JP2015015265A - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の高い、接着層を介在した積層基板型の発光装置を提供する。
【解決手段】第一の基板と第二の基板とを接着層を介して貼り合わせたパッケージに発光素子が搭載されている。第一の基板と第二の基板との間の接合部には、樹脂被覆層に覆われた導体パターンが形成されている。樹脂被覆層には、導体パターンを部分的に露出するパターン露出部が形成されている。導体パターン上の樹脂被覆層の厚みは、導体パターンの厚みより小さい。
【選択図】図２（ｂ）

Description

本発明は、発光装置に関し、特に積層基板で構成された凹部内に半導体発光素子を備えた半導体発光装置に関する。

特許文献１には、貫通穴を備えたベース基板上に接着シートを介してリフレクタ基板を積層して形成された凹部内に発光素子を配置した半導体発光装置が記載されている。ベース基板上には、配線パターンが配置されている。

特開２００６−０８０１１７号公報

特許文献１のような発光装置においては、ベース基板上に配線パターンが配置されているため、配線パターンの側面において、配線パターンと接着シートとの間に隙間を生じることがあった。

また、接着シートが、発光素子からの光や熱により劣化するため、接着シートとリフレクタ基板との間等に剥離を生じることがあった。そのため、接着シート厚みを増加して隙間を埋めると、剥離を助長する可能性があり、また、発光装置の小型化が妨げられるという問題があった。

そして、上記隙間や剥離部に水分が浸入するおそれがあり、発光装置の信頼性を低下させるという課題があった。水分が浸入すると電気特性不良や、配線パターンに銀を用いた場合には、銀の硫化による発光装置の光束低下や外観不良を起こすという問題があった。

そこで、本発明は、上記課題を解決して、信頼性の高い発光装置を提供することを目的とする。

本発明の発光装置は、第一の基板と、第一の基板上に接着層を介して配置された開口を有する第二の基板と、第一の基板上に形成した導体パターンと、第一の基板上の素子搭載部に配置され開口内に位置する発光素子と、第一の基板上に形成した樹脂被覆層と、発光素子を覆う封止部とを有する。本発明の発光装置において、導体パターンは、第二の基板の下方に位置する基板直下パターンを備え、樹脂被覆層は、基板直下パターンを覆うとともに基板直下パターンの上面を部分的に露出するパターン露出部を有する。樹脂被覆層は、第一の基板と第二の基板とが重なる領域において、パターン露出部以外の全領域に形成される。また、基板直下パターン上に形成された樹脂被覆層の厚みは、基板直下パターンの厚みより小さく、パターン露出部において、基板直下パターンと接着層とが接していることを特徴とする。

また、本発明の発光装置の製造方法は、（Ａ）導体パターンと樹脂被覆層の形成された第一の基板を用意する工程と、（Ｂ）開口を有する第二の基板をする工程と、（Ｃ）第一の基板と第二の基板とを接着層を介して貼り合わせる工程と、（Ｄ）第一の基板上の素子搭載部に発光素子を配置する工程と、を含む。本発明の発光装置の製造方法において、工程（Ａ）は、(Ａ−１)第一の基板上に、第二の基板が重なる予定位置に形成される基板直下パターンを含む導体パターンを形成する工程と、(Ａ−２)基板直下パターンおよび第一の基板の第二の基板の下方に位置する全領域を覆い、基板直下パターンの上面の一部を露出する樹脂被覆層を形成する工程とを含むことを特徴とする。

本発明の発光装置および発光装置の製造方法によれば、信頼性の高い、接着層を介在した積層基板型の発光装置を提供することができる。

本発明の実施例１の発光装置における要部の平面図である。 図１のＡ−Ａ線に沿う概略断面図である。 図１のＢ−Ｂ線に沿う概略断面図である。 図２（ｂ）の一部の拡大図である。 本発明の実施例１の発光装置における導体パターン形成後の基板の平面図である。 本発明の実施例１の発光装置における樹脂被覆層形成後の基板の平面図である。 本発明の実施例２の発光装置における要部の平面図である。 本発明の実施例３の発光装置における要部の平面図である。 本発明の実施例４の発光装置における導体パターン形成後の基板の上面図である。

以下、この発明の好適な実施形態を詳細に説明する。尚、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する記載がない限り、これらの実施形態に限られるものではない。

以下に、本発明の実施例１に係る発光装置１０について、図１〜図４を参照しつつ説明する。

図１は、本発明の実施例１に係る発光装置１０を光放射面側から見た平面図である。図１においては、説明の明瞭化のため、本発明の実施例１に係る発光装置１０について、封止部９を省略して示している。

図２（ａ）は、図１におけるＡ−Ａ線に沿った断面図である。図２（ｂ）は、図１におけるＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図２では、図１において省略した封止部を図示している。図２（ｃ）は、図２（ｂ）の一部の拡大図である。

図３は、本発明の実施例１に係る発光装置１０の第一の基板（下部基板）１上の導体パターン３を示す平面図である。

図４は、本発明の実施例１に係る発光装置１０の第一の基板（下部基板）１上の導体パターン３および樹脂被覆層４を示す平面図である。

図１および図２に示すように、実施例１に係る発光装置１０は、それぞれ絶縁材料からなる上部基板（第二の基板）２と下部基板（第一の基板）１が接着層５を介して貼り合わされて構成されている。上部基板２の中央に形成された開口の底面を塞ぐ下部基板１上には、接着剤やはんだなどの接合材７を介して半導体発光素子６が搭載されている。下部基板１上には導体パターン３が設けられており、半導体発光素子６と電気的に接続されている。導体パターン３は、上部基板２の直下において、樹脂被覆層４に覆われており、樹脂被覆層４には、部分的に導体パターンを露出するパターン露出部４ａが形成されている。上部基板２の開口内２ａには、半導体発光素子６を覆う透光性の樹脂が充填され、封止部９が形成されている。

本実施例では、導体パターン３上の素子搭載部に接着剤を介して半導体発光素子６を固定し、Ａｕ線からなる導電ワイヤ８により導体パターン３と電気的に接続されている。

尚、本発明の発光装置において、発光素子は一対の電極が、半導体素子の上面と下面に形成されているもの、上面のみに形成されているもの、あるいは、下面のみに形成されているものを用いることができる。また、発光素子は、下部基板上、または、下部基板上に設けられた導体パターン上に配置することができる。また、発光素子は、単数でも複数でもよい。

上部基板２および下部基板１は、約０．１ｍｍのシリコーン樹脂基板からなる。下部基板１は表面に導体パターン３が形成されており、端部にスルーホールが形成されている。

尚、本発明の発光装置における基板としては、シリコーン樹脂基板、ガラスエポキシ基板、および、ポリイミド基板などの樹脂基板、金属基板、およびセラミック基板を用いることができる。

下部基板上１には、上部基板２で覆われる領域に樹脂被覆層４が形成されている。また、樹脂被覆層４は、上部基板２が重なる領域のみならず、開口２ａ内の下部基板１上にわたり形成されている。樹脂被覆層４は、上部基板２の内側端部の直下近傍に形成されている。

図３に示すように、導体パターン３は、下部基板１上面において、上部基板２の直下に位置する上部基板直下パターン３ｂと上部基板の開口内に露出する開口内パターン３ａとを有する。図１〜図４において、開口内パターン３ａを右下がり斜線で示す。図３において、説明明瞭化のため、点線により上部基板の開口２ａを示している。

また、導体パターン３は、下部基板１の側面端部に形成されたスルーホール内および、下部基板の底面に連続して形成されている。

図３に示すように、上部基板直下パターン３ｂは、下部基板１の底面に連続させるための配線部３ｂｂと上部基板の形状に沿うよう形成されたパターン延伸部３ｂａを備える。図１〜図３において、配線部３ｂｂを斜格子、パターン延伸部３ｂａを右上がり斜線で示す。

パターン延伸部３ｂａは、発光素子を囲むように、上部基板の開口２ａを囲むように、略環状に形成されている。

パターン延伸部３ｂａが形成されていることにより、上部基板２と下部基板１を接合する際に、より安定に上部基板２と下部基板１とを平行に保持することができる。

パターン延伸部３ｂａは、下部基板１の外形線上に到達しないよう形成されていることが好ましい。下部基板１の外形線より内側に形成することにより、導体パターン材料からなるバリの発生のないものとしている。下部基板１の外形線は、発光装置を製造する際、多面取りの状態の下部基板を切断する工程において、切断線となるため、外形線に到達するようパターン延伸部を形成するとバリが発生し得るからである。

上部基板直下パターン３ｂは、下部基板側からＣｕ箔／Ｃｕメッキの積層構造であり、開口内パターン３ａは、樹脂被覆層４に覆われた部分を除いて、下部基板側からＣｕ箔／Ｃｕメッキ／Ｎｉメッキ／Ａｕメッキの積層構造である。開口内パターン３ａの樹脂被覆層４に覆われた部分は、下部基板側からＣｕ箔／Ｃｕメッキの積層構造である。上部基板直下パターン３ｂの厚みおよび、開口内パターン３ａの樹脂被覆層４に覆われた部分の厚みは、３０〜４０μｍであり、例えば、Ｃｕ箔１８μｍ／Ｃｕメッキ２０μｍである。開口内パターン３ａの樹脂被覆層４に覆われていない部分の厚みは、３５〜５０μｍであり、たとえば、Ｃｕ箔１８μｍ／Ｃｕメッキ２０μｍ／Ｎｉメッキ１０μｍ／Ａｕメッキ０．２μｍである。

図４に示すように、樹脂被覆層４は、後述するパターン露出部４ａを除いて、下部基板上の上部基板直下領域の全域を覆うよう形成されている。すなわち、樹脂被覆層４ａは、上部基板と下部基板とが重なる領域において、パターン露出部以外の全領域に形成されている。図１、図２、および図４において、樹脂被覆層４をドット柄で示す。図４において、説明明瞭化のため、点線により上部基板の開口２ａおよび樹脂被覆層４に覆われた導体パターン３の外形を示している。

樹脂被覆層４は、上部基板直下領域において、上部基板直下パターン３ｂを覆うとともに、連続して上部基板直下パターン３ｂの形成されていない下部基板上を覆っている。そして、上部基板直下パターンの側面、特にパターン延伸部３ｂａの側面を覆っている。パターン延伸部３ｂａの側面を覆うよう樹脂被覆層４が形成されているため、下部基板上の上部基板直下パターン３ｂにより生じた段差が埋められ、樹脂被覆層４の上面が平坦に形成されている。

つまり、上部基板２と下部基板１とを接着層５を介して接合する際、平坦な樹脂被覆層表面に対して接着層５が接着されることになり、特許文献１の発光装置のように導体パターンと接着層との間に隙間を生じることがない。

樹脂被覆層４としては、感光性樹脂、いわゆるレジストから構成することができる。たとえば、本実施例において、樹脂被覆層４は、エポキシ樹脂系の感光性樹脂からなる。尚、本発明において、樹脂被覆層４を構成する感光性樹脂材料としては、エポキシ樹脂系のみならず、シリコーン樹脂系、ポリイミド樹脂系の感光性樹脂を用いることができる。

樹脂被覆層４は、液状レジストを塗布等の適宜な手段により上部基板直下パターン３ｂ上へ供給後硬化して形成することにより、上面を平坦に形成することができる。また、レジストはシート状のものを上部基板直下パターン３ｂ上へ配置して加熱により液状化させた後硬化してもよい。

樹脂被覆層４の下部基板１上における厚み４ｘは、３５〜４５μｍ、樹脂被覆層４の上部基板直下パターン３ｂ上における厚み４ｙは、５〜１５μｍ、好ましくは５〜１０μｍとなるように形成されている。

樹脂被覆層４には、上部基板直下パターン３ｂの上面を部分的に露出するパターン露出部４ａが形成されている。このパターン露出部４ａにおいて、上部基板直下パターン３ｂと接着層５とが接合している。特に、上部基板直下パターン３ｂの最表面のＣｕ層と接着層５とが接合している。

パターン露出部４ａを形成することにより、接着層５の下部基板側への接着面積を拡大することができるため、上部基板と下部基板との密着性が向上する。また、水分侵入経路となる接着層界面がパターン露出部のない場合と比較して拡大・延長されるため、発光装置の信頼性が向上する。

ここで、パターン露出部４ａを形成することにより、上部基板直下パターン３ｂ上の樹脂被覆層４の厚み４ｙによる段差は生じるが、この段差は、接着層厚みに対して非常に小さいため、接着層５で十分に充填されて隙間を生じることがない。上部基板直下パターン３ｂ上の樹脂被覆層４の厚みは接着層５の厚みの４０％以下とすることが好ましく、特に２０％〜３０％であることが好ましい。また、上部基板直下パターン３ｂ上の樹脂被覆層４の厚み４ｙは、上部基板直下パターン３ｂの厚み３ｂｘと比較しても小さく形成されている。

また、パターン露出部４ａは、最上層をＣｕ層とすることが好ましい。接着層５と接する最上層をＣｕ層とすることで、最上層をＡｕ層とした場合よりも接着層との密着性が向上する。Ｃｕ層表面はＡｕ層と比較して酸化皮膜が形成されやすく、酸化皮膜の表面に形成されるカルボキシル基などの表面官能基が接着層の樹脂と水素結合などの相互作用するため、最上層をＣｕ層とすることで密着性が向上すると考えられる。

パターン露出部４ａの最上層をＣｕ層とする場合においても、開口内パターン３ａの最上層は、Ａｕ層とすることが好ましい。開口内においては、酸化・腐食の起きにくいＡｕ層を最上層とすることで、開口内パターン３ａの高い反射率を維持して、発光効率の高い発光装置を提供することができる。

パターン露出部４ａは、上部基板直下パターン３ｂがパターン延伸部３ｂａを備えているため、発光素子６を囲むように上部基板２の形状に沿って、すなわちパターン延伸部３ｂａを露出するように形成することができる。そして、上部基板の開口２ａを囲むように、略環状に形成されている。

樹脂被覆層４は、パターン露出部４ａを除いて、上部基板２の直下の下部基板１上の領域全体を覆っている。

そのため、上部基板２と下部基板１との間の接合部には樹脂被覆層４による段差、該段差による隙間を生じることがない。また、貼りあわせの際に、上部基板と下部基板とを平行に保つことができる。つまり上部基板底面全体を同じ高さに保つことができるため、貼り合わせの際に全体的に均一に圧力をかけることができる。

また、本実施例において、樹脂被覆層４は、上部基板２の直下の領域より広範に形成されており、上部基板の開口下領域に露出するように下部基板１上に形成されている。そのため、多少貼りあわせの際にずれが生じた場合にも、開口２ａ側の上部基板端部の下に確実に樹脂被覆層４が存在するよう構成することができる。開口２ａ側の上部基板端部の下に樹脂被覆層４が存在しない場合には、開口２ａ側の上部基板端部の下に隙間が生じて、封止樹脂の注入の際に気泡を巻き込む可能性がある。つまり、樹脂被覆層４を上部基板の開口下領域にまで露出するように形成することで封止樹脂部９に気泡の発生のない信頼性の高い発光装置を提供することができる。

接着層５は、上部基板と同一形状の接着シートから構成されている。接着シートは、４０〜５０μｍの厚みのエポキシ樹脂やシリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂からなる。半硬化状態の樹脂をシート状で供給し、加熱圧着により熱変形して、上部基板側と下部基板側を接合するとともに接着層を構成する。接着層の材料は、樹脂被覆層の材料と比較して導体パターンに対する接着性の高いものを用いることが好ましい。

接着層５は、下部基板１側の樹脂被覆層４およびパターン露出部４ａにおける上部基板直下パターン３ｂと密着して形成され、パターン露出部４ａにおける樹脂被覆層４の段差を埋めている。

半導体発光素子６は、開口内パターン３ａ上の素子搭載部上にシリコーン接着剤などの接合材７を介して固定されている。半導体発光素子６は、上面に一対の電極を有している。これら電極と導体パターンとは、Ａｕからなる導電性ワイヤ８により電気的に接続されている。

封止部９は、上部基板開口２ａ内にシリコーン樹脂などの封止樹脂を注入後、硬化して形成することができる。封止樹脂はシリコーン樹脂、エポキシ樹脂など用途に適した透光性樹脂を選択することができる。さらに、透光性樹脂に蛍光体や散乱材など適宜機能部材を添加することができる。

本発明の発光装置１０では、上部基板２と下部基板１との間に挟まれた接合部において、配線パターンの側面は樹脂被覆層４に覆われることにより、配線パターン３と接着層５との間の隙間が生じなくなる。また、樹脂被覆層４がパターン露出部４ａを除いて下部基板１上の全域に形成されているため、配線パターン３を覆う樹脂被覆層４の段差も接合部には存在せず、新たに隙間を生じることがない。そのため、従来の発光装置に対して、接着層の厚みを増加することなく、配線パターンと接着シートとの間の隙間をなくすことができる。

また、パターン露出部４ａが形成されることにより接着層５の下部基板側の表面積が増大するため、接着層５と下部基板側との密着性が向上し、接着層５の劣化による剥離についても抑制することができる。

接合部への隙間や剥離の発生を抑制することができるため、隙間や剥離部への水分の侵入を抑制し、特許文献１のような従来の発光装置と比較して信頼性の高い発光装置を提供することができる。

［本発明の実施例１の製造方法］
次に、本発明の実施例１の半導体発光装置の製造方法について説明する。

まず、下部基板１、接着シート、上部基板２を準備する。いずれも、半導体発光装置が複数製造できるよう、矩形の多面取り状態で準備される。以下においては、説明を容易とするため、一つの半導体発光装置が製造される工程として、説明する。

下部基板１には、両面にパターン形成された銅箔が貼付された、シリコーン樹脂基板からなる。下部基板の上面と下面とを電気的に接続するためのスルーホールが形成されている。また、銅メッキ処理により、銅箔上およびスルーホールの内壁に銅めっき層が形成されている。

下部基板１上面に形成された銅箔および銅めっきからなる導体パターン３の形状は、図３に示す通りである。導体パターン３は、上部基板の開口２ａ内に露出する開口内パターン３ａ、上部基板の配置予定領域に形成された上部基板直下パターン３ｂを有する。開口内パターン３ａは、発光素子６を搭載する発光素子搭載部、導電ワイヤ８を接続する導電ワイヤ接続部を有する。上部基板直下パターン３ｂは、下部基板下面の導体パターンと電気的接続をする配線部３ｂｂと上部基板との接合信頼性を向上するためのパターン延伸部３ｂａを備える。
導体パターン３は、配線部３ｂｂを除き、下部基板１の外形線より内側に収まるよう形成する。

次に、図４に示すように、下部基板１上面に樹脂被覆層４を形成する。樹脂被覆層４は、下部基板上の全面に成膜後、不要部を除去して形成する。樹脂被覆層４は、上部基板直下の領域のほぼ全域から上部基板の開口内に露出する領域の一部まで形成し、上部基板直下パターン３ｂの一部を露出するよう形成する。

接着シートは、エポキシ樹脂系、あるいはシリコーン樹脂系などの熱硬化性樹脂系材料からなり、半硬化状態である。

上部基板２は、シリコーン樹脂基板からなる。

上部基板と接着シートとを接着し、一体化した状態で、ドリル加工等により開口を形成する。

次に、下部基板側に接着シートが対向するように一体化した上部基板と接着シートを配置し、加熱圧着して下部基板と上部基板とを貼り合わせる。接着シートは上部基板側と下部基板側との間を埋めるように熱変形して、接着層５を形成する。

接着層５を形成する際に、接着シートを用いることにより、下部基板１と上部基板２との貼りあわせの際に接着剤が溶出することなく、接着剤が開口内パターンを汚染することがない。

次に、電解めっきにより、樹脂被覆層で覆われていない開口内パターン上に電解めっきにより、Ｎｉ層、Ａｕ層を積層する。

次に、上部基板の開口２ａ内の下部基板上の導体パターン３ａの発光素子搭載部に接合材７を介して半導体発光素子６を搭載する。その後、半導体発光素子の電極と導体パターンとを導電ワイヤ８を結線して電気的に接続する。

次に、上部基板の開口２ａ内にシリコーン樹脂を充填し、加熱硬化し、封止樹脂部９を形成する。

次に、下部基板上に接着層を介して上部基板を貼り合わせた多面取りの状態のものを、所定の間隔でダイシングして個片化する。

以下に、本発明の実施例２に係る発光装置２０について、図５を参照して説明する。実施例１と同じ要素については、同じ符号で示す。図５は、本発明の実施例２に係る発光装置２０の下部基板上に形成された導体パターンと樹脂被覆層を示す概略平面図である。図５において、点線により上部基板の開口２ａおよび樹脂被覆層４に覆われた導体パターン３の外形を示している。

実施例２に係る発光装置２０は、パターン露出部４ａの形状以外の構成に関しては、実施例１の発光装置１０の構成と同一である。

パターン露出部４ａは、実施例１と同様、発光素子を囲むように上部基板の形状に沿って形成されている。パターン露出部４ａは、実施例１では、直線状に形成されたが、本実施例では図５に示すように、複雑なパターン形状としている。本実施例において、図５に示すようなパターンを形成することにより、実施例１のパターンよりも樹脂被覆層４と接着層５との接触面積を増やして、密着力を向上することができる。

以下に、本発明の実施例３に係る発光装置３０について、図６を参照して説明する。実施例１と同じ要素については、同じ符号で示す。

図６は、本発明の実施例３に係る発光装置３０の下部基板上に形成された導体パターンと樹脂被覆層４を示す概略平面図である。図５において、点線により上部基板の開口２ａおよび樹脂被覆層４に覆われた導体パターン３の外形を示している。

実施例３に係る発光装置３０は、パターン露出部４ａの形状以外の構成に関しては、実施例１の発光装置１０の構成と同一である。

実施例３に係る発光装置３０は、パターン露出部４ａが複数の円形部で構成されている。上部基板直下領域の寸法が小さい場合でも、加工容易な円形のパターン露出部４ａとすることで、パターン露出部４ａを形成することができる。つまり、小型の発光装置にもパターン露出部４ａの形成が容易な構成となっている。また、パターン露出部４ａを複数の円形部で構成することは、実施例１の直線状のパターンと比較して、樹脂被覆層４と接着層５との接触面積を増加させやすく、密着力を向上しやすい。

以下に、本発明の実施例４に係る発光装置４０について、図７を参照して説明する。実施例１と同じ要素については、同じ符号で示す。

図７は、本発明の実施例４に係る発光装置４０の下部基板上に形成された導体パター３ンを示す概略平面図である。図７において、点線により上部基板の開口２ａの外形位置を示している。

実施例４に係る発光装置４０は、導体パターン３の形状以外の構成に関しては、実施例１の発光装置１０の構成と同一である。

実施例４に係る発光装置４０における導体パターン３は、上部基板直下パターン３ｂにおいて、配線部３ｂｂとパターン延伸部３ｂａが分離して形成されている点で、配線部３ｂｂとパターン延伸部３ｂａが連続している実施例１の発光装置と異なる。

このように本願発明の発光装置において、上部基板直下パターン３ｂは、配線部３ｂｂとパターン延伸部３ｂａを連続して形成してもよく分離して形成してもよい。

尚、本発明の発光装置は、上記した実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加えることは勿論である。

例えば、上記実施例においては、半導体素子としては、一つの半導体発光素子を配置しているが、複数を配置してもよく、半導体受光素子などを配置してもよい。

例えば、上記実施例においては、半導体素子を導体パターン上に配置しているが、直接下部基板上に配置してもよく、導電ワイヤ等による適宜な接続方法で導体パターンと電気的に接続すればよい。

例えば、上記実施例において上部基板の開口は略矩形であるが、円形にしてもよい。

１：第一の基板（下部基板）
２：第二の基板（上部基板）
３：導体パターン
３ａ：開口内パターン
３ｂ：基板直下パターン（上部基板直下パターン）
４：樹脂被覆層
４ａ：パターン露出部
５：接着層
６：発光素子
７：接合材
８：導電ワイヤ
９：封止部
１０：発光装置

Claims (7)

1. 第一の基板と、
   前記第一の基板上に接着層を介して配置された開口を有する第二の基板と、
   前記第一の基板上に形成した導体パターンと、
   前記第一の基板上の素子搭載部に配置され、前記開口内に位置する発光素子と、
   前記第一の基板上に形成した樹脂被覆層と、
   前記発光素子を覆う封止部と、を有し、
   前記導体パターンは、前記第二の基板の下方に位置する基板直下パターンを備え、
   前記樹脂被覆層は、前記基板直下パターンを覆うとともに前記基板直下パターンの上面を部分的に露出するパターン露出部を有し、
   前記樹脂被覆層は、前記第一の基板と前記第二の基板とが重なる領域において、前記パターン露出部以外の全領域に形成され、
   前記基板直下パターン上に形成された樹脂被覆層の厚みは、前記基板直下パターンの厚みより小さく、
   前記パターン露出部において、前記基板直下パターンと前記接着層とが接していることを特徴とする発光装置。
2. 前記基板直下パターンは、前記第二の基板の底面に沿うよう伸びたパターン延伸部を備え、
   前記樹脂被覆層は、前記パターン延伸部の全側面を覆うことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記パターン露出部において、前記基板直下パターンの最上層はＣｕ層であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。
4. （Ａ）導体パターンと樹脂被覆層の形成された第一の基板を用意する工程と、
   （Ｂ）開口を有する第二の基板をする工程と、
   （Ｃ）前記第一の基板と前記第二の基板とを接着層を介して貼り合わせる工程と、
   （Ｄ）前記第一の基板上の素子搭載部に発光素子を配置する工程と、
   を含む発光装置の製造方法において、
   前記工程（Ａ）は、(Ａ−１)第一の基板上に、前記第二の基板が重なる予定位置に形成される基板直下パターンを含む導体パターンを形成する工程と、
   (Ａ−２)前記基板直下パターンおよび前記第一の基板の前記第二の基板の下方に位置する全領域を覆い、前記基板直下パターンの上面の一部を露出する樹脂被覆層を形成する工程と、
   を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
5. 前記工程（Ａ−２）において、液状の樹脂を供給後硬化して樹脂被覆層を形成することを特徴とする請求項４に記載の発光装置の製造方法。
6. 前記工程(Ａ−２)は、
   (Ａ−２−１)前記第一の基板上の前記第二の基板が重なる全領域に樹脂被覆層を形成する工程と、
   (Ａ−２−２)前記樹脂被覆層の一部を除去して前記基板直下パターンの上面を露出する工程と、
   を含むことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の発光装置の製造方法。
7. 前記工程（Ｃ）において、接着層として接着シートを用い、前記第一の基板と前記第二の基板との間に配置後、該接着シートを熱変形して両基板を貼り合わせることを特徴とする請求項４乃至請求項６に記載のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。

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