JP2014528174A - 多色化層および基板の製造方法ならびに多色化層を備えた発光ダイオード - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 93
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 92
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 71
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 18
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 8
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 claims description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical class [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 105
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 34
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 11
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000013386 optimize process Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
Abstract
Description
・シリコーン、
・ポリマー、
・ポリイミド、
・ガラス、
・全般的にいえば、ルミネセンス材料を溶解可能であり、ルミネセンスにより放出される電磁放射に対し透過性であるすべての材料。
・白色の燐光体、
・燐光を発生する純粋な成分つまり原子または分子、
・燐光を発生する液体たとえばエナメル、
・格子構造の妨害により燐光を発生可能なあらゆる種類の結晶、たとえば重金属塩と混合されたアルカリ土類金属および亜鉛の硫化物、
・ルミネセンスにより発せられた放射に対し透過性でありマトリックス中で溶解可能なあらゆる種類のルミネセンス材料。
1 ウェハ
2 基板
2a 第1主表面
2b 第2主表面
3 支持体
4 層
4′ 層要素
4o′ 断面
5 プリンティングスタンプ
6 構造
7 凸部
7′ 凹部
7o プリンティングマスタ
7o′ 正方形の断面
7o″ 円形の断面
8 膜
8′ 膜要素
9 正方形の個別要素
10 部分領域層
11 切り欠き
12 接続部材
B 幅
Claims (16)
- 少なくとも1つのルミネセンス材料を含む多色化層(4)を半導体基板(2)に被着する方法であって、
前記半導体基板(2)は、光の放出に適した部分層を含む、たとえば単色光または複数の放出特性曲線を有する多重スペクトルの放出に適した部分層を含む方法において、
前記多色化層(4)を印刷プロセスにより被着することを特徴とする、
多色化層(4)を半導体基板に被着する方法。 - 前記印刷法はマイクロコンタクトプリンティング法を含み、特にマイクロコンタクトプリンティング法である、請求項1に記載の方法。
- 前記多色化層をプリンティングスタンプ(5)により被着し、該プリンティングスタンプ(5)はたとえばプリンティングマスタ(7o)を有する、請求項1または2に記載の方法。
- 構造(6)を付与して前記多色化層(4)を被着する、請求項1から3の少なくとも1項に記載の方法。
- 構造が付与されて被着された前記多色化層(4)は、個別の層要素(4′,4o′)を有し、該個別の層要素(4′,4o′)は、矩形、正方形、円形、三角形、中実の多角形、または同等の層要素(4′,4o′)を含む、請求項4に記載の方法。
- 前記層要素(4′,4o′)の構造幅(B)は1mmよりも狭く、たとえば100μmよりも狭く、たとえば10μmよりも狭く、たとえば1μmよりも狭い、請求項4または5に記載の方法。
- 前記多色化層(4)を前記基板(2)の面全体に被着する、請求項1から3の少なくとも1項に記載の方法。
- 前記多色化層(4)の層厚(H)は100μmよりも狭く、たとえば10μmよりも狭く、たとえば1μmよりも狭い、請求項1から7の少なくとも1項に記載の方法。
- 前記基板(2)としてウェハ(1)に印刷する、請求項1から8の少なくとも1項に記載の方法。
- 印刷プロセスにただ1つの印刷ステップしか含まれないよう、前記基板(2)の直径に少なくとも十分に相応する長さ(L)のプリンティングスタンプ(5)を、1回の印刷ステップにおいて使用する、請求項1から9の少なくとも1項に記載の方法。
- 前記多色化層(4)が複数の印刷ステップにより被着されるよう、前記基板(2)の直径よりも短い長さ(L)のプリンティングスタンプ(5)を、1回の印刷ステップにおいて使用する、請求項1から9の少なくとも1項に記載の方法。
- 少なくとも1つのルミネセンス材料を以下のグループから選択する、すなわち、
白色の燐光体、
燐光を発生する純粋な成分つまり原子または分子、
燐光を発生する液体たとえばエナメル、
格子構造の妨害により燐光を発生可能なあらゆる種類の結晶、たとえば重金属塩と混合されたアルカリ土類金属および亜鉛の硫化物、
ルミネセンスにより発せられた放射に対し透過性でありマトリックス中で溶解可能なすべての種類のルミネセンス材料、
から選択する、
請求項1から11の少なくとも1項に記載の方法。 - 印刷プロセスにより、前記多色化層(4)を形成する液体および/または印刷可能な質量体を被着する、請求項1から12の少なくとも1項に記載の方法。
- 前記液体および/または印刷可能な質量体として、溶液、分散液、エナメルのグループから成る液体または印刷可能な質量体を印刷する、請求項13に記載の方法。
- 単色光を発生させる半導体層を含み、多色化層(4)が設けられている半導体基板(2)において、
前記多色化層(4)は、たとえば請求項1から14の少なくとも1項に記載の方法によって、構造が付与されて被着されていることを特徴とする、
半導体基板。 - 請求項15に記載の半導体基板(2)を備えたオプトエレクトロニクス半導体チップ。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2011/066439 WO2013041136A1 (de) | 2011-09-21 | 2011-09-21 | Verfahren zur herstellung einer polychromatisierenden schicht und substrat sowie leuchtdiode mit polychromatisierender schicht |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014528174A true JP2014528174A (ja) | 2014-10-23 |
JP5921694B2 JP5921694B2 (ja) | 2016-05-24 |
Family
ID=44675586
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014531112A Active JP5921694B2 (ja) | 2011-09-21 | 2011-09-21 | 多色化層および基板の製造方法ならびに多色化層を備えた発光ダイオード |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9202993B2 (ja) |
JP (1) | JP5921694B2 (ja) |
KR (1) | KR101678286B1 (ja) |
CN (1) | CN104185907B (ja) |
AT (1) | AT514279B1 (ja) |
DE (1) | DE112011105527B4 (ja) |
TW (1) | TWI594465B (ja) |
WO (1) | WO2013041136A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105280774A (zh) * | 2015-09-18 | 2016-01-27 | 华灿光电(苏州)有限公司 | 一种白光发光二极管及其制作方法 |
US11557297B2 (en) | 2018-11-09 | 2023-01-17 | Embodied, Inc. | Systems and methods for adaptive human-machine interaction and automatic behavioral assessment |
WO2021164855A1 (de) | 2020-02-18 | 2021-08-26 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur übertragung von bauteilen |
CN112420766A (zh) * | 2020-11-13 | 2021-02-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
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Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR20050030956A (ko) * | 2002-07-26 | 2005-03-31 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 마이크로-접촉 프린팅 방법 |
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CN107507895B (zh) * | 2005-02-16 | 2020-12-01 | 麻省理工学院 | 含有半导体纳米晶体的发光器件 |
CN1988188A (zh) * | 2005-12-23 | 2007-06-27 | 香港应用科技研究院有限公司 | 具有荧光层结构的发光二极管晶粒及其制造方法 |
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TWI363785B (en) * | 2007-11-30 | 2012-05-11 | Ind Tech Res Inst | Ink composition and fabrication method of color conversion film |
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-
2011
- 2011-09-21 WO PCT/EP2011/066439 patent/WO2013041136A1/de active Application Filing
- 2011-09-21 JP JP2014531112A patent/JP5921694B2/ja active Active
- 2011-09-21 CN CN201180074991.2A patent/CN104185907B/zh active Active
- 2011-09-21 AT ATA9574/2011A patent/AT514279B1/de active
- 2011-09-21 KR KR1020147007339A patent/KR101678286B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-21 DE DE112011105527.7T patent/DE112011105527B4/de active Active
- 2011-09-21 US US14/346,029 patent/US9202993B2/en active Active
-
2012
- 2012-09-21 TW TW101134827A patent/TWI594465B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AT514279B1 (de) | 2020-02-15 |
US9202993B2 (en) | 2015-12-01 |
KR101678286B1 (ko) | 2016-11-21 |
TW201324876A (zh) | 2013-06-16 |
CN104185907B (zh) | 2017-11-24 |
WO2013041136A1 (de) | 2013-03-28 |
US20140339589A1 (en) | 2014-11-20 |
KR20140063717A (ko) | 2014-05-27 |
DE112011105527B4 (de) | 2020-01-16 |
JP5921694B2 (ja) | 2016-05-24 |
AT514279A5 (de) | 2014-11-15 |
DE112011105527A5 (de) | 2014-04-24 |
CN104185907A (zh) | 2014-12-03 |
TWI594465B (zh) | 2017-08-01 |
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