JP2015041766A - 光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
DA=1の条件においては,η=37%となる。
(1)前記III族窒化物半導体の内、GaN、InN、もしくはAlNからなる混晶化合物半導体にて発光する光半導体装置にあって、発光部に存在する結晶欠陥密度の最小値が104から108cm−2へと1桁ずつ増加した場合に、発光部面積の最大値が夫々に対応して107から103μm2以下(円形発光部の場合は発光径3.6mmφから0.036mmφ以下)へと1桁ずつ縮小する発光部面積領域に限定されることが明確になった。
(2)前記II−VI族化合物半導体の内、ZnO、ZnS、ZnSe、CdO、MgO、MgZnO、MgS、MgSe、もしくはCdSからなる混晶化合物半導体にて発光する光半導体装置にあって、発光部に存在する結晶欠陥密度の最小値が104から108cm−2へと1桁ずつ増加した場合に、発光部面積の最大値が夫々に対応して107から103μm2以下(円形発光部の場合は発光径3.6mmφから0.036mmφ以下)へと1桁ずつ縮小する発光部面積領域に限定されることが明確になった。
(3)前記III−V族化合物半導体の内、GaAs、InAs、AlAs、もしくはInPからなる混晶化合物半導体にて発光する光半導体装置にあって、発光部に存在する結晶欠陥密度の最小値が10から105cm−2へと1桁ずつ増加した場合に、発光部面積の最大値が夫々に対応して107から103μm2以下(円形発光部の場合は発光径3.6mmφから0.036mmφ以下)へと1桁ずつ縮小する発光部面積領域に限定されることが明確になった。
Claims (8)
- 基板上にp型半導体を備えてなるp型電極とn型半導体を備えてなるn型電極を夫々設けてある光半導体装置にあって、発光部に存在する結晶欠陥密度の最小値を超えた場合に、発光部面積の最大値を限定して形成してなる光半導体装置。
- 前記基板として、サファイア(Al2O3)、SiC、GaN、Ga2O3、ZnO、GaAs、InP、Si等の種々の単結晶材料を使用する、もしくは、前記単結晶材料を種々の前記単結晶材料の多結晶材料の上に接合形成・一体化した材料を使用する、もしくは、前記単結晶材料を種々の前記単結晶材料の非結晶材料の上に接合形成・一体化した材料を使用する請求項1記載の半導体装置。
- 基板上にp型半導体を備えてなるp型電極とn型半導体を備えてなるn型電極を夫々設けてある光半導体装置にあって、発光層と基板との間に結晶欠陥低減のための緩衝層(バッファ層)を形成してなる光半導体装置にあって、請求項1、または2記載の半導体装置。
- 可視光線又は紫外光線を発光可能なIII族窒化物半導体、もしくは、II−VI族化合物半導体を基板上に形成し、p型半導体を備えてなるp型電極とn型半導体を備えてなるn電極を夫々設けてある光半導体装置にあって、請求項1、2、または3記載の光半導体装置。
- 可視光線又は赤外光線を発光可能なIII−V族化合物半導体を基板上に形成し、p型半導体を備えてなるp型電極とn型半導体を備えてなるn電極を夫々設けてある
光半導体装置にあって、請求項1、2、または3記載の光半導体装置。 - 前記III族窒化物半導体の内、GaN,InN,もしくはAlNからなる混晶化合物半導体にて発光する光半導体装置にあって、発光部に存在する結晶欠陥密度の最小値が104から108cm−2へと1桁ずつ増加した場合に、発光部面積の最大値が夫々に対応して107から103(μm2)以下1桁ずつ縮小するように発光部面積領域を限定して形成してなる光半導体装置にあって、請求項1、2、3、または4記載の光半導体装置。
- 前記II−VI族化合物半導体の内、ZnO、ZnS、ZnSe、CdO,MgO、MgZnO、MgS、MgSe、もしくはCdSからなる混晶化合物半導体にて発光する光半導体装置にあって、発光部に存在する結晶欠陥密度の最小値が104から108cm−2へと1桁ずつ増加した場合に、発光部面積の最大値が夫々に対応して107から103(μm2)以下に1桁ずつ縮小するように発光部面積領域を限定して形成してなる光半導体装置にあって、請求項1、2、3、または4記載の光半導体装置。
- 前記III−V族化合物半導体の内、GaAs、InAs、AlAs、もしくはInPからなる混晶化合物半導体にて発光する光半導体装置にあって、発光部に存在する結晶欠陥密度の最小値が101から105cm−2へと1桁ずつ増加した場合に、発光部面積の最大値が夫々に対応して107から103(μm2)以下に1桁ずつ縮小するように発光部面積領域を限定して形成してなる光半導体装置にあって、請求項1、2、3、または5記載の光半導体装置
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JP2013183444A JP2015041766A (ja) | 2013-08-20 | 2013-08-20 | 光半導体装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10707357B2 (en) | 2018-05-14 | 2020-07-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS6181676A (ja) * | 1984-09-01 | 1986-04-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
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2013
- 2013-08-20 JP JP2013183444A patent/JP2015041766A/ja active Pending
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