JP2015026771A

JP2015026771A - 回路基板の製造方法

Info

Publication number: JP2015026771A
Application number: JP2013156655A
Authority: JP
Inventors: 浩次宗像; Koji Munakata
Original assignee: Fujikura Ltd
Current assignee: Fujikura Ltd
Priority date: 2013-07-29
Filing date: 2013-07-29
Publication date: 2015-02-05

Abstract

【課題】層間導電部を形成する際に導電率等の電気的特性の劣化を防止できる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】層間導電部１２を有する回路基板１の製造方法において、絶縁性基板２の一方の主面に対して、層間導電部１２の形状に対応すると共に底部に当該絶縁性基板２の薄膜部１４を残存させるようにインプリント法により凹部２１を形成する工程と、前記薄膜部１４の上面から下面まで貫通するような改質層２２を形成する工程と、前記改質層２２に金属めっき触媒を付与する工程と、前記金属めっき触媒が付与された改質層２３に対して、無電解めっきにより金属層４を形成する工程と、前記金属層４をシード層とした電解めっきにより前記凹部２１内に導電体６を充填する工程を具備することを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、無電解めっき処理及び電解めっき処理によって配線パターンと層間導電部を形成する回路基板の製造方法に関するものである。

インプリントモールドを用いた配線基板の製造方法において、配線基板の上面と下面を導電させるビアホールを形成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１においては、導電性金属の支持体に形成された硬化性樹脂層に、押し型パターンを有する配線基板形成用モールドを侵入させて、モールドのパターンを硬化性樹脂層に転写し、形成された凹部に金属を析出させることにより配線基板の上面と下面を導電させるビアホールを形成している。

特開２００６−３３９３６５号公報

特許文献１の特徴は、モールドが有する押し型パターンを同一断面における支持基台側の断面幅が先端側の断面幅よりも広く形成することにより、硬化性樹脂層からのモールドの撤去を容易にし、硬化性樹脂層に欠落等が生じ難くすることである。その場合であってもモールドの撤去後には凹部の底部に残留層が残存することになり、特許文献１はこの残留層をデスミア処理により除去することにより、支持体を露出させるとしている。デスミア処理は例えばプラズマを照射することにより行なわれる。しかしながら、デスミア処理により周囲の硬化性樹脂層にもダメージを与え、凹部の内壁形状が変形してしまうことが一般的に知られており、これに起因して凹部に形成される金属の形状も不安定になり、ビアホールの導電率等の電気的特性が劣化してしまうという課題があった。
そこで、本発明は、以上の事情を考慮してなされ、層間導電部を形成する際に導電率等の電気的特性の劣化を防止できる回路基板の製造方法を提供することを目的とする。

前記課題を解決するため、本発明は、層間導電部を有する回路基板の製造方法において、絶縁性基板の一方の主面に対して、層間導電部の形状に対応すると共に底部に当該絶縁性基板の薄膜部を残存させるようにインプリント法により凹部を形成する工程と、前記薄膜部の上面から下面まで貫通するような改質層を形成する工程と、前記改質層に金属めっき触媒を付与する工程と、前記金属めっき触媒が付与された改質層に対して、無電解めっきにより金属層を形成する工程と、前記金属層をシード層とした電解めっきにより前記凹部内に導電体を充填する工程を具備することを特徴とする。

本発明によれば、層間導電部を有する回路基板の製造方法において、絶縁性基板の一方の主面に対して、層間導電部の形状に対応すると共に底部に当該絶縁性基板の薄膜部を残存させるようにインプリント法により凹部を形成するのでインプリントモールドの表面形状が当該絶縁性基板に正確に転写される。次に、前記薄膜部の上面から下面まで貫通するような改質層を形成した後に前記改質層に金属めっき触媒を付与するので改質層全域に金属めっき触媒が拡散される。そして、前記金属めっき触媒が付与された改質層に対して、無電解めっきにより金属層を形成するので前記薄膜部の上面から下面まで貫通するような金属層が形成される。さらに、前記金属層をシード層とした電解めっきにより前記凹部内に導電体を充填するので安定した形状の層間導電部が形成される。その結果、導電率等の電気的特性の劣化を防止できる。

本発明によれば、絶縁性基板に層間導電部を形成する際に、導電率等の電気的特性の劣化を防止できる。

図１は、本発明の第１実施形態によって製造された回路基板１の断面図である。図２は、本発明の第１実施形態における回路基板１の製造方法を示す工程図である。図３（ａ）〜（ｃ）は図２の各工程を示す概略断面図である。図４（ａ）〜（ｃ）は図２の各工程を示す概略断面図である。図５は、本発明の第１実施形態によって製造された回路基板１０１の断面図である。図６は、本発明の第２実施形態によって製造された回路基板２０１の断面図である。図７は、本発明の第２実施形態における回路基板２０１の製造方法を示す工程図である。図８（ａ）〜（ｃ）は図７の各工程を示す概略断面図である。図９（ａ）〜（ｄ）は図７の各工程を示す概略断面図である。

以下、本発明の主たる実施形態を図面に基づいて説明する。

＜第１実施形態＞
まず、第１実施形態に係る製造方法によって製造された回路基板１の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１実施形態によって製造された回路基板１の断面図である。

本実施形態における回路基板１は、図１に示すように絶縁性基板２と、配線パターン８と、層間導電部１２を備えている。この回路基板１は、例えば、フレキシブルプリント配線板、リジッドプリント配線板を利用でき、インタポーザ等として使用することができる。層間導電部１２はランド１２ａとビア１２ｂが一体化されることにより構成されるが、層間導電部１２が同径のビア１２ｂのみで構成されていてもよい。

絶縁性基板２は、電気絶縁性を有する樹脂材料から構成されたフレキシブルな樹脂基材である。この絶縁性基板２を構成する具体的な樹脂材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、ポリイミド（ＰＩ）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂（ＡＢＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）を例示することができる。なお、絶縁性基板２をリジッドな樹脂基材で構成してもよい。

本実施形態では、この絶縁性基板２の上面２ａに熱インプリント法によって凹部２１が形成されている。この凹部２１は配線パターン８と層間導電部１２に対応した形状を有している。なお、凹部２１を光インプリント法によって形成してもよい。この場合には、例えば、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）等で絶縁性基板２を構成してもよい。

凹部２１の内部表面には無電解金属めっきによって金属層４が形成されており、更に凹部２１の内部空間には金属層４をシード層とした電解金属めっきによって導電体６が形成されている。金属層４及び導電体６により配線パターン８または層間導電部１２を構成する。なお、金属層４や導電体６を構成する導電性材料は例えば銅であるが、これに限定されず、例えばニッケル（Ｎｉ）や銀等であってもよいし、それらの混合物、または合金であってもよい。

また、絶縁性基板２の下面２ｂにも同様に、金属層４及び導電体６が形成されている。絶縁性基板２の上面２ａと下面２ｂは、層間導電部１２を構成するビア１２ｂの底部の薄膜部１４において無電解金属めっきによる金属層４を介して導電しているが、詳細は後述する。

なお、配線パターン８や層間導電部１２の形状、数、配置等は、回路基板１に示す例に限定されない。また、本実施形態では、絶縁性基板２の上面２ａのみに配線パターン８を形成する例について説明したが、特にこれに限定されない。例えば、配線パターン８を絶縁性基板２の両面２ａ、２ｂに形成してもよい。更に、回路基板１を積層して多層プリント配線板を形成してもよい。

次に、本実施形態における回路基板１の製造方法について、図２、図３（ａ）〜（ｃ）及び図４（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。

図２は、本発明の第１実施形態における回路基板１の製造方法を示す工程図、図３（ａ）〜（ｃ）及び図４（ａ）〜（ｃ）は図２の各工程を示す概略断面図である。

本実施形態では、まず、図２のステップＳ１１において、図３（ａ）に示すように、絶縁性基板２とインプリントモールド３を所定温度まで加熱した後に、インプリントモールド３を絶縁性基板２の上面２ａに押し付ける。

このインプリントモールド３は、例えば、シリコン（Ｓｉ）から構成される熱インプリント用の金型であり、図３（ａ）に示すように、ベース部３ａと２つの凸部３ｂを有している。凸部３ｂは下方に突出するようにベース部３ａに設けられており、配線パターン８と層間導電部１２の形状に対応している。

このインプリントモールド３が絶縁性基板２の上面２ａに押し付けられると、図３（ａ）に示すように、インプリントモールド３の表面形状（本例では２つの凸部３ｂ）が絶縁性基板２に転写される。これにより、絶縁性基板２の上面２ａに２つの凹部２１が形成される。この際に、層間導電部１２の形状に対応するインプリントモールド３の凸部３ｂの高さ等を調整することにより、ビア１２ｂの底部に絶縁性基板２の薄膜部１４を残存させる。残存させる薄膜部１４の厚さは４００ｎｍ以下とし、好適には２００ｎｍ以下、更に好適には５０ｎｍ以下とする。

次に、図２のステップＳ１２において、図３（ｂ）に示すように、光源（不図示）から絶縁性基板２に対して紫外線を照射して、絶縁性基板２の２つの凹部２１の内壁面を含む上面２ａ、下面２ｂに改質層２２を形成する。

形成される改質層２２の厚さは、絶縁性基板の材質や条件にもよるが、概ね基板表面から内部の方向へ２００ｎｍ以下である。すなわち、ビア１２ｂの底部においては、残存させる薄膜部１４の厚さが４００ｎｍ以下であれば、絶縁性基板２に対して２つの凹部２１の内壁面を含む上面２ａ及び下面２ｂから改質層２２を形成した場合、当該薄膜部１４の上面と下面の間の内部全てが改質層２２で構成されることになる。

このステップＳ１２で使用される光源としては、例えば、低圧水銀灯を例示することができる。この低圧水銀灯は、波長が１８５［ｎｍ］の紫外線と波長が２５４［ｎｍ］の紫外線を主に発生する。前者の光エネルギーは６４７［ｋＪ／ｍｏｌ］であり、後者の光エネルギーが４７２［ｋＪ／ｍｏｌ］である。これに対し、例えば、絶縁性基板２を構成する有機化合物のＣ−Ｈ結合の結合エネルギーは４５７［ｋＪ／ｍｏｌ］であり、前述の紫外線の光エネルギーの方が分子結合の結合エネルギーよりも強い。このため、この紫外線照射によって、当該絶縁性基板２の２つの凹部２１の内壁面を含む上面２ａ及び下面２ｂの分子結合が断ち切られて、ヒドロキシル基、カルボニル基、カルボキシル基等の親水性の極性基を有する改質層２２が形成される。

この改質層２２は、無電解金属めっき用の金属めっき触媒を含有した溶液がぬれ易く金属めっき触媒を吸着させ易くなっており、金属が析出し易くなっている。また、こうした紫外線照射によって形成された改質層２２は、微細な孔が形成された多孔質の構造を有しているため、無電解金属めっき用の金属めっき触媒を含有した溶液に絶縁性基板２を浸漬すると、当該溶液が改質層２２の微細な孔に浸透し、この孔の内部から金属を析出させることができる。

なお、このステップＳ１２において、紫外線照射に代えてプラズマ処理、コロナ放電処理、又はアルカリ処理によって絶縁性基板２の２つの凹部２１の内壁面を含む上面２ａ及び下面２ｂに改質層２２を形成してもよい。なお、アルカリ処理とは例えば、水酸化ナトリウム水溶液に絶縁性基板２を浸漬するウェット処理である。

次に、図２のステップＳ１３において、図３（ｃ）に示すように、絶縁性基板２の２つの凹部２１の内壁面を含む上面２ａ及び下面２ｂに形成された改質層２２に無電解金属めっき用の金属めっき触媒（例えばパラジウム、白金、銀、又はこれらの前駆物質等）を付与することにより、金属めっき触媒が付与された改質層２３を形成する。金属めっき触媒の付与は、金属めっき触媒イオンを含む溶液で改質層２２を処理した後、還元剤で処理して金属めっき触媒イオンを還元し、金属めっき触媒を析出させることにより行なうことができる。金属めっき触媒金属を含むコロイド溶液で改質層２２を処理した後、アクセラレーター処理により保護層を除去することで金属めっき触媒を析出させてもよい。なお、これらの方法に限定されない。

次に、図２のステップＳ１４において、絶縁性基板２を無電解金属めっき液に浸漬する。これにより、図４（ａ）に示すように、絶縁性基板２の２つの凹部２１の内壁面を含む上面２ａ及び下面２ｂに形成された金属めっき触媒が付与された改質層２３内部に金属が析出し、金属層４が形成される。

ここで、前述の通り、ビア１２ｂの底部の薄膜部１４は内部全てが金属めっき触媒が付与された改質層２３なので、当該薄膜部１４の上面と下面は金属層４により導電することになる。

次に、図２のステップＳ１５において、ステップＳ１４で形成された金属層４をシード層として、絶縁性基板２に電解金属めっきを行なう。これにより、図４（ｂ）に示すように、絶縁性基板２の２つの凹部２１の内部空間を含む上面２ａ及び下面２ｂに導電体６が形成される。この際、ビア１２ｂの底部には金属層４が存在するため、層間導電部１２の内部空間への充填性は、貫通孔と比較して非常に優れたものとなる。

最後に、図２のステップＳ１６において、図４（ｃ）に示すように、エッチング又は／及び研磨により、不要な金属層４及び導電体６を除去し、配線パターン８と層間導電部１２を形成する。

以上のように、本実施形態によれば、層間導電部１２を有する回路基板１の製造方法において、絶縁性基板２の一方の主面に対して、層間導電部１２の形状に対応すると共に底部に当該絶縁性基板２の薄膜部１４を残存させるようにインプリント法により凹部２１を形成するのでインプリントモールド３の表面形状が当該絶縁性基板２に正確に転写される。次に、前記薄膜部１４の上面から下面まで貫通するような改質層２２を形成した後に前記改質層２２に金属めっき触媒を付与するので改質層２２全域に金属めっき触媒が拡散される。そして、前記金属めっき触媒が付与された改質層２３に対して、無電解めっきにより金属層４を形成するので前記薄膜部１４の上面から下面まで貫通するような金属層４が形成される。さらに、前記金属層４をシード層とした電解めっきにより前記凹部２１内に導電体６を充填するので安定した形状の層間導電部１２が形成される。その結果、導電率等の電気的特性の劣化を防止できる。

また、第１実施形態に係る製造方法によって製造された他の回路基板１０１の構成について、図５を参照しながら説明する。図５は、本発明の第１実施形態によって製造された回路基板１０１の断面図である。

回路基板１０１は、回路基板１と同様に層間導電部１１２を有するが、回路基板１０１は絶縁性基板１０２の上面１０２ａに予め配線パターン等の導電層１１６が形成されていると共に、下面１０２ｂにおける前記導電層１１６に対応する位置に対して熱インプリント法によって層間導電部１１２に対応した形状を有し、薄膜部１１４を残存させた凹部１２１が形成されている点が異なる。すなわち、回路基板１０１においては層間導電部１１２が同径のビアのみで構成されている。導電層１１６は例えばサブトラクティブ法やセミアディティブ法により形成されている。

＜第２実施形態＞
本発明は、前記の第１実施形態に限定されるものではなく、以下に例示するような第２実施形態も挙げることができる。図６は、本発明の第２実施形態によって製造された回路基板２０１の断面図である。

回路基板２０１は、回路基板１と同様に層間導電部２１２を有するが、回路基板２０１は絶縁性基板２０２の上面２０２ａに熱インプリント法によって第１の配線パターン２０８及び第２の配線パターン２１０に対応した形状を有する凹部２２１ａが形成されていると共に、下面２０２ｂにおける前記第２の配線パターン２１０に対応する位置に対して同様に熱インプリント法によって層間導電部２１２に対応した形状を有する凹部２２１ｂが形成されている点が異なる。すなわち、回路基板２０１においては層間導電部２１２が同径のビアのみで構成されている。

層間導電部２１２を形成する際に、第２の配線パターン２１０と接する底部において、絶縁性基板２０２の薄膜部２１４を残存させる。薄膜部２１４の厚さは４００ｎｍ以下とし、好適には２００ｎｍ以下、更に好適には５０ｎｍ以下とする。その他の材料や製造方法は回路基板１と同様である。その結果、当該薄膜部２１４の上面と下面は金属層２０４により導電することにより、層間導電部２１２が構成される。

次に、本実施形態における回路基板２０１の製造方法について、図７、図８（ａ）〜（ｃ）及び図９（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。

図７は本実施形態における回路基板２０１の製造方法を示す工程図、図８（ａ）〜（ｃ）及び図９（ａ）〜（ｄ）は図７の各工程における絶縁性基板の断面図である。

本実施形態では、まず、図７のステップＳ１０１において、図８（ａ）に示すように、絶縁性基板２０２とインプリントモールド２０３を所定温度まで加熱した後に、インプリントモールド２０３を絶縁性基板２０２の上面２０２ａに押し付ける。これにより、絶縁性基板２０２の上面２０２ａに２つの凹部２２１ａが形成される。

次に、図７のステップＳ１０２において、図８（ｂ）に示すように、同様にインプリントモールド３０３を絶縁性基板２０２の下面２０２ｂに押し付ける。これにより、絶縁性基板２０２の下面２０２ｂに１つの凹部２２１ｂが形成される。インプリントモールド２０３、３０３の表面形状（本例ではベース部２０３ａに設けられた２つの凸部２０３ｂ及びベース部３０３ａに設けられた１つの凸部３０３ｂ）が絶縁性基板２０２に転写されること、層間導電部２１２の底部に絶縁性基板２０２の薄膜部２１４を残存させることは図２と同様である。残存させる薄膜部２１４の厚さは４００ｎｍ以下とし、好適には２００ｎｍ以下、更に好適には５０ｎｍ以下とする。なお、図７のステップＳ１０１とステップＳ１０２の工程が逆になっても構わない。その場合には、インプリントモールド２０３を絶縁性基板２０２の上面２０２ａに押し付ける際に薄膜部２１４を残存させる。

次に、図７のステップＳ１０３において、図８（ｃ）に示すように、光源（不図示）から絶縁性基板２０２に対して紫外線を照射して、絶縁性基板２０２の２つの凹部２２１ａの内壁面を含む上面２０２ａ、１つの凹部２２１ｂの内壁面を含む下面２０２ｂに改質層２２２を形成する。改質層２２２を形成する方法は図２と同様であり、薄膜部２１４の上面と下面の間の内部全てが改質層２２２で構成される。

次に、図７のステップＳ１０４において、図９（ａ）に示すように、絶縁性基板２０２の２つの凹部２２１ａの内壁面を含む上面２０２ａ及び１つの凹部２２１ｂの内壁面を含む下面２０２ｂに形成された改質層２２２に無電解金属めっき用の金属めっき触媒を付与することにより、金属めっき触媒が付与された改質層２２３を形成する。金属めっき触媒を付与する方法は図２と同様である。

次に、図７のステップＳ１０５において、絶縁性基板２０２を無電解金属めっき液に浸漬する。これにより、図９（ｂ）に示すように、絶縁性基板２０２の２つの凹部２２１ａの内壁面を含む上面２０２ａ及び１つの凹部２２１ｂの内壁面を含む下面２０２ｂに形成された金属めっき触媒が付与された改質層２２３内部に金属が析出し、金属層２０４が形成される。

ここで、前述の通り、層間導電部２１２の底部の薄膜部２１４は内部全てが金属めっき触媒が付与された改質層２２３なので、当該薄膜部２１４の上面と下面は金属層２０４により導電することになる。

次に、図７のステップＳ１０６において、ステップＳ１０５で形成された金属層２０４をシード層として、絶縁性基板２０２に電解金属めっきを行なう。これにより、図９（ｃ）に示すように、絶縁性基板２０２の２つの凹部２２１ａの内部空間を含む上面２０２ａ及び１つの凹部２２１ｂの内部空間を含む下面２０２ｂに導電体２０６が形成される。この際、層間導電部２１２の底部には金属層２０４が存在するため、層間導電部２１２の内部空間への充填性は、貫通孔と比較して非常に優れたものとなる。

最後に、図７のステップＳ１０７において、図９（ｄ）に示すように、エッチング又は／及び研磨により、不要な金属層２０４及び導電体２０６を除去し、第１の配線パターン２０８及び第２の配線パターン２１０と層間導電部２１２を形成する。

以上のように、本実施形態によれば、層間導電部２１２を有する回路基板２０１の製造方法において、絶縁性基板２０２の一方の主面に対して、配線パターン２１０の形状に対応するようにインプリント法により第１の凹部２２１ａを形成した後に前記絶縁性基板２０２の他方の主面における前記配線パターン２１０に対応する位置に対して、層間導電部２１２の形状に対応すると共に底部に当該絶縁性基板２０２の薄膜部２１４を残存させるようにインプリント法により第２の凹部２２１ｂを形成するのでインプリントモールド２０３、３０３の表面形状が当該絶縁性基板２０２に正確に転写される。次に、前記薄膜部２１４の上面から下面まで貫通するような改質層２２２を形成した後に前記改質層２２２に金属めっき触媒を付与するので改質層２２２全域に金属めっき触媒が拡散される。そして、前記金属めっき触媒が付与された改質層２２３に対して、無電解めっきにより金属層２０４を形成するので前記薄膜部２１４の上面から下面まで貫通するような金属層２０４が形成される。さらに、前記金属層２０４をシード層とした電解めっきにより前記第１の凹部２２１ａ及び前記第２の凹部２２１ｂ内に導電体２０６を充填するので安定した形状の層間導電部２１２が形成される。その結果、導電率等の電気的特性の劣化を防止できる。同時に、配線パターン２１０と層間導電部２１２が独立して形成されることにより各々の体積が小さくなるので導電体２０６の充填性をさらに向上させることができる。

なお、以上説明した第１及び第２実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。従って、前記の第１及び第２実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

１、１０１、２０１・・・回路基板
２、１０２、２０２・・・絶縁性基板
２ａ、１０２ａ、２０２ａ・・・上面
２ｂ、１０２ｂ、２０２ｂ・・・下面
３、２０３、３０３・・・インプリントモールド
３ａ、２０３ａ、３０３ａ・・・ベース部
３ｂ、２０３ｂ、３０３ｂ・・・凸部
４、１０４、２０４・・・金属層
６、１０６、２０６・・・導電体
８、２０８、２１０・・・配線パターン
１２、１１２、２１２・・・層間導電部
１２ａ・・・ランド
１２ｂ・・・ビア
１４、１１４、２１４・・・薄膜部
１１６・・・導電層
２１、１２１、２２１ａ、２２１ｂ・・・凹部
２２、２２２・・・改質層
２３、２２３・・・金属めっき触媒が付与された改質層

Claims

層間導電部を有する回路基板の製造方法において、
絶縁性基板の一方の主面に対して、層間導電部の形状に対応すると共に底部に当該絶縁性基板の薄膜部を残存させるようにインプリント法により凹部を形成する工程と、
前記薄膜部の上面から下面まで貫通するような改質層を形成する工程と、
前記改質層に金属めっき触媒を付与する工程と、
前記金属めっき触媒が付与された改質層に対して、無電解めっきにより金属層を形成する工程と、
前記金属層をシード層とした電解めっきにより前記凹部内に導電体を充填する工程を具備する
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
前記薄膜部の上面から下面まで貫通するような改質層を形成する工程は、前記絶縁性基板の一方の主面及び他方の主面から行なうことを特徴とする請求項１記載の回路基板の製造方法。
層間導電部を有する回路基板の製造方法において、
絶縁性基板の一方の主面に対して、配線パターンの形状に対応するようにインプリント法により第１の凹部を形成する工程と、
前記絶縁性基板の他方の主面における前記配線パターンに対応する位置に対して、層間導電部の形状に対応すると共に底部に当該絶縁性基板の薄膜部を残存させるようにインプリント法により第２の凹部を形成する工程と、
前記薄膜部の上面から下面まで貫通するような改質層を形成する工程と、
前記改質層に金属めっき触媒を付与する工程と、
前記金属めっき触媒が付与された改質層に対して、無電解めっきにより金属層を形成する工程と、
前記金属層をシード層とした電解めっきにより前記第１の凹部及び前記第２の凹部内に導電体を充填する工程を具備する
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
前記薄膜部の上面から下面まで貫通するような改質層を形成する工程は、前記絶縁性基板の一方の主面及び他方の主面から行なうことを特徴とする請求項３記載の回路基板の製造方法。