JP2015037129A - Heat sink holding device - Google Patents

Heat sink holding device Download PDF

Info

Publication number
JP2015037129A
JP2015037129A JP2013168473A JP2013168473A JP2015037129A JP 2015037129 A JP2015037129 A JP 2015037129A JP 2013168473 A JP2013168473 A JP 2013168473A JP 2013168473 A JP2013168473 A JP 2013168473A JP 2015037129 A JP2015037129 A JP 2015037129A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat sink
substrate
spacer
holding
heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013168473A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6271184B2 (en
Inventor
佐野 公生
Kimio Sano
公生 佐野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Takeuchi Industry Co Ltd.
Original Assignee
Takeuchi Industry Co Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Takeuchi Industry Co Ltd. filed Critical Takeuchi Industry Co Ltd.
Priority to JP2013168473A priority Critical patent/JP6271184B2/en
Publication of JP2015037129A publication Critical patent/JP2015037129A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6271184B2 publication Critical patent/JP6271184B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heat sink holding device which has improved workability when fixing a heat sink to a substrate mounted with a heating component.SOLUTION: A heat sink holding apparatus comprises: a heat sink H for dissipating heat generated by a semiconductor device (heating component) D mounted on a surface of a substrate B; a heat sink spacer 1 for holding the heat sink H in such a state that it is brought into contact with the semiconductor device D from the substrate B surface side; and a coil spring (elastic material) 2 for applying elastic force to the heat sink H toward the semiconductor device D. The heat sink spacer 1 has: a holding part 13 for supporting and holding the heat sink H; and a fixed part 14 fitted into a fixing hole 201 on the substrate B so as to be fixed to the substrate B. When the fixed part 14 is not fitted into the fixing hole 201, a contact surface of the heat sink H is spaced apart from a contact surface of the semiconductor device D, whereas when the fixed part 14 is fitted into the fixing hole 201, the contact surface of the heat sink H is brought into contact with the contact surface of the semiconductor device D by means of the elastic force of the coil spring 2.

Description

本発明は基板に搭載した発熱部品を冷却するためのヒートシンクの保持装置に関し、特にヒートシンクを基板に対して着脱する際の作業性を改善したヒートシンク保持装置に関するものである。   The present invention relates to a heat sink holding device for cooling a heat generating component mounted on a substrate, and more particularly to a heat sink holding device with improved workability when a heat sink is attached to and detached from a substrate.

基板に搭載された発熱部品、例えば半導体装置やその他の電子部品を冷却するためにヒートシンクを基板に配設し、かつ当該ヒートシンクを発熱部品に接触させた状態で当該基板に保持することが行われている。特許文献1では基板に搭載した半導体装置の上にヒートシンクを載置し、ヒートシンクの複数箇所に設けた保持穴にコイルバネを嵌挿したネジを挿通させ、当該ネジを基板に結合させることによってヒートシンクを半導体装置に接触させた状態で基板に保持する構成がとられている。また、特許文献2では、電子部品を搭載した基板の複数箇所に受け台を取着し、電子部品上に載置されたヒートシンクに設けた保持穴を受け台に嵌合させ、その上でコイルバネを嵌挿した締結部材を受け台に締結することによってヒートシンクを保持する構成がとられている。   A heat sink is disposed on the substrate to cool a heat generating component mounted on the substrate, such as a semiconductor device or other electronic component, and the heat sink is held on the substrate in contact with the heat generating component. ing. In Patent Document 1, a heat sink is placed on a semiconductor device mounted on a substrate, screws with coil springs inserted through holding holes provided at a plurality of locations of the heat sink, and the screws are coupled to the substrate to thereby attach the heat sink. A configuration is adopted in which the substrate is held in contact with the semiconductor device. In Patent Document 2, a cradle is attached to a plurality of locations on a board on which an electronic component is mounted, and a holding hole provided in a heat sink placed on the electronic component is fitted into the cradle, and then a coil spring is mounted thereon. The structure which hold | maintains a heat sink is taken by fastening to the receiving stand by which the fastening member which inserted was inserted.

特開2004−235481号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-235481 特開2011−228512号公報JP2011-228512A

特許文献1の技術では、ヒートシンクを保持するためには、ヒートシンクに設けた保持穴に挿通したネジの先端を基板に設けた固定穴に締結させる作業が必要である。このとき、作業者の視点はヒートシンクの上方にあるため、ネジの先端はヒートシンクによって死角となりネジを基板の固定穴に対して位置決めすることが難しく、作業性が低下する要因になっている。特に、半導体装置の上面に熱電導性の高い接着剤を配設してヒートシンクの下面に密接する構成を採用しているときには、ネジを位置決めしない時点で接着剤によってヒートシンクが半導体装置の上面に接着されてしまうことがあり、そのための修正作業を行うことも必要になる。   In the technique of Patent Document 1, in order to hold the heat sink, it is necessary to fasten the tip of the screw inserted into the holding hole provided in the heat sink to the fixing hole provided in the substrate. At this time, since the operator's viewpoint is above the heat sink, the tip of the screw becomes a blind spot due to the heat sink, and it is difficult to position the screw with respect to the fixing hole of the substrate, which causes a decrease in workability. In particular, when a highly thermoconductive adhesive is disposed on the upper surface of the semiconductor device and is in close contact with the lower surface of the heat sink, the heat sink adheres to the upper surface of the semiconductor device with the adhesive when the screw is not positioned. It is necessary to carry out correction work for that.

特許文献2の技術では、基板に設けた受け台に対してヒートシンクの保持穴を嵌合させるので、ヒートシンクの位置決めについては特許文献1よりも改善される。しかし、特許文献2では、基板に対して受け台を装着する工程と、受け台に対してヒートシンクを位置決めして保持穴を嵌合する工程と、受け台に対して締結部材を締結する工程が必要であり、工程数が多くなって作業性が低下する。また、コイルバネと締結部材の他に受け台が必要とされるため、部品点数が多くなりコストの点で不利になる。   In the technique of Patent Document 2, since the holding hole of the heat sink is fitted to the cradle provided on the substrate, the positioning of the heat sink is improved compared to Patent Document 1. However, in Patent Document 2, there are a step of mounting a cradle on a substrate, a step of positioning a heat sink with respect to the cradle and fitting a holding hole, and a step of fastening a fastening member to the cradle. This is necessary, and the number of processes increases and workability decreases. Further, since a cradle is required in addition to the coil spring and the fastening member, the number of parts is increased, which is disadvantageous in terms of cost.

さらに、特許文献1,2はいずれもネジや締結部材をネジ機構によって基板や受け台に対して締結しているため、締結に際してはネジや締結部材を軸転させる作業が必要であり、この軸転作業に時間がかかり作業性が低下する要因になっている。   Furthermore, since both Patent Documents 1 and 2 fasten a screw or a fastening member to a substrate or a cradle by a screw mechanism, it is necessary to rotate the screw or the fastening member at the time of fastening. It takes time for the rolling work, which is a factor of reducing workability.

本発明の目的は、ヒートシンクを基板に固定する際の作業性を改善したヒートシンク保持装置を提供するものである。   The objective of this invention is providing the heat sink holding | maintenance apparatus which improved the workability | operativity at the time of fixing a heat sink to a board | substrate.

本発明は、基板の表面上に搭載された発熱部品と、当該発熱部品で発生した熱を放熱するためのヒートシンクと、ヒートシンクを基板の表面側から発熱部品に当接させた状態で保持するヒートシンクスペーサと、当該ヒートシンクスペーサに支持されてヒートシンクに対して発熱部品に向けた方向に弾性力を付与する弾性材とを備えている。その上で、ヒートシンクスペーサは、ヒートシンクを下支え保持する保持部と、基板に設けた固定穴に嵌合して基板に対して固定される固定部を有し、保持部においてヒートシンクを保持しかつ固定部が固定穴に嵌合しない状態のときに、ヒートシンクの当接面は発熱部品の当接面に対して離間され、固定部が固定穴に嵌合したときにヒートシンクの当接面が弾性材の弾性力によって発熱部品の当接面に当接される構成であることを特徴とする。   The present invention relates to a heat generating component mounted on a surface of a substrate, a heat sink for dissipating heat generated by the heat generating component, and a heat sink that holds the heat sink in contact with the heat generating component from the surface side of the substrate A spacer and an elastic material that is supported by the heat sink spacer and applies an elastic force to the heat sink in a direction toward the heat generating component. In addition, the heat sink spacer has a holding portion that supports and holds the heat sink, and a fixing portion that fits into a fixing hole provided in the substrate and is fixed to the substrate, and holds and fixes the heat sink in the holding portion. When the part does not fit into the fixing hole, the contact surface of the heat sink is separated from the contact surface of the heat generating component, and when the fixing part fits into the fixing hole, the contact surface of the heat sink becomes elastic. It is the structure contact | abutted by the contact surface of a heat-emitting component with the elastic force of.

すなわち、ヒートシンクスペーサは、固定部が基板の表面に当接した状態のときの基板の表面からヒートシンクの当接面までの長さは発熱部品の基板の表面からの高さ寸法よりも大きく、固定部が固定穴に嵌合した状態のときの基板の表面からヒートシンクの当接面までの長さは発熱部品の基板表面からの高さ寸法よりも小さいことを特徴とする。   That is, the length of the heat sink spacer from the surface of the substrate to the contact surface of the heat sink when the fixing portion is in contact with the surface of the substrate is larger than the height dimension of the heat generating component from the surface of the substrate. The length from the surface of the substrate to the contact surface of the heat sink when the portion is fitted in the fixing hole is smaller than the height of the heat-generating component from the substrate surface.

本発明においては、ヒートシンクスペーサは、基板の表面側から操作したときに固定部が固定穴に対して着脱可能な構成とすることが好ましい。   In the present invention, it is preferable that the heat sink spacer has a configuration in which the fixing portion can be attached to and detached from the fixing hole when operated from the surface side of the substrate.

本発明によれば、ヒートシンクスペーサを基板に固定するまでは、保持部において保持されるヒートシンクの当接面は発熱部品としての半導体装置の上面に接することがないので、ヒートシンクスペーサおよびヒートシンクを基板上で任意に移動させ、位置決めを行うことができる。このとき、固定部が固定穴に予備嵌合したことを感知することによって位置決めを行うことができるので、基板の固定穴や固定部を視認することなく、作業者における感触のみで容易に位置決めすることができる。位置決め後は、ヒートシンクスペーサの固定部を固定部に対して嵌合させることによりヒートシンクを発熱部品の当接面に当接させ、弾性材によって密接状態を保って好適な放熱効果が期待できる。ヒートシンクスペーサを基板の表面側から操作して固定部における固定穴との嵌合およびその解除を行うことで、ヒートシンクの着脱を基板の表面側からのみ行うことが可能になる。 According to the present invention, until the heat sink spacer is fixed to the substrate, the contact surface of the heat sink held by the holding portion does not contact the upper surface of the semiconductor device as the heat generating component. The position can be determined by arbitrarily moving. At this time, since the positioning can be performed by sensing that the fixing portion is pre-fitted into the fixing hole, the positioning is easily performed only by the touch of the operator without visually recognizing the fixing hole or the fixing portion of the substrate. be able to. After positioning, the heat sink is brought into contact with the contact surface of the heat-generating component by fitting the fixed portion of the heat sink spacer to the fixed portion, and a favorable heat radiation effect can be expected by keeping the close state with the elastic material. By operating the heat sink spacer from the front surface side of the substrate to engage and release the fixed hole in the fixing portion, the heat sink can be attached and detached only from the front surface side of the substrate.

本発明の実施形態1のヒートシンク保持装置の正面断面図。1 is a front sectional view of a heat sink holding device according to a first embodiment of the present invention. 図1のヒートシンク保持装置の分解斜視図。The disassembled perspective view of the heat sink holding | maintenance apparatus of FIG. 実施形態1のヒートシンクスペーサの拡大分解斜視図。FIG. 3 is an enlarged exploded perspective view of a heat sink spacer according to the first embodiment. ヒートシンク保持装置の組み立て手順を示す正面断面図のその1。1 of front sectional drawing which shows the assembly procedure of a heat sink holding | maintenance apparatus. ヒートシンク保持装置の組み立て手順を示す正面断面図のその2。2 of front sectional drawing which shows the assembly procedure of a heat sink holding | maintenance apparatus. ヒートシンク保持装置の組み立て手順を示す正面断面図のその3。3 of front sectional drawing which shows the assembly procedure of a heat sink holding | maintenance apparatus. ヒートシンク保持装置の組み立て手順を示す正面断面図のその4。4 of front sectional drawing which shows the assembly procedure of a heat sink holding | maintenance apparatus. 実施形態2のヒートシンクスペーサの斜視図。FIG. 6 is a perspective view of a heat sink spacer according to the second embodiment. 実施形態2のヒートシンクの組み立て状態におけるa−a,b−b線に沿う位置での断面図。Sectional drawing in the position which follows the aa and bb line in the assembly state of the heat sink of Embodiment 2. FIG. 実施形態3のヒートシンクスペーサの斜視図。FIG. 6 is a perspective view of a heat sink spacer according to a third embodiment. 実施形態3のヒートシンクの固定部の拡大斜視図と組み立て状態におけるc−c線に沿う断面図。The expanded perspective view of the fixing | fixed part of the heat sink of Embodiment 3, and sectional drawing in alignment with the cc line in an assembly state.

(実施形態1)
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は本発明を半導体装置のヒートシンクの保持装置として構成した実施形態の正面断面図、図2はその分解斜視図である。これらの図において、基板Bの表面には矩形偏平にパッケージングされた半導体装置Dが搭載され、また当該基板Bには前記半導体装置Dを左右に挟む位置に2つの固定穴201が開口されている。この半導体装置Dの上面にヒートシンクHが載置されている。なお、以降の説明における上下方向は図1を基準にしたものである。前記シートシンクHはアルミニウムやその他の熱伝導性の高い金属等によって矩形の板状をした主面部100を備えており、この主面部100の上面の広い領域に立壁状の複数の冷却フィン102が一体に形成されている。そして、前記半導体装置Dの上面には熱伝導性の高い高伝熱性接着剤Cが塗布されており、ヒートシンクHの主面部100の下面はこの接着剤Cによって半導体装置Dの上面に密接され、両者間での伝熱性が高められている。この高伝熱性接着剤Cは高伝熱性接着シートであってもよく、以下は高伝熱接着剤等と称する。
(Embodiment 1)
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a front sectional view of an embodiment in which the present invention is configured as a heat sink holding device of a semiconductor device, and FIG. 2 is an exploded perspective view thereof. In these figures, a semiconductor device D packaged in a rectangular flat shape is mounted on the surface of a substrate B, and two fixing holes 201 are opened in the substrate B at positions where the semiconductor device D is sandwiched left and right. Yes. A heat sink H is placed on the upper surface of the semiconductor device D. In the following description, the vertical direction is based on FIG. The sheet sink H includes a main surface portion 100 having a rectangular plate shape made of aluminum or other metal having high thermal conductivity, and a plurality of standing fin-shaped cooling fins 102 are provided in a wide area on the upper surface of the main surface portion 100. It is integrally formed. The upper surface of the semiconductor device D is coated with a highly heat conductive adhesive C having a high thermal conductivity, and the lower surface of the main surface portion 100 of the heat sink H is brought into close contact with the upper surface of the semiconductor device D by the adhesive C. Heat transfer between the two is enhanced. The high heat transfer adhesive C may be a high heat transfer adhesive sheet, and the following is referred to as a high heat transfer adhesive or the like.

また、前記ヒートシンクHの前記主面部100には、前記冷却フィン102が形成されていない領域で、かつ前記半導体装置Dの周囲に位置する領域には複数の保持穴101が開口されている。ここではヒートシンクHの主面部100の2箇所、すなわち前記半導体装置Dを左右に挟む位置に2つの保持穴101が開口されている。これら2つの保持穴101は前記基板Bに開口されている2つの固定穴201の直上に対向位置される。その上で、この保持穴101にヒートシンクスペーサ(以下、Hスペーサと称する)1が嵌合されるとともに、このHスペーサ1の下側の先端は前記固定穴201に嵌合され、このHスペーサ1によってヒートシンクHが基板Bに保持されている。ここで、前記保持穴101と前記固定穴201はいずれも円形の穴であり、これら保持穴101と固定穴201の内径寸法は等しくてもよいが、この実施形態では保持穴101の内径は固定穴201の内径よりも幾分大径に形成されている。   In addition, a plurality of holding holes 101 are opened in the main surface portion 100 of the heat sink H in a region where the cooling fins 102 are not formed and in a region located around the semiconductor device D. Here, two holding holes 101 are opened at two positions on the main surface portion 100 of the heat sink H, that is, at positions where the semiconductor device D is sandwiched between right and left. These two holding holes 101 are opposed to each other immediately above the two fixing holes 201 opened in the substrate B. Further, a heat sink spacer (hereinafter referred to as “H spacer”) 1 is fitted into the holding hole 101, and a lower end of the H spacer 1 is fitted into the fixing hole 201. Thus, the heat sink H is held on the substrate B. Here, both the holding hole 101 and the fixing hole 201 are circular holes, and the inner diameters of the holding hole 101 and the fixing hole 201 may be equal. In this embodiment, the inner diameter of the holding hole 101 is fixed. The diameter of the hole 201 is somewhat larger than the inner diameter.

図3は前記Hスペーサ1を拡大した部分分解斜視図である。Hスペーサ1は樹脂成形によって形成されており、小径の円板状をした頭部11の下面から下方に向けて概ね円柱状をした胴部12が突出され、さらにこの胴部12の下面から下方に向けて保持部13と固定部14が2段構成に突出されている。前記胴部12には前記頭部11に近い位置において一対の支持片12aが逆ハ字状の矢尻型に突出されており、この支持片12aは後述するコイルスプリング2を支持するために用いられる。前記保持部13は前記胴部12の下面から下方に真直に突出したステム13bの両側に一対の保持片13aが逆ハ字状の矢尻型に突出されており、この保持片13aは前記ヒートシンクHを保持するために用いられる。同様に前記固定部14は前記保持部13の下面から下方に真直に突出したステム14bの両側に一対の固定片14aが逆ハ字状の矢尻型に突出されており、この固定片14aは前記基板Bの固定穴201に嵌合される。これら各一対の支持片12a、保持片13a、固定片14aはいずれも常態では前記胴部12の外径寸法よりも大きな外径寸法に保持されているが、外力を受けたときに径方向に弾性変形して縮径されるようになっている。特に、前記保持片13aは内径方向に縮径されたときにはその外径寸法は前記保持穴101の内径寸法よりも小さい寸法に縮径されるようになっている。また、前記固定片14aは内径方向に縮径されたときにはその外径寸法は前記保持穴101および前記固定穴201の内径寸法よりも小さい寸法に縮径されるようになっている。   FIG. 3 is a partially exploded perspective view in which the H spacer 1 is enlarged. The H spacer 1 is formed by resin molding, and a generally cylindrical body 12 projects downward from the lower surface of the small-diameter disk-shaped head 11, and further downward from the lower surface of the body 12. The holding part 13 and the fixing part 14 protrude in a two-stage configuration. A pair of support pieces 12a are projected in a reverse arrow-shaped arrowhead shape at a position close to the head portion 11 on the trunk portion 12, and the support pieces 12a are used to support a coil spring 2 described later. . The holding portion 13 has a pair of holding pieces 13a protruding in an arrowhead shape on both sides of a stem 13b protruding straight downward from the lower surface of the body portion 12, and the holding pieces 13a are formed in the heat sink H. Used to hold Similarly, the fixing portion 14 has a pair of fixing pieces 14a protruding in a reverse arrow shape on both sides of a stem 14b protruding straight downward from the lower surface of the holding portion 13, and the fixing pieces 14a are It is fitted into the fixing hole 201 of the substrate B. Each of the pair of support pieces 12a, holding pieces 13a, and fixed pieces 14a is normally held at an outer diameter dimension larger than the outer diameter dimension of the body portion 12, but in the radial direction when subjected to an external force. The diameter is reduced by elastic deformation. In particular, when the holding piece 13a is reduced in the inner diameter direction, the outer diameter is reduced to be smaller than the inner diameter of the holding hole 101. Further, when the fixed piece 14a is reduced in diameter in the inner diameter direction, the outer diameter is reduced to be smaller than the inner diameter of the holding hole 101 and the fixed hole 201.

また、前記Hスペーサ1において、図1に示すように、前記保持片13aの上端部から前記固定片14aの下端部までの長さ(高さ)h1は、前記半導体装置Dの高さh2、正確には半導体装置Dを前記基板Bに搭載したときに、基板Bの主面部100の表面から半導体装置Dの上面までの高さよりも大きくなるように設計している。この場合、半導体装置Dの上面に高伝熱性接着剤等Cを配設しているときには、この高伝熱性接着剤等Cの上面までの高さよりも大きくしている。その一方で、Hスペーサ1を基板Bに固定した状態のときに、基板Bの表面から前記保持片13aの上端部までの長さh3は前記半導体装置Dの高さ(高伝熱性接着剤等Cを含む場合にはこれを含む高さ)h2よりも小さくなるように設計している。   In the H spacer 1, as shown in FIG. 1, the length (height) h1 from the upper end of the holding piece 13a to the lower end of the fixed piece 14a is the height h2 of the semiconductor device D, To be precise, when the semiconductor device D is mounted on the substrate B, it is designed to be larger than the height from the surface of the main surface portion 100 of the substrate B to the upper surface of the semiconductor device D. In this case, when the high heat transfer adhesive C or the like is disposed on the upper surface of the semiconductor device D, the height to the upper surface of the high heat transfer adhesive C or the like is larger. On the other hand, when the H spacer 1 is fixed to the substrate B, the length h3 from the surface of the substrate B to the upper end of the holding piece 13a is the height of the semiconductor device D (high heat transfer adhesive or the like). When C is included, the height is set to be smaller than h2).

図3に示すように、前記Hスペーサ1には前記胴部12の外径寸法よりも内径寸法の大きなコイルスプリング2が嵌装されている。この実施形態ではコイルスプリング2の内径寸法は前記保持片13aと前記固定片14aの常態の外径寸法よりも大きく、前記支持片12aの外径寸法よりも小さくされている。そして、このコイルスプリング2はHスペーサ1の下端側から固定片14aおよび保持片13aを通過して胴部12にまで嵌装される。このとき、図1および図2に示すように、コイルスプリング2の上端部は支持片12aを縮径しながら胴部12に嵌装され、嵌装後に支持片12aが弾性復帰して拡径されたときにコイルスプリング2の上端部は当該支持片12aによって支持される。これにより、コイルスプリング2はHスペーサ1の胴部12の回りにおいて支持片12aによって懸垂状態に保持される。   As shown in FIG. 3, the H spacer 1 is fitted with a coil spring 2 having a larger inner diameter than the outer diameter of the body 12. In this embodiment, the inner diameter dimension of the coil spring 2 is larger than the normal outer diameter dimension of the holding piece 13a and the fixed piece 14a, and smaller than the outer diameter dimension of the support piece 12a. The coil spring 2 is fitted from the lower end side of the H spacer 1 to the body 12 through the fixed piece 14a and the holding piece 13a. At this time, as shown in FIGS. 1 and 2, the upper end portion of the coil spring 2 is fitted to the body portion 12 while reducing the diameter of the support piece 12a, and after the fitting, the support piece 12a is elastically restored and expanded in diameter. The upper end of the coil spring 2 is supported by the support piece 12a. Accordingly, the coil spring 2 is held in a suspended state by the support piece 12 a around the body portion 12 of the H spacer 1.

この構成のHスペーサ1を用いてヒートシンクHを基板Bに対して装着する作業を図4A〜図4Dを参照して説明する。なお、これらの図では2つのHスペーサ1の一方のみを図示している。図4Aおよび図4Bに示すように、Hスペーサ1をヒートシンクHの上面側からヒートシンクHの保持穴101に嵌合させる。このとき、2つのHスペーサ1をそれぞれ保持穴101に嵌合させる。この内挿作業によってHスペーサ1の固定片14aは縮径されながら保持穴101を挿通され、次いで保持片13aが縮径されながら保持穴101を挿通される。これにより、図4Bのように、保持片13aはヒートシンクHの下面側において弾性復帰して拡径され、保持片13aの上端部が保持穴101の内縁に係合され、保持片13aはヒートシンクHを下支えする。また、同時にコイルスプリング2は上端部がHスペーサ1の頭部11の下面に当接され、下端部はヒートシンクHの上面に当接されるので、これら頭部11とヒートシンクHとの間で撓められた状態となり、このコイルスプリング2に生じる弾性復帰力によってヒートシンクHは保持片13aの上端部に弾接された状態でHスペーサ1に保持されることになる。   The operation of mounting the heat sink H on the substrate B using the H spacer 1 having this configuration will be described with reference to FIGS. 4A to 4D. In these drawings, only one of the two H spacers 1 is shown. As shown in FIGS. 4A and 4B, the H spacer 1 is fitted into the holding hole 101 of the heat sink H from the upper surface side of the heat sink H. At this time, the two H spacers 1 are fitted into the holding holes 101, respectively. By this insertion work, the fixing piece 14a of the H spacer 1 is inserted through the holding hole 101 while being reduced in diameter, and then the holding piece 13a is inserted through the holding hole 101 while being reduced in diameter. 4B, the holding piece 13a is elastically restored and expanded in diameter on the lower surface side of the heat sink H, the upper end portion of the holding piece 13a is engaged with the inner edge of the holding hole 101, and the holding piece 13a is engaged with the heat sink H. Support. At the same time, the upper end of the coil spring 2 is in contact with the lower surface of the head 11 of the H spacer 1 and the lower end of the coil spring 2 is in contact with the upper surface of the heat sink H. The heat sink H is held by the H spacer 1 while being elastically contacted with the upper end portion of the holding piece 13a by the elastic restoring force generated in the coil spring 2.

そして、ヒートシンクHを基板B上に載置する。基板Bには表面に半導体装置Dが搭載されており、ヒートシンクHはこの半導体装置Dを覆う位置に載置する。載置するとHスペーサ1の下端部、すなわち固定片14aの下端部が基板Bの表面に当接した状態となる。このとき、図1に示したように固定片14aの下端部から保持片13aの上端部、すなわちヒートシンクHの下面までの長さh1は半導体装置Dの高さ(高伝熱性接着剤等Cの厚みを含む)h2よりも大きいので、図4Bのように、ヒートシンクHの下面が半導体装置Dの上面や高伝熱性接着剤等Cに接触することはない。この状態で、ヒートシンクHを基板B上で適宜に移動させると、Hスペーサ1の下端部は基板Bの表面上で滑動され、ある移動位置においてHスペーサ1がそれぞれ基板Bに設けた固定穴201に入り込む状態が生じる。すなわち、この実施形態では2つのHスペーサ1の各固定片14aがそれぞれ対応する固定穴201に対して予備嵌合する状態となる。これにより、各Hスペーサ1はそれぞれ固定穴201に対して位置決めされることになるので、基板Bの上面、特に固定穴201がヒートシンクHによって死角となって作業者が直接に固定穴201を視認することができなくても基板Bに対するヒートシンクHの位置決めを適切に行うことが可能になる。   Then, the heat sink H is placed on the substrate B. A semiconductor device D is mounted on the surface of the substrate B, and the heat sink H is placed at a position covering the semiconductor device D. When placed, the lower end of the H spacer 1, that is, the lower end of the fixed piece 14a is in contact with the surface of the substrate B. At this time, as shown in FIG. 1, the length h1 from the lower end portion of the fixing piece 14a to the upper end portion of the holding piece 13a, that is, the lower surface of the heat sink H is the height of the semiconductor device D (high heat transfer adhesive C or the like). 4), the lower surface of the heat sink H does not come into contact with the upper surface of the semiconductor device D, the highly heat-conductive adhesive C, or the like. When the heat sink H is appropriately moved on the substrate B in this state, the lower end portion of the H spacer 1 is slid on the surface of the substrate B, and the fixing spacer 201 provided in the substrate B at each moving position is provided with the H spacer 1. A state of entering. That is, in this embodiment, the fixing pieces 14a of the two H spacers 1 are pre-fitted into the corresponding fixing holes 201, respectively. As a result, each H spacer 1 is positioned with respect to the fixing hole 201. Therefore, the upper surface of the substrate B, in particular, the fixing hole 201 becomes a blind spot by the heat sink H, and the operator directly sees the fixing hole 201. Even if it cannot be performed, it is possible to appropriately position the heat sink H with respect to the substrate B.

このような状態にした上で、作業者はHスペーサ1の頭部を押下する。これにより、図4Cに示すように、Hスペーサ1の下端の固定片14aは縮径されて固定穴201を挿通され、図4Dに示すように、基板Bの裏面において弾性復帰により拡径されて固定穴201の内縁に係合されて嵌合状態となる。この嵌合によってHスペーサ1は基板Bに固定されるので、当該Hスペーサ1によってヒートシンクHは基板Bに保持されることになる。このとき、図1に示したようにHスペーサ1の保持片13aの上端部と固定片14aの上端部との長さh3は半導体装置Dの高さh2よりも小さいので、ヒートシンクHの下面は半導体装置Dの上面または高伝熱性接着剤等Cの上面に当接される。この当接した状態では、保持片13aの上端部はヒートシンクHの下面から下方に離れた状態となるので、コイルスプリング2の弾性力はヒートシンクHを半導体装置Dの上面に弾接させる力として作用される。これにより、ヒートシンクHの下面は半導体装置Dの上面、ここでは高伝熱性接着剤等Cに密接した状態とされ、半導体装置Dで発生した熱を高伝熱性接着剤等Cを介してヒートシンクHに伝熱し、ここから放熱させることで半導体装置Dの冷却が行われる。   In this state, the operator presses the head of the H spacer 1. As a result, as shown in FIG. 4C, the fixing piece 14a at the lower end of the H spacer 1 is reduced in diameter and inserted through the fixing hole 201, and is expanded in diameter by elastic return on the back surface of the substrate B as shown in FIG. It is engaged with the inner edge of the fixing hole 201 to be in a fitted state. Since the H spacer 1 is fixed to the substrate B by this fitting, the heat sink H is held on the substrate B by the H spacer 1. At this time, as shown in FIG. 1, the length h3 between the upper end portion of the holding piece 13a of the H spacer 1 and the upper end portion of the fixed piece 14a is smaller than the height h2 of the semiconductor device D. It is brought into contact with the upper surface of the semiconductor device D or the upper surface of the highly heat conductive adhesive C or the like. In this abutted state, the upper end portion of the holding piece 13a is in a state of being separated downward from the lower surface of the heat sink H. Therefore, the elastic force of the coil spring 2 acts as a force that makes the heat sink H elastically contact the upper surface of the semiconductor device D. Is done. Thereby, the lower surface of the heat sink H is brought into close contact with the upper surface of the semiconductor device D, here, the high heat transfer adhesive etc. C, and the heat generated in the semiconductor device D is transferred to the heat sink H via the high heat transfer adhesive etc. C. The semiconductor device D is cooled by transferring heat to the heat and dissipating heat therefrom.

このように、このヒートシンク保持装置では、コイルスプリング2を予め支持させたHスペーサ1をヒートシンクHの保持穴101に嵌合させておけば、Hスペーサ1を基板Bの固定穴201に対して位置決めし、半導体装置Dに対するヒートシンクHの位置決めを容易に行うことができる。そして、位置決めをした後は単にHスペーサ1の頭部11を押下してHスペーサ1を基板Bの固定穴201に嵌合させるだけでヒートシンクHの装着が実現できる。そのため、ヒートシンクHを基板Bに組み付ける際のヒートシンクHの位置決めは容易であり、かつその後のヒートシンクHの固定に際してもHスペーサ1を軸転操作する等のネジ結合の作業は不要であり、容易に行うことができ、作業性が改善される。また、ヒートシンクHを保持するための部品はHスペーサ1とコイルスプリング2のみであるので低コストに構成できる。   As described above, in this heat sink holding device, if the H spacer 1 supporting the coil spring 2 in advance is fitted in the holding hole 101 of the heat sink H, the H spacer 1 is positioned with respect to the fixing hole 201 of the substrate B. In addition, the heat sink H can be easily positioned with respect to the semiconductor device D. After positioning, the heat sink H can be mounted simply by pressing the head 11 of the H spacer 1 and fitting the H spacer 1 into the fixing hole 201 of the substrate B. Therefore, positioning of the heat sink H when the heat sink H is assembled to the substrate B is easy, and screw fixing work such as pivoting the H spacer 1 is not necessary when the heat sink H is fixed thereafter. This can be done and the workability is improved. Further, since the components for holding the heat sink H are only the H spacer 1 and the coil spring 2, it can be constructed at low cost.

(実施形態2)
実施形態1では、基板Bの固定穴201に嵌合するHスペーサ1の固定片14aは径方向に弾性変形可能な逆ハ字状の矢尻型であるので、リユースを目的としてヒートシンクHを基板Bから取り外すためにHスペーサ1を基板Bから取り外す際には、基板Bの下面側から固定片14aを縮径させて固定穴201に対する係合を解除する作業が必要となる。そこで、実施形態2のHスペーサは基板Bの上面側から、すなわちヒートシンクHの上面側からHスペーサを小角度だけ軸転操作することによって基板Bの固定穴からの離脱を可能にしている。図5は実施形態2のHスペーサ1Aの斜視図であり、実施形態1と等価な部分には同一符号を付してある。このHスペーサ1Aは、保持部13から下方に胴部12よりも固定部として幾分小径の円柱軸15が延長され、この円柱軸15の下端の円周面に固定部を構成するために直径方向に向けて所要寸法で突出した一対の短ロッド15aが形成されている。また、保持部13の直上に位置する胴部12の円周面には、前記一対の短ロッド15aとは平面方向に垂直な方向に向けて極めて短い寸法で突出したクリックノブ13cが形成されている。ここでは直径方向に2つのクリックノブ13cが形成されている。
(Embodiment 2)
In the first embodiment, the fixing piece 14a of the H spacer 1 that fits into the fixing hole 201 of the substrate B is a reverse-shaped arrowhead shape that can be elastically deformed in the radial direction. In order to remove the H spacer 1 from the substrate B, it is necessary to reduce the diameter of the fixing piece 14a from the lower surface side of the substrate B and release the engagement with the fixing hole 201. Therefore, the H spacer of the second embodiment enables the substrate B to be detached from the fixing hole by rotating the H spacer by a small angle from the upper surface side of the substrate B, that is, from the upper surface side of the heat sink H. FIG. 5 is a perspective view of the H spacer 1 </ b> A according to the second embodiment, and parts equivalent to those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals. This H spacer 1 </ b> A has a somewhat smaller diameter cylindrical shaft 15 extending as a fixed portion below the body portion 12 from the holding portion 13, and has a diameter for constituting a fixed portion on the circumferential surface of the lower end of the cylindrical shaft 15. A pair of short rods 15a projecting in the required direction toward the direction are formed. A click knob 13c is formed on the circumferential surface of the body portion 12 located immediately above the holding portion 13 and protrudes with a very short dimension in a direction perpendicular to the pair of short rods 15a. Yes. Here, two click knobs 13c are formed in the diameter direction.

これに対応して、前記ヒートシンクHに開口された保持穴101Aは前記胴部12が挿通可能な円形を基準とし、この円形穴の直径方向の2箇所に前記短ロッド15aが挿通可能な形方向の溝103が形成されている。また、前記基板Bに開口された固定穴201Aは前記円柱軸15が挿通可能な円形を基準とし、この基準となる円形の直径方向の2箇所に前記固定部15の短ロッド15aが挿通可能な径方向の溝202が形成された平面形状に形成されている。   Correspondingly, the holding hole 101A opened in the heat sink H is based on a circular shape through which the body portion 12 can be inserted, and the shape direction in which the short rod 15a can be inserted into two positions in the diameter direction of the circular hole. The groove 103 is formed. The fixing hole 201A opened in the substrate B is based on a circle through which the cylindrical shaft 15 can be inserted, and the short rod 15a of the fixing portion 15 can be inserted into two places in the diameter direction of the circle serving as the reference. It is formed in a planar shape in which a radial groove 202 is formed.

この実施形態2のHスペーサ1Aでは、実施形態1のHスペーサ1と全く同様にしてヒートシンクHを基板Bに保持させることができる。ただし、この実施形態2ではHスペーサ1AをヒートシンクHの保持穴101Aに挿通させる際には短ロッド15aが保持穴101Aの溝103を挿通するように軸回り位置を調整する作業を行う。この位置を調整した上でHスペーサ1Aを押し込むことにより、保持片13aが保持穴101Aを挿通し、保持片13aの上縁がヒートシンクHの下面に当接することで実施形態1と同様にHスペーサ1AによってヒートシンクHを保持することができる。また、Hスペーサ1Aの下端の固定部15を基板B上に載置することでヒートシンクHと半導体装置D(図示省略)との離間を保った状態でヒートシンクHを保持することができ、同時にヒートシンクHを基板B上で移動させて基板Bに対するヒートシンクHの位置決め、すなわち固定穴201Aに対するHスペーサ1Aの位置決めを行うことができる。この位置決め時にヒートシンクHの下面が半導体装置Dの上面に対して離間されていることは言うまでもない。位置決めが行われた後には、Hスペーサ1Aを押下して固定部15を固定穴201Aに嵌合する。この際には短ロッド15aが固定穴201Aの溝202を挿通するように軸回り位置を調整する作業を行う。さらに、短ロッド15aが固定穴201Aを挿通した後には、図6(b)に示すように、Hスペーサ1Aを略90度程度軸転させ、短ロッド15aが基板Bの裏面において固定穴201Aの内縁に係合する作業を行う。これによりHスペーサ1Aは基板Bに対して固定され、Hスペーサ1AによってヒートシンクHを基板に保持することができる。この取り付け作業におけるHスペーサ1Aの軸転作業は90度程度でよいので、作業が特に煩雑なものになることはなく、全体として作業を容易に行うことができる。   In the H spacer 1A of the second embodiment, the heat sink H can be held on the substrate B in exactly the same manner as the H spacer 1 of the first embodiment. However, in the second embodiment, when the H spacer 1A is inserted through the holding hole 101A of the heat sink H, an operation for adjusting the position around the axis is performed so that the short rod 15a is inserted through the groove 103 of the holding hole 101A. When the H spacer 1A is pushed in after adjusting this position, the holding piece 13a is inserted through the holding hole 101A, and the upper edge of the holding piece 13a is in contact with the lower surface of the heat sink H. The heat sink H can be held by 1A. Further, by placing the fixing portion 15 at the lower end of the H spacer 1A on the substrate B, the heat sink H can be held in a state where the heat sink H and the semiconductor device D (not shown) are kept apart, and at the same time, the heat sink By moving H on the substrate B, the heat sink H can be positioned with respect to the substrate B, that is, the H spacer 1A can be positioned with respect to the fixing hole 201A. Needless to say, the lower surface of the heat sink H is separated from the upper surface of the semiconductor device D during this positioning. After the positioning, the H spacer 1A is pressed down to fit the fixing portion 15 into the fixing hole 201A. At this time, an operation of adjusting the position around the axis is performed so that the short rod 15a passes through the groove 202 of the fixing hole 201A. Further, after the short rod 15a is inserted through the fixing hole 201A, the H spacer 1A is rotated about 90 degrees as shown in FIG. 6B, and the short rod 15a is inserted into the fixing hole 201A on the back surface of the substrate B. Work to engage the inner edge. Accordingly, the H spacer 1A is fixed to the substrate B, and the heat sink H can be held on the substrate by the H spacer 1A. Since the pivoting operation of the H spacer 1A in this attachment work may be about 90 degrees, the work is not particularly complicated, and the work can be easily performed as a whole.

ヒートシンクHを基板Bに保持した状態では、実施形態1と同様にヒートシンクHはコイルスプリング2の弾性力によって半導体装置Dの上面に弾接され、放熱効果が高められる。また、Hスペーサ1Aは短ロッド15aが基板Bの下面において固定穴201Aの内縁に係合しているので、Hスペーサ1Aが基板Bから脱落することはなく、ヒートシンクHを基板Bに保持することができる。このとき、図6(a)に示すように、保持部13のクリックノブ13cが保持穴101Aの溝103に係合するので、作業者はこのときのクリック感によってHスペーサ1Aの軸転位置を認識することができ、短ロッド15aを確実に固定穴201Aの溝202に対して直交する位置に設定することができる。また、このクリックノブ13cと保持穴101Aの溝103との係合によってHスペーサ1Aの軸転が抑制され、Hスペーサ1Aは多少の外力によっても軸転されることがなく、短ロッド15aが固定穴101Aとの係合から外れることが防止される。   In a state where the heat sink H is held on the substrate B, the heat sink H is elastically contacted with the upper surface of the semiconductor device D by the elastic force of the coil spring 2 as in the first embodiment, and the heat dissipation effect is enhanced. Further, since the short rod 15a is engaged with the inner edge of the fixing hole 201A on the lower surface of the substrate B, the H spacer 1A holds the heat sink H on the substrate B without dropping off from the substrate B. Can do. At this time, as shown in FIG. 6A, since the click knob 13c of the holding portion 13 engages with the groove 103 of the holding hole 101A, the operator can change the axis rotation position of the H spacer 1A by the click feeling at this time. The short rod 15a can be reliably set at a position orthogonal to the groove 202 of the fixing hole 201A. Further, the engagement of the click knob 13c and the groove 103 of the holding hole 101A suppresses the axial rotation of the H spacer 1A, and the H spacer 1A is not rotated even by some external force, and the short rod 15a is fixed. Release from engagement with the hole 101A is prevented.

基板BからヒートシンクHを取り外すときには、Hスペーサ1Aの頭部11を摘んでクリックノブ13cを保持穴101Aの溝部103から外れる位置まで軸転操作すれば、短ロッド15aを固定穴201Aの溝202に対応する位置に設定でき、Hスペーサ1Aの固定部15を固定穴201Aから引き抜くことができ、ヒートシンクHを基板Bから取り外すことが可能になる。すなわち、基板Bの上面側での操作のみでHスペーサ1AおよびヒートシンクHを基板Bから取り外すことができ、リユースに有効となる。   When the heat sink H is removed from the substrate B, the short rod 15a is moved into the groove 202 of the fixing hole 201A by picking the head 11 of the H spacer 1A and rotating the click knob 13c to the position where it is removed from the groove 103 of the holding hole 101A. The fixing portion 15 of the H spacer 1A can be pulled out from the fixing hole 201A, and the heat sink H can be detached from the substrate B. That is, the H spacer 1A and the heat sink H can be removed from the substrate B only by an operation on the upper surface side of the substrate B, which is effective for reuse.

(実施形態3)
実施形態2では、ヒートシンクHと基板Bに開口する保持穴101Aと固定穴201AはそれぞれHスペーサ1Aの固定部15の短ロッド15aが挿通可能な溝部103,202を形成する必要があり、実施形態1のような単純な円形の保持穴101と固定穴201を開口する場合に比較して穴あけ作業が多少面倒な点がある。特に、ヒートシンクHの保持穴として実施形態1のような既存の円形の保持穴101が開口されたものを用いる場合には保持穴を再加工する必要がある。実施形態3では保持穴を円形に形成した場合でもHスペーサの着脱を可能にしたものである。
(Embodiment 3)
In the second embodiment, the holding hole 101A and the fixing hole 201A that open to the heat sink H and the substrate B need to form grooves 103 and 202 into which the short rod 15a of the fixing portion 15 of the H spacer 1A can be inserted. Compared with the case where the simple circular holding hole 101 and the fixing hole 201 as shown in Fig. 1 are opened, the drilling operation is somewhat troublesome. In particular, in the case of using the existing circular holding hole 101 as in the first embodiment as the holding hole of the heat sink H, it is necessary to rework the holding hole. In the third embodiment, the H spacer can be attached and detached even when the holding hole is formed in a circular shape.

図7は実施形態3のHスペーサ1Bの斜視図で、実施形態1と等価な部分には同一符号を付してある。実施形態3のHスペーサ1Bは、保持部13から下方に固定部として円柱軸16が突出され、この円柱軸16の下端に所要の径寸法で下面が平面あるいは円錐形ないし凸球面に形成され(ここでは平面)、上面が平面に形成された厚い円板16aを備えている。この円板16aの径寸法は前記胴部12の径寸法に等しいか、それよりも小径とされている。そして、図8(a)に拡大図を示すように、前記円板16aの直径上に位置する対向する円周2箇所には、当該円板16aの全厚みにわたって中心に向けて三角扇型に切り欠いた切欠き16bが形成されている。また、これらの切欠き16bと平面方向に直交する直径上の円周2箇所には円板16aの上面を所要厚みで前記切欠き16bと同じ三角扇型に切り欠いた固定凹部16cが一体に形成されている。この固定凹部16cの深さ、すなわち円板16aを上面から低減した厚みは前記基板Bの板厚とほぼ同じ寸法である。   FIG. 7 is a perspective view of the H spacer 1 </ b> B according to the third embodiment, and parts equivalent to those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals. In the H spacer 1B of the third embodiment, a cylindrical shaft 16 protrudes downward from the holding portion 13 as a fixed portion, and the lower surface of the cylindrical shaft 16 has a required diameter and a flat or conical or convex spherical surface ( Here, a thick disk 16a having a flat upper surface is provided. The diameter of the disk 16a is equal to or smaller than the diameter of the body 12. Then, as shown in an enlarged view in FIG. 8 (a), two opposing circumferential positions located on the diameter of the disk 16a have a triangular fan shape toward the center over the entire thickness of the disk 16a. A notch 16b is formed. In addition, a fixed recess 16c in which the upper surface of the disk 16a is cut into the same triangular fan shape as the notch 16b with a required thickness is integrally formed at two places on the diameter orthogonal to the notch 16b. Is formed. The depth of the fixed recess 16c, that is, the thickness obtained by reducing the disk 16a from the upper surface is approximately the same as the thickness of the substrate B.

図7に示したように、前記ヒートシンクHに開口される保持穴101は実施形態1と同様に円形であるが、前記円板16aないし前記胴部12が挿通可能な形寸法である。また、前記基板Bに開口される固定穴201Bは前記円板16aに対応する円形を基準とし、この基準となる円形の直径上の円周2箇所に中心方向に向けて三角扇型をした突部203を有している。この突部203の平面形状は前記円板16aに形成した切欠き16bの平面形状および前記固定凹部16cの平面形状と同じ形状である。   As shown in FIG. 7, the holding hole 101 opened to the heat sink H is circular like the first embodiment, but has a shape that allows the disc 16a to the body 12 to be inserted. Further, the fixing hole 201B opened in the substrate B is based on a circle corresponding to the disk 16a, and is a triangular fan-shaped protrusion toward the center at two locations on the diameter of the circle serving as the reference. Part 203. The planar shape of the protrusion 203 is the same as the planar shape of the notch 16b formed in the disk 16a and the planar shape of the fixed recess 16c.

この実施形態3では、実施形態1と同様にしてヒートシンクHをHスペーサ1Bに保持させることができる。すなわち、Hスペーサ1Bの固定部16と保持部13をヒートシンクHの保持穴101に内挿させ、保持部13を内挿した時点で、保持片13aが弾性復帰し、実施形態1と同様にヒートシンクHを保持する。このとき、Hスペーサ1Bの固定部16を基板Bの上面に当接させることによってヒートシンクHを半導体装置D(図示省略)の上面に対して離間した状態とする。これにより、基板Bに対するヒートシンクHの位置決め、ないしは固定穴201Bに対するHスペーサ1Bの位置決めが可能になる。この位置決めが行われた後にHスペーサ1Bを軸転位置調整して円板16aの切欠き16bを固定穴201Bの突部203に対応させる。これにより、円板16aは固定穴201Bを挿通可能とされ、Hスペーサ1Bを押し込むことによって基板Bの下面側にまで内挿される。その上で、Hスペーサ1Bをほぼ90度軸転すると、図8(b)に示すように、円板16aの固定凹部16cが基板Bの下面側から固定穴201Bの突部203に嵌合される。円板16aの上面はコイルスプリング2の弾性力によって基板Bの下面に下方から弾接されるので、この弾接力によって固定凹部16cと突部203の嵌合状態が保持され、Hスペーサ1Bが基板Bから脱落することはなく、ヒートシンクHを基板Bに保持することができる。   In the third embodiment, similarly to the first embodiment, the heat sink H can be held by the H spacer 1B. That is, when the fixing portion 16 and the holding portion 13 of the H spacer 1B are inserted into the holding hole 101 of the heat sink H and the holding portion 13 is inserted, the holding piece 13a is elastically restored, and the heat sink is the same as in the first embodiment. Hold H. At this time, the heat sink H is separated from the upper surface of the semiconductor device D (not shown) by bringing the fixing portion 16 of the H spacer 1B into contact with the upper surface of the substrate B. As a result, the heat sink H can be positioned with respect to the substrate B, or the H spacer 1B can be positioned with respect to the fixing hole 201B. After this positioning is performed, the H spacer 1B is axially adjusted so that the notch 16b of the disk 16a corresponds to the protrusion 203 of the fixing hole 201B. Thereby, the disc 16a can be inserted through the fixing hole 201B, and is inserted into the lower surface side of the substrate B by pushing the H spacer 1B. Then, when the H spacer 1B is rotated approximately 90 degrees, the fixing recess 16c of the disk 16a is fitted into the protrusion 203 of the fixing hole 201B from the lower surface side of the substrate B as shown in FIG. The Since the upper surface of the disk 16a is elastically contacted with the lower surface of the substrate B from below by the elastic force of the coil spring 2, the engagement state between the fixed recess 16c and the projection 203 is maintained by this elastic contact force, and the H spacer 1B is The heat sink H can be held on the substrate B without dropping from B.

基板BからヒートシンクHを取り外すときには、Hスペーサ1Bの頭部11を基板B側に押し込むことにより、固定凹部16cと突部203との嵌合が解除されるのでHスペーサ1Bを軸転することが可能になり、この状態のままHスペーサ1Bを90度程度軸転する。軸転して切欠き16bが突部203に対応されると、固定穴201Bを通して円板16aを基板Bの上方まで引き抜くことができ、ヒートシンクHを基板Bから取り外すことが可能になる。すなわち、基板Bの上面側での操作のみでHスペーサ1BおよびヒートシンクHを基板Bから取り外すことができ、リユースに有効となる。   When the heat sink H is removed from the substrate B, the head 11 of the H spacer 1B is pushed toward the substrate B to release the fitting between the fixed recess 16c and the projection 203, so that the H spacer 1B can be rotated. In this state, the H spacer 1B is rotated about 90 degrees. When the shaft 16 rotates and the notch 16b corresponds to the protrusion 203, the disk 16a can be pulled out above the substrate B through the fixing hole 201B, and the heat sink H can be removed from the substrate B. That is, the H spacer 1B and the heat sink H can be removed from the substrate B only by an operation on the upper surface side of the substrate B, which is effective for reuse.

本発明は、以上説明した実施形態1,2,3に限られるものではなく、Hスペーサの保持部と固定部の形状、構造は適宜に変更することが可能である。保持部はヒートシンクにコイルスプリングの弾性力が付与された状態でヒートシンクを下支え保持する構成であればよい。固定部はHスペーサを基板の固定穴に嵌合して固定状態とする構成であればよい。この場合、固定穴に対して固定部を着脱することができるように構成することが好ましい。その一方で、本発明はHスペーサがヒートシンクを保持した状態でHスペーサの下端を基板に当接したときに、ヒートシンクの下面が半導体装置の上面に接触しないようにすることが必要である。特に、半導体装置の上面に高伝熱性接着剤等が形成されている場合には、ヒートシンクの下面はこの高伝熱性接着剤等に接触しないようにする。そのため、Hスペーサの上下方向について保持部と固定部の間隔を半導体装置の高さ寸法に対応させて適切な間隔寸法に設定することが肝要である。   The present invention is not limited to the first, second, and third embodiments described above, and the shape and structure of the holding portion and the fixing portion of the H spacer can be appropriately changed. The holding part may be configured to support and hold the heat sink in a state where the elastic force of the coil spring is applied to the heat sink. The fixing part may be configured to fit the H spacer into the fixing hole of the substrate to be in a fixed state. In this case, it is preferable to configure so that the fixing portion can be attached to and detached from the fixing hole. On the other hand, the present invention requires that the lower surface of the heat sink does not come into contact with the upper surface of the semiconductor device when the lower end of the H spacer contacts the substrate while the H spacer holds the heat sink. In particular, when a high heat transfer adhesive or the like is formed on the upper surface of the semiconductor device, the lower surface of the heat sink should not be in contact with the high heat transfer adhesive or the like. For this reason, it is important to set the distance between the holding part and the fixed part in the vertical direction of the H spacer to an appropriate distance dimension corresponding to the height dimension of the semiconductor device.

また、実施形態1,2,3ではコイルスプリングの弾性力を調整することについては特に説明していないが、半導体装置の高さ寸法の相違や、コイルスプリング自体の弾性力の相違等に対応してHスペーサに対するコイルスプリングの支持位置を調整することができる構成としてもよい。例えば、支持片に複数の段部を設け、これら複数の段部のいずれかにおいてコイルスプリングの上端部が支持されるようにすることでコイルスプリングがヒートシンクに対して加える弾性力を調整することができる。これにより、ヒートシンクを適切な当接力で半導体装置の上面に当接させ、好ましい熱伝導が可能になる。コイルスプリングの弾性力を調整する必要がないときには、コイルスプリングはHスペーサに嵌装するだけでもよく、この場合にはHスペーサには特に支持部を設ける必要はない。さらに、ヒートシンクを半導体装置に対して弾性力をもって当接させることが可能であれば、コイルスプリングに代えて他の形態のスプリングを用いてもよい。このスプリングはHスペーサの一部に一体形成した弾性片で構成するようにしてもよい。   In the first, second, and third embodiments, adjustment of the elastic force of the coil spring is not particularly described. However, it corresponds to a difference in height of the semiconductor device, a difference in elastic force of the coil spring itself, and the like. The coil spring support position relative to the H spacer may be adjusted. For example, it is possible to adjust the elastic force that the coil spring applies to the heat sink by providing a plurality of step portions on the support piece and supporting the upper end portion of the coil spring at any of the plurality of step portions. it can. Thereby, the heat sink is brought into contact with the upper surface of the semiconductor device with an appropriate contact force, and preferable heat conduction is possible. When it is not necessary to adjust the elastic force of the coil spring, the coil spring may only be fitted to the H spacer, and in this case, it is not necessary to provide a support portion for the H spacer. Furthermore, as long as the heat sink can be brought into contact with the semiconductor device with an elastic force, another form of spring may be used instead of the coil spring. This spring may be constituted by an elastic piece integrally formed with a part of the H spacer.

実施形態1,2,3では、発熱部品として半導体装置の例を掲げたが、他の電子部品、すなわち駆動されたときに熱を発生する電子部品のヒートシンクであれば本発明を同様に適用することができる。また、この場合発熱部品の上面やヒートシンクの下面は必ずしも平坦な面でなくてもよく、弾性力によって両者が密接して発熱部品からヒートシンクの熱伝導が高められる構成であればよい。   In the first, second, and third embodiments, the semiconductor device is exemplified as the heat generating component. However, the present invention is similarly applied to other electronic components, that is, heat sinks of electronic components that generate heat when driven. be able to. In this case, the upper surface of the heat generating component and the lower surface of the heat sink do not necessarily have to be flat surfaces, and any structure may be used as long as both are brought into close contact with each other by the elastic force and heat conduction from the heat generating component is enhanced.

本発明は半導体装置等の発熱部品を放熱するためのヒートシンクを保持するための装置として適用することが可能である。   The present invention can be applied as a device for holding a heat sink for radiating heat-generating components such as a semiconductor device.

B 基板
H ヒートシンク
D 半導体装置(発熱部品)
C 高伝熱接着剤等
1,1A,1B ヒートシンクスペーサ(Hスペーサ)
2 コイルスプリング(弾性材)
11 頭部
12 胴部
12a 支持片
13 保持部
13a 保持片
14 固定部
14a 固定片
15 固定部(円柱軸)
15a 短ロッド
16 固定部(円柱軸)
16a 円板
16b 切欠き
16c 固定凹部
101,101A,101B 保持穴
201,201A,201B 固定穴
B Substrate H Heat sink D Semiconductor device (Heat generation component)
C High heat transfer adhesive, etc. 1, 1A, 1B Heat sink spacer (H spacer)
2 Coil spring (elastic material)
11 Head 12 Body 12a Supporting piece 13 Holding part 13a Holding piece 14 Fixing part 14a Fixing piece 15 Fixing part (Cylindrical axis)
15a Short rod 16 fixed part (cylinder axis)
16a disc 16b notch 16c fixing recess 101, 101A, 101B holding hole 201, 201A, 201B fixing hole

Claims (3)

基板の表面上に搭載された発熱部品と、前記発熱部品で発生した熱を放熱するためのヒートシンクと、前記ヒートシンクを前記基板の表面側から前記発熱部品に当接させた状態で保持するヒートシンクスペーサと、当該ヒートシンクスペーサに支持されて前記ヒートシンクに対して前記発熱部品に向けた方向に弾性力を付与する弾性材とを備え、前記ヒートシンクスペーサは、前記ヒートシンクを下支え保持する保持部と、前記基板に設けた固定穴に嵌合して基板に対して固定される固定部を有し、前記保持部においてヒートシンクを保持しかつ前記固定部が前記固定穴に嵌合しない状態のときに、前記ヒートシンクの当接面は前記発熱部品の当接面に対して離間され、前記固定部が前記固定穴に嵌合したときに前記ヒートシンクの当接面が前記弾性材の弾性力によって前記発熱部品の当接面に当接される構成であることを特徴とするヒートシンク保持装置。   A heat generating component mounted on the surface of the substrate, a heat sink for dissipating heat generated by the heat generating component, and a heat sink spacer for holding the heat sink in contact with the heat generating component from the surface side of the substrate And an elastic material that is supported by the heat sink spacer and applies an elastic force to the heat sink in a direction toward the heat-generating component, the heat sink spacer supporting the heat sink, and a substrate. A fixing portion that fits into a fixing hole provided in the fixing hole and is fixed to the substrate, holds the heat sink in the holding portion, and the fixing portion does not fit in the fixing hole. The abutting surface of the heat sink is spaced apart from the abutting surface of the heat generating component, and when the fixing portion is fitted in the fixing hole, the abutting surface of the heat sink is Heat sink retention device, characterized in that the elastic force of the serial elastic member is configured to be in contact with the contact surface of the heat generating component. 前記ヒートシンクスペーサは、前記固定部が前記基板の表面に当接した状態のときの前記基板の表面から前記ヒートシンクの当接面までの長さは前記発熱部品の前記基板の表面からの高さ寸法よりも大きく、前記固定部が前記固定穴に嵌合した状態のときの前記基板の表面から前記ヒートシンクの当接面までの長さは前記発熱部品の前記基板表面からの高さ寸法よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク保持装置。   The length of the heat sink spacer from the surface of the substrate to the contact surface of the heat sink when the fixed portion is in contact with the surface of the substrate is a height dimension of the heat generating component from the surface of the substrate. And the length from the surface of the substrate to the contact surface of the heat sink when the fixing portion is fitted in the fixing hole is smaller than the height dimension of the heat generating component from the surface of the substrate. The heat sink holding device according to claim 1. 前記ヒートシンクスペーサは、基板の表面側から操作したときに前記固定部が前記固定穴に対して着脱可能な構成であることを特徴とする請求項1,2に記載のヒートシンク保持装置。

The heat sink holding device according to claim 1, wherein the heat sink spacer is configured so that the fixing portion can be attached to and detached from the fixing hole when operated from the front surface side of the substrate.

JP2013168473A 2013-08-14 2013-08-14 Heat sink retainer Active JP6271184B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013168473A JP6271184B2 (en) 2013-08-14 2013-08-14 Heat sink retainer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013168473A JP6271184B2 (en) 2013-08-14 2013-08-14 Heat sink retainer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015037129A true JP2015037129A (en) 2015-02-23
JP6271184B2 JP6271184B2 (en) 2018-01-31

Family

ID=52687492

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013168473A Active JP6271184B2 (en) 2013-08-14 2013-08-14 Heat sink retainer

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6271184B2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018181593A (en) * 2017-04-12 2018-11-15 株式会社ニックス Conduction fixing pin and conduction fixing method using the same
KR101920776B1 (en) * 2017-06-08 2018-11-21 엘지이노텍 주식회사 Heat conversion device
KR20180134317A (en) 2018-11-14 2018-12-18 엘지이노텍 주식회사 Heat conversion device

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000022059A (en) * 1998-07-07 2000-01-21 Fujitsu Ltd Electronic device
JP3088132U (en) * 2002-02-22 2002-08-30 ▲とう▼ 淑貞 Heat sink fixing device
US20080284005A1 (en) * 2006-10-13 2008-11-20 Illinois Tool Works Inc. Fastener for heat sinks
JP2009279084A (en) * 2008-05-20 2009-12-03 Daito Giken:Kk Fixing pin for game table
JP2011023491A (en) * 2009-07-15 2011-02-03 Nec Corp Lock jig, and semiconductor device
WO2012057223A1 (en) * 2010-10-29 2012-05-03 株式会社ニフコ Ground clip
JP2013058681A (en) * 2011-09-09 2013-03-28 Nec Corp Member for fixing component and component fixing structure

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000022059A (en) * 1998-07-07 2000-01-21 Fujitsu Ltd Electronic device
JP3088132U (en) * 2002-02-22 2002-08-30 ▲とう▼ 淑貞 Heat sink fixing device
US20080284005A1 (en) * 2006-10-13 2008-11-20 Illinois Tool Works Inc. Fastener for heat sinks
JP2009279084A (en) * 2008-05-20 2009-12-03 Daito Giken:Kk Fixing pin for game table
JP2011023491A (en) * 2009-07-15 2011-02-03 Nec Corp Lock jig, and semiconductor device
WO2012057223A1 (en) * 2010-10-29 2012-05-03 株式会社ニフコ Ground clip
JP2013058681A (en) * 2011-09-09 2013-03-28 Nec Corp Member for fixing component and component fixing structure

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018181593A (en) * 2017-04-12 2018-11-15 株式会社ニックス Conduction fixing pin and conduction fixing method using the same
KR101920776B1 (en) * 2017-06-08 2018-11-21 엘지이노텍 주식회사 Heat conversion device
WO2018226044A1 (en) * 2017-06-08 2018-12-13 엘지이노텍 주식회사 Heat conversion device
CN110730890A (en) * 2017-06-08 2020-01-24 Lg伊诺特有限公司 Heat conversion device
CN110730890B (en) * 2017-06-08 2021-11-30 Lg伊诺特有限公司 Heat conversion device
US11227987B2 (en) 2017-06-08 2022-01-18 Lg Innotek Co., Ltd. Heat conversion device
KR20180134317A (en) 2018-11-14 2018-12-18 엘지이노텍 주식회사 Heat conversion device
KR102221688B1 (en) * 2018-11-14 2021-03-02 엘지이노텍 주식회사 Heat conversion device

Also Published As

Publication number Publication date
JP6271184B2 (en) 2018-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009182182A (en) Heat dissipation structure of electronic component storage case body
JP6271184B2 (en) Heat sink retainer
JP6885194B2 (en) Electronics
US10790215B1 (en) Heat dissipation device
JP2018018984A (en) Heat dissipation structure and electronic apparatus
JP5221252B2 (en) Heat dissipation device
JP2009181215A (en) Electronic equipment
US7791883B2 (en) Fastening heat exchanger apparatus
JP2017199756A (en) Cooling member, cooling device, electronic apparatus, and method of forming cooling member
JP3235247U (en) Fixed assemblies and electronic devices
JP2011199044A (en) Heat sink
JP2018096613A (en) Heat radiation structure and electronic apparatus
JP2007173318A (en) Heat dissipation structure and information device
US9072176B2 (en) Assembling structure of heat dissipation device
JP2011228512A (en) Mounting structure for heat sink
TW200917944A (en) Electronic apparatus and method of fixing cooling fan
JP5128962B2 (en) Heat dissipation device
JP3235160U (en) Fixed assemblies and electronic devices
TW201416837A (en) Heat sink assembly
JP6493114B2 (en) Heat dissipation device and electronic device
JP4791988B2 (en) Thermal conductor and heat dissipation structure
JP5191929B2 (en) Semiconductor element mounting structure
JP2010087031A (en) Electronic apparatus
JP2005019743A (en) Heat radiation mounting structure of electric equipment
JP3139867U (en) Heat sink module

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160714

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170707

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170718

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170808

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171212

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171227

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6271184

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250