JP2015035413A

JP2015035413A - ヒータ

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Publication number: JP2015035413A
Application number: JP2014013287A
Authority: JP
Inventors: 康之有瀧; Yasuyuki Aritaki; 暢人木下; Nobuhito Kinoshita; 政志 ▲高▼木; Masashi Takagi; 友春堀尾; Tomoharu Horio
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2013-07-12
Filing date: 2014-01-28
Publication date: 2015-02-19
Anticipated expiration: 2034-01-28
Also published as: JP6307286B2

Abstract

【課題】基板が割れることを防止できるヒータを提供すること。【解決手段】長手状の基板１と、基板１に形成された発熱抵抗体２と、基板１に形成され、発熱抵抗体２に接する抵抗体用電極と、熱伝導膜３と、を備え、基板１は、発熱区間と、非発熱区間とを含み、発熱区間は、基板１の長手方向において、発熱抵抗体２および抵抗体用電極５のうち、発熱抵抗体２のみに重なる区間であり、非発熱区間は、発熱区間とは異なり、且つ、基板１の長手方向において、発熱区間に隣接している区間であり、熱伝導膜３は、基板１にて、発熱区間から非発熱区間にわたって、形成されている。【選択図】図１

Description

本発明は、ヒータに関する。

従来から、ＯＡ機器（たとえば、電子複写機、ファクシミリ、プリンタ）のトナー定着等に用いられるヒータが知られている。このようなヒータは、たとえば、板状の基板と抵抗発熱体とを備える。このようなヒータにおいて、抵抗発熱体が発熱すると、基板が熱膨張する。従来のヒータにおいては、この基板の熱膨張に起因する基板の割れが生じることがあった。ヒータに関する文献としては、たとえば、特許文献１が知られている。

特開２００９−１９３８４４号公報

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、基板が割れることを防止できるヒータを提供することをその主たる課題とする。

本発明の第１の側面によると、長手状の基板と、前記基板に形成された発熱抵抗体と、前記基板に形成され、前記発熱抵抗体に接する抵抗体用電極と、熱伝導膜と、を備え、前記基板は、発熱区間と、非発熱区間とを含み、前記発熱区間は、前記基板の長手方向において、前記発熱抵抗体および前記抵抗体用電極のうち、前記発熱抵抗体のみに重なる区間であり、前記非発熱区間は、前記発熱区間とは異なり、且つ、前記基板の長手方向において、前記発熱区間に隣接している区間であり、前記熱伝導膜は、前記基板にて、前記発熱区間から前記非発熱区間にわたって、形成されている、ヒータが提供される。

好ましくは、前記熱伝導膜は、前記基板における、前記基板の短手方向の端部に形成されている。

好ましくは、前記熱伝導膜は、前記基板の厚さ方向視において、前記発熱抵抗体よりも、前記基板の短手方向における端部寄りに形成された部位を有する。

好ましくは、前記基板は、基板主面と、基板裏面と、第１基板側面と、第２基板側面と、を有し、前記基板主面および前記基板裏面は、前記基板の厚さ方向において、互いに反対側に位置しており、前記第１基板側面および前記第２基板側面は、前記基板の短手方向において、互いに反対側に位置しており、前記基板主面側に、前記発熱抵抗体および前記抵抗体用電極が形成されている。

好ましくは、前記第１基板側面および前記基板裏面には、複数の切欠きが形成されており、前記複数の切欠きは各々、前記基板の厚さ方向に直交する平面による断面形状が、半円形状であり、且つ、前記基板裏面から前記基板主面に向かうにつれて、前記半円の直径が徐々に小さくなる。

好ましくは、前記複数の切欠きは各々、半円錐状である。

好ましくは、前記基板裏面における、前記切欠きを構成する前記半円の直径は、４０〜７０μｍである。

好ましくは、前記複数の切欠きは、レーザによって形成されたものである。

好ましくは、前記熱伝導膜は、前記基板裏面に形成された裏面部を含む。

好ましくは、前記熱伝導膜は、前記第１基板側面に形成された第１側面部と、前記第２基板側面に形成された第２側面部と、を含む。

好ましくは、前記熱伝導膜は、前記基板主面に形成された主面部を含む。

好ましくは、前記主面部と、前記発熱抵抗体と、前記抵抗体用電極と、は、前記基板主面に接する。

好ましくは、前記主面部は、前記基板主面に接しており、前記主面部は、前記基板の厚さ方向視において、前記発熱抵抗体に重なる部分を有する。

好ましくは、前記主面部および前記発熱抵抗体の間に介在する絶縁層を更に備える。

好ましくは、前記熱伝導膜のうち、前記非発熱区間に形成された部分の、前記基板の長手方向における寸法は、５ｍｍ以上である。

好ましくは、前記熱伝導膜のうち、前記発熱区間に形成された部分の、前記基板の長手方向における寸法は、５ｍｍ以上である。

好ましくは、前記裏面部の、前記基板の短手方向における寸法は、前記基板の前記短手方向の寸法の半分以上である。

好ましくは、前記裏面部は、互いに離間した複数の裏面要素を含み、前記複数の裏面要素はいずれも、前記発熱区間から前記非発熱区間にわたって、形成されている。

好ましくは、前記主面部は、互いに離間した複数の主面要素を含み、前記複数の主面要素はいずれも、前記発熱区間から前記非発熱区間にわたって、形成されている。

好ましくは、前記熱伝導膜は、前記基板を構成する材料の熱伝導率よりも大きい熱伝導率の材料よりなる。

好ましくは、前記熱伝導膜は、金属よりなる。

好ましくは、前記金属は、Ａｇ、ＡｇＰｔ、Ａｕ、あるいは、Ｃｕである。

好ましくは、前記熱伝導膜の厚さは、１０〜２０μｍである。

好ましくは、前記発熱抵抗体は、各々が前記基板の長手方向に沿って延びる第１長状部および第２長状部を含み、前記第１長状部および前記第２長状部は、前記基板の短手方向に離間している。

好ましくは、前記第１長状部は、前記基板の短手方向のうちの一方である第１短手方向側に位置しており、前記基板の短手方向の寸法に対する、前記第１長状部と前記第１短手方向における前記基板の端縁との離間寸法の比は、０．０５４〜０．１０９であり、前記第２長状部は、前記基板の短手方向のうちの他方である第２短手方向側に位置しており、前記基板の短手方向の寸法に対する、前記第２長状部と前記第２短手方向における前記基板の端縁との離間寸法の比は、０．０５４〜０．１０９である。

好ましくは、前記基板の厚さは、０．５〜１．０ｍｍである。

好ましくは、前記第１長状部は、前記基板の短手方向のうちの一方である第１短手方向側に位置しており、前記第１長状部と、前記第１短手方向における前記基板の端縁と、の離間寸法は、０．５〜１．０ｍｍであり、前記第２長状部は、前記基板の短手方向のうちの他方である第２短手方向側に位置しており、前記第２長状部と、前記第２短手方向における前記基板の端縁と、の離間寸法は、０．５〜１．０ｍｍである。

好ましくは、前記第１長状部は、第１幅広部および第１幅狭部を有し、前記第１幅広部の前記短手方向における寸法は、前記第１幅狭部の前記短手方向の寸法よりも大きく、前記第１幅広部は、前記第１幅狭部と、前記抵抗体用電極と、の間に位置している。

好ましくは、前記第２長状部は、第２幅広部および第２幅狭部を有し、前記第２幅広部の前記短手方向における寸法は、前記第２幅狭部の前記短手方向の寸法よりも大きく、前記第２幅広部は、前記第２幅狭部と、前記抵抗体用電極と、の間に位置している。

好ましくは、前記発熱抵抗体を覆う保護層を更に備える。

好ましくは、前記保護層は、前記第１長状部と、前記第２長状部と、前記抵抗体用電極と、を覆う。

好ましくは、前記抵抗体用電極は、第１抵抗体用パッドおよび第２抵抗体用パッドを有し、前記第１抵抗体用パッドおよび前記第２抵抗体用パッドは、前記保護層から露出している。

好ましくは、前記抵抗体用電極は、第１抵抗体用連絡部および第２抵抗体用連絡部を有し、前記第１抵抗体用連絡部は、前記第１抵抗体用パッドにつながり、且つ、前記第１長状部に接しており、前記第２抵抗体用連絡部は、前記第２抵抗体用パッドにつながり、且つ、前記第２長状部に接しており、前記第１抵抗体用連絡部および前記第２抵抗体用連絡部は、前記保護層に覆われている。

好ましくは、前記発熱抵抗体は、ＡｇＰｄ、ニクロム、あるいは、酸化ルテニウムよりなる。

好ましくは、前記基板は、セラミックよりなる。

好ましくは、前記セラミックは、アルミナ、ジルコニア、あるいは、窒化アルミニウムである。

好ましくは、前記基板の厚さは、０．４〜１．１ｍｍである。

好ましくは、前記基板の厚さは、０．４〜０．６ｍｍである。

好ましくは、前記保護層は、ガラスよりなる。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本発明の第１実施形態にかかる装置の断面図である。本発明の第１実施形態にかかるヒータの平面図（一部透視化）である。図２から保護層を省略した図である。図２に示したヒータの部分拡大断面図である。図２に示したヒータの裏面図である。図２のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。図２のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。（ａ）は、基板のみを示す斜視図である。（ｂ）は、基板の厚さ方向に直交する平面による、基板の断面形状を示す図である。（ａ）は、基板のみを示す斜視図である。（ｂ）は、基板の厚さ方向に直交する平面による、基板の断面形状を示す図である。（ａ）は、基板のみを示す斜視図である。（ｂ）は、基板の厚さ方向に直交する平面による、基板の断面形状を示す図である。（ａ）は、基板のみを示す斜視図である。（ｂ）は、基板の厚さ方向に直交する平面による、基板の断面形状を示す図である。図２に示したヒータの温度分布と、従来のヒータの温度分布と、を示すグラフである。本発明の第１実施形態の第１変形例にかかるヒータの裏面図である。本発明の第１実施形態の第２変形例にかかるヒータの裏面図である。本発明の第２実施形態にかかるヒータの平面図（保護層を省略）である。図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う断面図である。本発明の第３実施形態にかかるヒータの断面図である。本発明の第３実施形態にかかるヒータの断面図である。本発明の第４実施形態にかかるヒータの平面図（保護層を省略）である。本発明の第５実施形態にかかるヒータの平面図（保護層を省略）である。図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿う断面図である。

＜第１実施形態＞
図１〜図１２を用いて、本発明の第１実施形態について説明する。

図１は、本発明の第１実施形態にかかる装置の断面図である。

同図に示す装置８００は、たとえばＯＡ機器（たとえば電子複写機、ファクシミリ、プリンタ）のトナー定着等に用いられる。装置８００は、ヒータ１００と、プラテンローラ８０１と、サーミスタ８６１と、を備える。

ヒータ１００は、プラテンローラ８０１に対向しており、被加熱媒体Ｄｃに転写されたトナーを、被加熱媒体Ｄｃに熱定着させるために用いられる。

図２は、本発明の第１実施形態にかかるヒータの平面図（一部透視化）である。図３は、図２から保護層を省略した図である。図４は、図２に示したヒータの部分拡大断面図である。図５は、図２に示したヒータの裏面図である。図６は、図２のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。図７は、図２のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。

ヒータ１００は、基板１と、発熱抵抗体２と、熱伝導膜３と、抵抗体用電極５と、保護層７と、を備える。

図１〜図７に示す基板１は長板状である。基板１の長手方向を長手方向Ｘとしており、基板１の短手方向を短手方向Ｙとしており、基板１の厚さ方向を厚さ方向Ｚとしている。

本実施形態では、基板１は絶縁性の材料よりなる。本実施形態では、基板１を構成する絶縁性の材料はセラミックである。このようなセラミックとしては、たとえば、アルミナ、ジルコニア、および、窒化アルミニウムが挙げられる。

好ましくは、基板１の厚さは、たとえば、０．４〜１．１ｍｍである。更に好ましくは、基板１の厚さは、たとえば、０．４〜０．６ｍｍである。基板１が熱伝導率が小さい材料（たとえばアルミナ）よりなる場合には、基板１の厚さは薄い方が好ましい。

基板１は、基板主面１１と、基板裏面１２と、第１基板側面１３と、第２基板側面１４と、第１基板端面１５と、第２基板端面１６と、を有する。基板主面１１と、基板裏面１２と、第１基板側面１３と、第２基板側面１４と、第１基板端面１５と、第２基板端面１６と、はいずれも平坦である。

図６に示すように、基板主面１１および基板裏面１２は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側に位置しており、且つ、互いに反対側を向いている。基板主面１１は、厚さ方向Ｚの一方を向いている。一方、基板裏面１２は、厚さ方向Ｚの他方を向いている。基板主面１１および基板裏面１２はいずれも、長矩形状である。

図２、図６、図７等に示す、第１基板側面１３と、第２基板側面１４と、第１基板端面１５と、第２基板端面１６と、はいずれも、基板１の厚さ方向Ｚに交差する方向を向いている。第１基板側面１３と、第２基板側面１４と、第１基板端面１５と、第２基板端面１６と、はいずれも、基板主面１１および基板裏面１２につながっている。第１基板側面１３および第２基板側面１４は、各々が長手状に延びており、基板１の短手方向Ｙにおいて互いに反対側に位置している。第１基板側面１３は、基板１の短手方向Ｙの一端に位置している。第２基板側面１４は、基板１の短手方向Ｙの他端に位置している。第１基板端面１５および第２基板端面１６は、基板１の長手方向Ｘにおいて互いに反対側に位置している。第１基板端面１５は、基板１の長手方向Ｘの一端に位置している。第２基板端面１６は、基板１の長手方向Ｘの他端に位置している。

図６〜図１１に示すように、本実施形態では、基板１には、複数の切欠きが形成されている。具体的には次のとおりである。

図６、図８に示すように、基板裏面１２および第１基板側面１３には、複数の切欠き１３１が形成されている。複数の切欠き１３１は、基板裏面１２および第１基板側面１３から凹む形状である。複数の切欠き１３１は、長手方向Ｘに沿って配列されている。複数の切欠き１３１は各々、厚さ方向Ｚに直交する平面による断面形状が、半円形状であり、且つ、基板裏面１２から基板主面１１に向かうにつれて、当該半円の直径が徐々に小さくなる。すなわち、複数の切欠き１３１は各々、半円錐状である。基板裏面１２における、切欠き１３１を構成する半円の直径Ｒ３（図８参照）に、は、たとえば、４０〜７０μｍである。

図６、図９に示すように、基板裏面１２および第２基板側面１４には、複数の切欠き１４１が形成されている。複数の切欠き１４１は、基板裏面１２および第２基板側面１４から凹む形状である。複数の切欠き１４１は、長手方向Ｘに沿って配列されている。複数の切欠き１４１は各々、厚さ方向Ｚに直交する平面による断面形状が、半円形状であり、且つ、基板裏面１２から基板主面１１に向かうにつれて、当該半円の直径が徐々に小さくなる。すなわち、複数の切欠き１４１は各々、半円錐状である。基板裏面１２における、切欠き１４１を構成する半円の直径Ｒ４（図９参照）は、たとえば、４０〜７０μｍである。

図７、図１０に示すように、基板裏面１２および第１基板端面１５には、複数の切欠き１５１が形成されている。複数の切欠き１５１は、基板裏面１２および第１基板端面１５から凹む形状である。複数の切欠き１５１は、短手方向Ｙに沿って配列されている。複数の切欠き１５１は各々、厚さ方向Ｚに直交する平面による断面形状が、半円形状であり、且つ、基板裏面１２から基板主面１１に向かうにつれて、当該半円の直径が徐々に小さくなる。すなわち、複数の切欠き１５１は各々、半円錐状である。基板裏面１２における、切欠き１５１を構成する半円の直径Ｒ５（図１０参照）は、たとえば、４０〜７０μｍである。

図７、図１１に示すように、基板裏面１２および第２基板端面１６には、複数の切欠き１６１が形成されている。複数の切欠き１６１は、基板裏面１２および第２基板端面１６から凹む形状である。複数の切欠き１６１は、短手方向Ｙに沿って配列されている。複数の切欠き１６１は各々、厚さ方向Ｚに直交する平面による断面形状が、半円形状であり、且つ、基板裏面１２から基板主面１１に向かうにつれて、当該半円の直径が徐々に小さくなる。すなわち、複数の切欠き１６１は各々、半円錐状である。基板裏面１２における、切欠き１６１を構成する半円の直径Ｒ６（図１１参照）は、たとえば、４０〜７０μｍである。

第１基板側面１３や第２基板側面１４や第１基板端面１５や第２基板端面１６に、切欠き（切欠き１３１，１４１，１５１，１６１）が形成されるのは、基板１を切断する際にレーザ（ＹＡＧレーザ）を用いるためである。基板１を切断する際に、基板裏面１２側からレーザ光を照射して、レーザスリットを形成する。このスリットが、基板１において切欠きとして残る。なお、本実施形態にて用いるレーザのレーザ径は非常に小さい。そのため、上述のように直径Ｒ３〜Ｒ６は４０〜７０μｍと非常に小さい。

なお、本実施形態とは異なり、基板１を切断する際にレーザを用いない場合等には、第１基板側面１３や第２基板側面１４や第１基板端面１５や第２基板端面１６に切欠きが形成されていなくてもよい。

図２、図３に示すように、基板１は、発熱区間Ｚ２１および非発熱区間Ｚ２２を含む。発熱区間Ｚ２１および非発熱区間Ｚ２２については後述する。

図１〜図６に示す発熱抵抗体２は基板１に形成されている。発熱抵抗体２は基板１に接している。なお、本願において「ある物体が他の物体に形成されている」とは、「ある物体が他の物体に接している」ことに加え、「ある物体が他の物体に接していない場合」を含む。発熱抵抗体２は、電流が流れることにより熱を発する。発熱抵抗体２は抵抗体材料よりなる。発熱抵抗体２を構成する抵抗体材料としては、たとえば、ＡｇＰｄが挙げられる。他に発熱抵抗体２を構成する抵抗体材料としては、たとえば、ニクロムや酸化ルテニウムが挙げられる。発熱抵抗体２の厚さ（厚さ方向Ｚにおける寸法）は、たとえば、５〜１５μｍである。発熱抵抗体２は、たとえば、印刷によって形成される。発熱抵抗体２は、基板１のうち基板主面１１側に形成されている。本実施形態においては、発熱抵抗体２は基板主面１１に接している。

図２、図３、図６に示すように、発熱抵抗体２は、第１長状部２１および第２長状部２２を有する。

第１長状部２１は、基板１の長手方向Ｘに沿って長手状に延びている。第１長状部２１は、基板１のうち、短手方向Ｙの一端側（図３では下側）に形成されている。第１長状部２１は、基板１の長手方向Ｘの一端から他端にわたって形成されている。第１長状部２１の長さは、基板１の長手方向Ｘの寸法の５０％以上、好ましくは７０％以上、更に好ましくは８０％以上である。第１長状部２１は基板１に接しており、本実施形態では基板主面１１に接している。

第２長状部２２は、基板１の長手方向Ｘに沿って長手状に延びている。第２長状部２２は、基板１のうち、短手方向Ｙの他端側（図３では上側）に形成されている。第２長状部２２は、基板１の長手方向Ｘの一端から他端にわたって形成されている。第２長状部２２の長さは、基板１の長手方向Ｘの寸法の５０％以上、好ましくは７０％以上、更に好ましくは８０％以上である。第２長状部２２は基板１に接しており、本実施形態では基板主面１１に接している。第２長状部２２および第１長状部２１は、基板１の短手方向Ｙに互いに離間している。第２長状部２２および第１長状部２１は互いに平行である。

図２、図３等に示す抵抗体用電極５は基板１に形成されている。抵抗体用電極５は基板１に接している。抵抗体用電極５は、ヒータ１００外からの電力を発熱抵抗体２に供給するためのものである。抵抗体用電極５は導電材料よりなる。抵抗体用電極５を構成する導電材料としては、たとえば、Ａｇが挙げられる。抵抗体用電極５の厚さ（厚さ方向Ｚにおける寸法）は、たとえば、５〜１５μｍである。抵抗体用電極５は、たとえば、印刷によって形成される。本実施形態においては、抵抗体用電極５は、基板１のうち基板主面１１側に形成されている。抵抗体用電極５は基板主面１１に接している。図４に示すように、抵抗体用電極５の一部は、発熱抵抗体２の一部と重なっており、且つ、接している。本実施形態では、発熱抵抗体２と基板１との間に抵抗体用電極５の一部が介在している。本実施形態とは異なり、抵抗体用電極５と基板１との間に発熱抵抗体２の一部が介在していてもよい。

図２、図３に示すように、抵抗体用電極５は、第１抵抗体用パッド５１１と、第１抵抗体用連絡部５１２と、第２抵抗体用パッド５１６と、第２抵抗体用連絡部５１７と、を含む。

第１抵抗体用パッド５１１は矩形状の部分である。第１抵抗体用パッド５１１には、ヒータ１００外からの電力が供給される。第１抵抗体用連絡部５１２は第１抵抗体用パッド５１１につながっている。第１抵抗体用連絡部５１２は、発熱抵抗体２の一部と重なっており、且つ、発熱抵抗体２に接している。より具体的には、第１抵抗体用連絡部５１２は、発熱抵抗体２における第１長状部２１に重なっており、且つ、発熱抵抗体２における第１長状部２１に接している。第１抵抗体用連絡部５１２は、基板１の長手方向Ｘに沿って延びる帯状である。

第２抵抗体用パッド５１６は矩形状の部分である。第２抵抗体用パッド５１６には、ヒータ１００外からの電力が供給される。第２抵抗体用連絡部５１７は第２抵抗体用パッド５１６につながっている。第２抵抗体用連絡部５１７は、発熱抵抗体２の一部と重なっており、且つ、発熱抵抗体２に接している。より具体的には、第２抵抗体用連絡部５１７は、発熱抵抗体２における第２長状部２２に重なっており、且つ、発熱抵抗体２における第２長状部２２に接している。第２抵抗体用連絡部５１７は、基板１の長手方向Ｘに沿って延びる帯状である。第２抵抗体用連絡部５１７は、第２抵抗体用パッド５１６に対して基板１の短手方向Ｙに離間して形成されている。

なお、ヒータ１００には、第１長状部２１および第２長状部２２を連結する連結部５９が形成されている。連結部５９は、基板１の短手方向Ｙに沿って延びている。連結部５９は、第１長状部２１の端部と第２長状部２２の端部とを連結している。連結部５９は、第１長状部２１および第２長状部２２いずれにも接する。連結部５９は、発熱抵抗体２に対して、第１抵抗体用パッド５１１とは反対側に、形成されている。

上述のように、基板１は、発熱区間Ｚ２１および非発熱区間Ｚ２２を含む（図２〜図５等参照）。

発熱区間Ｚ２１は、基板１の長手方向Ｘにおいて、発熱抵抗体２および抵抗体用電極５のうち、発熱抵抗体２のみに重なる区間である。本実施形態では、図４に示すように、第１抵抗体用連絡部５１２の端部が、発熱区間Ｚ２１および非発熱区間Ｚ２２の境界に一致する。同様に、第２抵抗体用連絡部５１７の端部が、発熱区間Ｚ２１および非発熱区間Ｚ２２の境界に一致する。

非発熱区間Ｚ２２は、発熱区間Ｚ２１とは異なる区間である。非発熱区間Ｚ２２は、長手方向Ｘにおいて発熱区間Ｚ２１に隣接している。本実施形態では、非発熱区間Ｚ２２には、第１抵抗体用パッド５１１と、第１抵抗体用連絡部５１２と、第２抵抗体用パッド５１６と、第２抵抗体用連絡部５１７と、が位置している。

図５に示すように、熱伝導膜３は、基板１に形成されている。具体的には、熱伝導膜３は、基板１にて、発熱区間Ｚ２１から非発熱区間Ｚ２２にわたって、形成されている。本実施形態においては、熱伝導膜３は、基板１における、基板１の短手方向Ｙの端部に形成されている。図６に示すように、熱伝導膜３は、基板１の厚さ方向Ｚ視において、発熱抵抗体２よりも、基板１の短手方向Ｙにおける端部寄りに形成された部位を有する。熱伝導膜３のうち、発熱区間Ｚ２１に形成された部分の、長手方向Ｘにおける寸法Ｌ１１（図５参照）は、５ｍｍ以上であることが好ましい。同様に、熱伝導膜３のうち、非発熱区間Ｚ２２に形成された部分の、長手方向Ｘにおける寸法Ｌ１２（図５参照）は、５ｍｍ以上であることが好ましい。

熱伝導膜３は、基板１を構成する材料の熱伝導率よりも大きい熱伝導率の材料よりなる。本実施形態では、熱伝導膜３は金属よりなる。熱伝導膜３を構成する金属は、たとえば、Ａｇ、ＡｇＰｔ、Ａｕ、あるいは、Ｃｕである。熱伝導膜３の厚さは、たとえば、１０〜２０μｍである。

本実施形態では、熱伝導膜３は、裏面部３２を有する。

裏面部３２は、基板１の基板裏面１２に形成されている。本実施形態では、裏面部３２は、基板１の基板裏面１２に接している。本実施形態では、裏面部３２は、複数の裏面要素３２２を有する。複数の裏面要素３２２は、互いに離間している。複数の裏面要素３２２はいずれも、発熱区間Ｚ２１から非発熱区間Ｚ２２にわたって、形成されている。本実施形態では、複数の裏面要素３２２は各々、長手方向Ｘに沿って延びる帯状である。

図１、図２、図６、図７等に示す保護層７は、発熱抵抗体２を覆っている。また、保護層７は発熱抵抗体２に接している。更に保護層７は、抵抗体用電極５の一部を覆っている。具体的には、保護層７は、第１抵抗体用連絡部５１２と第２抵抗体用連絡部５１７とを覆っている。保護層７からは、抵抗体用電極５の一部が露出している。具体的には、保護層７からは、第１抵抗体用パッド５１１と、第２抵抗体用パッド５１６と、が露出している。保護層７は、たとえばガラスあるいはポリイミドよりなる。

図１に示すように、装置８００においては、基板１の基板主面１１側が、プラテンローラ８０１に位置している。そのため、基板１とプラテンローラ８０１との間に、発熱抵抗体２が位置している。一方、サーミスタ８６１は、基板裏面１２に配置され、基板１の温度を検出する。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

図１２は、本実施形態にかかるヒータの温度分布と、従来のヒータの温度分布と、を示すグラフである。同グラフの縦軸は温度であり、横軸は長手方向Ｘの位置である。

図１２に、点線を用いて、従来のヒータの使用時における温度を模式的に示している。同図では、発熱区間Ｚ２１から非発熱区間Ｚ２２への温度勾配が非常に大きい。発熱区間Ｚ２１から非発熱区間Ｚ２２への温度勾配が非常に大きいと、発熱区間Ｚ２１および非発熱区間Ｚ２２の短手方向Ｙにおける熱膨張の度合いが大きく異なる傾向にある。すると、発熱区間Ｚ２１および非発熱区間Ｚ２２の境界近傍にて、基板１が割れるおそれがある。

一方、本実施形態においては、ヒータ１００は、熱伝導膜３を備える。熱伝導膜３は、基板１にて、発熱区間Ｚ２１から非発熱区間Ｚ２２にわたって、形成されている。このような構成によると、発熱区間Ｚ２１における熱が、非発熱区間Ｚ２２に伝わりやすくなる。したがって、発熱区間Ｚ２１から非発熱区間Ｚ２２への温度勾配を小さくすることができる。図１２の実線で示すように、従来に比べ、発熱区間Ｚ２１および非発熱区間Ｚ２２の温度勾配は、小さくなっている。このように発熱区間Ｚ２１および非発熱区間Ｚ２２の温度勾配が小さくなると、発熱区間Ｚ２１および非発熱区間Ｚ２２の短手方向Ｙにおける熱膨張の相違が小さくなる。これにより、発熱区間Ｚ２１および非発熱区間Ｚ２２の境界近傍にて、基板１が割れることを防止できる。

特に、基板１が熱伝導率の小さい材料（たとえば、アルミナ）よりなる場合、熱伝導膜３が形成されていなければ、発熱区間Ｚ２１および非発熱区間Ｚ２２の温度勾配は大きくなる傾向にある。そのため、本実施形態の構成は、基板１が熱伝導率の小さい材料（たとえば、アルミナ）よりなる場合に、特に有用である。

ヒータ１００の使用時においては、基板１の短手方向Ｙの端部が熱膨張の影響を受けやすい。本実施形態においては、熱伝導膜３は、基板１における、基板１の短手方向Ｙの端部に形成されている。そのため、発熱区間Ｚ２１および非発熱区間Ｚ２２の境界近傍にて、基板１が割れることを、より効果的に防止できる。

本実施形態においては、熱伝導膜３は、基板１の厚さ方向視において、発熱抵抗体２よりも、基板１の短手方向Ｙにおける端部寄りに形成された部位を有する。このような構成によっても、発熱区間Ｚ２１および非発熱区間Ｚ２２の境界近傍にて、基板１が割れることを、より効果的に防止できる。

本実施形態においては基板裏面１２における、切欠き１３１，１４１，１５１，１６１を構成する半円のそれぞれの直径Ｒ３〜Ｒ６は、４０〜７０μｍであり、非常に小さい。当該構成は、基板１をＹＡＧレーザによって切断した結果形成されたものである。このような構成によると、レーザ加工による溝を小さくすることで、高温発熱時に生じる熱応力を分散させることが可能となり、耐熱性が向上する。また、当該構成によっても、基板１の割れを防止できる。

ヒータ１００の使用時には、基板１に加え、発熱抵抗体２も熱膨張する。切欠き（切欠き１３１や切欠き１４１）が形成された箇所は、応力に弱い。そのため、基板裏面１２に発熱抵抗体２が形成されたならば、熱膨張に起因する応力によって、切欠きを起点として、基板１に割れが生じるおそれがある。一方、本実施形態においては、発熱抵抗体２は、基板主面１１に形成されている。このような構成によると、切欠き（切欠き１３１や切欠き１４１）から、発熱抵抗体２をより離間させることができるため、熱膨張によって基板１に割れが生じることを防止できる。

上述の説明では、装置８００においては、基板１の基板主面１１側にプラテンローラ８０１を配置したが、基板裏面１２側にプラテンローラ８０１を配置してもよい。すなわち、ヒータ１００を図１に示した状態から裏返して、用いてもよい。この場合、サーミスタ８６１は、たとえば、保護層７上に配置するとよい。

＜第１実施形態の第１変形例＞
図１３を用いて、本発明の第１実施形態の第１変形例について説明する。

図１３は、本発明の第１実施形態の第１変形例にかかるヒータの裏面図である。

なお、以下の説明では、上記と同一もしくは類似の構成については上記と同一の符号を付し、説明を適宜省略する。

同図に示すヒータ１００Ａは、熱伝導膜３の形状（具体的には、裏面部３２の形状）が、ヒータ１００におけるものとは異なり、その他の点はヒータ１００と同様である。

本変形例では、熱伝導膜３における裏面部３２の長手方向Ｘの寸法は、ヒータ１００におけるものよりも短い。ただし、本変形例においても、熱伝導膜３のうち、発熱区間Ｚ２１に形成された部分の、長手方向Ｘにおける寸法Ｌ１１は、５ｍｍ以上であることが好ましい。

このような構成によっても、ヒータ１００で述べた作用効果と同様の作用効果を奏する。

＜第１実施形態の第２変形例＞
図１４を用いて、本発明の第１実施形態の第２変形例について説明する。

図１４は、本発明の第１実施形態の第２変形例にかかるヒータの裏面図である。

同図に示すヒータ１００Ｂは、熱伝導膜３の形状（具体的には、裏面部３２の形状）が、ヒータ１００におけるものとは異なり、その他の点はヒータ１００と同様である。

本変形例では、裏面部３２が複数の裏面要素３２２を有しておらず、１つのシート状である点において、ヒータ１００とは異なるが、その他の点についてはヒータ１００と同様である。本変形例では、裏面部３２の短手方向Ｙにおける寸法は、基板１の短手方向Ｙの寸法の半分以上である。

＜第２実施形態＞
図１５〜図１６を用いて、本発明の第２実施形態について説明する。

図１５は、本発明の第２実施形態にかかるヒータの平面図（保護層を省略）である。図１６は、図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う断面図である。

これらの図に示すヒータ１０１は、熱伝導膜３が、主面部３１と、第１側面部３３と、第２側面部３４と、を更に含む点において、ヒータ１００とは異なる。裏面部３２は、ヒータ１００におけるものと同様であるから、説明を省略する。

主面部３１は、基板１の基板主面１１に形成されている。本実施形態では、主面部３１は、基板１の基板主面１１に接している。主面部３１は、基板主面１１にて、発熱抵抗体２とは異なる位置に形成されている。本実施形態では、主面部３１は、複数の主面要素３１１を有する。複数の主面要素３１１は、互いに離間している。複数の主面要素３１１はいずれも、発熱区間Ｚ２１から非発熱区間Ｚ２２にわたって、形成されている。本実施形態では、複数の主面要素３１１は各々、長手方向Ｘに沿って延びる帯状である。本実施形態では、図１５の下側に位置する主面要素３１１は、第１長状部２１と第１基板側面１３との間に位置しており、図１５の上側に位置する主面要素３１１は、第２長状部２２と第２基板側面１４との間に位置している。

なお、本実施形態とは異なり、主面部３１が、ヒータ１００Ａにおける裏面部３２のように、比較的短くてもよい。また、主面部３１が複数の主面要素３１１を有していなくてもよい。たとえば、主面部３１の平面視の形状が、ヒータ１００Ｂにおける裏面部３２のような形状であってもよい。

第１側面部３３は、第１基板側面１３に形成されている。第１側面部３３は、第１基板側面１３に接している。第１側面部３３は、長手方向Ｘに沿って延びる形状である。第１側面部３３は、発熱区間Ｚ２１から非発熱区間Ｚ２２にわたって、形成されている。第１側面部３３は、主面部３１および裏面部３２とはつながっていない。本実施形態とは異なり、第１側面部３３が主面部３１や裏面部３２とつながっていてもよい。

第２側面部３４は、第２基板側面１４に形成されている。第２側面部３４は、第２基板側面１４に接している。第２側面部３４は、長手方向Ｘに沿って延びる形状である。第２側面部３４は、発熱区間Ｚ２１から非発熱区間Ｚ２２にわたって、形成されている。第２側面部３４は、主面部３１および裏面部３２とはつながっていない。本実施形態とは異なり、第２側面部３４が主面部３１や裏面部３２とつながっていてもよい。

本実施形態によると、ヒータ１００で述べた作用効果と同様の作用効果を奏する。

＜第３実施形態＞
図１７、図１８を用いて、本発明の第３実施形態について説明する。

図１７、図１８は、本発明の第３実施形態にかかるヒータの断面図である。

これらの図に示すヒータ１０２は、発熱抵抗体２および抵抗体用電極５が、基板主面１１から離間した位置に形成されている点において、ヒータ１０１とは異なる。

ヒータ１０２は、絶縁層６を備える。絶縁層６は、たとえばガラスよりなる。絶縁層６は、基板主面１１に形成されており、主面部３１を覆っている。絶縁層６上に、発熱抵抗体２および抵抗体用電極５が位置している。絶縁層６は、主面部３１および発熱抵抗体２の間、且つ、主面部３１および抵抗体用電極５の間に介在している。そして、本実施形態では、厚さ方向Ｚ視において、主面部３１が、発熱抵抗体２と重なる部分を有している。

本実施形態によると、ヒータ１００で述べた作用効果に加え、以下の作用効果を奏する。

発熱抵抗体２にて発生した熱は、基板１に伝わる前に、熱伝導膜３（主面部３１）に伝わりやすい。したがって、基板１の温度上昇を防止でき、発熱区間Ｚ２１および非発熱区間Ｚ２２の温度勾配の低減を図ることが可能となる。これによっても、基板１の割れを、より効果的に防止できる。

＜第４実施形態＞
図１９を用いて、本発明の第４実施形態について説明する。

図１９は、本発明の第４実施形態にかかるヒータの平面図（保護層を省略）である。

同図に示すヒータ１０３は、第１長状部２１および第２長状部２２の形状が、ヒータ１００におけるものとは異なる。

第１長状部２１は、第１幅広部２１１および第１幅狭部２１２を有する。

第１幅広部２１１の幅（短手方向Ｙにおける寸法）は、第１幅狭部２１２の幅（短手方向Ｙにおける寸法）よりも大きい。本実施形態においては、第１幅広部２１１の幅は、第１幅狭部２１２に向かうにつれて徐々に小さくなる。第１幅広部２１１は、第１幅狭部２１２と抵抗体用電極５との間に位置している。第１幅狭部２１２の幅は、長手方向Ｘにおいて一様である。

第２幅広部２２１の幅（短手方向Ｙにおける寸法）は、第２幅狭部２２２の幅（短手方向Ｙにおける寸法）よりも大きい。本実施形態においては、第２幅広部２２１の幅は、第２幅狭部２２２に向かうにつれて徐々に小さくなる。第２幅広部２２１は、第２幅狭部２２２と抵抗体用電極５との間に位置している。第２幅狭部２２２の幅は、長手方向Ｘにおいて一様である。

このような構成によると、第１幅広部２１１および第２幅広部２２１は、抵抗が小さくなるので、発熱しにくい。そのため、発熱区間Ｚ２１のうち、第１幅広部２１１および第２幅広部２２１が形成された箇所における基板１の温度上昇を抑制できる。よって、基板１の温度上昇を防止でき、発熱区間Ｚ２１および非発熱区間Ｚ２２の温度勾配の低減を図ることが可能となる。これによっても、基板１の割れを、より効果的に防止できる。

＜第５実施形態＞
図２０および図２１を用いて、本発明の第５実施形態について説明する。

図２０は、本発明の第５実施形態にかかるヒータの平面図（保護層を省略）である。図２１は、図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿う断面図である。

本実施形態のヒータ１０４は、第１長状部２１および第２長状部２２が、それぞれ、基板１の短手方向Ｙの端部寄りに位置している点において、上述のヒータ１００と異なる。

本実施形態では、基板１の厚さは、０．５〜１．０ｍｍが好ましい。基板１の短手方向Ｙの寸法は、７〜１０ｍｍが好ましい。

第１長状部２１は、基板１の短手方向Ｙのうちの一方である第１短手方向Ｙ１側に位置している。第１長状部２１と、第１短手方向Ｙ１における基板１の端縁と、の離間寸法Ｌ３１は、０．５〜１．０ｍｍである。なお、離間寸法Ｌ３１の下限が０．５ｍｍであるのは、第１長状部２１や保護層７の製造上の制限のためである。本実施形態では、第１長状部２１の長手方向Ｘの全長にわたって、離間寸法Ｌ３１は、０．５〜１．０ｍｍである。第２長状部２２は、基板１の短手方向Ｙのうちの他方である第２短手方向Ｙ２側に位置している。第２長状部２２と、第２短手方向Ｙ２における基板１の端縁と、の離間寸法Ｌ３２は、０．５〜１．０ｍｍである。本実施形態では、第２長状部２２の長手方向Ｘの全長にわたって、離間寸法Ｌ３２は、０．５〜１．０ｍｍである。なお、離間寸法Ｌ３２の下限が０．５ｍｍであるのは、第２長状部２２や保護層７の製造上の制限のためである。

また、基板１の短手方向Ｙの寸法に対する、第１長状部２１と第１短手方向Ｙ１における基板１の端縁との離間寸法Ｌ３１の比は、０．０５４〜０．１０９（すなわち０．５／９．２〜１．０／９．２）が好ましい。同様に、基板１の短手方向Ｙの寸法に対する、第２長状部２２と第２短手方向Ｙ２における基板１の端縁との離間寸法Ｌ３２の比は、０．０５４〜０．１０９が好ましい。

ここで述べた点以外の説明は、ヒータ１００の説明を適用できるから、本実施形態では説明を省略する。

本実施形態では、第１長状部２１および第２長状部２２が、それぞれ、基板１の短手方向Ｙのより端部寄りに位置している。発明者は、このような構成によると、熱応力を原因とする基板１の割れを防止できることにつき、知見を得た。よって、本実施形態によると、基板１が割れることをより効果的に防止できる。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

１基板
１００ヒータ
１００Ａヒータ
１００Ｂヒータ
１０１ヒータ
１０２ヒータ
１０３ヒータ
１０４ヒータ
１１基板主面
１２基板裏面
１３第１基板側面
１３１切欠き
１４第２基板側面
１４１切欠き
１５第１基板端面
１５１切欠き
１６第２基板端面
１６１切欠き
２発熱抵抗体
２１第１長状部
２１１第１幅広部
２１２第１幅狭部
２２第２長状部
２２１第２幅広部
２２２第２幅狭部
３熱伝導膜
３１主面部
３１１主面要素
３２裏面部
３２２裏面要素
３３第１側面部
３４第２側面部
５抵抗体用電極
５１１第１抵抗体用パッド
５１２第１抵抗体用連絡部
５１６第２抵抗体用パッド
５１７第２抵抗体用連絡部
５９連結部
６絶縁層
７保護層
８００装置
８０１プラテンローラ
８６１サーミスタ
Ｄｃ被加熱媒体
Ｌ１１寸法
Ｌ１２寸法
Ｌ３１離間寸法
Ｌ３２離間寸法
Ｒ３直径
Ｒ４直径
Ｒ５直径
Ｒ６直径
Ｘ長手方向
Ｙ短手方向
Ｙ１第１短手方向
Ｙ２第２短手方向
Ｚ厚さ方向
Ｚ２１発熱区間
Ｚ２２非発熱区間

Claims

長手状の基板と、
前記基板に形成された発熱抵抗体と、
前記基板に形成され、前記発熱抵抗体に接する抵抗体用電極と、
熱伝導膜と、を備え、
前記基板は、発熱区間と、非発熱区間とを含み、
前記発熱区間は、前記基板の長手方向において、前記発熱抵抗体および前記抵抗体用電極のうち、前記発熱抵抗体のみに重なる区間であり、
前記非発熱区間は、前記発熱区間とは異なり、且つ、前記基板の長手方向において、前記発熱区間に隣接している区間であり、
前記熱伝導膜は、前記基板にて、前記発熱区間から前記非発熱区間にわたって、形成されている、ヒータ。
前記熱伝導膜は、前記基板における、前記基板の短手方向の端部に形成されている、請求項１に記載のヒータ。
前記熱伝導膜は、前記基板の厚さ方向視において、前記発熱抵抗体よりも、前記基板の短手方向における端部寄りに形成された部位を有する、請求項１または請求項２に記載のヒータ。
前記基板は、基板主面と、基板裏面と、第１基板側面と、第２基板側面と、を有し、
前記基板主面および前記基板裏面は、前記基板の厚さ方向において、互いに反対側に位置しており、
前記第１基板側面および前記第２基板側面は、前記基板の短手方向において、互いに反対側に位置しており、
前記基板主面側に、前記発熱抵抗体および前記抵抗体用電極が形成されている、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のヒータ。
前記第１基板側面および前記基板裏面には、複数の切欠きが形成されており、
前記複数の切欠きは各々、前記基板の厚さ方向に直交する平面による断面形状が、半円形状であり、且つ、前記基板裏面から前記基板主面に向かうにつれて、前記半円の直径が徐々に小さくなる、請求項４に記載のヒータ。
前記複数の切欠きは各々、半円錐状である、請求項５に記載のヒータ。
前記基板裏面における、前記切欠きを構成する前記半円の直径は、４０〜７０μｍである、請求項５または請求項６に記載のヒータ。
前記複数の切欠きは、レーザによって形成されたものである、請求項５ないし請求項７のいずれかに記載のヒータ。
前記熱伝導膜は、前記基板裏面に形成された裏面部を含む、請求項４に記載のヒータ。
前記熱伝導膜は、前記第１基板側面に形成された第１側面部と、前記第２基板側面に形成された第２側面部と、を含む、請求項４に記載のヒータ。
前記熱伝導膜は、前記基板主面に形成された主面部を含む、請求項４に記載のヒータ。
前記主面部と、前記発熱抵抗体と、前記抵抗体用電極と、は、前記基板主面に接する、請求項１１に記載のヒータ。
前記主面部は、前記基板主面に接しており、
前記主面部は、前記基板の厚さ方向視において、前記発熱抵抗体に重なる部分を有する、請求項１１に記載のヒータ。
前記主面部および前記発熱抵抗体の間に介在する絶縁層を更に備える、請求項１３に記載のヒータ。
前記熱伝導膜のうち、前記非発熱区間に形成された部分の、前記基板の長手方向における寸法は、５ｍｍ以上である、請求項１ないし請求項１４のいずれかに記載のヒータ。
前記熱伝導膜のうち、前記発熱区間に形成された部分の、前記基板の長手方向における寸法は、５ｍｍ以上である、請求項１ないし請求項１５のいずれかに記載のヒータ。
前記裏面部の、前記基板の短手方向における寸法は、前記基板の前記短手方向の寸法の半分以上である、請求項９に記載のヒータ。
前記裏面部は、互いに離間した複数の裏面要素を含み、
前記複数の裏面要素はいずれも、前記発熱区間から前記非発熱区間にわたって、形成されている、請求項９に記載のヒータ。
前記主面部は、互いに離間した複数の主面要素を含み、
前記複数の主面要素はいずれも、前記発熱区間から前記非発熱区間にわたって、形成されている、請求項１１に記載のヒータ。
前記熱伝導膜は、前記基板を構成する材料の熱伝導率よりも大きい熱伝導率の材料よりなる、請求項１ないし請求項１９のいずれかに記載のヒータ。
前記熱伝導膜は、金属よりなる、請求項１ないし請求項２０のいずれかに記載のヒータ。
前記金属は、Ａｇ、ＡｇＰｔ、Ａｕ、あるいは、Ｃｕである、請求項２１に記載のヒータ。
前記熱伝導膜の厚さは、１０〜２０μｍである、請求項１ないし請求項２２のいずれかに記載のヒータ。
前記発熱抵抗体は、各々が前記基板の長手方向に沿って延びる第１長状部および第２長状部を含み、
前記第１長状部および前記第２長状部は、前記基板の短手方向に離間している、請求項１ないし請求項２３のいずれかに記載のヒータ。
前記第１長状部は、前記基板の短手方向のうちの一方である第１短手方向側に位置しており、
前記基板の短手方向の寸法に対する、前記第１長状部と前記第１短手方向における前記基板の端縁との離間寸法の比は、０．０５４〜０．１０９であり、
前記第２長状部は、前記基板の短手方向のうちの他方である第２短手方向側に位置しており、
前記基板の短手方向の寸法に対する、前記第２長状部と前記第２短手方向における前記基板の端縁との離間寸法の比は、０．０５４〜０．１０９である、請求項２４に記載のヒータ。
前記基板の厚さは、０．５〜１．０ｍｍである、請求項２５に記載のヒータ。
前記第１長状部は、前記基板の短手方向のうちの一方である第１短手方向側に位置しており、
前記第１長状部と、前記第１短手方向における前記基板の端縁と、の離間寸法は、０．５〜１．０ｍｍであり、
前記第２長状部は、前記基板の短手方向のうちの他方である第２短手方向側に位置しており、
前記第２長状部と、前記第２短手方向における前記基板の端縁と、の離間寸法は、０．５〜１．０ｍｍである、請求項２４ないし請求項２６のいずれかに記載のヒータ。
前記第１長状部は、第１幅広部および第１幅狭部を有し、
前記第１幅広部の前記短手方向における寸法は、前記第１幅狭部の前記短手方向の寸法よりも大きく、
前記第１幅広部は、前記第１幅狭部と、前記抵抗体用電極と、の間に位置している、請求項２４に記載のヒータ。
前記第２長状部は、第２幅広部および第２幅狭部を有し、
前記第２幅広部の前記短手方向における寸法は、前記第２幅狭部の前記短手方向の寸法よりも大きく、
前記第２幅広部は、前記第２幅狭部と、前記抵抗体用電極と、の間に位置している、請求項２８に記載のヒータ。
前記発熱抵抗体を覆う保護層を更に備える、請求項２７に記載のヒータ。
前記保護層は、前記第１長状部と、前記第２長状部と、前記抵抗体用電極と、を覆う、請求項３０に記載のヒータ。
前記抵抗体用電極は、第１抵抗体用パッドおよび第２抵抗体用パッドを有し、
前記第１抵抗体用パッドおよび前記第２抵抗体用パッドは、前記保護層から露出している、請求項３１に記載のヒータ。
前記抵抗体用電極は、第１抵抗体用連絡部および第２抵抗体用連絡部を有し、
前記第１抵抗体用連絡部は、前記第１抵抗体用パッドにつながり、且つ、前記第１長状部に接しており、
前記第２抵抗体用連絡部は、前記第２抵抗体用パッドにつながり、且つ、前記第２長状部に接しており、
前記第１抵抗体用連絡部および前記第２抵抗体用連絡部は、前記保護層に覆われている、請求項３２に記載のヒータ。
前記発熱抵抗体は、ＡｇＰｄ、ニクロム、あるいは、酸化ルテニウムよりなる、請求項１ないし請求項３３のいずれかに記載のヒータ。
前記基板は、セラミックよりなる、請求項１ないし請求項３４のいずれかに記載のヒータ。
前記セラミックは、アルミナ、ジルコニア、あるいは、窒化アルミニウムである、請求項３５に記載のヒータ。
前記基板の厚さは、０．４〜１．１ｍｍである、請求項１ないし請求項２４のいずれかに記載のヒータ。
前記基板の厚さは、０．４〜０．６ｍｍである、請求項１ないし請求項２４のいずれかに記載のヒータ。
前記保護層は、ガラスよりなる、請求項３０に記載のヒータ。