JP6818296B2 - カンチレバー構造体及びこれを備えるセンサ並びに製造方法 - Google Patents
カンチレバー構造体及びこれを備えるセンサ並びに製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6818296B2 JP6818296B2 JP2016211036A JP2016211036A JP6818296B2 JP 6818296 B2 JP6818296 B2 JP 6818296B2 JP 2016211036 A JP2016211036 A JP 2016211036A JP 2016211036 A JP2016211036 A JP 2016211036A JP 6818296 B2 JP6818296 B2 JP 6818296B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- cantilever
- electrode
- conductive
- cantilever portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 171
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 59
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 53
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 44
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 37
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 9
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 9
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 10
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 9
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 4
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013332 literature search Methods 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 2
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229920003049 isoprene rubber Polymers 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 210000003205 muscle Anatomy 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Description
(1) 第1の電極と、前記第1の電極と一部が積層され、絶縁層を介して絶縁される第2の電極と、樹脂含有層を少なくとも有するカンチレバー部とを備え、前記カンチレバー部は、一部が、前記第2の電極に、接着層兼導電性支柱層により導電接続され、一部が浮遊した状態であることを特徴とするカンチレバー構造体。
(2) 前記カンチレバー部と前記第1の電極との間に静電容量が形成されることを特徴とする(1)記載のカンチレバー構造体。
(3) 基板上に、前記第1の電極、絶縁層、第2の電極の順で積層された構造であることを特徴とする(1)または(2)記載のカンチレバー構造体。
(4) 前記第1の電極と前記第2の電極が、前記絶縁層を介して交差するマトリクス構造を備え、前記カンチレバー部が複数の前記交差する領域に配置されていることを特徴とする(1)乃至(3)のいずれか1項記載のカンチレバー構造体。
(5) 前記第1の電極と前記第2の電極が、前記絶縁層を介して交差するマトリクス構造を備え、前記カンチレバー部が複数の前記交差する領域に配置され、複数の前記交差する領域のカンチレバー部は、長尺方向が一以上の軸方向に配列されていることを特徴とする(1)乃至(3)のいずれか1項記載のカンチレバー構造体。
(6) 前記カンチレバー構造体はフレキシブル性を有する基板を備えることを特徴とする(1)乃至(5)のいずれか1項記載のカンチレバー構造体。
(7) (1)乃至(6)のいずれか1項記載のカンチレバー構造体を備えるセンサ。
(8) (1)乃至(6)のいずれか1項記載のカンチレバー構造体を備え、前記カンチレバー部の変位を、前記カンチレバー部と前記第1の電極との間の静電容量の変化により検出することを特徴とするセンサ。
(9) 第1の電極と、前記第1の電極と一部が積層され、絶縁層を介して絶縁される第2の電極とを形成し、転写用基材の表面の低表面エネルギー材料層上に、樹脂含有層を少なくとも有するカンチレバー部層を形成し、接着層兼導電性支柱層を用いて、前記カンチレバー部層を、前記転写用基材側から剥離かつ前記第2の電極側に転写することにより、カンチレバー部は、一部が、前記第2の電極に、前記接着層兼導電性支柱層により導電接続され、一部が浮遊した状態であるカンチレバー構造体を製造することを特徴とするカンチレバー構造体の製造方法。
(10) 第1の電極と、前記第1の電極と一部が積層され、絶縁層を介して絶縁される第2の電極とを形成し、転写用基材の表面の低表面エネルギー材料層上に、樹脂含有層を少なくとも有するカンチレバー部層を形成し、接着層兼導電性支柱層を用いて、前記カンチレバー部層を、前記転写用基材側から剥離かつ前記第2の電極側に転写することにより、カンチレバー部は、一部が、前記第2の電極に、前記接着層兼導電性支柱層により導電接続され、一部が浮遊した状態であるカンチレバー構造体を作製し、前記カンチレバー部の導電層と前記接着層兼導電性支柱層とを、導電性接続部により導電接続することを特徴とするカンチレバー構造体の製造方法。
本実施形態を、図1乃至4を参照して以下説明する。図1A及びBは、本実施形態におけるカンチレバー構造体の基本構造の模式図であり、図1Aは断面図で、図1Bは上から見た平面図ある。本実施形態のカンチレバー構造体は、基板1(以下、「素子用基材1」ともいう。)と、基板1上に形成された下部電極2と、下部電極2上に形成された絶縁層3と、絶縁層3上に形成され絶縁層3により下部電極2と絶縁される上部電極4と、上部電極4上に位置する接着層兼導電性支柱層5と、接着層兼導電性支柱層5上に固定部が位置するカンチレバー部6とからなる。カンチレバー部6は、その一部が、接着層兼導電性支柱層5により支持されると共に上部電極に導電接続されている。カンチレバー部6は、一部が、基板1/下部電極2/絶縁層3の積層構造から浮遊した状態で、変位部分を構成する。
Cn=ε0・εr・(S/d) (静電容量の式)
1/C=1/C1+1/C2 (静電容量の合成式)
ここで、Cは静電容量、ε0は真空の誘電率、εrは静電容量を形成する物質の誘電率、Sは静電容量が形成される面積、dは静電容量を形成する導電体同士の向かい合う距離である。
図4は、図1の基本構造において、基板がフレキシブル性を有する場合に、該基板や下部電極が曲がった状態になった例である。
本実施形態を、図5を参照して以下説明する。本実施形態では、一軸でマトリクス化した場合を例に挙げて説明する。
本実施形態を、図6A及び図6Bを参照して以下説明する。本実施形態では、多軸でマトリクス化した場合を説明する。
本実施形態を、図7、8を参照して以下説明する。本実施形態は、第1の実施形態で示した基本構造の変形例である。
本実施形態を、図9を参照して以下説明する。本実施形態では、第1の実施形態で示した基本構造を、転写により形成する場合について述べる。図9は、カンチレバー構造体の1個について模式的に図示したものである。本実施形態の製法は、カンチレバー構造体を複数個設けたセンサマトリクスを形成する場合にも同様であり、特に大面積化に適する。
(1)第1の電極と、前記第1の電極と一部が積層され、絶縁層を介して絶縁される第2の電極とを形成する工程。
(2)転写用基材の表面の低表面エネルギー材料層上に、樹脂含有層を少なくとも有するカンチレバー部層を形成する工程。
(3)接着層兼導電性支柱層を用いて、前記カンチレバー部層を、前記転写用基材側から剥離かつ前記第2の電極側に転写する工程。
(4)転写により、カンチレバー部は、一部が、前記第2の電極に、前記接着層兼導電性支柱層により導電接続され、一部が浮遊した状態であるカンチレバー構造体を形成する工程。
本実施形態を、図1、図9を参照して以下説明する。本実施形態では、第1の実施形態で示した基本構造を、センサとして利用する場合について、実際に製造した具体例に沿って述べる。
素子用基材として、厚さ50μmのポリエチレンナフタレートフィルム(PENフィルム)(帝人デュポン社、Q65HA)を用いた。この表面に銀をスパッタリング法にて成膜した後、フォトリソグラフィ法にて、幅3mm、厚み500nmと十分な長さを有する下部電極線を形成した。その表面に感光性を有する絶縁樹脂(日本火薬社、SU−8 3000)をスピンコート法で塗布し、露光と焼成を行い、厚み5μmの絶縁層を形成した。次いで、下部電極線と同じくスパッタリング法にて、幅3mm、厚み500nmと十分な長さを有する上部電極線を形成した。
転写用基材として、厚さ100μmのPENフィルムを用い、その表面に低表面エネルギー材料であるポリジメチルシロキサン(PDMS)(信越シリコーン社、KE106)を塗布、硬化させた。次いで、PDMS表面に導電性カーボンペースト(十条ケミカル社、JELCON CH−8)をスクリーン印刷し、幅、奥行きがそれぞれ1mm、7mmのカンチレバー部の前駆体(「カンチレバー部層」ともいう。)を形成し、オーブンで160℃30分加熱し、硬化させた。硬化後のカンチレバー部の前駆体の厚みを段差計(小坂研究所社、サーフコーダーET5000)で測定したところ20μmであった。次いでカンチレバー部の前駆体の端部に、接着性導電ペースト(藤倉化成社、ドータイトFA−705BN)をスクリーン印刷し、幅、奥行きがそれぞれ2.5mmの接着層兼導電性支柱層を形成し、オーブンで120℃10分加熱し、半硬化状態を形成した。半硬化状態の接着層兼導電性支柱層の厚みを段差計で測定したところ50μmであった。
カンチレバー部の前駆体を含む転写用基材を、接着層兼導電性支柱層が素子用基材上の上部電極線と重なり、かつカンチレバー部の前駆体が上部電極線方向と直交する状態で、ハンドローラーを用いて圧力を掛けながら接触させ剥離する連続的な動作を行い、カンチレバー部の前駆体を転写用基材から素子用基材へと転写させた。次いで、半硬化状態である接着層兼導電性支柱層を完全に硬化させるために、オーブンで160℃30分加熱した。作製された導電性のカンチレバー部は、上部電極線と幅1mm、奥行き3mmの重なり領域を形成した。
導電性のカンチレバー部と上部電極線の間の抵抗値を、テスターを用いて測定したところ、抵抗値は30Ωであり、両者が電気的に接続されていることが確認された。
図10は、製造したカンチレバー構造体を曲げセンサとして使用した場合の、測定結果である。静電容量の測定のためにLCRメーターを用いた。まず作製したカンチレバー構造体の上部電極線と下部電極線に、LCRメーターに接続された2つのプローブをそれぞれ接続し、10Vの電圧を掛けたところ、0.85pFの静電容量が得られた。これは曲率がゼロの状態の静電容量となる。次いで、カンチレバー構造体の素子用基材であるPENフィルムを、均一な曲率を有する円筒状の曲面に固定することにより、図4で示したように中空領域のギャップの高さを変化させ、静電容量を計測した。曲率がゼロの状態の静電容量を1と規格化すると、図10のプロットが得られた。図10の横軸は、円筒状の曲面の曲率で、縦軸は規格化した静電容量である。原理上、曲率が大きくなる、言い換えれば曲率半径が小さくなるにつれて、ギャップの高さが増すことから静電容量は小さくなる。図10のプロットは、この原理通りの挙動を示していることから、各静電容量の値から曲率を検知できる曲げセンサとしての確かな動作が確認できた。
本実施形態を、図1、図5、図9を参照して以下説明する。本実施形態では、基本構造をマトリクスセンサの1軸アレイとして利用する場合について、実際に製造した具体例に沿って述べる。
本実施形態は、カンチレバー構造体を複数配列させたアレイを作製することを特徴とするので、カンチレバー構造体単体の構成は第6の実施形態と同様である。配列は、下部電極線を10mmピッチで上部電極線と平行な方向に10線並べ、上部電極線を下部電極線と平行な方向に10線並べることにより、上部電極線と下部電極線の交差点が100点形成される配列を形成した。
カンチレバー構造体単体の構成は、第6の実施形態と同様である。カンチレバー部の前駆体の配列は、行、列とも10mmピッチで10行10列、計100個配列させた。また接着層兼導電性支柱層も同様に配列させた。
カンチレバー部の前駆体のアレイを含む転写用基材を、各カンチレバー部の前駆体の接着層兼導電性支柱層が、素子用基材上の上部電極線と重なりかつカンチレバー部が直交して重なる状態で、ハンドローラーを用いて圧力を掛けながら接触させ剥離する連続的な動作を行い、各カンチレバー部の前駆体を転写用基材から素子用基材へと転写させた。次いで、第6の実施形態と同じく、半硬化状態である接着層兼導電性支柱層を完全に硬化させるために、オーブンで160℃30分加熱した。
多点計測のために、上部電極線と下部電極線のそれぞれの端部にフレキシブル印刷回路(Flexible Printed Circuit)を接続し、LCRメーターとドライバ回路と制御用PCを介して、アレイ化された100点の計測を行った。第6の実施形態と同様にして、カンチレバー構造体アレイの素子用基材であるPENフィルムを、均一な曲率を有する円筒状の面に固定して測定した。測定結果によれば、すべての計測点において図10と同様の結果が得られ、各点とも正確な検知を示した。
本実施形態を、図1、図6、図9を参照して以下説明する。本実施形態では、基本構造をマトリクスセンサの多軸アレイとして利用する場合について、実際に製造した具体例に沿って述べる。
本実施形態は、多軸による検出を特徴とするので、アレイに形成する点は、第7の実施形態と同様である。図6Aに示すように、奇数列(右から数えて奇数列又は偶数列と呼ぶ。)は、第7の実施形態と同じく、上部電極線1線とそれに付随する10個のカンチレバー構造体から構成される。一方、偶数列は、奇数列のカンチレバー構造体単体の梁の方向と直交する方向になるように、カンチレバー部の梁の方向を配置し、それぞれの梁が平行になるように複数並べたアレイを作製した。偶数列には、角度を変えたカンチレバー部と上部電極線が重なり領域を形成するために、上部電極線には多軸化用突出部27を形成した。多軸化用突出部27の、幅B、奥行きA(図6B参照)は、それぞれ3mm、5mmとした。多軸化用突出部は、偶数列の上部電極線において10mmピッチで10個配列されて用いられた。また、奇数列と偶数列はそれぞれ5線ずつ設けられ、第7の実施形態と同様に100点の計測点を構成した。計測点の半数が、第7の実施形態と同じ軸を有することで、同じ向きの曲げを検知できる。また、それ以外の半数が、第7の実施形態と直交する方向の軸を有することで、直交する向きの曲げを検知できる構成とした。製造方法は第6の実施形態と同様に行った。
転写される先が、奇数列に対応するものは、第7の実施形態と同様に、カンチレバー部の前駆体アレイおよび接着層兼導電性支柱層のアレイを形成した。転写される先が、偶数列に対応するものは、カンチレバー部の前駆体の長辺(梁の方向)が第7の実施形態と直交する方向に平行となる状態とし、接着層兼導電性支柱層アレイは第7の実施形態と同様に作製した。
第7の実施形態と同様に作製した。
作製したマトリクスセンサの多軸アレイについて、第7の実施形態と同様に、円筒状の曲面に、素子用基板を固定して測定した。その際、固定に用いた円筒構造体の軸と上部電極線アレイの奇数列の方向のカンチレバーの長辺が平行となる向きで素子用基板を固定した。測定結果は、偶数列の方向の各点からは図10と同様に固定された円筒構造体の曲率に応じた静電容量の変化が得られ、一方、奇数列の方向の各点は固定される曲率が変わっても初期値から明確な変化を示さず、各点とも正確な検知を示した。
本実施形態を、図7を参照して以下説明する。本実施形態では、図7のカンチレバー構造体をセンサとして利用する場合について、実際に製造した具体例に沿って述べる。素子用基材上への下部電極線、絶縁層、上部電極線の形成については、第6の実施形態と同様である。
転写用基材として厚さ100μmのポリイミドフィルムを用い、その表面に低表面エネルギー材料であるポリジメチルシロキサン(PDMS)(信越シリコーン社、KE106)を塗布、硬化させた。次いで、PDMS表面にポリイミドのワニス(宇部興産社、U−ワニス S301)を第6の実施形態と同様の形状でスクリーン印刷し、オーブンで300℃1時間加熱し、硬化させた。硬化後のポリイミド膜の厚みを段差計(小坂研究所社、サーフコーダーET5000)で測定したところ20μmであった。さらに、硬化させたポリイミド膜の表面に、銀ナノ粒子分散液であり樹脂を含まない導電性インク(シグマアルドリッチ社、792195)をインクジェット装置(富士フイルム社、DMP−2831)で塗布し、ポリイミドの表面を導電性の層で被覆した後、オーブンで180℃30分加熱し硬化させた。これにより絶縁性の層と導電性の層の積層からなるカンチレバー部の前駆体を得た。このカンチレバー部の前駆体の厚みは20.1μmであったことから導電性の層の厚みは100nmと見積もられた。次いで、カンチレバー部の前駆体の端部に、接着層兼導電性支柱層を第6の実施形態と同様に形成した。
積層構造を有するカンチレバー部の前駆体を、第6の実施形態と同様にして素子用基材へ転写した。また、上部電極線表面と積層構造を有するカンチレバー部の表面の段差をレーザー共焦点顕微鏡(レーザーテック社、OPTELICS HYBRID)を用いて測定したところ、55μmであった。導電性のカンチレバー部の厚みが20.1μmであることから、上部電極線と導電性のカンチレバー部の下面との間に設けられたギャップ(中空領域)の高さは34.9μmと見積もられた。
導電性のカンチレバー部と、上部電極線の間の抵抗値を、テスターを用いて測定したところ、抵抗値は500Ωであり、両者が電気的に接続されていることが確認された。
第6の実施形態と同様にして評価し、0.86pFの静電容量が得られた。また、第6の実施形態と同じく曲げセンサとしての動作を確認した。
第6の実施形態では、接着層兼導電性支柱層を除くと、導電性カーボンペーストのみがカンチレバー部を形成していた。これを硬化させた膜のヤング率を、島津製作所社オートグラフAG−Xplusを用い、JIS K 7127に則り測定すると、およそ1.5GPaと見積もられた。これに対して、本実施形態で作製したカンチレバーに用いた積層構造は、同様の測定において8GPaを示し、機械的強度の向上を示した。本実施形態のように積層構造とすることにより、機械的強度をはじめとするカンチレバー構造体の物性を、適宜調整できる効果を奏する。
本実施形態を、図8を参照して以下説明する。本実施形態では、図8のカンチレバー構造体をセンサとして利用する場合について、実際に製造した具体例に沿って述べる。素子用基材上への下部電極線、絶縁層、上部電極線の形成については、第6の実施形態と同様である。
転写用基材として厚さ100μmのポリイミドフィルムを用い、その表面に低表面エネルギー材料であるポリジメチルシロキサン(PDMS)(信越シリコーン社、KE106)を塗布、硬化させた。次いで、PDMS表面に、金を真空蒸着法及びメタルマスクを用いて第6の実施形態と同様の形状で成膜した。蒸着後の金の膜の厚みを、段差計(小坂研究所社、サーフコーダーET5000)で測定したところ、50nmであった。さらに、金の膜の表面に、ポリイミドのワニス(宇部興産社、U−ワニス S301)を第6の実施形態と同様の形状でスクリーン印刷し、オーブンで300℃1時間加熱し、硬化させた。これにより絶縁性の層と導電性の層の積層からなるカンチレバー部の前駆体を得た。このカンチレバー部の前駆体の厚みは20.05μmであったことから、ポリイミド膜の厚みは20μmと見積もられた。次いで、カンチレバー部の前駆体の端部に、接着層兼導電性支柱層を形成する際に、端部の外縁から0.5mm広い形状でスクリーン印刷し、第6の実施形態と同様に半硬化状態とした。
積層構造を有するカンチレバー部の前駆体を、第6の実施形態と同様にして、素子用基材へ転写した。また、上部電極線表面と積層構造を有するカンチレバー部の表面の段差を、レーザー共焦点顕微鏡(レーザーテック社、OPTELICS HYBRID)を用いて測定したところ、55μmであった。導電性のカンチレバー部の厚みが20.05μmであることから、上部電極線と導電性のカンチレバー部の下面との間に設けられたギャップ(中空領域)の高さは、34.95μmと見積もられた。
作製したカンチレバー構造体の接着層兼導電性支柱層と導電性のカンチレバー部の領域にまたがるように、銀ナノ粒子分散液であり樹脂を含まない導電性インク(シグマアルドリッチ社、792195)を、インクジェット装置(富士フイルム社、DMP−2831)で塗布し、オーブンにて160℃30分加熱し硬化させて、導電性接続部65を形成した。
導電性のカンチレバー部と上部電極線の間の抵抗値を、テスターを用いて測定したところ、抵抗値は500Ωであり、両者が電気的に接続されていることが確認された。
第6の実施形態と同様にして評価し、0.85pFの静電容量が得られた。また、第6の実施形態と同じく、曲げセンサとしての動作を確認した。
2 下部電極
3、13、23 絶縁層
4 上部電極
5、15、25 接着層兼導電性支柱層
6、16、26 カンチレバー部
12、22 下部電極線
14、24 上部電極線
27 多軸化用突出部
61、63 導電層
62、64 樹脂層
65 導電性接続部
71 転写用基材
72 低表面エネルギー材料層
73 樹脂を含む導電性インク(カンチレバー部用層)
74 樹脂を含む導電性インク(接着層兼導電性支柱層用)
Claims (10)
- 第1の電極と、
前記第1の電極の上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成され前記第1の電極と絶縁された第2の電極と、
導電性を有し、前記第2の電極の上に導電性を付与した接着性材料からなりこれを硬化させて接合された接着層兼導電性支柱層と、
樹脂含有層を少なくとも有するカンチレバー部とを備え、
前記カンチレバー部は、前記接着層兼導電性支柱層の上に一端を支持されると共に前記第2の電極に導電接続され、他端を前記第1の電極及び前記絶縁層の積層構造部分から浮遊した状態として、前記第1の電極との距離の変化により静電容量を変化させることを特徴とするカンチレバー構造体。 - 前記カンチレバー部は、樹脂と導電性粒子の混合からなる層を少なくとも有する構造、樹脂層と導電層の積層構造を有する構造、又はこれらの複合構造からなることを特徴とする請求項1記載のカンチレバー構造体。
- 基板上に、前記第1の電極、絶縁層、第2の電極の順で積層され、前記第2の電極の上に前記接着層兼導電性支柱層を与えて前記カンチレバー部を転写した構造であることを特徴とする請求項1または2記載のカンチレバー構造体。
- 前記第1の電極と前記第2の電極が、前記絶縁層を介して交差するマトリクス構造を備え、前記カンチレバー部が複数の前記交差する領域に配置されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のカンチレバー構造体。
- 複数の前記交差する領域のカンチレバー部は、長尺方向が一以上の軸方向に配列されていることを特徴とする請求項4記載のカンチレバー構造体。
- 前記カンチレバー部の変形及び/又は前記第1の電極の曲がりにより前記静電容量を変化させることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のカンチレバー構造体。
- 請求項1乃至6のいずれか1項記載のカンチレバー構造体を備えるセンサ。
- 前記カンチレバー部の変位を、前記カンチレバー部と前記第1の電極との間の静電容量の変化により検出することを特徴とする請求項7記載のセンサ。
- 第1の電極と、前記第1の電極と一部が積層され、絶縁層を介して絶縁される第2の電極とを形成し、
転写用基材の表面の低表面エネルギー材料層上に、樹脂含有層を少なくとも有するカンチレバー部層を形成し、
接着層兼導電性支柱層を用いて、前記カンチレバー部層を、前記転写用基材側から剥離かつ前記第2の電極側に転写することにより、
カンチレバー部は、一部が、前記第2の電極に、前記接着層兼導電性支柱層により導電接続され、一部が浮遊した状態であるカンチレバー構造体を製造することを特徴とするカンチレバー構造体の製造方法。 - 第1の電極と、前記第1の電極と一部が積層され、絶縁層を介して絶縁される第2の電極とを形成し、
転写用基材の表面の低表面エネルギー材料層上に、樹脂含有層を少なくとも有するカンチレバー部層を形成し、
接着層兼導電性支柱層を用いて、前記カンチレバー部層を、前記転写用基材側から剥離かつ前記第2の電極側に転写することにより、
カンチレバー部は、一部が、前記第2の電極に、前記接着層兼導電性支柱層により導電接続され、一部が浮遊した状態であるカンチレバー構造体を作製し、
前記カンチレバー部の導電層と前記接着層兼導電性支柱層とを、導電性接続部により導電接続することを特徴とするカンチレバー構造体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016211036A JP6818296B2 (ja) | 2016-10-27 | 2016-10-27 | カンチレバー構造体及びこれを備えるセンサ並びに製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016211036A JP6818296B2 (ja) | 2016-10-27 | 2016-10-27 | カンチレバー構造体及びこれを備えるセンサ並びに製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018069368A JP2018069368A (ja) | 2018-05-10 |
JP6818296B2 true JP6818296B2 (ja) | 2021-01-20 |
Family
ID=62113325
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016211036A Active JP6818296B2 (ja) | 2016-10-27 | 2016-10-27 | カンチレバー構造体及びこれを備えるセンサ並びに製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6818296B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004242455A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Matsushita Electric Works Ltd | 静電駆動型アクチュエータ及びそれを用いた光スイッチ |
US7397097B2 (en) * | 2003-11-25 | 2008-07-08 | Stmicroelectronics, Inc. | Integrated released beam layer structure fabricated in trenches and manufacturing method thereof |
JP2012196727A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Fujitsu Ltd | Mems素子 |
US8724832B2 (en) * | 2011-08-30 | 2014-05-13 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Piezoelectric microphone fabricated on glass |
JP6425941B2 (ja) * | 2014-08-11 | 2018-11-21 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 電子デバイス及び電子デバイスの製造方法 |
-
2016
- 2016-10-27 JP JP2016211036A patent/JP6818296B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018069368A (ja) | 2018-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Tang et al. | A highly aligned nanowire‐based strain sensor for ultrasensitive monitoring of subtle human motion | |
Peng et al. | Rational design of ultrasensitive pressure sensors by tailoring microscopic features | |
You et al. | A wearable piezocapacitive pressure sensor with a single layer of silver nanowire-based elastomeric composite electrodes | |
JP5813103B2 (ja) | 力測定を用いるタッチ位置センサ | |
Choi et al. | Stretchable, transparent, and stretch-unresponsive capacitive touch sensor array with selectively patterned silver nanowires/reduced graphene oxide electrodes | |
Lim et al. | Highly sensitive, tunable, and durable gold nanosheet strain sensors for human motion detection | |
KR101811214B1 (ko) | 비정질 금속을 이용한 유연한 압력 센서와, 압력 및 온도를 동시에 감지하는 유연한 이중모드 센서 | |
Zhao et al. | Flexible, stretchable and wearable multifunctional sensor array as artificial electronic skin for static and dynamic strain mapping | |
Wang et al. | A highly sensitive and flexible pressure sensor with electrodes and elastomeric interlayer containing silver nanowires | |
Dinh et al. | Advances in rational design and materials of high‐performance stretchable electromechanical sensors | |
CN109870254B (zh) | 一种高灵敏度的电容式滑触觉传感器 | |
TWI584176B (zh) | 壓力感應觸控面板 | |
Xu et al. | A graphite nanoplatelet-based highly sensitive flexible strain sensor | |
Chun et al. | A highly sensitive force sensor with fast response based on interlocked arrays of indium tin oxide nanosprings toward human tactile perception | |
El-Molla et al. | Integration of a Thin Film PDMS‐Based Capacitive Sensor for Tactile Sensing in an Electronic Skin | |
WO2015041878A1 (en) | Micro-wire touch screen with unpatterned conductive layer | |
JP2014526694A (ja) | 圧電圧力センサ | |
Singh et al. | Porous microstructure‐assisted flexible and highly sensitive polymer piezoresistive pressure sensor | |
Shakeel et al. | Fabrication of cost effective and high sensitivity resistive strain gauge using DIW technique | |
Yu et al. | Two-sided topological architecture on a monolithic flexible substrate for ultrasensitive strain sensors | |
KR20200087512A (ko) | 종이기판 기반의 스트레인 센서와 그 제조방법 | |
JP2023103337A (ja) | 圧電センサ | |
Wei et al. | Improving the performance and stability of flexible pressure sensors with an air gap structure | |
KR20170126302A (ko) | 압력 센서 소자 및 압력 센서 소자 제조 방법 | |
JP2018073958A (ja) | カンチレバー型圧電素子、該圧電素子を用いたセンサ及び振動素子、並びに該圧電素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A80 | Written request to apply exceptions to lack of novelty of invention |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A80 Effective date: 20161125 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190723 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200622 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200715 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200910 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201029 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201209 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201217 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6818296 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |