CN104185907B - 制造多色化层用的方法和衬底以及带有多色化层的发光二极管 - Google Patents
制造多色化层用的方法和衬底以及带有多色化层的发光二极管 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及一种在半导体衬底上敷设至少一个含有发光媒介的适宜于产生单色光的多色化层用的方法。按照本发明,该多色化层用一种印刷方法,尤其用微触点印刷法敷设。多色化层优选地结构化地敷设。
Description
技术领域
本发明涉及在半导体衬底上敷设多色化层用的方法、半导体衬底以及带有该半导体衬底的发光二极管。
背景技术
光电子元件(简称发光二极管或者还直接称为LED(英文“light-emitting diode”发光二极管))含有传统的外延生长的层序列(包括适宜于发射光的子层)以及带有光转换材料的转换层。
这时,在发光二极管运行中该外延生长的层序列的子层的半导体由于其带结构,在有限的光谱范围内发射光,,其中该光至少大体上为单色的或者具有非常狭窄的波长范围。
该光转换材料用来把该子层发射的光在其波长方面进行转换。这个光击中到该光转换材料上,其原来的光的波长转换为另一个波长。部分取决于到底基于哪一种波长变换机制,该光转换材料可以称为发光物质、磷光材料、荧光色材料或简单的发光物质。在下文中,不在个别机制之间进行区分,并且发光物质的上述称谓彼此通用,而本公开的范围不受专用概念应用限制。然而,发光物质原则上总是只能把频率较高的第一光只转换为频率较低的第二光。这种频率迁移作用已知称为斯托克斯迁移(Stokes-Shift)。
发光物质通过单色光激励一般发射的光谱范围比发光二极管芯片本身发出的要宽。它还可以不产生较宽的光谱范围,而产生多个窄带的频谱范围。这尤其可以在使用多个不同的光转换材料的情况下达到。
发光二极管最终辐射第一波长和第二波长的光的结合,更确切地说,第二波长的光。通过有目的地选择一种光发射子层的和发光媒介的半导体材料可以达到发光二极管的这样目标辐射频谱。例如,发射蓝光的发光二极管芯片与铯掺杂的钇铝石榴石(YAG)作为发光物质结合,它把蓝光部分地转换为黄光。共同给出白光。因为该发光物质把单色光转换为较宽的或者至少较宽的辐射频谱,故它还称为多色化的。
该发光物质传统上通过旋转涂覆(在半导体工业中更宜称为名字“Spin Belacken(自旋上漆)”或者“Spin Coating(自旋涂覆)”)或者喷射上漆法(Spruehbelackungsverfahren)敷设在半导体晶片的整个表面上。因此,建立在整个晶片上延伸的光转换层。这两个方法有一系列缺点。在旋转涂覆的情况下如此通过离心分离丢失大量发光物质,就像在其他传统的整个表面的涂覆方法的情况下一样。另外采用这些方法只能全面积地建立涂层。给出的光转换层的层厚度不均匀。相对局部厚度波动还出现沿着整个晶片表面发生的缺陷。这个层厚度的不均匀性导致LED颜色的彼此波动,这已知称为概念“进仓(Binning)”。例如,LED的白色色调不恒定相等。
发明内容
本发明的任务是,提出一种方法,通过该方法排除现有技术的上述缺点,用该方法尤其可以生产转换层厚度保持恒定,并因而颜色频谱保持恒定的LED。
该任务用权利要求1,15和16的特征解决。有利的扩展方案和改进方案在从属权利要求中给出。在描述中、在权利要求书中和/或在附图给出的特征中至少两个的所有结合也都落入本发明的范围。在给出的数值范围的情况下,还有处于所述极限内的数值应该公开地认作为极限值,并可以对任意的结合提出权利要求。
在按照本发明的用于在包括适宜于发射单色光的子层的衬底上,敷设含有至少一种发光物质的多色化层的方法中,该多色化层用印刷方法敷设。
这时,在本发明的范围内,单色光不应该看作是仅仅具有唯一的波长,而应该看作是只拥有较窄的光谱范围,正如在没有发光媒介的发光二极管的情况下传统一般的那样。
在本发明的意义上,多色化层是把某波长或该光频范围的光(如它们由适宜于发射单色光的子层所发射的)至少部分地转换为至少一个或多个第二波长的层,其中对于本发明,这通过哪一种机制完成,是无关紧要的。这种第二波长的光,与适宜于发射单色光的子层的单色光一起,产生多个不同的波长的光,因此,称为多色化的。这时,多色概念不必视为限于必然产生大量不同波长的这个意义。即使如果唯一波长的光通过多色化层转换为另一个唯一波长的光,则由两个波长的光构成的产生的组合,在本发明的范围内亦称为多色的。
在下文中包括适宜于发射单色光的子层的衬底,还只简称为衬底。
与传统的涂覆方法相反按照本发明的方法能够实现保持多色化层的层厚度,该层厚度不仅在多色化层内部,而且就(如晶片系列的)一批多色化层而言,彼此具有非常小的允差。因此,允许生产一种其发射频谱总是相同的或者至少大体上相同的发光二极管。首先这意味着,在强度波长频谱中强度最大值相对于波长的偏移,或强度的变化,对于按照本发明的不同的LED芯片小得微不足道。不同的试验的强度最大值位置的标准偏差优选小于10nm,优选小于7nm,更优选小于5nm,更优选小于2nm,最优选小于1nm。不同的试验强度最大值的标准偏差优选小于5%,更优选小于1%,更优选1%,更优选小于0.1%,更优选小于0.01%,最优选小于10-5%。
因此,在采用按照本发明的方法制造的发光二极管上有利地不出现进仓。
单个多色化层内部不同位置上层厚度相对于平均层厚度的偏差有力地小于10%,尤其小于5%,优选小于1%,更优选小0.1%,更优选小于0.01%,最优选小于0.001%。
因为在按照本发明的方法中有利地采用的凸模基本上只接纳这样数量的压印在衬底上的发光物质,与传统的涂覆方法相反,不发生,或者至少几乎不发生发光物质的损失。
该印刷凸模有利地可以具有印刷字模,其适宜于接纳要印刷的发光物质,并在印刷步骤中交付到衬底上。
根据按照本发明的方法的优选变体方案,该印刷方法包括微触点印刷方法。该印刷方法尤其是微触点印刷方法。
该微触点印刷方法使衬底特别准确的压印成为可能。因此,该多色化层的层厚度可以特别容易准确调整。因此,给出特别高的层厚度均匀性,并以此带有该压印衬底的发光二极管颜色频谱的均匀性。该微触点印刷方法众所周知来自其他领域,并因此,在这里只作简短的阐述。例如,带有例如要转印的面或结构的硅胶字模的印刷凸模设有要印刷的物质,并转印到在要印刷的平面上,在这种情况下是衬底主面上。这时,印刷凸模趋近衬底,直至凸模上的液体与衬底接触,并以此转移到衬底上。其中用来压印的发光物质的形式取决于各自的发光物质、印刷凸模的字模材料和其他印刷方法参数,诸如所要求的层厚度或者印刷温度,并由专业人员视愿望或者要求而定进行选择,而没有变得创新的。为了在包括适宜于发射单色光的子层的衬底上敷设多色化层,尚未曾应用微触点印刷方法。令人意外的是,这个并非专为了用于衬底表面,尤其并非专门为了把发光材料压印在衬底表面上而开发的印刷方法,却适用于衬底。因而,这是尤其令人吃惊的,因为微触点印刷法至今首先用于在把非常薄的,优选单层材料,尤其把均匀材料转移在目标表面上的情况下。至今这个目标表面往往是在平整度、表面粗糙度和缺陷方面质量非常高的和具有特殊性能的表面,例如带有镀金层的表面。按照本发明要印刷的衬底的特性相对于这些质量判据显著不同。这样这个表面往往有缺陷,诸如层结构外延生长引起的突出的尖端(“生长钉(growth spikes)”)。
尤其在粗糙的结构的情况下可以不用微触点印刷法,而用另一种适当的印刷方法。
按照本发明的方法的特别优选的变体方案,该多色化层进行结构化敷设。这首先通过按照本发明采用印刷方法才成为可能。视所要求的多色化层的结构而定,提供一种印刷凸模,其带有与印刷凸模上的多色化层的结构相应的印刷字模结构。采用多色化层的结构可以产生有利地作用。这样可有目的地需要来自多色化层的光的退耦。还可以有目的地发生颜色频谱的调整。
构造化压印可能特别适宜采用微触点印刷法,因为采用该法还可以以较高的准确度印刷复杂的或者非常精细的结构。
按照本发明方法的实施形式,结构化敷设的多色化层具有单个元件,其包括矩形、正方形、圆形、三角形、填充多边形等单个元件。这是通过所使用的印刷凸模的印刷字模上的相应的构造化突起和凹陷成为可能的。
该单个元件优选地可以具有结构宽度,其小于100μm,尤其小于10μm,尤其小于1μm。在正方形的情况下该结构宽度是边长,在圆的情况下是直径,而在所有其他单个元件几何形状的情况下是其最大总延伸,例如,这在三角形的情况下是三角形可能最大的高度。通过这样小的结构元件,所达到的颜色频谱均匀性特别高,而且它允许特别有目的地调整颜色频谱。
优选地可以印刷带有层厚度(D)的多色化层,其小于100μm,尤其小于10μm,尤其小于1μm。采用按照本发明的方法,即使在这样小的层厚度的情况下也能达到层厚度的高的均匀性。
按照本发明的优选变体方案,印刷晶片作为衬底。这样可以没有问题地把按照本发明多色化层的敷设集成在晶片工艺中,其中例如出现在传统的用于发光二极管制造的其他方法步骤中。
按照本发明方法的实施形式,在印刷步骤中使用印刷凸模,其大小至少在很大程度上与衬底的大小一致,以便该印刷方法包括唯一的印刷步骤。在压印晶片作为利底时,印刷凸模的大小至少在很大程度上与衬底的大小对应。
按照本发明方法的变体方案,印刷凸模的大小这样地小于衬底的大小,使得该多色化层通过多个印刷步骤敷设。这个逐步地拷贝部分结构也已知为“逐步重复法(Step-and-Repeat-Verfahren)”概念。至今在半导体技术的其他领域使用,并且因此,在这里对按照本发明的方法只作简短的阐述。印刷凸模设有要印刷的液体或物质,并以此在衬底上的起点上在该衬底上印刷部分区域层。例如,按照行和列的类型除了这个第一部分区域层以外还压印多个部分区域层,其给出例如,覆盖整个衬底的层。如果印刷凸模具有带在衬底上给出结构化部分区域层的突起和凹陷的印刷字模,则允许该部分区域层有利地这样地彼此相邻印刷,使得产生整个结构,其与一个通过唯一的印刷步骤敷设的唯一的大印刷凸模的结构是相同的。
备选地,部分区域层可以彼此相邻地印刷,这不补充整个结构。在这种情况下可以在较晚的方法步骤中在单个子层之间这样地分割衬底,使得给出的发光二极管各自具有部分区域层。
可以用多种方法实现把印压材料敷设在印刷凸模突起上。印刷凸模的突起,例如,可以受控制地浸入印压材料液体。印压材料通过粘结力粘附在突起上。此后简单地把印刷凸模从印压材料液体拉出,并移向晶片。在另一个变体方案中通过滴漏分离在晶片上敷设准确分成小份数量的印压材料。滴漏位置必须与突起在凸模上的位置一致。
在另一个实施方式中,该印刷凸模可以放置在头部上,使得逆着重力的突起向上示出。此后该印刷凸模用喷射方法涂敷印压材料。在该突起的表面残留余下的印压材料滴漏。通过印压凸模和晶片之间的相对运动可以使两者就位。此后通过印压凸模和晶片之间彼此的移动进行“头上印压(Ueber-Kopf-Praegen)”方法。对于该领域上的专业人员明确的是,如何使凸模的突起沾上印压材料液体的方式方法,对于按照本发明的实施形式不是决定性的。
在印压过程中,优选地测量和/或自动地控制印刷凸模和晶片之间的距离,使得该层元件的层厚度可以受控制地调节。
该印压凸模还可以具有厚的形成突出的弹性层。这个厚的弹性层用来补偿晶片的不平坦。以此达到改善了的,较均质的印刷特性。尤其在极刚性凸模的情况下,在不平坦的晶片上压印多个层元件很难实现,或者完全无法实现。因此,还公开一种多层凸模,该多层凸模由不同的材料层组成,其垂直于印压方向通过串行连接彼此串联起来。
在另一个实施形式中,该凸模元件敷设在刚性但能伸展的膜上。该膜可形成为凸的,优选地通过在该膜后面施加可以在腔内建立的超压。这种类型的凸模用来给膜,并以此给该凸模加载等静态(气体)压力。
按照本发明的方法的备选方案,取代构造化层,该多色化层可以全面积地敷设在该衬底上。即使不构造化地敷设多色化层,与现有技术相比按照本发明的方法也有优点,采用按照本发明的方法全面积地印刷的多色化层,不仅在压印的衬底上该层内部,而且在(诸如晶片系列的)一批内部,具有均匀得多的层厚度。
即使在全面积地敷设在衬底上的情况下,使用起来经济得多的其他优点在于:与先有技术相比,材料效率得以极大的提高。在采用离心涂覆法时,一般在离心过程期间从衬底甩出大于50%的原来所用的材料。这时,这个材料可能由于被污染的风险而不再使用并成为废料。与此相反,该微触点印刷方法使材料损失减少到<15%,往往<10%,在优化后的方法的情况下甚至<5%成为可能。这时,该方法是否调整到使在每个单个的印刷步骤中总是实现把粘结在凸模上的发光材料完全转移到该衬底,是无关紧要的,因为没有完全转移的情况下剩余材料保持粘附在凸模上并未丢失,而是下一个印刷步骤时再次使用。
按照本发明的方法可以用来敷设所有半导体材料,例如,用于由Si,GaAs,GaN等形成的半导体衬底。与所选择的半导体材料相应地,在运行中从衬底发射特性的颜色频谱。多色化层至少一种发光物质的选择,取决于这个颜色频谱,以及取决于要制造的发光二极管最终应该发射哪种颜色频谱,或原来发射的光应该转换成哪种波长。专业人员能够定义由半导体材料和发光物质组成的适当的结合,以便达到要求的波长频谱,而这时无需活跃创造性的。该发光物质被基质材料包围。作为发光物质主要使用磷。此外,公开具有发荧光和/或发磷光特性的所有材料。作为基质材料使用下列材料,但不是穷举:
●硅酮
●聚合物
●聚酰亚胺
●玻璃
●一般地说,所有能够溶解发光材料和对由于发光而发射的电磁辐射透明的材料。
专业人员根据此可以选择至少一种发光物质,并由此制造或提供一种可以印刷作为多色化层的可印刷的液体或者物质。例如,这可以是溶液或分散液。例如,作为分散液利用传统的漆,正如它还对晶片的旋转涂覆利用的。为了即使在多色化层的层厚度小的情况下仍达到高的均匀性,优选使用用于衬底压印的分散的发光物质颗粒尺寸,优选小于50μm,更优选小于10μm,更优选小于100nm,最优选小于10nm,最最优选小于1nm。除了在该衬底上敷设发光层用的方法以外,发光物质本身还在进一步开发中。按照本发明的方法在使用的颗粒尺寸方面具有大允差。因此,在这里提出的颗粒尺寸作为示例考虑,并不作为按照本发明的方法的限制。
该至少一种发光物质,例如,可以从下列组选定,但不是穷举:
●白磷;
●发磷光的纯组分,因此元素或者分子;
●发磷光的液体,例如,漆;
●所有类型可以通过点阵结构的干扰产生磷光的晶体,首先是掺有重金属盐的碱土金属和锌的硫化物;
●所有类型的能够溶于基质并对由于发光而产生的辐射透明的发光材料。
通过衬底半导体产生哪一种波长和该光转换为哪一种波长,取决于衬底材料和多色化层。专业人员熟悉衬底材料和多色化层材料,并且可以视对希望的LED的期望或者要求而定,使用并结合它们。按照本发明的方法不限于确定的衬底材料或者多色化层。
按照本发明的变体方案,该形成多色化层的液体和/或可印刷的物质用该印刷方法敷设。在用溶液作为液体的情况下,必须将该溶液的溶剂烘干,以便形成多色化层。在熔解的物质的情况下,必须令其凝固成多色化层。选择哪一个途径决定性地取决于发光物质的类型。
作为液体和/或可印刷的物质,有利地印刷来自溶液、分散液和漆的组的液体或者可印刷的物质。
压印之后印刷物质通过本领域的专业人员已知的方法处理。这个处理可以包含热的和/或光的和/或电的和/或化学的硬化方法,为此要保证物质的硬化,因此,保持形状稳定。为此优选使用处于该物质下的LED,以便通过热的和/或光学过程实现硬化,其方式为在印刷方法之后激活该LED。
附图说明
此外,下文中将参照附图与本发明优选的实施例的描述一起,更详细地显示本发明改善的措施。
附图中:
图1a:要印刷的晶片的顶视图;
图1b:晶片载体上图1a的晶片的剖面图;
图2a:用按照本发明的方法印刷的晶片的示意顶视图;
图2b:图2a的晶片的示意剖面图;
图3a:按照本发明的方法用的印刷凸模的示意剖面图;
图3b:在要印刷的晶片上面用分散液湿润的印刷凸模的示意剖面图;
图3c:与晶片接触的图3b的印刷凸模的示意剖面图;
图3d:印刷步骤之后的印刷凸模和晶片的示意剖面图;
图4a:印刷字模的方形突起的顶视图;
图4b:印刷字模圆形突起的顶视图;
图4c:带有凹处和触点的印刷的方形层元件的顶视图。
具体实施方式
用按照本发明的方法压印晶片1,该晶片1具有衬底2,该衬底用载体3支持(见图1a和1b)。衬底2有基于砷化镓的发射单色光的子层(未示出)。在下文中具有发射单色光的GaAs子层的衬底2为简单起见称为GaAs衬底2。该GaAs衬底2有避开载体3的第一主面2a和朝向载体2的第二主面2b。该GaAs衬底2在载体3上外延生长。
在GaAs衬底2上,如图3a至3d所示,多色化层4用印刷凸模5敷设。印刷凸模5有结构6,其引进带有具有突起7和凹槽7的印刷字模7o中。
凸模5这样地设有其中分散了由铯掺杂的钇铝石榴石(YAG)组成的颗粒的分散液,使得突起7用由这种分散液组成的薄膜8湿润。每个单个的突起7都被用薄膜元件8′湿润。通过使凸模5下降到衬底2上(图3b和图3c),使薄膜8接近衬底2,直至通过薄膜8与衬底2的接触,把薄膜8转移到衬底2上。把印刷凸模5移开之后,薄膜8作为层4留在衬底2上(图3d)。这时,层4具有多个单个的层元件4′,其相对于其几何形状和优选的厚度至少在很大程度上与各个薄膜元件8′的几何形状和厚度对应。
在按照本发明的方法的实施形式中,还可以设想薄膜元件8′在其厚度方面只是部分地转移到衬底2上。就是说,印刷凸模5移开之后,只有一部分薄膜8作为层4留在衬底2上。这时,没有转移到衬底2上的层8部分留在印刷凸模5上,并可以在压印下一个衬底2时使用。这时,按照本发明优选规定,在其厚度方面再次补满薄膜8,以便在下一个印刷过程中存在与上一次印刷过程相同的输出情况。因此可以达到方法的良好的可重复性。在转移到衬底2上的层4和留在凸模上剩下的层8之间的厚度比,取决于诸如凸模材料、凸膜材料与发光材料的相互作用、发光材料与衬底2的衬底表面的相互作用、发光材料的黏度等参数。往往层8的层厚度的>50%转移到衬底2上。该值优选地为>70%,在采用优化的方法的情况下>80%,甚至更优选>90%。
在当前的示例中,印刷凸模5是微触点印刷凸模,其硅胶印刷字模7o设置有精细的结构6,其包括其宽度B为50μm的正方形的单个元件9。相应地单个的薄膜元件8′,因而层元件4′同样具有50μm的宽度B。
该结构6和因此此外突起7和层元件4′在图中不按比例显示。相应地多色化层4是层元件4′数目比示意地显示多若干倍。在图3a至3d中表示,图2a和2b中的层4在唯一的印刷步骤中印刷在作为衬底2的晶片1上。在这种情况下印刷凸模5的长度L基本上刚好大于晶片1的直径D。
在实施例的变体方案中,在印刷步骤中只把由数目较小的层元件4′组成的一个部分区域层10敷设在该衬底2上,如图2a上的阴影线所示。在这种情况下,印刷凸模的长度L明显地小于晶片1的直径D。通过逐步重复过程(Step-and-Repeat-Prozess),印刷凸模5(其具有与部分区域层10相应的结构的印刷字模(未示出))各自用分散液湿润,并逐步地定位在晶片1上面,并然后降于其上。通过逐步重复过程的高准确度可以产生带有与通过单一印刷步骤在相应较大的凸模5的情况下产生的一样的结构6的层4,。在该实施例中层厚度为5μm。
印刷之前进行楔形误差补偿。在逐步重复过程的变体方案情况下,该楔形误差补偿优选可以一次一个晶片或者甚至仅仅一次一个晶片系列。
在实施例的变体方案中,不结构化印刷字模7o,而是全面积地形成(未示出),以便在印刷凸模5上薄膜8,并因而还有在衬底2上印刷的多色化层4是全面积的。
除突起7的正方形截面积7o′(见图4a),并因而正方形层元件4′外,在另一个实施例的变体方案中设置带有圆形截面积7o″的突起7(见图4b)。
通过本发明的优点,尤其用微触点印刷法,即使复杂的结构也能印刷,按照本发明另一个变体方案,可能这样地改变突起7的正方形截面,使得如图4c所示,印刷带有具有凹处11的截面4o′的层元件4′。在本发明的这个变体方案中,每个发光二极管印刷唯一的层元件4′,并利用凹处11作为LED与连接元件12的触点区域,例如接合线,气相沉积的导体路径或每个其他连接元件12。
采用按照本发明的方法用多色化层印刷的衬底2采用传统的方法完成发光二极管,并使之运行。它们在多色化层4的层厚度上具有非常高的均匀性,并因而在发光二极管的运行时具有质量保持一致的给出颜色频谱。衬底2的蓝光通过多色化层4部分地转换为黄光,它们共同地作为白光从该发光二极管发射出来。不出现进仓,而是发光二极管的白色色调具有较均匀的并且在晶片系列内部保持恒定的质量。
附图标记列表
1 晶片
2 衬底
2a 第一主面
2b 第二主面
3 载体
4 层
4′ 层元件
4o′ 截面
5 印刷凸模
6 结构
7 突起
7′ 凹槽
7o 印刷字模
7o′ 正方形截面
7o″ 圆形截面
8 薄膜
8′ 薄膜元件
9 正方形单个元件
10 部分区域层
11 凹处
12 连接元件
B 宽度
Claims (24)
1.一种在半导体衬底上敷设层的方法,所述半导体衬底含有子层,所述子层发射光,所述方法包括下列步骤:
敷设层到衬底的表面,所述层是多色化的,以及包含至少一种发光物质;
定向所述衬底和所述半导体衬底,使得所述衬底的表面与所述半导体衬底的表面对齐并且面向所述半导体衬底的表面;
移动所述衬底的表面和所述半导体衬底的表面使彼此接触,其中通过微触点印刷方法将所述层印刷到所述半导体衬底的表面上,并且其中在印刷之前进行楔形误差补偿。
2.按照权利要求1所述的方法,其中,所述衬底是具有印刷字模的印刷凸模。
3.按照权利要求1所述的方法,其中,所述多色化层敷设到所述半导体衬底作为图案化的结构。
4.按照权利要求3所述的方法,其中,图案化的结构具有单个的层元件,所述单个的层元件为矩形、圆形、三角形或填充多边形。
5.按照权利要求4所述的方法,其中,所述单个的层元件为正方形。
6.按照权利要求4所述的方法,其中,所述层元件具有小于1mm的结构宽度。
7.按照权利要求6所述的方法,其中,所述层元件具备小于100μm的结构宽度。
8.按照权利要求7所述的方法,其中,所述层元件具备小于10μm的结构宽度。
9.按照权利要求8所述的方法,其中,所述层元件具备小于1μm的结构宽度。
10.按照权利要求1所述的方法,其中,所述多色化层覆盖地敷设在该半导体衬底上。
11.按照权利要求1所述的方法,其中,所述多色化层具有层厚度,所述层厚度小于100μm。
12.按照权利要求1所述的方法,其中,所述半导体衬底是晶片。
13.按照权利要求1所述的方法,其中,所述半导体衬底是圆形的,在一个印刷步骤中使用印刷凸模作为所述衬底,所述印刷凸模的长度与所述圆形半导体衬底的直径一致,以便在单个印刷步骤中敷设所述多色化层。
14.按照权利要求1所述的方法,其中,所述半导体衬底是圆形的,在一个印刷步骤中使用印刷凸模作为所述衬底,所述印刷凸模的长度小于所述圆形半导体衬底的直径,以便所述多色化层通过多个印刷步骤敷设。
15.按照权利要求1所述的方法,其中,至少一种发光物质选自包括下列的组:
-白磷;
-发磷光的纯组分;
-发磷光的液体;
-能由于点阵结构的干扰而产生磷光的晶体;
-能溶解于对由于发光产生的辐射透明的基质中的发光材料。
16.按照权利要求15所述的方法,其中,发磷光的纯组分是元素或分子。
17.按照权利要求15所述的方法,其中,所述晶体是掺有重金属盐的碱土金属和锌的硫化物。
18.按照权利要求1所述的方法,其中,所述多色化层是液体。
19.按照权利要求18所述的方法,其中,所述液体包括溶液、分散液或漆。
20.按照权利要求1所述的方法,其中,所述多色化层是可印刷的物质。
21.按照权利要求20所述的方法,其中,所述可印刷的物质包括溶液、分散液或漆。
22.半导体衬底,包括用来产生单色光的半导体层,所述半导体衬底包括多色化层,其中该多色化层是使用按照权利要求1所述的方法敷设作为图案化的结构。
23.带有按照权利要求22所述的半导体衬底的光电子元件。
24.一种用于在半导体衬底上敷设层的方法,所述方法包括下列步骤:
提供所述半导体衬底,所述半导体衬底包含发射光的子层;
敷设层到衬底的表面,所述层是多色化的,以及包含至少一种发光物质;
定向所述衬底和所述半导体衬底,使得所述衬底的表面与所述半导体衬底的表面对齐并且面向所述半导体衬底的表面;以及
移动所述衬底的表面和所述半导体衬底的表面使彼此接触,其中通过微触点印刷方法将在所述衬底的表面上的所述层的一部分印刷到所述半导体衬底的表面上,其中在印刷之前进行楔形误差补偿,并且其中所述子层发射的光至少部分地通过所述半导体衬底的表面上敷设的层转换以产生具有至少两个波长的光。
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CN112420766A (zh) * | 2020-11-13 | 2021-02-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1988188A (zh) * | 2005-12-23 | 2007-06-27 | 香港应用科技研究院有限公司 | 具有荧光层结构的发光二极管晶粒及其制造方法 |
CN101099964A (zh) * | 2006-07-07 | 2008-01-09 | 明达光电(厦门)有限公司 | Led芯片表面荧光粉层涂布方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030152703A1 (en) | 2001-10-31 | 2003-08-14 | Hammond Paula T. | Production of chemically patterned surfaces using polymer-on-polymer stamping |
JP2005534190A (ja) * | 2002-07-26 | 2005-11-10 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | マイクロコンタクトプリント法 |
AU2003260885A1 (en) | 2002-10-01 | 2004-04-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electroluminescent display with improved light outcoupling |
US6869753B2 (en) * | 2002-10-11 | 2005-03-22 | Agilent Technologies, Inc. | Screen printing process for light emitting base layer |
US20060196375A1 (en) * | 2004-10-22 | 2006-09-07 | Seth Coe-Sullivan | Method and system for transferring a patterned material |
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WO2007120877A2 (en) | 2006-04-14 | 2007-10-25 | Qd Vision, Inc. | Transfer surface for manufacturing a light emitting device |
US20080083484A1 (en) | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Graciela Beatriz Blanchet | Method to form a pattern of functional material on a substrate |
US7875313B2 (en) * | 2007-04-05 | 2011-01-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method to form a pattern of functional material on a substrate using a mask material |
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US20090039375A1 (en) * | 2007-08-07 | 2009-02-12 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices with separated wavelength conversion materials and methods of forming the same |
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EP2356678A4 (en) * | 2008-11-14 | 2014-01-08 | Applied Nanotech Holdings Inc | INKS AND PASTES FOR THE PRODUCTION OF SOLAR CELLS |
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2012
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1988188A (zh) * | 2005-12-23 | 2007-06-27 | 香港应用科技研究院有限公司 | 具有荧光层结构的发光二极管晶粒及其制造方法 |
CN101099964A (zh) * | 2006-07-07 | 2008-01-09 | 明达光电(厦门)有限公司 | Led芯片表面荧光粉层涂布方法 |
Also Published As
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