JP2014527230A - Ｒｆｉｄスマートカードに関する結合の向上 - Google Patents

Abstract

スマートカードのようなデータキャリアは、アンテナモジュール（ＡＭ）とブースターアンテナ（ＢＡ）を備える。ブースターアンテナ（ＢＡ）は、外側巻線（ＯＷ）、内側巻線（ＩＷ）を備え、それぞれ内側端（ＩＥ）、外側端（ＯＥ）を備えている。外側巻線（ＯＷ）の外側端（ＯＥ、ｂ）と、内側巻線（ＩＷ）の内側端（ＩＥ、ｅ）を接続するカプラーコイル（ＣＣ）が設けられる。外側巻線（ＯＷ）の内側端（ＩＥ、ａ）、内側巻線（ＩＷ）の外側端（ＯＥ、ｆ）は非接続の状態となっている。カプラーコイル（ＣＣ）は、外側巻線、内側巻線の向き（ＣＷあるいはＣＣＷ）と同じあるいは反対の時計回り（ＣＷ）向きあるいは反時計回り（ＣＣＷ）向きを有している。

Description

本発明は、ＲＦＩＤ（無線周波数識別）チップないしチップモジュール（ＣＭ）を備え、非接触モード（ISO14443）で動作する、電子パスポート、電子ＩＤカード、スマートカード（データキャリア）などのセキュアドキュメントに係り、また、当該セキュアドキュメントは、非接触モード（ISO14443）及び接触モード(ISO7816-2)で動作することができるデュアルインターフェースカード（ＤＩないしＤＩＦ）を含み、より詳しくは、スマートカードの構成要素間、例えば、ＲＦＩＤチップ（ＣＭ）が接続されたモジュールアンテナ（ＭＡ）と、前記モジュールアンテナ（ＭＡ）と誘電結合するスマートカードのカード本体（ＣＢ）上のブースターアンテナ（ＢＡ）と、の間の結合の向上、そして、結果としてのＲＦＩＤチップ（ＣＭ）と外部ＲＦＩDリーダとの相互作用の向上に関する。

ここでの議論の目的のため、ＲＦＩＤトランスポンダは、一般に、基体と、当該基体上ないし基体内に設けられたＲＦＩＤチップないしチップモジュールと、前記基体上ないし基体内に設けられたアンテナと、を備えている。トランスポンダは、電子パスポート、スマートカード、ナショナルＩＤカードのようなデータキャリアとも称されるセキュアドキュメントの基盤を形成する。

ＲＦＩＤチップ（ＣＭ）は非接触モード(ISO14443のような)のみで動作しても、あるいは、接触モード(ISO 7816-2のような)および非接触モードで動作可能なデュアルインターフェース（ＤＩ、ＤＩＦ）チップモジュール（ＣＭ）でもよい。ＲＦＩＤチップ（ＣＭ）は、当該ＲＦＩＤチップと通信する外部ＲＦＩＤリーダデバイスによって供給されたＲＦ信号からエネルギーを取り入れる。

基体、インレイ基体（例えば、電子パスポート用）と称され、あるいは、カード本体（例えば、スマートカード用）称される、は、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリカーボネート(PC)、ポリエチレン(PE)、PET(ドーピングされたポリエチレン)、PET-G(ポリエチレンの誘導体)、Teslin^TM、紙あるいはコットン／ノイル等の材料からなる１つあるいは複数の層を備えている。

チップモジュール（ＣＭ）は、リードフレームタイプのチップモジュールあるいはエポキシガラスタイプのチップモジュールであろう。エポキシガラスタイプモジュールは、一側（接触側）ないし両側が、アンテナとの相互接続を促進するスルーホールめっきを施すことでメタライズされる。

アンテナ、カードアンテナ（ＣＡ）とも称される、はソノトロード（超音波ツール）を用いてインレイ基体に装着され、チップモジュール（ＣＭ）と電気的に接続される。これについては、例えば、US6,698,089、US6,233,818を参照することができ、これらの内容は参照によって本明細書に組み入れられる。カードアンテナ（ＣＡ）の典型的なパターンは、基体の周囲に沿って（ないし基体の関連する部分）に設けられた、複数のターンを有するフラット（平面状）コイル（渦巻）の形状としての概ね矩形である。これについては、例えば、US7,980,477を参照することができる。

ＲＦＩＤチップ（ＣＭ）を直接電気的にカードアンテナ（ＣＡ）に接続されることに代えて、モジュールアンテナ（ＭＡ）をＲＦＩＤチップ（ＣＭ）とモジュールアンテナ（ＭＡ）を含むアンテナモジュール（ＡＭ）に組み込んでも良い。モジュールアンテナ（ＭＡ）（例えば、約15mm x 15mm）は、カードアンテナ（ＣＡ）（例えば、約50mm x 80mm）と比較してかなり小さい。

US5,084,699(トロバン、１９９２)は、「誘導的に動力を備えたトランスポンダのためのインピーダンスマッチングコイルアセンブリ」という表題である。図５に着目されたい。誘導的に動力を備えたトランスポンダに用いられるコイルアセンブリは、フェライトロッド（１６０）を形成するように同じコイルに巻き付けた１次コイル（１５６）と２次コイル（１５８）を備えている。１次コイルリード（１６２）は浮いたままであるのに対して、２次コイルリード（１６４）はトランスポンダの集積識別回路に接続されている。

US5,955,723(シーメンス、１９９９)は、非接触チップカードという表題であり、半導体チップを含むデータキャリア構成が開示されている。図１に着目されたい。第１のコンダクタループ（２）は半導体チップ（１）に接続されており、少なくとも１つの巻線、及び、ほぼ半導体チップの寸法の横断面積を有している。少なくとも１つの第２のコンダクタループ（３）は少なくとも１つの巻線、ほぼデータキャリア構成の寸法の横断面積、ほぼ第１コンダクタループ（２）の寸法の第３のループ（４）を形成する領域と、を有している。第３のループ（４）は、第１のコンダクタループ（２）及び少なくとも１つの第２コンダクタループ（３）と互いに誘電結合する。

US6,378,774(凸版、２００２)は、ICモジュール及びスマートカード という表題である。図１２Ａ、図１２Ｂ、図１７Ａ、図１７Ｂを参照されたい。スマートカードは、ＩＣモジュールと、非接触伝送のためのアンテナと、を備えている。ＩＣモジュールは、接触タイプ機能と非接触タイプ機能の両方を有している。ＩＣモジュール及びアンテナは、それぞれ、互いに密に結合するように配置された第１のカプラコイル、第２のカプラコイルを備えており、ＩＣモジュールとアンテナは、電磁結合によって非接触状態で結合されている。凸版のアンテナ（４）は、図１７Ａに示すように、基体（５）の両側に、一方が他方の上方に位置するように配置された、２つの同様の巻線（４ａ、４ｂ）を備えている。カプラコイル（３）はカードアンテナ（４）と結合されている。もう１つのカプラコイル（８）はチップモジュール（６）と結合されている。図１２Ａ、図１２Ｂに良く表されているように、２つのカプラコイル（３、８）はほぼ同じ寸法であり、一方が実質的に他方の上に位置するように配置されている。

US7,928,918(ゲマルト、２０１１)は、分布されたターン間容量を調整することによる共振周波数の調整、という表題であり、ターン間浮遊容量を生成する規則的な間隔を有するターンを備えた共振回路の周波数チューニングを調整する方法を開示する。

US2009/0152362(アサ・アブロイ、２００９、US 8,130,166として発行) は、トランスポンダのカップリングデバイス及び当該デバイスを備えたスマートカードを開示している。図６に着目されたい。カップリングデバイスは、中央部位（１２）と２つの末端部位（１１、１１´）を有する連続した導電路によって形成されており、中央部位（１２）はトランスポンダデバイスと誘電結合するための少なくとも小さな渦巻を形成しており、末端部位（１１、１１´）はそれぞれリーダデバイスと誘電結合するための大きな渦巻を形成している。アサ・アブロイ’１６６は、外側の末端部位（１１）の内側端と、内側の末端部位（１１´）の外側端がカプラーコイル（１２）によって接続されていることを示している。外側末端部位（１１）の外側端（１３）及び内側末端部位（１１´）の内側端（１３´）は非接続状態（固定されておらず自由）のままである。

US2010/0176205(エスピーエス、２０１０)は、デュアル通信インターフェースを備えたチップカード、という表題である。図４に着目されたい。カード本体（２２）は、電磁波を集中および／あるいは増幅するデバイス（１８）を備え、特に、非接触チップカードリーダから受け取った電磁流を、マイクロエレクトロニックモジュール（１１）のアンテナ（１３）のコイルに向かって流すことができる。電磁波を集中および／あるいは増幅するデバイス（１８）は、マイクロエレクトロニックモジュール（１１）を受け入れるキャビティ（２３）の下方でカード本体（２２）内に設けた金属シートからなるか、あるいは、マイクロエレクトロニックモジュール（１１）を受け入れるキャビティ（２３）の下方でカード本体（２２）内に設けた少なくとも１つのコイルからなるアンテナからなる。

本明細書で参照された全ての特許及び公開は、以下の文献を含み。参照によって本明細書に組み入れられる：CA2,279,176、DE4311493、US6,142,381、US6,310,778、US6,406,935、US6,719,206、US2009/0057414、US2010/0283690、US2011/0163167。

スマートカードのようなデータキャリアは、アンテナモジュール（ＡＭ）とブースターアンテナ（ＢＡ）を備える。ブースターアンテナ（ＢＡ）は、外側巻線（ＯＷ）、内側巻線（ＩＷ）を備え、それぞれ内側端（ＩＥ）、外側端（ＯＥ）を備えている。外側巻線（ＯＷ）の外側端（ＯＥ、ｂ）と、内側巻線（ＩＷ）の内側端（ＩＥ、ｅ）を接続するカプラコイル（ＣＣ）が設けられる。外側巻線（ＯＷ）の内側端（ＩＥ、ａ）、内側巻線（ＩＷ）の外側端（ＯＥ、ｆ）は非接続の状態（free floating）となっている。カプラコイル（ＣＣ）は、外側巻線、内側巻線の向き（ＣＷあるいはＣＣＷ）と同じあるいは反対である時計回り（ＣＷ）向きあるいは反時計回り（ＣＣＷ）向きを有している。

スマートカードの外側層と印刷された層との間に挟まれているであろう、ブースターアンテナ（ＢＡ）は、カード本体（ＣＢ）のアンテナモジュール（ＡＭ）のモジュールアンテナ（ＭＡ）と電磁気的に結合し、データキャリアと外部リーダとの間の読み出し／書き込み範囲を増大する。

本発明の幾つかの実施形態では、データキャリアは、少なくとも１つの面と、周辺と、を備えた基体（ＣＢ）と、前記基体（ＣＢ）の少なくとも１つの面に配置され、前記基体（ＣＢ）の周辺に沿って延びるブースターアンテナ（ＢＡ）であって、外側端（ｂ）と内側端（ａ）を有する外側巻線（ＯＷ）と、外側端（ｆ）と内側端（ｅ）を有する内側巻線（ＩＷ）と、を有するブースターアンテナ（ＢＡ）と、カード本体（ＣＢ）に配置されたカプラコイル（ＣＣ）であって、２つの端部（ｃ、ｄ）を備え、一方の端部が外側巻線（ＯＷ）に連結され、他方の端部が内側巻線（ＩＷ）に接続されているカプラコイル（ＣＣ）と、を備え、前記カプラコイル（ＣＣ）の一端（ｃ）は、前記外側巻線（ＯＷ）の外側端（ｂ）と接続されており、前記カプラコイル（ＣＣ）の他端（ｄ）は、前記内側巻線（ＩＷ）の内側端（ｅ）と接続されており、前記外側巻線（ＯＷ）の内側端（ａ）及び前記内側巻線（ＩＷ）の外側端（ｆ）は非接続状態（left unconnected）にある。

カプラコイル（ＣＣ）は、時計回り（ＣＷ）あるいは反時計回り（ＣＣＷ）のような２つの反対の向きから選択された１つの向きを示し、当該向きは、外側巻線（ＯＷ）及び内側巻線（ＩＷ）の少なくとも１つの向きと反対であってもよい。カプラコイル（ＣＣ）は、外側巻線（ＯＷ）及び内側巻線（ＩＷ）の少なくとも１つよりも多い数のターンを有していてもよい。カプラコイル（ＣＣ）は、外側巻線（ＯＷ）及び内側巻線（ＩＷ）の少なくとも１つよりは大きくないピッチを有していてもよい。幾つかの実施形態では、カプラコイル（ＣＣ）の一端（ｃ）は外側端（ＯＥ）であり、他の幾つかの実施形態では、カプラコイル（ＣＣ）の他端（ｄ）は外側端（ＯＥ）である。

モジュールアンテナ（ＭＡ）を有するアンテナモジュール（ＡＭ）は、モジュールアンテナ（ＭＡ）がカプラコイル（ＣＣ）と結合するように、カプラコイル（ＣＣ）の内部において、カード本体（ＣＢ）の凹部内に配置してもよく、あるいは、カプラコイル（ＣＣ）と実質的に同一面であってもよい。

本発明の幾つかの実施形態において、外部リーダとデータキャリアの間のＲＦカップリングを向上させる方法であって、前記データキャリアは、基体（ＣＢ）を提供すること；前記基体（ＣＢ）の周辺に沿って配置した外側巻線（ＯＷ）と内側巻線（ＩＷ）を備えた基体（ＣＢ）上のブースターアンテナ（ＢＡ）と、前記外側巻線（ＯＷ）と前記内側巻線（ＩＷ）の端部に接続されたカプラコイル（ＣＣ）と、を提供すること；ＲＦＩＤチップ（ＣＭ）と、モジュールアンテナ（ＭＡ）と、を有する前記カード本体（ＣＢ）上のアンテナモジュール（ＡＭ）を提供すること；を含み、前記ブースアーアンテナ（ＢＡ）を、前記外側巻線（ＯＷ）と前記内側巻線（ＩＷ）が互いに逆相で接続された準ダイポール（quasi-dipole）アンテナとして構成することを特徴とする。

開示の実施形態に対して詳細な参照が行われ、その中の非限定的な実施例が添付の図面に示される。図面は略図である。図解の明瞭さのため、図中の幾つかの要素は誇張され、幾つかの要素は省略されている。本発明は一般に数々の例証の実施形態の文脈で説明されるが、これらの特定の実施形態に本発明を限定する意図は無く、また、数々の実施形態の個々の特徴は互いに組み合わせてもよいことが理解される。図面に現れたいかなるテキスト（記号、注釈、参照番号等）は参照により本明細書に組み入れられる。

図１Ａは、デュアルインターフェース（ＤＩ）スマートカードの断面図である。 図１Ｂは、デュアルインターフェース（ＤＩ）スマートカードの斜視図である。 図２Ａは、それと誘導的に結合するために配置されたアンテナモジュール（ＡＭ）を伴う、準ダイポール（quasi-dipole）ブースターアンテナ(BA)の構成図（平面図）である。 図２Ｂは、図２Ａに示す準ダイポール（quasi-dipole）ブースターアンテナ(BA)の等価回路である。 図３は、それに組み込まれたカプラコイル（ＣＣ）を示す、準ダイポール（quasi-dipole）ブースターアンテナ(BA)の構成図（平面図）である。 図３Ａは、図３に示すカプラコイル（ＣＣ）の構成図（平面図）である。 図３Ｂは、図３に示すカプラコイル（ＣＣ）の構成図（平面図）である。 図３Ｃは、図３に示すカプラコイル（ＣＣ）の構成図（平面図）である。 図３Ｄは、図３に示すカプラコイル（ＣＣ）の構成図（平面図）である。 図４は、カプラコイル（ＣＣ）及びアンテナモジュール（ＡＭ）を強調した、カード本体（ＣＢ)の部分の断面図である。

本発明の教示を示すために数々の実施形態について記載するが、これらは限定ではなく例示として解釈されるべきである。以降、主として、スマートカードないしナショナルＩＤカードであるセキュアドキュメントとしてのトランスポンダについて、本明細書に開示された本発明の数々の特徴及び実施形態の代表として議論する。明らかなように、多くの特徴や実施形態は、電子パスポートのような他の形式のセキュアドキュメントに適用し（容易に組み込まれ）得る。本明細書において、「トランスポンダ」、「スマートカード」、「データキャリア」等の用語は、ＩＳＯ１４４４３や同様のＲＦＩＤ標準の下で作動する任意の類似のデバイスを指すものとして解釈されるであろう。

本明細書に開示される典型的なデータキャリアは、(i）ＲＦＩＤチップないしチップモジュール（ＣＭ）を有するアンテナモジュール（ＡＭ）と、(ii)カード本体（ＣＢ）と、(iii)カード本体（ＣＢ）上に配置されており、モジュールアンテナ（ＭＡ）と外部ＲＦＩＤリーダのアンテナの間の結合を高めるブースターアンテナ（ＢＡ）と、を含んでいる。本明細書において、そうでないと明示的に述べない限り、チップモジュールが言及された時には、「チップ」を含むものとして用いられ、また、逆もしかりである。モジュールアンテナ（ＭＡ）は、ワイヤのコイルでもよく、あるいは、アンテナモジュール（ＡＭ）のモジュールテープ（ＭＴ）基体上にエッチングないしプリントされた導電トレースでもよく、あるいは、チップ自身に直接組み込まれたものでもよい。

ブースターアンテナ（ＢＡ）は、インレイ基体やカード本体（ＣＢ）にワイヤを埋め込むことで形成される。しかしながら、基体にワイヤを埋め込む以外の方法を用いてアンテナを形成してもよいことが理解され、例えば、印刷されたアンテナ構造のようなアディティブ法ないしサブトラクティブ法、コイル巻線手法（US6,295,720に開示されているような）、別個のアンテナ基体に形成されたアンテナ構造であり、インレイ基体（ないしインレイ基体の層）に転写されたもの、基体上の導電層からエッチング（レーザエッチングを含む）された、あるいは、基体上に堆積された導電性材料からエッチングされた、あるいは、基体に形成されたチャネル内にエッチングされたアンテナ構造などが挙げられる。本明細書において、そうでないと明示的に述べない限り、「インレイ基体」が言及された時には、「カード本体」を含むものとして用いられ、また、逆もしかりである。

続く記載は、主としてデュアルインターフェース（ＤＩ、ＤＩＦ）スマートカードの文脈であり、また、主として当該スマートカードの非接触動作に関するものである。本明細書における多くの教示は、非接触モードの動作のみを有する電子パスポート等に適用され得るであろう。一般に、本明細書における寸法は概寸であり、本明細書に記載する材料は例示であることを意図している。

一般に、モジュールアンテナ（ＭＡ）と外部ＲＥＩＤリーダのアンテナ間の結合は、ブースターアンテナ（ＢＡ）をカード本体（ＣＢ）に組み込むことによって高められる。幾つかの観点において、ブースターアンテナ（ＢＡ）はカードアンテナ（ＣＡ）に類似している。しかしながら、カードアンテナ（ＣＡ）がＲＥＩＤチップやチップモジュールと直接電気的に接続されている（例えば、US7,980,477に示すように）のとは対照的に、ブースターアンテナ（ＢＡ）は、ＲＦＩＤチップ（ＣＭ）と接続されているであろうモジュールアンテナ（ＭＡ）と誘導的に結合する。このような誘導結合は、直接の電気的接続に比べて実現することが難しいであろう。

本明細書において、「結合（coupling）」(及びその変形)という用語は、２つの要素間で、与えられた要素による電磁界の生成及び他方の要素による当該電磁界への反応（相互作用）に依存する、誘導結合、電磁結合、反応結合（これらの組み合わせを含む、いずれも「誘導結合」と称することができる）を意味する。これとは対照的に、「接続（connecting）」(及びその変形)という用語は、互いに電気的に接続されている２つの要素であって、当該２つの要素間の相互作用が当該２つの要素間の電子の流れによって得られるものである。典型的には、互いに誘導的に結合する２つの要素は、互いに電気的には接続されていない。モジュールアンテナＭＡ及びカプラコイルＣＣのようなワイヤのコイルであり、互いに近くに配置される要素は、一般に、２つの要素間のいかなる電気的接続無くして、互いに誘導的に結合する。これとは対照的に、モジュールアンテナＭＡは一般にＲＦＩＤチップ（ＣＭ）要素と電気的に接続している。ブースターアンテナＢＡの巻線及びコイル、例えば、外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷ、カプラコイルＣＣ要素は、一般に、互いに電気的に接続されるが、互いに誘導結合も示し得る。モジュールアンテナＭＡとカプラコイルＣＣは互いに電気的に接続されていないが、互いに誘導結合（あるいは、トランス結合）している。

本明細書に開示するブースターアンテナＢＡ（及び他の特徴）は、容量及び誘導結合によって、アンテナモジュールＡＭと外部非接触リーダとの間の有効動作（“読み取り”）距離を延ばすであろう。典型的に数センチのオーダの読み取り距離において、距離が１ｃｍ延びることは、大きな改良である。

図１Ａ及び１Ｂは、ＤＩＦスマートカードを図示し、当該スマートカードは以下の要素を含んでいる。
−デュアルインターフェースＤＩチップモジュールであり得るＲＦＩＤチップないしチップモジュールＣＭであって、基体ないしモジュールテープＭＴの下面に配置されている；
−モジュールテープＭＴの上面において接触インターフェース(ISO7816)を実現する複数（例えば６個）のコンタクトパッド；
−モジュールテープＭＴの下面に配置されているモジュールアンテナＭＡであって、典型的には、渦巻（コイル）パターンを有するエッチングされた導電体ないしワイヤから形成される。
−基体ＭＴは、ＲＦＩＤチップＣＭ、コンタクトパッドＣＰ、モジュールアンテナＭＡ間の相互接続を支持・実行し、一側のみがメタライズ化された片面タイプ、あるいは、両側がメタライズ化された両面タイプである。
−ＲＦＩＤチップＣＭは、任意の適切な様式で接続されており、例えば、モジュールテープＭＴに対するフリップチップ接続（図１Ａに図示する）あるいはワイヤボンディング（図示せず）が用いられる。
−本明細書では、「チップモジュール」は、１つあるいは複数のむき出しの半導体ダイス（チップス）を含む。「ハイブリッド」チップモジュールは、接触インターフェースのためのチップと非接触インターフェースのためのチップ等を含むであろう。ＤＩＦチップ解法の例としてUS6,378,774(凸版、２００２)を参照することができ、１つのチップが接触機能を実行し、他方のチップが非接触機能を実行する２つのチップ解法の例として、US2010/0176205(エスピーエス、２０１０)を参照することができる。
−フェライト要素（フィルムないし層）が、導電性コンタクトパッドＣＰにより引き起こされるであろう減衰効果を低減するべく、コンタクトパッドＣＰとモジュールアンテナＭＡとの間でアンテナモジュールＡＭに組み入れられてもよい。
−ＲＦＩＤチップＣＭ、チップテープＭＴ、コンタクトパッドＣＰ、モジュールアンテナＭＡが一緒になってアンテナモジュールＡＭを構成する。

スマートカードはさらに以下のものを含む：
−スマートカードの基体は、カード本体ＣＢと称してもよい（電子パスポートについては、基体はインレイ基体である）。
−ブースターアンテナＢＡ（ないしカードアンテナＣＡ）は、カード本体ＣＢの周辺の回り（周辺のちょうど内側）に配置されたものとして示してあり、典型的には、複数のターンを有する矩形で平面状の渦巻の形として示されている。
−本明細書において、カード本体ＣＢという用語は、ブースターアンテナＢＡを支持し、アンテナモジュールＡＭを受け入れる任意の基体を包含するものとして意図される。アンテナモジュールＡＭを受け入れるための凹部をカード本体ＣＢに設けてもよい。
−スマートカードは、データキャリア、トランスポンダ等と称してもよい。

幾つかの代表的および／あるいは概略寸法、材料、明細を以下に例示する：
−モジュールテープ（ＭＴ）：エポキシベーステープ、厚さ６０μｍ
−チップモジュール（ＣＭ）：NXP SmartMx ないしインフィニオンSLE66、その他
−アンテナモジュール（ＡＭ）：15mmx15mm、厚さ３００μｍ
−モジュールアンテナ（ＭＡ）：５０μｍ銅線からなる複数の巻線であり、ほぼチップモジュールＣＭの寸法を備える（寸法においてＡＭを超えない）。モジュールアンテナＭＡは、チップモジュール（ＣＭ）のグロブトップモールドマス（glob-top mold mass）に配置されたフラット巻きコイルである。
−カード本体ＣＢ：約54 mm x 86 mm、厚さ３００μｍ、ポリカーボネート（ＰＣ）。カード本体及びそのカードアンテナは、チップモジュールＣＭ及びそのモジュールアンテナＭＡよりもかなり（例えば、２０倍）大きい。
○ISO/IEC7810標準のID-1は、カードを、名目上85.60×53.98ミリ(3.370×2.125インチ)として定義する。他の良く用いられるサイズは、通常、25×15ミリ(0.984×0.591インチ)のID-000である（ＳＩＭカードに広く用いられている）。両者とも、厚さ0.76ミリ(0.030インチ)である。
−ブースターアンテナＢＡ：112μｍの銅線からかなるセルフボンディングワイヤの３〜１２回のターンであり、カード本体ＣＢに超音波的に埋設される。あるいは、ブースターアンテナＢＡは、絶縁された80μｍ銅線からなり、約46mmx76mm（カードよりも若干小さい）の渦巻パターンで配置され、ターンピッチ300μｍ、13.56MHzの共振周波数を示す。ブースターアンテナＢＡの最適化された自己共振周波数は、約13〜17MHzである。

モジュールアンテナＭＡとブースターアンテナＢＡとの間の結合を高めるために、フェライトのような電磁結合性能を示す材料を、任意の所望のパターンで、薄膜としてカード本体ＣＢの表面に配置してもよく、あるいは、粒子としてカード本体内に組み入れないし埋設してもよく、あるいは、両方（薄膜及び粒子）でもよい。本明細書において、結合を高めるため、あるいは、結合をシールド（防ぐ）ためのフェライトの使用は、高い電磁透過性を示す材料の例示であり、アンテナと共に様々な方法で用いられる。これについては、例えば、US5,084,699(トロバン)を参照することができる。

例えばカバー層のような、追加の層（図示せず）をカード本体に積層して、スマートカードの構築を完成させてもよい。

図１Ｂは、カード本体ＣＢ、カード本体ＣＢ上に配置したブースターアンテナＢＡ、ブースターアンテナＢＡの部位の近くでカード本体ＣＢの凹部に配置されたアンテナモジュールＡＭ、を備えたＤＩスマートカードを示す。一般に、カード本体（ＣＢ）の内部において、周辺から離れ、エンボス加工領域を避ける、アンテナモジュール（ＡＭ）、特にコンタクトパッド（ＣＰ）の位置等は、関連するISO明細によって指定されるであろう。

図１Ａは、さらに、接触モード(ISO7816)において、コンタクトパッドＣＰを介してチップモジュールＣＭと相互作用する（電力を供給し、データを交換する）コンタクトを有する接触リーダ、及び、ブースターアンテナＢＡ（ないしカードアンテナＣＡ）及びモジュールアンテナＭＡを介してチップモジュールＣＭと相互作用するアンテナを備えた非接触リーダを図示する。

準ダイポール（Quasi-Dipole）ブースターアンテナ(ＢＡ)
図２Ａは、全体として実質的に平面状の形状であって、一般に、インレイ基体ないしカード本体（ＣＢ、図示せず）に埋設されたワイヤの矩形の渦巻であるブースターアンテナＢＡを図示し、ブースターアンテナＢＡは、以下に述べるように、２つの別個の部分（すなわち、巻線、ないしアンテナ構造、ないし、「極」）を有している。
−ワイヤの数ターン、外側端７、内側端８、を有する外側巻線ＯＷ
−ワイヤの数ターン、外側端９、内側端１０、を有する内側巻線ＩＷ
○図示で区別するために、外側巻線ＯＷ（実線）に対して、内側巻線ＩＷはダッシュ線で示し、また、内側巻線ＩＷのターン数は、外側巻線ＯＷのターン数と実質的に同じでもよいことに留意されたい。
−外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷのそれぞれは、約1200ｍｍの全長を有してもよい。内側巻線、外側巻線は実質的に互いに同じ長さを有していてもよい。

外側巻線ＯＷと内側巻線ＩＷは、逆相（reverse phase）を伴う準ダイポール（quasi dipole）アンテナとして接続される。外側巻線ＯＷの外側端７は、任意の適切な手法、例えば、別個のジャンパ"j"や基体（ＣＢ）内の導電性トレースを用いて、内側巻線ＩＷの内側端１０と接続されている。外側巻線ＯＷの内側端８、内側巻線ＩＷの外側端９は、非接続状態（left unconnected）となっている。

外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷは、互いに近接して誘導的に結合し、外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷに誘導される電圧は、互いに反対の相（opposite phase）を有しているであろう。外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷは、内側巻線ＩＷが外側巻線ＯＷの内部に配置するようにして互いに同じ層に形成されてもよく、あるいは、実質的に互いに一致して、基体の互いに重なる複数層として形成されてもよい。外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷは、複数のターンを有し、全長が約１２００ｍｍの、埋め込みワイヤあるいは埋め込みワイヤ以外のフラットコイルから形成されてもよい。

ブースターアンテナＢＡは、従来のワイヤ埋設手法（US6,233,818に記載されているような超音波を用いたソノトロード）を用いて、基体（すなわちカード本体）内に形成され、以下に例示する：
−位置９（内側巻線ＩＷの外側端）におけるワイヤの埋設から出発して、位置１０（内側巻線ＩＷの内側端）まで埋設を継続し、内側アンテナ巻線ＩＷの数（２、３、４などの）ターンを形成する。
−埋設を停止し（超音波をターンオフして、ソノトロードを上動させる）、次のステップにおいて、内側巻線ＩＷのターンの上方でワイヤを位置７までルート（案内）させ、ワイヤを切断することなく、位置７は、外側巻線ＯＷの外側端となる。
○内側巻線ＩＷ上のジャンピングは、別個の接続ブリッジ、すなわち、外側巻線Ｄの端部１０と内側巻線Ｅの内側端７とを接続するジャンパー("j")を有する必要性を無くす（ここでは、７及び１０は位置であり、端部ではない）。
−位置７（外側巻線ＯＷの外側端）で埋設を再開し、継続することで、外側アンテナ巻線ＯＷの数（２、３、４などの）ターンを形成し、必要であれば、既に配置された一体的ジャンパ"j"上をジャンプさせる。

内側巻線ＩＷの外側端９及び外側巻線ＯＷの内側端８は、自由端のままであり、いかなるものとも接続されていない。これはダイポールアンテナに特有である。外側巻線ＯＷと内側巻線ＩＷをこのような様式で（外側巻線ＯＷの外側端７に対して内側巻線ＩＷの内側端１０、すなわち、逆相（reverse phase）で）接続することによって、外側巻線ＯＷと内側巻線ＩＷは近接して結合し、内側巻線ＩＷの誘導電圧は、外側巻線ＯＷの誘導電圧に比べて反対の相（phase inversion）を示すことから効果は加法的である。内側巻線ＯＷと内側巻線ＩＷの反応性結合（キャパシタンス及びインダクタンス）は、ブースターアンテナＢＡを、さもなければそうであろう数より少ないターン数で実現することを可能とするであろう。

相反転（phase inversion）を呈する準ダイポール（quasi-dipole）カードアンテナを形成する外側巻線ＯＷと内側巻線ＩＷの接続は、US6,378,774 (凸版) あるいはUS2009/0152362 (アサ・アブロイ)と容易に対比される。
−例えば２つの末端領域１１、１１´（外側巻線Ｄ、内側巻線Ｅに対応する）を備えたアサ・アブロイにおいて、外側末端領域１１の外側端と内側末端領域１１´の内側端（カードアンテナＣＡの端部ないし位置７、１０に対応する）は接続されていない。外側末端領域１１の内側端と内側末端領域１１´の外側端（カードアンテナＣＡの端部ないし位置８、９に対応する）は、トランスポンダデバイス（アンテナモジュールＡＭ）と誘導結合するための小さな渦巻線を少なくとも形成する中央領域１２に接続されている。図２Ａに示すように、類似のカップリングコイルは存在せず、結合は、カードアンテナＣＡの部分の直上に（上に）にアンテナモジュールＡＭを配置することによって実行され、これについては後に詳述する。
−凸版もまた別個のカップリングコイル（３）を必要とする。

外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷは、別個のジャンパやトレースを用いることなく、従来のワイヤ埋め込み収納を用いて、１つの連続した構造として形成することができ、以下に例示する：
−位置９（内側巻線の外側端）でワイヤ埋め込みを開始し、位置１０まで継続して埋め込み、内側巻線（ＩＷ）の数（例えば、２、３、４）ターンを形成する。
−埋め込みを停止し（超音波をターンオフし、ソノトロードを持ちあげる）、次のステップで、内側巻線ＩＷのターンの上方でワイヤを位置７までルート（ガイド）し、ワイヤを切断することなく、外側巻線ＯＷの外側端となる。この内側巻線ＩＷ上の飛び越えは、外側巻線と内側巻線の端部７、１０を接続するための別個のジャンパの必要を無くす。ここで、「７」、「１０」は、それぞれ、外側巻線、内側巻線の外側端、内側端に対応する位置を表す。
○位置７と１０の間の部分“j”は、接続ブリッジないし一体的ジャンパと称される（もし、２つの巻線ＯＷ、ＩＷが互いに一体で無い場合には、別体のジャンパが端部７、１０を接続するのに用いられるであろう）。
−内側巻線ＩＷ上をジャンプさせた後、位置７で埋め込みを再開し、継続して、外側巻線ＯＷのターンを形成し、必要な場合には、既に配置された接続ブリッジ"j"上をジャンプさせる。

入力キャパシタンスが約10〜30pFの市販のチップモジュール（例えば、NXP SmartMx、インフィニオンSLE66、他）と組み合わせることで、組み立てられたトランスポンダは、13〜17MHzの共振周波数とマッチングさせることができるであろう。例えば、以下のものを参照することができ、これらは参照により本明細書に組み入れられる：
−プロダクト・ショート・データシート、P5CD016/021/041/051及びP5Cx081ファミリ、セキュア・デュアル・インターフェース及接触PKIスマートカード・コントローラ、Rev 3.2、２０１１年３月、２０ページ
−プレリミナリ・ショート・プロダクト・インフォメーション、SLE 66CLX360PE(M)ファミリ、接触ベース及び非接触アプリケーションのための8/16-ビット・セキュリティ・デュアル・インターフェース・コントローラ、インフィニオン、２００６年１１月、１４ページ
−SLE 66 CX126PE、ショート・プロダクト・オーバーヴュー、２０１０年５月、４ページ
−プログラマブル・ハイセキュリティ・マルチアプリケーション・スマートカード、NXP、のSmartMX、２００９年、２ページ
−mifare DESFireデータシート付属書、プレリミナリ・スペシフィケーション、Revision 2.0、２００３年４月、７ページ M086820_MF3ICD40_ModuleSpec

図２Ｂは、外側巻線ＯＷと内側巻線ＩＷによって形成されたブースターアンテナＢＡを模式的に図示するものであり、ブースターアンテナＢＡがどのように機能するかを説明する非限定的な例として意図するものである。この例では、外側巻線ＯＷは、インダクタンスＬ１、Ｌ２、Ｌ３によって模型化された３つのターンを有し、内側巻線ＩＷは、インダクタンスＬ４、Ｌ５、Ｌ６によって模型化された３つのターンを有する。全てのインダクタンス（Ｌ）は、全てのコイル間の結合によって影響される。キャパシタンスＣ１〜Ｃ６は、コイル固有の浮遊キャパシタンスである。

キャパシタンスＣ７〜Ｃ９は、外側巻線ＯＷと内側巻線ＩＷ間が密接結合の場合における、外側巻線ＯＷと内側巻線ＩＷ間の相互作用を説明する。これらの追加のキャパシタンスは、ブースターアンテナＢＡの自己共振周波数を低減し、さらなる追加の容量コンポーネントを設けることを不要とするであろう。キャパシタンス（Ｃ）は、ワイヤピッチ、ターン数によるインダクタンス（Ｌ）に影響され得る。

図示されていないが、例えばカード本体ＣＢの上面及び下面に設けた導電性材料の形式で、容量素子をカード本体ＣＢ上に組み入れることは本発明の範囲内であり、容量素子をブースターアンテナＢＡの自由端８、９と電気的に接続してもよい。フェライト要素（パッチないし層）をカプラコイル領域においてカード本体ＣＢ上に組み入れてもよい。

準ダイポール（quasi-dipole）ブースターアンテナＢＡは、非接触モードで機能するアンテナモジュールＡＭと共に作動することを意図しており、限定されないもののＤＩＦモジュールを含み、また、自身のオンチップアンテナ(US 6,373,447に開示されているような)を有する半導体チップを含んでいる。ブースターアンテナＢＡの外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷは、実質的に同じターン数（例えば、それぞれ２〜３ターン）、同じ長さ（例えば１２００ｍｍ）、実質的に互いに同じピッチ、を有し、周囲の大部分が互いにできるだけ近づくような間隔で配置される。外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷは、互いに同じ向き（時計回りあるいは反時計回り）を向いていて（示して）もよい。もちろん、これらのパラメータ（長さ、ピッチ、空隙、向き）の任意の変更が可能であり、その幾つかは本明細書で議論される。

図２Ａは、アンテナモジュールＡＭが、誘導的結合のために、いかにブースターアンテナＢＡに対して位置決めされるかについての非限定的実施例である。アンテナモジュールＡＭは、非接触モードのためのＤＩＦチップモジュールＣＭと、接触モードのためのコンタクトパッドＣＰと、を備えている。アンテナモジュールＡＭは矩形で示しているが、円形でもよい。アンテナモジュールＡＭ内のモジュールアンテナも矩形でも円形でもよい。

本実施例では、アンテナモジュールＡＭは、効率的な結合のため、モジュールアンテナＭＡの４辺の少なくとも１つの辺がブースターアンテナＢＡの内側巻線ＩＷのみの少なくとも幾つかのターンにオーバーラップするように配置（スマートカード内に位置決めされる）されている（好ましくは、外側巻線ＯＷのいかなるターンともオーバーラップすることなく）。代替的に、アンテナモジュールＡＭ、特に、そのモジュールアンテナＭＡが、ブースターアンテナＢＡの内側巻線ＩＷではなく外側巻線ＯＷとオーバーラップするようにしてもよい。しかしながら、アンテナモジュールＡＭ、特にそのモジュールアンテナＭＡは、内側巻線ＩＷと外側巻線ＯＷの両方にオーバーラップしないことが重要であると考えられる。

そのモジュールアンテナＭＡが、２つの巻線カードアンテナＣＡに対して物理的にオーバーラップし、かつ直接結合するようなアンテナモジュールＡＭの配置は、US 6,378,774(凸版)、US2009/0152362(アサ・アブロイ)と全く対照的であり、これらは共に、モジュールアンテナとの結合を実行するために２つの巻線カードアンテナに加えて別個のカプラコイルに依存する。本発明のこの直接結合特徴は、内側巻線ＩＷが外側巻線ＯＷに、これらが逆相（reverse phased）となるように接続される仕方に起因するものであり、モジュールアンテナＭＡを、内側巻線及び外側巻線の一方あるいは他方のみにオーバーラップさせる。

カプラーコイル（ＣＣ）を備えたブースターアンテナ（ＢＡ）
NL9100347(１９９２、ネダップ)は、図１に示すように配置された以下の要素を備えた非接触カードを開示する：(1)集積回路; (2)電子回路; (3)トランス; (4)コア材料; (5)コンデンサ; (6)１次コイル、(7)アンテナコイル。

ネダップ特許の図１から明らかなように、電子回路（２、ここでのチップＣＭに対応する）は第１コイル（３、ここでのモジュールアンテナＭＡに対応する）に接続されている。第２コイル（６、ここでのカップリングコイルＣＣに対応する）は、主アンテナ（１、ここでのカードアンテナＣＡに対応する）に接続されている。第１コイル（３、ＭＡ）は、コア材料（４）に援助されることによって、第２コイル（６、ＣＣ）と結合されている。

US5,955,723(１９９９、シーメンス)は非接触チップカードを開示する。データキャリア構成は、半導体チップ（１）を有する。第１導電ループ（小さなコイル、２）は半導体チップに接続されており、少なくとも１つの巻線と、該半導体チップの寸法と略同じ横断面積を有している。少なくとも１つの第２導電ループ（大きいコイル、３）は、少なくとも１つの巻線、データキャリア構成の寸法と略同じ横断面積、第１導電ループの寸法と略同じ第３ループ（４）を形成する領域、を有する。第３ループ（４）は、前記第１導電ループ（２）、前記少なくとも１つの第２導電ループ（３）と、互いに、誘導的に結合する。第２導電ループ（２）と第３導電ループ（４）は実質的に同心円状に配置される。図３は、半導体チップ（１）に接続された小さい導電ループ（２）と、大きい導電ループ（３）との間の結合領域の他の態様を示す。この場合、結合領域は蛇行路であり、結合領域の長さをできるだけ長く得るようにしている。

US8,130,166(2009/0152362、アサ・アブロイ)は、トランスポンダの結合デバイスを開示し、当該結合デバイスは、中央領域と２つの末端領域を有する連続状の導電路によって形成されており、中央領域は、トランスポンダデバイスと誘導結合するための小さな渦巻線を少なくとも形成し、末端領域はそれぞれリーダデバイスと誘導結合するための大きな渦巻線を形成しており、前記小さな渦巻線は、前記大きな渦巻線よりも大きなピッチを示し、前記連続パスの２つの末端領域は、結合デバイスが開回路（open circuit）を形成するように固定されていない。

上記(ネダップ、シーメンス、アサ・アブロイ)から明らかなように、ＣＭと接続されている第１コイル（モジュールアンテナＭＡと称する）を、ブースターアンテナＢＡと接続されている第２のコイル（カップリングコイルＣＣと称する）に結合することによって、カード基体（カード本体ＣＢと称される）上で集積回路（チップないしチップモジュールＣＭと称される）をアンテナ要素（カードアンテナＣＡないしブースターアンテナＢＡと称される）に結合することは良く知られている。

カプラコイルＣＣを備えた準ダイポール（Quasi-Dipole）ブースターアンテナＢＡ
図３は、外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷを含むブースターアンテナＢＡを示し、両者は、カード本体ＣＢの周辺に実質的に沿って延びている。内側巻線、外側巻線のそれぞれは、内側端（ＩＥ）及び外側端（ＯＥ）を有している。外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷに関しては、図３のブースターアンテナＢＡは、図２ＡのブースターアンテナＢＡと実質的に同一である。しかしながら、図３のブースターアンテナにおいて、外側巻線ＯＷの外側端ＯＥ（ｂ）は、カプラコイルＣＣを介して、内側巻線ＩＷの内側端ＩＥ（ｅ）に接続されている（この点に関して、b/7とe/10の間の電気的接続を行う点において、カプラコイルＣＣは、図２Ａのジャンパ“j”を置き換えるものであると考えることができる）。外側巻線ＯＷの内側端ＩＥ（ａ）と、内側巻線ＩＷの外側端ＯＥ（ｆ）は、自由端として、接続されていない状態にある（図２Ａの８、９と対比のこと）。外側巻線ＯＷ、カプラコイルＣＣ、内側巻線ＩＥを含むブースターアンテナＢＡ全体は、開回路（open circuit）であり、外側巻線ＯＷがダイポールの一方の極を形成し、内側巻線ＩＷが他方の極を形成した、準ダイポール（quasi-dipole）として称することができ、中央がカプラコイルＣＣによって提供される。

ブースターアンテナＢＡは、カード本体ＣＢ（あるいは、熱可塑性材料から形成された、インレイ基体、あるいは、データキャリア基体）の周囲(周辺)の回り（内側）に配置され（例えば、超音波ボンディングされた）、絶縁された、別個の銅線を用いることで形成され得る。ブースターアンテナＢＡは、外側巻線ＯＷ（すなわち、コイル、Ｄ）、内側巻線ＩＷ（すなわち、コイル、Ｄ）を備え、さらに、カプラコイルＣＣを備え、これらの数々のコイル要素の端部が記載されているものの、これらの全てをカード本体ＣＢ上に配線ないし埋め込まれた１つの連続した長さのワイヤ（例えば、80μｍのセルフボンディングワイヤ）から形成してもよい。より詳しくは、
−外側巻線ＯＷ(図１Ａ、Ｄと対比)は、複数（２、３回等）のターンを有する渦巻きとして形成され、地点"a"における内側端ＩＥ、地点"b"における外側端ＯＥを有している。外側巻線ＯＷは、カード本体ＣＢの周縁（周辺）の近くに（実質的に周縁に）ある。外側巻線ＯＷの内側端IE ("a")は自由端である。
−カプラコイルＣＣは、複数（約１０回等）のターンを有する渦巻きとして形成されており、２つの端"c"、"d"を有している。図３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄに示す実施形態に関して記載されるように、端"c"は、外側端OEあるいは内側端IEであり、端"d"は内側端IEあるいは外側端OEである。カプラコイルＣＣは、カード本体ＣＢの内側にその周辺から離れて配置されており、図３において、一般に数本のダッシュ線で示している。
−内側巻線ＩＥは、複数（２、３回等）のターンを有する渦巻きとして形成され、内側端ＩＥ"e"、外側端OE "f"を有している。内側巻線ＩＷは、外側巻船ＯＷの内側で、カード本体ＣＢの周縁の近く（実質的に周縁に）ある。内側巻線ＩＷの外側端OE ("f")は自由端である。図３において、内側巻線は、図解の明瞭さのため、ダッシュ線で示してある。
−外側巻線ＯＷの内側端ＩＥは、接続されていないという点において、自由端である。同様に、内側巻線ＩＷの外側端ＯＥは、自由端で接続されていない状態である。

外側巻線ＯＷ、カプラコイルＣＣ、内側巻線ＩＷは、従来のワイヤ埋め込み技術を用いることで、１つの連続した構造から形成してもよい。カプラコイルＣＣが外側巻線（ＯＷ）と内側巻線（ＩＷ）の端部に接続されていることについての参照は、カプラコイルＣＣが両端を備えた別体であることを意味するものとして解釈されるべきではない。むしろ、外側巻線ＯＷ、カプラコイルＣＣ、内側巻線ＩＷの１つの連続構造を形成する文脈において、「端部」は、実際の端部であるとされるものに対応する位置として解釈され、この文脈において用語「接続された」は、「隣接する」として解釈される。

カード本体ＣＢの寸法は、約54mmx86mmである。ブースターアンテナＢＡの外側巻線ＯＷの外側寸法は、約80x50mmである。ブースターアンテナＢＡを形成するワイヤの径（ｄ）は、約100μｍ（限定されるものではないが、80mm、112μｍ、125μｍを含む）である。

内側巻線ＩＷは、図示のように、カード本体ＣＢ（ないしマルチレイヤインレイ基体の層）の所与の表面において、外側巻線ＯＷ内に配置されてもよい。あるいは、ブースターアンテナＢＡの２つの巻線は、カード本体ＣＢの両面に互いに実質的に整列して配置されてもよく、この場合、「外側」巻線、「内側」巻線と言うよりは、「上側」巻線、「下側」巻線となるであろう。ブースターアンテナＢＡの２つの巻線は、これらに誘導される電圧が互いに反対の相となるように近接して結合している。カプラコイルＣＣは、カード本体ＣＢの外側巻線及び内側巻線と同じ表面に設けてもよい。

ブースターアンテナＢＡの外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷのターンは、0.2mm(200μｍ)のピッチであり、結果として、約１本のワイヤの直径である、外側巻線ＯＷないし内側巻線ＩＷの隣接するターン間の間隙が形成される。カプラコイルＣＣのターンのピッチは、外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷの少なくとも一方のターンのピッチ、例えば、0.15mm(150μｍ)、と実質的に同じか、それよりも小さく（言い換えると、大きくなく）、結果として、カプラコイル（ＣＣ）の隣接するターン間に１本のワイヤの直径よりも小さい間隙が形成される。ブースターアンテナＢＡには、セルフボンディング銅線が用いられ得る。外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷ、カプラコイルＣＣのピッチは、ワイヤ（あるいは、導電路ないしトラックの幅）の径の約２倍であり、結果として、渦巻きの隣接するターン間に、１本のワイヤ径（ないしトレース幅）のオーダの間隙が形成される。外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷのピッチは、実質的に互いに同じでもよく、あるいは、互いに異なっていてもよい。

例えば、一方が他方の上方に位置するように２つのワイヤ層を配置する（必要であれば、その間に絶縁フィルムを設けて）ことによって、カプラコイルのより多くのワイヤのターンを、カプラコイルＣＣのターンのためのレーザーアブレーションによるトレンチが規定する領域における所与の領域に収容することは、本発明の範囲内である。

その上にブースターアンテナＢＡが形成された基体ないしカード本体ＣＢは、第１の製造者によって用意され、中間製品（アンテナモジュールＡＭが無い場合には、「データキャリアコンポーネント」と称されるであろう）を構成する。次いで、第２の製造者がカード本体ＣＢに、カプラコイルＣＣの内部において（図４に示すように）、凹部を形成（すなわち形成）し、アンテナモジュールＡＭ（そのモジュールアンテナＭＡと共に）を当該凹部に配置する（もちろん、データキャリアコンポーネントは、凹部が既に形成された状態で第１の製造者によって提供されてもよい）。

図３において、カプラコイルＣＣは、数本のダッシュ線によって、詳述することなく示されている。カプラコイルの構成の幾つかの詳細、及び、どのように外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷと接続されているかは、図３Ａ〜３Ｄに示されている。

図３Ａ〜３Ｄは、ブースターアンテナＢＡの様々な実施例、より詳しくはカプラコイルＣＣ要素の様々な構成態様を示す。説明は、アンテナワイヤを、地点ａから出発し、連続して、地点"b"、"c"、"d"、"e"、"f"を通るようにして配置する文脈で行われ、この場合、外側巻線ＯＷ及び内側巻線ＩＷは共に時計回りＣＷ向きを示す。ワイヤが地点"f"から出発し、地点"a"で終了するように配置された場合には、外側巻線ＯＷ及び内側巻線ＩＷは共に反時計回りの向きを示す。カプラコイルＣＣの向き（ＣＷあるいはＣＣＷ）は、外側巻線ＯＷ及び内側巻線ＩＷの向きと同じ（図３Ｂ、３Ｃ）であっても、反対（図３Ａ、３Ｄ）であってもよい。

ブースターアンテナＢＡは、ワイヤを用いることなく、基体ＣＢ上への導電材料の印刷のようなアディティブ法や基体ＣＢから導電材料をエッチングするサブトラクティブ法を用いることで作成してもよいことが理解される。非ワイヤアンテナでは、ワイヤの配置や埋め込み等（ワイヤを、一端から他端へ配置する際）に固有の実際の方向は無いかも知れないが、結果として得られるブースターアンテナＢＡのらせん要素ＯＷ、ＩＷ、ＣＣは、それでも、ワイヤの配置と類似して決定され得る時計回りＣＷあるいは半時計回りＣＣＷの仮想向き（配向）を示すであろう（シーケンシャルであるインクジェット印刷のようなアディティブ法では、向きは実際であろう）。「向き」は、"a"から"f"あるいは、"f"から"a"へパターンを追跡することによって決定される。

本明細書において、ピッチは、巻線（ＯＷ、ＩＷ）あるいはカプラコイル（ＣＣ）のワイヤの、配置される時の、隣接するターン間の中心から中心(c-c)の平均距離を指す（あるいは、同様に、アディティブ法ないしサブトラクティブ法によって得られた隣接する導電トラック間の中心から中心への距離を指す）。製造過程において（積層化のような続く製造工程の結果を含む）、ワイヤのピッチは、幾分、例えば、＋／−５％ないしそれ以上、変わり得ることを理解されたい。また、矩形のうずまきのような場合に、角部を通る時に、ピッチは幾分不確かとなるであろう。また、製造工程（例えば、ワイヤの埋め込みの開始や終了）に適合させるために、巻線（ＯＷ、ＩＷ）やカプラコイル（ＣＣ）のピッチが局所的に、例えば自由端“a”や“f”において、注意深く変更（典型的には増加）され得ることを理解されたい。「ピッチ」は、巻線の隣接するターン間の、初期（配線中）距離(c-c)あるいは最終（積層化後）距離(c-c)を指してもよい。

図３Ａは、ブースターアンテナＢＡ（図３）の関連部位を示し、また、ブースターアンテナＢＡの配置を以下に示す。
−ワイヤを、外側巻線ＯＷの内側端ＩＥである地点"a"（図３には図示せず）から開始し、外側巻線ＯＷの外側端ＯＥである地点"b"まで、カード本体の周辺の回り（周辺のちょうど内側）に時計回り（ＣＷ）方向に数回（２、３回）のターンで外方に渦巻状に配置し；
−ワイヤを、地点"b"において、カード本体ＣＢの内部へ向かって、カプラコイルＣＣの外側端ＯＥである地点"c"まで、必要であれば、外側巻線ＯＷの既に配置されたターン上を横切って、内側に向かって案内し；
−ワイヤを、地点"c"から、カプラコイルＣＣの内側端ＩＥである地点"ｄ"まで、反時計回り（ＣＣＷ）方向に数回（２、３回）のターンで内方に渦巻状に配置し、
−地点"d"において、内側巻線ＩＷの内側端ＩＥである地点"e"まで、カード本体の周辺へ外側に向かってワイヤを案内し；
−地点"e"から、内側巻線ＩＷの外側端ＯＥである地点"ｆ"（図３には図示せず）まで、時計回り（ＣＷ）方向に数回（２、３回）のターンで外方に渦巻状に継続して配置する。
結果として得られる外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷは、互いに同じ向き（ＣＷ）を有している。
カプラコイルＣＣは、外側から内側に向かって、その外側端ＯＥ（ｃ）からその内側端ＩＥ（ｄ）へ内側に向かって、外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷの向き（ＣＷ）と反対の向き（ＣＣＷ）で渦巻状に配置されている。

図３Ｂは、ブースターアンテナＢＡ（図３）の関連部位を示し、また、ブースターアンテナＢＡの配置を以下に示す。
−ワイヤを、外側巻線ＯＷの内側端ＩＥである地点"a"（図３には図示せず）から開始し、外側巻線ＯＷの外側端ＯＥである地点"b"まで、カード本体の周辺の回り（周辺のちょうど内側）に時計回り（ＣＷ）方向に数回（２、３回）のターンで外方に渦巻状に配置し；
−ワイヤを、地点"b"において、カード本体ＣＢの内部へ向かって、カプラコイルＣＣの外側端ＯＥである地点"c"まで、必要であれば、外側巻線ＯＷの既に配置されたターン上を横切って、内側に向かって案内し；
−ワイヤを、地点"c"から、カプラコイルＣＣの内側端ＩＥである地点"ｄ"まで、時計回り（ＣＷ）方向に数回（２、３回）のターンで内方に渦巻状に配置し、
−地点"d"において、内側巻線ＩＷの内側端ＩＥである地点"e"まで、カード本体の周辺へ外側に向かってワイヤを案内し；
−地点"e"から、内側巻線ＩＷの外側端ＯＥである地点"ｆ"（図３には図示せず）まで、時計回り（ＣＷ）方向に数回（２、３回）のターンで外方に渦巻状に継続して配置する。
結果として得られる外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷは、互いに同じ向き（ＣＷ）を有している。
カプラコイルＣＣは、外側から内側に向かって、その外側端ＯＥ（ｃ）からその内側端ＩＥ（ｄ）へ内側に向かって、外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷの向き（ＣＷ）と同じ向き（ＣＷ）で渦巻状に配置されている。

図３Ｃは、ブースターアンテナＢＡ（図３）の関連部位を示し、また、ブースターアンテナＢＡの配置を以下に示す。
−ワイヤを、外側巻線ＯＷの内側端ＩＥである地点"a"（図３には図示せず）から開始し、外側巻線ＯＷの外側端ＯＥである地点"b"まで、カード本体の周辺の回り（周辺のちょうど内側）に時計回り（ＣＷ）方向に数回（２、３回）のターンで外方に渦巻状に配置し；
−ワイヤを、地点"b"において、カード本体ＣＢの内部へ向かって、カプラコイルＣＣの内側端ＩＥである地点"c"まで、必要であれば、外側巻線ＯＷの既に配置されたターン上を横切って、内側に向かって案内し；
−ワイヤを、地点"c"から、カプラコイルＣＣの外側端ＯＥである地点"ｄ"まで、時計回り（ＣＷ）方向に数回（２、３回）のターンで内方に渦巻状に配置し、
−地点"d"において、内側巻線ＩＷの内側端ＩＥである地点"e"まで、カード本体の周縁へ外側に向かってワイヤを案内し；
−地点"e"から、内側巻線ＩＷの外側端ＯＥである地点"ｆ"（図３には図示せず）まで、時計回り（ＣＷ）方向に数回（２、３回）のターンで外方に渦巻状に継続して配置する。
結果として得られる外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷは、互いに同じ向き（ＣＷ）を有している。
カプラコイルＣＣは、内側から外側に向かって、その内側端ＩＥ（ｃ）からその外側端ＯＥ（ｄ）へ内側に向かって、外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷの向き（ＣＷ）と同じ向き（ＣＷ）で渦巻状に配置されている。

図３Ｄは、ブースターアンテナＢＡ（図３）の関連部位を示し、また、ブースターアンテナＢＡの配置を以下に示す。
−ワイヤを、外側巻線ＯＷの内側端ＩＥである地点"a"（図３には図示せず）から開始し、外側巻線ＯＷの外側端ＯＥである地点"b"まで、カード本体の周辺の回り（周辺のちょうど内側）に時計回り（ＣＷ）方向に数回（２、３回）のターンで外方に渦巻状に配置し；
−ワイヤを、地点"b"において、カード本体ＣＢの内部へ向かって、カプラコイルＣＣの内側端ＩＥである地点"c"まで、必要であれば、外側巻線ＯＷの既に配置されたターン上を横切って、内側に向かって案内し；
−ワイヤを、地点"c"から、カプラコイルＣＣの外側端ＯＥである地点"ｄ"まで、反時計回り（ＣＣＷ）方向に数回（２、３回）のターンで内方に渦巻状に配置し；
−地点"d"において、内側巻線ＩＷの内側端ＩＥである地点"e"まで、カード本体ＣＢの周辺へ外側に向かってワイヤを案内し；
−地点"e"から、内側巻線ＩＷの外側端ＯＥである地点"ｆ"（図３には図示せず）まで、時計回り（ＣＷ）方向に数回（２、３回）のターンで外方に渦巻状に継続して配置する。
結果として得られる外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷは、互いに同じ向き（ＣＷ）を有している。
カプラコイルＣＣは、内側から外側に向かって、その内側端ＩＥ（ｃ）からその外側端ＯＥ（ｄ）へ内側に向かって、外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷの向き（ＣＷ）と反対の向き（ＣＣＷ）で渦巻状に配置されている。

アンテナモジュールＡＭは、そのモジュールアンテナＭＡが、結合のため、カプラコイルＣＣと近接するようにカード本体ＣＢに設けてもよい。アンテナモジュールＡＭは、そのモジュールアンテナＭＡがカプラコイルＣＣにオーバーラップするように、あるいは、そのモジュールアンテナがカプラコイルＣＣの内部に完全に位置するように、あるいは、全体がカプラコイルＣＣ内に位置するように、配置される。アンテナモジュールＡＭは、そのモジュールアンテナＭＡがカプラコイルＣＣと実質的に同一面となるように、カード本体ＣＢ上の成形された窪み内に配置されてもよい。モジュールアンテナＭＡは、カプラコイルＣＣと異なるレベル（同一面ではない）であってもよい。

アンテナモジュールＡＭのモジュールアンテナＭＡは、時計回り（ＣＷ）の向きあるいは反時計回り（ＣＣＷ）の向きのいずれかで巻かれたワイヤのコイルであってもよい。モジュールアンテナＭＡは、カプラコイルＣＣと同じ向き（ＣＷあるいはＣＣＷ）を有していてもよい。モジュールアンテナＭＡは、カプラコイルＣＣと反対の向き（ＣＷあるいはＣＣＷ）を有していてもよい。モジュールアンテナＭＡは、外側巻線ＯＷ及び／あるいは内側巻線ＩＷと同じ向き（ＣＷあるいはＣＣＷ）を有していてもよい。モジュールアンテナＭＡは、外側巻線ＯＷ及び内側巻線ＩＷと反対の向き（ＣＷあるいはＣＣＷ）を有していてもよい。

NL 9100347及びUS 5,955,723は両方共、所与の寸法からなる２つのコイルを記載することに留意されたい。例えば、コイル１及び３、チップ上のコイル１とカード上のコイル３であり、また、これらは同心状あり、結合を許容する。本明細書で記載された配置では、コイル（ＭＡ、ＣＣ）は同じ寸法であることに制限されず、また、同心状に配置されることに制限されない。

ブースターアンテナＢＡのワイヤを配置する際に（あるいは、様々なアディティブ法ないしサブトラクティブ法のいずれかを用いて、アンテナ要素ＯＷ、ＣＣ、ＩＷの導電路を形成する際に）ワイヤ（あるいは導電路）は、複数箇所で自身を交差する必要があるであろうことは明白である。ワイヤからなるブーススターアンテナＢＡについては、ワイヤは絶縁された、典型的にはセルフボンディングワイヤである。導電路については、適切な絶縁ないしパッシベーション層ないし薄膜を用いて交差を容易にする。

ブースターアンテナＢＡ実施形態とシーメンス’７２３、アサ’１６６との対比
US5,955,723（シーメンス）において、ブースターアンテナは、大きなコイル／導電ループ３（外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷに匹敵）と、小さな導電ループ４（カプラコイルＣＣに匹敵）、を備えている。１つのターンのみが図示され、いかなる自由端（図３のＢＡにおけるＯＷのＩＥ、ＩＷのＯＥに匹敵）もなく、大きなループ３、小さなループ４のいずれも、いかなる「向き」を示していない。

US8,130,166（アサ・アブロイ）において、ブースターアンテナは、自由端(13)、(13')を有し、カード本体の周囲に近接して配置した外側巻線(11)、内側巻線(11')、カード本体の内側に配置したカプラコイル(12)を備えている。幾つかの点で本発明に類似するもの、アサ’１６６は少なくとも以下の点において異なる。

図３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの実施形態は、以下の点でUS8,130,166と異なる。
−外側巻線ＯＥの内側端ＩＥと内側巻線の外側端ＯＥ（ＩＷは自由端である（図３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ）。
−カプラコイルＣＣは、内側端ＩＥから外側端ＯＥに配置される（図３Ｃ、３Ｄ）。
−カプラコイルＣＣの向きは、外側巻線ＯＷと内側巻線ＩＷの向きと反対である（図３Ａ、３Ｄ）。
−カプラコイルＣＣのピッチは、外側巻線ＯＷないし内側巻線ＩＷのピッチと同じであるかそれよりも小さい、また、外側巻線ＯＷないし内側巻線ＩＷより多いワイヤのターンを有している。

３Ｅと称される、上記の変形において、ブースターアンテナＢＡは、互いにUS 8,130,166の様式（外側巻線の外側端と、内側巻線の内側端が自由、すなわち、固定されていない）で接続された外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷ（２つの外部領域）と、前記外部領域と異なる向きで形成されたカプラコイル（中央領域）と、を備えていてもよい。

３Ｆと称される、上記の他の変形において、ブースターアンテナＢＡは、互いにUS8,130,166の様式で接続された外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷ（２つの外部領域）あるいは準ダイポール（図２のような）と、前記外部領域と同じあるいは小さいピッチで形成されたカプラコイル（中央領域）と、を備えていてもよい。

カプラコイルＣＣは約１０のターンを有し、外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷは、それぞれ、約２、３のターン（例えば、少なくとも１つ、４を超えない）を有している。外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷ、カプラコイルＣＣの実際のターン数は、アプリケーションによって決定され得る。しかしながら、一般に、カプラコイルＣＣは、外側巻線ＯＷ、内側巻線ＩＷのいずれかよりは多いターンを備えているであろう。この特徴は、３Ｇとして称される。

フェライト材料を、カード本体ＣＢ上の異なる位置に配置して、ここで意図された異なる誘導結合を強化してもよい。

アサ‘166と本発明の実施形態のさらなる比較

従来のアンテナモジュール(AM’s)は、本明細書に記載したブースターアンテナ（BA’s）ないしその改良と共に用いてもよい。述べたように、アンテナモジュール（ＡＭ）が、カード本体内、例えば、成形された凹部内(図１Ａ参照)に、そのモジュールアンテナＭＡがオーバーラップし、あるいは内部で、カプラコイルＣＣと実質的に同一面、あるいは、カプラコイルＣＣと異なるレベル、で配置されてもよい。例えば、US6,378,774（２００２、凸版）、参照によって全体が組み入れられる、を参照のこと。

図４は、アンテナモジュールＡＭを受け入れる凹部を備えたカード本体ＣＢの部分を示す。カプラコイルＣＣが凹部を取り囲むように示されている。アンテナモジュールＡＭが凹部に配置されると、モジュールアンテナＭＡはカプラコイルＣＣの内部に配置されることになり、−換言すると、カプラコイルＣＣはアンテナモジュールＡＭ及びそのモジュールアンテナを取り囲む−そして、モジュールアンテナＭＡはカプラコイルＣＣと実質的に同一平面となる。これは、例えば、US6,378,774(２００２、凸版)の図３Ｂ、そこでは、チップ（６）に接続されているコイル（８）がカプラコイル（３）の上方に配置されている、と対照的である。図４において、図３Ａ〜３ＤにブースターアンテナＢＡの一部のみが示されたことと同様に、図解の明瞭さのため、カードＣＢ及びブースターアンテナＢＡの部分のみが示されている。

本発明について限定された数の実施形態に関連して記載したが、これらは本発明の範囲を限定するものとして解釈されるべきでなく、幾つかの実施形態の例示として解釈されるべきである。当業者であれば、本明細書の開示事項に基づいて、本発明の範囲内である、他の変形、改良、手段を思いつくことができるであろう。

Claims (15)

1. 少なくとも１つの面と、周辺と、を備えた基体（ＣＢ）と、
   前記基体（ＣＢ）の少なくとも１つの面に配置され、前記基体（ＣＢ）の周辺に沿って延びるブースターアンテナ（ＢＡ）であって、外側端（ｂ）と内側端（ａ）を有する外側巻線（ＯＷ）と、外側端（ｆ）と内側端（ｅ）を有する内側巻線（ＩＷ）と、を含むブースターアンテナ（ＣＢ）と、
   カード本体（ＣＢ）に配置されたカプラコイル（ＣＣ）であって、２つの端部（ｃ、ｄ）を備え、一方の端部が外側巻線（ＯＷ）に連結され、他方の端部が内側巻線（ＩＷ）に接続されているカプラコイル（ＣＣ）と、
   を備えたデータキャリアであって、
   前記カプラコイル（ＣＣ）の一端（ｃ）は、前記外側巻線（ＯＷ）の外側端（ｂ）と接続されており、
   前記カプラコイル（ＣＣ）の他端（ｄ）は、前記内側巻線（ＩＷ）の内側端（ｅ）と接続されており、
   前記外側巻線（ＯＷ）の内側端（ａ）及び前記内側巻線（ＩＷ）の外側端（ｆ）は非接続状態にある、
   データキャリア。
2. 前記外側巻線（ＯＷ）と前記内側巻線（ＩＷ）は、前記カプラコイル（ＣＣ）を介して、互いに逆相で接続されている、
   請求項１に記載のデータキャリア。
3. 外側巻線（ＯＷ）、内側巻線（ＩＷ）、ないし、カプラコイル（ＣＣ）の各々の向きは、時計回り（ＣＷ）あるいは反時計回り（ＣＣＷ）から選択された反対の第１の向き及び第２の向きの１つであり、
   前記外側巻線（ＯＷ）及び前記内側巻線（ＩＷ）の少なくとも１つは、前記２つの反対の向きのうちの第１の向きを示し、
   前記カプラコイル（ＣＣ）は前記２つの反対の向きのうちの第２の向きを示す、
   請求項１に記載のデータキャリア。
4. 前記カプラコイル（ＣＣ）の一方の端部（ｃ）は、当該カプラコイルの外側端（ＯＥ）である、請求項１に記載のデータキャリア。
5. 前記カプラコイル（ＣＣ）の他方の端部（ｃ）は、当該カプラコイルの外側端（ＯＥ）である、請求項１に記載のデータキャリア。
6. 前記外側巻線（ＯＷ）は複数のターンを有し、
   前記内側巻線（ＩＷ）は複数のターンを有し、
   前記カプラコイル（ＣＣ）は、前記外側巻線（ＯＷ）及び前記内側巻線（ＩＷ）の少なくとも１つよりも多い数のターンを有している、
   請求項１に記載のデータキャリア。
7. 前記外側巻線（ＯＷ）は第１のピッチを有し、
   前記内側巻線（ＩＷ）は第２のピッチを有し、
   前記カプラコイル（ＣＣ）は、前記第１のピッチ及び前記第２のピッチの少なくとも１つよりも大きくない第３のピッチを有している、
   請求項１に記載のデータキャリア。
8. さらに、アンテナモジュール（ＡＭ）を備え、
   前記アンテナモジュール（ＡＭ）は、前記カード本体（ＣＢ）上に配置した、少なくとも1つのチップないしチップモジュール（ＣＭ）と、モジュールアンテナ（ＭＡ）と、を備え、前記モジュールアンテナ（ＭＡ）が前記カプラコイル（ＣＣ）と誘導的に結合するようになっている、
   請求項１に記載のデータキャリア。
9. 前記モジュールアンテナ（ＭＡ）は、前記カプラコイル（ＣＣ）内に配置されている、請求項８に記載のデータキャリア。
10. 前記アンテナモジュール（ＡＭ）は、前記カード本体（ＣＢ）の凹部に配置されており、前記モジュールアンテナ（ＭＡ）は前記カプラコイル（ＣＣ）と実質的に同一面となっている、請求項８に記載のデータキャリア。
11. 外部リーダとデータキャリアの間のＲＦ結合を向上させる方法であって、
    前記データキャリアは、基体（ＣＢ）と、前記基体（ＣＢ）の周辺に沿って配置された外側巻線（ＯＷ）と内側巻線（ＩＷ）を有する基体（ＣＢ）上のブースターアンテナ（ＢＡ）と、前記外側巻線（ＯＷ）と前記内側巻線（ＩＷ）の端部に接続されたカプラコイル（ＣＣ）と、ＲＦＩＤチップ（ＣＭ）とモジュールアンテナ（ＭＡ）を有する前記基体（ＣＢ）上のアンテナモジュール（ＡＭ）と、を備え、
    前記ブースアーアンテナ（ＢＡ）を、前記外側巻線（ＯＷ）と前記内側巻線（ＩＷ）が互いに逆相で接続された準ダイポールアンテナとして構成することを特徴とする、方法。
12. 前記外側巻線（ＯＷ）は、外側端（ｂ）と内側端（ａ）を有し、
    前記内側巻線（ＩＷ）は、外側端（ｆ）と内側端（ｅ）を有し、
    前記内側巻線（ＩＷ）の内側端（ｅ）は、前記カプラコイル（ＣＣ）を介して、前記外側巻線（ＯＷ）の外側端（ｂ）と接続されており、
    前記外側巻線（ＯＷ）の内側端（ａ）、前記内側巻線（ＩＷ）の外側端（ｆ）は、接続されていない、
    請求項１１に記載の方法。
13. 前記外側巻線（ＯＷ）、前記内側巻線（ＩＷ）、前記カプラコイル（ＣＣ）は渦巻として形成されており、各々は、時計回り（ＣＷ）及び反時計回り（ＣＣＷ）として定義された２つの反対の向きの１つを示し、
    前記外側巻線（ＯＷ）は、前記２つの向きのうちの第１の向きを示し、
    前記内側巻線（ＩＷ）は、前記２つの向きのうちの第１の向きを示し、
    前記カプラコイル（ＣＣ）は、前記２つの向きのうちの、前記第１の向きと反対の第２の向きを示す、
    請求項１１に記載の方法。
14. 前記外側巻線（ＯＷ）は、ピッチを有し、
    前記内側巻線（ＩＷ）は、前記外側巻線のピッチと実質的に同じピッチを有し、
    前記カプラコイル（ＣＣ）は、前記外側巻線（ＯＷ）及び前記内側巻線（ＩＷ）のピッチよりも大きくないピッチを有している、
    請求項１１に記載の方法。
15. 前記外側巻線（ＯＷ）は複数のターンを有し、
    前記内側巻線（ＩＷ）は、前記外側巻線（ＯＷ）のターン数と実質的に同じ複数のターンを有し、
    前記カプラコイル（ＣＣ）は、前記外側巻線（ＯＷ）及び前記内側巻線（ＩＷ）のターン数よりも多い数のターンを有している、
    請求項１１に記載の方法。

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