JP2014533436A5

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Publication number: JP2014533436A5
Application number: JP2014539960A
Authority: JP
Filing date: 2012-09-28
Publication date: 2017-02-23
Anticipated expiration: 2032-09-28

Description

図１の誘導電力供給システムは、例として示されていることが理解されるべきである。その他の実施形態では、システム１００は、様々なやり方でプラズマ１２５を発生させるように定めることができる。例えば、一実施形態では、システム１００は、容量結合チャンバとして定められ、該チャンバ内では、電力（直流（ＤＣ）、ＲＦ、又はそれらの組み合わせのいずれか）が、１つ以上の電源に電気的に接続された１対の電極の間から基板処理領域１０２を経て伝送されて、プロセスガス源１１９から供給されたプロセスガスをプラズマ１２５に変換するように、基板処理領域１０２が、上記１対の相隔たれた電極に曝される。更に別の一実施形態では、システム１００は、マイクロ波駆動式チャンバとして定められ、該チャンバ内では、マイクロ波電源が、プロセスガス源１１９から供給されたプロセスガスをプラズマ１２５に変換するために使用される。プラズマ１２５を発生させるためにシステム１００内に実装される特定の電力供給実施形態にかかわらず、システム１００の動作中、プロセスガス源１１９によって供給されたプロセスガスは、静電チャック１０３上に配された基板１０９にプラズマ１２５の反応性成分が曝されるようにプラズマ１２５に変換されることが、理解されるべきである。

誘導結合プラズマリアクタの場合は、プラズマ電位Ｖ_ｐは、ゼロに近い、すなわち、ＲＦ電源２１７からベース板１０９を通じて伝送されるピーク間電圧Ｖ_ｐｐと比較して通常小さい正の値である。プラズマ電位Ｖ_ｐは、正であるので、式５は、ベース板１０９を基板電圧Ｖ_ｗよりも常に低い電圧に設定する。平均基板電圧＜Ｖ_ｗ＞は、式４によって与えられる。次いで、２つのクランプ電極２０１、２０３にかかるクランプ電圧Ｖ_１、Ｖ_２の平均が基板電圧Ｖ_ｗに設定されるべきであることを、式３から呼び起こすと、誘導結合プラズマリアクタでは、平均クランプ電極電圧Ｖ_ＣＴ（センタタップ電圧Ｖ_ＣＴとも呼ばれる）を、式５に示されるように、ＲＦ電源２１７からベース板１０９を通じて伝送される平均ピーク間ＲＦ電圧＜Ｖ_ｐｐ＞の２分の１の電圧の符号をマイナスにした電圧に設定することができる。したがって、式５は、誘導結合プラズマリアクタのようにプラズマ電位が基本的にゼロであるプラズマ処理システムにおけるバイアス補償のための要件を表している。この場合は、平均ピーク間ＲＦ電圧＜Ｖ_ｐｐ＞は、適切な期間にわたるＶ_ｐｐの平均である。実際は、平均ピーク間ＲＦ電圧＜Ｖ_ｐｐ＞として、ローパスフィルタリングを経た値Ｖ_ｐｐを使用することができる。
式４〈Ｖ_ｗ〉≒−〈Ｖ_ｐｐ〉／２
式５Ｖ_ＣＴ＝−〈Ｖ_ｐｐ〉／２

静電チャック動作に関係するもう１つのリスクは、ベース板１０９と基板１０９との間、又はベース板１０９とチャンバ１０１内の近接部品との間における電気アークである。この現象は、「ベース板アーク」と呼ばれる。ベース板アークは、ＲＦ電源２１７によって通電される金属性ベース板２０９がプラズマ１２５に対して瞬間的に正に帯電されたときに発生する可能性があることが、理解されるべきである。ベース板アークは、静電チャック１０３の稼働寿命を制限するとともに基板１０９を汚染する可能性がある粒子を発生させる有害な放電を引き起こす。ベース板アークを阻止するために、ベース板２０９電位（Ｖ_ｂｐ）、すなわちベース板電圧Ｖ_ｂｐは、電源システム２１３内の高電圧電源を使用して、式６に示されるように設定される。式６において、関数ｍａｘ（Ｖ_ｐｐ）は、適切な時間尺度を通して最大のＶ_ｐｐを言う。したがって、式６にしたがうと、ベース板電圧Ｖ_ｂｐは、ＲＦ電源２１７からベース板２０９を通じて伝送される供給ＲＦ電力の最大ピーク間電圧の２分の１の電圧の符号をマイナスにした電圧に実質的に等しいように制御される。言い換えると、ベース板電圧Ｖ_ｂｐは、ベース板１０９に印加されたＲＦ電圧のプラスの最大値に実質的に等しいように制御される。なお、ベース板電圧Ｖ_ｂｐは、ベース板２０９にかかるピークＲＦ電圧がプラズマ電位に等しく又はプラズマ電位未満に維持されるように設定されることが、理解されるべきである。
式６Ｖ_ｂｐ＝−ｍａｘ（Ｖ_ｐｐ／２）

パルスＲＦ電力の実施形態では、補償電圧Ｖ_ｂｐとＶ_ＣＴは、大幅に異なるかもしれない。したがって、この実施形態では、電源システム２１３Ａに関して上述されたような共通の電気ノードへの接続によってベース板バイアス電圧Ｖ_ｂｐを平均クランプ電極電圧Ｖ_ＣＴに等しくすることは受け入れられない。したがって、ＲＦ電源２１７からベース板２０９にパルスＲＦ電力が供給されるときは、ベース板バイアス電圧Ｖ_ｂｐと平均クランプ電極電圧Ｖ_ＣＴ（すなわち、電源３０７のセンタタップ電圧）とを独立に制御する必要がある。
式７〈Ｖ_ｐｐ〉＝ａＶ
式８ｍａｘ〈Ｖ_ｐｐ〉＝Ｖ

一実施形態では、方法は、静電チャック１０３のベース板２０９にＲＦ電力を供給するための動作を含む。一実施形態では、ＲＦ電力は、パルス方式でベース板２０９に供給される。別の一実施形態では、ＲＦ電力は、実質的に連続した方式でベース板２０９に供給される。方法は、また、ベース板電圧Ｖ_ｂｐを、供給ＲＦ電力の最大ピーク間電圧Ｖ_ｐｐの２分の１の電圧の符号をマイナスにした電圧に実質的に等しいように制御するための動作も含むことができる。方法は、また、センタタップ電圧Ｖ_ＣＴを、供給ＲＦ電力の平均ピーク間電圧Ｖ_ｐｐの２分の１の電圧の符号をマイナスにした電圧に実質的に等しいように制御するための動作も含むことができる。該方法では、ベース板電圧Ｖ_ｂｐ及びセンタタップ電圧Ｖ_ＣＴは、互いに独立に生成されて制御される。

本発明は、幾つかの実施形態の見地から説明されてきたが、当業者ならば、以上の明細書を読むこと及び図面を検討することによって様々な代替、追加、置き換え、及び均等物を認識できることがわかる。本発明は、本発明の真の趣旨及び範囲に含まれるものとして、このようなあらゆる代替、追加、置き換え、及び均等物を含む。例えば以下の適用例として実施することができる。
［適用例１］
基板クランプシステムであって、
静電チャックと、
電源システムと、
を備え、
前記静電チャックは、ベース板と、前記ベース板上に配された基板支持部材とを含み、前記ベース板は、導電性材料で形成され、前記静電チャックは、前記基板支持部材内に配された第１組のクランプ電極と、前記基板支持部材内に配された第２組のクランプ電極とを含み、
前記電源システムは、クランプ電源と、センタタップ電源と、ベース板電源とを含み、前記クランプ電源は、正出力電圧と、負出力電圧とを生成するように定められ、前記正出力電圧及び前記負出力電圧は、センタタップ電圧から等距離であり、前記正出力電圧は、前記第１組のクランプ電極に電気的に接続され、前記負出力電圧は、前記第２組のクランプ電極に電気的に接続され、前記センタタップ電源は、前記クランプ電源の前記センタタップ電圧を制御するように定められ、前記ベース板電源は、前記センタタップ電圧とは独立にベース板出力電圧を生成するように定められ、前記ベース板出力電圧は、前記ベース板に電気的に接続される
基板クランプシステム。
［適用例２］
適用例１に記載の基板クランプシステムであって、
前記ベース板電源は、前記センタタップ電源とは別個に定められ、
前記ベース板電源は、前記センタタップ電源とは独立に動作するように定められる
基板クランプシステム。
［適用例３］
適用例１に記載の基板クランプシステムであって、
前記センタタップ電源は、前記センタタップ電源によって生成されて出力される前記センタタップ電圧が前記クランプ電源のセンタタップ位置に印加されるように前記クランプ電源の前記センタタップ位置に電気的に接続された出力を含む基板クランプシステム。
［適用例４］
適用例１に記載の基板クランプシステムであって、
前記センタタップ電源は、０ボルトから約−５０００ボルトまでの範囲の前記センタタップ電圧を生成するように定められる基板クランプシステム。
［適用例５］
適用例１に記載の基板クランプシステムであって、
前記センタタップ電源は、負のセンタタップ電圧を生成して出力するように定められたユニポーラ電源として定められる基板クランプシステム。
［適用例６］
適用例５に記載の基板クランプシステムであって、更に、
前記クランプ電源の前記センタタップ位置と、前記センタタップ電源の前記出力との間にバイアス電流を誘導するために、前記負出力電圧が生成される前記クランプ電源の端子と、大地基準電位との間に電気的に接続された、バイアス抵抗器を備える
基板クランプシステム。
［適用例７］
適用例６に記載の基板クランプシステムであって、
前記バイアス抵抗器は、約１０キロオームから約１０００メガオームまでの範囲の電気抵抗を有する基板クランプシステム。
［適用例８］
適用例６に記載の基板クランプシステムであって、
前記バイアス電流は、約１０マイクロアンペアから約５０マイクロアンペアまでの範囲である基板クランプシステム。
［適用例９］
適用例５に記載の基板クランプシステムであって、
前記負出力電圧が生成される前記クランプ電源の端子は、電圧とは実質的に独立した電流を提供する素子に電気的に接続される基板クランプシステム。
［適用例１０］
適用例１に記載の基板クランプシステムであって、
前記ベース板電源は、０ボルトから約−５０００ボルトまでの範囲の前記ベース板出力電圧を生成するように定められる基板クランプシステム。
［適用例１１］
適用例１に記載の基板クランプシステムであって、
前記ベース板電源は、負のベース板電圧を生成して出力するように定められたユニポーラ電源として定められる基板クランプシステム。
［適用例１２］
適用例１に記載の基板クランプシステムであって、
前記クランプ電源は、０ボルトから約１００００ボルトまでの範囲のクランプ電圧を生成するように定められ、
前記クランプ電圧は、前記正出力電圧と前記負出力電圧との間の電圧差である
基板クランプシステム。
［適用例１３］
適用例１に記載の基板クランプシステムであって、
前記クランプ電源は、前記クランプ電源によってクランプ電圧が生成されることを示すクランプ電圧入力制御信号を受信するように定められ、
前記クランプ電圧は、前記正出力電圧と前記負出力電圧との間の電圧差であり、
前記センタタップ電源は、前記センタタップ電源によって前記センタタップ電圧が生成されて出力されることを示すセンタタップ電圧入力制御信号を受信するように定められ、
前記ベース板電源は、前記ベース板電源によって前記ベース板出力電圧が生成されて出力されることを示すベース板電圧入力制御信号を受信するように定められる
基板クランプシステム。
［適用例１４］
適用例１３に記載の基板クランプシステムであって、
前記センタタップ電源は、センタタップ電流監視信号と、センタタップ電圧監視信号とを出力するように定められ、
前記ベース板電源は、ベース板電流監視信号と、ベース板電圧監視信号とを出力するように定められる
基板クランプシステム。
［適用例１５］
適用例１４に記載の基板クランプシステムであって、更に、
前記クランプ電圧入力制御信号、前記センタタップ電圧入力制御信号、及び前記ベース板電圧入力制御信号を含む入力信号を生成して伝送するように定められたコンピュータシステムであって、前記コンピュータシステムは、更に、前記センタタップ電流監視信号、前記センタタップ電圧監視信号、前記ベース板電流監視信号、及び前記ベース板電圧監視信号を含む監視信号を受信して処理するようにも定められ、前記コンピュータシステムは、前記監視信号に基づいて、前記入力信号を適切な設定値に維持するように定められる
コンピュータシステムを備える基板クランプシステム。
［適用例１６］
適用例１に記載の基板クランプシステムであって、更に、
前記ベース板への高周波電力の供給を可能にするために整合回路構成を通じて前記ベース板に電気的に通じている高周波電源を備える基板クランプシステム。
［適用例１７］
静電チャックのための電源システムであって、
正出力電圧と、負出力電圧とを生成するように定められたクランプ電源であって、前記正出力電圧及び前記負出力電圧は、センタタップ電圧から等距離であり、前記正出力電圧及び前記負出力電圧は、前記静電チャックの、交互配置された１対のクランプ電極のそれぞれに伝送される、クランプ電源と、
前記クランプ電源の前記センタタップ電圧を制御するように定められたセンタタップ電源と、
前記センタタップ電圧とは独立にベース板出力電圧を生成するように定められたベース板電源であって、前記ベース板出力電圧は、前記静電チャックのベース板に伝送される、ベース板電源と、
を備える電源システム。
［適用例１８］
適用例１７に記載の静電チャックのための電源システムであって、
前記ベース板電源は、前記センタタップ電源とは別個に定められ、
前記ベース板電源は、前記センタタップ電源とは独立に動作するように定められる
電源システム。
［適用例１９］
適用例１７に記載の静電チャックのための電源システムであって、
前記センタタップ電源は、前記センタタップ電源によって生成されて出力される前記センタタップ電圧が前記クランプ電源のセンタタップ位置に印加されるように前記クランプ電源の前記センタタップ位置に電気的に接続された出力を含む
電源システム。
［適用例２０］
適用例１７に記載の静電チャックのための電源システムであって、
前記センタタップ電源は、負のセンタタップ電圧を生成して出力するように定められたユニポーラ電源として定められ、
前記ベース板電源は、負のベース板電圧を生成して出力するように定められたユニポーラ電源として定められる
電源システム。
［適用例２１］
適用例２０に記載の静電チャックのための電源システムであって、更に、
前記クランプ電源の前記センタタップ位置と、前記センタタップ電源の前記出力との間にバイアス電流を誘導するために、前記負出力電圧が生成される前記クランプ電源の端子と、大地基準電位との間に電気的に接続された
バイアス抵抗器を備える電源システム。
［適用例２２］
基板クランプシステムを動作させるための方法であって、
静電チャック上に基板を置くことと、
センタタップ電圧を生成することと、
正クランプ電圧及び負クランプ電圧を、それぞれが前記センタタップ電圧から等距離であるように生成することと、
前記正クランプ電圧及び負クランプ電圧を、前記静電チャック内のそれぞれのクランプ電極に供給することと、
前記センタタップ電圧を生成することとは独立にベース板電圧を生成することと、
前記静電チャックのベース板に前記ベース板電圧を供給することと、
を備える方法。
［適用例２３］
適用例２２に記載の基板クランプシステムを動作させるための方法であって、
前記センタタップ電圧は、センタタップ電源によって生成され、
前記正クランプ電圧及び前記負クランプ電圧は、クランプ電源によって、前記クランプ電源の正出力端子及び負出力端子においてそれぞれ生成され、
前記方法は、更に、前記センタタップ電圧を前記センタタップ電源の出力から前記クランプ電源のセンタタップ位置に伝送する
ことを備える方法。
［適用例２４］
適用例２３に記載の基板クランプシステムを動作させるための方法であって、更に、
前記センタタップ電源の前記出力にバイアス電流を流れさせて、前記センタタップ電源が電流ソースになる必要性を防ぐために、前記クランプ電源の前記負出力端子に電流を誘導することを備える方法。
［適用例２５］
適用例２２に記載の基板クランプシステムを動作させるための方法であって、更に、
前記静電チャックの前記ベース板に高周波電力を供給することを備える方法。
［適用例２６］
適用例２５に記載の基板クランプシステムを動作させるための方法であって、更に、
前記ベース板電圧を、前記供給ＲＦ電力の最大ピーク間電圧の２分の１のマイナスに実質的に等しいように制御することと、
前記センタタップ電圧を、前記供給ＲＦ電力の平均ピーク間電圧の２分の１のマイナスに実質的に等しいように制御することと、
を備え、前記ベース板電圧及び前記センタタップ電圧は、互いに独立に生成される方法。

Claims

基板クランプシステムであって、
静電チャックと、
電源システムと、
を備え、
前記静電チャックは、ベース板と、前記ベース板上に配された基板支持部材とを含み、前記ベース板は、導電性材料で形成され、前記静電チャックは、前記基板支持部材内に配された第１組のクランプ電極と、前記基板支持部材内に配された第２組のクランプ電極とを含み、
前記電源システムは、クランプ電源と、センタタップ電源と、ベース板電源とを含み、前記クランプ電源は、正出力電圧と、負出力電圧とを生成するように定められ、前記正出力電圧及び前記負出力電圧は、センタタップ電圧から等距離であり、前記正出力電圧は、前記第１組のクランプ電極に電気的に接続され、前記負出力電圧は、前記第２組のクランプ電極に電気的に接続され、前記センタタップ電源は、前記クランプ電源の前記センタタップ電圧を制御するように定められ、前記ベース板電源は、前記センタタップ電圧とは独立にベース板出力電圧を生成するように定められ、前記ベース板出力電圧は、前記ベース板に電気的に接続され、
前記負出力電圧が生成される前記クランプ電源の端子と、大地基準電位との間に電気的に接続された、バイアス抵抗器を備える
基板クランプシステム。
請求項１に記載の基板クランプシステムであって、
前記ベース板電源は、前記センタタップ電源とは別個に定められ、
前記ベース板電源は、前記センタタップ電源とは独立に動作するように定められる
基板クランプシステム。
請求項１に記載の基板クランプシステムであって、
前記センタタップ電源は、前記センタタップ電源によって生成されて出力される前記センタタップ電圧が前記クランプ電源のセンタタップ位置に印加されるように前記クランプ電源の前記センタタップ位置に電気的に接続された出力を含む基板クランプシステム。
請求項１に記載の基板クランプシステムであって、
前記センタタップ電源は、０ボルトから約−５０００ボルトまでの範囲の前記センタタップ電圧を生成するように定められる基板クランプシステム。
請求項１に記載の基板クランプシステムであって、
前記センタタップ電源は、負のセンタタップ電圧を生成して出力するように定められたユニポーラ電源として定められる基板クランプシステム。
請求項５に記載の基板クランプシステムであって、
前記バイアス抵抗器は、前記クランプ電源の前記センタタップ位置と、前記センタタップ電源の前記出力との間にバイアス電流を誘導する
基板クランプシステム。
請求項６に記載の基板クランプシステムであって、
前記バイアス抵抗器は、約１０キロオームから約１０００メガオームまでの範囲の電気抵抗を有する基板クランプシステム。
請求項６に記載の基板クランプシステムであって、
前記バイアス電流は、約１０マイクロアンペアから約５０マイクロアンペアまでの範囲である基板クランプシステム。
請求項５に記載の基板クランプシステムであって、
前記負出力電圧が生成される前記クランプ電源の端子は、電圧とは実質的に独立した電流を提供する素子に電気的に接続される基板クランプシステム。
請求項１に記載の基板クランプシステムであって、
前記ベース板電源は、０ボルトから約−５０００ボルトまでの範囲の前記ベース板出力電圧を生成するように定められる基板クランプシステム。
請求項１に記載の基板クランプシステムであって、
前記ベース板電源は、負のベース板電圧を生成して出力するように定められたユニポーラ電源として定められる基板クランプシステム。
請求項１に記載の基板クランプシステムであって、
前記クランプ電源は、０ボルトから約１００００ボルトまでの範囲のクランプ電圧を生成するように定められ、
前記クランプ電圧は、前記正出力電圧と前記負出力電圧との間の電圧差である
基板クランプシステム。
請求項１に記載の基板クランプシステムであって、
前記クランプ電源は、前記クランプ電源によってクランプ電圧が生成されることを示すクランプ電圧入力制御信号を受信するように定められ、
前記クランプ電圧は、前記正出力電圧と前記負出力電圧との間の電圧差であり、
前記センタタップ電源は、前記センタタップ電源によって前記センタタップ電圧が生成されて出力されることを示すセンタタップ電圧入力制御信号を受信するように定められ、
前記ベース板電源は、前記ベース板電源によって前記ベース板出力電圧が生成されて出力されることを示すベース板電圧入力制御信号を受信するように定められる
基板クランプシステム。
請求項１３に記載の基板クランプシステムであって、
前記センタタップ電源は、センタタップ電流監視信号と、センタタップ電圧監視信号とを出力するように定められ、
前記ベース板電源は、ベース板電流監視信号と、ベース板電圧監視信号とを出力するように定められる
基板クランプシステム。
請求項１４に記載の基板クランプシステムであって、更に、
前記クランプ電圧入力制御信号、前記センタタップ電圧入力制御信号、及び前記ベース板電圧入力制御信号を含む入力信号を生成して伝送するように定められたコンピュータシステムであって、前記コンピュータシステムは、更に、前記センタタップ電流監視信号、前記センタタップ電圧監視信号、前記ベース板電流監視信号、及び前記ベース板電圧監視信号を含む監視信号を受信して処理するようにも定められ、前記コンピュータシステムは、前記監視信号に基づいて、前記入力信号を適切な設定値に維持するように定められる
コンピュータシステムを備える基板クランプシステム。
請求項１に記載の基板クランプシステムであって、更に、
前記ベース板への高周波電力の供給を可能にするために整合回路構成を通じて前記ベース板に電気的に通じている高周波電源を備える基板クランプシステム。
静電チャックのための電源システムであって、
正出力電圧と、負出力電圧とを生成するように定められたクランプ電源であって、前記正出力電圧及び前記負出力電圧は、センタタップ電圧から等距離であり、前記正出力電圧及び前記負出力電圧は、前記静電チャックの、交互配置された１対のクランプ電極のそれぞれに伝送される、クランプ電源と、
前記クランプ電源の前記センタタップ電圧を制御するように定められたセンタタップ電源と、
前記センタタップ電圧とは独立にベース板出力電圧を生成するように定められたベース板電源であって、前記ベース板出力電圧は、前記静電チャックのベース板に伝送される、ベース板電源と、
を備える電源システム。
請求項１７に記載の静電チャックのための電源システムであって、
前記ベース板電源は、前記センタタップ電源とは別個に定められ、
前記ベース板電源は、前記センタタップ電源とは独立に動作するように定められる
電源システム。
請求項１７に記載の静電チャックのための電源システムであって、
前記センタタップ電源は、前記センタタップ電源によって生成されて出力される前記センタタップ電圧が前記クランプ電源のセンタタップ位置に印加されるように前記クランプ電源の前記センタタップ位置に電気的に接続された出力を含む
電源システム。
請求項１７に記載の静電チャックのための電源システムであって、
前記センタタップ電源は、負のセンタタップ電圧を生成して出力するように定められたユニポーラ電源として定められ、
前記ベース板電源は、負のベース板電圧を生成して出力するように定められたユニポーラ電源として定められる
電源システム。
請求項２０に記載の静電チャックのための電源システムであって、更に、
前記クランプ電源の前記センタタップ位置と、前記センタタップ電源の前記出力との間にバイアス電流を誘導するために、前記負出力電圧が生成される前記クランプ電源の端子と、大地基準電位との間に電気的に接続された
バイアス抵抗器を備える電源システム。
基板クランプシステムを動作させるための方法であって、
静電チャック上に基板を置くことと、
センタタップ電圧を生成することと、
正クランプ電圧及び負クランプ電圧を、それぞれが前記センタタップ電圧から等距離であるように生成することと、
前記正クランプ電圧及び負クランプ電圧を、前記静電チャック内のそれぞれのクランプ電極に供給することと、
前記センタタップ電圧を生成することとは独立にベース板電圧を生成することと、
前記静電チャックのベース板に前記ベース板電圧を供給することと、
を備える方法。
請求項２２に記載の基板クランプシステムを動作させるための方法であって、
前記センタタップ電圧は、センタタップ電源によって生成され、
前記正クランプ電圧及び前記負クランプ電圧は、クランプ電源によって、前記クランプ電源の正出力端子及び負出力端子においてそれぞれ生成され、
前記方法は、更に、前記センタタップ電圧を前記センタタップ電源の出力から前記クランプ電源のセンタタップ位置に伝送する
ことを備える方法。
請求項２３に記載の基板クランプシステムを動作させるための方法であって、更に、
前記センタタップ電源の前記出力にバイアス電流を流れさせて、前記センタタップ電源が電流ソースになる必要性を防ぐために、前記クランプ電源の前記負出力端子に電流を誘導することを備える方法。
請求項２２に記載の基板クランプシステムを動作させるための方法であって、更に、
前記静電チャックの前記ベース板に高周波電力を供給することを備える方法。
請求項２５に記載の基板クランプシステムを動作させるための方法であって、更に、
前記ベース板電圧を、前記供給ＲＦ電力の最大ピーク間電圧の２分の１の電圧の符号をマイナスにした電圧に実質的に等しいように制御することと、
前記センタタップ電圧を、前記供給ＲＦ電力の平均ピーク間電圧の２分の１の電圧の符号をマイナスにした電圧に実質的に等しいように制御することと、
を備え、前記ベース板電圧及び前記センタタップ電圧は、互いに独立に生成される方法。