TW201717428A - 發光模組 - Google Patents
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Abstract
一種發光模組，包括驅動單元以及發光二極體。發光二極體電性連接於驅動單元，且驅動單元提供操作電流用以使發光二極體電激發光。發光二極體包括N型半導體層、發光層、電子阻擋層以及P型半導體層。電子阻擋層具有一厚度，且厚度小於等於30奈米或大於等於80奈米。發光層位於電子阻擋層與N型半導體層之間。電子阻擋層位於P型半導體層與發光層之間。發光二極體的電流密度與厚度的比例大於0且小於或等於2。
Description
本發明是有關於一種發光模組，且特別是有關於一種具有發光二極體的發光模組。
隨著光電技術的演進，發光二極體（Light Emitting Diode, LED）具有諸如壽命長、體積小、高抗震性、高光效率及低功率消耗等優點，傳統的白熾燈泡與螢光燈管已經逐漸被發光二極體所取代。因此，發光二極體已經在各種不同的照明領域中被廣泛地使用。
然而，現階段的發光二極體仍面臨到許多技術上的挑戰，而發光二極體的效率衰退（Efficiency Droop）效應為其中之一。具體而言，當發光二極體在低電流密度的操作範圍時，會對應一個外部量子效率（External Quantum Efficiency, EQE）的峰值。但隨著發光二極體的電流密度持續升高，外部量子效率會隨之下降，而此現象即為發光二極體的效率衰退效應。
一般來說，為了使發光二極體達到高亮度發光，發光二極體的電流密度常是在高電流密度的操作範圍。由於上述所提到的效率衰退效應，發光二極體在高電流密度的操作範圍下的外部量子效率受到限制，無法進一步地提升發光二極體的發光效率。因此，發展一個在不同電流密度的操作條件下，皆能有理想的發光效率的發光二極體係為目前研發人員亟欲解決的問題之一。
本發明提供一種發光模組，其具有理想的發光效率。
本發明的發光模組，包括驅動單元以及發光二極體。發光二極體電性連接於驅動單元。驅動單元提供操作電流用以使發光二極體電激發光。發光二極體包括N型半導體層、發光層、電子阻擋層以及P型半導體層。電子阻擋層具有一厚度，且厚度小於等於30奈米或大於等於80奈米。發光層位於電子阻擋層與N型半導體層之間，電子阻擋層位於P型半導體層與發光層之間，且發光二極體的電流密度D（安培/平方公分）與厚度t（奈米）的比例（安培/平方公分-奈米）大於0且小於或等於2。
在本發明的一實施例中，上述的電流密度是落在0.001安培/平方公分至4安培/平方公分的範圍內，且厚度落在2奈米至30奈米的範圍內。
在本發明的一實施例中，上述的發光層為多重量子井結構，多重量子井結構包括交替設置的多個量子井層和多個量子阻障層，且厚度落在單個量子井層的厚度的0.3倍至8倍的範圍內。
在本發明的一實施例中，上述的電流密度與厚度t的比例是落在0.166至0.875的範圍內，電流密度是落在25安培/平方公分至70安培/平方公分的範圍內，且厚度落在80奈米至150奈米的範圍內。
在本發明的一實施例中，上述的發光層為多重量子井結構，該多重量子井結構包括交替設置的多個量子井層和多個量子阻障層，且厚度落在單個量子井層的厚度的15倍至40倍的範圍內。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體的外部量子效率曲線的最高峰值所對應的電流密度是落在0.01安培/平方公分至3安培/平方公分的範圍內。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體為微型發光二極體，且微型發光二極體的邊長尺寸是落在3微米至40微米的範圍內。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體的磊晶缺陷密度是落在103
/平方公分至108
/平方公分的範圍內。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體的外部量子效率曲線的最高峰值所對應的電流密度是落在3安培/平方公分至10安培/平方公分的範圍內。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體的邊長尺寸是落在0.2公釐至2公釐的範圍內。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體更包括第一電極與第二電極。第一電極電性連接於N型半導體層。第二電極電性連接於P型半導體層。驅動單元分別藉由第一電極與第二電極電性連接於N型半導體層與P型半導體層。
在本發明的一實施例中，上述的電子阻擋層的材料包括P型氮化鋁鎵。
在本發明的一實施例中，上述的電子阻擋層為超晶格結構。
在本發明的一實施例中，上述的N型半導體層的材料包括N型氮化鎵。
在本發明的一實施例中，上述的P型半導體層的材料包括P型氮化鎵。
在本發明的一實施例中，上述的發光層包括交替堆疊的多層氮化銦鎵層以及多層氮化鎵層。
基於上述，本發明的實施例的發光模組根據發光二極體不同的電流密度操作範圍以設計發光模組中的發光二極體中的電子阻擋層的厚度，以達到較理想的外部量子效率，進而發光模組中的發光二極體具有較理想的發光效率。如此一來，在不同的電流密度的操作範圍下，發光模組中的發光二極體皆具有一個理想的發光效率。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1繪示為本發明一實施例的發光模組的示意圖。請參照圖1，發光模組10包括發光二極體100以及驅動單元200。發光二極體100電性連接於驅動單元200，且驅動單元200提供一操作電流I用以使發光二極體100電激發光。應注意的是，在本實施例中，僅舉一個發光二極體為例，本發明並不以發光二極體的數量為限。
應注意的是，發光二極體100可以具有不同的形式，本實施例的發光二極體100的形式可以是水平式發光二極體、垂直式發光二極體或是其他不同種類的發光二極體。以下的實施例以水平式發光二極體與垂直式發光二極體為例說明。
圖2繪示為本發明一實施例的發光模組中的發光二極體剖面示意圖。請同時參照圖1與圖2，在本實施例中，發光模組10中的發光二極體100a係為水平式的發光二極體，且是一種可以應用於打線封裝或覆晶封裝的發光二極體。發光二極體100a包括N型半導體層110、發光層120、電子阻擋層130、P型半導體層140、第一電極150以及第二電極160。電子阻擋層130具有一厚度t，厚度t小於等於30奈米或大於等於80奈米。具體而言，N型半導體層110包括第一部分112以及第二部分114，第二部分114由第一部分112向外延伸而凸出於發光層120的面積以電性連接於第一電極150。發光層120位於電子阻擋層130與N型半導體層110之間，且電子阻擋層130位於P型半導體層140與發光層120之間。換言之，發光層120、電子阻擋層130、P型半導體層140依序疊置於第一部分112上。第二電極160電性連接於P型半導體層140。應注意的是，發光層120、電子阻擋層130、P型半導體層140、第一電極150以及第二電極160位於N型半導體層110的第一側S1。發光二極體100的電流密度D（安培/平方公分）與厚度t（奈米）的比例（安培/平方公分-奈米）大於0且小於或等於2。
具體而言，驅動單元200電性連接於第一電極150和第二電極160，且驅動單元200分別藉由第一電極150與第二電極160電性連接於N型半導體層110與P型半導體層140。如此一來，驅動單元200所提供的操作電流I的電流流向依序由第二電極160、P型半導體層140、電子阻擋層130、發光層120、N型半導體層110流向至第一電極150。
在本實施例中，N型半導體層110其材料可包括N型Ⅱ-Ⅵ族材料（例如：N型鋅化硒（ZnSe））或N型Ⅲ-Ⅴ氮族化物材料（例如：N型氮化鎵（GaN）、N型氮化鋁（AlN）、N型氮化銦（InN）、N型氮化銦鎵（InGaN）、N型氮化鋁鎵（AlGaN）或N型氮化鋁銦鎵（AlInGaN），較佳為N型氮化鎵層（n-GaN），而P型半導體層140其材料可包括Ｐ型Ⅱ-Ⅵ族材料（例如：Ｐ型鋅化硒（ZnSe））或Ｐ型Ⅲ-Ⅴ氮族化物材料（例如：Ｐ型氮化鎵（GaN）、Ｐ型氮化鋁（AlN）、Ｐ型氮化銦（InN）、Ｐ型氮化銦鎵（InGaN）、Ｐ型氮化鋁鎵（AlGaN）或Ｐ型氮化鋁銦鎵（AlInGaN），較佳為P型氮化鎵層（p-GaN），但本發明並不以此為限。
請再參照圖2，詳細來說，本實施例的發光二極體100a更包括緩衝層170以及基板SUB，其中緩衝層170以及基板SUB位於N型半導體層110相對於其第一側S1的第二側S2，且緩衝層170位於N型半導體層110與基板SUB之間。基板SUB的材質例如是藍寶石基板（sapphire substrate）、矽、碳化矽（SiC）、砷化鎵（GaAs）、玻璃、陶瓷或晶格結構與N型半導體層110匹配的其它材質。此外，晶格常數接近於N型半導體層110之單晶化合物亦適於做為基板SUB之材質，例如是氮化鎵（GaN）基板。緩衝層170用以提供適當應力釋放並且改善後續形成的薄膜的磊晶品質，其中緩衝層170的材料例如是包括未刻意摻雜的氮化鎵（unintentionally doped GaN, u-GaN）。
在一實施例中，發光層120的結構例如是多層量子井結構（Multiple Quantum Well, MQW），其中多重量子井結構包括以重複的方式交替設置的多個量子井層（Well）和多個量子阻障層（Barrier），此設計更可以有效地提升發光二極體100a的發光效率。一般來說，量子阻障層（Barrier）的厚度大於量子井層（Well）的厚度，其中每一量子井層（Well）的厚度落在1奈米至8 奈米的範圍內，每一量子阻障層（Barrier）的厚度落在5奈米至15 奈米的範圍內。進一步來說，發光層120的材料例如是包括交替堆疊的多層氮化銦鎵（InGaN）以及多層氮化鎵（GaN），藉由設計發光層120中銦或鎵的比例，可使發光層120發出不同的發光波長範圍。在其他實施例中，發光層120的結構例如是單一量子井結構（Single Quantum Well, SQW）。應注意的是，關於上述所舉的發光層120的材料僅為舉例，本發明的發光層120的材料並不以氮化銦鎵與氮化鎵為限。
在本實施例中，由於電子阻擋層130配置於P型半導體層140與發光層120之間，此配置能夠更有效地阻擋由N型半導體層110所發出的電子往P型半導體層140移動，使更多的電子電洞對被侷限在發光層120中，以提高電子電洞復合的機率，增加發光二極體100a的發光效率。具體而言，在本實施例中，電子阻擋層130的能隙（bandgap）大於發光層120的能隙，電子阻擋層130的材料例如是包括P型氮化鎵（GaN）、P型氮化鋁（AlN）、P型氮化鋁鎵（AlGaN）或P型氮化鋁銦鎵（AlInGaN），較佳為P型氮化鋁鎵，但本發明並不以此為限。此外，電子阻擋層130為超晶格結構（Superlattice Structure）。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的部分元件標號與部分內容來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明，關於相同的元件名稱可以參考前述實施例的部分內容，下述實施例不再重複贅述。
圖3繪示為本發明一實施例的發光模組中的發光二極體剖面示意圖。在本實施例中，發光模組10中的發光二極體100b與圖2繪示的發光二極體100a兩者之間的主要差異在於：發光二極體100b係為一垂直式的發光二極體，其中第一電極150位於第二側S2，而發光層120、電子阻擋層130、P型半導體層140以及第二電極160則位於第一側S1。接著，在本實施例中，基板SUB位於N型半導體層110與第一電極150之間，其中基板SUB可為導電基板。換言之，第一電極150與N型半導體層110分別配置基板SUB的相對兩表面上。
圖4繪示為本發明不同實施例的發光模組中的發光二極體的外部量子效率對發光二極體的電流密度的關係圖。在圖4所繪示的不同的實施例中，圖4中所繪示的實線代表的是發光二極體的電子阻擋層130的厚度t為2奈米，其對應的外部量子效率對電流密度D的關係圖；而圖4中所繪示的虛線代表的是發光二極體的電子阻擋層130的厚度t為150奈米，其對應的外部量子效率對電流密度D的關係圖。
請再參照圖4，在電流密度D落在0.001安培/平方公分至4安培/平方公分的操作範圍中，相較於具有較厚的電子阻擋層130的厚度t（150奈米）的發光二極體，具有較薄的電子阻擋層130的厚度t（2奈米）的發光二極體則具有較高的外部量子效率；而在電流密度D大於20安培/平方公分的操作範圍中，相對於具有較薄的電子阻擋層130的厚度t（2奈米）的發光二極體，具有較厚的電子阻擋層130的厚度t（150奈米）的發光二極體則具有較高的外部量子效率。
因此，在較低的電流密度D的操作範圍下（0.001安培/平方公分至4安培/平方公分的範圍內），相較於具有較厚的電子阻擋層130的厚度t（150奈米）的發光二極體來說，具有較薄的電子阻擋層130的厚度t（2奈米）的發光二極體具有較高的外部量子效率；但是在較高的電流密度D的操作範圍下（20安培/平方公分至70安培/平方公分的範圍內），具有較薄的電子阻擋層130的厚度t（2奈米）的發光二極體的外部量子效率隨著電流密度D的增加下跌的較快，換言之，隨著電流密度D的增加，具有較薄的電子阻擋層130的厚度t（2奈米）的發光二極體的外部量子效率的效率衰退（Efficiency Droop）效應較明顯。另一方面，在較低的電流密度D的操作範圍下（0.001安培/平方公分至4安培/平方公分的範圍內），相較於具有較薄的電子阻擋層130的厚度t的發光二極體，具有較厚的電子阻擋層130的厚度t的發光二極體具有較低的外部量子效率，但是在較高的電流密度D的操作範圍下（20安培/平方公分至70安培/平方公分的範圍內），具有較厚的電子阻擋層130的厚度t的發光二極體的外部量子效率較高且其外部量子效率隨著電流密度D的增加下跌的較慢。換言之，隨著電流密度D的增加，其外部量子效率的效率衰退（Efficiency Droop）效應較不明顯。所以，具有較薄的電子阻擋層130的厚度的發光二極體適用於較低的電流密度D的操作範圍（0.001安培/平方公分至4安培/平方公分的範圍內），而具有較厚的電子阻擋層130的厚度的發光二極體則適用於較高的電流密度D的操作範圍（20安培/平方公分至70安培/平方公分的範圍內）。
圖5繪示為本發明不同實施例的發光模組中的發光二極體的外部量子效率對操作發光二極體的電流密度的關係圖。在圖5所繪示的不同的實施例中，圖5中所繪示的實線代表的是發光二極體的電子阻擋層130的厚度t為2奈米，其對應的外部量子效率對電流密度D的關係圖；而圖5所繪示的虛線代表的是發光二極體的電子阻擋層130的厚度t為30奈米，其對應的外部量子效率對電流密度D的關係圖。首先，由圖5可看出，總體來說，在不同的電流密度的操作範圍下，具有電子阻擋層130的厚度t為2奈米的發光二極體與具有電子阻擋層130的厚度t為30奈米的發光二極體兩者的外部量子效率的表現狀況皆類似。詳言之，在較低的電流密度D的操作範圍下（0.001安培/平方公分至4安培/平方公分的範圍內），兩者的外部量子效率皆較高；而在較高的電流密度D的操作範圍下（20安培/平方公分至70安培/平方公分的範圍內），兩者的外部量子效率皆較低。此外，隨著電流密度D的增加，兩者的外部量子效率的效率衰退（Efficiency Droop）效應較為明顯。因此，具有電子阻擋層130的厚度t是落在2奈米至30奈米的範圍的發光二極體的電子阻障層130適用於較低的電流密度D的操作範圍。更進一步來說，電子阻擋層130的厚度t可對應發光層120中的量子井層（Well）的厚度來設計。較佳地，電子阻擋層130的厚度t落在發光層120中單個量子井層（Well）的厚度的0.3倍至8倍的範圍內。
值得一提的是，電子阻擋層130的厚度t是落在2奈米至30奈米的範圍內所對應的發光二極體，其外部量子效率曲線的最高峰值所對應的電流密度D是落在0.01安培/平方公分至3安培/平方公分的範圍內。此外，上述範圍內所對應的發光二極體為微型發光二極體，且微型發光二極體的邊長尺寸是落在3微米至40微米的範圍內。另一方面，上述範圍內所對應的發光二極體的磊晶缺陷密度是落在103
/平方公分至108
/平方公分的範圍內。
圖6繪示為本發明不同實施例的發光模組中的發光二極體的外部量子效率對發光二極體的電流密度的關係圖。圖6中所繪示的實線代表的是發光二極體的電子阻擋層130的厚度t為80奈米，其對應的外部量子效率對電流密度D的關係圖；而圖6所繪示的虛線代表的是發光二極體的電子阻擋層130的厚度t為150奈米，其對應的外部量子效率對電流密度D的關係圖。首先，由圖6可看出，總體來說，在不同的電流密度的操作範圍下，具有電子阻擋層130的厚度t為80奈米的發光二極體與具有電子阻擋層130的厚度t為150奈米的發光二極體兩者的外部量子效率的表現狀況類似。詳言之，在較低的電流密度D的操作範圍下（0.001安培/平方公分至4安培/平方公分的範圍內），兩者的外部量子效率較低；而在較高的電流密度D的操作範圍下（20安培/平方公分至70安培/平方公分的範圍內），兩者的外部量子效率較高。此外，隨著電流密度D的增加，兩者的外部量子效率的效率衰退（Efficiency Droop）效應較不明顯。因此，具有電子阻擋層130的厚度t是落在80奈米至150奈米的範圍內的發光二極體的電子阻障層130適用於較高的電流密度D的操作範圍。更進一步來說，電子阻擋層130的厚度t可對應發光層120中的量子井層（Well）的厚度來設計。較佳地，電子阻擋層130的厚度t落在發光層120中單個量子井層（Well）的厚度的15倍至40倍的範圍內。
值得一提的是，當電子阻擋層130的厚度t落在80奈米至150奈米的範圍內所對應的發光二極體，發光二極體的外部量子效率曲線的最高峰值所對應的電流密度D是落在3安培/平方公分至10安培/平方公分的範圍內。此外，上述範圍內所對應的發光二極體的邊長尺寸是落在0.2公釐至2公釐的範圍內。
換言之，本發明的發光模組10根據發光二極體的不同的電流密度D操作範圍以設計發光模組10中的發光二極體中的電子阻擋層130的厚度t，以達到一個理想的外部量子效率，進而提昇發光二極體的發光效率。整體來說，本發明的實施例的發光二極體的電流密度D與電子阻擋層130的厚度t的比例（安培/平方公分-奈米）大於0且小於或等於2，具有較理想的發光效率。詳細來說，發光二極體的電流密度D是落在0.001安培/平方公分至4安培/平方公分的範圍內，厚度t落在2奈米至30奈米的範圍內，則具有較理想的發光效率；而發光二極體的電流密度D與厚度t的比例（安培/平方公分-奈米）是落在 0.133 至0.875 的範圍內，發光二極體的電流密度D是落在20安培/平方公分至70安培/平方公分的範圍內，且厚度t則落在80奈米至150奈米的範圍內，則具有較理想的發光效率。如此一來，在發光二極體的不同的電流密度D操作範圍下，發光模組10中的發光二極體皆具有理想的發光效率。
需注意的是，發光二極體的種類可以是上述所提到的發光二極體100a或發光二極體100b，也就是水平式發光二極體或垂直式發光二極體，而上述實施例的發光模組中的不同形式的發光二極體僅為舉例，也可以是覆晶式的發光二極體，本發明並不以此為限。
綜上所述，本發明的實施例的發光模組根據發光二極體不同的電流密度操作範圍以設計發光模組中的發光二極體中的電子阻擋層的厚度，以達到較理想的外部量子效率，進而提昇發光模組中的發光二極體的發光效率。如此一來，在不同的電流密度操作範圍下，發光模組中的發光二極體皆具有一個理想的發光效率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧發光模組
100a、100b‧‧‧發光二極體
110‧‧‧N型半導體層
112‧‧‧第一部分
114‧‧‧第二部分
120‧‧‧發光層
130‧‧‧電子阻擋層
140‧‧‧P型半導體層
150‧‧‧第一電極
160‧‧‧第二電極
170‧‧‧緩衝層
200‧‧‧驅動單元
D‧‧‧電流密度
t‧‧‧厚度
I‧‧‧操作電流
S1‧‧‧第一側
S2‧‧‧第二側
SUB‧‧‧基板
100a、100b‧‧‧發光二極體
110‧‧‧N型半導體層
112‧‧‧第一部分
114‧‧‧第二部分
120‧‧‧發光層
130‧‧‧電子阻擋層
140‧‧‧P型半導體層
150‧‧‧第一電極
160‧‧‧第二電極
170‧‧‧緩衝層
200‧‧‧驅動單元
D‧‧‧電流密度
t‧‧‧厚度
I‧‧‧操作電流
S1‧‧‧第一側
S2‧‧‧第二側
SUB‧‧‧基板
圖1繪示為本發明一實施例的發光模組的示意圖。 圖2與圖3繪示為本發明不同實施例的發光模組中的發光二極體的剖面示意圖。 圖4、圖5與圖6繪示為本發明不同實施例的發光模組中的發光二極體的外部量子效率對發光二極體的電流密度的關係圖。
100a‧‧‧發光二極體
110‧‧‧N型半導體層
112‧‧‧第一部分
114‧‧‧第二部分
120‧‧‧發光層
130‧‧‧電子阻擋層
140‧‧‧P型半導體層
150‧‧‧第一電極
160‧‧‧第二電極
170‧‧‧緩衝層
t‧‧‧厚度
S1‧‧‧第一側
S2‧‧‧第二側
SUB‧‧‧基板
Claims (16)
- 一種發光模組，包括： 一驅動單元；以及 一發光二極體，電性連接於該驅動單元，該驅動單元提供一操作電流用以使該發光二極體電激發光，該發光二極體包括： 一N型半導體層； 一發光層； 一電子阻擋層，該電子阻擋層具有一厚度，且該厚度小於等於30奈米或大於等於80奈米； 一P型半導體層；以及 其中該發光層位於該電子阻擋層與該N型半導體層之間，該電子阻擋層位於該P型半導體層與該發光層之間，且該發光二極體的一電流密度D（安培/平方公分）與該厚度t（奈米）的比例（安培/平方公分-奈米）大於0且小於或等於2。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光模組，其中該電流密度是落在0.001安培/平方公分至4安培/平方公分的範圍內，且該厚度落在2奈米至30奈米的範圍內。
- 如申請專利範圍第2項所述的發光模組，其中該發光層為一多重量子井結構，該多重量子井結構包括交替設置的多個量子井層和多個量子阻障層，且該厚度落在單個該量子井層的厚度的0.3倍至8倍的範圍內。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光模組，其中該電流密度與該厚度的比例是落在0.133至0.875的範圍內，該電流密度是落在20安培/平方公分至70安培/平方公分的範圍內，且該厚度落在80奈米至150奈米的範圍內。
- 如申請專利範圍第4項所述的發光模組，其中該發光層為一多重量子井結構，該多重量子井結構包括交替設置的多個量子井層和多個量子阻障層，且該厚度落在單個該量子井層的厚度的15倍至40倍的範圍內。
- 如申請專利範圍第2項所述的發光模組，其中該發光二極體的外部量子效率曲線的最高峰值所對應的該電流密度是落在0.01安培/平方公分至3安培/平方公分的範圍內。
- 如申請專利範圍第2項所述的發光模組，其中該發光二極體為一微型發光二極體，且該微型發光二極體的邊長尺寸是落在3微米至40微米的範圍內。
- 如申請專利範圍第2項所述的發光模組，其中該發光二極體的磊晶缺陷密度是落在103 /平方公分至108 /平方公分的範圍內。
- 如申請專利範圍第4項所述的發光模組，其中該發光二極體的外部量子效率曲線的最高峰值所對應的該電流密度是落在3安培/平方公分至10安培/平方公分的範圍內。
- 如申請專利範圍第4項所述的發光模組，其中該發光二極體的邊長尺寸是落在0.2公釐至2公釐的範圍內。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光模組，其中該發光二極體更包括一第一電極與一第二電極，該第一電極電性連接於該N型半導體層，該第二電極電性連接於該P型半導體層，且該驅動單元分別藉由該第一電極與該第二電極電性連接於該N型半導體層與該P型半導體層。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光模組，其中該電子阻擋層的材料包括P型氮化鋁鎵。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光模組，其中該電子阻擋層為超晶格結構。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光模組，其中該N型半導體層的材料包括N型氮化鎵。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光模組，其中該P型半導體層的材料包括P型氮化鎵。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光模組，其中該發光層包括交替堆疊的多個氮化銦鎵層以及多個氮化鎵層。
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