JP2014526694A - 圧電圧力センサ - Google Patents
圧電圧力センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014526694A JP2014526694A JP2014530291A JP2014530291A JP2014526694A JP 2014526694 A JP2014526694 A JP 2014526694A JP 2014530291 A JP2014530291 A JP 2014530291A JP 2014530291 A JP2014530291 A JP 2014530291A JP 2014526694 A JP2014526694 A JP 2014526694A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure sensor
- layer
- electrodes
- piezoelectric
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 12
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 12
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 12
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 8
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 claims description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PBZHKWVYRQRZQC-UHFFFAOYSA-N [Si+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O Chemical compound [Si+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O PBZHKWVYRQRZQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 4
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 4
- KUJYDIFFRDAYDH-UHFFFAOYSA-N 2-thiophen-2-yl-5-[5-[5-(5-thiophen-2-ylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophene Chemical compound C1=CSC(C=2SC(=CC=2)C=2SC(=CC=2)C=2SC(=CC=2)C=2SC(=CC=2)C=2SC=CC=2)=C1 KUJYDIFFRDAYDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 3
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 3
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 125000000025 triisopropylsilyl group Chemical group C(C)(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)* 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 229920000131 polyvinylidene Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/008—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using piezoelectric devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/16—Measuring force or stress, in general using properties of piezoelectric devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
- G01L9/06—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of piezo-resistive devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/08—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of piezoelectric devices, i.e. electric circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
- H10N30/302—Sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/857—Macromolecular compositions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
半導体層（５）で部分的に覆われた２つの電極（３、４）を有する下部基板（２）と、半導体材料がその上に堆積された圧電材料及び２つの電極（３、４）と接触するように半導体層（５）と接触している、圧電材料で作られた圧電層（９）と、を含む圧力センサ（１）。電極（３、４）は、電源又は電極（３、４）間の半導体層（５）における電荷の移動によって生じる電流強度を測定するための装置に接続されるように意図され、前記電荷は圧力が前記圧電層（９）にかけられるときに生成される。
Description
本発明は、圧力センサに関し、より具体的には圧電材料を含む圧力センサに関する。
圧力、つまり表面に加えられる力を測定するために、様々なタイプの圧力センサを使用することがよく知られている。
最新の圧力センサは、歪みゲージセンサである。このようなセンサは、ピエゾ抵抗効果、つまり歪みゲージと呼ばれるレジスタの特性への圧力の効果を実現することによって作動する。歪みゲージの幾何学的変化は、その抵抗の変化と解釈される。このようなセンサは、例えば変形可能検査体上のホイートストンブリッジとして組み立てられた、ワイヤゲージ、ホイル歪みゲージ、又は半導体ゲージなどの４つの歪みゲージを含む。ゲージ抵抗の変化はそして、検査体にかかる圧力を決定することを可能にする。
しかしながら、このような圧力センサはロバストかつ信頼性は高いが、それらの感度は低い。
ダイヤフラム、固定金属板、絶縁材料、及び誘電体から形成された可変容量の圧力センサもまた知られている。２つの金属板、つまりダイヤフラムと固定板との間の容量は、それらを分離する距離が変化するとき、つまり圧力がダイヤフラムにかけられるときに変更される。
このタイプの可変容量圧力センサでは、金属ダイヤフラムと固定金属板との間の容量変化を測定することができ、通常非常に安定で線形である；しかしながら、このような容量は高温に敏感であり、大部分の圧力センサよりも導入がより複雑である。
最後に、圧電原理に応じて作動する圧電圧力センサもまた知られている。従って、石英などの圧電材料は例えば、前記材料が圧力などの機械的歪みにさらされるときに帯電される。帯電は、圧電材料にかかる力に比例し、ピコファラッドで測定される。
従って、圧電圧力センサを用いて圧力を測定するために、圧電材料を横切って出現する電圧が測定される必要がある。
しかしながら、小さな電圧の変化を測定することは特に困難であり、故にこのような圧電圧力センサは、低い感度を有するとみなされ、つまり低い圧力又は低い圧力変化を測定することができないとみなされる。
本発明の目的の１つは、単純かつ安価な設計の圧電材料を含む圧力センサを提供し、かつ高い測定感度を提供することで、このような圧電圧力センサの欠点を解消することである。
この目的のために、本発明によると、圧電材料を含む圧力センサが提供される。このセンサは、その上に堆積される半導体層で部分的に覆われる２つの電極を有する下部基板と、半導体材料が圧電材料及び２つの電極と接触するように半導体層と接触して配置される圧電層と、を含む。圧電層は、電極と組織的に（ｓｙｓｔｅｍａｔｉｃａｌｌｙ）接触する。前記電極は、電源又は電極間の半導体層にある電荷の移動によって生じる電流強度を測定するための装置に接続されるように意図され、前記電荷は圧力が圧電層にかけられるときに生成される。
本発明による圧力センサが、圧力が圧電層にかけられるときに生成された電荷を、それと電気的に接触する半導体内に移動させることができることは、当然である。
２つの前述の電極間の電圧の印加により、電荷を半導体内に移動させ、かつ印加圧力に比例して電流を回復させる（ｒｅｃｏｖｅｒ）ことができ、その電流測定は従来技術の圧電センサで使用される電圧測定よりもさらに信頼性が高い。
本発明の一実施形態によると、センサはさらに、圧電層と半導体層との間に局所的に挿入された、誘電材料で作られた誘電体層を含む。
本発明による圧力センサの有利な特徴によると、圧電層は、かけられる圧力の方向に沿って整列した双極子を含み、それは集結する電荷の数を増加させることができ、故にセンサ感度を増大させることができる。このような整列は、センサを使用する前に一度のみ実施され得る。圧電層の双極子は、有利には、賢明に選択された（ｊｕｄｉｃｉｏｕｓｌｙ−ｓｅｌｅｃｔｅｄ）電極間に電場を印加することによって整列される。
好ましくは、電極間に印加される電場は、２０分から８時間の間の時間にわたって、４０から６０℃の温度範囲において、０．３から０．７ボルト／マイクロメートルの範囲である。実際に、その温度は電荷移動を向上させ、故により速い及び／又はより完璧な整列が得られる。
さらに、下部基板は有利には、ガラス、ドープされた又はドープされていないシリコン、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート、アクリレートなどのポリマーを含む群から選択された材料で作られる。
好ましくは、半導体層は、
−テトラセン、ペンタセン、フタロシアニンなどの半導体有機分子
−ポリチオフェン、ポリフルオレン、ポリフェニレンビニレンなどの半導体ポリマー、又はポリ（３−オクチル）、チオフェン、ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチル−ヘキシルオキシ）−１，４−］、フェニレン、ビニレンなどのその誘導体、あるいはα−セキシチオフェンなどのオリゴマー
を含む群から選択された材料で作られる。
−テトラセン、ペンタセン、フタロシアニンなどの半導体有機分子
−ポリチオフェン、ポリフルオレン、ポリフェニレンビニレンなどの半導体ポリマー、又はポリ（３−オクチル）、チオフェン、ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチル−ヘキシルオキシ）−１，４−］、フェニレン、ビニレンなどのその誘導体、あるいはα−セキシチオフェンなどのオリゴマー
を含む群から選択された材料で作られる。
さらに、圧電層は有利には、ポリフッ化ビニリデン（フッ素化ポリビニリデン）、ポリフッ化ビニリデンコポリマー、及びＬＺＴ（鉛−亜鉛−チタン酸化物）を含む群から選択された材料で作られる。
特に有利な方法では、本発明による圧力センサはさらに、
−半導体層上に堆積された誘電体層と、
−誘電体層の上部面に堆積されたゲート電極と、
−誘電体層及びゲート電極の上部層に堆積された絶縁層と、
を含み、圧電層は、圧電材料が半導体材料及び２つの電極と接触するように、半導体層／誘電体層／ゲート電極／絶縁層のアセンブリ上に堆積されている。
−半導体層上に堆積された誘電体層と、
−誘電体層の上部面に堆積されたゲート電極と、
−誘電体層及びゲート電極の上部層に堆積された絶縁層と、
を含み、圧電層は、圧電材料が半導体材料及び２つの電極と接触するように、半導体層／誘電体層／ゲート電極／絶縁層のアセンブリ上に堆積されている。
このような圧力センサはそして、「高ゲート」型電界効果トランジスタ構造を有し、故に、同一の部品が、圧電層に圧力がかかっていないときにトランジスタとして使用され得、前記圧電層上に圧力がかかったときに感圧センサとなる。
好ましくは、誘電材料は、二酸化ケイ素、硝酸ケイ素（ｓｉｌｉｃｏｎ ｎｉｔｒａｔｅ）、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、ポリイミド、ポリビニル、ピロリドン、ポリメチルメタクリレート、ポリアミド、パリレン、ポリスチレン、フルオロポリマーを含む群から選択された材料で作られる。
さらに電極は、アルミニウム、チタン、ニッケル、金、クロムなどの金属、金属粒子、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物などの金属酸化物、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレン、スルホネート（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）若しくはポリアニリンなどの導電性ポリマー、又はドープされたシリコン材料を含む群から選択された材料で作られる。
前述及び他の特徴及び利点は、添付図面と組み合わせて、本発明による圧電材料を含む圧力センサの特定の実施形態の以下の非限定的な説明において詳細に議論される。
明確性のために、以下の説明において、異なる図面において同一の要素は同一の参照符号で示されている。さらに、様々な断面図は、必ずしも縮尺通りではない。
図１及び２を参照すると、本発明による圧力センサ１は、上に２つの電極３、４、それぞれソース電極３及びドレイン電極４が堆積された下部基板２を含む。
下部基板２は、以下のリスト：ガラス、ドープされた又はドープされていないシリコン基板、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート、アクリレートなどのポリマー、から選択された材料で作られる。
しかしながら、下部基板２が当業者によってよく知られた任意の他の材料でも得られ得ることは明らかであろう。
さらに、ソース及びドレイン電極３及び４は、アルミニウム、チタン、ニッケル、金、クロムなどの金属、金属粒子、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物などの金属酸化物、あるいは３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレン、スルホネート（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、ポリアニリンなどの導電性ポリマー、ドープされたシリコン材料、又は当業者によってよく知られた任意の他の適切な導電性材料で作られる。
前記ソース及びドレイン電極３及び４は、半導体材料で作られた半導体層５で部分的に覆われる。さらに、誘電材料で作られた誘電体層６が、半導体層５上に堆積される。
前記半導体層５は、有利には、テトラセン、ペンタセン、フタロシアニンなどの半導体有機材料、ポリチオフェン、ポリフルオレン、ポリフェニレンビニレンなどの半導体ポリマー、又はポリ（３−オクチル）、チオフェン、ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチル−ヘキシルオキシ）−１，４−］、フェニレン、ビニレンなどのその誘導体、あるいはα−セキシチオフェンなどのオリゴマー、で作られる。
しかしながら、半導体層５はまた、本発明の文脈から逸脱することなく、例えばシリコン又はガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などの当業者によってよく知られた半導体無機材料で作られ得る。
前記誘電体層６は、二酸化ケイ素、硝酸ケイ素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、二酸化ハフニウム、又は再度、ポリイミド、ポリビニル、ピロリドン、ポリメチルメタクリレート、ポリアミド、パリレン、ポリスチレン、フルオロポリマー、又は当業者によってよく知られた任意の誘電材料で作られる。
センサはさらに、誘電体層６の上部面に堆積されたゲート電極７を含む。ゲート電極７及び誘電体層６は、電気的絶縁を提供する絶縁層８で覆われる。
圧電材料で作られた圧電層９は、半導体層５の半導体材料が一方で圧電層９の圧電材料と接触し、他方でソース、ドレイン、及びゲート電極３、４及び７と接触するように、絶縁層８、誘電体層６及び半導体層５によって形成されたアセンブリ上に堆積される。
圧電層９は、ゲート電極７から電気的に絶縁される。
ゲート電極７は、ソース及びドレイン電極３及び４を形成する材料と同一の性質の材料で作られる。
絶縁層８は、層６を形成する材料から選択された誘電材料を堆積することによって得られ（上記参照）、圧電層９は、以下のリスト：ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ＰＶＤＦ−ＴｒＦＥ若しくはＰＶＤＦ−ＴＦＥなどのポリフッ化ビニリデンコポリマー、又は当業者によってよく知られた圧電特性を有する任意の他の材料、から選択された材料で作られる。
圧電層９は好ましくは、１から４０マイクロメートルの範囲の厚さを有し、前記厚さは特に、測定される圧力値、つまりその桁、及び圧電層９を形成する圧電材料の性質によって決まる。これらの２つの因子によって圧電層の厚さを適合させることは、当業者の能力の範囲内である。
さらに、圧電層９は整列された双極子を含み、前記双極子は測定される圧力の方向に整列している。圧電層９の堆積後、双極子は不規則である。圧電層９の双極子を整列させるために、電場Ｅが２つの電極間、ソース電極３とドレイン電極４との間に、例えば圧電層９の厚さのマイクロメートル毎に０．３Ｖ．ｍ−１から０．７Ｖ．ｍ−１の範囲の値で、２０分から８時間の範囲の持続時間にわたって４０から６０℃の温度で加えられる。
こうして規定された圧力センサ１は「高ゲート」及び「低接触」電界効果有機トランジスタ構造を有することが観察され得る。従って、圧力が前記センサにかかっていないとき、後者は有利には通常、電界効果有機トランジスタとして作動し得る。
本発明による圧力センサ１の作動は、図３Ａ〜図３Ｃ、図４及び図５と関連して、一実施形態に基づいて以下に説明される。
図３Ａを参照すると、圧力センサ１は、略１２５マイクロメートルの厚さを有するポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）基板上に金を３ナノメートル堆積することによって得られる。金層は次いでエッチングされ、ソース電極３及びドレイン電極４を画定する。
ソース及びドレイン電極３及び４を部分的に覆う、略９０ナノメートルの厚さを有するトリイソプロピルシリル（ＴＩＰＳ）ペンタセンで作られた半導体層５が次いで、グラビア印刷によって堆積される。この層は次いで、例えば略８００ナノメートルの厚さを有する商品名：ＣＹＴＯＰ（登録商標）として販売されているフルオロポリマーで作られた誘電体層６で覆われる。
そして、５０ナノメートルの金が前記誘電体層６上に堆積され、ゲート電極７を形成し、続いて略１マイクロメートルの厚さのＣＹＴＯＰ（登録商標）で作られた絶縁層が堆積され、その後、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、又はＰＶＤＦ−ＴｒＦＥ若しくはＰＶＤＦ−ＴＦＥなどのポリフッ化ビニリデンコポリマーで作られた圧電層９が、略１マイクロメートルの厚さで堆積される。
圧電層９の双極子を整列させて横方向の圧力測定を可能にするために、つまり圧電層９の側縁にかけられた圧力を測定するために、電場Ｅがソース及びドレイン電極３及び４の間に印加される。電場Ｅは０．５−Ｖ／μｍの強度を有し、５０℃の温度で３０分間印加される。
図３Ｂを参照すると、圧電層９の双極子は次いで、下部基板２に平行に整列される。
圧力が圧電層９の側縁の一方にかけられるとき、図３Ｃを参照すると、電荷１０が圧点のレベルで前記圧電層に生成される。ドレイン電極４とソース電極３との間にＶＤＳと呼ばれる電圧を印加することによって、電荷１０が半導体層５内に移動し、ソース電極３とドレイン電極４との間に位置する伝導チャネル１１を介して流れる。
半導体層５の伝導チャネル１１における電荷１０の移動は、ソース及びドレイン電極３及び４を横切って測定される電流ＩＤＳの増加を誘導する。
図４に見られるように、ソース及びドレイン電極３及び４を横切って測定される電流ＩＤＳは、圧電層９の側縁にかけられる圧力に比例する。従って、圧電層９にかけられる横方向の圧力の増加は、半導体層５の伝導チャネル１１に作られかつその中を移動する電荷による電流ＩＤＳの比例的な増加を生じさせる。
垂直方向の圧力の測定を可能にするために、図５を参照すると、圧電層９の双極子を垂直に整列させることが事前に必要である。この目的のために、電極１２が圧電層９の上部面に配置され、その後に、電場Ｅが前記電極１２と電極３との間、又は電極１２と電極４との間、あるいは電極１２と電極３及び４との間に印加される。電場Ｅは０．５−Ｖ／μｍの強度を有し、５０℃の温度で３０分から数時間にわたって印加される。
圧電層９の双極子は次いで、垂直方向に整列される。圧電層９の上部面に圧力がかけられるとき、圧点のレベルで圧電層９に電荷１０が生成される。
上記と同様に、ドレイン電極４とソース電極３との間にＶＤＳと呼ばれる電圧を印加することによって、電荷１０は半導体層５内に移動し、ソース電極３とドレイン電極４との間に位置する伝導チャネル１１を介して流れる。半導体層の伝導チャネル１１における電荷１０の移動は、ソース及びドレイン電極３及び４を横切って測定される電流ＩＤＳの増加を生じさせるが、前記電流ＩＤＳの増加は、圧電層９の上部面にかけられる圧力に比例する。
圧電層９の双極子を垂直方向に整列させるために、電場Ｅを印加するのに電極１２の代わりにゲート電極７が使用され得ることに留意すべきである。しかしながら、そのとき双極子の整列は完全に垂直ではなく、後者がトランジスタとして作動する場合、つまり圧電層の上部面に圧力がかけられない場合、圧電層９の双極子はセンサ性能を変更する浮遊容量を作り出す可能性がある。
本発明による圧力センサの代替実施形態によると、図６及び７を参照して、圧電層９は、前記層９の圧電材料が一方で半導体層５の半導体材料と接触し、他方でソース及びドレイン電極３及び４と接触するように、半導体層５上に堆積される。
図８に示された代替的実施によると、誘電体層６が圧電層９と半導体層５との間に導入される。それによって、以下の作動モードが使用できる：
・図６に関連して示された実施形態と同等の、いわゆる「センサ」モード作動；
・圧電層９がゲートの役割を果たす場合のいわゆる「トランジスタ」作動。ここでのゲート電圧の通常の調整は、圧電層における圧力調整であり、それは容量効果によって、電極３及び４の間の電荷移動チャネルを多かれ少なかれ開放する。
・図６に関連して示された実施形態と同等の、いわゆる「センサ」モード作動；
・圧電層９がゲートの役割を果たす場合のいわゆる「トランジスタ」作動。ここでのゲート電圧の通常の調整は、圧電層における圧力調整であり、それは容量効果によって、電極３及び４の間の電荷移動チャネルを多かれ少なかれ開放する。
上記の通り、圧電層９は整列された双極子を含み、前記双極子は測定される圧力の方向に整列している。圧電層９の双極子を整列させるために、電場Ｅがソース電極３とドレイン電極４との間に、例えば圧電層９の厚さのマイクロメートル毎に０．３から０．７Ｖ．ｍ−１の範囲の強度で、２０分から８時間の範囲の持続時間にわたって４０から６０℃の温度で加えられる。
センサ作動は、この代替的な圧力センサの実行が有機電界効果トランジスタとして作動できないことを除いて、上記センサの作動と完全に同一である。
最後に、提示された実施例は特定の例示のみであって、それらが決して本発明の応用分野を制限しないことは明らかである。従って、図９に示すように、「低ゲート」トランジスタ構造を有する本発明による圧力センサを形成することも可能である。
１ 圧力センサ
２ 下部基板
３ ソース電極
４ ドレイン電極
５ 半導体層
６ 誘電体層
７ ゲート電極
８ 絶縁層
９ 圧電層
１０ 電荷
１１ 伝導チャネル
１２ 電極
２ 下部基板
３ ソース電極
４ ドレイン電極
５ 半導体層
６ 誘電体層
７ ゲート電極
８ 絶縁層
９ 圧電層
１０ 電荷
１１ 伝導チャネル
１２ 電極
Claims (13)
- 圧電材料を含む圧力センサ（１）であって、半導体材料で作られた半導体層（５）で部分的に覆われた２つの電極（３、４）がその上に堆積された少なくとも１つの下部基板（２）と、半導体材料が圧電材料及び２つの電極（３、４）と接触するように前記半導体層（５）と接触している、圧電材料で作られた圧電層（９）と、を含み、前記圧電層は前記電極と組織的に接触しており、前記電極（３、４）は、電源又は前記電極（３、４）間の前記半導体層（５）における電荷（１０）の移動によって生じる電流強度を測定するための装置に接続されることができ、前記電荷（１０）は圧力が前記圧電層（９）にかけられるときに生成される、圧力センサ（１）。
- 前記圧電層（９）と前記半導体層（５）との間に局所的に挿入された、誘電材料で作られた誘電体層（６）をさらに含む、請求項１に記載の圧力センサ（１）。
- 前記半導体層（５）上に堆積された誘電材料で作られた誘電体層（６）と、前記誘電体層（６）の上部面に堆積されたゲート電極（７）と、前記誘電体層（６）及び前記ゲート電極（７）の上部面に堆積された絶縁層（８）と、を含み、前記圧電層（９）は、圧電材料が前記半導体材料及び前記２つの電極（３、４）と接触するように、半導体層（５）／誘電体層（６）／ゲート電極（７）／絶縁層（８）のアセンブリ上に堆積される、請求項１に記載の圧力センサ（１）。
- 前記圧電層（９）は、かけられる圧力の方向に沿って整列された双極子を含む、請求項１から３の何れか１項に記載の圧力センサ。
- 前記圧電層（９）の双極子は、前記電極（３、４）間の電場Ｅの印加によって整列される、請求項４に記載の圧力センサ。
- 前記圧電層（９）は別の電極（１２）を受け入れ、電場Ｅは電極（１２）と前記基板上に堆積された２つの電極（３、４）の一方、他方、又は前記２つの電極（３、４）との間に印加される、請求項４に記載の圧力センサ。
- 前記電極（３、４）の間、又は電極（１２）と前記電極（３、４）の一方、他方、若しくは前記２つの電極（３、４）との間に印加される電場Ｅは、２０分から８時間の時間にわたって４０から６０℃の範囲の温度で、０．３から０．７ボルト／マイクロメートルの範囲である、請求項５又は６に記載の圧力センサ。
- 前記下部基板（２）は、ガラス、ポリカーボネート、ドープされた又はドープされていないシリコン、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）及びアクリレートなどのポリマーを含む群から選択された材料で作られる、請求項１から７の何れか１項に記載の圧力センサ。
- 前記半導体層（５）は、テトラセン、ペンタセン、フタロシアニンなどの半導体有機分子、ポリチオフェン、ポリフルオレン、ポリフェニレンビニレンなどの半導体ポリマー、又はポリ（３−オクチル）、チオフェン、ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチル−ヘキシルオキシ）−１，４−］、フェニレン、ビニレンなどのその誘導体、あるいはα−セキシチオフェンなどのオリゴマーを含む群から選択された材料で作られる、請求項１から８の何れか１項に記載の圧力センサ。
- 前記圧電層（９）は、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ＰＶＤＦ−ＴｒＦＥ若しくはＰＶＤＦ−ＴＦＥなどのポリフッ化ビニリデンコポリマー、及びＬＺＴ（鉛−亜鉛−チタン酸化物）を含む群から選択された材料で作られる、請求項１から９の何れか１項に記載の圧力センサ。
- 前記誘電体層（６）は、二酸化ケイ素、硝酸ケイ素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、二酸化ハフニウム、ポリイミド、ポリビニル、ピロリドン、ポリメチルメタクリレート、ポリアミド、パリレン、ポリスチレン、及びフルオロポリマーを含む群から選択された材料で作られる、請求項２に記載の圧力センサ。
- 前記絶縁層（８）は、二酸化ケイ素、硝酸ケイ素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、二酸化ハフニウム、ポリイミド、ポリビニル、ピロリドン、ポリメチルメタクリレート、ポリアミド、パリレン、ポリスチレン、及びフルオロポリマーを含む群から選択された材料で作られる、請求項３に記載の圧力センサ。
- 前記電極（３、４、７）は、アルミニウム、チタン、ニッケル、金、クロムなどの金属、金属粒子、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物などの金属酸化物、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレン、スルホネート（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）若しくはポリアニリンなどの導電性ポリマー、又はドープされたシリコン材料を含む群から選択された材料で作られる、請求項１から１２の何れか１項に記載の圧力センサ。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1158179A FR2979991B1 (fr) | 2011-09-14 | 2011-09-14 | Capteur de pression piezoelectrique |
| FR1158179 | 2011-09-14 | ||
| PCT/FR2012/051843 WO2013038083A1 (fr) | 2011-09-14 | 2012-08-03 | Capteur de pression piezoelectrique |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014526694A true JP2014526694A (ja) | 2014-10-06 |
| JP6008970B2 JP6008970B2 (ja) | 2016-10-19 |
Family
ID=46724539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014530291A Expired - Fee Related JP6008970B2 (ja) | 2011-09-14 | 2012-08-03 | 圧電圧力センサ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9196820B2 (ja) |
| EP (1) | EP2756278B1 (ja) |
| JP (1) | JP6008970B2 (ja) |
| KR (1) | KR20140072027A (ja) |
| FR (1) | FR2979991B1 (ja) |
| WO (1) | WO2013038083A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017065306A1 (ja) * | 2015-10-16 | 2017-04-20 | 学校法人東京理科大学 | 半導体材料、導電性層にキャリアを生じさせる方法、熱電変換素子、及びスイッチング素子 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101515030B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2015-04-24 | 연세대학교 산학협력단 | 압전 구조체 및 그 제조방법 |
| FR3024677B1 (fr) * | 2014-08-11 | 2021-08-06 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un dispositif multicouche electroactif |
| CN104792255B (zh) * | 2015-05-06 | 2018-06-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种膜厚测试装置及膜厚测试方法 |
| WO2016207751A1 (en) | 2015-06-26 | 2016-12-29 | Sabic Global Technologies B.V. | Integrated piezoelectric cantilever actuator and transistor for touch input and haptic feedback applications |
| CN105203019B (zh) * | 2015-10-19 | 2018-05-29 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种柔性有源压力/应变传感器结构及其制作方法 |
| US10353503B2 (en) | 2015-10-29 | 2019-07-16 | Texas Instruments Incorporated | Integrated force sensing element |
| CN105974637B (zh) * | 2016-07-22 | 2019-03-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置及其触摸位置检测方法 |
| CN106328716A (zh) * | 2016-08-26 | 2017-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管和利用其检测压力的方法、以及触控装置 |
| WO2018049101A1 (en) * | 2016-09-12 | 2018-03-15 | Schlereth Fritz H | Improved piezoelectric sensors and quartz crystal monitors |
| CN107195665B (zh) * | 2017-06-23 | 2019-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置 |
| CN107563273B (zh) * | 2017-07-06 | 2021-07-27 | 业泓科技(成都)有限公司 | 超声波感测模组及其制作方法、电子装置 |
| CN107462350B (zh) * | 2017-08-17 | 2020-02-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种压电传感器、压力检测装置、制作方法及检测方法 |
| US10431557B2 (en) * | 2018-03-05 | 2019-10-01 | International Business Machines Corporation | Secure semiconductor chip by piezoelectricity |
| DE102018221051A1 (de) * | 2018-04-05 | 2019-10-10 | Continental Reifen Deutschland Gmbh | Vorrichtung zum Messen einer mechanischen Kraft, umfassend eine erste, zweite, dritte, vierte und fünfte Schicht sowie die Verwendungen der Vorrichtung und Reifen oder technischer Gummiartikel umfassend die Vorrichtung |
| CN109212806A (zh) * | 2018-10-08 | 2019-01-15 | 新辉开科技（深圳）有限公司 | 一种动态压力感知的液晶显示模组及其加工方法 |
| IT201900001925A1 (it) * | 2019-02-11 | 2020-08-11 | St Poligrafico E Zecca Dello Stato S P A | Matrice di sensori e procedimento per la sua fabbricazione |
| KR102188942B1 (ko) | 2019-05-07 | 2020-12-09 | 한국화학연구원 | 페이스트 조성물과 이의 제조방법, 및 이로부터 제조되는 압전형 압력센서와 이의 제조방법 |
| KR102256241B1 (ko) * | 2019-07-25 | 2021-05-27 | 한국과학기술연구원 | 전단 및 수직 응력 감지 센서 및 이의 제조 방법 |
| EP4231905A4 (en) * | 2020-10-23 | 2024-04-24 | Ampullae Inc | PRESSURE SENSING GUIDEWIRE |
| CN113483922B (zh) * | 2021-05-21 | 2023-03-31 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 带有力敏薄膜的条带式柔性线阵压力传感器、智能工装夹具及力敏薄膜制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5510992B1 (ja) * | 1969-06-20 | 1980-03-21 | ||
| US4378510A (en) * | 1980-07-17 | 1983-03-29 | Motorola Inc. | Miniaturized accelerometer with piezoelectric FET |
| WO2010022038A2 (en) * | 2008-08-19 | 2010-02-25 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Pressure sensing |
| JP2010245298A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007095390A2 (en) * | 2006-02-14 | 2007-08-23 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for imaging utilizing an ultrasonic imaging sensor array |
-
2011
- 2011-09-14 FR FR1158179A patent/FR2979991B1/fr active Active
-
2012
- 2012-08-03 JP JP2014530291A patent/JP6008970B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-08-03 KR KR1020147004752A patent/KR20140072027A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-08-03 EP EP12750474.4A patent/EP2756278B1/fr active Active
- 2012-08-03 WO PCT/FR2012/051843 patent/WO2013038083A1/fr active Application Filing
-
2014
- 2014-02-12 US US14/178,762 patent/US9196820B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5510992B1 (ja) * | 1969-06-20 | 1980-03-21 | ||
| US4378510A (en) * | 1980-07-17 | 1983-03-29 | Motorola Inc. | Miniaturized accelerometer with piezoelectric FET |
| WO2010022038A2 (en) * | 2008-08-19 | 2010-02-25 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Pressure sensing |
| JP2010245298A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017065306A1 (ja) * | 2015-10-16 | 2017-04-20 | 学校法人東京理科大学 | 半導体材料、導電性層にキャリアを生じさせる方法、熱電変換素子、及びスイッチング素子 |
| JPWO2017065306A1 (ja) * | 2015-10-16 | 2018-09-20 | 学校法人東京理科大学 | 半導体材料、導電性層にキャリアを生じさせる方法、熱電変換素子、及びスイッチング素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140191221A1 (en) | 2014-07-10 |
| WO2013038083A1 (fr) | 2013-03-21 |
| EP2756278B1 (fr) | 2015-06-24 |
| FR2979991B1 (fr) | 2014-04-25 |
| JP6008970B2 (ja) | 2016-10-19 |
| KR20140072027A (ko) | 2014-06-12 |
| FR2979991A1 (fr) | 2013-03-15 |
| EP2756278A1 (fr) | 2014-07-23 |
| US9196820B2 (en) | 2015-11-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6008970B2 (ja) | 圧電圧力センサ | |
| Liu et al. | Ultrasensitive 2D ZnO piezotronic transistor array for high resolution tactile imaging | |
| CN100433042C (zh) | 包括有机场效应晶体管的力传感器，以及基于所述力传感器的压力传感器，位置传感器和指纹传感器 | |
| JP6072069B2 (ja) | 分圧器ブリッジとして２つのコンデンサを含む静電容量式温度センサ | |
| CN104596683A (zh) | 基于层状材料的压力传感器及压电效应测量系统 | |
| JP2013068563A (ja) | 圧力センサ | |
| Lamport et al. | Organic thin film transistors in mechanical sensors | |
| US20150096878A1 (en) | Touch-Sensitive Sensor And Method For Producing Such A Sensor | |
| JP2011242153A (ja) | 歪センサおよび歪み測定方法 | |
| US20230049675A1 (en) | Gas sensor | |
| CN107946369B (zh) | 薄膜晶体管、制备方法、检测器件、阵列基板及显示装置 | |
| Kyaw et al. | A polymer transistor array with a pressure-sensitive elastomer for electronic skin | |
| CN107389256B (zh) | 用于检测压力的电子装置 | |
| KR20170126302A (ko) | 압력 센서 소자 및 압력 센서 소자 제조 방법 | |
| Azmer et al. | VOPcPhO based organic pressure sensor and displacement transducer | |
| US9953202B2 (en) | Nanostructure based super-capacitor for pressure and fingerprint sensor | |
| JP6678992B2 (ja) | 圧力センサ | |
| WO2013146995A1 (ja) | 圧力センサ及び圧力センサモジュール | |
| JP2013068562A (ja) | 圧力センサ | |
| Liu et al. | Ferroelectric Polarization Enhancement of Proximity Sensing Performance in Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors | |
| KR101453857B1 (ko) | 압력 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR101541888B1 (ko) | 감지 디바이스, 감지 디바이스의 제조 방법 및 물리적 자극 감지 방법 | |
| JP7046357B2 (ja) | 温度センサおよびその製造方法 | |
| JP6818296B2 (ja) | カンチレバー構造体及びこれを備えるセンサ並びに製造方法 | |
| JP2019184289A (ja) | 温度センサおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150717 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160425 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160427 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160720 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160815 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160913 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6008970 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |