JP2007044824A - 半導体平坦化cmpプロセス(化学機械的研磨)におけるcmpパッドコンディショナー。 - Google Patents
半導体平坦化cmpプロセス(化学機械的研磨)におけるcmpパッドコンディショナー。 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007044824A JP2007044824A JP2005232525A JP2005232525A JP2007044824A JP 2007044824 A JP2007044824 A JP 2007044824A JP 2005232525 A JP2005232525 A JP 2005232525A JP 2005232525 A JP2005232525 A JP 2005232525A JP 2007044824 A JP2007044824 A JP 2007044824A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cmp
- conditioner
- pad
- semiconductor
- chemical mechanical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】磨耗等を少なくでき、研磨パッドの平坦度ならびに面粗さを維持できるCMPパッドコンディショナーの提供。
【解決手段】CMPパッドコンディショナーは、人為的に加工によって形成された突起状切刃によって行われ、その個々の突起状切刃の切刃高さが任意に設定でき、またCMPスラリーに対して耐久性のある物質、例えば炭化珪素(SiC)、ダイヤモンドライクカーボン、サファイア、アルミナ、TiO2、安定化ジルコニア、ZrN、ZrC、WC、WC−Co、TiC、TiAlN、Tin−Ni、LiNbO3、NbC、LiTaO3、TaCあるいはHfCに被覆された突起状切刃である。
【選択図】 図1
【解決手段】CMPパッドコンディショナーは、人為的に加工によって形成された突起状切刃によって行われ、その個々の突起状切刃の切刃高さが任意に設定でき、またCMPスラリーに対して耐久性のある物質、例えば炭化珪素(SiC)、ダイヤモンドライクカーボン、サファイア、アルミナ、TiO2、安定化ジルコニア、ZrN、ZrC、WC、WC−Co、TiC、TiAlN、Tin−Ni、LiNbO3、NbC、LiTaO3、TaCあるいはHfCに被覆された突起状切刃である。
【選択図】 図1
Description
本発明は半導体平坦化CMPプロセス(化学機械的研磨)におけるCMPパッドコンディショナー、特に、化学機械的研磨(CMP)装置に用いるCMPパッドのコンディショナーに関するものである。
コンピュータのCPU能力向上の為には回路の集積度を上げる必要があり、これを実現する為に配線の多層化が行なわれているが、この時,シリコン基板上の各層間絶縁膜を平坦化するCMP(Chemical Mechanical Polishing)加工技術がキーテクノロジーとなる。半導体デバイスの多層配線化プロセスにおいては、半導体ウェハ表面の凹凸を極力平坦化することが重要であり、この半導体ウェハ表面の平坦化装置として化学的エッチングと研磨剤による機械的研磨とを組み合わせた研磨加工を行うCMP装置がある。
図4は従来のCMP装置のコンセプトの一例を示す。1は回転自在な直径300mmの円板状の定盤、2は上記定盤1の略全面に設けたCMP研磨パッド、3は上記定盤1の回転中心軸に対して偏心した位置に設けた円板状の半導体ウェハ、4は上記半導体ウェハ3を保持し、上記半導体ウェハ3を上記研磨パッド2に押圧せしめる回転自在の半導体ウェハ押圧具、5は上記研磨パッド2上にコロイダルシリカ系、ヒュームドシリカ系、セリア系またはアルミナ系などのCMPスラリーを供給するCMPスラリー供給部、6は上記研磨パッド2の表面を再研磨または再研削(コンディショニング)するため上記半導体ウェハ3とは異なる位置で上記研磨パッド2上に載置した回転自在のCMPパッドコンディショナーを示す。
上記研磨パッド2は一般に大別して発泡ウレタンを基材としたパッドと無発泡のウレタンを基材としたパッドが使用されている。前者の発泡ウレタンを基材とする研磨パッドは弾力性があり後者の無発泡のウレタンを基材とするものに比べ平坦性が劣るという報告もある。発泡性ウレタン研磨パッドのCMPパッドコンディショナーにはブラシ状の繊維を埋めこんだもの、あるいはダイヤモンド砥粒をメタルボンドした砥石状のCMPパッドコンディショナーが使用される。一方、無発泡ウレタンの基材を用いたCMPパッドコンディショナーにはダイヤモンド砥粒をメタルボンドした砥石状のCMPパッドコンディショナーが用いられる。
上記砥石状のCMPパッドコンディショナー6は図4及び図5に示すように、円板状の金属製台金7と、この台金7の下面に設けた粒径50μm〜200μmのダイヤモンド砥粒8と、上記ダイヤモンド砥粒8を保持するための上記金属製台金7の下面あるいは台金表面全体を被覆するNiメッキボンド層等のボンド層9とよりなる。
上記のような従来のCMP装置においては、上記CMP研磨パッド2上にCMPスラリーを供給し、上記定盤1と上記半導体ウェハ押圧具4とを相対的に回転せしめて、上記半導体ウェハ押圧具4により上記半導体ウェハ3を上記CMP研磨パッド2上に押圧せしめれば、上記半導体ウェハ3の表面が研磨される。また、上記CMPパッドコンディショナー6を常時又は定期的に回転せしめれば、上記研磨パッド2の平坦度を維持、修復し、また目詰まりを防止せしめ、またCMP研磨パッド表面の面粗さを維持することによりCMPスラリーの研磨特性を維持、回復せしめることができる。
また、上記CMPパッドコンディショナー6におけるボンド層9により上記台金7を被覆しているので、上記CMPスラリーにより台金が溶出することがなく、ダイヤモンド砥粒8の脱落を防止できる。このようなCMP装置は特許文献1に記載されている。
特開2001−239449号
しかしながら、上記従来のCMP装置においては、ある程度CMP研磨パッド2のコンディショニングを続ければ、CMPパッドコンディショナー上の砥粒の切刃が研磨、磨滅、平坦化され、切れ味が鈍ることにより上記CMP研磨パッド2の平坦度の修復が遅くなる。またダイヤモンド砥粒8等がCMPパッドコンディショナー6のボンド層9から脱落、欠損し、脱落したダイヤモンド砥粒8等がCMP研磨パッド2の表面に落下、固定され、あるいは転動してウェハ表面に傷をつけてしまうという欠点があった。
また、各ダイヤモンド砥粒のボンド層表面からの突出量が夫々異なり、また、上記ダイヤモンド砥粒の切り込み部先端の傾斜が夫々異なるので、研磨パッドを均一に研磨することができなかった。
本発明者は種々実験研究の結果、ダイヤモンド砥粒はコロイダルシリカ系、ヒュームドシリカ系、セリア系またはアルミナ系などのCMPスラリーにより磨耗、磨滅、変質すること、また、この磨耗等により砥粒にかかる力が増大しダイヤモンド砥粒が脱落、欠損することを見出した。また同時にCMPコンディショナーの加工が従来の砥粒のエッジによるものでなく人為的に加工によって形成された切刃によって行われ、その切刃がCMPスラリーに対して耐久性のある物質、例えば炭化珪素(SiC)、ダイヤモンドライクカーボン、サファイア、アルミナ、TiO2、安定化ジルコニア、ZrN、ZrC、WC、WC−Co、TiC、TiAlN、Tin−Ni、LiNbO3、NbC、LiTaO3、TaCあるいはHfCなどの物質に被覆された切刃であれば磨耗等を少なくでき、研磨パッドの平坦度ならびに面粗さを維持できることを見出した。また、安価な材質に、CMPスラリーに対して耐久性のある物質を被膜すれば、安価で高品質のCMPコンディショナーを提供できることを見出した。本発明はかかる知見をもとになされたものである。
本発明の半導体平坦化CMPプロセス(化学機械的研磨)におけるCMPパッドコンディショナーは、半導体平坦化CMPプロセスに用いるCMPパッド研磨研削用のCMPコンディショナーで、CMPスラリーに対して耐久性を持つ物質からなる台と、上記台上に形成せしめた同一材料の複数の突起状切刃を持つことを特徴とする。
上記CMPスラリーに対して耐久性を持つ物質が、ダイヤモンドよりCMPスラリーに対して耐久性を持つ物質であることを特徴とする。
この時、パッド研磨研削用台ならびに突起状切刃の材質は炭化珪素(SiC)、ダイヤモンドライクカーボン、サファイア、アルミナ、安定化ジルコニアが好適である。
本発明の半導体平坦化CMPプロセス(化学機械的研磨)におけるCMPパッドコンディショナーは、半導体平坦化CMPプロセスに用いるCMPパッド研磨研削用のCMPコンディショナーで、CMPパッド研磨研削用台と、上記台上に形成せしめた複数の突起状切刃と、少なくとも上記切刃表面にCMPスラリーに対して耐久性を持つ物質を被覆せしめたことを特徴とする。
この時、パッド研磨研削用台ならびに突起状切刃の材質は、焼入鋼、ステンレス鋼、超硬合金、セラミック、硬質樹脂などであり、被覆せしめる物質は炭化珪素(SiC)、ダイヤモンドライクカーボン、サファイア、アルミナ、TiO2、安定化ジルコニア、ZrN、ZrC、WC、WC−Co、TiC、TiAlN、Tin−Ni、LiNbO3、NbC、LiTaO3、TaCあるいはHfCなどである。
上記突起状切刃あるいはCMPコンディショナー表面全体または表面の少なくとも一部に被覆した物質の膜厚が10nm〜900μmであることを特徴とする。
上記突起状切刃の形状が角錐形又は円錐形であり、突起高さが1mm以下であることを特徴とする。
上記突起状切刃の大きさが、角錐形の切刃底辺又は上記円錐形切刃の直径が10μm〜900μmであることを特徴とする。
上記ダイヤモンドよりCMPスラリーに対して耐久性を持つ物質が炭化珪素(SiC)、ダイヤモンドライクカーボン、サファイア、アルミナ、TiO2、安定化ジルコニア、ZrN、ZrC、WC、WC−Co、TiC、TiAlN、Tin−Ni、LiNbO3、NbC、LiTaO3、TaCあるいはHfCであることを特徴とする。
上記CMPスラリーに対して耐久性を持つ物質が、炭化珪素(SiC)、ダイヤモンドライクカーボン、サファイア、アルミナ、TiO2、安定化ジルコニア、ZrN、ZrC、WC、WC−Co、TiC、TiAlN、Tin−Ni、LiNbO3、NbC、LiTaO3、TaCあるいはHfCであることを特徴とする。
本発明の半導体平坦化CMPプロセス(化学機械的研磨)におけるCMPパッドコンディショナーによれば、砥粒と異なり、切刃の磨耗、磨滅、変質、欠損を防止できるので、長時間研磨パッドのコンディショニングを行うことができ、CMPパッドコンディショナーの交換の手間やCMP装置のダウンタイムならびにロス時間を減らすことができ、半導体ウェハ表面に傷が付くのを防止することができるという大きな利点がある。また安価で高品質のCMPコンディショナーを提供できる。
以下図面によって本発明の実施例を説明する。
本発明のCMP装置用のパッドコンディショナー6においては、図1及び図2に示すように、ダイヤモンド砥粒とボンド層を用いず、ダイヤモンドよりCMPスラリーに対して耐磨耗性、耐磨滅性、耐変質性等の耐久性を持つ化学的に安定した結晶構造を持つ、例えば炭化珪素(SiC)、ダイヤモンドライクカーボン、サファイア、アルミナ、安定化ジルコニアなどの物質よりなる円板状の台金10を用い、あるいは、CMPスラリーに対して耐久性を持つ、例えば、炭化珪素(SiC)、ダイヤモンドライクカーボン、サファイア、アルミナ、TiO2、安定化ジルコニア、ZrN、ZrC、WC、WC−Co、TiC、TiAlN、Tin−Ni、LiNbO3、NbC、LiTaO3、TaCあるいはHfCなどの物質よりなる円板状の台金10を用い、上記台金10上に精密切削加工、研削加工または金型等を用いて例えば底辺120μm、高さ100μmの四角錐状の複数の突起状切刃11を120μm間隔を開けて形成せしめる。
本発明によれば、上記切刃11はCMPスラリーに対して耐久性が優れているので、磨耗、磨滅、変質しづらく、長期間研磨パッドのコンディショニングを続けることができるという大きな利益がある。
また、安価な材質に、CMPスラリーに対して耐久性のある物質を被膜すれば、安価で高品質のCMPコンディショナーを提供できる
また、上記突起状切刃11の形状、突出高さを加工により人為的に可変することができるので、CMPパッドのコンディショニング後の面粗さを均一あるいは制御することができ、CMP加工品質を向上させ、半導体ウェハの品質を高めることができる。
なお、CMPスラリーをポリシャーとしてダイヤモンドを削ったところ、すぐ削ることができたが、サファイアを同じ量削るには2〜3時間かかり、また、SiCを同じ量削るには10〜20時間かかり、従って、CMPスラリーに対して耐久性のある物質としては特にSiCが好ましい。
また、上記CMPスラリーに対して耐久性を持つ物質よりなる円板状の台金10を用いる代わりに、焼入れしたSKD鋼やSKH鋼の台金あるいはSUS316ステンレス鋼(図示せず)を用い、上記台金上に精密切削加工等により例えば底辺120μm、高さ100μmの四角錐状の複数の切刃を120μm間隔を開けて形成せしめ、少なくとも上記突起状切刃表面にスパッタリングイオンプレーティング、真空蒸着又はCVD法等により、CMPスラリーに対して耐久性のある、例えば炭化珪素(SiC)、ダイヤモンドライクカーボン、サファイア、アルミナ、TiO2、安定化ジルコニア、ZrN、ZrC、WC、WC−Co、TiC、TiAlN、Tin−Ni、LiNbO3、NbC、LiTaO3、TaCあるいはHfCなどの物質を10nm〜900μm被覆せしめてもよい。
なお、被覆する上記CMPスラリーに対して耐久性のある物質は炭化珪素(SiC)、ダイヤモンドライクカーボン、サファイア、アルミナ、安定化ジルコニアなどのダイヤモンドよりCMPスラリーに対して耐久性のある物質であることが好ましい。
なお、上記台金は金属系の他に、樹脂系、粉末冶金系であってもよい。
また、上記各突起状切刃の間隔を互いに異ならしめてもよく、各突起状切刃の台金表面からの突出高さを異ならしめてもよく、上記突起状切刃の形状を三角錐、五角錐等の角錐状や、円錐、楕円錐等の円錐状などに類似した任意の形状としてもよい。なお、上記角錐状の切刃の底辺又は上記円錐状の切刃の直径(楕円の場合は長直径)は10μm〜900μmであることが好ましい。
また、図3に示すように、上記突起状切刃11の切り込み部先端を一方向に傾け、所望のすくい角、逃げ角となるように設定せしめてもよい。
1 定盤
2 CMP研磨パッド
3 半導体ウェハ
4 半導体ウェハ押圧具
5 CMPスラリー供給部
6 CMPパッドコンディショナー
7 金属製台金
8 砥粒
9 ボンド層
10 台金
11 突起状切刃
2 CMP研磨パッド
3 半導体ウェハ
4 半導体ウェハ押圧具
5 CMPスラリー供給部
6 CMPパッドコンディショナー
7 金属製台金
8 砥粒
9 ボンド層
10 台金
11 突起状切刃
Claims (8)
- 半導体平坦化CMPプロセスに用いるCMPパッド研磨研削用のCMPコンディショナーで、CMPスラリーに対して耐久性を持つ物質からなる台と、上記台上に形成せしめた同一材料の複数の突起状切刃を持つことを特徴とする半導体平坦化CMPプロセス(化学機械的研磨)におけるCMPパッドコンディショナー。
- 上記CMPスラリーに対して耐久性を持つ物質が、ダイヤモンドよりCMPスラリーに対して耐久性を持つ物質であることを特徴とする請求項1記載の半導体平坦化CMPプロセス(化学機械的研磨)におけるCMPパッドコンディショナー。
- 半導体平坦化CMPプロセスに用いるCMPパッド研磨研削用のCMPコンディショナーで、CMPパッド研磨研削用台と、上記台上に形成せしめた複数の突起状切刃と、少なくとも上記切刃表面にCMPスラリーに対して耐久性を持つ物質を被覆せしめたことを特徴とする半導体平坦化CMPプロセス(化学機械的研磨)におけるCMPパッドコンディショナー。
- 上記突起状切刃あるいはCMPコンディショナー表面全体または表面の少なくとも一部に被覆した物質の膜厚が10nm〜900μmであることを特徴とする請求項3記載の半導体平坦化CMPプロセス(化学機械的研磨)におけるCMPパッドコンディショナー。
- 上記突起状切刃の形状が角錐形又は円錐形であり、突起高さが1mm以下であることを特徴とする請求項1、2、3又は4記載の半導体平坦化CMPプロセス(化学機械的研磨)におけるCMPパッドコンディショナー。
- 上記突起状切刃の大きさが、角錐形の切刃底辺又は上記円錐形切刃の直径が10μm〜900μmであることを特徴とする請求項5記載の半導体平坦化CMPプロセス(化学機械的研磨)におけるCMPパッドコンディショナー。
- 上記ダイヤモンドよりCMPスラリーに対して耐久性を持つ物質が炭化珪素(SiC)、ダイヤモンドライクカーボン、サファイア、アルミナ、TiO2、安定化ジルコニア、ZrN、ZrC、WC、WC−Co、TiC、TiAlN、Tin−Ni、LiNbO3、NbC、LiTaO3、TaCあるいはHfCであることを特徴とする請求項1、2、3、4、5又は6記載の半導体平坦化CMPプロセス(化学機械的研磨)におけるCMPパッドコンディショナー。
- 上記CMPスラリーに対して耐久性を持つ物質が、炭化珪素(SiC)、ダイヤモンドライクカーボン、サファイア、アルミナ、TiO2、安定化ジルコニア、ZrN、ZrC、WC、WC−Co、TiC、TiAlN、Tin−Ni、LiNbO3、NbC、LiTaO3、TaCあるいはHfCであることを特徴とする請求項1、3、4、5、6又は7記載の半導体平坦化CMPプロセス(化学機械的研磨)におけるCMPパッドコンディショナー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005232525A JP2007044824A (ja) | 2005-08-10 | 2005-08-10 | 半導体平坦化cmpプロセス(化学機械的研磨)におけるcmpパッドコンディショナー。 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005232525A JP2007044824A (ja) | 2005-08-10 | 2005-08-10 | 半導体平坦化cmpプロセス(化学機械的研磨)におけるcmpパッドコンディショナー。 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007044824A true JP2007044824A (ja) | 2007-02-22 |
Family
ID=37848100
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005232525A Pending JP2007044824A (ja) | 2005-08-10 | 2005-08-10 | 半導体平坦化cmpプロセス(化学機械的研磨)におけるcmpパッドコンディショナー。 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007044824A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100881162B1 (ko) | 2008-03-28 | 2009-02-03 | 주식회사 세라코리 | 연마패드용 컨디셔닝 디스크의 제조방법 |
JP2010173883A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Mitsubishi Materials Corp | ダイヤモンド膜の選択的形成方法及びcmpパッドコンディショナー |
JP2010173882A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Mitsubishi Materials Corp | ダイヤモンド膜の選択的形成方法及びcmpパッドコンディショナー |
JP2013512788A (ja) * | 2009-12-02 | 2013-04-18 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 双対テーパ形状の成形研磨粒子 |
JP2014507813A (ja) * | 2011-03-07 | 2014-03-27 | エーワ ダイヤモンド インダストリアル カンパニー,リミテッド | 軟弱パッド用コンディショナーおよびその製造方法 |
KR101443459B1 (ko) | 2012-12-27 | 2014-09-19 | 주식회사 엘지실트론 | 니들 드레서 및 이를 포함하는 웨이퍼 양면 연마장치 |
TWI462799B (zh) * | 2011-10-11 | 2014-12-01 | Shinhan Diamond Ind Co Ltd | 化學機械研磨墊調節器及其製造方法 |
CN106181587A (zh) * | 2016-07-06 | 2016-12-07 | 西北工业大学 | 原位自生型TiB2颗粒增强铝基复合材料磨削加工方法 |
US9687961B2 (en) | 2014-12-17 | 2017-06-27 | Kinik Company | Grinding tool and method of manufacturing the same |
US9849558B2 (en) | 2015-02-20 | 2017-12-26 | Toshiba Memory Corporation | Polishing pad dresser, polishing apparatus and polishing pad dressing method |
CN112135709A (zh) * | 2018-05-17 | 2020-12-25 | 恩特格里斯公司 | 化学机械平坦化垫的修整器及其相关方法 |
-
2005
- 2005-08-10 JP JP2005232525A patent/JP2007044824A/ja active Pending
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100881162B1 (ko) | 2008-03-28 | 2009-02-03 | 주식회사 세라코리 | 연마패드용 컨디셔닝 디스크의 제조방법 |
JP2010173883A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Mitsubishi Materials Corp | ダイヤモンド膜の選択的形成方法及びcmpパッドコンディショナー |
JP2010173882A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Mitsubishi Materials Corp | ダイヤモンド膜の選択的形成方法及びcmpパッドコンディショナー |
JP2013512788A (ja) * | 2009-12-02 | 2013-04-18 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 双対テーパ形状の成形研磨粒子 |
US9447311B2 (en) | 2009-12-02 | 2016-09-20 | 3M Innovative Properties Company | Dual tapered shaped abrasive particles |
JP2014507813A (ja) * | 2011-03-07 | 2014-03-27 | エーワ ダイヤモンド インダストリアル カンパニー,リミテッド | 軟弱パッド用コンディショナーおよびその製造方法 |
TWI462799B (zh) * | 2011-10-11 | 2014-12-01 | Shinhan Diamond Ind Co Ltd | 化學機械研磨墊調節器及其製造方法 |
KR101443459B1 (ko) | 2012-12-27 | 2014-09-19 | 주식회사 엘지실트론 | 니들 드레서 및 이를 포함하는 웨이퍼 양면 연마장치 |
US9687961B2 (en) | 2014-12-17 | 2017-06-27 | Kinik Company | Grinding tool and method of manufacturing the same |
US9849558B2 (en) | 2015-02-20 | 2017-12-26 | Toshiba Memory Corporation | Polishing pad dresser, polishing apparatus and polishing pad dressing method |
CN106181587A (zh) * | 2016-07-06 | 2016-12-07 | 西北工业大学 | 原位自生型TiB2颗粒增强铝基复合材料磨削加工方法 |
CN112135709A (zh) * | 2018-05-17 | 2020-12-25 | 恩特格里斯公司 | 化学机械平坦化垫的修整器及其相关方法 |
JP2021524384A (ja) * | 2018-05-17 | 2021-09-13 | インテグリス・インコーポレーテッド | 化学機械平坦化パッド用コンディショナおよび関連する方法 |
JP7374126B2 (ja) | 2018-05-17 | 2023-11-06 | インテグリス・インコーポレーテッド | 化学機械平坦化パッド用コンディショナおよび関連する方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007044824A (ja) | 半導体平坦化cmpプロセス(化学機械的研磨)におけるcmpパッドコンディショナー。 | |
JP2007044823A (ja) | 半導体平坦化cmpプロセス(化学機械的研磨)におけるcmpパッドコンディショナー | |
US7658666B2 (en) | Superhard cutters and associated methods | |
US7901272B2 (en) | Methods of bonding superabrasive particles in an organic matrix | |
TW200837823A (en) | CMP pad conditioners and associated methods | |
EP2845221B1 (en) | Cmp conditioner pads with superabrasive grit enhancement | |
US20180222009A1 (en) | Cmp pad dresser having leveled tips and associated methods | |
US20190091832A1 (en) | Composite conditioner and associated methods | |
US20080292869A1 (en) | Methods of bonding superabrasive particles in an organic matrix | |
JP2008515238A (ja) | 成形したcmpパッドドレッサーおよび関連した方法 | |
US20100221988A1 (en) | Superhard Cutters and Associated Methods | |
US20040009742A1 (en) | Polishing pad conditioning disks for chemical mechanical polisher | |
US8920214B2 (en) | Dual dressing system for CMP pads and associated methods | |
WO2008063599A2 (en) | Superhard cutters and associated methods | |
WO2013012226A2 (ko) | Cmp 패드 컨디셔너 | |
JP2004001152A (ja) | ドレッサ、ドレッシング方法、研磨装置、及び研磨方法 | |
JP4749700B2 (ja) | 研磨クロス,ウェーハ研磨装置及びウェーハ製造方法 | |
JP4960395B2 (ja) | 研磨装置とそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
TWI383860B (zh) | Modular dresser | |
JP2006272543A (ja) | 軟質材加工用切削工具 | |
JP2000024934A (ja) | 鏡面加工用超砥粒砥石 | |
WO2004062851A1 (ja) | 軟質材加工用切削工具 | |
TW466150B (en) | Non-abrasive conditioning for polishing pads | |
JP2003285271A (ja) | ダイヤモンド工具 | |
WO2000024548A1 (fr) | Dispositif de polissage et procede de fabrication de semi-conducteurs au moyen dudit dispositif |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080811 |
|
A072 | Dismissal of procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A073 Effective date: 20090210 |