる。時刻T1の67秒後の時刻T2に第2の温度制御工程が開始されると、所定時間後に温度制御対象物Aの温度は第2の制御目標温度である68℃となる。このとき、ペルチェ素子10の一方の面の温度も、同様に95℃および68℃と近似できる。
一方で、ヒートシンク11の温度は、常時80℃に保たれている。すなわち、ペルチェ素子10の他方の面の温度は、常時80℃に保たれている。
よって、ペルチェ素子10の両面の温度差は、第1の温度制御工程では15℃、第2の温度制御工程では12℃となる。すなわち、ペルチェ素子10の両面の温度差は第1の制御目標温度と第2の制御目標温度との差分以下に抑えられる。
一方で、ヒートシンク11の温度は、常時80℃に保たれている。すなわち、ペルチェ素子10の他方の面の温度は、常時80℃に保たれている。
よって、ペルチェ素子10の両面の温度差は、第1の温度制御工程では15℃、第2の温度制御工程では12℃となる。すなわち、ペルチェ素子10の両面の温度差は第1の制御目標温度と第2の制御目標温度との差分以下に抑えられる。
なお、実施例2においても、制御回路14は、予め記憶されたPID制御値から、温度制御対象物Aとヒートシンク11との温度差、すなわちペルチェ素子10の両面の温度差に基づいて適切なPID制御値を読み出し、第1および第2の温度制御工程の開始時に制御目標温度およびPID制御値を更新する。
つぎに、比較例として、図3を用いて従来の温度制御方法を説明する。
図3に示す従来の温度制御方法においても、図2と同様に、第1の目標温度を95℃、第2の目標温度を68℃とし、第1および第2の温度制御工程を67秒毎に切り替えている。ただし、ヒートシンク11には特に制御をおこなっておらず、ヒートシンク11の温度は室温近傍となっている。
図3に示すように、第1の温度制御工程がT1’に開始されると、所定時間後に温度制御対象物Aの温度は第1の制御目標温度である95℃となる。時刻T1’の67秒後の時刻T2’に第2の温度制御工程が開始されると、所定時間後に温度制御対象物Aの温度は第2の制御目標温度である68℃となる。このとき、ペルチェ素子10の一方の面の温度も、同様に95℃および68℃と近似できる。
一方で、ヒートシンク11の温度は、常時常温である25℃となっている。すなわち、ペルチェ素子10の他方の面の温度は、常時25℃となっている。
よって、ペルチェ素子10の両面の温度差は、第2の温度制御工程では43℃、第1の温度制御工程では70℃に達する。
この温度差70℃とは、ペルチェ素子10の限界温度差に近い値であり、温度の応答速度や精度、ひいてはPCR反応に対して負の影響を及ぼす。
図3に示す従来の温度制御方法においても、図2と同様に、第1の目標温度を95℃、第2の目標温度を68℃とし、第1および第2の温度制御工程を67秒毎に切り替えている。ただし、ヒートシンク11には特に制御をおこなっておらず、ヒートシンク11の温度は室温近傍となっている。
図3に示すように、第1の温度制御工程がT1’に開始されると、所定時間後に温度制御対象物Aの温度は第1の制御目標温度である95℃となる。時刻T1’の67秒後の時刻T2’に第2の温度制御工程が開始されると、所定時間後に温度制御対象物Aの温度は第2の制御目標温度である68℃となる。このとき、ペルチェ素子10の一方の面の温度も、同様に95℃および68℃と近似できる。
一方で、ヒートシンク11の温度は、常時常温である25℃となっている。すなわち、ペルチェ素子10の他方の面の温度は、常時25℃となっている。
よって、ペルチェ素子10の両面の温度差は、第2の温度制御工程では43℃、第1の温度制御工程では70℃に達する。
この温度差70℃とは、ペルチェ素子10の限界温度差に近い値であり、温度の応答速度や精度、ひいてはPCR反応に対して負の影響を及ぼす。
このように、本発明によれば、ペルチェ素子10の両面の温度差を常に小さく保った状態で温度制御を行うため、刻々と変化するサーマルサイクルにおいて過渡時の温度のオーバーシュートを抑制し、安定時の温度の精度を高めることができる。
ペルチェ素子を用いた、迅速で正確な温度制御を行う装置に利用できる。特に、PCR用の温度制御装置に利用できる。
10…ペルチェ素子、11…ヒートシンク、12…ヒートスプレッダ、13…温度センサー、14…制御回路、A…温度制御対象物。
Claims (7)
- 高温側の制御目標温度である第1の制御目標温度と低温側の制御目標温度である第2の制御目標温度とをくり返し切り替えて、温度制御対象物への加熱および吸熱をおこなう温度制御装置であって、
一方の面を前記温度対象物と接し、電流の印加によって前記温度対象物への加熱および吸熱をおこなうペルチェ素子と、
前記ペルチェ素子の他方の面と接するヒートシンクと、
前記温度制御対象物の制御目標温度と前記温度制御対象物の現在温度とに基づいて、前記ペルチェ素子に印加する電流を制御する制御回路と、を備え、
前記ヒートシンクの温度は、前記第1の制御目標温度よりも低温かつ前記第2の制御目標温度よりも高温の所定温度に保たれている、
ことを特徴とする温度制御装置。 - 前記ヒートシンクの温度は、室温に保たれており、
前記第1の制御目標温度は前記室温よりも高温であり、前記第2の制御目標温度は前記室温よりも低温である、
ことを特徴とする請求項1記載の温度制御装置。 - 前記制御回路は、前記ヒートシンクの温度を制御するヒートシンク制御部を備え、
前記ヒートシンク制御部は、前記ヒートシンクの温度を前記第1の制御目標温度よりも低温、かつ前記第2の制御目標温度よりも高温の前記所定温度に保つ、
ことを特徴とする請求項1または2記載の温度制御装置。 - 前記制御回路は、前記ペルチェ素子の素子特性に基づくPID制御値を用いて前記ペルチェ素子に印加する電流を制御し、前記制御目標温度が前記第1の制御目標温度と前記第2の制御目標温度との間で切り替えられる都度、前記PID制御値を変更する、
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載の温度制御装置。 - 一方の面を温度制御対象物と接し、電流の印加によって前記温度制御対象物への加熱および吸熱をおこなうペルチェ素子と、前記ペルチェ素子の他方の面と接するヒートシンクと、前記温度制御対象物の制御目標温度に基づいて、前記ペルチェ素子に印加する電流を制御する制御回路と、を備える温度制御装置における温度制御方法であって、
高温側の制御目標温度である第1の制御目標温度と、低温側の制御目標温度である第2の制御目標温度とを決定する制御目標温度決定工程と、
前記ヒートシンクの温度を所定温度に保ちつつ、前記温度制御対象物の現在温度と前記制御目標温度とに基づいて、前記ペルチェ素子に印加する電流を制御する制御工程と、を含み、
前記制御工程では、前記所定温度を、前記第1の制御目標温度よりも低温かつ前記第2の制御目標温度よりも高温とする、
ことを特徴とする温度制御方法。 - 前記制御目標温度決定工程では、前記第1の制御目標温度を室温よりも高温とし、前記第2の制御目標温度を前記室温よりも低温とし、
前記制御工程では、前記ヒートシンクの温度を前記室温に保つ、
ことを特徴とする請求項5記載の温度制御方法。 - 前記制御工程では、前記ペルチェ素子の素子特性に基づくPID制御値を用いて前記ペルチェ素子に印加する電流を制御し、前記制御目標温度が前記第1の制御目標温度と前記第2の制御目標温度との間で切り替えられる都度、前記PID制御値を変更する、
ことを特徴とする請求項5または6記載の温度制御装置。
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WO2016117334A1 (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-28 | 凸版印刷株式会社 | 温度制御装置および温度制御方法 |
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