CN103582807A - 从金属和碳基体制造应变敏感传感器和/或耐应变导管 - Google Patents

Abstract

总体公开了用于从金属和碳基体制造应变敏感传感器和/或耐应变导管的实现方法和技术。

Description

从金属和碳基体制造应变敏感传感器和/或耐应变导管

背景技术

除非此处另有说明，否则本部分描述的方法不是本申请权利要求的现有技术，不应该由于包括在本部分就认为是现有技术。

相对于传统的电子产品，柔性电子产品可以利用对弯曲、拉伸或扭曲具有宽的响应范围的材料成分。在柔性电路中，导管（conduit）和互连可被设计为经反复弯曲后呈现接近零的应变系数（gauge factor）（例如，其电阻的相对变化除以所施加的应变）。

发明内容

本文中描述的一些示例性方法、装置和系统可涉及制造由金属和碳基体组成的应变敏感传感器和/或耐应变导管。

一些示例性装置和系统可涉及应变敏感传感和/或耐应变导管。这种装置可包括基底、第一柔性电子部件和/或第二柔性电子部件。这种第一柔性电子部件可以位于基底上，其中，第一柔性微米级电子部件可以包括基本上耐应变的导管。这种第二柔性电子部件可以位于基底上，其中，第二柔性微米级电子部件可以包括应变敏感传感器。基本上耐应变的导管和应变敏感传感器均可以包括金属和碳基体。

一些示例性装置和系统可以涉及耐应变导管。这种装置可包括基底和/或第一柔性电子部件。这种第一柔性电子部件可以位于基底上，其中，第一柔性电子部件可以包括基本上耐应变的导管。这种基本上耐应变的导管可包括具有碳含量范围为从约36%的重量百分比至40%的重量百分比的钯和碳基体。

一些示例性装置和系统可以涉及应变敏感传感器。这种装置可包括基底和/或第一柔性电子部件。这种第一柔性电子部件可以位于基底上，其中，第一柔性电子部件可包括应变敏感传感器。这种应变敏感传感器可包括钯和碳基体。

一些示例性方法可以包括形成应变敏感传感器。这种应变敏感传感器可以包括基本上相互平行地沉积在基底上的多条金属迹线，其中，迹线可包括钯。多条金属迹线可在指定的时间和温度下固化以形成钯和碳基体，其中，固化的金属迹线可响应于应变具有约300至约400的应变系数。可沉积第一电极与多条金属迹线的一端相接触，以及可沉积第二电极与多条金属迹线的相对端接触。

一些示例性方法可以包括形成耐应变导管。这种耐应变导管可以包括沉积在基底上的金属迹线，其中，迹线可以包括钯。金属迹线可在指定的时间和温度下固化以形成钯和碳基体，其中，指定的时间和温度可以为在约230摄氏度的温度下约30分钟的时间。

一些示例性制品可以包括用于形成应变敏感传感器的机器可读指令。这种应变敏感传感器可以包括基本上相互平行地沉积在基底上的多条金属迹线，其中，迹线可以包括钯。多条金属迹线可以在指定的时间和温度下固化以形成钯和碳基体，其中，固化的金属迹线可以响应于应变具有约300至约400的应变系数。可沉积第一电极与多条金属迹线的一端相接触，以及可沉积第二电极与多条金属迹线的相对端接触。

前述发明内容仅仅是示例性的，且意图并非为任何限制。除了上面描述的示例性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图以及下面的详细描述，其它的方面、实施方式以及特征将变得明显。

附图说明

在说明书的结尾部分中特别地指出并清楚地要求了主题。根据结合附图的下列描述和所附权利要求，本公开的上述以及其它的特征将变得更加清楚。理解到这些附图仅描述了根据本公开的一些实施例，从而不认为限制本公开的范围，将通过使用附图用更多特征和细节来描述本公开。

在图中：

图1是在给定的处理阶段的示例性应变敏感传感器或耐应变导管的立体图的例示；

图2是在给定的处理阶段的示例性耐应变导管沿图1的线2-2的截面图的例示；

图3是在给定的处理阶段的示例性应变敏感传感器的截面图的例示；

图4是示例性应变敏感传感器组的电路图的例示；

图5是包括应变敏感传感器和/或耐应变导管的示例性电子装置的示意图的例示；

图6是用于形成应变敏感传感器的示例性过程的例示；

图7是弯曲半径相对于电阻值的曲线图的例示；

图8是应变百分比相对于电阻值变化的曲线图的例示；

图9是弯曲半径相对于电阻值的曲线图的例示；

图10是循环次数相对于电阻值的曲线图的例示；

图11是颗粒尺寸相对于基本电阻值的曲线图的例示；

图12是基本电阻值相对于应变系数的曲线图的例示；

图13是以空白（blank）聚酰亚胺基底作为基准的波长与透射率的曲线图的例示；

图14是示例性计算机程序产品的例示；

图15是例示了示例性计算装置的框图；以及

图16是在给定的处理阶段的示例性应变敏感传感器或耐应变导管的立体图的例示，

所有附图均根据本公开的至少一些实施方式设置。

具体实施方式

以下描述连同具体细节阐述了各种示例，以提供对所要求保护的主题的全面理解。然而，本领域技术人员应理解的是，可以在不包含一些或更多此处公开的特定细节的情况下实践所要求保护的主题。此外，在一些情况下，为了避免不必要地使所要求保护的主题变得模糊，没有详细地描述众所周知的方法、过程、系统、部件和/或电路。

在以下详细描述中，参照了形成说明书一部分的附图。在附图中，类似的附图标记通常表示类似部件，除非上下文有相反的说明。在详细的说明书、附图和权利要求中描述的例示性实施方式并非是限制性的。在不背离本文介绍的主题的精神或者范围的情况下，可以利用其它实施方式，并且可以进行其它改变。容易理解的是如这里总体描述并且在附图中例示的，本公开的多个方面可以按各种不同配置进行排列、替换、组合和设计，所有这些不同配置是明确想得到的并且构成了本公开的一部分。

本公开特别提供了涉及从金属和碳基体制造应变敏感传感器和/或耐应变导管的方法、装置和系统。

相对于传统的电子产品，柔性电子产品利用对弯曲、拉伸或扭曲具有宽响应范围的材料成分，或者对应变高度响应或高度抗应变的材料。而对应变响应的组件可在诸如触敏显示器的设备部分中找到，抗应变组件可被用作导管（例如，导管和/或互联）。

图1是根据本公开的至少一些实施方式设置的示例性应变敏感传感器或耐应变导管在处理的给定阶段的立体图的例示。在例示的示例中，柔性电子部件100可实现为设置在基底102上的应变敏感传感器。本文使用的术语“应变”可指代任何种类的应变，包括但不限于拉伸应变、压缩应变、弯曲应变、轴向应变、剪切应变、或扭转应变等和/或它们的组合。同样地，术语“应变敏感”可指代对任何种类的应变响应的材料特性，所述应变包括但不限于拉伸应变、压缩应变、弯曲应变、轴向应变、剪切应变、或扭转应变等和/或它们的组合。

在一些示例中，基底102可以是柔性的。附加地或者另选地，基底102可以承受高温（例如，约195摄氏度、230摄氏度和/或250摄氏度的温度，取决于特定的应用）。在一些示例中，基底102可具有不同的厚度和/或对角线宽度。例如，取决于特定的应用，基底102可具有从约一英寸（例如，对于移动电话等）至约三十英寸（例如，对于柔性的计算机监视器等）的对角线宽度。使用具有约20微米厚度的柔性聚酰亚胺基底进行了实验，虽然其他厚度可能也是合适的。在一些示例中，基底102可包括下列物质中的一种或多种：柔性聚酰亚胺、聚酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、芳纶、聚(二甲基硅氧烷)、环氧树脂和/或液晶聚合物。例如，基底102可由柔性聚酰亚胺组成。

在一些示例中，这种柔性电子部件100可以是微米级的。例如，柔性电子部件100可包括可具有约1微米的宽度106的各个（individual）金属迹线104。这些各个金属迹线104可由约1/2微米的间隔108隔开，尽管也可使用其他的宽度106和间隔108。这些各个金属迹线104可由金属和碳基体（例如，钯和碳基体）组成。在其他的示例中，各个金属迹线104可具有约100纳米至约10微米范围内的宽度106。

在一些示例中，可通过冲压（stamp）基底102完成迹线104的沉积。例如，这种冲压可包括使用聚二甲基硅氧烷（PDMS）冲压110等。可使用除了冲压之外的其他工艺来在基底上沉积金属和碳基体。

图2是根据本公开的至少一些实施方式设置的在给定的处理阶段示例性耐应变导管沿图1的线2-2的截面图的例示。在例示的示例中，柔性电子部件100可实现为设置在基底102上的耐应变导管。不同于上面参照图1讨论的“应变敏感”示例，“耐应变”材料可以是对应变无响应。例如，这种基本耐应变导管可响应于应变具有零至接近零的应变系数。本文使用的术语“耐应变”可指对任何种类的应变不响应的材料特性，所述应变包括但不限于拉伸应变、压缩应变、弯曲应变、轴向应变、剪切应变或扭转应变等和/或它们的组合。

本文使用的术语“导管”可指代互连、电极、连接器、电线、导电迹线等，和/或它们的组合。例如，柔性电子部件100可包括作为这种导管的各个金属迹线104，其中，金属迹线104可具有约1微米的宽度，尽管其他的宽度也可使用，在这方面不做限制。这些各个金属迹线104可由金属和碳基体（例如，钯和碳基体）组成。

图3是根据本公开的至少一些实施方式设置的在给定处理阶段的示例性应变敏感传感器沿图1的线2-2的截面图的例示。在例示的示例中，柔性电子部件100可实现为设置在基底102上的应变敏感传感器。在这种示例中，可沉积第一电极302与多条金属迹线104的一端接触以及可沉积第二电极304与多条金属迹线104的相对端接触。在一些示例中，第一电极302和第二电极304可由能够与金属迹线104形成欧姆接触的金属组成，例如，下列材料中的一种或多种：金、银、铜、铂、钯、镍、钴等，和/或它们的组合。

图16是根据本公开的至少一些实施方式设置的在给定处理阶段的示例应变敏感传感器或耐应变导管的立体的例示。在例示的示例中，柔性电子部件100可包括设置在基底102上的线圈状和/或螺旋状的金属迹线104。这种线圈状和/或螺旋状的金属迹线104可实现为应变敏感传感器或耐应变导管。

图4是根据本公开的至少一些实施方式设置的示例应变敏感传感器组的电路图的例示。在例示的示例中，几个应变敏感传感器402（例如，如上参照图1和图3所例示的）的组400可设置为惠斯登电桥电路。例如，可以通过与其他几个应变敏感传感器402一起设置成惠斯登电桥形式来提高单个应变敏感传感器402的灵敏度。

在例示的示例中，四应变敏感传感器402惠斯登电桥，两个应变敏感传感器402可以以压缩状态导线连接，以及两个应变敏感传感器402可以以拉伸状态导线连接。例如，如果R1和R3应变敏感传感器402处于拉伸（正）状态以及R2和R4应变敏感传感器402处于压缩（负）状态，那么输出可以与单独测量的所有应变的和成比例。对于设置在相邻的腿上的应变敏感传感器402，组400可与应变的差成比例地失去平衡。对于设置在相对的腿上的应变敏感传感器402，组400可与应变的和成比例地处于平衡状态。不论弯曲应变、轴向应变、剪切应变、或扭转应变是否正在测量，组400的设置可以用来确定输出与正在测量的应变类型的关系。例如，如果R2和R3应变敏感传感器402上出现正拉伸应变以及R1和R4应变敏感传感器402处于负应变，则总输出VOUT可大约为单个应变敏感传感器402的电阻值的四陪。

图5是根据本公开的至少一些实施方式设置的包括应变敏感传感器502和/或耐应变导管504的示例性电子装置500的示意图的例示。在例示的示例中，电子装置500可包括应变敏感传感器502（例如，图3的柔性电子部件100和/或图4的组400）和/或耐应变导管504（例如，图2的柔性电子部件100），其中，两者均可包括金属和碳基体。

如将在下面参照图6更详细地讨论的，可以由在不同的条件下处理的相同或相似的材料来形成应变敏感传感器502和耐应变导管504两者。例如，通过改变施加在各个金属迹线上的固化温度，可处理相同或相似的沉积材料以形成应变敏感传感器和基本耐应变的导管两者。例如，金属迹线在一个温度下固化可形成适于应变敏感传感器的钯和碳基体，而金属迹线在第二温度下固化可形成适于基本上耐应变的导管的钯和碳基体。

在一些示例中，这种电子装置500例如可包括触敏显示器、柔性太阳能电池、柔性显示器、可伸缩显示器、可卷曲显示器等，和/或它们的组合中的一个或多个。例如，柔性耐应变导管（例如，导管和金属互联）对诸如显示器、诸如移动电话或个人数据助理设备类型的电子产品、可卷曲光电池等各种技术应用很重要。具有合适的应变系数且制作简单的应变敏感传感器在诸如建筑物、汽车的结构健康监测等诸多领域也是有用的。这种应变敏感传感器可在电子秤中使用。可通过具有应变敏感传感器来改善这样秤的灵敏度。由于本文中描述的应变敏感传感器的柔性特性，这种应变敏感传感器甚至可以被安装到非平面表面。仍然能够测量在非平面表面上的预应变的应变敏感传感器上承受的附加应变。例如，可以弯曲和/或扭曲这种应变敏感传感器以与非平面表面的形状相符合。在操作中，这种应变敏感传感器可具有意料不到的能力，以始于基线扭曲位置并且允许针对相对于这种基线扭曲位置的运动进行应变测量。

图6是根据本公开的至少一些实施方式设置的用于形成应变敏感传感器的示例性过程的例示。在例示的示例中，处理600和此处描述的其它处理阐述了可以被描述为处理步骤、功能操作、事件和/或动作等的各种功能块或者动作。本领域技术人员根据本公开将认识到可以在各种实现方式中实践图6所示的功能块的各种替代。例如，尽管图6所示的处理600包括块或者动作的一种特定顺序，但是这些块或者动作呈现的顺序并不一定将所要求保护的主题限制为任何特定顺序。类似地，在不背离要求保护的主题的范围的情况下，可以采用图6未示出的中间动作和/或图6未示出的附加动作，和/或可以取消图6所示的一些动作。处理600可以包括块602、604和/或606例示的操作中的一个或多个。

如所例示的，可以实施处理600以形成应变敏感传感器。处理可以开始于操作602，“沉积多条金属迹线”，其中多条金属迹线可以被沉积。例如，在基底上沉积多条基本上相互平行的金属迹线。这种迹线可包括钯。各个金属迹线可具有例如约1微米的宽度。

在一些示例中，这种沉积可通过冲压基底来完成。例如，这种冲压可包括使用聚二甲基硅氧烷（PDMS）冲压等。可使用除了冲压之外的其他方法来在基底上沉积金属和碳基体。例如，这种沉积可经由通过电子束进行图案化、溅射、通过光刻进行图案化、化学气相沉积（CVD）、印刷（例如，喷墨印刷等）、静电纺丝、荫罩等或它们的组合来完成。

附加地或者另选地，可以可选地使用粘合剂将金属迹线接合至基底。这种粘合剂例如包括聚酯、环氧树脂、丙烯酸树脂、PI、玻璃环氧树脂等和/或它们的组合。取决于基底的特性，这种粘合剂可能需要与特定的基底相匹配。

处理可以从操作602继续到操作604，“固化多条金属迹线”，其中多条金属迹线可被固化。例如多条金属迹线可在指定的时间和温度下（例如，在环境条件下在热板上等等）固化以形成钯和碳基体。在用于形成应变敏感传感器的实现方式中，例如，多条金属迹线可在约195摄氏度的温度下固化约30分钟的时间。这种钯和碳基体可具有约58%的碳含量和/或可具有主要为约6纳米至10纳米的金属纳米颗粒尺寸（例如，至少一个金属纳米颗粒可为此尺寸或平均纳米颗粒可为此尺寸等）。

处理可以从操作604继续到操作606，“沉积第一电极和第二电极与多条金属迹线接触”，其中，第一电极和第二电极可被沉积与多条金属迹线接触。例如，第一电极可被沉积与多条金属迹线的一端接触，第二电极可被沉积与该多条金属迹线的相对端接触。

在一些示例中，这种沉积可经由在基底上荫罩（shadow masking）来完成。可使用除了荫罩之外的其他工艺来在基底上沉积第一电极和第二电极。例如，这种沉积可经由通过电子束进行图案化、电阻加热沉积、化学气相沉积（CVD）、印刷（例如，喷墨印刷等）、静电纺丝，冲压等或它们的组合来完成。

附加地或者另选地，可执行用于形成应变敏感传感器的上述的相同或相似的操作中的一些或全部以形成基本上耐应变的导管。例如，在用于形成基本上耐应变的导管的实现方式中，可按照操作602中描述的相同或相似的方式来沉积一条或多条金属迹线。另外，在用于形成基本上耐应变的导管的实现方式中，例如，可按照操作604中描述的相同或相似的方式在约230摄氏度的温度下固化一条或多条金属迹线。在一些实施例中，这种固化可在约230摄氏度至约250摄氏度的温度下进行。这种固化的时间为约30分钟等。在这种条件下，钯和碳基体可具有约36%的重量百分数至约40%的的重量百分数的碳含量范围（例如，约37%的碳含量）和/或可具有主要在20纳米至约30纳米的金属纳米颗粒尺寸（例如，至少一个金属纳米颗粒可为此尺寸或平均纳米颗粒可为此尺寸等）。

在操作中，例如，根据诸如温度或固化时间的处理条件，处理600可被用于形成应变敏感传感器和/或用于形成基本上耐应变的导管。通过仅改变施加在各个金属迹线上的固化时间，可实施此技术以从相同或相似的沉积材料形成应变敏感传感器和基本上耐应变的导管两者。例如，在一个温度下固化的金属迹线可导致适于应变敏感传感器的钯和碳基体，而在第二温度下固化的金属迹线可导致适于基本上耐应变的导管的钯和碳基体。因此，处理600可以作为一个直接的、单个步骤的、基于解决方案的处理，该处理可良好地控制应变敏感传感器和/或耐应变导管的电性能。如将在下面将更详细地讨论，可以通过简单地改变固化温度和/或时间来调整应变敏感传感器和/或耐应变导管的应变系数（例如，组件的电阻值的相对变化除以施加的应变）。

参照图7至图13，参照几个实验示例对测试结果进行了讨论。在这些实验示例中，金属迹线（例如，如上参照图1和/或图2讨论的金属迹线104）在各种固化条件下形成并经受各种测试。在这些实验示例中，金属迹线104通过在聚酰亚胺基底上微型模制（micromold）烷基硫醇钯（palladium alkanethiolate）并使其在空气中进行热分解（thermolysis）型固化来制备。厚度为约20微米的柔性聚酰亚胺基底被用作模制钯金属迹线104的基底。

甲苯（10毫摩尔）中的十六烷基硫醇钯作为用于模制的前体（precursor），使用聚二甲基硅氧烷（PDMS）冲压，经在195摄氏度下热分解，在微沟道中形成纳米钯金属迹线。聚酰亚胺在不失其柔韧性的情况下可以轻松地承受这样的温度。虽然期望前体的热分解通过解吸附去除碳氢化合物，但取决于温度，一定量的碳可能会被留下。在这个意义上，钯金属迹线是在碳基体中的钯纳米颗粒的纳米复合物。与PDMS模具一致，所形成的钯金属迹线具有约1微米的宽度且间隔开约1/2微米。通过荫罩在金属迹线上沉积一对金电极，从而多达7500条金属迹线与金电极垂直。使用银环氧树脂从金（Au）垫引出金属触点。

发现纳米颗粒的尺寸、碳的性质和含量、以及金属迹线104的电阻值取决于热分解温度。195摄氏度的热分解温度产生包含具有相当大比例的碳的小钯纳米颗粒的条带。相应的电阻值可通常在兆欧范围内。附加地或者另选地，在195摄氏度下形成的金属迹线104可作为具有高达390的应变系数的应变敏感传感器。

图7是根据本公开的至少一些实施方式设置的弯曲半径相对于电阻值的曲线图700的例示。在例示的示例中，在拉伸和压缩过程中绘制了电阻值随弯曲半径的变化。在拉伸和压缩两者下在室温的环境中针对不同的弯曲半径测量应变敏感传感器502（例如，参见图5）的电阻值。此感测动作（sensing action）可取决于固化条件（例如，热分解温度）。在例示的示例中，金属迹线例如可在195摄氏度下固化约30分钟的时间。当应变敏感传感器502被平放，金属迹线（例如，如上参照图1讨论的金属迹线104）的总的电阻值是4.34兆欧（MΩ）。如图700所示，当金属迹线104承受拉伸应变时，弯曲半径从∞（例如，平的）减小至低于0.5厘米，应变敏感传感器502的电阻值逐渐增加至6.82MΩ。另一方面，同样如图700所示，在压缩应变下，应变敏感传感器502的电阻值逐渐降低至2.48MΩ。任一应变的释放使得应变敏感传感器502回到其具有特征电阻值的初始的平放位置。

图8是根据本公开的至少一些实施方式设置的应变百分比相对电阻值变化的曲线图800的例示。在例示的示例中，归一化的电阻值变化被绘制为应变的函数。从等式ε=d/2r计算百分比应变（ε），其中，d可以表示基底的厚度，r可以表示曲率半径。图800的斜率可被用作应变系数，其可以定义应变敏感传感器的性能。在例示的示例中，可在例如约195摄氏度的温度下固化金属迹线约30分钟的时间。针对图800中示出的数据，与应变敏感传感器相关的金属迹线（例如，如上参照图1讨论的金属迹线104）的应变系数可被估计为针对拉伸应变约390以及针对压缩应变约249。

附加地或者另选地，在这种条件下，与应变敏感传感器相关的金属迹线（如上参照图1讨论的金属迹线104）可具有约0.2％的应变工作范围。例如，应变敏感传感器可对低至0.09%的应变敏感。例如，应变敏感传感器对具有约0.09%至约1.0%的宽的范围的值、0.09%至0.5%的较窄范围的值、和/或约0.09%的目标值的应变敏感。

附加地或者另选地，在这种条件下，这种应变敏感传感器可具有约0.2伏的最小激励电压。例如，这种应变敏感的传感器可具有最小激励电压，该最小激励电压具有约0.05至约2.0伏的宽范围的值、约0.1伏至约1.0伏的较窄范围的值，和/或0.2伏的目标值。

图9是根据本公开的至少一些实施方式设置的弯曲半径相对电阻值的曲线图900的例示。在例示的示例中，耐应变导管504（例如，参见图5）的电阻值被测量。例如可在约230摄氏度的温度下进行耐应变导管504的固化约30分钟的时间。在这种条件下，在各种弯曲半径条件的范围上，耐应变导管504可响应于应变具有零至接近零的应变系数。

如图900所例示的，电阻值在19.4±0.2欧姆处几乎保持恒定。应当注意，通过在200摄氏度和225摄氏度之间固化（例如，热分解）生成的金属迹线具有相对较差的传导性以及对应变呈现出几乎没有响应。通过在约180摄氏度下固化生成的金属迹线不仅具有高绝缘性，而且对应变的敏感性较差。

图10是根据本公开的至少一些实施方式设置的循环次数相对与电阻值的曲线图1000的例示。在例示的示例中，耐应变导管504（例如，参见图5）的电阻值被测量。例如可在约230摄氏度的温度下进行耐应变导管504的固化约30分钟的时间。在这种条件下，在弯曲半径下在一系列循环次数下，耐应变导管504可响应于应变具有零至接近零的应变系数。在例示的示例中，使用1.1厘米的弯曲半径。如图1000所例示的，耐应变导管504即使在100个弯曲循环后仍是稳定的。

图11是根据本公开的至少一些实施方式设置的颗粒尺寸相对于基本电阻值的曲线图1100的例示。在例示的示例中，例如，可在约195摄氏度下固化金属迹线约30分钟的时间。在这种条件下，与应变敏感传感器相关的金属迹线（例如，如上参照图1讨论的金属迹线104）可具有主要在约6纳米至约10纳米范围内的金属纳米颗粒尺寸。

附加地，可在约230摄氏度至约250摄氏度的温度范围内进行这种固化。这种固化的时间可为约30分钟等。在这种条件下，与基本上耐应变的导管相关的金属迹线（例如，如上参照图2讨论的金属迹线104）在金属和碳基体中可具有约20纳米至约30纳米范围内的金属纳米颗粒尺寸。与基本上耐应变的导管相关的电阻值可根据使用的特定固化温度而变化。

附加地，如下面的表1所例示的，可对在特定温度下固化的薄膜金属迹线执行能量色散谱（EDS）分析。在一些示例中，例如可在约195摄氏度的温度下进行这种固化约30分钟的时间。在这种条件下，金属迹线（例如，如上参照图1讨论的金属迹线104）可具有从约55%的重量百分比至约60%的重量百分比的范围的碳含量（例如，约58%的碳含量）。在一些示例中，可在约230摄氏度至约250摄氏度的温度下进行这种固化。这种固化的时间可为约30分钟等。在这种条件下，金属迹线（例如，如上参照图2讨论的金属迹线104）可具有约37%的碳含量。

图12是根据本公开的至少一些实施方式设置的基本电阻值相对于应变系数的曲线图1200的例示。应变敏感传感器的应变系数可为传感器的电阻值的相对变化除以所施加的应变。不同于希望高应变系数的用户界面组件，在柔性电路中，如果可能，耐应变导管经过反复弯曲会呈现出接近零的应变系数。在例示的示例中，在195摄氏度下经过约30分钟形成的应变敏感传感器502（例如，参见图5）可具有约390的应变系数，或者更通常的响应于应变具有从约300至约400的应变系数。

图13是根据本公开的至少一些实施方式设置的波长相对于透射率的曲线图1300的例示。如所例示的，钯金属迹线（例如，如上参照图1和/或图2讨论的金属迹线104）可在各种波长下测试透射率。例如，钯金属迹线对波长大于约550纳米的电磁辐射可呈现约80％的透射率。因此，由金属迹线（例如，如上参照图1和/或图2讨论的金属迹线104）制造的基本上耐应变的导管和/或应变敏感传感器对于波长范围为约550纳米至约1100纳米的电磁辐射基本上是透明的。此外，聚酰亚胺型基底在400纳米至500纳米的范围内可具有很强的吸收。

附加地，实验发现应变敏感传感器502（例如，参见图5）在环境空气中是耐温度变化的（例如，电阻值实验的应变敏感传感器的温度系数为约0.00228K^-1）。

由于金属迹线104（例如，参见图1）在可见光范围内可呈现相对好的透明性，故可实现透明的应变敏感传感器。同样地，由于金属迹线104（例如，参见图1）在可见光范围内可呈现相对好的透明性，故可实现透明的基本上耐应变的导管。因此，可以使得基本上耐应变的导管和/或应变敏感感器在可见光谱内基本上透光。

从图7至图10可以看出，热分解的温度可以影响金属迹线的电性能，因此，会对感测能力产生影响。热分解可以在两个方面影响金属迹线的组成，即钯纳米颗粒的尺寸以及热分解后留下的碳基体的性质。因此，在195摄氏度的温度下，可产生小的纳米颗粒。碳氢化合物的分解显得并不完全，因此，整体的碳含量可以保持类似于其前体状态本身。

颗粒尺寸随着热分解的温度而增加，而条带的电阻则降低。因此，根据热分解的温度，金属迹线可呈现宽的电阻值范围。230摄氏度热分解生成的条带本质上是金属性的，并随弯曲半径的改变呈现出很少甚至没有的（little-to-no）电阻改变，这可意味着在这种情况下应变系数可以为零。在230摄氏度下的热分解可以产生被较小的颗粒（3纳米至5纳米）环绕的较大的钯纳米颗粒（20纳米至30纳米），和较少的碳（其一部分为石墨）。热分解的时间也可以对颗粒尺寸和碳的性质产生影响。当在195摄氏度下持续时间从30分钟增加到60分钟、90分钟和120分钟时，随着对应的应变系数的降低，基本电阻值降低。考虑到这些金属迹线的组成，应变可以被认为是引起了纳米颗粒之间的电耦合的改变。利用从195摄氏度热分解获得的金属迹线，这种情景可导致在纳米颗粒尺寸以及碳的性质和含量方面，电耦合变得对纳米颗粒环境中任何微小的变化最为敏感。由于电阻值可以由纳米颗粒界面之间的接触电阻值控制，应变敏感传感器可以对拉伸应变而不是压缩应变更为敏感。如果基本电阻值变得更高，如从180摄氏度生成的金属迹线的情形，几乎失去颗粒间的耦合，使得感测动作不那么有效。

图14例示了根据本公开的至少一些示例所设置的示例性计算机程序产品1400。程序产品1400可以包括信号承载介质1402。信号承载介质1402可以包括一个或更多个机器可读指令1404，该机器可读指令被一个或更多个处理器执行时可操作地使得计算装置提供以上参照图6描述的功能。因而，例如，一个或更多个计算装置可以响应于介质1402传送的指令1404而执行图6所示的动作中的一个或更多个以生成应变敏感传感器和/或耐应变导管。

在一些实现方式中，信号承载介质1402可以包括永久的计算机可读介质1406，例如但不限于硬盘驱动器、光盘（CD）、数字多功能光盘（DVD）、数字磁带、存储器等。在一些实现方式中，信号承载介质1402可以包括可记录介质1408，例如但不限于存储器、读/写（R/W）CD、R/W DVD等等。在一些实现方式中，信号承载介质1402可以包括通信介质1410，例如但不限于数字和/或模拟通信介质（例如，光缆、波导、有线通信链路、无线通信链路等）。

图15是例示了根据本公开的至少一些实施方式设置的例如可以由本领域技术人员实施的示例性计算装置1500的框图。在一个示例配置1501中，计算装置1500可以包括一个或更多个处理器1510和系统存储器1520。存储器总线1530可以用于处理器1510和系统存储器1520之间的通信。

根据期望的配置，处理器1510可以是包括但不限于微处理器（μP）、微控制器（μC）、数字信号处理器（DSP）或者其任意组合的任何类型。处理器1510可以包括一个或更多个缓存级（诸如一级缓存1511和二级缓存1512）、处理器核1513和寄存器1514。处理器核1513可以包括算术逻辑单元（ALU）、浮点单元（FPU）、数字信号处理核（DSP核）或者其任意组合。存储器控制器1515还可以与处理器1510一起使用，或者在一些实施方式中存储器控制器1515可以是处理器1510的内部部分。

根据期望的配置，系统存储器1520可以是包括但不限于易失性存储器（例如RAM）、非易失性存储器（例如ROM、闪存等）或它们的任意组合的任何类型。系统存储器1520可以包括操作系统1521、一个或更多个应用程序1522以及程序数据1524。应用程序1522可以包括用于制造应变敏感传感器和/或耐应变导管的金属和碳基体沉积算法1523，其被设置来执行这里所述的包括参照至少图6的处理600描述的功能块和/或动作的功能。程序数据1524可以包括与金属和碳基体沉积算法1523一起使用的数据1525。在一些示例实施方式中，应用程序1522被设置为在操作系统1521上与程序数据1524一起操作，从而可以提供如本文所述的制造应变敏感传感器和/或耐应变导管的实施。例如，一个或更多个计算装置1500能够执行应用程序1522的全部或一部分，从而可以提供如本文所述的制造应变敏感传感器和/或耐应变导管的实施。这里所描述的基本配置在图15中由虚线1501内的那些组件例示。

计算装置1500可以具有用于方便基础配置1501与任何所需设备和接口之间的通信的附加特征或功能以及附加接口。例如，总线/接口控制器1540可以用于经由存储接口总线1541方便基础配置1501和一个或多个数据存储装置1550之间的通信。数据存储装置1550可以是可移除存储装置1551、不可移除存储装置1552或其组合。可移除存储和不可移除存储装置的示例包括磁盘设备（例如，软盘驱动器和硬盘驱动器（HDD））、光盘驱动器（例如，压缩盘（CD）驱动器或数字通用盘（DVD）驱动器）、固态驱动器（SSD）以及磁带驱动器等。示例的计算机存储介质可以包括以任何方法或技术实现的用于存储信息（例如，计算机可读指令、数据结构、程序模块或其它数据）的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。

系统存储器1520、可移除存储器1551和不可移除存储器1552都是计算机存储介质的示例。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其它存储技术、CD-ROM、数字通用盘（DVD）或其它光存储器、磁带盒、磁带、磁盘存储器或其它磁性存储设备，或可以用于存储期望信息并且可以被计算装置1500访问的任何其它介质。任何这些计算机存储介质可以是装置1500的一部分。

计算装置1500还可以包括用于方便经由总线/接口控制器1540从各种接口设备（例如，输出接口、外围接口和通信接口）到基础配置1501的通信的接口总线1542。示例性输出接口1560可包括可以被配置为经由一个或更多个A/V端口1563与各种外部设备（例如，显示器或扬声器）通信的图形处理单元1561和音频处理单元1562。示例性外围接口1560可包括可以被配置为经由一个或更多个I/O端口1573与例如输入设备（例如，键盘、鼠标、笔、语音输入设备、触摸输入设备等）的外部设备或其它外围设备（例如，打印机、扫描仪等））通信的串行接口控制器1571或并行接口控制器1572。示例性通信接口1580包括可以被设置为方便经由一个或更多个通信端口1582通过网络通信与一个或更多个其它计算设备1590通信的网络控制器1581。通信连接是通信介质的一个示例。通信介质典型地可以体现为计算机可读指令、数据结构、程序模块或调制数据信号中的其它数据（例如，载波或其它传输机制），并可包括任何信息传递介质。“调制的数据信号”可以是具有以对信号中的信息编码的方式设置或改变的一个或多个自身特征的信号。通过举例但并非限制，通信介质可以包括有线介质（例如有线网络或直接有线连接）和无线介质（例如声学、射频（RF）、红外（IR）和其它无线介质）。这里使用的术语计算机可读介质可以包括存储介质和通信介质两者。

计算装置1500可以被实现为小型便携式（或移动）电子设备（例如，蜂窝电话、个人数据助理（PDA）、个人媒体播放器设备、无线网络观察设备、个人头戴式耳机设备、特定应用设备或者可以包括任意上述功能的混合设备）的一部分。计算装置1500还可以被实现为包括膝上型电脑和非膝上型电脑配置的个人计算机。另外，计算装置1500可以被实现为无线基站或者其它无线系统或设备的一部分。

前面的详细描述的一些部分呈现为算法或者在计算系统存储器（例如，计算存储器）内存储的数据比特或者二进制数字信号上操作的符号表示。这些算法的描述或表示是在数据处理领域中本领域技术人员用以向本领域其他技术人员传送他们的工作内容的技术的示例。这里算法一般地被视为生成期望结果的自洽（self-consistent）的操作序列或相似处理。关于这点，操作或处理包含物理量的物理处理。典型地，尽管非必要地，这些量可以采用能够被存储、传送、组合、比较或其它处理的电或磁信号的形式。已经证明，主要是为了公共使用的原因，把这些信号称为以比特、数据、值、元件、符号、字符、术语、数字、数值等经常是方便的。然而，应当理解，所有这些以及类似的术语与合适的物理量相关联且仅仅是方便的标记。除非明确地另有说明，如从下面讨论中明显的，可以理解的是在整个说明书中，使用例如“处理”、“估算”、“推算”、“确定”等术语的讨论指代计算装置的动作或处理，该计算装置处理或变换在存储器、寄存器或者其它信息存储设备、发射设备、或计算设备的显示设备内的被表示为物理的电量或磁量的数据。

要求保护的主题在范围上不限于本文描述的特定实现方式。例如，一些实现方式可以是以诸如被用以操作在装置或者装置组合上的硬件实现，例如，而其它实现方式可以是以软件和/或固件实现。类似地，尽管要求保护的主题在范围上不限于这个方面，一些实现方式可以包括一个或更多个制品（诸如信号承载介质、存储介质和/或存储媒介）。例如，该存储介质（诸如CD-ROM、计算机光盘、闪存等）可以在其上存储有指令，当这些指令被诸如计算系统、计算平台或者其它系统这样的计算装置执行时，可以使得处理器根据要求保护的主题（例如，先前描述的实现方式中的一个实现方式）运行。作为一种可能性，计算装置可以包括一个或更多个处理单元或处理器、一个或更多个输入/输出设备（诸如显示器、键盘和/或鼠标）以及一个或更多个存储器（诸如静态随机存取存储器、动态随机存取存储器、闪存存储器和/或硬盘驱动器）。

系统方面的硬件实现方式和软件实现方式之间几乎没有区别；使用硬件或者软件一般（但并非总是，在特定环境中硬件和软件之间的选择可能非常重要）是设计选择，代表成本-效率折衷。存在可以实现本文描述的处理和/或系统和/或其它技术的各种载体（例如，硬件、软件和/或固件），并且优选载体将随着实施处理和/或系统和/或其它技术的环境而变化。例如，如果实施者确定速度和准确性是重要的，则实施者可以选择主要的硬件和/或固件载体；如果灵活性是重要的，则实施者可以选择主要的软件实现方式；或者再次另选地，实施者可以选择硬件、软件和/或固件的一些组合。

上述详细描述已经由使用框图、流程图和/或示例阐述了设备和/或处理的各种实施方式。在这样的框图、流程图和/或示例包含一个或多个功能和/或操作的情况下，本领域技术人员将要理解的是，这样的框图、流程图和/或示例内的每个功能和/或操作可以由范围广泛的硬件、软件、固件或几乎其任何组合单独地和/或共同地实现。在一个实施方式中，本文所描述的主题的多个部分可以经由专用集成电路（ASIC）、现场可编程门阵列（FPGA）、数字信号处理器（DSP）或其它集成格式来实现。然而，本领域技术人员将认识到，本文所公开的实施方式的一些方面可以全部或部分地在集成电路中等效地实现为在一个或更多个计算机上运行的一个或多个计算机程序（例如，在一个或多个计算机系统上运行的一个或多个程序）、实现为在一个或多个处理器上运行的一个或更多个程序（例如，作为在一个或多个微处理器上运行的一个或多个程序）、实现为固件、或者实现为几乎它们的任何组合，并且将认识到，根据该公开，设计电路和/或针对软件或固件编写代码完全属于在本领域技术人员的技术之内。此外，在本领域中的技术人员将会理解，本文中描述的主题的机制能够分配为各种形式的程序产品，并且，本文中描述的主题的例示性实施方式的应用与用于实际进行分配的信号承载介质的特定类型无关。信号承载介质的示例包括但不限于：诸如软盘、硬盘驱动器（HDD）、光盘（CD）、数字通用盘（DVD）、数字磁带、计算机存储器等的可记录型介质，以及诸如数字和/或模拟通信介质（例如，光纤线缆、波导、有线通信链路、无线通信链路等）的传输型介质。

本领域技术人员将认识到，以这里所阐述的方式描述设备和/或处理，并此后使用工程实践来将这样描述的设备和/或处理集成到数据处理系统中在本领域是常见的。即，这里描述的设备和/或处理中的至少一部分可以经由合理数量的实验被集成到数据处理系统中。本领域技术人员将认识到，典型的数据处理系统通常包括系统单元外壳、视频显示设备、诸如易失性和非易失性存储器的存储器、诸如微处理器和数字信号处理器的处理器、诸如操作系统、驱动器、图形用户界面和应用程序的计算实体、诸如触摸板或屏幕的一个或多个交互设备、和/或包括反馈回路和控制电机（例如感测位置和/或速度的反馈；移动和/或调整部件和/或数量的控制电机）的控制系统中的一个或多个。典型的数据处理系统可以采用任何适当的商业可用部件（例如，那些通常出现在数据计算/通信和/或网络计算/通信系统中的可用部件）来实现。

这里描述的主题有时示出包含在不同的其它部件中的或与不同的其它部件连接的不同部件。应该理解这些描述的架构仅为示例，实际上实现相同功能的很多其它架构可以被实现。在概念方面，实现相同功能的部件的任何设置是有效地“相关联”的，从而实现期望的功能。因此，这里组合以实现特定功能的任何两个部件可以看做是彼此“相关联”的，从而实现期望的功能，而与架构或中间部件无关。同样地，任何这样关联的两个部件还可以视为是彼此“可操作地连接”或“可操作地耦接”，以实现期望的功能，并且能够这样相关的任何两个部件还可以视为是彼此“可操作地可耦接的”，以实现期望的功能。可操作地耦接的特定示例包括但不限于物理匹配的和/或物理交互的部件和/或无线可交互和/或无线交互部件和/或逻辑交互的和/或逻辑可交互的部件。

关于这里的实质上任意复数和/或单数术语的使用，为适于上下文和/或应用，本领域技术人员可以将复数转换为单数和/或将单数转换为复数。为了清楚起见，这里可以明确地阐述各种单数/复数置换。

本领域技术人员应该理解，通常，这里使用的术语，尤其是所附权利要求书中使用的术语（例如所附权利要求书的主体部分）通常意在作为“开放式”术语（例如，术语“包括”应该被解释为“包括但不限于”，术语“具有”应该被解释为“至少具有”，术语“包含”应该被解释为“包含但不限于”等）。本领域技术人员应进一步理解，如果目的在于引入特定数目的权利要求记载，这样的目的应该明确地记载于权利要求中，如果没有这样的记载，则这样的目的不存在。例如，为了便于理解，下述的所附权利要求可以包含引导语“至少一个”和“一个或多个”的使用以引入权利要求记载。然而，即使同一个权利要求包括引导语“一个或更多个”或“至少一个”以及不定冠词例如“一个”或“一”（例如，“一个”或“一”通常应该被解释为表示“至少一个”或“一个或更多个”），这些短语的使用也不应该被解释为暗示通过不定冠词“一个”或“一”的权利要求记载的引导对任何包括这样引入的权利要求记载的特定权利要求限制为仅包括一个这样的记载的发明；对于用于引入权利要求记载的定冠词也同样适用。此外，即使明确记载了特定数量的引入权利要求记载，本领域技术人员也应该认识到这样的记载通常应该被解释为表示至少为所记载数量（例如，没有其它修改地简单记载“两个记载”通常表示至少两个记载或者两个或更多个记载）。此外，在使用类似约定“A、B和C等中的至少一个”的那些示例中，通常这样的结构意在在某种意义上让本领域技术人员能够理解约定（例如“具有A、B和C中的至少一个的系统”应该包括但不限于只有A、只有B、只有C、有A和B、有A和C、有B和C、和/或有A、B和C等的系统）。在使用“A、B或C等中的至少一个”的类似约定的那些示例中，通常这样的结构意在在某种意义上让本领域技术人员能够理解约定（例如，“具有A、B或C中的至少之一的系统”应该包括但不限于只有A、只有B、只有C、有A和B、有A和C、有B和C、和/或有A、B和C等的系统）。本领域技术人员还应该理解，表示两个或更多个另选术语的几乎任何转折词和/或词组，无论在说明书、权利要求书还是在附图中，都应该被理解为预想到包括术语中的一个、术语中的另一个或两个术语的可能性。例如，词组“A或B”应该理解为包括“A”或“B”或“A和B”的可能性。

在说明书中对“实现方式”、“一个实现方式”、“一些实现方式”或“其它实现方式”的引用可以指与一个或更多个实现方式相关描述的特定特征、结构或特性，可以包括在至少一些实现方式中，但并非必须包括在所有的实现方式中。前面描述中出现的各种“实现方式”、“一个实现方式”或“一些实现方式”的并非必须地都指代相同的实现方式。

尽管这里使用不同的方法和系统已经描述并示出了某些示例技术，本领域的技术人员应当理解，在不背离所要求保护的主题的情况下，可以做出各种其它修改，且可以等效替换。另外，在不背离此处描述的中心思想的情况下，可以做出许多修改以使得特定的情形适应于所要求保护的主题的教导。因此，目的在于，所要求的主题不限制为公开的特定示例，但这些所要求保护的主题还可以包括所附权利要求范围内的所有实施方式及其等同物。

Claims (55)

1.一种装置，所述装置包括：

基底；

位于所述基底上的第一柔性电子部件，其中所述第一柔性电子部件包括基本上耐应变的导管；以及

位于所述基底上的第二柔性电子部件，其中所述第二柔性电子部件包括应变敏感传感器，

其中所述基本上耐应变的导管和所述应变敏感传感器均包括金属和碳基体。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述金属包括钯。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管和/或所述应变敏感传感器具有约100纳米至约10微米的尺寸。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述应变敏感传感器包括在约195摄氏度的温度下固化约30分钟的时间形成的结构，并且其中所述基本上耐应变的导管包括在约230摄氏度的温度下固化约30分钟的时间形成的结构。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管包括互连、电极、连接器、电线和/或导电迹线中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管包括连接器。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基底的尺寸范围从约1英寸至约30英寸。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管响应于应变具有零至接近零的应变系数。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管在所述金属和碳基体中包括至少一个尺寸约为20纳米至30纳米的金属纳米颗粒。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管在所述金属和碳基体中包括约20纳米至30纳米的平均纳米颗粒尺寸。

11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管在所述金属和碳基体中具有从约36%的重量百分比至约40%的重量百分比的碳含量。

12.根据权利要求1所述的装置，其中，所述应变敏感传感器响应于应变具有约300至约400的应变系数。

13.根据权利要求1所述的装置，其中，所述应变敏感传感器具有约0.2伏的最小激励电压。

14.根据权利要求1所述的装置，其中，所述应变敏感传感器对低至约0.09％的应变敏感。

15.根据权利要求1所述的装置，其中，所述应变敏感传感器在所述金属和碳基体中包括至少一个尺寸约为6纳米至10纳米的金属纳米颗粒。

16.根据权利要求1所述的装置，其中，所述应变敏感传感器在所述金属和碳基体中包括约6纳米至10纳米的平均纳米颗粒尺寸。

17.根据权利要求1所述的装置，其中，所述应变敏感传感器在所述金属和碳基体中具有从约55%的重量百分比至约60%的重量百分比的范围的碳含量。

18.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管和所述应变敏感传感器两者对于波长范围为约550纳米至约1100纳米的电磁辐射基本上是透明的。

19.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管和所述应变敏感传感器对波长大于约550纳米的电磁辐射均呈现约80％的透射率。

20.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置包括触敏显示器、柔性太阳能电池、柔性显示器、可伸缩显示器、可卷曲显示器和/或它们的组合中的一种或多种。

21.一种装置，所述装置包括：

基底；和

位于所述基底上的第一柔性电子部件，其中，所述第一柔性电子部件包括基本上耐应变的导管，并且其中所述基本上耐应变的导管包括具有从约36%的重量百分比至约40%的重量百分比的范围的碳含量的钯和碳基体。

22.根据权利要求21所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管响应于应变具有零至接近零的应变系数。

23.根据权利要求21所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管包括在约230摄氏度的温度下固化约30分钟的时间形成的结构。

24.根据权利要求21所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管包括互连、电极、连接器、电线和/或导电迹线中的一种或多种。

25.根据权利要求21所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管包括连接器。

26.根据权利要求21所述的装置，其中，所述基底的尺寸范围从约1英寸至约30英寸。

27.根据权利要求21所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管具有从约100纳米至约10微米的尺寸范围。

28.根据权利要求21所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管包括在所述钯和碳基体中的至少一个尺寸为约20纳米至30纳米的钯纳米颗粒。

29.根据权利要求21所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管对于波长范围为约550纳米至约1100纳米的电磁辐射基本上是透明的。

30.根据权利要求21所述的装置，其中，所述基本上耐应变的导管对波长大于约550纳米的电磁辐射呈现约80％的透射率。

31.根据权利要求21所述的装置，其中，所述装置包括触敏显示器、柔性太阳能电池、柔性显示器、可伸缩显示器、可卷曲显示器和/或它们的组合中的一种或多种。

32.一种形成应变敏感传感器的方法，该方法包括以下步骤：

在基底上沉积基本上相互平行的多条金属迹线，其中，所述迹线包括钯；

在指定的时间和温度下固化所述多条金属迹线以形成钯和碳基体，其中，所固化的金属迹线响应于应变具有约300至约400的应变系数；以及

沉积与所述多条金属迹线的一端接触的第一电极和与所述多条金属迹线的相对端接触的第二电极。

33.根据权利要求32所述的方法，其中，所述基底包括下列物质中的一种或多种：柔性聚酰亚胺、聚酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、芳纶、聚(二甲基硅氧烷)、环氧树脂和/或液晶聚合物。

34.根据权利要求32所述的方法，其中，各个所述金属迹线由约二分之一微米的宽度间隔开。

35.根据权利要求32所述的方法，其中，所述指定的时间和温度包括在约195摄氏度的温度下约30分钟的时间。

36.根据权利要求32所述的方法，其中，所述第一电极和所述第二电极包括金。

37.根据权利要求32所述的方法，其中，所述应变敏感传感器包括在所述钯和碳基体中的至少一个尺寸为约6纳米至10纳米的钯纳米颗粒。

38.根据权利要求32所述的方法，其中，所述应变敏感传感器具有在所述钯和碳基体中约55%的重量百分比至约60%的重量百分比的范围的碳含量。

39.一种形成耐应变导管的方法：

在基底上沉积金属迹线，其中，所述迹线包括钯；以及

在指定的时间和温度下固化所述金属迹线以形成钯和碳基体，其中，所述指定的时间和温度包括在约230摄氏度的温度下约30分钟的时间。

40.根据权利要求39所述的方法，其中，所述固化的金属迹线响应于应变具有零至接近零的应变系数。

41.根据权利要求39所述的方法，其中，所述钯和碳基体具有从约36%的重量百分比至约40%的重量百分比的范围的碳含量。

42.根据权利要求39所述的方法，其中，所述固化的金属迹线包括互连、电极、连接器、电线和/或导电迹线中的一种或多种。

43.根据权利要求39所述的方法，其中，所述固化的金属迹线包括在所述钯和碳基体中的至少一个尺寸约为20纳米至30纳米的钯纳米颗粒。

44.一种装置，所述装置包括：

基底；以及

位于所述基底上的柔性电子部件，其中所述柔性电子部件包括应变敏感传感器，其中，所述应变敏感传感器包括钯和碳基体。

45.根据权利要求44所述的装置，其中，所述柔性电子部件是线圈状和/或螺旋状。

46.根据权利要求44所述的装置，其中，所述应变敏感传感器包括在约195摄氏度的温度下固化约30分钟的时间形成的结构。

47.根据权利要求44所述的装置，其中，所述基底的尺寸范围从约1英寸至约30英寸。

48.根据权利要求44所述的装置，其中，所述应变敏感传感器具有约100纳米至约10微米的尺寸范围。

49.根据权利要求44所述的装置，其中，所述应变敏感传感器响应于应变具有约300至约400的应变系数。

50.根据权利要求44所述的装置，其中，所述应变敏感传感器具有约0.2伏的最小激励电压，并且其中所述应变敏感传感器对低至约0.09％的应变敏感。

51.根据权利要求44所述的装置，其中，所述应变敏感传感器包括在所述金属和碳基体中至少一个约6纳米至10纳米的金属纳米颗粒，并且其中所述应变敏感传感器具有在所述金属和碳基体中约55%的重量百分比至约60%的重量百分比的范围的碳含量。

52.根据权利要求44所述的装置，其中，所述应变敏感传感器对于波长范围从约550纳米至约1100纳米的电磁辐射基本上是透明的。

53.根据权利要求44所述的装置，所述应变敏感传感器对波长大于约550纳米的电磁辐射呈现至少80％的透射率。

54.一种制品，该制品包括：

信号承载介质，所述信号承载介质包括存储在其中的机器可读指令，该机器可读指令被一个或更多个处理器执行时可操作地使得计算装置：

在基底上沉积基本上相互平行的多条金属迹线，其中，所述迹线包括钯；

在指定的时间和温度下固化所述多条金属迹线以形成钯和碳基体，其中，所固化的金属迹线响应于应变具有约300至约400的应变系数；以及

沉积与所述多条金属迹线的一端接触的第一电极和与所述多条金属迹线的相对端接触的第二电极。

55.根据权利要求54所述的制品，其中，所述指定的时间和温度包括在约195摄氏度的温度下约30分钟的时间。

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