JP7046357B2 - 温度センサおよびその製造方法 - Google Patents
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2 第一電極層
3 第二電極層
4 半導体高分子層
5 酸化セルロース高分子層
Claims (9)
- プラスチックを含む可撓性の基材と、
前記基材上にパターン形成された第一電極層と、
前記基材上に前記第一電極層から離間してパターン形成された第二電極層と、
平面視で前記第一電極層と前記第二電極層とに重畳する半導体高分子層と、
前記半導体高分子層の少なくとも一部が覆われる酸化セルロース高分子層と、
から構成される温度センサ。 - 前記半導体高分子層はポリ-4-スチレンスルホン酸をドープしたポリ-3,4-エチレンジオキシチオフェン(PEDOT:PSS)膜からなり、
前記酸化セルロース高分子層は酸化セルロースナノファイバからなる、
請求項1に記載の温度センサ。 - 前記第一電極層および/または前記第二電極層は金からなる、
請求項1または請求項2に記載の温度センサ。 - 前記第一電極層および/または前記第二電極層は銀からなる、
請求項1または請求項2に記載の温度センサ。 - 前記第一電極層と前記第二電極層との間に直流電圧が印加され、
前記第一電極層と前記第二電極層の間の電流を計測して抵抗値を算出する、
請求項1から請求項4のいずれかに記載の温度センサ。 - プラスチックを含む可撓性の基材上に、パターン形成された第一電極層と、
前記第一電極層から離間してパターン形成された第二電極層と、を形成する工程と、
平面視で前記第一電極層と前記第二電極層とに重畳する半導体高分子層を形成する工程と、
前記半導体高分子層の少なくとも一部が覆われる酸化セルロース高分子層を形成する工程と、を含む温度センサの製造方法。 - 前記半導体高分子層を形成する工程は、ポリ-4-スチレンスルホン酸をドープしたポリ-3,4-エチレンジオキシチオフェン(PEDOT:PSS)を塗布する工程を含み、前記酸化セルロース高分子層を形成する工程は、酸化セルロースナノファイバを塗布する工程を含む、
請求項6に記載の温度センサの製造方法。 - 前記第一電極層および/または第二電極層を形成する工程は、金含有物を真空蒸着する工程を含む、
請求項6または請求項7に記載の温度センサの製造方法。 - 前記第一電極層および/または第二電極層を形成する工程は、銀ナノ粒子分散インクを印刷する工程を含む、
請求項6または請求項7に記載の温度センサの製造方法。
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Citations (2)
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JP2017531163A (ja) | 2014-07-22 | 2017-10-19 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | 薄膜抵抗式センサ |
WO2018042748A1 (ja) | 2016-08-31 | 2018-03-08 | シャープ株式会社 | ナノファイバーセンサ |
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WO2018042748A1 (ja) | 2016-08-31 | 2018-03-08 | シャープ株式会社 | ナノファイバーセンサ |
Non-Patent Citations (2)
Title |
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Abderrahmane Benchirouf et al. ,Electrical properties of multi-walled carbon nanotubes/PEDOT:PSS nanocomposites thin films under temperature and humidity effects,Sensors and Actuators B:Chemical,ELSEVIER,2016年03月01日,224巻,344-350 |
磯貝 明,TEMPO 酸化セルロースナノファイバー,高分子,58巻,日本,公益社団法人 高分子学会,2009年02月,90-91 |
Also Published As
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