JP2014519198A - 剥離技法を用いたグラフェンパターンの形成方法及びその装置 - Google Patents
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Abstract
Description
また、本発明は、外周面に沿って陽刻パターンが形成され、陽刻パターンの表面にグラフェン剥離層が塗布された高分子の回転体スタンプを基板のグラフェン層に接着させて回転させる方式を通じて陽刻パターン部分に接着されるグラフェン層を基板から選択的に剥離させることで、基板上にグラフェンパターン層を形成する技術思想を含むことができるが、これは大面積基板上に目標とするパターンを有するグラフェンパターン層を形成する技法として利用され得る。
ここで、グラフェン層はCVD方法で形成されるか、或いは基板上に酸化グラフェンをコーティングした後、グラフェン層に還元する方法を通じて形成され得、高分子スタンプ又は高分子の回転体スタンプは、PDMS(polydimethylsiloxane)スタンプなどが利用され得る。また、グラフェン剥離層は、スピンコーティング工程を適用できるDMSO(dimethyl sulfoxide)又はTHF溶媒などのような有機溶媒が利用され得る。
更に、以下の本発明を説明するにおいて公知の機能又は構成などに関する具体的な説明が本発明の要旨を不要に曖昧にするおそれがあると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。そして、後述する用語は、本発明での機能を考慮して定義された用語であって、これはユーザ、運用者などの意図又は慣例などによって変わり得ることはもちろんである。従って、その定義は、本明細書の全般に亘って記述される技術思想に基づいて行われるべきである。
即ち、基板216が矢印Aの方向に進み、回転体スタンプ202が時計回りに回転して目標位置(例えば、1つの陽刻パターンの表面がグラフェン層に接着される位置)に到達した後、一定時間の停止状態を維持する。その次に、一定時間が経過した後、再び基板216の進行と回転体スタンプ202の回転進行を開始すれば、回転体スタンプ202の陽刻パターン部分に接着されていたグラフェン層218aが基板216から選択的に剥離されることで、基板216上にグラフェンパターン層218が形成される。ここで、回転体スタンプ202の陽刻パターン204部分がグラフェン層218aに接着された後、その接着状態を維持する既に設定された一定時間は、例えば1分、1分30秒、2分などになり得るが、これはグラフェン剥離層204aの材質などを考慮して決定され得る。
即ち、本実施形態のグラフェンパターンの形成装置によれば、回転体スタンプを用いるロールツーロール方式を通じて、グラフェン層の選択的剥離→陽刻パターンの表面洗浄(グラフェン剥離層の除去)→陽刻パターンの表面乾燥→陽刻パターンの表面にグラフェン剥離層を再塗布→グラフェン層の選択的剥離に循環する一連のプロセスを連続的に行うことで、大面積基板上に目標とするグラフェンパターン層を容易に形成できる。
Claims (21)
- 基板上にグラフェン層を形成する過程と、
陽刻パターンを有する高分子スタンプのパターン面にグラフェン剥離層を形成する過程と、
前記高分子スタンプのパターン面を前記グラフェン層の目標位置に整列させて接着させる過程と、
前記基板から前記高分子スタンプを分離して前記高分子スタンプの陽刻パターン部分に接着されたグラフェン層を前記基板から選択的に剥離させることで、前記基板上にグラフェンパターン層を形成する過程と
を含む剥離技法を用いたグラフェンパターンの形成方法。 - 前記グラフェン層は、CVD方法で形成される剥離技法を用いたことを特徴とする請求項1に記載のグラフェンパターンの形成方法。
- 前記グラフェン層は、前記基板上に酸化グラフェンをコーティングした後、前記グラフェン層に還元する方法を通じて形成される剥離技法を用いたことを特徴とする請求項1に記載のグラフェンパターンの形成方法。
- 前記高分子スタンプは、PDMS(polydimethylsiloxane)スタンプである剥離技法を用いたことを特徴とする請求項1に記載のグラフェンパターンの形成方法。
- 前記グラフェン剥離層は有機溶媒であり、
前記有機溶媒は、DMSO(dimethyl sulfoxide)又はTHF(tetrahydrofuran)溶媒である剥離技法を用いたことを特徴とする請求項1に記載のグラフェンパターンの形成方法。 - 前記グラフェン剥離層は、スピンコーティング工程を通じて形成される剥離技法を用いた請求項5に記載のグラフェンパターンの形成方法。
- 外周面に沿って陽刻パターンが形成され、前記陽刻パターンの表面にグラフェン剥離層が塗布された高分子の回転体スタンプを準備する過程と、
上部にグラフェン層が形成された基板を準備する過程と、
前記回転体スタンプをグラフェン層に接着させて回転させる方式を通じて前記陽刻パターン部分に接着されるグラフェン層を前記基板から選択的に剥離させることで、前記基板上にグラフェンパターン層を形成する過程と
を含む剥離技法を用いたグラフェンパターンの形成方法。 - 前記グラフェンパターン層を形成する過程は、
前記回転体スタンプを回転させて特定の陽刻パターン部分を前記グラフェン層に接着させる過程と、
前記特定の陽刻パターン部分とグラフェン層との接触を既に設定された一定時間維持する過程と、
前記既に設定された一定時間が経過した後、前記回転体スタンプを回転させることで、前記グラフェン層の一部を選択的に剥離させる過程と
を含む剥離技法を用いた請求項7に記載のグラフェンパターンの形成方法。 - 前記回転体スタンプの回転によって前記基板から剥離されたグラフェン層が接着されているグラフェン剥離層を除去する過程と、
前記回転体スタンプの回転によって前記基板の進入方向に進む陽刻パターンの表面に前記グラフェン剥離層を再塗布する過程と
を更に含む剥離技法を用いたことを特徴とする請求項7に記載のグラフェンパターンの形成方法。 - 前記方法は、前記グラフェン剥離層の再塗布の前に、前記グラフェン剥離層が除去された陽刻パターンの表面を乾燥させる過程を更に含む剥離技法を用いたことを特徴とする請求項9に記載のグラフェンパターンの形成方法。
- 外周面に沿って陽刻パターンが形成され、前記陽刻パターンの表面にグラフェン剥離層が塗布され、基板に形成されたグラフェン層への回転接着を通じて陽刻パターン部分に接着されるグラフェン層を前記基板から選択的に剥離させる回転体スタンプと、
前記回転体スタンプの回転によって前記基板から剥離されたグラフェン層が接着されているグラフェン剥離層を除去する剥離層除去ユニットと、
前記回転体スタンプの回転によって前記基板の進入方向に進む陽刻パターンの表面に前記グラフェン剥離層を再塗布する剥離層塗布ユニットと
を含むグラフェンパターンの形成装置。 - 前記装置は、
前記グラフェン剥離層の再塗布の前に、前記グラフェン剥離層が除去された陽刻パターンの表面を乾燥させる乾燥ユニットを更に含むことを特徴とする請求項11に記載のグラフェンパターンの形成装置。 - 前記剥離層除去ユニットは、
前記回転体スタンプの回転方向と同一方向に陽刻パターンの表面への当接回転を通じて水槽から提供される洗浄液で陽刻パターンの表面に形成されたグラフェン剥離層とその上に接着されたグラフェン層を除去する洗浄用回転体であることを特徴とする請求項11に記載のグラフェンパターンの形成装置。 - 前記剥離層除去ユニットは、噴射ノズルを用いた洗浄液の噴射を通じて陽刻パターンの表面に形成されたグラフェン剥離層とその上に接着されたグラフェン層を除去する洗浄液噴射器であることを特徴とする請求項11に記載のグラフェンパターンの形成装置。
- 前記剥離層塗布ユニットは、
噴射ノズルを用いたグラフェン剥離物質の噴射を通じて陽刻パターンの表面に前記グラフェン剥離層を再塗布する噴射器であることを特徴とする請求項11に記載のグラフェンパターンの形成装置。 - 前記剥離層塗布ユニットは、
前記回転体スタンプの回転方向と同一方向に陽刻パターンの表面への当接回転を通じて水槽から提供されるグラフェン剥離物質で陽刻パターンの表面に前記グラフェン剥離層を再塗布するコンベヤベルトであることを特徴とする請求項11に記載のグラフェンパターンの形成装置。 - 前記剥離層塗布ユニットは、
前記回転体スタンプが回転するとき、水槽から提供されて繊維束に吸収されたグラフェン剥離物質を陽刻パターンの表面に印加して前記グラフェン剥離層として再塗布する塗布部材であることを特徴とする請求項11に記載のグラフェンパターンの形成装置。 - 陽刻パターンの表面にグラフェン剥離層が塗布された高分子の大面積スタンプを準備する過程と、
上部にグラフェン層が形成された基板を準備する過程と、
前記大面積スタンプをグラフェン層に接着させて陽刻パターン部分に接着されるグラフェン層を前記基板から選択的に剥離させることで、前記基板上にグラフェンパターン層を形成する過程と、
前記大面積スタンプの陽刻パターン部分にある前記グラフェン剥離層とグラフェン層を除去する過程と、
前記大面積スタンプの陽刻パターンの表面に前記グラフェン剥離層を再塗布する過程と
を含む剥離技法を用いたグラフェンパターンの形成方法。 - 前記方法は、前記グラフェン剥離層の再塗布の前に、前記グラフェン剥離層が除去された陽刻パターンの表面を乾燥させる過程を更に含む剥離技法を用いたことを特徴とする請求項18に記載のグラフェンパターンの形成方法。
- 陽刻パターンの表面にグラフェン剥離層が塗布され、基板に形成されたグラフェン層へのパターン面の接着を通じて陽刻パターン部分に接着されるグラフェン層を前記基板から選択的に剥離させる大面積スタンプと、
前記基板から剥離されたグラフェン層が接着されている陽刻パターン部分のグラフェン剥離層を除去する剥離層除去ユニットと、
前記大面積スタンプの陽刻パターンの表面に前記グラフェン剥離層を再塗布する剥離層塗布ユニットと
を含むグラフェンパターンの形成装置。 - 前記装置は、
前記グラフェン剥離層の再塗布の前に、前記グラフェン剥離層が除去された陽刻パターンの表面を乾燥させる乾燥ユニットを更に含むことを特徴とする請求項20に記載のグラフェンパターンの形成装置。
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