JP2014516163A - 金属および炭素母材からの歪み感知センサーおよび／または歪みに強いコンジットの製造 - Google Patents

Abstract

金属および炭素母材から歪み感知センサーおよび／または歪みに強いコンジットを製造するための実装形態および技法が、全体的に開示される。

Description

本明細書において別途示されない限り、本節に記載の手法は、本出願の特許請求の範囲に対する従来技術ではなく、本節に含まれることによって従来技術であるとは認められない。

通常の電子機器とは対照的に、フレキシブルエレクトロニクスは、曲げ、引き伸ばし、またはねじりに対して幅広い反応を有する物質的な構成要素を利用する可能性がある。フレキシブル回路では、コンジットおよびインターコネクト（ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ）が、繰り返される曲げに対してほぼゼロのゲージ率（たとえば、そのコンジットおよびインターコネクトの抵抗の相対的な変化を加えられた歪みで割ったもの）を呈するように設計され得る。

本明細書において説明されるいくつかの例示的な方法、装置、およびシステムは、金属および炭素母材から成る歪み感知センサーおよび／または歪みに強いコンジットを製造することに関する可能性がある。

一部の例示的な装置およびシステムは、歪み感知センサーおよび／または歪みに強い（strain resistant ）コンジットに関する可能性がある。そのような装置は、基板、第１のフレキシブル電子部品、および／または第２のフレキシブル電子部品を含む可能性がある。そのような第１のフレキシブル電子部品は、基板上に配置される可能性があり、第１のマイクロメートルサイズのフレキシブル電子部品は、実質的に歪みに強いコンジットを含む可能性がある。そのような第２のフレキシブル電子部品は、基板上に配置される可能性があり、第２のマイクロメートルサイズのフレキシブル電子部品は、歪み感知センサーを含む可能性がある。実質的に歪みに強いコンジットと歪み感知センサーとの両方は、金属および炭素母材（a metal and carbon matrix）を含む可能性がある。

一部の例示的な装置およびシステムは、歪みに強いコンジットに関する可能性がある。そのような装置は、基板、および／または第１のフレキシブル電子部品を含む可能性がある。そのような第１のフレキシブル電子部品は、基板上に配置される可能性があり、第１のフレキシブル電子部品は、実質的に歪みに強いコンジットを含む可能性がある。そのような実質的に歪みに強いコンジットは、炭素含有量が約３６重量パーセントから約４０重量パーセントまでの範囲であるパラジウムおよび炭素母材を含む可能性がある。

一部の例示的な装置およびシステムは、歪み感知センサーに関する可能性がある。そのような装置は、基板、および／または第１のフレキシブル電子部品を含む可能性がある。そのような第１のフレキシブル電子部品は、基板上に配置される可能性があり、第１のフレキシブル電子部品は、歪み感知センサーを含む可能性がある。そのような歪み感知センサーは、パラジウムおよび炭素母材を含む可能性がある。

一部の例示的な方法は、歪み感知センサーを形成することを含み得る。そのような歪み感知センサーは、基板上に互いに実質的に平行に堆積されられる複数の金属トレース（ｔｒａｃｅ）を含む可能性があり、トレースは、パラジウムを含む可能性がある。複数の金属トレースは、パラジウムおよび炭素母材を形成するために規定された時間および温度で硬化させられる可能性があり、硬化された金属トレースは、歪みに対して約３００から約４００までのゲージ率を有する可能性がある。第１の電極が、複数の金属トレースの一端に接触するように堆積させられる可能性があり、第２の電極が、複数の金属トレースの他端に接触するように堆積させられる可能性がある。

一部の例示的な方法は、歪みに強いコンジットを形成することを含み得る。そのような歪みに強いコンジットは、基板上に堆積させられた金属トレースを含む可能性があり、トレースは、パラジウムを含む可能性がある。金属トレースは、パラジウムおよび炭素母材を形成するために規定された時間および温度で硬化させられる可能性があり、規定された時間および温度は、時間が約３０分で、温度が摂氏約２３０度である。

一部の例示的な製品は、歪み感知センサーを形成するための機械可読命令を含む可能性がある。そのような歪み感知センサーは、基板上に互いに実質的に平行に堆積されられる複数の金属トレースを含む可能性があり、トレースは、パラジウムを含む可能性がある。複数の金属トレースは、パラジウムおよび炭素母材を形成するために規定された時間および温度で硬化させられる可能性があり、硬化された金属トレースは、歪みに対して約３００から約４００までのゲージ率を有する可能性がある。第１の電極が、複数の金属トレースの一端に接触するように堆積させられる可能性があり、第２の電極が、複数の金属トレースの他端に接触するように堆積させられる可能性がある。

上述の概要は、例示的であるに過ぎず、限定するようにまったく意図されていない。上述の例示的な態様、実施形態、および特徴に加えて、さらなる態様、実施形態、および特徴が、図面および以下の詳細な説明を参照することによって明らかになるであろう。

主題は、本明細書の終わりの部分で特に示され、はっきりと特許請求される。本開示の上述のおよびその他の特徴は、以下の説明および添付の特許請求の範囲を添付の図面と併せて考慮することによってより完全に明らかになるであろう。これらの図面は本開示によるほんのいくつかの実施形態だけを示し、したがって、本開示の範囲を限定すると見なされないことを理解した上で、本開示が、添付の図面を用いてより具体的かつ詳細に説明される。

処理の所与の段階の例示的な歪み感知センサーまたは歪みに強いコンジットの斜視図である。 図１の線２−２に沿って切り取られた、処理の所与の段階の例示的な歪みに強いコンジットの断面図である。 処理の所与の段階の例示的な歪み感知センサーの断面図である。 例示的な歪み感知センサーのグループの回路図である。 歪み感知センサーおよび／または歪みに強いコンジットを含む例示的な電子デバイスの概略図である。 歪み感知センサーを形成するための例示的なプロセスの図である。 曲げ半径対抵抗のグラフである。 歪みの百分率対抵抗の変化のグラフである。 曲げ半径対抵抗のグラフである。 サイクル数対抵抗のグラフである。 粒径対基本抵抗（ｂａｓｅ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）のグラフである。 基本抵抗対ゲージ率のグラフである。 参考として何も搭載されていないポリイミド基板を用いた波長対透過率のグラフである。 例示的なコンピュータプログラム製品の図である。 例示的なコンピューティングデバイスを示すブロック図である。 処理の所与の段階の例示的な歪み感知センサーまたは歪みに強いコンジットの斜視図である。

これらの図面はすべて本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがって構成されている。

以下の説明は、特許請求の主題を完全に理解してもらうためにさまざまな例を具体的な詳細とともに示す。しかし、特許請求の主題が、本明細書において開示される具体的な詳細のうちのある程度がなくても実施され得ることは、当業者に理解されるであろう。さらに、場合によっては、よく知られている方法、手順、システム、構成要素、および／または回路は、特許請求の主題を不必要に曖昧にすることを避けるために詳細に説明されていない。

以下の詳細な説明において、本明細書の一部を成す添付の図面が参照される。図面においては、文脈がそうでないことを示さない限り、通常、同様の符号は同様の構成要素を特定する。詳細な説明、図面、および特許請求の範囲で示される例示的な実施形態は、限定するように意図されていない。本明細書に示される主題の趣旨または範囲を逸脱することなく、その他の実施形態が利用される可能性があり、その他の変更がなされる可能性がある。本明細書において全体的に説明され、図面に示される本開示の態様は、多種多様な異なる構成で配置され、置き換えられ、組み合わされ、設計される可能性があり、それらの構成のすべては、明確に企図されており、本開示の一部を成すことは容易に理解されるであろう。

本開示は、全体的に、とりわけ、金属および炭素母材から歪み感知センサーおよび／または歪みに強いコンジットを製造することに関連する方法、装置、およびシステムを対象とする。

通常の電子機器とは対照的に、フレキシブルエレクトロニクスは、曲げ、引き伸ばし、またはねじりに対して幅広い反応を有する物質的な構成要素を利用し、歪みに非常に反応しやすいか、または歪みに非常に強いかのどちらかである。歪みに反応しやすい構成要素が、タッチ感知式ディスプレイなどのデバイスの部品に見られる可能性がある一方、歪みに強い構成要素は、コンジット（たとえば、コンジットおよび／またはインターコネクト）として利用される可能性がある。

図１は、本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがって構成された、処理の所与の段階の例示的な歪み感知センサーまたは歪みに強いコンジットの斜視図を示したものである。示された例においては、フレキシブル電子部品１００が、基板１０２上に配置された歪み感知センサーとして実装される可能性がある。本明細書において使用されるとき、用語「歪み」は、引っ張り歪み、圧縮歪み、曲げ歪み、軸歪み、せん断歪み、もしくはねじれ歪み（ｔｏｒｓｉｏｎａｌ ｓｔｒａｉｎ）、同様のもの、および／またはこれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない任意のさまざまな歪みを指す可能性がある。同様に、用語「歪み感知」は、引っ張り歪み、圧縮歪み、曲げ歪み、軸歪み、せん断歪み、もしくはねじれ歪み、同様のもの、および／またはこれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない任意のさまざまな歪みに反応しやすい材料の特性を指す可能性がある。

一部の例において、基板１０２は、柔軟性がある可能性がある。追加的にまたは代替的に、基板１０２は、高温（たとえば、特定の用途に応じて、摂氏約１９５度、摂氏２３０度、および／または摂氏２５０度の温度）に耐える可能性がある。一部の例において、基板１０２は、厚さおよび／または対角方向の幅が変わり得る。たとえば、特定の用途に応じて、基板１０２は、（たとえば、携帯電話などのための）約１インチから（たとえば、フレキシブルコンピュータモニタなどための）約３０インチまでの対角方向の幅を有する可能性がある。厚さ約２０マイクロメートルのフレキシブルポリイミド基板を使用して実験が行われたが、その他の厚さも好適である可能性がある。一部の例において、基板１０２は、以下の物質、すなわち、柔軟なポリイミド、ポリエステル、ポリエチレンナフタレート、アラミド、ポリ（ジメチルシロキサン）、エポキシ、および／または液晶ポリマーのうちの１つまたは複数を含み得る。たとえば、基板１０２は、柔軟なポリイミドから成る可能性がある。

一部の例において、そのようなフレキシブル電子部品１００は、マイクロメートルサイズである可能性がある。たとえば、フレキシブル電子部品１００は、約１マイクロメートルの幅１０６を有する可能性がある個々の金属トレース１０４を含み得る。そのような個々の金属トレース１０４は、約０．５マイクロメートルの間隔１０８だけ間隔を空けられる可能性があるが、その他の幅１０６および間隔１０８が利用され得る。そのような個々の金属トレース１０４は、金属および炭素母材（たとえば、パラジウムおよび炭素母材）から成る可能性がある。その他の例においては、個々の金属トレース１０４は、約１００ナノメートルから約１０ミクロンまでの範囲の幅１０６を有する可能性がある。

一部の例において、トレース１０４の堆積は、基板１０２に対するスタンピング（ｓｔａｍｐｉｎｇ）によって行われる可能性がある。たとえば、そのようなスタンピングは、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）スタンプ（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａｎｅ（ＰＤＭＳ） ｓｔａｍｐ）１１０などを使用することをともなう可能性がある。スタンピング以外のその他のプロセスが、基板上に金属および炭素母材を堆積させるために使用される可能性がある。

図２は、本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがって構成された、図１の線２−２に沿って切り取られた、処理の所与の段階の例示的な歪みに強いコンジットの断面図を示したものである。示された例においては、フレキシブル電子部品１００が、基板１０２上に配置された歪みに強いコンジットとして実装される可能性がある。図１に関連して上で検討された「歪み感知」の例とは異なり、「歪みに強い」材料は、歪みに反応しにくい可能性がある。たとえば、そのような実質的に歪みに強いコンジットは、歪みに対してゼロからほぼゼロまでのゲージ率を有する可能性がある。本明細書において使用されるとき、用語「歪みに強い」は、引っ張り歪み、圧縮歪み、曲げ歪み、軸歪み、せん断歪み、ねじれ歪みなど、および／またはこれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない任意のさまざまな歪みに反応しにくい材料の特性を指す可能性がある。

本明細書において使用されるとき、用語「コンジット」は、インターコネクト、電極、コネクタ、配線、導電トレース、同様のもの、および／またはこれらの組み合わせを指す可能性がある。たとえば、フレキシブル電子部品１００は、コンジットなどの個々の金属トレース１０４を含む可能性があり、金属トレース１０４は、その他の幅が利用され得るが、約１マイクロメートルの幅を有する可能性があり、この点で限定されない。そのような個々の金属トレース１０４は、金属および炭素母材（たとえば、パラジウムおよび炭素母材）から成る可能性がある。

図３は、本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがって構成された、図１の線２−２に沿って切り取られた、処理の所与の段階の例示的な歪み感知センサーの断面図を示したものである。示された例においては、フレキシブル電子部品１００が、基板１０２上に配置された歪み感知センサーとして実装される可能性がある。そのような例においては、第１の電極３０２が、複数の金属トレース１０４の一端に接触するように堆積させられる可能性があり、第２の電極３０４が、複数の金属トレース１０４の他端に接触するように堆積させられる可能性がある。一部の例において、第１の電極３０２および第２の電極３０４は、たとえば、以下の材料、金、銀、銅、白金、パラジウム、ニッケル、コバルト、同様のもの、および／またはこれらの組み合わせのうちの１つまたは複数などの、金属トレース１０４とのオーミック接触を形成することができる金属から成る可能性がある。

図１６は、本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがって構成された、処理の所与の段階の例示的な歪み感知センサーまたは歪みに強いコンジットの斜視図を示したものである。示された例において、フレキシブル電子部品１００は、基板１０２上に配置されたコイルおよび／または螺旋形状の金属トレース１０４を含む可能性がある。そのようなコイルおよび／または螺旋形状の金属トレース１０４は、歪み感知センサーまたは歪みに強いコンジットとして実装され得る。

図４は、本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがって構成された例示的な歪み感知センサーのグループの回路図を示したものである。示された例において、（たとえば、図１および３に関連して上で示されたような）いくつかの歪み感知センサー４０２のグループ４００は、ホイートストンブリッジ回路として構成される可能性がある。たとえば、いくつかのその他の歪み感知センサー４０２とともにホイートストンブリッジ式に構成することによって、個々の歪み感知センサー４０２の感度を高めることができる。

示された例、４歪み感知センサー４０２のホイートストンブリッジにおいては、２つの歪み感知センサー４０２が、圧縮された状態で配線される可能性があり、２つの歪み感知センサー４０２が、引っ張られた状態で配線される可能性がある。たとえば、Ｒ１およびＲ３歪み感知センサー４０２が引っ張られた状態（正）であり、Ｒ２およびＲ４歪み感知センサー４０２が圧縮された状態（負）である場合、出力は、別々に測定された歪みのすべての合計に比例する可能性がある。隣接するレグ（ｌｅｇ）に位置する歪み感知センサー４０２に関して、グループ４００は、歪みの差に比例して釣り合いが崩れる可能性がある。反対のレグの歪み感知センサー４０２に関して、グループ４００は、歪みの合計に比例して釣り合う可能性がある。曲げ歪みが測定されているのか、軸歪みが測定されているのか、せん断歪みが測定されているのか、またはねじれ歪みが測定されているのかにかかわらず、グループ４００の構成は、出力と、測定されている歪みのタイプとの間の関係を判定するために利用され得る。たとえば、正の引っ張り歪みがＲ２およびＲ３歪み感知センサー４０２で発生し、Ｒ１およびＲ４歪み感知センサー４０２が負の歪みを被っている場合、総出力ＶＯＵＴは、単一の歪み感知センサー４０２の抵抗の約４倍である可能性がある。

図５は、本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがって構成された、歪み感知センサー５０２および／または歪みに強いコンジット５０４を含む例示的な電子デバイス５００の概略図を示したものである。示された例において、電子デバイス５００は、歪み感知センサー５０２（たとえば、図３のフレキシブル電子部品１００および／もしくは図４のグループ４００）ならびに／または歪みに強いコンジット５０４（たとえば、図２のフレキシブル電子部品１００）を含む可能性があり、これら両方は、金属および炭素母材を含む可能性がある。

図６に関して以下でより詳細に検討されるように、異なる条件の下で処理された同じまたは同様の材料から歪み感知センサー５０２と歪みに強いコンジット５０４との両方を形成することができる可能性がある。たとえば、個々の金属トレースに適用される硬化温度を変えることによって、同じまたは同様の堆積される材料が、歪み感知センサーと実質的に歪みに強いコンジットとの両方を形成するように処理され得る。たとえば、１つの温度で硬化された金属トレースが、歪み感知センサーに好適なパラジウムおよび炭素母材をもたらす可能性がある一方、第２の温度で硬化された金属トレースは、実質的に歪みに強いコンジットに好適なパラジウムおよび炭素母材をもたらす可能性がある。

一部の例において、そのような電子デバイス５００は、たとえば、タッチ感知式ディスプレイ、フレキシブル太陽電池、フレキシブルディスプレイ、伸縮可能ディスプレイ（ｓｔｒｅｔｃｈａｂｌｅ ｄｉｓｐｌａｙ）、巻くことができるディスプレイ（ｒｏｌｌａｂｌｅ ｄｉｓｐｌａｙ）など、および／またはこれらの組み合わせのうちの１つまたは複数を含む可能性がある。たとえば、柔軟な歪みに強いコンジット（たとえば、コンジットおよび金属のインターコネクト）は、ディスプレイ、セルラ電話または携帯情報端末タイプのデバイスなどの電子ガジェット、巻くことができる光電池（ｒｏｌｌａｂｌｅ ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ）などのさまざまな技術的な応用において関心を持たれている。製造が容易な、好適なゲージ率を有する歪み感知センサーは、建物、自動車などの構造健全性モニタリングなどの多くの分野で役立つことができる可能性がある。そのような歪み感知センサーは、電子式の秤で利用され得る。そのような秤の感度が、歪み感知センサーを有することによって改善され得る。本明細書に記載の歪み感知センサーの柔軟性のおかげで、そのような歪み感知センサーは、平らでない表面にさえも取り付けられ得る。平らでない表面上の既に歪んだ歪み感知センサーが被るさらなる歪みが、やはり測定され得る。たとえば、そのような歪み感知センサーは、平らでない表面の形状に合うように曲げられ、および／またはゆがめられ得る。動作中、そのような歪み感知センサーは、基準となるゆがんだ位置から始まり、次に、そのような基準となるゆがんだ位置に対する相対的な移動に関して歪みの測定が行われることを可能にする予想外の能力を有する可能性がある。

図６は、本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがって構成された、歪み感知センサーを形成するための例示的なプロセスを示したものである。示された例において、プロセス６００、および本明細書において説明されるその他のプロセスは、処理のステップ、機能的動作、イベント、および／または行為などとして説明され得るさまざまな機能ブロックまたはアクションを説明する。当業者は、本開示に照らして、図６に示される機能ブロックに対する多くの代替的機能ブロックが、さまざまな実装形態で実施され得ることを認識するであろう。たとえば、プロセス６００は、図６に示されるように、ブロックまたはアクションの１つの特定の順序を含むが、これらのブロックまたはアクションが示される順序は、必ずしも、特許請求の主題を何らかの特定の順序に限定するとは限らない。同様に、特許請求の主題の範囲を逸脱することなく、図６に示されていない中間のアクションおよび／もしくは図６に示されていない追加のアクションが使用される可能性があり、ならびに／または図６に示されるアクションの一部が削除される可能性がある。プロセス６００は、ブロック６０２、６０４、および／または６０６によって示される動作のうちの１つまたは複数を含む可能性がある。

示されるように、プロセス６００は、歪み感知センサーを形成するために実施され得る。処理は、複数の金属トレースが堆積される可能性がある動作６０２「複数の金属トレースを堆積させる」で始まる可能性がある。たとえば、複数の金属トレースは、基板上に互いに実質的に平行に堆積される可能性がある。そのようなトレースは、パラジウムを含む可能性がある。個々の金属トレースは、たとえば、約１マイクロメートルの幅を有する可能性がある。

一部の例において、そのような堆積は、基板に対するスタンピングによって行われる可能性がある。たとえば、そのようなスタンピングは、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）スタンプなどを使用することをともなう可能性がある。スタンピング以外のその他のプロセスが、基板上に金属および炭素母材を堆積させるために使用される可能性がある。たとえば、そのような堆積は、電子ビームによるパターニング、スパッタリング、フォトリソグラフィによるパターニング、化学気相堆積（ＣＶＤ）、印刷（たとえば、インクジェット印刷など）、電界紡糸（ｅｌｅｃｔｒｏｓｐｉｎｎｉｎｇ）、シャドーマスク（ｓｈａｄｏｗ ｍａｓｋ）、同様のもの、またはこれらの組み合わせによって行われる可能性がある。

追加的にまたは代替的に、金属トレースを基板に接合するために、任意で、接着剤が使用される可能性がある。そのような接着剤は、たとえば、ポリエステル、エポキシ、アクリル、ＰＩ、ガラスエポキシ、同様のもの、および／またはこれらの組み合わせを含む。そのような接着剤は、基板の特性に応じて、特定の基板に適合している必要がある可能性がある。

処理は、動作６０２から、複数の金属トレースが硬化させられる可能性がある動作６０４「複数の金属トレースを硬化させる」に続く可能性がある。たとえば、複数の金属トレースは、パラジウムおよび炭素母材を形成するために規定された時間および温度で（たとえば、ホットプレート上で大気条件（ａｍｂｉｅｎｔ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ）で、など）硬化させられる可能性がある。歪み感知センサー形成するための実装形態において、複数の金属トレースは、たとえば、摂氏約１９５度の温度で約３０分の時間の間、硬化させられる可能性がある。そのようなパラジウムおよび炭素母材は、約５８パーセントの炭素含有量を有する可能性があり、および／またはおおむね約６から１０ナノメートルの金属ナノ粒子サイズを有する可能性がある（たとえば、少なくとも１つの金属ナノ粒子がこのサイズである可能性がある、平均ナノ粒子サイズがこのサイズである可能性がある、など）。

処理は、動作６０４から、第１の電極および第２の電極が複数の金属トレースに接触するように堆積させられる可能性がある動作６０６「複数の金属トレースに接触するように第１の電極および第２の電極を堆積させる」に続く可能性がある。たとえば、第１の電極が、複数の金属トレースの一端に接触するように堆積させられる可能性があり、第２の電極が、複数の金属トレースの他端に接触するように堆積させられる可能性がある。

一部の例において、そのような堆積は、基板に対するシャドーマスキング（ｓｈａｄｏｗ ｍａｓｋｉｎｇ）によって行われる可能性がある。シャドーマスキング以外のその他のプロセスが、基板上に第１の電極および第２の電極を堆積させるために使用される可能性がある。たとえば、そのような堆積は、電子ビームによるパターニング、抵抗加熱による堆積、化学気相堆積（ＣＶＤ）、印刷（たとえば、インクジェット印刷など）、電界紡糸、スタンピング、同様のもの、またはこれらの組み合わせによって行われる可能性がある。

追加的にまたは代替的に、歪み感知センサーを形成するための上述の同じまたは同様の動作の一部またはすべてが、実質的に歪みに強いコンジットを形成するために実行され得る。たとえば、実質的に歪みに強いコンジットを形成するための実装形態において、１つまたは複数の金属トレースが、動作６０２で説明された方法と同じまたは同様の方法で堆積させられる可能性がある。さらに、実質的に歪みに強いコンジットを形成するための実装形態において、そのような１つまたは複数の金属トレースは、たとえば、動作６０４で説明された方法と同じまたは同様の方法で、摂氏約２３０度の温度で硬化させられる可能性がある。一部の実施形態において、そのような硬化は、摂氏約２３０度から摂氏約２５０度までの温度で行われる可能性がある。そのような硬化は、約３０分などの時間である可能性がある。そのような条件の下で、パラジウムおよび炭素母材は、約３６重量パーセントから約４０重量パーセントまでの範囲の炭素含有量（たとえば、約３７パーセントの炭素含有量）を有する可能性があり、および／または主に約２０ナノメートルから約３０ナノメートルまでの金属ナノ粒子サイズを有する可能性がある（たとえば、少なくとも１つの金属ナノ粒子がこのサイズである可能性がある、平均ナノ粒子サイズがこのサイズである可能性がある、など）。

動作の際、プロセス６００は、たとえば、硬化の温度または時間などの処理条件に応じて、歪み感知センサーを形成するため、および／または実質的に歪みに強いコンジットを形成するために利用され得る。この技術は、単に個々の金属トレースに適用される硬化温度を変えることによって、同じまたは同様の堆積される材料から、歪み感知センサーと実質的に歪みに強いコンジットとの両方を形成するために実施され得る。たとえば、１つの温度で硬化された金属トレースが、歪み感知センサーに好適なパラジウムおよび炭素母材をもたらす可能性がある一方、第２の温度で硬化された金属トレースは、実質的に歪みに強いコンジットに好適なパラジウムおよび炭素母材をもたらす可能性がある。したがって、プロセス６００は、歪み感知センサーおよび／または歪みに強いコンジットの電子的な特性をうまく制御できる直接的な単一ステップの解決策に基づくプロセスとして動作することができる。以下でより詳細に検討されるように、歪み感知センサーおよび／または歪みに強いコンジットのゲージ率（たとえば、構成要素の抵抗の相対的な変化を加えられた歪みで割ったもの）が、単に硬化温度および／または時間を変えることによって調整され得る。

図７〜１３を参照して、試験結果が、いくつかの実験例に関連して検討される。これらの実験例において、金属トレース（たとえば、図１および／または図２に関連して上で検討された金属トレース１０４）は、さまざまな硬化条件の下で形成され、さまざまな試験を受けた。これらの実験例において、金属トレース１０４は、ポリイミド基板上にパラジウムアルカンチオラート（ｐａｌｌａｄｉｕｍ ａｌｋａｎｅｔｈｉｏｌａｔｅ）をマイクロ成形（ｍｉｃｒｏｍｏｌｄｉｎｇ）することによって製造され、大気中で熱分解タイプの硬化にさらされた。約２０マイクロメートルの厚さのフレキシブルポリイミド基板が、パラジウム金属トレース１０４を成形するための基板として使用された。

パラジウムヘキサデシルチオラート（ｐａｌｌａｄｉｕｍ ｈｅｘａｄｅｃｙｌｔｈｉｏｌａｔｅ）のトルエン溶液（１０ミリモル）が、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）スタンプを使用する成形のための前駆体として働き、摂氏１９５度で熱分解すると、マイクロチャネル（ｍｉｃｒｏｃｈａｎｎｅｌ）内でナノ結晶パラジウム金属トレースになった。ポリイミドは、その柔軟性を失うことなくそのような温度に容易に耐え得る。前駆体の熱分解は脱着によって炭化水素を取り除くと期待され得るが、温度によっては、いくらかの量の炭素が後に残る可能性がある。この意味で、パラジウム金属トレースは、炭素母材中のパラジウムナノ粒子のナノコンポジットである。形成されたパラジウム金属トレースは、ＰＤＭＳの型に合った、約０．５マイクロメートルだけ間隔を空けられた約１マイクロメートルの幅を有していた。金電極のペアが、７５００本もの金属トレースが金電極に垂直に走るように、シャドーマスキングによって金属トレースの上に堆積させられた。金属接点が、銀エポキシを使用してＡｕパッドから引き出された。

ナノ粒子サイズ、炭素の性質および含有量、ならびに金属トレース１０４の抵抗は、熱分解の温度に依存することが分かった。摂氏１９５度の熱分解の温度は、炭素の割合がかなり多い、小さなパラジウムナノ粒子を含むストライプ（ｓｔｒｉｐｅ）を生じた。対応する抵抗は、通常、メガオームの範囲内にある可能性がある。追加的にまたは代替的に、摂氏１９５度で形成された金属トレース１０４は、３９０ものゲージ率を有する歪み感知センサーとして働く可能性がある。

図７は、本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがって構成された、曲げ半径対抵抗のグラフ７００を示したものである。示された例においては、引っ張りおよび圧縮中の曲げ半径による抵抗の変化が描かれている。歪み感知センサー５０２（たとえば、図５参照）の抵抗が、引っ張りと圧縮との両方を受けている状態で、曲げ半径の変化に対して、室温において大気（ａｍｂｉｅｎｔ）内で測定された。この感知アクションは、硬化条件（たとえば、熱分解の温度）に依存する可能性がある。示された例において、金属トレースは、たとえば、摂氏約１９５度の温度で約３０分の時間の間、硬化させられる可能性がある。歪み感知センサー５０２を平らに維持した状態で、金属トレース（たとえば、図１に関連して上で検討された金属トレース１０４）の集合的な抵抗は、４．３４メガオーム（ＭΩ）であった。金属トレース１０４が引っ張り歪みにさらされ、曲げ半径が∞（たとえば、平坦）から０．５センチメートル未満にまで減少したとき、歪み感知センサー５０２の抵抗は、グラフ７００に示されるように、６．８２ＭΩまで徐々に増加した。一方、圧縮歪みの下では、歪み感知センサー５０２の抵抗は、やはりグラフ７００に示されるように、２．４８ＭΩまで徐々に減少した。どちらの歪みも、取り除かれると、歪み感知センサー５０２が、特有の抵抗を有するその歪み感知センサー５０２の元の平らな位置に戻った。

図８は、本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがって構成された、歪みの百分率対抵抗の変化のグラフ８００を示したものである。示された例において、正規化された抵抗の変化が、歪みの関数として描かれている。百分率の歪み（ε）は、式ε＝ｄ／２ｒによって計算され、ここで、ｄは、基板の厚さを表す可能性があり、ｒは、曲率半径を表す可能性がある。グラフ８００の傾きが、歪み感知センサーの性能を定める可能性があるゲージ率として利用され得る。示された例において、金属トレースは、たとえば、摂氏約１９５度の温度で約３０分の時間の間、硬化させられる可能性がある。グラフ８００に示されるデータに関して、歪み感知センサーに関連する金属トレース（たとえば、図１に関連して上で検討された金属トレース１０４）のゲージ率は、引っ張り歪みに対して約３９０であり、圧縮歪みに対して約２４９であると見積もられ得る。

追加的にまたは代替的に、そのような条件の下で、歪み感知センサーに関連する金属トレース（たとえば、図１に関連して上で検討された金属トレース１０４）は、約０．２パーセントの歪みの動作範囲を有する可能性がある。たとえば、歪み感知センサーは、約０．０９パーセントの低い歪みを感知することができる。たとえば、歪み感知センサーは、約０．０９から約１．０パーセントまでの値の広い範囲、約０．０９から約０．５パーセントまでのより狭い範囲、および／または約０．０９パーセントの目標値の歪みを感知することができる。

追加的にまたは代替的に、そのような条件の下で、そのような歪み感知センサーは、約０．２ボルトの最小励起電圧（ｍｉｎｉｍｕｍ ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ ｖｏｌｔａｇｅ）を有する可能性がある。たとえば、そのような歪み感知センサーは、約０．０５から約２．０ボルトまでの値の広い範囲、約０．１から約１．０ボルトまでのより狭い範囲、および／または約０．２ボルトの目標値の最小励起電圧を有する可能性がある。

図９は、本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがって構成された、曲げ半径対抵抗のグラフ９００を示したものである。示された例において、歪みに強いコンジット５０４（たとえば、図５参照）の抵抗が、測定された。歪みに強いコンジット５０４の硬化は、たとえば、摂氏約２３０度の温度で約３０分の時間の間、行われる可能性がある。そのような条件の下で、歪みに強いコンジット５０４は、幅広いさまざまな曲げ半径の条件で、歪みに対してゼロからほぼゼロまでのゲージ率を有する可能性がある。

グラフ９００に示されるように、抵抗は、１９．４±０．２オームでほぼ一定のままであった。摂氏２００度から摂氏２２５度の間で硬化（たとえば、熱分解）することによって生成された金属トレースは、導電性が比較的低く、さらに、歪みに対してほとんど反応を示さなかったことが指摘され得る。摂氏約１８０度で硬化させることによって生成された金属トレースは、絶縁性が高いだけでなく、歪みを感知しにくかった。

図１０は、本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがって構成された、サイクル数対抵抗のグラフ１０００を示したものである。示された例において、歪みに強いコンジット５０４（たとえば、図５参照）の抵抗が測定された。歪みに強いコンジット５０４の硬化は、たとえば、摂氏約２３０度の温度で約３０分の時間の間、行われる可能性がある。そのような条件の下で、歪みに強いコンジット５０４は、ある曲げ半径での幅広いサイクル数で、歪みに対してゼロからほぼゼロまでのゲージ率を有する可能性がある。示された例においては、１．１ｃｍの曲げ半径が使用された。グラフ１０００に示されるように、歪みに強いコンジット５０４は、１００回の曲げのサイクルの後でさえも安定していた。

図１１は、本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがって構成された、粒子サイズ対基本抵抗のグラフ１１００を示したものである。示された例において、金属トレースは、たとえば、摂氏約１９５度の温度で約３０分の時間の間、硬化させられる可能性がある。そのような条件の下で、歪み感知センサーに関連する金属トレース（たとえば、図１に関連して上で検討された金属トレース１０４）は、おおむね約６から１０ナノメートルの範囲の金属ナノ粒子サイズを有する可能性がある。

加えて、そのような硬化は、摂氏約２３０度から摂氏約２５０度までの範囲の温度で行われる可能性がある。そのような硬化は、約３０分などの時間である可能性がある。そのような条件の下で、実質的に歪みに強いコンジットに関連する金属トレース（たとえば、図２に関連して上で検討された金属トレース１０４）は、金属および炭素母材中におおむね約２０から３０ナノメートルの範囲の金属ナノ粒子サイズを有する可能性がある。実質的に歪みに強いコンジットに関連する抵抗は、利用される特定の硬化温度に依存して変わり得る。

さらに、表１に示されるように、エネルギー分散分光（ＥＤＳ：ｅｎｅｒｇｙ−ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析が、特定の温度で硬化された膜の金属トレースに対して行われ得る。一部の実施形態において、そのような硬化は、たとえば、摂氏約１９５度の温度で約３０分の時間の間、行われる可能性がある。そのような条件の下で、金属トレース（たとえば、図１に関連して上で検討された金属トレース１０４）は、約５５重量パーセントから約６０重量パーセントまでの範囲の炭素含有量（たとえば、約５８パーセントの炭素含有量）を有する可能性がある。一部の実施形態において、そのような硬化は、摂氏約２３０度から摂氏約２５０度までの温度で行われる可能性がある。そのような硬化は、約３０分などの時間である可能性がある。そのような条件の下で、金属トレース（たとえば、図２に関連して上で検討された金属トレース１０４）は、約３７パーセントの炭素含有量を有する可能性がある。

図１２は、本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがって構成された、基本抵抗対ゲージ率のグラフ１２００を示したものである。歪み感知センサーのゲージ率は、センサーの抵抗の相対的な変化を、加えられた歪みで割ったものである可能性がある。フレキシブル回路において、歪みに強いコンジットは、高いゲージ率が望ましい可能性があるユーザーインターフェースコンポーネントとは異なり、できる限り、繰り返される曲げに対してほぼゼロのゲージ率を呈する。示された例において、約３０分間、摂氏約１９５度で形成された歪み感知センサー５０２（たとえば、図５参照）は、歪みに対して約３９０、またはより広く約３００から約４００までのゲージ率を有する可能性がある。

図１３は、本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがって構成された、波長対透過率のグラフ１３００を示したものである。示されるように、パラジウム金属トレース（たとえば、図１および／または２に関連して上で検討された金属トレース１０４）が、さまざまな波長で、透過率に関して試験され得る。たとえば、パラジウム金属トレースは、約５５０ナノメートルを超える波長の電磁放射に対して約８０パーセントの透過率を呈する可能性がある。したがって、金属トレース（たとえば、図１および／または２に関連して上で検討された金属トレース１０４）から作製された実質的に歪みに強いコンジットおよび／または歪み感知センサーは、約５５０ナノメートルから約１１００ナノメートルまでの範囲の波長の電磁放射を実質的に透過する可能性がある。加えて、ポリイミドタイプの基板は、４００から５００ナノメートルの範囲で高い吸収率を有する可能性がある。

さらに、歪み感知センサー５０２（たとえば、図５参照）は、大気（ａｍｂｉｅｎｔ ａｉｒ）中で温度変化に対して強いことが実験的に分かった（たとえば、抵抗実験用の歪み感知センサーの温度係数は約０．００２２８Ｋ^−１であった）。

金属トレース１０４（たとえば、図１参照）が可視範囲で比較的良好な透明度を呈する可能性があるとき、透明な歪み感知センサーが実現され得る。同様に、金属トレース１０４（たとえば、図１参照）が可視範囲で比較的良好な透明度を呈する可能性があるとき、透明な実質的に歪みに強いコンジットが実現され得る。したがって、実質的に歪みに強いコンジットおよび／または歪み感知センサーは、可視スペクトルの光に対して実質的に透明であるように作製され得る。

図７〜１０から分かるように、熱分解の温度は、金属トレースの電気的特性に影響を与える可能性があり、ひいては、感知能力に影響を与える可能性がある。熱分解は、２つの意味での金属トレースの構造、すなわち、パラジウムのナノ粒子サイズと、熱分解の後に残される炭素母材の性質とに影響を与える可能性がある。このように、摂氏１９５度の温度で、小さなナノ粒子が生成される可能性がある。炭化水素の分解が、不完全に起こり、結果として、全体的な炭素含有量は、それ自体の前駆体の状態と同程度のままである可能性がある。

粒子サイズが熱分解の温度とともに増加した一方、ストライプの抵抗は減少した。したがって、金属トレースは、熱分解の温度に依存して幅広い抵抗を示す可能性がある。摂氏２３０度の熱分解によって生じるストライプは、基本的に金属性である可能性があり、曲げ半径の変化とともに抵抗はほとんどまたはまったく変化を示さず、これは、この場合、ゲージ率が０である可能性があることを意味し得る。摂氏２３０度での熱分解は、より小さな粒子（３から５ナノメートル）によって囲まれたより大きなパラジウムナノ粒子（２０から３０ナノメートル）およびより少ない炭素を生じる可能性があり、炭素のごく一部はグラファイト状である。熱分解の時間も、粒子サイズおよび炭素の性質の影響を有する可能性がある。摂氏１９５度で、継続時間が３０分から６０、９０、および１２０分まで増やされたとき、基本抵抗が減少し、対応するゲージ率が減少した。これらの金属トレースの構造を考えると、歪みは、ナノ粒子の間の電子的結合の変化を引き起こすと考えられ得る。摂氏１９５度の熱分解から得られた金属トレースによって、このシナリオは、電子的な結合がナノ粒子の環境のどんな小さな変化に対しても最も敏感になるナノ粒子サイズならびに炭素の性質および含有量をもたらす可能性がある。抵抗はナノ粒子界面（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）間の接触抵抗が大部分を占める可能性があるので、歪み感知センサーは、圧縮歪みよりも引っ張り歪みをより感知しやすい可能性がある。基本抵抗が、摂氏１８０度で生じる金属トレースの場合のようにさらに高くなる場合、粒子間の結合がほとんど失われ、感知アクションの効果を薄れさせる可能性がある。

図１４は、本開示の少なくとも一部の例にしたがって構成され得る例示的なコンピュータプログラム製品１４００を示す。プログラム製品１４００は、信号を運ぶ媒体１４０２を含み得る。信号を運ぶ媒体１４０２は、１つまたは複数のプロセッサによって実行される場合に、図６に関連して上で説明された機能をコンピューティングデバイスが提供することを効果的に可能にすることができる１つまたは複数の機械可読命令１４０４を含み得る。したがって、たとえば、１つまたは複数のコンピューティングデバイスが、媒体１４０２によって運ばれた命令１４０４に応答して図６に示されたアクションのうちの１つまたは複数を開始して、歪み感知センサーおよび／または歪みに強いコンジットを生成することができる。

一部の実装形態において、信号を運ぶ媒体１４０２は、これらに限定されないが、ハードディスクドライブ、コンパクトディスク（ＣＤ）、デジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）、デジタルテープ、メモリなどの非一時的コンピュータ可読媒体１４０６を含み得る。一部の実装形態において、信号を運ぶ媒体１４０２は、これらに限定されないが、メモリ、読み出し／書き込み（Ｒ／Ｗ）ＣＤ、Ｒ／Ｗ ＤＶＤなどの記録可能な媒体１４０８を含み得る。一部の実装形態において、信号を運ぶ媒体１４０２は、これらに限定されないが、デジタルおよび／またはアナログ通信媒体（たとえば、光ファイバケーブル、導波管、有線通信リンク、無線通信リンクなど）などの通信媒体１４１０を含み得る。

図１５は、本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがって構成される可能性がある、当業者によって具現化され得るような例示的なコンピューティングデバイス１５００を示すブロック図である。１つの例示的な構成１５０１において、コンピューティングデバイス１５００は、１つまたは複数のプロセッサ１５１０およびシステムメモリ１５２０を含み得る。メモリバス１５３０が、プロセッサ１５１０とシステムメモリ１５２０との間の通信のために使用され得る。

所望の構成に応じて、プロセッサ１５１０は、マイクロプロセッサ（μＰ）、マイクロコントローラ（μＣ）、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、またはこれらの任意の組み合わせを含むがこれらに限定されない任意のタイプである可能性がある。プロセッサ１５１０は、レベル１キャッシュ１５１１およびレベル２キャッシュ１５１２などの１つまたは複数のレベルのキャッシング、プロセッサコア１５１３、ならびにレジスタ１５１４を含み得る。プロセッサコア１５１３は、算術論理演算ユニット（ＡＬＵ）、浮動小数点演算ユニット（ＦＰＵ）、デジタル信号処理コア（ＤＳＰコア）、またはこれらの任意の組み合わせを含み得る。メモリコントローラ１５１５が、プロセッサ１５１０とともに使用される可能性もあり、または一部の実装形態においては、メモリコントローラ１５１５は、プロセッサ１５１０の内部部分である可能性がある。

所望の構成に応じて、システムメモリ１５２０は、揮発性メモリ（ＲＡＭなど）、不揮発性メモリ（ＲＯＭ、フラッシュメモリなど）、またはこれらの任意の組み合わせを含むがこれらに限定されない任意のタイプである可能性がある。システムメモリ１５２０は、オペレーティングシステム１５２１、１つまたは複数のアプリケーション１５２２、およびプログラムデータ１５２４を含み得る。アプリケーション１５２２は、少なくとも図６のプロセス６００に関連して説明された機能ブロックおよび／またはアクションを含む本明細書に記載の機能を実行するように構成される、歪み感知センサーおよび／または歪みに強いコンジットを製造するための金属および炭素母材堆積アルゴリズム１５２３を含み得る。プログラムデータ１５２４は、金属および炭素母材堆積アルゴリズム１５２３で使用するためのデータ１５２５を含み得る。一部の例示的な実施形態において、アプリケーション１５２２は、歪み感知センサーおよび／または歪みに強いコンジットの製造の実装形態が本明細書において説明されたように提供され得るように、オペレーティングシステム１５２１上でプログラムデータ１５２４を用いて動作するように構成され得る。たとえば、１つまたは複数のコンピューティングデバイス１５００は、歪み感知センサーおよび／または歪みに強いコンジットの製造の実装形態が本明細書において説明されたように提供され得るように、アプリケーション１５２２のすべてまたは一部を実行することができる可能性がある。この説明された基本構成は、図１５において破線１５０１内のコンポーネントによって示される。

コンピューティングデバイス１５００は、追加的な特徴または機能、ならびに基本構成１５０１と任意の必要とされるデバイスおよびインターフェースとの間の通信を容易にするための追加的なインターフェースを有する可能性がある。たとえば、バス／インターフェースコントローラ１５４０が、ストレージインターフェースバス１５４１を介した基本構成１５０１と１つまたは複数のデータストレージデバイス１５５０との間の通信を容易にするために使用され得る。データストレージデバイス１５５０は、取外し式ストレージデバイス１５５１、非取外し式ストレージデバイス１５５２、またはこれらの組み合わせである可能性がある。取外し式ストレージデバイスおよび非取外し式ストレージデバイスの例には、いくつか例を挙げるとすれば、フレキシブルディスクドライブおよびハードディスクドライブ（ＨＤＤ）などの磁気ディスクデバイス、コンパクトディスク（ＣＤ）ドライブまたはデジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）ドライブなどの光ディスクドライブ、ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）、ならびにテープドライブが含まれる。例示的なコンピュータストレージ媒体は、コンピュータ可読命令、データ構造、プログラムモジュール、またはその他のデータなどの情報を記憶するための任意の方法または技術で実装された揮発性および不揮発性の取外し式および非取外し式媒体を含み得る。

システムメモリ１５２０、取外し式ストレージ１５５１、および非取外し式ストレージ１５５２は、すべて、コンピュータストレージ媒体の例である。コンピュータストレージ媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、もしくはその他のメモリ技術、ＣＤ−ＲＯＭ、デジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）、もしくはその他の光学式ストレージ、磁気カセット、磁気テープ、磁気ディスクストレージ、もしくはその他の磁気式ストレージデバイス、または所望の情報を記憶するために使用可能であり、コンピューティングデバイス１５００によってアクセスされ得る任意のその他の媒体を含むがこれらに限定されない。任意のそのようなコンピュータストレージ媒体は、デバイス１５００の一部である可能性がある。

コンピューティングデバイス１５００は、バス／インターフェースコントローラ１５４０を介したさまざまなインターフェースデバイス（たとえば、出力インターフェース、周辺インターフェース、および通信インターフェース）から基本構成１５０１への通信を容易にするためのインターフェースバス１５４２も含み得る。例示的な出力インターフェース１５６０は、１つもしくは複数のＡ／Ｖポート１５６３を介してディスプレイまたはスピーカーなどのさまざまな外部デバイスと通信するように構成され得るグラフィック処理ユニット１５６１およびオーディオ処理ユニット１５６２を含み得る。例示的な周辺インターフェース１５６０は、１つまたは複数のＩ／Ｏポート１５７３を介して入力デバイス（たとえば、キーボード、マウス、ペン、音声入力デバイス、タッチ入力デバイスなど）またはその他の周辺デバイス（たとえば、プリンタ、スキャナなど）などの外部デバイスと通信するように構成され得るシリアルインターフェースコントローラ１５７１またはパラレルインターフェースコントローラ１５７２を含み得る。例示的な通信インターフェース１５８０は、１つまたは複数の通信ポート１５８２を介したネットワーク通信による１つまたは複数のその他のコンピューティングデバイス１５９０との通信を容易にするように構成され得るネットワークコントローラ１５８１を含む。通信接続は、通信媒体の一例である。通常、通信媒体は、搬送波またはその他の搬送メカニズムなどの変調されたデータ信号内のコンピュータ可読命令、データ構造、プログラムモジュール、またはその他のデータによって具現化される可能性があり、任意の情報配信媒体を含み得る。「変調されたデータ信号」は、その信号の特性のうちの１つまたは複数を、信号中に情報を符号化するような方法で設定または変更させる信号である可能性がある。限定ではなく例として、通信媒体は、有線ネットワークまたは直接有線接続などの有線媒体、ならびに音響、無線周波数（ＲＦ）、赤外線（ＩＲ）、およびその他の無線媒体などの無線媒体を含み得る。本明細書において使用されるとき、コンピュータ可読媒体は、ストレージ媒体と通信媒体の両方を含み得る。

コンピューティングデバイス１５００は、セル電話、携帯情報端末（ＰＤＡ）、パーソナルメディアプレイヤーデバイス、無線ウェブ閲覧デバイス、パーソナルヘッドセットデバイス、特定用途向けデバイス、または上述の機能のいずれかを含む複合デバイスなどの小型フォームファクタ携帯型（またはモバイル）電子デバイスの一部として実装され得る。また、コンピューティングデバイス１５００は、ラップトップコンピュータ構成と非ラップトップコンピュータ構成との両方を含むパーソナルコンピュータとして実装される可能性もある。加えて、コンピューティングデバイス１５００は、無線基地局またはその他の無線システムもしくはデバイスの一部として実装され得る。

上述の詳細な説明のいくつかの部分は、コンピュータメモリなどのコンピューティングシステムのメモリ内に記憶されたデータビットまたは２値デジタル信号に対する動作のアルゴリズムまたは記号的表現によって示されている。これらのアルゴリズム的な説明または表現は、データ処理技術の通常の技能を有する者によって、それらの者の成果の内容を当該技術に精通したその他の者に伝えるために使用される技法の例である。本明細書においておよび大抵の場合、アルゴリズムは、所望の結果をもたらす自己矛盾のない一連の動作または同様の処理であると考えられる。この文脈において、動作または処理は、物理量の物理的操作をともなう。必ずではないが通常は、そのような量は、記憶、転送、組み合わせ、比較、またはその他の操作を行われ得る電気的または磁気的信号の形態をとる可能性がある。そのような信号をビット、データ、値、要素、シンボル、文字、項、数、数字などと呼ぶことが、主に共通使用の理由で便利な場合があることが分かっている。しかし、これらのまたは同様の用語のすべては、適切な物理量に関連付けられるべきであり、単に便宜的なラベルであるに過ぎないことを理解されたい。以下の検討から明らかなように、別途具体的に示されない限り、本明細書の全体を通じて、「処理する」、「算出する」、「計算する」、「決定する」などの用語を利用する検討は、コンピューティングデバイスのメモリ、レジスタ、もしくはその他の情報ストレージデバイス、送信デバイス、またはディスプレイデバイス内の物理的な電子的または磁気的量として表されるデータを操作または変換するコンピューティングデバイスのアクションまたはプロセスを指すことが理解される。

特許請求の主題は、本明細書において説明された特定の実装形態に範囲を限定されない。たとえば、一部の実装形態は、デバイスまたはデバイスの組み合わせで動作するように使用されるようなハードウェアでの実装形態である可能性があり、一方、たとえば、その他の実装形態は、ソフトウェアおよび／またはファームウェアでの実装形態である可能性がある。同様に、特許請求の主題はこの点で範囲を限定されないが、一部の実装形態は、信号を運ぶ媒体、１つのストレージ媒体、および／または複数のストレージ媒体などの１つまたは複数の製品を含み得る。たとえば、ＣＤ−ＲＯＭ、コンピュータディスク、フラッシュメモリなどのこのストレージ媒体が、たとえば、コンピューティングシステム、コンピューティングプラットフォーム、またはその他のシステムなどのコンピューティングデバイスによって実行されるときに、たとえば、上述の実装形態のうちの１つのように特許請求の主題によるプロセッサの実行をもたらすことができる命令を記憶する可能性がある。１つの可能性として、コンピューティングデバイスは、１つまたは複数の処理ユニットまたはプロセッサ、ディスプレイ、キーボード、および／またはマウスなどの１つまたは複数の入力／出力デバイス、ならびにスタティックランダムアクセスメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリ、フラッシュメモリ、および／またはハードドライブなどの１つまたは複数のメモリを含み得る。

システムの側面でのハードウェアの実装形態とソフトウェアの実装形態との間には、ほとんど相違が残されていない。ハードウェアまたはソフトウェアの使用は、一般に（いつもそうではないが、ある状況ではハードウェアとソフトウェアの間の選択が重要になり得るという点で）コスト対効果のトレードオフを表す設計上の選択である。本明細書に記載された、プロセスおよび／またはシステムおよび／または他の技術をもたらすことができるさまざまな達成手段があり（たとえば、ハードウェア、ソフトウェア、および／またはファームウェア）、好ましい達成手段は、プロセスおよび／またはシステムおよび／または他の技術が導入される状況によって異なる。たとえば、実装者が速度と正確性が最も重要であると決定すると、実装者は主にハードウェアおよび／またはファームウェアの達成手段を選択することができる。フレキシビリティが最も重要なら、実装者は主にソフトウェアの実装形態を選択することができる。または、さらに別の代替案として、実装者は、ハードウェア、ソフトウェア、および／またはファームウェアの何らかの組み合わせを選択することができる。

前述の詳細な説明では、ブロック図、フローチャート、および／または例の使用によって、装置および／またはプロセスのさまざまな実施形態を説明してきた。そのようなブロック図、フローチャート、および／または例が１つまたは複数の機能および／または動作を含む限りにおいて、そのようなブロック図、フローチャート、または例の中のそれぞれの機能および／または動作は、広範囲のハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、または実質上それらのすべての組み合わせにより、個別におよび／または集合的に実装可能であることが、当業者には理解されるであろう。ある実施形態では、本明細書に記載された主題のいくつかの部分は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）、または他の集積化方式によって実装することができる。しかし、本明細書で開示された実施形態のいくつかの態様が、全体においてまたは一部において、１つまたは複数のコンピュータ上で動作する１つまたは複数のコンピュータプログラムとして（たとえば、１つまたは複数のコンピュータシステム上で動作する１つまたは複数のプログラムとして）、１つまたは複数のプロセッサ上で動作する１つまたは複数のプログラムとして（たとえば、１つまたは複数のマイクロプロセッサ上で動作する１つまたは複数のプログラムとして）、ファームウェアとして、あるいは実質上それらの任意の組み合わせとして、等価に集積回路に実装することができることを、当業者は認識するであろうし、電気回路の設計ならびに／またはソフトウェアおよび／もしくはファームウェアのコーディングが、本開示に照らして十分当業者の技能の範囲内であることを、当業者は認識するであろう。さらに、本明細書に記載された主題のメカニズムをさまざまな形式のプログラム製品として配布することができることを、当業者は理解するであろうし、本明細書に記載された主題の例示的な実施形態が、実際に配布を実行するために使用される信号伝達媒体の特定のタイプにかかわらず適用されることを、当業者は理解するであろう。信号伝達媒体の例には、フレキシブルディスク、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、デジタルテープ、コンピュータメモリ、などの記録可能なタイプの媒体、ならびに、デジタル通信媒体および／またはアナログ通信媒体（たとえば、光ファイバケーブル、導波管、有線通信リンク、無線通信リンクなど）の通信タイプの媒体が含まれるが、それらには限定されない。

本明細書で説明したやり方で装置および／またはプロセスを記載し、その後そのように記載された装置および／またはプロセスを、データ処理システムに統合するためにエンジニアリング方式を使用することは、当技術分野で一般的であることを当業者は認識するであろう。すなわち、本明細書に記載された装置および／またはプロセスの少なくとも一部を、妥当な数の実験によってデータ処理システムに統合することができる。通常のデータ処理システムは、一般に、システムユニットハウジング、ビデオディスプレイ装置、揮発性メモリおよび不揮発性メモリなどのメモリ、マイクロプロセッサおよびデジタル信号プロセッサなどのプロセッサ、オペレーティングシステムなどの計算実体、ドライバ、グラフィカルユーザーインターフェース、およびアプリケーションプログラムのうちの１つもしくは複数、タッチパッドもしくはスクリーンなどの１つもしくは複数の相互作用装置、ならびに／またはフィードバックループおよびコントロールモータを含むコントロールシステム（たとえば、位置検知用および／もしくは速度検知用フィードバック、コンポーネントの移動用および／もしくは数量の調整用コントロールモータ）を含むことを、当業者は理解するであろう。通常のデータ処理システムは、データコンピューティング／通信システムおよび／またはネットワークコンピューティング／通信システムの中に通常見られるコンポーネントなどの、市販の適切なコンポーネントを利用して実装することができる。

本明細書に記載された主題は、さまざまなコンポーネントをしばしば例示しており、これらのコンポーネントは、他のさまざまなコンポーネントに包含されるか、または他のさまざまなコンポーネントに接続される。そのように図示されたアーキテクチャは、単に例示に過ぎず、実際には、同じ機能を実現する多くの他のアーキテクチャが実装可能であることが理解されよう。概念的な意味で、同じ機能を実現するコンポーネントの任意の構成は、所望の機能が実現されるように効果的に「関連付け」される。したがって、特定の機能を実現するために組み合わされた、本明細書における任意の２つのコンポーネントは、アーキテクチャまたは中間のコンポーネントにかかわらず、所望の機能が実現されるように、お互いに「関連付け」されていると見ることができる。同様に、そのように関連付けされた任意の２つのコンポーネントは、所望の機能を実現するために、互いに「動作可能に接続」または「動作可能に結合」されていると見なすこともでき、そのように関連付け可能な任意の２つのコンポーネントは、所望の機能を実現するために、互いに「動作可能に結合できる」と見なすこともできる。動作可能に結合できる場合の具体例には、物理的にかみ合わせ可能な、および／もしくは物理的に相互作用するコンポーネント、ならびに／またはワイヤレスに相互作用可能な、および／もしくはワイヤレスに相互作用するコンポーネント、ならびに／または論理的に相互作用する、および／もしくは論理的に相互作用可能なコンポーネントが含まれるが、それらに限定されない。

本明細書における実質的にすべての複数形および／または単数形の用語の使用に対して、当業者は、状況および／または用途に適切なように、複数形から単数形に、および／または単数形から複数形に変換することができる。さまざまな単数形／複数形の置き換えは、理解しやすいように、本明細書で明確に説明することができる。

通常、本明細書において、特に添付の特許請求の範囲（たとえば、添付の特許請求の範囲の本体部）において使用される用語は、全体を通じて「オープンな（ｏｐｅｎ）」用語として意図されていることが、当業者には理解されよう（たとえば、用語「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」は、「含むがそれに限定されない（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ ｂｕｔ ｎｏｔ ｌｉｍｉｔｅｄ ｔｏ）」と解釈されるべきであり、用語「有する（ｈａｖｉｎｇ）」は、「少なくとも有する（ｈａｖｉｎｇ ａｔ ｌｅａｓｔ）」と解釈されるべきであり、用語「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」は、「含むがそれに限定されない（ｉｎｃｌｕｄｅｓ ｂｕｔ ｉｓ ｎｏｔ ｌｉｍｉｔｅｄ ｔｏ）」と解釈されるべきである、など）。導入される請求項で具体的な数の記載が意図される場合、そのような意図は、当該請求項において明示的に記載されることになり、そのような記載がない場合、そのような意図は存在しないことが、当業者にはさらに理解されよう。たとえば、理解の一助として、添付の特許請求の範囲は、導入句「少なくとも１つの（ａｔ ｌｅａｓｔ ｏｎｅ）」および「１つまたは複数の（ｏｎｅ ｏｒ ｍｏｒｅ）」を使用して請求項の記載を導くことを含む場合がある。しかし、そのような句の使用は、同一の請求項が、導入句「１つまたは複数の」または「少なくとも１つの」および「ａ」または「ａｎ」などの不定冠詞を含む場合であっても、不定冠詞「ａ」または「ａｎ」による請求項の記載の導入が、そのように導入される請求項の記載を含む任意の特定の請求項を、単に１つのそのような記載を含む発明に限定する、ということを示唆していると解釈されるべきではない（たとえば、「ａ」および／または「ａｎ」は、通常、「少なくとも１つの」または「１つまたは複数の」を意味すると解釈されるべきである）。同じことが、請求項の記載を導入するのに使用される定冠詞の使用にも当てはまる。また、導入される請求項の記載で具体的な数が明示的に記載されている場合でも、そのような記載は、通常、少なくとも記載された数を意味すると解釈されるべきであることが、当業者には理解されよう（たとえば、他の修飾語なしでの「２つの記載（ｔｗｏ ｒｅｃｉｔａｔｉｏｎｓ）」の単なる記載は、通常、少なくとも２つの記載、または２つ以上の記載を意味する）。さらに、「Ａ、ＢおよびＣ、などの少なくとも１つ」に類似の慣例表現が使用されている事例では、通常、そのような構文は、当業者がその慣例表現を理解するであろう意味で意図されている（たとえば、「Ａ、Ｂ、およびＣの少なくとも１つを有するシステム」は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡおよびＢを共に、ＡおよびＣを共に、ＢおよびＣを共に、ならびに／またはＡ、Ｂ、およびＣを共に、などを有するシステムを含むが、それに限定されない）。「Ａ、Ｂ、またはＣ、などの少なくとも１つ」に類似の慣例表現が使用されている事例では、通常、そのような構文は、当業者がその慣例表現を理解するであろう意味で意図されている（たとえば、「Ａ、Ｂ、またはＣの少なくとも１つを有するシステム」は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡおよびＢを共に、ＡおよびＣを共に、ＢおよびＣを共に、ならびに／またはＡ、Ｂ、およびＣを共に、などを有するシステムを含むが、それに限定されない）。２つ以上の代替用語を提示する事実上いかなる離接する語および／または句も、明細書、特許請求の範囲、または図面のどこにあっても、当該用語の一方（ｏｎｅ ｏｆ ｔｈｅ ｔｅｒｍｓ）、当該用語のいずれか（ｅｉｔｈｅｒ ｏｆ ｔｈｅ ｔｅｒｍｓ）、または両方の用語（ｂｏｔｈ ｔｅｒｍｓ）を含む可能性を企図すると理解されるべきであることが、当業者にはさらに理解されよう。たとえば、句「ＡまたはＢ」は、「Ａ」または「Ｂ」あるいは「ＡおよびＢ」の可能性を含むことが理解されよう。

本明細書における「実装形態」、「１つの実装形態」、「一部の実装形態」、または「その他の実装形態」との言及は、１つまたは複数の実装形態に関連して説明された特定の特徴、構造、または特性が少なくとも一部の実装形態に含まれるが、必ずしもすべての実装形態に含まれるわけではない可能性があることを意味する。上述の説明中の「実装形態」、「１つの実装形態」、または「一部の実装形態」のさまざまな記載は、必ずしもすべてが同じ実装形態を指しているとは限らない。

特定の例示的な技法が、さまざまな方法およびシステムを用いて本明細書において説明され、示されたが、特許請求の主題から逸脱することなしにさまざまなその他の修正がなされる可能性があり、均等物が代わりに用いられる可能性があることは、当業者によって理解されるに違いない。さらに、特定の状況を、本明細書において説明された中心的概念から逸脱することなしに特許請求の主題の教示に適合させるために、多くの修正がなされる可能性がある。したがって、特許請求の主題は、開示された特定の例に限定されず、むしろ、そのような特許請求の主題は、添付の特許請求の範囲に含まれるすべての実装形態、およびそれらの実装形態の均等物も含み得ることが意図される。

Claims (55)

1. 基板と、
   前記基板上に配置された第１のフレキシブル電子部品であって、実質的に歪みに強いコンジットを含む、第１のフレキシブル電子部品と、
   前記基板上に配置された第２のフレキシブル電子部品であって、歪み感知センサーを含む、第２のフレキシブル電子部品とを備え、
   前記実質的に歪みに強いコンジットと前記歪み感知センサーとの両方は、金属および炭素母材を含む、装置。
2. 前記金属は、パラジウムを含む請求項１に記載の装置。
3. 前記実質的に歪みに強いコンジットおよび／または前記歪み感知センサーは、約１００ナノメートルから約１０ミクロンまでのサイズを有する請求項１に記載の装置。
4. 前記歪み感知センサーは、摂氏約１９５度の温度で約３０分の時間の硬化によって得られる構造を含み、前記実質的に歪みに強いコンジットは、摂氏約２３０度の温度で約３０分の時間の硬化によって得られる構造を含む請求項１に記載の装置。
5. 前記実質的に歪みに強いコンジットは、インターコネクト、電極、コネクタ、配線、および／または導電トレースのうちの１つまたは複数を含む請求項１に記載の装置。
6. 前記実質的に歪みに強いコンジットは、コネクタを含む請求項１に記載の装置。
7. 前記基板は、サイズが約１インチから約３０インチまでの範囲である請求項１に記載の装置。
8. 前記実質的に歪みに強いコンジットは、歪みに対してゼロからほぼゼロまでのゲージ率を有する請求項１に記載の装置。
9. 前記実質的に歪みに強いコンジットは、前記金属および炭素母材中にサイズが約２０から３０ナノメートルの少なくとも１つの金属ナノ粒子を含む請求項１に記載の装置。
10. 前記実質的に歪みに強いコンジットは、前記金属および炭素母材中に約２０から３０ナノメートルの平均ナノ粒子サイズを含む請求項１に記載の装置。
11. 前記実質的に歪みに強いコンジットは、前記金属および炭素母材中に約３６重量パーセントから約４０重量パーセントまでの範囲の炭素含有量を有する請求項１に記載の装置。
12. 前記歪み感知センサーは、歪みに対して約３００から約４００までのゲージ率を有する請求項１に記載の装置。
13. 前記歪み感知センサーは、約０．２ボルトの最小励起電圧を有する請求項１に記載の装置。
14. 前記歪み感知センサーは、約０．０９パーセントの小さい歪みを感知する請求項１に記載の装置。
15. 前記歪み感知センサーは、前記金属および炭素母材中にサイズが約６から１０ナノメートルの少なくとも１つの金属ナノ粒子を含む請求項１に記載の装置。
16. 前記歪み感知センサーは、前記金属および炭素母材中に約６から１０ナノメートルの平均ナノ粒子サイズを含む請求項１に記載の装置。
17. 前記歪み感知センサーは、前記金属および炭素母材中に約５５重量パーセントから約６０重量パーセントまでの範囲の炭素含有量を有する請求項１に記載の装置。
18. 前記実質的に歪みに強いコンジットと前記歪み感知センサーとの両方は、約５５０ナノメートルから約１１００ナノメートルまでの範囲の波長の電磁放射を実質的に透過する請求項１に記載の装置。
19. 前記実質的に歪みに強いコンジットと前記歪み感知センサーとの両方は、約５５０ナノメートルを超える波長の電磁放射に対して約８０パーセントの透過率を呈する請求項１に記載の装置。
20. タッチ感知式ディスプレイ、フレキシブル太陽電池、フレキシブルディスプレイ、伸縮可能ディスプレイ、巻くことができるディスプレイ、および／またはこれらの組み合わせのうちの１つまたは複数を含む請求項１に記載の装置。
21. 基板と、
    前記基板上に配置された第１のフレキシブル電子部品であって、実質的に歪みに強いコンジットを含み、前記実質的に歪みに強いコンジットは、炭素含有量が約３６重量パーセントから約４０重量パーセントまでの範囲であるパラジウムおよび炭素母材を含む、第１のフレキシブル電子部品とを備える装置。
22. 前記実質的に歪みに強いコンジットは、歪みに対してゼロからほぼゼロまでのゲージ率を有する請求項２１に記載の装置。
23. 前記実質的に歪みに強いコンジットは、摂氏約２３０度の温度で約３０分の時間の硬化によって得られる構造を含む請求項２１に記載の装置。
24. 前記実質的に歪みに強いコンジットは、インターコネクト、電極、コネクタ、配線、および／または導電トレースのうちの１つまたは複数を含む請求項２１に記載の装置。
25. 前記実質的に歪みに強いコンジットは、コネクタを含む請求項２１に記載の装置。
26. 前記基板は、サイズが約１インチから約３０インチまでの範囲である請求項２１に記載の装置。
27. 前記実質的に歪みに強いコンジットは、約１００ナノメートルから約１０ミクロンまでの範囲のサイズを有する請求項２１に記載の装置。
28. 前記実質的に歪みに強いコンジットは、前記パラジウムおよび炭素母材中にサイズが約２０から３０ナノメートルの少なくとも１つのパラジウムナノ粒子を含む請求項２１に記載の装置。
29. 前記実質的に歪みに強いコンジットは、約５５０ナノメートルから約１１００ナノメートルまでの範囲の波長の電磁放射を実質的に透過する請求項２１に記載の装置。
30. 前記実質的に歪みに強いコンジットは、約５５０ナノメートルを超える波長の電磁放射に対して約８０パーセントの透過率を呈する請求項２１に記載の装置。
31. タッチ感知式ディスプレイ、フレキシブル太陽電池、フレキシブルディスプレイ、伸縮可能ディスプレイ、巻くことができるディスプレイ、および／またはこれらの組み合わせのうちの１つまたは複数を含む請求項２１に記載の装置。
32. 歪み感知センサーを形成する方法であって、
    複数の金属トレースを基板上に互いに実質的に平行に堆積させることであって、前記トレースはパラジウムを含む、堆積させることと、
    パラジウムおよび炭素母材を形成するために前記複数の金属トレースを規定された時間および温度で硬化させることであって、硬化された金属トレースは、歪みに対して約３００から約４００までのゲージ率を有する、硬化させることと、
    前記複数の金属トレースの一端に接触するように第１の電極を堆積させ、前記複数の金属トレースの他端に接触するように第２の電極を堆積させることとを含む、方法。
33. 前記基板は、以下の物質、すなわち、柔軟なポリイミド、ポリエステル、ポリエチレンナフタレート、アラミド、ポリ（ジメチルシロキサン）、エポキシ、および／または液晶ポリマーのうちの１つまたは複数を含む請求項３２に記載の方法。
34. 個々の前記金属トレースは、約０．５マイクロメートルの幅だけ間隔を空けられる請求項３２に記載の方法。
35. 前記規定された時間および温度は、摂氏約１９５度の温度で約３０分の時間を含む請求項３２に記載の方法。
36. 前記第１の電極および前記第２の電極は、金を含む請求項３２に記載の方法。
37. 前記歪み感知センサーは、前記パラジウムおよび炭素母材中にサイズが約６から１０ナノメートルの少なくとも１つのパラジウムナノ粒子を含む請求項３２に記載の方法。
38. 前記歪み感知センサーは、前記パラジウムおよび炭素母材中に約５５重量パーセントから約６０重量パーセントまでの範囲の炭素含有量を有する請求項３２に記載の方法。
39. 歪みに強いコンジットを形成する方法であって、
    基板上に金属トレースを堆積させることであって、前記トレースはパラジウムを含む、堆積させることと、
    パラジウムおよび炭素母材を形成するために規定された時間および温度で金属トレースを硬化させることであって、前記規定された時間および温度は、摂氏約２３０度の温度で約３０分の時間を含む、硬化させることとを含む、方法。
40. 硬化させられた金属トレースは、歪みに対してゼロからほぼゼロまでのゲージ率を有する請求項３９に記載の方法。
41. 前記パラジウムおよび炭素母材は、約３６重量パーセントから約４０重量パーセントまでの範囲の炭素含有量を有する請求項３９に記載の方法。
42. 硬化させられた金属トレースは、インターコネクト、電極、コネクタ、配線、および／または導電トレースのうちの１つまたは複数を含む請求項３９に記載の方法。
43. 硬化させられた金属トレースは、前記パラジウムおよび炭素母材中にサイズが約２０から３０ナノメートルの少なくとも１つのパラジウムナノ粒子を含む請求項３９に記載の方法。
44. 基板と、
    前記基板上に配置されたフレキシブル電子部品であって、歪み感知センサーを含み、前記歪み感知センサーはパラジウムおよび炭素母材を含む、フレキシブル電子部品とを備える装置。
45. 前記フレキシブル電子部品は、コイルおよび／または螺旋形状である請求項４４に記載の装置。
46. 前記歪み感知センサーは、摂氏約１９５度の温度で約３０分の時間の硬化によって得られる構造を含む請求項４４に記載の装置。
47. 前記基板は、サイズが約１インチから約３０インチまでの範囲である請求項４４に記載の装置。
48. 前記歪み感知センサーは、約１００ナノメートルから約１０ミクロンまでの範囲のサイズを有する請求項４４に記載の装置。
49. 前記歪み感知センサーは、歪みに対して約３００から約４００までのゲージ率を有する請求項４４に記載の装置。
50. 前記歪み感知センサーは、約０．２ボルトの最小励起電圧を有し、約０．０９パーセントの小さい歪みを感知する請求項４４に記載の装置。
51. 前記歪み感知センサーは、前記金属および炭素母材中に約６から１０ナノメートルの少なくとも１つの金属ナノ粒子を含み、前記金属および炭素母材中に約５５重量パーセントから約６０重量パーセントまでの範囲の炭素含有量を有する請求項４４に記載の装置。
52. 前記歪み感知センサーは、約５５０ナノメートルから約１１００ナノメートルまでの範囲の波長の電磁放射を実質的に透過する請求項４４に記載の装置。
53. 前記歪み感知センサーは、約５５０ナノメートルを超える波長の電磁放射に対して少なくとも８０パーセントの透過率を呈する請求項４４に記載の装置。
54. １つまたは複数のプロセッサによって実行される場合に、コンピューティングデバイスが、
    複数の金属トレースを基板上に互いに実質的に平行に堆積させることであって、前記トレースはパラジウムを含む、堆積させることと、
    パラジウムおよび炭素母材を形成するために前記複数の金属トレースを規定された時間および温度で硬化させることであって、硬化された金属トレースは、歪みに対して約３００から約４００までのゲージ率を有する、硬化させることと、
    前記複数の金属トレースの一端に接触するように第１の電極を堆積させ、前記複数の金属トレースの他端に接触するように第２の電極を堆積させること、とを動作可能にする機械可読命令が記憶された信号担持媒体を備える製品。
55. 前記規定された時間および温度は、摂氏約１９５度の温度で約３０分の時間を含む請求項５４に記載の製品。