JP2014507813A - 軟弱パッド用コンディショナーおよびその製造方法 - Google Patents
軟弱パッド用コンディショナーおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014507813A JP2014507813A JP2013557647A JP2013557647A JP2014507813A JP 2014507813 A JP2014507813 A JP 2014507813A JP 2013557647 A JP2013557647 A JP 2013557647A JP 2013557647 A JP2013557647 A JP 2013557647A JP 2014507813 A JP2014507813 A JP 2014507813A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conditioner
- soft pad
- manufacturing
- substrate
- height
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D18/00—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
Abstract
【課題】半導体素子製作工程の一部である化学的機械的研磨(CMP)工程で用いられるCMPパッド用コンディショナーを提供すること。
【解決手段】本発明は、研磨粒子の含量が少ないスラリー、および/またはパッドの硬度が比較的低くかつ気孔率が非常に高い多孔質パッドを用いるCMP環境で使用することが可能な軟弱パッド用コンディショナーおよびその製造方法を提供する。
【選択図】図1
Description
そこで、本発明の目的は、ウェハーの材料除去率を安定に維持することができるように所定のパターンに応じて制御された構造を持つうえ、コストを画期的に低めることが可能な構造の軟弱パッド用コンディショナーおよびその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、ダイヤモンドコーティング工程を行う必要がないので、コンディショナーの製造のために使用できる基板の材質が耐摩耗性だけ充足すれば制限されない軟弱パッド用コンディショナーおよびその製造方法を提供することにある。
好適な実施例において、前記多数の切削チップの上端部が基板の表面に平行な平面からなる場合、その全体的な形状が円柱、多角柱、円錐台および角錐台の少なくとも一つである。
好適な実施例において、前記多数の切削チップは、全体的な形状、突出高さおよび離隔間隔の少なくとも一つが同一である。
好適な実施例において、前記軟弱パッド用コンディショナーは、Cu CMP工程を含んで、CMP工程で加わる荷重が3ポンド以下の工程、およびスラリー研磨粒子の含量が1%以下の工程の少なくとも一つに用いられる。
また、本発明は、請求項1〜6のいずれか1項の軟弱パッド用コンディショナーの製造方法であって、切削チップの突出高さを超過する厚さを持つ基板を準備する段階と、前記基板の一表面に所定のパターンに応じて多数の突出部を互いに離隔した間隔で陽刻によって突設する切削チップ形成段階とを含む、軟弱パッド用コンディショナーの製造方法を提供する。
好適な実施例において、前記切削チップ形成段階は、エッチング法と併行する切削ホイール、エンドミル、フライス(milling cutter)、ドリル、タップおよびレーザー加工のいずれか一つの微細機械加工法、前記エッチング法、及び前記微細機械加工方法のうちいずれか一方法によって行われる。
また、本発明の軟弱パッド用コンディショナーおよびその製造方法によれば、ダイヤモンドコーティング工程を行う必要がないので、既存のダイヤモンドがコートされたCMPパッドコンディショナーとは異なり、ダイヤモンドコーティング後のサイズ制御に必要な附随工程が省略できて不良率が減少できる。
ところが、本発明は、ここで説明される実施例に限定されるものではなく、別の形態にも具体化できる。明細書全体にわたり、本発明を説明するために使用される同一の参照番号は同一の構成要素を示す。
まず、本発明の第1技術的特徴は、ウェハーの材料除去率を安定に維持することができるように所定のパターンに応じて制御された構造を持つうえ、ダイヤモンドコーティング工程を行う必要がないので、コンディショナーの製造のために使用できる基板の材質が耐磨耗性だけ充足すれば制限されず、コストを画期的に低減することが可能な構造の軟弱パッド用コンディショナーにある。
したがって、本発明の軟弱パッド用コンディショナーは、少なくとも一表面が平坦な表面を有する基板と、前記表面の一部または全体に互いに離隔して突設された多数の切削チップとを含む。
ここで、軟弱パッド用コンディショナーを構成する基板および多数の切削チップは、同一の材質を持つように一体に形成されることが好ましい。その素材は、耐磨耗性だけ充足すれば制限されないが、超硬材料、SiCまたはSi3N4を含むセラミック材料、並びにSiO2およびAl2O3の少なくとも一つを含む複合セラミック材料のいずれか一つであることが好ましい。
前記多数の切削チップは、所定のパターンに応じて基板の表面に突設されれば、その上端部が面、線及び点のいずれからなっても構わない。但し、多数の切削チップの上端部が基板の表面に平行な平面からなる場合、その全体的な形状が円柱、多角柱、円錐台および角錐台の少なくとも一つである
また、多数の切削チップは、作業者の制御意図によって全体的な形状、突出高さおよび離隔間隔が全てあるいはグループ別に異なるように形成されるが、全体的な形状、突出高さおよび離隔間隔の少なくとも一つが同一である方がウェハーの材料除去率の安定的な維持に好ましい。
このように構成された軟弱パッド用コンディショナーは、後述する実験例から分かるように、精密なuniformityを要求するCu CMP工程を含んで、CMP工程で加わる荷重が3パウンド以下の工程および/またはスラリー研磨粒子の含量が1%以下の工程に用いられる場合、既存のダイヤモンド層がコートされたCMPパッドコンディショナーと同等以上の性能を有する。
次に、本発明の第2技術的特徴は、コンディショナーに形成された切削チップがダイヤモンド層を含まないため、CVDダイヤモンドコーティング工程を省略することができるので、製造工程が短縮されるうえ、製造コストの低減が可能であり、既存のダイヤモンドがコートされたCMPパッドコンディショナーとは異なり、ダイヤモンドコーティング後のサイズ制御に必要な附随工程が省略できて不良率が減少されるなど、生産性が極めて向上した軟弱パッド用コンディショナーの製造方法にある。
したがって、本発明の軟弱パッド用コンディショナーの製造方法は、切削チップの突出高さを超過する厚さを持つ基板を準備する段階と、前記基板の一表面に所定のパターンに応じて多数の突出部を互いに離隔した間隔で陽刻によって突設する切削チップ形成段階とを含む。
前記切削チップ形成段階は、エッチング法と併行する切削ホイール、エンドミル、フライス(milling cutter)、ドリル、タップおよびレーザー加工のいずれか一つの微細機械加工法、前記エッチング法、及び前記微細機械加工方法のうちいずれか一方法によって行われる。
したがって、エッチング法によって突出高さの一部が突出する場合には、前記一部が突出した突出部の残りの高さをいずれか一つの微細機械加工方法で形成する残り高さ形成段階をさらに含む。このようにエッチング法と微細機械加工方法を併行して切削チップ形成段階を行う場合には、エッチング法をまず使用した後、微細機械加工方法を使用することが好ましい。
表面の平坦度を確保するために、ラッピング工程を介して平坦度の公差を3mm±0.002mm以下に合わせられたSi3N4素材の基板を準備した。所定のパターンに応じて切削チップを形成させるために、研磨加工機を用いて微細加工を施した。この際、突出部のサイズを横縦長さ50μm、高さ50μmとし、突出部の個数を10000eaとして加工を施し、軟弱パッド用コンディショナーを製造した。
実施例1と同様の過程を行って突出部加工を施した基板のダイヤモンドコーティングのために突出部が突設された基板を、まず、ダイヤモンドの核生成および薄膜接着力の向上のために、前処理として超音波機器を用いて粒径1〜2μmのダイヤモンド粉末を入れて核生成が容易であるように処理した。その後、ダイヤモンド薄膜に対して気相合成方式としての熱フィラメント方法を用いて10時間ダイヤモンドを成長させ、CVDダイヤモンドコーティングコンディショナー(CVD Disk)を製造した。
実施例および比較例で得られた軟弱パッド用コンディショナー、CVDダイヤモンドコーティングコンディショナーおよび商用の電着コンディショナーに対して、Fujiboパッドおよび研磨粒子の含量が1%以下のplanarスラリーを用いるCu CMP工程を31時間行い、各コンディショナー別にPWRを測定した。その結果を図1に示す。
図1より、電着コンディショナーは15時間後にPWR50%に減少したが、CVDダイヤモンドコーティングコンディショナーと本発明の軟弱パッド用コンディショナーは30時間が超えるまでPWRが維持されていることが分かる。
実験例2
実験例1を行った後、各コンディショナーがコンディショニングしたFujiboパッドの表面写真をCMP工程の前(初期)と比較して順次拡大して観察した写真を図2に示した。
図2より、電着コンディショナーはソフトなFujiboパッドの表面を剥がすことが分かり、PWRが顕著に低下することを確認することができ、CVDダイヤモンドコーティングコンディショナーと本発明の軟弱パッド用コンディショナーが使用されたパッドの表面状態はほぼ類似することが分かる。
各コンディショナーの一定の部分でサンプルとしてダイヤモンド粒子および切削チップ100個を選定し、実験例1を行う前と後のサンプルの露出高さを測定した。その比較結果を表1に示す。
よって、本発明の軟弱パッド用コンディショナーが、Cu CMP工程を含んで、CMP工程で加わる荷重が3ポンド以下の工程および/またはスラリー研磨粒子の含量が1%以下の工程に使用される場合、既存のダイヤモンド層がコートされたCMPパッドコンディショナーと同等以上の性能を有することが分かる。
参考実験例
実施例および比較例で得られた軟弱パッド用コンディショナーとCVDダイヤモンドコーティングコンディショナーに対して、IC1010を用いたW2000 CMP工程を5時間10lbf荷重の下で行った後、CMP工程の前と後の各コンディショナーに形成された切削チップの高さを測定した。その結果を表2に示す。
以上、本発明について好適な実施例を挙げて図示および説明したが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではなく、 本発明の精神から逸脱することなく、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者によって様々な変形および修正が可能であろう。
Claims (12)
- 少なくとも一表面が平坦な表面を有する基板と、
前記表面の一部または全体に互いに離隔して突設された多数の切削チップとを含む、軟弱パッド用コンディショナー。 - 前記基板および多数の切削チップは、同一の材質であって、超硬材料、SiCまたはSi3N4を含むセラミック材料、並びにSiO2およびAl2O3の少なくとも一つを含む複合セラミック材料のいずれか一つであることを特徴とする、請求項1に記載の軟弱パッド用コンディショナー。
- 前記多数の切削チップは、その上端部が面、線または点からなることを特徴とする、請求項1に記載の軟弱パッド用コンディショナー。
- 前記多数の切削チップの上端部が基板の表面に平行な平面からなる場合、その全体的な形状が円柱、多角柱、円錐台および角錐台の少なくとも一つであることを特徴とする、請求項3に記載の軟弱パッド用コンディショナー。
- 前記多数の切削チップは、全体的な形状、突出高さおよび離隔間隔の少なくとも一つが同一であることを特徴とする、請求項1に記載の軟弱パッド用コンディショナー。
- 前記軟弱パッド用コンディショナーは、Cu CMP工程を含んで、CMP工程で加わる荷重が3ポンド以下の工程およびスラリー研磨粒子の含量が1%以下の工程の少なくとも一つに用いられることを特徴とする、請求項1に記載の軟弱パッド用コンディショナー。
- 請求項1〜6のいずれか1項の軟弱パッド用コンディショナーの製造方法であって、
切削チップの突出高さを超える厚さを持つ基板を準備する段階と、
前記基板の一表面に所定のパターンに応じて多数の突出部を互いに離隔した間隔で陽刻によって突設する切削チップ形成段階とを含む、軟弱パッド用コンディショナーの製造方法。 - 前記切削チップ形成段階で突設される多数の突出部は、その上端部が面、線または点からなることを特徴とする、請求項7に記載の軟弱パッド用コンディショナーの製造方法。
- 前記切削チップ形成段階は、エッチング法と併行する切削ホイール、エンドミル、フライス(milling cutter)、ドリル、タップおよびレーザー加工のいずれか一つの微細機械加工法、前記エッチング法、及び前記微細機械加工方法のうちいずれか一方法によって行われることを特徴とする、請求項7に記載の軟弱パッド用コンディショナーの製造方法。
- 前記エッチング法は、前記多数の突出部が突設される基板表面部分をフォトリソグラフィー(photo lithography)した後、エッチングによって、離隔した間隔をおいて突出部をなす突出高さの一部または全部を突出させる段階を含むが、突出高さの一部が突出する場合、前記一部が突出した突出部の残りの高さを前記いずれか一つの微細機械加工方法によって形成する残り高さ形成段階をさらに含むことを特徴とする、請求項9に記載の軟弱パッド用コンディショナーの製造方法。
- 前記突出高さの一部が突出する場合、前記エッチングによって突出する突出部の突出高さは総突出高さの1〜50%であることを特徴とする、請求項10に記載の軟弱パッド用コンディショナーの製造方法。
- 前記切削チップ形成段階の前に、前記基板の一表面が精密研削加工およびラッピング加工される段階をさらに含むことを特徴とする、請求項7に記載の軟弱パッド用コンディショナーの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2011-0019803 | 2011-03-07 | ||
KR1020110019803A KR101211138B1 (ko) | 2011-03-07 | 2011-03-07 | 연약패드용 컨디셔너 및 그 제조방법 |
PCT/KR2012/001673 WO2012121548A2 (ko) | 2011-03-07 | 2012-03-07 | 연약패드용 컨디셔너 및 그 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014507813A true JP2014507813A (ja) | 2014-03-27 |
Family
ID=46798654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013557647A Pending JP2014507813A (ja) | 2011-03-07 | 2012-03-07 | 軟弱パッド用コンディショナーおよびその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130344779A1 (ja) |
JP (1) | JP2014507813A (ja) |
KR (1) | KR101211138B1 (ja) |
CN (1) | CN103403844A (ja) |
DE (1) | DE112012000724B4 (ja) |
WO (1) | WO2012121548A2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101161015B1 (ko) * | 2010-09-10 | 2012-07-02 | 신한다이아몬드공업 주식회사 | Cmp 패드 컨디셔너 및 그 제조방법 |
WO2015143278A1 (en) * | 2014-03-21 | 2015-09-24 | Entegris, Inc. | Chemical mechanical planarization pad conditioner with elongated cutting edges |
JP2018032745A (ja) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | 東芝メモリ株式会社 | ドレッサー、ドレッサーの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10138120A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-26 | Kyocera Corp | ドレッシング用治具 |
JPH10286756A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-10-27 | Toshiba Corp | 研磨パッドのドレッシング方法、ポリッシング装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2001345293A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Ebara Corp | 化学機械研磨方法及び化学機械研磨装置 |
JP2003117822A (ja) * | 2001-10-05 | 2003-04-23 | Mitsubishi Materials Corp | Cmpコンディショナ及びその製造方法 |
JP2004291129A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Mitsubishi Materials Corp | 軟質材加工用工具 |
JP2004306257A (ja) * | 2004-07-30 | 2004-11-04 | Mitsubishi Materials Corp | Cmpコンディショナ |
JP2007044824A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Soken:Kk | 半導体平坦化cmpプロセス(化学機械的研磨)におけるcmpパッドコンディショナー。 |
JP2008006507A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-01-17 | Ebara Corp | ダイヤモンド研磨工具、ダイヤモンド研磨工具の作成方法、ダイヤモンド研磨工具の再生方法 |
US20080254722A1 (en) * | 2007-04-11 | 2008-10-16 | Applied Materials, Inc. | Pad conditioner |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1052062A1 (en) * | 1999-05-03 | 2000-11-15 | Applied Materials, Inc. | Pré-conditioning fixed abrasive articles |
TW467802B (en) * | 1999-10-12 | 2001-12-11 | Hunatech Co Ltd | Conditioner for polishing pad and method for manufacturing the same |
KR100387954B1 (ko) * | 1999-10-12 | 2003-06-19 | (주) 휴네텍 | 연마패드용 컨디셔너와 이의 제조방법 |
US20030109204A1 (en) * | 2001-12-06 | 2003-06-12 | Kinik Company | Fixed abrasive CMP pad dresser and associated methods |
US6821309B2 (en) * | 2002-02-22 | 2004-11-23 | University Of Florida | Chemical-mechanical polishing slurry for polishing of copper or silver films |
US6852016B2 (en) * | 2002-09-18 | 2005-02-08 | Micron Technology, Inc. | End effectors and methods for manufacturing end effectors with contact elements to condition polishing pads used in polishing micro-device workpieces |
US20050227590A1 (en) * | 2004-04-09 | 2005-10-13 | Chien-Min Sung | Fixed abrasive tools and associated methods |
KR100636793B1 (ko) * | 2004-12-13 | 2006-10-23 | 이화다이아몬드공업 주식회사 | Cmp 패드용 컨디셔너 |
US20090061743A1 (en) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Stephen Jew | Method of soft pad preparation to reduce removal rate ramp-up effect and to stabilize defect rate |
WO2009064345A2 (en) * | 2007-11-14 | 2009-05-22 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | A chemical mechanical planarization pad conditioner and methods of forming thereof |
KR100887979B1 (ko) | 2008-03-28 | 2009-03-09 | 주식회사 세라코리 | 연마패드용 컨디셔닝 디스크 |
KR101091030B1 (ko) * | 2010-04-08 | 2011-12-09 | 이화다이아몬드공업 주식회사 | 감소된 마찰력을 갖는 패드 컨디셔너 제조방법 |
-
2011
- 2011-03-07 KR KR1020110019803A patent/KR101211138B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-03-07 DE DE112012000724.7T patent/DE112012000724B4/de active Active
- 2012-03-07 CN CN2012800117654A patent/CN103403844A/zh active Pending
- 2012-03-07 US US14/003,493 patent/US20130344779A1/en not_active Abandoned
- 2012-03-07 JP JP2013557647A patent/JP2014507813A/ja active Pending
- 2012-03-07 WO PCT/KR2012/001673 patent/WO2012121548A2/ko active Application Filing
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10138120A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-26 | Kyocera Corp | ドレッシング用治具 |
JPH10286756A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-10-27 | Toshiba Corp | 研磨パッドのドレッシング方法、ポリッシング装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2001345293A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Ebara Corp | 化学機械研磨方法及び化学機械研磨装置 |
JP2003117822A (ja) * | 2001-10-05 | 2003-04-23 | Mitsubishi Materials Corp | Cmpコンディショナ及びその製造方法 |
JP2004291129A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Mitsubishi Materials Corp | 軟質材加工用工具 |
JP2004306257A (ja) * | 2004-07-30 | 2004-11-04 | Mitsubishi Materials Corp | Cmpコンディショナ |
JP2007044824A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Soken:Kk | 半導体平坦化cmpプロセス(化学機械的研磨)におけるcmpパッドコンディショナー。 |
JP2008006507A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-01-17 | Ebara Corp | ダイヤモンド研磨工具、ダイヤモンド研磨工具の作成方法、ダイヤモンド研磨工具の再生方法 |
US20080254722A1 (en) * | 2007-04-11 | 2008-10-16 | Applied Materials, Inc. | Pad conditioner |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130344779A1 (en) | 2013-12-26 |
WO2012121548A3 (ko) | 2012-12-27 |
DE112012000724T5 (de) | 2013-11-21 |
WO2012121548A2 (ko) | 2012-09-13 |
KR20120101783A (ko) | 2012-09-17 |
DE112012000724B4 (de) | 2022-03-31 |
CN103403844A (zh) | 2013-11-20 |
KR101211138B1 (ko) | 2012-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI356449B (en) | Cmp pad conditioners and associated methods | |
JP5843120B2 (ja) | Cmpパッドコンディショナー | |
KR101091030B1 (ko) | 감소된 마찰력을 갖는 패드 컨디셔너 제조방법 | |
JP5539339B2 (ja) | 高気孔率ビトリファイド超砥粒製品および製造方法 | |
US20190091832A1 (en) | Composite conditioner and associated methods | |
JP6260802B2 (ja) | Cmpパッドコンディショナーの製造方法 | |
KR20100106328A (ko) | Cmp 패드 드레서 | |
JP7191153B2 (ja) | ダイヤモンド粒子を含む反応結合型炭化ケイ素を有するセラミック基板 | |
JP2014507813A (ja) | 軟弱パッド用コンディショナーおよびその製造方法 | |
KR100887979B1 (ko) | 연마패드용 컨디셔닝 디스크 | |
JP2007268666A (ja) | Cmpパッドコンディショナー | |
US20170216994A1 (en) | Chemical mechanical polishing conditioner and fabrication method thereof | |
CN103367242B (zh) | 组合式修整器及其制造方法与化学机械抛光方法 | |
JP2009136926A (ja) | コンディショナおよびコンディショニング方法 | |
TWI589405B (zh) | A superabrasive grain wheel using a ceramic bonding agent, and a method of manufacturing a wafer using the same | |
JP3801551B2 (ja) | Cmpパッドコンディショナー | |
JP2010069612A (ja) | 半導体研磨布用コンディショナー、半導体研磨布用コンディショナーの製造方法及び半導体研磨装置 | |
JP2010173016A (ja) | 半導体研磨布用コンディショナー、半導体研磨布用コンディショナーの製造方法及び半導体研磨装置 | |
JP2010135707A (ja) | 半導体研磨布用コンディショナー、半導体研磨布用コンディショナーの製造方法及び半導体研磨装置 | |
TW201131630A (en) | Method for producing a semiconductor wafer | |
TWI492291B (zh) | 化學機械研磨修整器及其製造方法 | |
JP2010125589A (ja) | 半導体研磨布用コンディショナー及びその製造方法 | |
JP2003175465A (ja) | ダイヤモンドコーティング切削工具 | |
JP2010125586A (ja) | 半導体研磨布用コンディショナー及びその製造方法 | |
CN116619246B (zh) | 一种具有金刚石柱状晶簇的cmp抛光垫修整器及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130905 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140214 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140813 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140902 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20141202 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20141225 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20141225 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150227 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150908 |