JP2015046548A - 導電性ブリッジメモリ装置及び同装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
金が、前記第2の金属としては、Pt、Au、Ir、Ru、Rh、Pd等又はこれら金属の合金がそれぞれ利用可能である。
本発明の第1実施形態による導電性ブリッジメモリ装置について図2乃至図9を用いて説明する。
モリ層に用い、そこに非極性性から強極性の有機溶媒、酸・塩基・塩類の水溶液、イオン液体等、金属イオンの電気化学的形成や移動に影響しうる溶媒を吸収、保持させる点が従来構造と異なる。
行なうが、注意すべき点は、選択ビット線に印加する(ソース線に対する)バイアス電圧はsetの場合と正負が逆になる。即ち、上部電極が電極Aの場合、選択ビット線に印加するバイアス電圧はソース線に対して負の値となるよう設定する。例えば、選択ビット線を接地電位0V、ソース線を正の値となるよう設定する。その後、バイアス電圧を0Vに戻せばresetが完了する。
[bmim]: ヘキサフルオロリン酸1-ブチル-3-メチルイミダゾリウム(BMIM-PF6) 1-buthyl-3methtlimidazolium
[TFSA]: 1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビス(トリ フルオロメタンスルホニル)イミド bis(trifkuoromethane sulfonyl)imide。[TFSI]とも表記される。
[PIME]: N-diethyl-Nmethul-N(-2-methoxyethyl)ammonium。[DEME]とも表記される。
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
2: 可変抵抗素子(=CB-RAM素子)
3: セル選択トランジスタ
4: ビット線選択トランジスタ
WL、WL1、WL2: ワード線
BL、BL1〜BL2: ビット線
SL、SL1、SL2: ソース線
Claims (5)
- 電気化学的に活性でイオン化し易い第1の金属と電気化学的に安定な第2の金属との間にメモリ層となる多孔質膜体を介在させると共に、前記多孔質膜体の細孔中に非極性性から強極性の有機溶媒もしくは酸・塩基・塩類の水溶液またはイオン液体を留保させたことを特徴とする導電性ブリッジメモリ装置。
- 前記第1の金属が、Cu、Ag、Ti、Zn、Vであることを特徴とする請求項1に記載の導電性ブリッジメモリ装置。
- 前記第2の金属が、Pt、Au、Ir、Ru、Rh、Pdであることを特徴とする請求項1または2に記載の導電性ブリッジメモリ装置。
- 電気化学的に活性でイオン化し易い第1の金属と電気化学的に安定な第2の金属との間に多孔質膜体を介在させると共に、前記多孔質膜体の細孔中に非極性性から強極性の有機溶媒もしくは酸・塩基・塩類の水溶液またはイオン液体を留保させたことを特徴とするスイッチ素子。
- 電気化学的に活性でイオン化し易い第1の金属上にメモリ層となる多孔質膜体を形成し、前記多孔質膜体上に非極性性から強極性の有機溶媒もしくは酸・塩基・塩類の水溶液またはイオン液体を滴下または塗布し、前記非極性性から強極性の有機溶媒もしくは酸・塩基・塩類の水溶液またはイオン液体を前記多孔質膜体内に吸収させ、前記多孔質膜体上に電気化学的に安定な第2の金属を形成することを特徴とする導電性ブリッジメモリ装置の製造方法。
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