JP2014510933A - センサ素子を含み一体型加熱機構を備えた蒸気センサ - Google Patents

センサ素子を含み一体型加熱機構を備えた蒸気センサ Download PDF

Info

Publication number
JP2014510933A
JP2014510933A JP2014505186A JP2014505186A JP2014510933A JP 2014510933 A JP2014510933 A JP 2014510933A JP 2014505186 A JP2014505186 A JP 2014505186A JP 2014505186 A JP2014505186 A JP 2014505186A JP 2014510933 A JP2014510933 A JP 2014510933A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive electrode
conductive
capacitance
circuit element
electrical communication
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014505186A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014510933A5 (ja
Inventor
マイケル, シー. パラツォットー,
ジャスティン タンジャンヤサム,
ステファン, エイチ. グリスカ,
マイケル, エス. ウェンドランド,
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
3M Innovative Properties Co
Original Assignee
3M Innovative Properties Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 3M Innovative Properties Co filed Critical 3M Innovative Properties Co
Publication of JP2014510933A publication Critical patent/JP2014510933A/ja
Publication of JP2014510933A5 publication Critical patent/JP2014510933A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/22Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance
    • G01N27/228Circuits therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G01N27/122Circuits particularly adapted therefor, e.g. linearising circuits
    • G01N27/123Circuits particularly adapted therefor, e.g. linearising circuits for controlling the temperature
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/22Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/22Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance
    • G01N27/227Sensors changing capacitance upon adsorption or absorption of fluid components, e.g. electrolyte-insulator-semiconductor sensors, MOS capacitors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

蒸気センサが、静電容量に関する特性のセンサ素子(110)、ヒータ回路素子(170)、静電容量に関する特性の測定回路素子(180)、及び少なくとも1つのスイッチ部材(190)を含む。静電容量に関する特性のセンサ素子が、誘電体基板(120)、第1導電性電極(130)、第2導電性電極(140)、及び第1導電性電極と第2導電性電極との間に配置され、かつ第1導電性電極と第2導電性電極と接触する微多孔性誘電体材料層(150)を含む。少なくとも1つのスイッチ部材が、第1導電性電極とヒータ回路素子との間の電気的通信を遮断することが可能であり、また静電容量に関する特性の測定回路素子と第1導電性電極との間の電気的通信を遮断することが可能である。

Description

本開示は、広義には蒸気センサに関する。
蒸気の存在、及びその空気中における濃度は、多様な活動分野で監視されている。例えば、光イオン化法、ガスクロマトグラフィー法、重力測定法、分光法(例えば、質量分光法、赤外線分光法、又は蛍光分光法)、及び吸収検出法を含む、蒸気(例えば、揮発性有機化合物(VOC))を検出する様々な方法が開発されてきた。
静電容量センサでは、環境中の分析質蒸気の存在のために、2つの導電性電極(典型的に平行又は交互配置(interdigitated)される)の静電容量は、2つの電極の間にある材料の誘電率の変化にあわせて変動する。定期的に、導電性電極の間にある分析質を除去することがすることが望ましい(例えば、分析質蒸気を交換するのであれば)。このような場合、静電容量センサの使用前に、熱を用いて分析質を蒸発させることができる。
一態様において、本開示は、
静電容量に関する特性のセンサ素子であって、
誘電体基板と、
誘電体基板上に配置され、第1及び第2端子を有する、第1導電性電極と、
第2導電性電極と、
第1導電性電極と第2導電性電極との間に配置され、かつ第1導電性電極と第2導電性電極と接触する微多孔性材料を備える誘電体層と、を含む、静電容量に関する特性のセンサ素子と、
第1導電性電極の第1及び第2端子のそれぞれと可逆的に遮断可能な電気的通信をする第1及び第2導電性部材を有するヒータ回路素子と、
静電容量に関する特性の測定回路素子であって、第1及び第2導電性部材を有し、静電容量に関する特性の測定回路素子の第1導電性部材が第1導電性電極と可逆的に遮断可能な電気的通信をし、静電容量に関する特性の測定回路素子の第2導電性部材が第2導電性電極と電気的に通信をする、静電容量に関する特性の測定回路素子と、
ヒータ回路素子の第1及び第2導電性部材と第1導電性電極の第1及び第2端子のそれぞれとの間の電気的通信を可逆的に遮断することが可能であり、また静電容量に関する特性の測定回路素子の第1導電性部材と第1導電性電極との間の電気的通信を可逆的に遮断することが可能である、少なくとも1つのスイッチ部材と、を備える蒸気センサを提供する。
一部の実施形態では、第1及び第2導電性電極並びに検出層はそれぞれ、基板と接触する。一部の実施形態では、第1及び第2導電性電極は平行である。
一部の実施形態では、前記少なくとも1つのスイッチ部材は、
ヒータ回路素子の第1及び第2導電性部材と第1導電性電極の第1及び第2端子のそれぞれとの間の可逆的に遮断可能な電気的通信と、
静電容量に関する特性の測定回路素子の第1導電性部材と第2導電性電極との間の可逆的に遮断可能な電気的通信とのそれぞれを、同時に可逆的に遮断することが可能である。
一部の実施形態では、蒸気センサは、第1導電性電極に隣接した誘電体基板上に配置された温度センサを更に備える。
一部の実施形態では、蒸気センサは、スイッチ部材と電気的に通信し、また、スイッチの動作を制御するスイッチコントローラを更に備える。これらの実施形態の一部では、スイッチコントローラは、温度センサと電気的に通信する。
本開示による蒸気センサは、例えば分析質濃度(例えば、揮発性有機化合物及び/又は湿度)を測定するのに有用である。
有利なことに、本開示による蒸気センサでは、第1導電性電極は静電容量に関する特性のセンシングを倍増させ、それにより、加熱素子としては、追加の加熱素子の必要性を排除し、かつ蒸気センサの設計及び製造を簡略化する。
本開示の実施において使用されるセンサ素子は一般に、吸収性誘電体層が第1電導性電極及び第2導電性電極と十分に緊密に近接し、それによって層中に含まれる吸収性誘電体材料が、電極によって形成される電界と相互作用することができるように構成される。センサ素子の動作時には、吸収性誘電体層は、1種類以上の分析質(例えば、1種類以上の有機蒸気)を吸収すると、電気的特性の変化を示す。電気的特性は、下記で説明する静電容量に関する特性であってよい。このような、静電容量に関連する特性の変化は、第1導電性電極と第2導電性電極との間に電荷差を付与し(例えば、電極に電圧差を付与することによって)、分析質の存在に応答してセンサ素子の特性を監視することによって測定することができる。
用語「静電容量に関する特性」とは、任意の電気的特性及びその測定値を包含し、これは一般的に電荷の付与(一定又は時変のどちらでも)、並びに電荷の付与中、及び/又は付与後の電気的特性の監視と関連する。このような特性としては、例えば、静電容量だけではなく、インピーダンス、インダクタンス、アドミタンス、電流、抵抗、コンダクタンスなどが挙げられ、当該技術分野において既知の様々な方法に従って測定されてよい。
本明細書で使用する時、用語「吸収する」とは、単に孔壁に吸着するか、又は微多孔性誘電体材料の嵩(bulk)の中に溶解するかに関わらず、微多孔性誘電体材料の中に配置されていく材料を意味する。
本明細書で使用する時、材料(例えば、導電性電極)の層に関する用語「透過性」とは、層が存在する領域において、(例えば、25℃で)層が十分に多孔性であるように、その厚さを通じて、少なくとも1つの有機化合物に対して非反応的に透過性であることを意味する。
本明細書で使用する時、用語「導電性部材」とは、例えば、電線、金属トレース、電気部品、又はそれらの組み合わせといった、電気的に導電性の部材を意味する。
本開示の特徴及び利点は、「発明を実施するための形態」、及び添付の「特許請求の範囲」を考慮することで更に深く理解されるであろう。
本開示による代表的な蒸気センサ100の概略平面図。 図1に示されたセンサ素子110の概略分解斜視図。 本開示による代表的な蒸気センサ300の概略平面図。 図3で示されたセンサ素子310の概略平面図。
上記の図面には本開示の複数の実施形態が記載されているが、考察の中で記述したとおり、その他の実施形態も考えられる。本開示の原理の範囲及び趣旨の範囲内に含まれる他の多くの改変例及び実施形態が当業者によって考案されうる点は理解されるはずである。図は、縮尺どおりに描かれていない場合もある。同様の参照番号が、同様の部分を示すために複数の図を通じて使用されている場合がある。
本開示での使用に適した蒸気センサは、様々なセンサ素子の構成を含むことができる。
一実施形態では、層状の電極構成を有するセンサ素子を含む蒸気センサが図1に示される。ここで図1を参照すると、本開示による代表的な蒸気センサ100は、静電容量に関する特性のセンサ素子110を備える。図2に示されるように、静電容量に関する特性のセンサ素子110は、誘電体基板120と、誘電体基板120上に配置された第1導電性電極130と、第2導電性電極140と、第1導電性電極130と第2導電性電極140との間に配置され、かつ第1導電性電極130と第2導電性電極140と接触する微多孔性誘電体材料層150と、を備える。
誘電体基板120は、例えば、誘電体材料からなる連続したスラブ、層、又はフィルムを備えてもよい。これは第1導電性電極130に十分に近接して配置され、センサ素子に物理的強度及び一体性をもたらすように機能し得る。例えば、ガラス、セラミック、及び/又はプラスチックを含む、任意の好適な誘電材料が使用されてもよい。大規模生産においては、(ポリエステル又はポリイミドといった)高分子フィルムを使用してもよい。
第1導電性電極130は、任意の好適な導電性材料を含んでよい。全体に十分な導電性がもたらされる限り、(導電性の及び/又は非導電性の)異なる材料の組み合わせを、異なる層又は混合物として使用することができる。典型的には、第1導電性電極130は約10オーム/平方未満のシート抵抗を有する。第1導電性電極130及び/又は第2導電性電極140を作製するために使用され得る材料の例としては、有機材料、無機材料、金属、合金、及び様々な混合物、並びにこれらの材料のいずれか、又は全てを含む複合材料が挙げられるが、これらに限定されない。特定の実施形態では、コーティング(例えば、熱蒸気コーティング又はスパッタコーティング)された金属、若しくは酸化金属、又はこれらの組み合わせが使用され得る。好適な導電性材料としては、例えば、アルミニウム、ニッケル、チタン、スズ、酸化インジウムスズ、金、銀、白金、パラジウム、銅、クロム、カーボンナノチューブ、及びこれらの組み合わせが挙げられる。特定の実施形態では、第1導電性電極130は、金属インキ(例えば銀インキ又は金インキ)を印刷した後に、インキを乾燥させることによって形成することもできる。第1導電性電極130は、第1端子134及び第2端子136をそれぞれ有する。
第2導電性電極140は、少なくとも1つの有機分析質に対して透過性があり続ける限り、任意の(1つ又は複数の)材料を含むことができる。第2導電性電極140を製作するために使用され得る材料の例としては、有機材料、無機材料、金属、合金、及び様々な混合物、並びにこれらの材料のいずれか、又は全てを含む複合材料が挙げられる。特定の実施形態では、コーティング(例えば、熱蒸気コーティング、スパッタコーティングなど)された金属、若しくは酸化金属、又はこれらの組み合わせが使用され得る。好適な導電性材料としては、例えば、アルミニウム、ニッケル、チタン、スズ、酸化インジウムスズ、金、銀、白金、パラジウム、銅、クロム、カーボンナノチューブ、及びこれらの組み合わせが挙げられる。蒸着した蒸気透過性の導電性電極(vapor deposited vapor permeable conductive electrodes)に関する詳細は、米国特許仮出願第61/388,146号(Palazzottoら)でも見出すことができ、参照することによりその開示が本明細書に組み込まれる。
特定の実施形態では、第2導電性電極140は、金属インキ(例えば銀インキ又は金インキ)を印刷した後に、インキを乾燥させることによって形成することもできる。全体に十分な導電性及び透過性がもたらされる限り、異なる材料(導電性及び/又は非導電性)の組み合わせを、異なる層又は混合物として使用することができる。典型的には、第2導電性電極140は約10オーム/平方未満のシート抵抗を有する。図2に示される通り、第2導電性電極140は、第1導電性電極130の周辺を超えて伸長する長方形の電極として構成されている。その他の構成もまた使用することができる。例えば、第2導電性電極140の形状は第1導電性電極130と類似してよく、又は実質的に同じであってよい。
導電性部材137、139は、1つのスイッチ構成において、第1導電性電極130と静電容量に関する特性の測定回路素子180とを含む閉回路が形成されるように、第1導電性電極130の第2端子136及び第1端子134それぞれとスイッチ部材190とを電気的に接続する。
第2の実施形態では、並列電極構成を有するセンサ素子を含む蒸気センサが図3に示される。ここで図3を参照すると、本開示による代表的な蒸気センサ300は、静電容量に関する特性のセンサ素子310を備える。
図4に示されるように、静電容量に関する特性のセンサ素子310は、誘電体基板120と、誘電体基板120上に配置された第1導電性電極330と、第2導電性電極340と、第1導電性電極330と第2導電性電極340との間に配置され、かつ第1導電性電極330と第2導電性電極340と接触する微多孔性誘電体材料層150と、を備える。第1導電性電極330は、第1端子334及び第2端子336をそれぞれ有する。導電性部材337は、1つのスイッチ構成において、第1導電性電極330と静電容量に関する特性の測定回路素子180とを含む閉回路が形成されるように、第2端子336とスイッチ部材190とを電気的に接続する。
第1導電性電極330は、任意の好適な導電性材料を含んでよい。全体に十分な導電性がもたらされる限り、異なる材料(導電性及び/又は非導電性)の組み合わせを、異なる層又は混合物として使用することができる。典型的には、第1導電性電極330は約10オーム/平方未満のシート抵抗を有する。第1導電性電極330及び/又は第2導電性電極340を作製するために使用され得る材料の例としては、有機材料、無機材料、金属、合金、及び様々な混合物、並びにこれらの材料のいずれか、又は全てを含む複合材料が挙げられるが、これらに限定されない。特定の実施形態では、コーティング(例えば、熱蒸気コーティング又はスパッタコーティング)された金属、若しくは酸化金属、又はこれらの組み合わせが使用され得る。好適な導電性材料としては、例えば、アルミニウム、ニッケル、チタン、スズ、酸化インジウムスズ、金、銀、白金、パラジウム、銅、クロム、カーボンナノチューブ、及びこれらの組み合わせが挙げられる。特定の実施形態では、第1導電性電極330は、金属インキ(例えば銀インキ又は金インキ)を印刷した後に、インキを乾燥させることによって形成することもできる。
図4に示される構成においては、第2導電性電極340は、有機分析質に対して透過性である必要はないが、所望の場合は透過性であってよい。第2導電性電極340を製作するために使用され得る材料には、有機材料、無機材料、金属、合金、及び様々な混合物、並びにこれらの材料のいずれか、又は全てを含む複合材料が挙げられる。特定の実施形態では、コーティング(例えば、熱蒸気コーティング、スパッタコーティングなど)された金属、若しくは酸化金属、又はこれらの組み合わせが使用され得る。好適な導電性材料としては、例えば、アルミニウム、ニッケル、チタン、スズ、酸化インジウムスズ、金、銀、白金、パラジウム、銅、クロム、カーボンナノチューブ、及びこれらの組み合わせが挙げられる。特定の実施形態では、第2導電性電極340は、金属インキ(例えば銀インキ又は金インキ)を印刷した後に、インキを乾燥させることによって形成することもできる。全体に十分な導電性及び透過性がもたらされる限り、異なる材料(導電性及び/又は非導電性)の組み合わせを、異なる層又は混合物として使用することができる。典型的には、第2導電性電極340は約10オーム/平方未満のシート抵抗を有する。
第1導電性電極は、導電性である限り、任意の厚さ、例えば少なくとも4ナノメートル(nm)〜400nm又は10nm〜200nmの範囲の厚さであってよい。
第1導電性電極は、例えば図2及び4に示される通りの蛇行経路に従ってよいが、これは必要条件ではなく、他の構成もまた考慮される。蛇行経路は典型的には、加熱され得る領域を拡大させる、かつ/又は加熱速度を増加させる働きをする。一般的に、第1導電性電極は、ヒータ回路素子との電気的な通信をする際に容易な抵抗加熱が可能となるように設計すべきである。こうした設計検討は、当業者の技術水準の範囲内にある。
第2導電性電極は、典型的に1nm〜100μmの範囲の厚さを有するが、他の厚さが用いられてもよい。
例えば、図2に示される実施形態では、第2導電性電極は、1nm〜100nmの、又は更に4nm〜10nmの範囲の厚さを有することができる。より大きな厚さは、望ましくない低レベルの透過性を有し得るが、その一方で、より小さな厚さは、導電性が不十分になる、かつ/又は第2導電性部材への電気的な接続が困難となり得る。
図4に示す実施形態では、第1及び第2の電極は、吸収性で固有に多孔性の材料とは分離して、誘電体基板(例えば、単一平面内)の表面上に隣り合って配置されてもよい。この実施形態では、第2導電性電極は分析質蒸気に対して透過性である必要はない。このような場合、第2導電性電極は、第1導電性電極としての使用に適した材料を用いて製造することができる。
微多孔性誘電体材料150は、微多孔性であり、かつその内部で少なくとも1つの分析質を吸収することが可能な、任意の材料であってよい。これに関連して、用語「微多孔性の」及び「微多孔質」とは、材料が、有意な規模の、内部の相互接続された間隙体積を有し、平均孔径(例えば、吸着等温線手段によって特徴付けられる)が、約100nm未満、典型的には約10nm未満であることを意味する。このような微多孔性により、有機分析質の分子(存在する場合)が、材料の内部孔体積に浸透し、内部孔の中に定着することが可能となる。内部孔内のこのような分析質の存在は、材料の誘電特性を変化でき、それにより誘電率(又は他の任意の好適な電気的特性)の変化を観察することができる。
一部の実施形態では、微多孔性誘電体材料は、いわゆる固有微多孔性ポリマー(PIM)を含む。PIMは、ポリマー鎖の非効率的な充填のために、ナノメートルスケールの孔を有するポリマー材料である。例えば、Chemical Communications、2004年、(2)、pp.230〜231、Buddらが、剛性(rigid)及び/又はねじ曲がった(contorted)モノマービルディングブロック間のジベンゾジオキサン結合を含む、一連の固有に微多孔性の材料を報告しているポリマーのこのファミリーの代表的なメンバーとしては、スキーム1に従って表1に示される成分A(例えば、A1、A2、又はA3)と成分B(例えば、B1、B2、又はB3)との縮合によって生成されるものが挙げられる。
Figure 2014510933
Figure 2014510933
更に好適な成分A及びB、並びに得られる固有に微多孔性のポリマーは、例えば、Buddら、Journal of Materials Chemistry,2005,Vol.15,pp.1977〜1986;McKeownら、Chemistry,A European Journal,2005,Vol.11,pp.2610〜2620;Ghanemら、Macromolecules,2008,vol.41,pp.1640〜1646;Ghanemら、Advanced Materials,2008,vol.20,pp.2766〜2771;Cartaら、Organic Letters,2008,vol.10(13),pp.2641〜2643;PCT国際公開出願第2005/012397 A2号(McKeownら);及び米国特許出願公開第2006/0246273号(McKeownら)で報告されたように当該技術分野において既知であり、参照することによりその開示は本明細書に組み込まれる。
そのようなポリマーは、例えば、A1(5,5’,6,6’−テトラヒドロキシ−3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビスインダン)などのビス−カテコールを、塩基性条件下で、例えば、B1(テトラフルオロテレフタロニトリル)などのフッ素化アレーンと反応させる、例えば逐次重合によって合成することができる。得られるポリマーの主鎖の剛性及びねじ曲がった性質ゆえに、これらのポリマーは、固体状態で密に充填することができず、したがって、少なくとも10パーセントの自由体積を有し、固有に微多孔性である。
PIMは、他の材料とブレンドすることができる。例えば、PIMは、それ自体が吸収性誘電体材料ではない材料とブレンドすることができる。分析質応答に寄与しないものの、このような材料は他の理由のために有用であり得る。例えば、このような材料は、優れた機械的特性などを有する、PIM含有層の形成を可能にすることがある。一実施形態では、PIMは、他の材料と共に一般的な溶媒に溶解して、均質な溶液を形成してもよく、これは、キャスティングされて、PIM及び他のポリマーの双方を含む吸収性誘電体ブレンド層を形成することができる。PIMはまた、吸収性誘電体材料である材料(例えば、ゼオライト、活性炭、シリカゲル、超架橋ポリマーネットワークなど)とブレンドされてもよい。このような材料は、PIM材料を含む溶液中に懸濁された不溶性材料を含み得る。このような溶液/懸濁液のコーティング及び乾燥は、PIM材料と追加の吸収性誘導体材料の双方を含む、複合吸収性誘導体層をもたらすことがある。
PIMは、典型的に、例えばテトラヒドロフランなどの有機溶媒に可溶性であり、ゆえに、溶液から(例えば、スピンコーティング、ディップコーティング、又はバーコーティングによって)フィルムとしてキャスティングすることができる。しかし、これらのポリマーの溶液から作製されるフィルムの特徴(入手可能な厚さ、光学的透明度、及び/又は外観)が、フィルムのキャスティングに使用される溶媒又は溶媒系に応じて著しく異なる場合がある。例えば、本明細書に記載の蒸気センサで使用するのに望ましい特性を備えたフィルムを作り出すためには、分子量のより高い固有に微多孔性のポリマーは、比較的独特な溶媒(例えば、シクロヘキセンオキシド、クロロベンゼン、又はテトラヒドロピラン)からキャスティングされる必要がある場合がある。溶液コーティング法に加えて、検出層は、任意の他の好適な方法によって第1導電性電極に適用されてよい。
PIMが堆積される(例えば、コーティングされる)か、ないしは別の方法で吸収性誘電体層を含むように形成された後、材料は、例えば、ビス(ベンゾニトリル)二塩化パラジウム(II)などの好適な架橋剤を使用して架橋することができる。このプロセスは、吸収性誘電体層を有機溶媒中で不溶性にするか、及び/又は耐久性、摩擦耐性など特定の物理的特性を向上させることがあり、これは特定の用途において望ましい場合がある。
PIMは、材料が著しく増大するか、あるいは物理的特性の顕著な変化を示す程度の液体水を吸収することがないように、疎水性であってよい。このような疎水性特性は、水の存在に対する感度が比較的低い有機分析質センサ素子を提供するために有用である。しかしながら、材料は、特定の目的のために、比較的極性の部分を含み得る。
一実施形態では、微多孔性誘電体材料は連続的なマトリックスを備える。このようなマトリックスは、材料の固体部分が連続的に相互接続されているアセンブリ(例えば、コーティング、層など)として定義される(上記の多孔質の存在、又は下記の任意の添加物の存在とは関わりなく)。即ち、連続的なマトリックスは、粒子の凝集(例えば、ゼオライト、活性炭、カーボンナノチューブなど)を含むアセンブリから区別可能である。例えば、溶液から堆積される層又はコーティングは典型的には、連続的なマトリックスを含む(コーティング自体がパターンを有する方法で塗布される、及び/又は粒子状の添加物を含むとしても)。粉末の噴霧、分散体(例えば、ラテックス)のコーティング及び乾燥、又はゾル−ゲル混合物のコーティング及び乾燥によって堆積された粒子の集合は、連続的な網状組織を含まないことがある。しかしながら、このようなラテックス、ゾル−ゲルなどの層が、個別の粒子がもはや認識不可能であるか、又は異なる粒子から得られたアセンブリの領域を認識することが不可能であるように固化され得る場合に、このような層は、連続的マトリックスと見なされる。
本開示による静電容量に関する特性のセンサ素子は、回路製造において一般的な方法を用いて(例えば、蒸着法によって、又はフォトリソグラフィー法によって)、例えば、誘電体基板の上に第1導電性電極を配置することによって(例えば、蒸着法によって、又はフォトリソグラフィー法によって)製造可能である。
次に、好適な有機溶媒内の微多孔性誘電体材料を、第1導電性電極上にコーティングし、溶媒を除去する。最後に、第2導電性電極を微多孔性誘電体材料上に配置する(例えば、蒸着法、又はデジタル印刷法(例えばインクジェット印刷法)を用いたスクリーン印刷といった印刷法によって)。
再び図1及び3を参照すると、ヒータ回路素子170は、第1及び第2導電性部材174、176をそれぞれ有する。第1及び第2導電性部材は、第1導電性電極(130又は330)の第1及び第2端子(134、136又は334、336)それぞれと可逆的に遮断可能な電気的通信をする。ヒータ回路素子は第1導電性電極に電力を供給し、抵抗加熱により温度上昇をもたらす。ヒータ回路素子は、それが第1導電性電極を加熱するに十分な電力を容易に供給し得るように選択されるべきである。ヒータ回路素子の例としては、交流(ac)アダプター(電源に接続されていれば)、及び電池が挙げられる。
図1に示される実施形態では、静電容量に関する特性の測定回路素子180は、スイッチ部材190及び導電性配線139、137のそれぞれを介して、第1導電性電極130の第1及び第2端子134、136と可逆的に遮断可能な電気的通信をする第1導電性部材184を有する。
図3に示される実施形態では、静電容量に関する特性の測定回路素子180は、スイッチ部材190及び導電性配線339、337のそれぞれを介して、第1導電性電極330の第1及び第2端子334、336と可逆的に遮断可能な電気的通信をする第1導電性部材184を有する。
静電容量に関する特性の測定が可能な任意の装置を、静電容量に関する特性の測定回路素子180として使用することが可能である。例としては、LCRメーター及びマイクロプロセッサ(例えば、ディジタイザーとの組み合わせで)が挙げられる。
図1及び3に示される通り、第2導電性部材186は第2導電性電極(140又は340のそれぞれ)と電気的に通信する。しかしながら、本開示による蒸気センサは、第2導電性部材が第2導電性電極と可逆的に遮断可能な電気的通信をするように構成することができることも考えられる。静電容量に関する特性の測定回路素子は、マイクロプロセッサ、ディスプレイ、又は他の装置と通信的に連結することもできる。
一部の実施形態では、第2導電性電極は第1及び第2端子を有することができる。ここで図4を参照すると、代表的な第2導電性電極340は、第1及び第2端子344、346のそれぞれを有する。この構成では、第2導電性部材186は、第1端子344を介して第2導電性電極340と電気的に通信する。任意に、第2導電性部材186は、第1及び第2端子344、346のそれぞれと接触することができる。例えば、図4に示されるものといったセンサ素子を、1つ以上のスイッチ部材を介して第1及び第2導電性電極と可逆的に遮断可能な電気的通信をするヒータ回路素子を有する構成にすることが可能であると更に考えられる。
静電容量に関する特性の測定回路素子は、第1導電性電極と第2導電性電極との間に電圧差を適用して、静電容量に関する特性を測定する。続いて、例えば手で、又はマイクロプロセッサで、静電容量に関する特性を使用して、例えば基準較正に従って、既知の分析質の蒸気濃度を得る。分析質蒸気の蒸気濃度を判定する代表的な1方法が、2011年4月13日出願の米国特許仮出願第61/475,014号(代理人整理番号67334US002)、名称「較正情報を含む電子装置及びその使用方法(ELECTRONIC DEVICE INCLUDING CALIBRATION INFORMATION AND METHOD OFUSING THE SAME)」に開示されている。
再び図1及び3を参照すると、スイッチ部材190は、ヒータ回路素子170の第1及び第2導電性部材(174、176)と第1導電性電極(例えば、第1導電性電極130又は第1導電性電極330)の第1及び第2端子のそれぞれとの間の電気的通信を同時に可逆的に遮断することが可能であり、また静電容量に関する特性の測定回路素子の第1及び第2導電性部材と、第1導電性電極及び第2導電性電極との間の電気的通信を可逆的に遮断することが可能である。導電性部材137又は337は、第1導電性電極130又は330のそれぞれの第2端子136又は336と、スイッチ部材190とを電気的に接続する。
図1及び3に示す実施形態では、単一のスイッチ部材が含まれるが、より多くのスイッチ部材が含まれるその他の構成もまた考えられる。例えば、ヒータ回路素子及び静電容量に関する特性の回路素子のそれぞれが、別個のスイッチ部材によってセンサ素子に接続されてもよい。しかしながら、利便性の観点から、図1及び3に示される実施形態が有利である。
スイッチ部材は、a)第1導電性電極を介して第1端子から第2端子に電流が流れるかどうか、又は、b)静電容量に関する回路の測定回路素子(capacitance-related circuit measurement circuit element)が、第1導電性電極及び第2導電性電極と電気的通信するかどうかを制御する。モードa)ではセンサ素子の加熱が達成されるが、一方、モードb)では静電容量に関する特性の測定素子が得られ得る。第1導電性電極の加熱及び静電容量に関する特性の測定を同時に行うこともまた意図される。
好適なスイッチ部材には、例えば、デジタル及びアナログスイッチが挙げられる。それに加えて、複数のスイッチ部材(任意のタイプのものと独立して)を蒸気センサに含めてよい。例には、トグルスイッチ、インラインスイッチ、押しボタンスイッチ、ロッカースイッチ、及びキーパッドスイッチなどの電気機械スイッチ、並びにトランジスタベースの半導体スイッチなどの電気スイッチが挙げられる。望ましくは、任意の(1つ又は複数の)スイッチ部材は電気動作式である。
任意のスイッチコントローラ135は導電性部材138を介してスイッチ部材190と電気的に通信し、スイッチ部材190の動作を制御する。好適な任意のスイッチコントローラの例には、半導体マイクロプロセッサ及びコンピュータが挙げられる。
再び図1及び3を参照すると、任意の温度センサ195は温度測定回路素子196及び検出器197を備える。静電容量に関する特性のセンサ素子の温度を測定できるようにするため、検出器197は、第1導電性電極(110又は310)に隣接した誘電体基板上に配置される。好適な任意の温度センサの例には、熱電対及びサーミスタが挙げられる。存在する場合、任意の温度センサ195は導電性トレース197を介して、温度を監視し、かつ(1つ又は複数の)スイッチ部材を通じて接続を制御する任意のスイッチコントローラ135に電気的に接続することができる。例えば、それは所望の温度が達成されるよう、加熱及び静電容量に関する特性の測定のオン−オフのデューティサイクルを調節することができる。
本開示による蒸気センサに含まれ得る更なる構成部品には、部分カバー、電子ディスプレイ、及びコンピュータ読み取り可能な記憶装置が挙げられる。
明示されていないが、本開示による蒸気センサの様々な電気部品には、使用中に機能するのに十分な電力が供給されていることは理解されるだろう。
任意の保護カバー又は障壁層が、第1導電性電極又は第2導電性電極の少なくとも一方に近接して設けられてよい。例えば、一実施形態では、カバー層は第2導電性電極の上に配置されてよく、第2導電性電極のある領域が第2導電性部材の電気接点との電気接点にアクセスできるようにする。いかなるこのようなカバー層も、センサ素子の機能を有意に妨げるべきではない。例えば、吸収性誘電体層に到達するために、対象の分析質がカバー層を必ず通過するようにセンサ素子が構成されている場合、カバー層は分析質に対して十分に透過性であるべきである。
本開示の選択された実施形態
第1の実施形態では、本開示は、
静電容量に関する特性のセンサ素子であって、
誘電体基板と、
誘電体基板上に配置され、第1及び第2端子を有する、第1導電性電極と、
第2導電性電極と、
第1導電性電極と第2導電性電極との間に配置され、かつ第1導電性電極と第2導電性電極と接触する微多孔性材料を備える誘電体層と、を含む、静電容量に関する特性のセンサ素子と、
第1導電性電極の第1及び第2端部のそれぞれと可逆的に遮断可能な電気的通信をする第1及び第2導電性部材を有するヒータ回路素子と、
静電容量に関する特性の測定回路素子であって、第1及び第2導電性部材を有し、静電容量に関する特性の測定回路素子の第1導電性部材が第1導電性電極と可逆的に遮断可能な電気的通信をし、静電容量に関する特性の測定回路素子の第2導電性部材が第2導電性電極と電気的に通信する、静電容量に関する特性の測定回路素子と、
ヒータ回路素子の第1及び第2導電性部材と第1導電性電極の第1及び第2端子のそれぞれとの間の電気的通信を可逆的に遮断することが可能であり、また静電容量に関する特性の測定回路素子の第1導電性部材と第1導電性電極との間の電気的通信を可逆的に遮断することが可能である、少なくとも1つのスイッチ部材と、を備える蒸気センサを提供する。
第2の実施形態では、本開示は、前記少なくとも1つのスイッチ部材が、
ヒータ回路素子の第1及び第2導電性部材と第1導電性電極の第1及び第2端子のそれぞれとの間の可逆的に遮断可能な電気的通信と、
静電容量に関する特性の測定回路素子の第1導電性部材と第2導電性電極との間の可逆的に遮断可能な電気的通信とのそれぞれを、同時に可逆的に遮断することが可能である、第1の実施形態の蒸気センサを提供する。
第3の実施形態では、本開示は、第2導電性電極が少なくとも1つの有機蒸気に対して透過性である、第1又は第2の実施形態に記載の蒸気センサを提供する。
第4の実施形態では、本開示は、第2導電性電極が乾燥銀インキを含む、第1〜3の実施形態のいずれか1つに記載の蒸気センサを提供する。
第5の実施形態では、本開示は、第2導電性電極が蒸着金属を含む、第1〜3の実施形態のいずれか1つに記載の蒸気センサを提供する。
第6の実施形態では、本開示は、微多孔性材料が固有微多孔性ポリマーを含む、第1〜5の実施形態のいずれか1つに記載の蒸気センサを提供する。
第7の実施形態では、本開示は、スイッチ部材と電気的に通信し、また、スイッチの動作を制御するスイッチコントローラを更に備える、第1〜6の実施形態のいずれか1つに記載の蒸気センサを提供する。
第8の実施形態では、本開示は、第1導電性電極に隣接した誘電体基板上に配置された温度センサを更に備える、第1〜7の実施形態のいずれか1つに記載の蒸気センサを提供する。
第9の実施形態では、本開示は、スイッチコントローラが温度センサと電気的に通信する、第8の実施形態に記載の蒸気センサを提供する。
第10の実施形態では、本開示は、第1及び第2導電性電極並びに検出層がそれぞれ、基板と接触する、第1〜9の実施形態のいずれか1つに記載の蒸気センサを提供する。
第11の実施形態では、本開示は、第1及び第2導電性電極が平行である、第1〜9の実施形態のいずれか1つに記載の蒸気センサを提供する。
第12の実施形態では、本開示は、静電容量に関する特性が静電容量を含む、第1〜11の実施形態のいずれか1つに記載の蒸気センサを提供する。
当業者であれば、本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく本開示の様々な改変及び変更を行うことが可能であり、また、本開示は上記に記載した例示的な実施形態に不要に限定されるべきではない点は理解されるべきである。

Claims (12)

  1. 静電容量に関する特性のセンサ素子であって、
    誘電体基板と、
    該誘電体基板上に配置され、第1及び第2端子を有する、第1導電性電極と、
    第2導電性電極と、
    前記第1導電性電極と前記第2導電性電極との間に配置され、かつ前記第1導電性電極と前記第2導電性電極と接触する微多孔性材料を備える誘電体層と、を含む、静電容量に関する特性のセンサ素子と、
    前記第1導電性電極の前記第1及び前記2端子のそれぞれと可逆的に遮断可能な電気的通信をする第1及び第2導電性部材を有するヒータ回路素子と、
    静電容量に関する特性の測定回路素子であって、第1及び第2導電性部材を有し、該静電容量に関する特性の測定回路素子の前記第1導電性部材が前記第1導電性電極と可逆的に遮断可能な電気的通信をし、前記静電容量に関する特性の測定回路素子の前記第2導電性部材が前記第2導電性電極と電気的通信をする、静電容量に関する特性の測定回路素子と、
    前記ヒータ回路素子の前記第1及び第2導電性部材と前記第1導電性電極の前記第1及び第2端子のそれぞれとの間の電気的通信を可逆的に遮断することが可能であり、また前記静電容量に関する特性の測定回路素子の前記第1導電性部材と前記第1導電性電極との間の電気的通信を可逆的に遮断することが可能である、少なくとも1つのスイッチ部材と、を備える蒸気センサ。
  2. 前記少なくとも1つのスイッチ部材が、
    前記ヒータ回路素子の前記第1及び第2導電性部材と前記第1導電性電極の前記第1及び第2端子のそれぞれとの間の可逆的に遮断可能な前記電気的通信と、
    前記静電容量に関する特性の測定回路素子の前記第1導電性部材と前記第2導電性電極との間の可逆的に遮断可能な前記電気的通信とのそれぞれを、同時に可逆的に遮断することが可能である、請求項1に記載の蒸気センサ。
  3. 前記第2導電性電極が、少なくとも1つの有機蒸気に対して透過性である、請求項1又は2に記載の蒸気センサ。
  4. 前記第2導電性電極が、乾燥銀インキを含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の蒸気センサ。
  5. 前記第2導電性電極が、蒸着金属を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の蒸気センサ。
  6. 前記微多孔性材料が、固有微多孔性ポリマーを含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の蒸気センサ。
  7. 前記スイッチ部材と電気的に通信し、また、前記スイッチの動作を制御するスイッチコントローラを更に備える、請求項1〜6のいずれか一項に記載の蒸気センサ。
  8. 前記第1導電性電極に隣接した前記誘電体基板上に配置された温度センサを更に備える、請求項1〜7のいずれか一項に記載の蒸気センサ。
  9. 前記スイッチコントローラが、前記温度センサと電気的に通信する、請求項8に記載の蒸気センサ。
  10. 前記第1及び第2導電性電極並びに検出層がそれぞれ、前記基板と接触する、請求項1〜9のいずれか一項に記載の蒸気センサ。
  11. 前記第1及び第2導電性電極が、平行である、請求項1〜9のいずれか一項に記載の蒸気センサ。
  12. 前記静電容量に関する特性が、静電容量を含む、請求項1〜10のいずれか一項に記載の蒸気センサ。
JP2014505186A 2011-04-13 2012-04-04 センサ素子を含み一体型加熱機構を備えた蒸気センサ Pending JP2014510933A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161475009P 2011-04-13 2011-04-13
US61/475,009 2011-04-13
PCT/US2012/032153 WO2012141958A1 (en) 2011-04-13 2012-04-04 Vapor sensor including sensor element with integral heating

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014510933A true JP2014510933A (ja) 2014-05-01
JP2014510933A5 JP2014510933A5 (ja) 2015-03-12

Family

ID=46051911

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014505186A Pending JP2014510933A (ja) 2011-04-13 2012-04-04 センサ素子を含み一体型加熱機構を備えた蒸気センサ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9506888B2 (ja)
EP (1) EP2697637B1 (ja)
JP (1) JP2014510933A (ja)
KR (1) KR20140026469A (ja)
CN (1) CN103477216A (ja)
WO (1) WO2012141958A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140026469A (ko) 2011-04-13 2014-03-05 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 일체형 가열을 갖는 센서 요소를 포함하는 증기 센서
US9429537B2 (en) 2011-04-13 2016-08-30 3M Innovative Properties Company Method of detecting volatile organic compounds
US9279792B2 (en) 2011-04-13 2016-03-08 3M Innovative Properties Company Method of using an absorptive sensor element
CN103547915B (zh) 2011-06-08 2015-11-25 3M创新有限公司 湿度传感器及其传感器元件
CN104024848B (zh) 2011-12-13 2016-01-20 3M创新有限公司 用于识别和定量测定气体介质中的未知有机化合物的方法
CN104487831B (zh) 2012-05-29 2016-09-07 3M创新有限公司 湿度传感器和传感器元件
CN104583763B (zh) 2012-06-25 2017-03-08 3M创新有限公司 传感器元件及其制备和使用方法
US9702840B2 (en) * 2012-08-02 2017-07-11 3M Innovative Properties Company Portable electronic device and vapor sensor card
EP3048983B1 (en) 2013-09-26 2020-11-25 3M Innovative Properties Company Vapor sensor suitable for detecting alcoholic residue at a skin site
WO2015130548A1 (en) * 2014-02-27 2015-09-03 3M Innovative Properties Company Sub-ambient temperature vapor sensor and method of use
KR20160127021A (ko) 2014-02-27 2016-11-02 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 유연한 센서 패치 및 이를 이용하는 방법
US9780554B2 (en) * 2015-07-31 2017-10-03 Apple Inc. Moisture sensors
GB201915639D0 (en) * 2019-10-29 2019-12-11 P E S Tech Limited A sensor

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5965246A (ja) * 1982-08-25 1984-04-13 エンドレス・ウント・ハウザ−・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニ− 露点測定装置
JPS59206754A (ja) * 1983-05-11 1984-11-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機分子検出素子
JP2001509600A (ja) * 1997-07-11 2001-07-24 マンネスマン ファウ デー オー アクチエンゲゼルシャフト 相対大気湿度を測定する装置
JP2010540967A (ja) * 2007-10-05 2010-12-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー プラズマ蒸着されたミクロ孔質層を含む有機化学センサー、並びに作製及び使用方法

Family Cites Families (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59153159A (ja) 1983-02-21 1984-09-01 Hitachi Ltd ガス検出装置
US5269175A (en) 1984-04-06 1993-12-14 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Sensor for investigating liquids
DE3519410A1 (de) 1985-05-30 1986-12-04 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Betriebsverfahren und sensor fuer gasanalyse
US4975249A (en) 1987-07-27 1990-12-04 Elliott Stanley B Optical and capacitance type, phase transition, humidity-responsive devices
JPH0599877A (ja) * 1991-06-25 1993-04-23 Yamatake Honeywell Co Ltd 感湿装置
JPH06281610A (ja) 1993-01-29 1994-10-07 Nok Corp 湿度センサ、アルコ−ルセンサまたはケトンセンサ
FI96640C (fi) * 1993-08-23 1996-07-25 Vaisala Oy Menetelmä suhteellisen kosteuden mittaamiseksi, etenkin radiosondeissa
FR2718240B1 (fr) 1994-03-31 1996-06-21 Inst Nat Environnement Ind Procédé de caractérisation d'un mélange gazeux par oxydation catalytique.
CN1037041C (zh) * 1994-07-16 1998-01-14 东南大学 金属-氧化物-半导体结构电容式湿敏器件及其制造方法
EP0778941B1 (de) 1995-06-30 2003-05-02 Klaus Züchner Messeinrichtung und verfahren zur bestimmung des wassergehaltes in einem gas
US6815211B1 (en) 1998-08-04 2004-11-09 Ntc Technology Oxygen monitoring methods and apparatus (I)
FI104654B (fi) 1996-12-13 2000-03-15 Vaisala Oyj Menetelmä polymeeripohjaisen kaasuanturin selektiivisyyden parantamiseksi
US6787047B1 (en) 1997-03-13 2004-09-07 Robert Bosch Gmbh Methods for manufacturing a microstructured sensor
EP1019715B1 (en) 1997-08-08 2005-01-26 California Institute Of Technology Techniques and systems for analyte detection
US7039446B2 (en) 2001-01-26 2006-05-02 Sensys Medical, Inc. Indirect measurement of tissue analytes through tissue properties
US6579690B1 (en) 1997-12-05 2003-06-17 Therasense, Inc. Blood analyte monitoring through subcutaneous measurement
US20020131897A1 (en) 2000-09-19 2002-09-19 James Samsoondar Apparatus of handling fluids
AU747878B2 (en) 1998-04-09 2002-05-30 California Institute Of Technology Electronic techniques for analyte detection
EP1088221A4 (en) 1998-05-27 2001-12-12 California Inst Of Techn METHOD FOR ANALYZING IN A FLUIDUM
MY121845A (en) 1998-09-11 2006-02-28 Panasonic Corp Gas type identification system
WO2000018289A1 (en) 1998-09-30 2000-04-06 Cygnus, Inc. Method and device for predicting physiological values
US6596236B2 (en) 1999-01-15 2003-07-22 Advanced Technology Materials, Inc. Micro-machined thin film sensor arrays for the detection of H2 containing gases, and method of making and using the same
DE19907164C2 (de) 1999-02-19 2002-10-24 Micronas Gmbh Meßeinrichtung sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE60026309T2 (de) 1999-05-10 2006-12-14 California Institute Of Technology, Pasadena Verwendung eines räumlich-zeitlichen reaktionsverhaltens in sensor-arrays zur detektion von analyten in fluiden
US6165347A (en) 1999-05-12 2000-12-26 Industrial Scientific Corporation Method of identifying a gas
US6320388B1 (en) 1999-06-11 2001-11-20 Rae Systems, Inc. Multiple channel photo-ionization detector for simultaneous and selective measurement of volatile organic compound
WO2001001121A1 (en) 1999-06-29 2001-01-04 Ut-Battelle, Llc Multi-modal analysis of micromechanical structures for sensing applications
GB0002081D0 (en) 2000-01-28 2000-03-22 Univ Cambridge Tech Atmospheric content detection
WO2001069186A1 (en) 2000-03-10 2001-09-20 Cyrano Sciences, Inc. Measuring and analyzing multi-dimensional sensory information for identification purposes
US6338266B1 (en) 2000-04-05 2002-01-15 Industrial Scientific Corporation Method of identifying a gas and associated apparatus
AU2001278840A1 (en) 2000-04-22 2001-11-07 M-Biotech, Inc. Hydrogel biosensor and biosensor-based health alarm system
DE10041921A1 (de) 2000-08-25 2002-03-21 Dornier Gmbh Stoffsensor
US6539774B1 (en) 2000-11-10 2003-04-01 Hrl Laboratories, Llc Thin film metal hydride hydrogen sensor
JP4344486B2 (ja) 2001-03-09 2009-10-14 日本碍子株式会社 ガスセンサ
US7657292B2 (en) 2001-03-16 2010-02-02 Nellcor Puritan Bennett Llc Method for evaluating extracellular water concentration in tissue
US20020142478A1 (en) 2001-03-28 2002-10-03 Hiroyuki Wado Gas sensor and method of fabricating a gas sensor
US6885199B2 (en) 2001-05-17 2005-04-26 Siemens Vdo Automotive Corp. Fuel sensor
AU2002331971A1 (en) 2001-10-01 2003-04-14 Isis Innovation Limited Membrane-covered sensor for determining the concentration of oxygen and carbon dioxide
US7160690B2 (en) 2001-11-06 2007-01-09 Arete Associates Nitrate sensor
US6640626B2 (en) 2002-01-18 2003-11-04 Hitachi, Ltd. Method and system for identifying a type of gas
US20030166296A1 (en) 2002-03-01 2003-09-04 Morrison Roxane F. Chemical species analyzer
CA2480550C (en) 2002-03-22 2011-07-12 Cygnus, Inc. Improving performance of an analyte monitoring device
US7200495B2 (en) 2002-04-11 2007-04-03 The Charles Stark Draper Laboratory Method and apparatus for analyzing spatial and temporal processes of interaction
US7449146B2 (en) 2002-09-30 2008-11-11 3M Innovative Properties Company Colorimetric sensor
US7373255B2 (en) 2003-06-06 2008-05-13 Biacore Ab Method and system for determination of molecular interaction parameters
US6917885B2 (en) 2003-06-06 2005-07-12 Steris Inc. Method and apparatus for formulating and controlling chemical concentration in a gas mixture
GB0317557D0 (en) 2003-07-26 2003-08-27 Univ Manchester Microporous polymer material
US20080119703A1 (en) 2006-10-04 2008-05-22 Mark Brister Analyte sensor
US8369919B2 (en) 2003-08-01 2013-02-05 Dexcom, Inc. Systems and methods for processing sensor data
CN1321477C (zh) 2003-10-28 2007-06-13 比亚迪股份有限公司 锂离子二次电池
US7217354B2 (en) 2003-08-29 2007-05-15 Ut-Battelle, Llc Method and apparatus for detection of chemical vapors
US20050148003A1 (en) 2003-11-26 2005-07-07 Steven Keith Methods of correcting a luminescence value, and methods of determining a corrected analyte concentration
WO2005073715A1 (en) 2004-01-27 2005-08-11 H2Scan Corporation Thin film gas sensor configuration
US7680607B1 (en) 2004-05-13 2010-03-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy System and method for gas recognition by analysis of bispectrum functions
US20060078960A1 (en) 2004-05-19 2006-04-13 Hunter Christie L Expression quantification using mass spectrometry
US20080312859A1 (en) 2004-09-03 2008-12-18 Novo Nordisk A/S Method of Calibrating a System for Measuring the Concentration of Substances in Body and an Apparatus for Exercising the Method
US20090076360A1 (en) 2007-09-13 2009-03-19 Dexcom, Inc. Transcutaneous analyte sensor
US7776269B2 (en) 2005-03-15 2010-08-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Capacitive based sensing of molecular adsorbates on the surface of single wall nanotubes
EP1910991A1 (de) 2005-07-19 2008-04-16 Swiss Reinsurance Company System und verfahren zur rückgekoppelten, dynamischen überwachung von unterlegungshöhen bei risikoereignissen
GB0517869D0 (en) 2005-09-02 2005-10-12 Univ Warwick Gas-sensing semiconductor devices
GB0518458D0 (en) 2005-09-09 2005-10-19 Boc Group Plc Arc welding
US7512431B2 (en) 2005-09-13 2009-03-31 Medtronic, Inc. Normalization method for a chronically implanted optical sensor
US7933005B2 (en) 2005-11-21 2011-04-26 Nir Diagnostics Inc. Modified method and apparatus for measuring analytes
DE102005057214A1 (de) 2005-11-29 2007-06-14 Justus-Liebig-Universität Giessen Erfindung betreffend Gassensoren
US7556774B2 (en) 2005-12-21 2009-07-07 3M Innovative Properties Company Optochemical sensor and method of making the same
US8293340B2 (en) 2005-12-21 2012-10-23 3M Innovative Properties Company Plasma deposited microporous analyte detection layer
US20070299617A1 (en) 2006-06-27 2007-12-27 Willis John P Biofouling self-compensating biosensor
US7767143B2 (en) 2006-06-27 2010-08-03 3M Innovative Properties Company Colorimetric sensors
US8067110B2 (en) 2006-09-11 2011-11-29 3M Innovative Properties Company Organic vapor sorbent protective device with thin-film indicator
US7952692B2 (en) 2006-12-12 2011-05-31 Orsense Ltd. Method and apparatus for determination of analyte concentration
DE102006060633A1 (de) 2006-12-21 2008-06-26 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Sensorelements und Sensorelement zur Bestimmung der Konzentration von Gaskomponenten in einem Gasgemisch
US20090018426A1 (en) 2007-05-10 2009-01-15 Glumetrics, Inc. Device and methods for calibrating analyte sensors
US7653497B2 (en) 2007-05-15 2010-01-26 Spectrasensors, Inc. Energy flow measurement in gas pipelines
US20100130796A1 (en) 2007-06-25 2010-05-27 Combes David J Heater suitable for use in a preconcentrator device
FI120851B (fi) 2007-06-27 2010-03-31 Valtion Teknillinen Anturi kuluneen ajan ja kosteuden osoitukseen, menetelmä sen valmistamiseksi ja sen käyttö
AU2008307295B2 (en) 2007-10-05 2011-09-01 3M Innovative Properties Company Organic chemical sensor comprising microporous polymer, and method of use
WO2009053981A2 (en) 2007-10-23 2009-04-30 Technion Research And Development Foundation Ltd. Electronic nose device with sensors composed of nanowires of columnar discotic liquid crystals with low sensitivity to humidity
US7783442B2 (en) 2007-10-31 2010-08-24 Medtronic Minimed, Inc. System and methods for calibrating physiological characteristic sensors
IL189576A0 (en) 2008-02-18 2008-12-29 Technion Res & Dev Foundation Chemically sensitive field effect transistors for explosive detection
US7816681B2 (en) 2008-12-03 2010-10-19 Electronics And Telecommunications Research Institute Capacitive gas sensor and method of fabricating the same
JP5662945B2 (ja) 2008-12-23 2015-02-04 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 微多孔性有機ケイ酸塩材料を有する有機化学センサ
DE212010000021U1 (de) 2009-01-29 2011-10-24 3M Innovative Properties Company Überwachungsvorrichtung (Monitor) zur optischen Detektion von organischen Analyten
AU2010235022B2 (en) 2009-03-30 2013-08-22 3M Innovative Properties Company Optoelectronic methods and devices for detection of analytes
BRPI1009623A2 (pt) 2009-05-22 2016-06-28 3M Innovative Properties Co elemento de detecção opticamente interrogável e método para fabricação de elemento de detecção
WO2011159480A1 (en) 2010-06-15 2011-12-22 3M Innovative Properties Company Variable capacitance sensors and methods of making the same
CN103154712B (zh) 2010-09-30 2015-11-25 3M创新有限公司 传感器元件及其制备方法和包括所述传感器元件的传感器装置
WO2012044419A1 (en) 2010-09-30 2012-04-05 3M Innovative Properties Company Sensor element, method of making the same, and sensor device including the same
KR20140026469A (ko) 2011-04-13 2014-03-05 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 일체형 가열을 갖는 센서 요소를 포함하는 증기 센서
US9429537B2 (en) 2011-04-13 2016-08-30 3M Innovative Properties Company Method of detecting volatile organic compounds
JP6016887B2 (ja) 2011-04-13 2016-10-26 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 校正情報を含む電子素子及びその使用方法
US9279792B2 (en) 2011-04-13 2016-03-08 3M Innovative Properties Company Method of using an absorptive sensor element
CN103547915B (zh) 2011-06-08 2015-11-25 3M创新有限公司 湿度传感器及其传感器元件
US9244008B2 (en) 2011-06-16 2016-01-26 3M Innovative Properties Company Surface plasmon resonance sensor element and sensor including the same
CN104024848B (zh) 2011-12-13 2016-01-20 3M创新有限公司 用于识别和定量测定气体介质中的未知有机化合物的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5965246A (ja) * 1982-08-25 1984-04-13 エンドレス・ウント・ハウザ−・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニ− 露点測定装置
JPS59206754A (ja) * 1983-05-11 1984-11-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機分子検出素子
JP2001509600A (ja) * 1997-07-11 2001-07-24 マンネスマン ファウ デー オー アクチエンゲゼルシャフト 相対大気湿度を測定する装置
JP2010540967A (ja) * 2007-10-05 2010-12-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー プラズマ蒸着されたミクロ孔質層を含む有機化学センサー、並びに作製及び使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2697637B1 (en) 2021-01-13
WO2012141958A1 (en) 2012-10-18
US20140028333A1 (en) 2014-01-30
US9506888B2 (en) 2016-11-29
EP2697637A1 (en) 2014-02-19
KR20140026469A (ko) 2014-03-05
CN103477216A (zh) 2013-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014510933A (ja) センサ素子を含み一体型加熱機構を備えた蒸気センサ
JP6576356B2 (ja) サブ周囲温度蒸気センサ及びその使用方法
JP5932806B2 (ja) センサー素子、その製造方法、及びそれを含むセンサー装置
JP2016200605A (ja) センサー素子、その製造方法、及びそれを含むセンサー装置
AU2008307295B2 (en) Organic chemical sensor comprising microporous polymer, and method of use
JP5968421B2 (ja) 吸収性センサ素子の使用方法
JP5800897B2 (ja) 可変静電容量センサ及びその作製方法
KR101990015B1 (ko) 교정 정보를 포함하는 전자 디바이스 및 이를 이용하는 방법
JP6263179B2 (ja) 携帯用電子装置及び蒸気センサカード
KR102131314B1 (ko) 센서 요소, 이의 제조 방법 및 사용 방법
Afonja et al. Gas sensing properties of composite tungsten trioxide-zeolite thick films

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150120

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150120

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20151021

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151027

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20160127

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20160224

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160317

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20160628