JP2014527013A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 少なくとも原料物質を含んでいる坩堝；並びに
   約２００Ｗ／（ｍ・ｋ）より大きい熱伝導度を有している物質で作られた熱除去バルブ；及び
   冷却液注入管及び冷却液排出管（ここで、冷却液注入管、冷却液排出管、又はその両方は冷却液がそこを通って循環するように熱除去バルブに取り付けられている）：を含んでいる：
   坩堝の下を垂直に移動可能な液冷式熱交換機：を含んでいる、
   結晶性インゴットを成長させる結晶成長炉。
2. 冷却液が水を含んでいる、請求項１に記載の結晶成長炉。
3. 物質が、原料物質の融点未満の融点を有している、請求項１に記載の結晶成長炉。
4. 液冷式熱交換機が坩堝との熱接触内へ垂直に移動可能である、請求項１に記載の結晶成長炉。
5. 坩堝が坩堝支持体の上にあって液冷式熱交換機が坩堝支持体との熱接触内垂直に移動する、請求項１に記載の結晶成長炉。
6. 坩堝支持体が、熱除去バルブを受け取る大きさ及び形状の開口部を含んでいて、熱除去バルブが開口部内を垂直に移動可能である、請求項５に記載の結晶成長炉。
7. 坩堝が、坩堝支持体の上にある坩堝ボックス内に収容され、そして液冷式熱交換機が坩堝支持体との熱接触内を垂直に移動可能である、請求項１に記載の結晶成長炉。
8. 坩堝支持体が熱除去バルブを受け取る大きさ及び形状の開口部を含み、そして熱除去バルブが開口部内を垂直に移動可能である、請求項７に記載の結晶成長炉。
9. 液冷式熱交換機が封管外部ジャケット内にある、請求項１に記載の結晶成長炉。
10. 液冷式熱交換機が封管外部ジャケット内を坩堝との熱伝達内へ垂直移動可能である、請求項９に記載の結晶成長炉。
11. 少なくとも原料物質を含んでいる坩堝を結晶成長炉内に置くこと；
    坩堝の下を垂直に移動可能な液冷式熱交換機の中に冷却液を循環させること（ここで、液冷式熱交換機は、約２００Ｗ／（ｍ・ｋ）より大きい熱伝導度を有している物質で作られた熱除去バルブ、冷却液注入管及び冷却液排出管（ここで、冷却液注入管、冷却液排出管、又はその両方は、冷却液がその中を循環するように熱除去バルブに取り付けられている）を含んでいる）；
    坩堝内の少なくとも原料物質を加熱及び溶融すること；及び
    結晶性インゴットの成長を促進するために、液冷式熱交換機を坩堝との熱伝達内へ垂直に移動すること：
    の工程を含んでいる、結晶成長炉で結晶性インゴットを製造する方法。