JP2015019139A - 圧電素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 電極膜のリフトオフ工程において、フォトレジスト膜上の電極膜をフォトレジスト膜とともに確実に除去する。
【解決手段】 基板４１上の一部に耐食膜５１が形成され、耐食膜５１上にフォトレジスト膜５３が形成された構造体に対して、耐食膜５１で覆われていない基板４１の露出部分をエッチングする。続いて、フォトレジスト膜５３で覆われている耐食膜５１をサイドエッチングする。続いて、基板４１の露出部分上及びフォトレジスト膜５３上に電極膜５６を形成する。続いて、フォトレジスト膜５３上に形成された電極膜５６をフォトレジスト膜５３とともに除去する。
【選択図】 図６

Description

本発明は、電子機器などに用いられる圧電素子を製造する方法に関し、詳しくはリフトオフ法を用いた製造方法に関する。以下、圧電素子の一例として水晶振動素子を採り上げる。

水晶振動子は、コンピュータ、携帯電話又は小型情報機器等の電子機器に搭載され、基準信号源やクロック信号源として用いられる。水晶振動子の内部には、水晶振動素子が含まれている。その水晶振動素子の一例として、音叉型屈曲水晶振動素子（以下、単に「振動素子」という。）について説明する。

この振動素子は、基部と、基部から延設された二本の振動腕部と、振動腕部に設けられた溝部と、を備えている。この溝部内に電極を形成するには、溝部内を含めて振動腕部全体に電極膜を付けて、溝部内をフォトレジスト膜で覆い、余分な電極膜をエッチングで除去することにより、フォトレジスト膜で覆った溝部内に電極膜を残す、という方法が一般的である（例えば特許文献１参照）。ところが、昨今の振動素子の小型化に伴い、溝部もますます狭くなり、溝部内をフォトレジスト膜で覆うことが難しくなってきている。

これとは逆に、溝部内の外をフォトレジスト膜で覆い、溝部内及びフォトレジスト膜上を含めて振動腕部全体に電極膜を付けて、フォトレジスト膜とともに余分な電極膜を除去することにより、フォトレジスト膜で覆わなかった溝部内に電極膜を残す、という方法も知られている（例えば特許文献２参照）。この方法はリフトオフ法と呼ばれる。このリフトオフ法は、溝部内をフォトレジスト膜で覆わなくても溝部内に電極を形成できるので、振動素子の更なる小型化にも対応できる技術として期待されている。以下、リフトオフ法を用いた振動素子の製造方法を、関連技術１の製造方法として説明する。

図１１及び図１２は、本関連技術１の製造方法における各工程を示す断面図である。以下、図１１及び図１２に基づき、本関連技術１の製造方法について説明する。

本関連技術１の製造方法は、次の工程を含む。

<1>.圧電効果を有する基板１０１上の一部に耐食膜１０２が形成され、耐食膜１０２上にフォトレジスト膜１０３が形成された構造体１００に対して（図１１［Ａ］）、耐食膜１０２で覆われていない基板１０１の露出部分をエッチングする基板エッチング工程（図１１［Ｂ］）。
<2>.基板エッチング工程（図１１［Ｂ］）の後に、基板１０１の露出部分上及びフォトレジスト膜１０３上に電極膜１０８を形成する電極膜形成工程（図１１［Ｃ］）。
<3>.電極膜形成工程（図１１［Ｃ］）の後に、フォトレジスト膜１０３上に形成された電極膜１０８を、フォトレジスト膜１０３とともに除去するリフトオフ工程（図１２［Ｄ］）。

以上の各工程について、更に詳しく説明する。

まず、図１１［Ａ］に示すように、水晶Ｚ板からなる基板１０１の上にクロムからなる耐食膜１０２を成膜し、その上にフォトレジスト膜１０３を塗布し、フォトレジスト膜１０３を露光及び現像し、これをマスクとして耐食膜１０２をエッチングすることにより、構造体１００を得る。

続いて、図１１［Ｂ］に示すように、耐食膜１０２をマスクとして基板１０１をエッチングする。このとき、振動腕部となる領域１０４の外形を貫通するまでエッチングするとともに、溝部となる領域１０５を一定の深さにエッチングする。溝部パターンは、特に図示しないが、エッチングレートを小さくするためのエッチング抑制パターンとなっている。

続いて、図１１［Ｃ］に示すように、基板１０１の露出部分上フォトレジスト膜１０３上に、スパッタリング又は蒸着により電極膜１０８を形成する。なお、この工程におけるフォトレジスト膜１０３は、前工程におけるフォトレジスト膜を剥離し、再び露光及び現像したものである。その理由は、振動腕部ではエッチング面と電極形成面が一致するものの、基部などではそれらが一致しないからである。

続いて、図１２［Ｄ］に示すように、フォトレジスト膜１０３上に形成された電極膜１０８を、フォトレジスト膜１０３とともに除去する。この方法は、リフトオフ法と呼ばれる。

最後に、図１２［Ｅ］に示すように、フォトレジスト膜１０３が除去されたことにより露出した耐食膜１０２を、エッチングにより除去する。これにより、振動腕部１１２ａ及び溝部１１３ａに励振電極１２２ａ，１２２ｂが形成され、振動素子が完成する。

特許第３７２９２４９号公報 特許第４０６０６９９号公報

しかしながら、関連技術１の製造方法では、次のような問題があった。

図１１［Ｂ］に示すように、基板１０１、耐食膜１０２及びフォトレジスト膜１０３において電極膜１０８が形成される面は、基板１０１の側面方向にて平ら（面一）になっている。これにより、図１１［Ｃ］に示すように、基板１０１の露出部分上の電極膜１０８とフォトレジスト膜１０３上の電極膜１０８とは、耐食膜１０２上で繋がってしまう。特にスパッタリングのようにステップカバレージの良好な成膜方法では、この傾向が強く現れる。そうなると、フォトレジスト膜１０３に剥離液が到達しにくくなり、フォトレジスト膜１０３に剥離液が到達したとしても、基板１０１の露出部分上の電極膜１０８からフォトレジスト膜１０３上の電極膜１０８を切り離す力が必要になる。

その結果、図１２［Ｄ］に示すリフトオフ工程において、フォトレジスト膜１０３上に形成された電極膜１０８をフォトレジスト膜１０３とともに除去しようとしても十分にできないことから、電極間の短絡等が発生して、歩留まりが低下する。

そこで、本発明の目的は、電極膜のリフトオフ工程においてフォトレジスト膜上の電極膜をフォトレジスト膜とともに確実に除去し得る、圧電素子の製造方法を提供することにある。

本発明に係る圧電素子の製造方法は、
圧電効果を有する基板上の一部に耐食膜が形成され、この耐食膜上にフォトレジスト膜が形成された構造体に対して、前記耐食膜で覆われていない前記基板の露出部分をエッチングする基板エッチング工程と、
この基板エッチング工程の後に、前記フォトレジスト膜で覆われている前記耐食膜をサイドエッチングする耐食膜サイドエッチング工程と、
この耐食膜サイドエッチング工程の後に、前記基板の露出部分上及び前記フォトレジスト膜上に電極膜を形成する電極膜形成工程と、
この電極膜形成工程の後に、前記フォトレジスト膜上に形成された前記電極膜を前記フォトレジスト膜とともに除去するリフトオフ工程と、
を含む。

本発明によれば、フォトレジスト膜で覆われている耐食膜をサイドエッチングすることにより、基板の露出部分とフォトレジスト膜との間で耐食膜が後退して凹部を形成するので、基板の露出部分上及びフォトレジスト膜上に凹部を跨ぐように電極膜を形成すると、電極膜がその凹部で分断される。したがって、フォトレジスト膜上の電極膜と基板の露出部分上の電極膜とが繋がらないので、フォトレジスト膜上の電極膜をフォトレジスト膜とともに確実に除去できる。

実施形態１の製造方法で得られる振動素子を示す斜視図である。 図１におけるII−II線断面図である。 図１の振動素子を素子搭載部材に実装した状態を示す概略断面図である。 実施形態１の製造方法における各工程を示す断面図であり、図４［Ａ］、図４［Ｂ］、図４［Ｃ］の順に工程が進行する。 実施形態１の製造方法における各工程を示す断面図であり、図５［Ｄ］、図５［Ｅ］、図５［Ｆ］の順に工程が進行する。 実施形態１の製造方法における各工程を示す断面図であり、図６［Ｇ］、図６［Ｈ］の順に工程が進行する。 実施形態１の製造方法における各工程を示す断面図であり、図７［Ｉ］、図７［Ｊ］の順に工程が進行する。 実施形態２の製造方法における各工程を示す断面図であり、図８［Ａ］、図８［Ｂ］、図８［Ｃ］の順に工程が進行する。 実施形態２の製造方法における各工程を示す断面図であり、図９［Ｄ］、図９［Ｅ］、図９［Ｆ］の順に工程が進行する。 実施形態２の製造方法における各工程を示す断面図であり、図１０［Ｇ］、図１０［Ｈ］の順に工程が進行する。 関連技術１の製造方法における各工程を示す断面図であり、図１１［Ａ］、図１１［Ｂ］、図１１［Ｃ］の順に工程が進行する。 関連技術１の製造方法における各工程を示す断面図であり、図１２［Ｄ］、図１２［Ｅ］の順に工程が進行する。

以下、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を用いる。また、図面に描かれた形状は、当業者が理解しやすいように描かれているため、実際の寸法及び比率とは必ずしも一致していない。

図１は、実施形態１の製造方法で得られる振動素子を示す斜視図である。図２は、図１におけるII−II線断面図である。図３は、図１の振動素子を素子搭載部材に実装した状態を示す概略断面図である。以下、これらの図面に基づき説明する。

本実施形態１の振動素子１０は、基部１１と、基部１１から延設された二本の振動腕部１２ａ，１２ｂと、振動腕部１２ａ，１２ｂのそれぞれに設けられた溝部１３ａ，１３ｂと、を備えている。

振動腕部１２ａ，１２ｂは、それぞれ基部１１から同じ方向に延設されている。基部１１及び振動腕部１２ａ，１２ｂは、水晶片１５からなる。振動素子１０は、水晶片１５の他に、パッド電極２１ａ，２１ｂ、励振電極２２ａ，２２ｂ、周波数調整用金属膜２３ａ，２３ｂ、配線パターン２４ａ，２４ｂなども備えている。

図１に示すように、水晶の結晶は三方晶系であり、水晶の頂点を通る結晶軸をＺ軸（光軸）、Ｚ軸に垂直な平面内の稜線を結ぶ三つの結晶軸をＸ軸（電気軸）、Ｘ軸及びＺ軸に直交する座標軸をＹ軸（機械軸）とする。ここで、これらのＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸からなる座標系をＸ軸を中心として±５度の範囲で回転させたときの回転後のＹ軸及びＺ軸を、それぞれＹ’軸及びＺ’軸とする。この場合、本実施形態１では、二本の振動腕部１２ａ，１２ｂの延設方向がＹ’軸の方向であり、二本の振動腕部１２ａ，１２ｂの並ぶ方向がＸ軸の方向である。

次に、振動素子１０の構成について更に詳しく説明する。

基部１１は、平面視略四角形の平板となっている。水晶片１５は、基部１１と振動腕部１２ａ，１２ｂとが一体となって音叉形状をなしており、成膜技術、フォトリソグラフィ技術、ウェットエッチング技術などにより製造される。

溝部１３ａは、振動腕部１２ａの表裏面に二本ずつ、基部１１との境界部分から振動腕部１２ａの先端に向って、振動腕部１２ａの長さ方向と平行に所定の長さで設けられる。同様に、溝部１３ｂは、振動腕部１２ｂの表裏面に二本ずつ、基部１１との境界部分から振動腕部１２ｂの先端に向って、振動腕部１２ｂの長さ方向と平行に所定の長さで設けられる。なお、溝部１３ａ，１３ｂは、本実施形態１では振動腕部１２ａの表裏面に二本ずつ及び振動腕部１２ｂの表裏面に二本ずつ設けられているが、それらの本数に制限はなく、例えば振動腕部１２ａの表裏面に一本ずつ及び振動腕部１２ｂの表裏面に一本ずつ設けてもよく、また、表裏のどちらか片面にのみ設けてもよい。

振動腕部１２ａには、水晶を挟んで対向する平面同士が同極となるように、両側面に励振電極２２ａが設けられ、表裏面の溝部１３ａの内側に励振電極２２ｂが設けられる。同様に、振動腕部１２ｂには、水晶を挟んで対向する平面同士が同極となるように、両側面に励振電極２２ｂが設けられ、表裏面の溝部１３ｂの内側に励振電極２２ａが設けられる。したがって、振動腕部１２ａにおいては両側面に設けられた励振電極２２ａと溝部１３ａ内に設けられた励振電極２２ｂとが異極同士となり、振動腕部１２ｂにおいては両側面に設けられた励振電極２２ｂと溝部１３ｂ内に設けられた励振電極２２ａとが異極同士となる。

基部１１には、パッド電極２１ａ，２１ｂと、パッド電極２１ａ，２１ｂと励振電極２２ａ，２２ｂの間を電気的に接続する配線パターン２４ａ，２４ｂと、が設けられる。パッド電極２１ａ、励振電極２２ａ、周波数調整用金属膜２３ａ及び配線パターン２４ａは、互いに電気的に導通している。パッド電極２１ｂ、励振電極２２ｂ、周波数調整用金属膜２３ｂ及び配線パターン２４ｂも、互いに電気的に導通している。

振動素子１０は、パッド電極２１ａ，２１ｂ及び導電性接着剤３１を介して、素子搭載部材３２側のパッド電極３３に固定されると同時に電気的に接続される。

次に、振動素子１０の動作を説明する。音叉型の振動素子１０を振動させる場合、パッド電極２１ａ，２１ｂに交番電圧を印加する。印加後のある電気的状態を瞬間的に捉えると、振動腕部１２ａの表裏の溝部１３ａに設けられた励振電極２２ｂはプラス電位となり、振動腕部１２ａの両側面に設けられた励振電極２２ａはマイナス電位となり、プラスからマイナスに電界が生じる。このとき、振動腕部１２ｂの表裏の溝部１３ｂに設けられた励振電極２２ａはマイナス電位となり、振動腕部１２ｂの両側面に設けられた励振電極２２ｂはプラス電位となり、振動腕部１２ａに生じた極性とは反対の極性となり、プラスからマイナスに電界が生じる。この交番電圧で生じた電界によって、振動腕部１２ａ，１２ｂに伸縮現象が生じ、所定の共振周波数の屈曲振動モードが得られる。

図４乃至図７は、本実施形態１の製造方法における各工程を示す断面図である。以下、図１乃至図９に基づき、本実施形態１の製造方法について説明する。

振動腕部１２ａと振動腕部１２ｂとは対称的に同じ構造である。そこで、図４乃至図７では、図１におけるIV−IV線断面において、振動腕部１２ａのみの製造工程を示す。

本実施形態１の製造方法は、次の工程を含む。

<1>.圧電効果を有する基板４１上の一部に耐食膜５１が形成され、耐食膜５１上にフォトレジスト膜５３が形成された構造体４０（図５［Ｅ］）に対して、耐食膜５１で覆われていない基板４１の露出部分をエッチングする基板エッチング工程（図５［Ｆ］）。
<2>.基板エッチング工程（図５［Ｆ］）の後に、フォトレジスト膜５３で覆われている耐食膜５１をサイドエッチングする耐食膜サイドエッチング工程（図６［Ｇ］）。
<3>.耐食膜サイドエッチング工程（図６［Ｇ］）の後に、基板４１の露出部分上及びフォトレジスト膜５３上に電極膜５６を形成する電極膜形成工程（図６［Ｈ］）。
<4>.電極膜形成工程（図６［Ｈ］）の後に、フォトレジスト膜５３上に形成された電極膜５６をフォトレジスト膜５３とともに除去するリフトオフ工程（図７［Ｉ］）。

次に、上記各工程及び本実施形態１の製造方法に含まれる他の工程について、更に詳しく説明する。

まず、図４［Ａ］に示すように、水晶Ｚ板などの基板４１を用意する。

続いて、図４［Ｂ］に示すように、基板４１の上に金属からなる耐食膜５１を形成する。耐食膜５１は、後述する水晶のエッチング液に対して耐性を有する。本実施形態１では、耐食膜５１としてクロムを用いる。その成膜方法は、スパッタリングや蒸着を用いる。

続いて、図４［Ｃ］に示すように、耐食膜５１の上にフォトレジスト膜５３を形成する。フォトレジスト膜５３は、ネガ型でもポジ型でもどちらでもよく、例えばスピンコート法によって形成される。ネガ型のフォトレジストは、露光されると現像液に対して溶解性が低下し、現像後に露光部分が残る。これに対して、ポジ型のフォトレジストは、ネガ型とは逆に、露光されると現像液に対して溶解性が増大し、現像後に露光部が除去される。

続いて、図５［Ｄ］に示すように、耐食膜５１に形成されることになるマスク４５のパターンをフォトレジスト膜５３に露光及び現像する。このパターンは、外形パターン及び溝部パターンである。ただし、溝部パターンは、特に図示しないが、エッチングレートを小さくするためのエッチング抑制パターンとなっている。

続いて、図５［Ｅ］に示すように、マスク４５に覆われていないクロムの露出面を、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合液でエッチングする。

続いて、図５［Ｆ］に示すように、マスク４５に覆われていない基板４１すなわち水晶の露出面を、バッファードフッ酸（ＨＦ＋ＮＨ４Ｆ）を用いエッチングする。このとき、溝部となる領域４６はエッチング抑制パターンによって貫通しないように一定の深さまでエッチングし、振動腕部となる領域４４は外形の外側を完全に抜くようにエッチングする。

続いて、図６［Ｇ］に示すように、フォトレジスト膜５３で覆われている耐食膜５１をサイドエッチングする。つまり、クロムを側面から、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合液でエッチングする。これにより、基板４１の露出部分とフォトレジスト膜５３との間で耐食膜５１が後退することにより、凹部５２が形成される。なお、この工程におけるフォトレジスト膜５３は、前工程におけるフォトレジスト膜を剥離し、再び露光及び現像したものである。その理由は、振動腕部ではエッチング面と電極形成面が一致するものの、基部などではそれらが一致しないからである。そのような問題がなければ、この工程におけるフォトレジスト膜５３として、前工程におけるフォトレジスト膜をそのまま用いてもよい。

続いて、図６［Ｈ］に示すように、基板４１の露出部分上及びフォトレジスト膜５３上に電極膜５６を形成する。電極膜５６は、例えばクロム又はチタンの単層膜や、その上にパラジウム又は金を形成した積層膜などであり、スパッタリングや蒸着で成膜する。基板４１の露出部分上及びフォトレジスト膜５３上に凹部５２を跨ぐように電極膜５６が形成されるので、電極膜５６は凹部５２で分断され電極膜５６１と電極膜５６２とに分けられる。

続いて、図７［Ｉ］に示すように、フォトレジスト膜５３上に形成された電極膜５６２を、フォトレジスト膜５３とともに除去する。換言すると、基板４１の表裏に形成されたマスク４５と、その上に形成された電極膜５６とを、剥離する。これは、フォトレジストを溶解する剥離液（例えばアセトン）に、これらを浸すことにより除去できる。ただし、マスク４５の下にある耐食膜５１は残る。この電極形成方法がリフトオフ法である。このとき、フォトレジスト膜５３上の電極膜５６２と基板４１の露出部分上の電極膜５６１とは、凹部５２で分断されて繋がっていない。そのため、剥離液はフォトレジスト膜５３に容易に到達し、しかも、電極膜５６１から電極膜５６２を切り離す力も不要であることから、電極膜５６２をフォトレジスト膜５３とともに確実に除去できる。

最後に、図７［Ｊ］に示すように、フォトレジスト膜５３が除去されたことにより露出した耐食膜５１を、前述のエッチングによって除去する。これにより、振動腕部１２ａ及び溝部１３ａに励振電極２２ａ，２２ｂが形成される。このとき、図１に示すように、パッド電極２１ａ，２１ｂ、周波数調整用金属膜２３ａ，２３ｂ及び配線パターン２４ａ，２４ｂも形成され、振動素子１０が完成する。その後、振動素子１０は周波数調整工程へ移行する。

次に、本実施形態１の製造方法の作用及び効果について説明する。

本実施形態１によれば、フォトレジスト膜５３で覆われている耐食膜５１をサイドエッチングすることにより、基板４１の露出部分とフォトレジスト膜５３との間で耐食膜５１が後退して凹部５２を形成するので、基板４１の露出部分上及びフォトレジスト膜５３上に凹部５２を跨ぐように電極膜５６を形成すると、電極膜５６が凹部５２で分断される。したがって、フォトレジスト膜５３上の電極膜５６２と基板４１の露出部分上の電極膜５６１とは繋がらないので、フォトレジスト膜５３上の電極膜５６２をフォトレジスト膜５３とともに確実に除去できる。

図８乃至図１０は、実施形態２の製造方法における各工程を示す断面図である。以下、図８乃至図１０に基づき、本実施形態２の製造方法について説明する。

実施形態１では、振動腕部における基板エッチングのマスク（耐食膜のパターン）とリフトオフのマスク（フォトレジスト膜のパターン）とが同じであるので、振動腕部において基板のエッチング部分にのみ電極膜が形成される。

これに対し、本実施形態２では、振動腕部における基板エッチングのマスクとリフトオフのマスクとが異なるので、振動腕部において基板のエッチング部分以外にも電極膜が形成される。そのため、本実施形態２の製造方法は、実施形態１の製造方法と比べて、次の特徴を有する。

<1>.フォトレジスト膜５４は、耐食膜５１上の一部に形成されている（図８［Ａ］）。
<2>.基板エッチング工程（図８［Ｂ］）と耐食膜サイドエッチング工程（図９［Ｅ］）との間に、フォトレジスト膜５４で覆われていない耐食膜５１の露出部分をエッチングする耐食膜エッチング工程（図８［Ｃ］）を更に含む。
<3>.耐食膜エッチング工程（図８［Ｃ］）と耐食膜サイドエッチング工程（図９［Ｅ］）とが、連続的な一つの工程からなる、としてもよい。

次に、上記工程及び本実施形態２の製造方法に含まれる他の工程について、更に詳しく説明する。

実施形態１の図４［Ａ］から図５［Ｅ］までの工程は、本実施形態２でも同じである。

続いて、図５［Ｅ］に示すフォトレジスト膜５３を除去した後、図８［Ａ］に示すように、新たなフォトレジスト膜５４を塗布し、フォトレジスト膜５４を露光及び現像することにより、構造体４７を得る。構造体４７では、フォトレジスト膜５４が耐食膜５１上の一部に形成されていることにより、基板エッチングのマスク（耐食膜５１のパターン）とリフトオフのマスク（フォトレジスト膜５４のパターン）とが異なる。

続いて、図８［Ｂ］に示すように、耐食膜５１に覆われていない基板４１すなわち水晶の露出面を、バッファードフッ酸（ＨＦ＋ＮＨ４Ｆ）を用いエッチングする。このとき、実施形態１と同様に、溝部となる領域４６はエッチング抑制パターンによって貫通しないように一定の深さまでエッチングし、振動腕部となる領域４４は外形の外側を完全に抜くようにエッチングする。

続いて、図８［Ｃ］に示すように、フォトレジスト膜５４で覆われていない耐食膜５１の露出部分を、エッチングすることにより除去する。具体的には、図８［Ｂ］に示す構造体を、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合液に浸す。

続いて、図９［Ｄ］に示すように、耐食膜５１で覆われていない基板４１の表面のみをエッチングする。すなわち、バッファードフッ酸（ＨＦ＋ＮＨ４Ｆ）を用いて軽くエッチングすることにより、水晶の露出面を洗浄する。

続いて、図９［Ｅ］に示すように、フォトレジスト膜５４で覆われている耐食膜５１をサイドエッチングすることにより、凹部５２を形成する。このときも、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合液を用いる。

なお、図８［Ｄ］の工程を省略できる場合は、耐食膜エッチング工程（図８［Ｃ］）と耐食膜サイドエッチング工程（図９［Ｅ］）とを、連続的な一つの工程としてもよい。つまり、図８［Ｂ］に示す構造体をエッチング液に浸すと、まずフォトレジスト膜５４で覆われていない耐食膜５１の主面がエッチングによって消滅し（耐食膜エッチング工程）、更にそのまま浸し続けると、フォトレジスト膜５４で覆われている耐食膜５１の側面のサイドエッチングが進んで凹部５２が形成される（耐食膜サイドエッチング工程）。

続いて、図９［Ｆ］に示すように、基板４１の露出部分上及びフォトレジスト膜５４上に、例えばスパッタリングにより電極膜５６を形成する。このとき、基板４１の露出部分上及びフォトレジスト膜５４上に凹部５２を跨ぐように電極膜５６が形成されるので、電極膜５６は凹部５２で分断されて電極膜５６１と電極膜５６２とに分けられる。

続いて、図１０［Ｇ］に示すように、フォトレジスト膜５４上に形成された電極膜５６２を、フォトレジスト膜５４とともに除去する。このとき、フォトレジスト膜５４上の電極膜５６２と基板４１の露出部分上の電極膜５６１とは繋がっていないので、電極膜５６２をフォトレジスト膜５４とともに確実に除去できる。

最後に、図１０［Ｈ］に示すように、フォトレジスト膜５４が除去されたことにより露出した耐食膜５１を、前述のエッチングによって除去する。これにより、振動腕部１２ａ及び溝部１３ａに励振電極２２ａ，２２ｂが形成される。このとき、本実施形態２では、基板エッチングのマスクとリフトオフのマスクとが異なるので、基板４１のエッチング部分以外にも電極膜５６が形成される。図１０［Ｈ］に示す例では、同じ面の二本の溝部１３ａ，１３ａを跨ぐように、電極膜５６からなる励振電極２２ｂが形成される。

次に、本実施形態２の製造方法の作用及び効果について説明する。

（１）基板エッチング工程（図８［Ｂ］）と耐食膜サイドエッチング工程（図９［Ｅ］）との間に、フォトレジスト膜５４で覆われていない耐食膜５１の露出部分をエッチングする耐食膜エッチング工程（図８［Ｃ］）を更に含むことにより、電極膜５６２をフォトレジスト膜５４とともに確実に除去でき、更に、基板４１のエッチング部分以外にも電極膜５６を形成できる。

（２）耐食膜エッチング工程（図８［Ｃ］）と耐食膜サイドエッチング工程（図９［Ｅ］）とを、連続的な一つの工程とする場合は、工程数の増加を抑えることができる。

（３）実施形態１では、図７［Ｊ］に示すように、同じ面の二本の溝部１３ａ，１３ａの励振電極２２ｂが分離されている。これに対し、本実施形態２では、図１０［Ｈ］に示すように、同じ面の二本の溝部１３ａ，１３ａの励振電極２２ｂが接続されている。したがって、本実施形態２によれば、励振電極２２ｂの抵抗値が減少するので、クリスタルインピーダンスの低減に寄与できる。

なお、本実施形態２におけるその他の構成、作用及び効果は、実施形態１のそれらと同様である。

以上、上記各実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。また、本発明には、上記各実施形態の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。

本発明は、リフトオフによって電極を形成する圧電素子であればどのようなものにでも利用でき、例えば水晶やセラミックスからなる圧電素子や、音叉型屈曲振動子、厚みすべり振動子、ジャイロセンサなどのセンサ素子にも利用可能である。

１０ 振動素子
１１ 基部
１２ａ，１２ｂ 振動腕部
１３ａ，１３ｂ 溝部
１５ 水晶片
２１ａ，２１ｂ パッド電極
２２ａ，２２ｂ 励振電極
２３ａ，２３ｂ 周波数調整用金属膜
２４ａ，２４ｂ 配線パターン
３１ 導電性接着剤
３２ 素子搭載部材
３３ パッド電極

４０，４７ 構造体
４１ 基板
４４ 振動腕部となる領域
４５ マスク
４６ 溝部となる領域
５１ 耐食膜
５２ 凹部
５３，５４ フォトレジスト膜
５６，５６１，５６２ 電極膜

１００ 構造体
１０１ 基板
１０２ 耐食膜
１０３ フォトレジスト膜
１０４ 振動腕部となる領域
１０５ 溝部となる領域
１０８ 電極膜
１１２ａ 振動腕部
１１３ａ 溝部
１２２ａ，１２２ｂ 励振電極

Claims (3)

1. 圧電効果を有する基板上の一部に耐食膜が形成され、この耐食膜上にフォトレジスト膜が形成された構造体に対して、前記耐食膜で覆われていない前記基板の露出部分をエッチングする基板エッチング工程と、
   この基板エッチング工程の後に、前記フォトレジスト膜で覆われている前記耐食膜をサイドエッチングする耐食膜サイドエッチング工程と、
   この耐食膜サイドエッチング工程の後に、前記基板の露出部分上及び前記フォトレジスト膜上に電極膜を形成する電極膜形成工程と、
   この電極膜形成工程の後に、前記フォトレジスト膜上に形成された前記電極膜を前記フォトレジスト膜とともに除去するリフトオフ工程と、
   を含む圧電素子の製造方法。
2. 前記フォトレジスト膜は、前記耐食膜上の一部に形成され、
   前記基板エッチング工程と前記耐食膜サイドエッチング工程との間に、前記フォトレジスト膜で覆われていない前記耐食膜の露出部分をエッチングする耐食膜エッチング工程を、
   更に含む請求項１記載の圧電素子の製造方法。
3. 前記耐食膜エッチング工程と前記耐食膜サイドエッチング工程とが連続的な一つの工程からなる、
   請求項２記載の圧電素子の製造方法。

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