JP2014506394A - 波長分割多重通信−受動光ネットワークのための外部キャビティレーザおよびシステム - Google Patents

波長分割多重通信−受動光ネットワークのための外部キャビティレーザおよびシステム Download PDF

Info

Publication number
JP2014506394A
JP2014506394A JP2013543503A JP2013543503A JP2014506394A JP 2014506394 A JP2014506394 A JP 2014506394A JP 2013543503 A JP2013543503 A JP 2013543503A JP 2013543503 A JP2013543503 A JP 2013543503A JP 2014506394 A JP2014506394 A JP 2014506394A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gain medium
optical signal
frm
polarization direction
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013543503A
Other languages
English (en)
Inventor
▲華▼▲楓▼ 林
之光 徐
桂▲開▼ 彭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huawei Technologies Co Ltd
Original Assignee
Huawei Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huawei Technologies Co Ltd filed Critical Huawei Technologies Co Ltd
Publication of JP2014506394A publication Critical patent/JP2014506394A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14External cavity lasers
    • H01S5/141External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50Transmitters
    • H04B10/501Structural aspects
    • H04B10/503Laser transmitters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14External cavity lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q11/00Electrically-long antennas having dimensions more than twice the shortest operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14External cavity lasers
    • H01S5/146External cavity lasers using a fiber as external cavity
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/50Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/5036Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30 the arrangement being polarisation-selective
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/25Arrangements specific to fibre transmission
    • H04B10/2587Arrangements specific to fibre transmission using a single light source for multiple stations
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/27Arrangements for networking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00Functional characteristics
    • H01S2301/14Semiconductor lasers with special structural design for lasing in a specific polarisation mode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/065Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
    • H01S5/0656Seeding, i.e. an additional light input is provided for controlling the laser modes, for example by back-reflecting light from an external optical component
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4012Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4087Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04JMULTIPLEX COMMUNICATION
    • H04J14/00Optical multiplex systems
    • H04J14/02Wavelength-division multiplex systems
    • H04J14/0278WDM optical network architectures
    • H04J14/0282WDM tree architectures

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本発明の実施形態は、外部キャビティレーザ(ECL)について開示し、波長分割多重通信-受動光ネットワーク(WDM−PON)の分野に関し、偏光依存性に起因する、不安定なECLの出力光のパワーの問題を効果的に解決する。前記ECLは、ゲイン媒体と、フィルタと、ファラデー回転鏡(FRM)を具備する。前記ゲイン媒体と、前記フィルタと、前記ファラデー回転鏡とは発振キャビティを構成し、前記ゲイン媒体によって放射された光は、発振キャビティ内で往復して発振する。

Description

本出願は、発明の名称を“EXTERNAL CAVITY LASER AND SYSTEM FOR WAVE DIVISION MULTIPLEXING-PASSIVE OPTICAL NETWORK”として2010年12月14日に中国特許庁に出願された、中国特許出願第201010588118.2号の優先権を主張するものであり、これによりその全体が、参照として組み込まれる。
本発明は、光ファイバアクセス技術の分野に関し、特に外部キャビティレーザ(External Cavity Laser)および波長分割多重通信-受動光ネットワーク(Wave Division Multiplexing-Passive Optical Network,WDM−PON)のためのシステムに関する。
現在、光ファイバアクセスネットワークのための多くの解決策において、WDM−PON技術は、より大きな帯域幅の容量と、情報セキュリティを保証するポイント・ツー・ポイント方式と同じような通信方式とのようなその利点に起因して大きな関心が寄せられている。しかし、WDM−PONのコストはより高く、レーザは、WDM−PONのコストに影響する最も重要な要因である。
前記WDM−PONシステムにおいて、コストが高いという問題を解決するために、低コストのレーザのための解決策が提案される必要がある。図1は、先行技術におけるセルフ・シーディング(self-seeding)無色ECLを採用するWDM−PONの模式的な構造図を示す。
波長λ1のチャネルを例に挙げると、ユーザ側で光ネットワークユニット(Optical Network Unit,ONU)の注入同期型Fabry−Parotレーザダイオード(IL FP−LD)によって放射される(emitted)光信号は波長λ1に対応する分岐(branch)光ファイバによって送信され、そして遠隔ノードアレイ導波路回折格子(Remote Node Array Waveguide Grating、RN−AWG)を通過する。次に、部分反射鏡(PRM2)を介して、光の一部が基幹光ファイバを介して中央局(Central Office,CO)の光回線終端装置(Optical Line Terminal,OLT)に上向きに伝送および送信され、かつ光の残りの部分は再反射して再びRN−AWGを通過し、かつ波長λ1に対応する分岐光ファイバを介してIL FP−LDへ再注入される。IL FPLDのゲインキャビティは反射光を再増幅(re-amplify)し、その後光を放射する。前記処理はこの方法で何回も繰り返され、その結果、光ファイバレーザキャビティはIL FPLDとPRM2との間で形成され、安定した光信号が出力される。同時に、前記IL FPLDは、変調(modulation)機能も有し、それによりONUのアップリンクデータは、発振によって生成された光信号へ変調されてもよく、かつ光信号の少なくとも一部は、OLTにおける波長λ1に対応する受信器(Rx)に進入するためにPRM2と、PRM1と、アレイ導波路回折格子(Central Office Array Waveguide Grating,CO−AWG)とを介して伝送される。
前記WDM−PONシステムにおいて、IL FP−LDは単一偏光多縦モード発振半導体レーザ(single polarization multi-longitudinal mode laser)であり、異なる偏光方向の入力光に対して異なるゲインを提供する。PRM2によって再反射された光はランダムな偏光方向を有する分岐光ファイバを介して伝送される。PRM2によって反射された戻った光はランダムな偏光方向を有する分岐光ファイバを介して伝送される。従って、従来のWDM−PONシステムで採用されたIL FP−LDは、IL FP−LDへ注入された後、反射光が安定したゲインを取得することを保証することはできず、その結果IL FP−LDの出力光のパワーが不安定で、かつ温度、風、および地盤振動のような環境要因に起因する光ファイバの小さな振動は、全てIL FP−LDの出力光のパワーの劇的な変化という結果となる。従って、先行技術は、ECLの偏光依存性についての問題を解決することはできない。
本発明の態様は、偏光依存性に起因する従来のレーザの不安定な出力光のパワーの問題を解決するためのECLとWDM−PONシステムとを提供する。
ECLはゲイン媒体と、フィルタとを含み、さらにファラデー回転鏡(Faraday rotator mirror,FRM)を含む。ゲイン媒体、フィルタおよびFRMはレーザ発振キャビティを構成し、ゲイン媒体によって放射された光は発振キャビティ内において往復して発振する。
受動光ネットワーク(PON)システムはOLTおよび複数のONUを含む。OLTは波長分割多重通信(WDM)方式で多数のONUと通信する。OLTはデータ変調/伝送機能を提供するように構成されたECLを含み、ECLは前述のECLである。
本発明の態様において提供されるECLおよびWDM−PONシステムの使用によって、FRMはECLの反射の最後に導入され、その結果ゲイン媒体へ注入される反射光の偏光方向は制御可能である。従って、偏光依存性に起因する従来のECLの不安定な出力光のパワーの問題は、効果的に解決される。
本発明の実施形態または先行技術における技術的解決策をより明確に説明するため、先行技術または実施形態の図面を添付し、以下に簡潔に導入される。明らかに、以下の説明における添付の図面は、本発明の単なるいくつかの実施形態であり、当業者であれば、創造的な努力なしに添付の図面に基づいて他の図面を得ることもできる。
図1は先行技術におけるセルフ・シーディング無色ECLを採用したWDM−PONの図である。 図2は、本発明の一実施形態に従ったECLの構造図である。 図3は、本発明の一実施形態に従ったECLの作動原理図である。 図4は、本発明の一実施形態に従った別のECLの構造図である。 図5は、本発明の一実施形態に従った別のECLの構造図である。 図6は、本発明の一実施形態に従ったWDM−PONシステムの概略構造図である。 図7は、本発明の一実施形態に従った別のWDM−PONシステムの概略構造図である。 図8は、本発明の一実施形態に従った別のWDM−PONシステムの概略構造図である。
本発明の実施形態における技術的解決策は、添付の図面を参照して、以下に明確に、かつ完全に説明される。明らかに、これから説明される実施形態は、本発明の実施形態の全てではなく、ほんの一部である。本発明の一実施形態に基づいて、創造的な努力なしに当業者が獲得した他の全ての実施形態は、本発明の保護範囲内に入るべきである。
最初に、本発明の一実施形態において提供されるECLは、図2に示す通り、ゲイン媒体1と、フィルタ2と、FRM3と、前述の構成要素を接続する光ファイバとを含む。FRM3は、45°回転鏡であってもよく、フィルタ2と、ECLの出力端(図示せず)との間の光ファイバに結合され、45×2度で光ファイバを介して入射された光信号の少なくとも一部の偏光方向を回転し、かつ光ファイバへ戻って反射してもよい。さらに、特定の実施形態において、FRM3はファラデー回転子(FR)とPRMとを含んでもよい。FRは45°FRで、45度で光の偏光方向を回転してもよい。その結果、入射光がFRM3に進入する処理において、入射光はFRを2回通過する必要があり、入射光の一部は反射光を生成するためにFRM3の内部でPRMによって反射され、反射光はFRM3の外へ発光される。したがって、反射光の偏光方向は、入射光の偏光方向から90度ずれる、すなわち、反射光の偏光方向は、入射光の偏光方向に対して直角である。ゲイン媒体1と、フィルタ2と、FRM3とは、光ファイバを介してレーザ発振キャビティを構成する。フィルタ2は、レーザ発振キャビティ内で波長(モード)選択機能を実行し、ゲイン媒体1によって発光された光はレーザ光を形成するように発振キャビティにおいて往復して発振する。
適用中、ゲイン媒体1によって発行された光は、自己注入ECLを形成するようにレーザ発振キャビティ内で往復して発振する。説明の容易化のため、ゲイン媒体1のTM(Transverse Magnetic)モードのゲインはGTMとして示され、ゲイン媒体1のTE(Transverse Electric)モードのゲインはGTEとして示され、ゲイン媒体1から45°FRMへの単一リンクの損失はLとして示される。ここで、単一リンク損失Lはゲイン媒体1と光ファイバとの間の結合損失と、フィルタ2に起因する光損失と、光ファイバ伝送損失と、FRM3におけるFRとPRMとに起因する光損失とを含む。
図3に示すように、本実施形態におけるECLの機能および原理は以下の通りである。
最初に、ゲイン媒体1はASE(Amplified Spontaneous Emission)光信号を発光し、ASE光信号の偏光方向は、ゲイン媒体1のTE方向、例えば、図3に示すような放射1の偏光方向(すなわち、第1放射光)と同一である。光信号がフィルタ2によってフィルタされた後、フィルタ2の通過帯域に適合する光だけがフィルタ2を通過することができ、通過帯域外の光は減衰する。フィルタ2を通過した光信号は、さらに光ファイバを介してFRM3へ伝送される。光の一部はFRM3の反射鏡を介した出力であり、光の他の部分はFRM3の反射鏡によって反射して戻る。反射の前後で、45°FRを往復して通過する。反射光はゲイン媒体1に戻って再注入される。この処理において、光信号は2回のリンク伝送損失を受け、合計損失は2Lである。
本実施形態において、FRM3は45°FRMであり、光信号を反射する前後でFRM3内部の45°FRを使用して、45度で2回、光信号の偏光方向を回転させてもよい。その結果、反射光の偏光方向は入射光の偏光方向に対して直角である。45°FRMの反射特性に従って、反射光がゲイン媒体1に戻ってくると、反射光の偏光方向はステップaにおける第1放射光の偏光法と直角である。従って、反射光がゲイン媒体1へ戻って注入されたとき、反射光の偏光方向はゲイン媒体のTMモード方向、例えば、図3で示される注入1(すなわち、第1の偏光方向)と同一である。さらに、それに対応して、ゲイン媒体1の内部の第1注入光によって取得されるゲインはGTMである。ゲイン媒体1へ注入された後、第1注入光は、ゲイン媒体1の後端面に到達するためにGTMのゲインによって増幅され、かつゲイン媒体1の後端面によって反射して戻り、第2放射光(すなわち、図3における放射2)を形成するために再度増幅後、放射される。本処理において、反射光の偏光方向は、ゲイン媒体1の内部で一定のままであり、従って、第2放射光の偏光方向は第1注入光の偏光方向と一致することに留意すべきである。さらに、第1注入光がゲイン媒体1の内部を往復する処理において、第1注入光はTM方向において2回ゲインを取得し、従って合計ゲインは2GTMとなる。
さらに、第2放射光が発振キャビティにおいて前後に伝送された後(リンク伝送損失もまた2Lである)、光の一部がFRM3によって再反射され、第2注入光、すなわち図3に示す注入2を形成するためにゲイン媒体1へ再注入される。同様に、第2注入光の偏光方向は、第2放射光の偏光方向に対して直角であり、従って、第2注入光の偏光方向は、第1放射光の偏光方向と同じ、すなわち、ゲイン媒体1のTEモード方向と同じであることが知ることができる。したがって、ゲイン媒体1内の第2注入光によって取得されるゲインはGTEである。さらに、第2注入光の偏光方向は、ゲイン媒体1内で一定のままであり、第2注入光は、ゲイン媒体1を2回通過することによって、2回TE増幅を受けた後、第3放射光、すなわち図3で示す放射3が形成され、放射される。第3放射光の偏光方向は完全に放射1の偏光方向と一致する。この処理において、第2注入光はゲイン媒体1内を往復し、2回TE方向のゲインを取得する。従って、合計の取得ゲインは2GTMである。
上述したECLの作動処理から、第1放射光を放射するゲイン媒体1から、第3放射光を放射するゲイン媒体1へ、光が行ったり来たりした後、第3放射光の偏光方向は第1放射光の偏光方向と一致するように調整され、従って上述の処理は達成された完全な発振として考慮されてもよい。完全な発振処理において、合計損失は4Lであり、ゲイン媒体内で取得される合計ゲインは2GTM+2TEである。ゲイン媒体の作動原理に従って、(2GTM+2GTE>4L)の場合、多数の完全な発振後、光は連続的に拡張され、光がある範囲に拡張された場合、ゲイン媒体のゲインが飽和し、最終的に平衡した安定した動作状態に達する。この時点で出力端は安定したパワーの光を出力する。
本実施形態に従ったECLの作動波長は、ゲイン媒体1によってというよりも、むしろフィルタによって主に決定される。確かに、ゲイン媒体のキャビティモードと、ゲイン媒体とFRM3との間のキャビティモードとは、ECLの最終的な出力波長にも影響を与えるが、その影響は、一般的に小さい。言い換えると、本実施形態におけるECL内のゲイン媒体1は、主にゲイン機能を実行するように構成され、その波長は主にフィルタ2に依存する。従って、ゲイン媒体1の動作波長は、いかなる波長の較正(calibration)および安定化(stabilization)のメカニズムを要求することなく、発振キャビティ内のフィルタの通過帯域波長に自動的に適応してもよく、その結果、ECLは単純かつ実用的で、かつ実施が容易であり、さらにコストが低い。
本発明の実施形態で提供されるECLにおいて、FRM3は45°DRM3に限定されず、FRMが何回かの反射後、ゲイン媒体1に戻る注入光の偏光方向が、ゲイン媒体1の元の放射光の偏光方向と一致することを保証する限り、いかなるFRMも許容可能である。例えば、他の代替的な実施形態において、FRM3は22.5°回転鏡であってもよく、22.5°回転鏡は4回の反射後に生成される注入光の偏光方向が元の放射光の偏光方向と一致するようにしてもよい。代替手段として、FRM3は他の偏光回転角度を有する回転鏡であってもよい。
本実施形態において提供されるECLがFRM3を採用するため、ゲイン媒体1へ注入される反射光の偏光方向は制御可能であり、このように、ゲイン媒体へ注入された注入光の偏光方向が放射光の偏光方向と一致することを保証する。その結果、偏光依存性に起因する従来のECLの不安定な出力光のパワーの問題は、効果的に解決される。
本実施形態の改良として、ゲイン媒体1と、フィルタ2と、FRM3とが光ファイバを介して接続(結合)されてもよいことに加え、ゲイン媒体1と、フィルタ2と、FRM3とは、他の方式で接続(結合)されてもよい。例えば、代替手段として、ゲイン媒体1とフィルタ2とは空間結合、または平面導波路結合を介して結合され、フィルタ2とFRM3とは光ファイバを介して結合されてもよい。
本発明の実施形態において提供されるECLは、FRMを導入する。その結果、ECLの発振キャビティにおいて光ファイバを導入することが可能となり、プロジェクトの架設および配備を大きく容易化し、ECLのコストを削減する。従って、光ファイバを適用することによる本実施形態におけるECLの実施は、より好ましい実施方式である。
さらに、本発明の別の実施形態は、さらに図4に示す別のECLを提供する。ECLはゲイン媒体4と、FR7と、フィルタ5と、FRM6とを含む。ゲイン媒体4と、FR7と、フィルタ5と、FRM6とは発振キャビティを構成し、ゲイン媒体4によって放射された光は発振キャビティ内を往復して発振する。
一実施形態において、FR7は45°FRであってもよく、FRMは45°回転鏡であってもよい。FR7はゲイン媒体4とフィルタ5との間で結合され、FRM6はフィルタ5とECLの出力端との間で結合される。ゲイン媒体4によって放射された放射光が1回往復した後、反射光の偏光方向が放射光の偏光方向と同じで、かつ反射光がゲイン媒体4へ戻って注入されることを保証するために、FR7とFRM6とは発振キャビティ内のレーザの偏光方向を安定するように構成された装置を構成してもよい。例えば、本実施形態において、FR7は往復して伝送される光信号上で、2回45°偏光回転を実行してもよい。その結果、発振キャビティ内で伝送される間の光の偏光方向の回転は、FRM6によって生成された回転に対して、90度の正確なオフセットを有する。従って、注入光が1往復した後、ゲイン媒体4に注入される注入光の偏光方向は元の放射光の偏光方向と同じである。
特定の実施形態において、FR7はゲイン媒体4の近くの側に配置されてもよく、空間結合、または平面導波路結合を介してゲイン媒体4と光結合を実行する。さらに、FR7は、光ファイバを介してフィルタ5およびFRM6と結合されてもよく、または他の方式で結合されてもよい。
本実施形態のより良い理解のために、ECLの作動処理が以下にさらに紹介される。
特に、ゲイン媒体4によって放射された放射光(例:ASE)がFR7を通過後、放射光の偏光方向は45度回転し、フィルタ5によってフィルタされた後、放射光が伝送される。FRM6の光特性に従って、FRM6に進入する入射光の一部がFRM6を通過して出力され、入射光の他の部分がFRM6によって反射され、光は反射の前後で、往復して45度の偏光を受ける。その結果、反射光の偏光方向は入射光の偏光方向が90度ずれ、かつゲイン媒体4の放射光の偏光方向ぁら45度、または135度(FR7とFRM6との回転方向が同じかどうかに依存する)ずれる。反射光はフィルタ5を介してFR7に戻り、反射光の偏光方向はさらに45度回転される。反射光はゲイン媒体4に再注入され、このように反射光の偏光方向がゲイン媒体4によって放射された放射光の偏光方向と同じであることが保証される。
従って、ゲイン媒体4によって放射された放射光がFR7と、フィルタ5と、FRM6とによって処理された後、反射光はゲイン媒体4へ戻って入射される。ゲイン媒体4によって放射された放射光が最終的にゲイン媒体4に戻って注入される処理において、放射光の偏光方向は4回、45度回転され(FR7によって実行される2回の45度偏光回転と、FRM6によって実行される2回の45度偏光回転とを含む)、従って、光の偏光方向は0度または180回転されるFR7とFRM6との回転方向が同じかどうかに依存する)。従って、1回の往復を受けた後、ゲイン媒体4によって放射された放射光の偏光方向は、ゲイン媒体4へ戻って注入された注入光の偏光方向はと同じである。これは言わば、注入光の偏光方向が元の放射光の偏光方向に戻ることである。
本実施形態において、FR7とFRM6とを使用することで、ECLのゲイン媒体4によって放射された放射光が1回反射後、ゲイン媒体4へ戻って反射し、かつ戻って注入される注入光の偏光方向は、元の放射光の偏光方向に戻ってもよい。その結果、発振キャビティにおける伝送中、光の損失が削減され、ゲイン媒体4のためのゲイン要求が効果的に削減される。従って、本実施形態において提供されるECLはより良い性能を有する。
さらに、前述の実施形態において、フィルタ2またはフィルタ5は、波長選択機能を有する1つまたは2つ以上のフィルタによって構成されてもよい。実施方式として、フィルタ2またはフィルタ5はAWG、ガウシアン(Gaussian)AWG、薄膜(thin-film)光フィルタ、またはガウシアン薄膜光フィルタであってもよい。他の実施方式として、フィルタ2またはフィルタ5はガウシアンAWGとエタロン(Etalon)フィルタとによって形成された複合フィルタか、ガウシアンAWGと光ファイバ格子(optical fiber grating)とによって形成された複合フィルタか、または他の同じような光フィルタによって形成された複合フィルタであってもよい。
本実施形態の実施方式として、ゲイン媒体1またはゲイン媒体4は、前端面(front end surface)および後端面(rear end surface)を含んでもよく、前端面は低反射端面(low-reflective end surface)であってもよく、後端面は高反射端面(high-reflective end surface)であってもよい。さらに、ゲイン媒体の前端面は、コーティング、または斜め導波路(oblique waveguide)のような他の技術方式を介して、むしろ低い反射性を達成し、後端面は非常に高い反射性を有する。本実施形態の実施方式として、ゲイン媒体は偏光依存であっても、すなわちTE方向におけるゲイン媒体のゲインが、TM方向におけるゲイン媒体のゲインと一致しなくてもよく、これは、偏光モードの競合を避けるという利点がある。ゲイン媒体が偏光依存性を有する、すなわち、GTEがGTMよりもはるかに大きな場合、TE方向における偏光モードは、TM方向における偏光モードが支配的であることを抑制し、このようにして偏光モードの競合の問題を解決し、レーザキャビティにおける偏光モードの安定性を実現する。
本実施形態の実施方式として、ゲイン媒体は、変調機能を有する反射型半導体光増幅器(Reflective Semiconductor Optical Amplifier,RSOA)、すなわち、データに対応する電気信号のために、ゲイン媒体の注入電流の強度が、データを発振によって生成された光信号へ変調するように変更されてもよい。
図5を参照すると、本発明の別の実施形態において供給されるECLにおいて、FRMは45°全反射FRM(total reflection FRM)であってもよい。さらに、FRMは、フィルタ(AWG)と、スプリッタを介したECLの出力端との間の光ファイバに結合されてもよい。スプリッタは光ファイバからフィルタを通過する放射光の一部を抽出し、FRMに光を提供してもよい。さらに、FRMは反射の前後で、放射光のこの部分を往復して45度の偏光回転を実行し、ゲイン媒体(RSOA)へ戻って反射光を反射してもよい。
前述の実施形態で提供されるECLに基づいて、図6に示すように、本発明の一実施形態はWDM−PONシステムをさらに提供する。図6は、本発明の本実施形態に従ったWDM−PONシステムの概略構造図である。WDM−PONシステムは、データ変調/伝送機能を提供するように構成される、少なくとも2つのECLを含み、ECLの特定の構成および作動処理は、上述の実施形態で参照されてもよい。すなわち、上述の実施形態で提供されるECLの全ての内容は、本実施形態で提供されるWDM−PONシステムにおいて、参照として組み込まれる。
特に、図6を参照すると、WDM−PONシステムは、COのOLTと、ユーザ側の多数のONU(ONU1〜ONUn)と、OLTとONUとの間に位置するRNとを含み、波長分割多重/逆多重(WDM/WDD)を実行するように構成される。OLTは、WDM方式で多数のONUと通信する。OLTは、基幹光ファイバを介してRNと接続され、RNは、多数の分岐光ファイバを介してそれぞれ多数のONUとさらに接続される。
RNはWDM/WDDモジュール、例えばAWG2を含む。AWG2のネットワーク側のポートは、基幹光ファイバに接続され、OLTからのダウンリンク光信号を受信するように構成される。さらに、AWG2はユーザ側で多数のポートをさらに含み、ユーザ側の各ポートは波長通過帯域(すなわち、ユーザ側の各ポートはフィルタと同等であってもよく、各フィルタが異なる通過帯域を有する)にそれぞれ対応し、分岐光ファイバを介して波長通過帯域に対応する波長のチャネルで作動するONUへそれぞれ接続される。AWG2はOLTからのダウンリンク信号に対してWDD処理を実行するように、かつネットワーク側の各ポートと、分岐光ファイバを介して、ONUとそれぞれ対応する信号を送信する。さらに、AWGは各ONUからのアップリンク光信号に対してWDM処理を実行するようにされに構成されてもよく、ユーザ側のポートおよび基幹光ファイバを介してOLTへ信号を送信する。
前記ONUは光ダイオード(LD)および光受信器(Rx)を含んでもよく、発光素子(light emitter)および光受信器は、波長分割多重器(WDM)を介して分岐光ファイバと結合される。WDMは、対応するダウンリンクデータをユーザに提供するために、分岐光ファイバによって光受信器へ伝送されるダウンリンク光信号を提供し、かつ、ユーザのアップリンクデータに対応し、かつ分岐光ファイバのための発光素子によって放射されるアップリンク光信号を提供する。その結果、アップリンク光信号はRNおよび基幹光ファイバを介してOLTに上向きにさらに送信される。発光素子は、変調機能を有するRSOAであってもよく、ECLの各実施形態で説明されたゲイン媒体を有してもよい。ゲイン媒体の特定の特性が前述の実施形態を導入して参照されてもよく、ここでは繰り返さない。
さらに、本実施形態において、RNはFRM(FRM2)をさらに含んでもよく、FRM2はアップリンク光信号の伝送チャネルと結合される。例えば、AWG2のネットワーク側に近い基幹光ファイバに直接結合されてもよく、またはスプリッタを介してAWG2のネットワーク側のポートの基幹光ファイバに結合されてもよい。ONUの発光素子内のゲイン媒体と、AWG2と、FRM2とが前述の実施形態で説明されたようにECLを形成してもよい。ECLの作動波長は、AWG2に対応するポートの波長に自動的に対応可能である。ECLを介して、本発明の実施形態で提供されるWDM−PONシステムは、アップリンク方向で自己注入レーザを使用することによってゲイン媒体へ注入される注入光の偏光方向が制御可能であることを保証し、このようにアップリンク出力光のパワーが安定状態を維持することを可能とする。
さらに、OLTは同様の構造を有する。例えば、OLTは多数の光モジュールを有してもよく、各光モジュールはONUにそれぞれ対応し、ONUの波長チャネルと同一の波長チャネルで作動する。
多数の光モジュールが同様の方法でAWG1を介して基幹光ファイバと結合され、AWG1は基幹光ファイバによって伝送されたアップリンク光信号を処理するWDDを実行し、かつ光モジュールにそれぞれ対応するアップリンク光信号を提供してもよい。またAWG1は、各光モジュールによって放射されたダウンリンク光信号を処理するWDMを実行し、かつ基幹光ファイバを介してダウンリンク光信号を各ONUへ提供する。
OLTにおいて、各光モジュールの発光素子は前述したゲイン媒体もまた有し、OLTは、基幹光ファイバに結合されたFRM1をさらに有する。光モジュールの発光素子内のゲイン媒体と、AWG1と、FRM1とはまた、前述の実施形態で説明したECLもまた形成してもよい。ECLの作動波長は、AWG1に対応するポートの波長に自動的に適応可能である。同様の方法で、ECLを介して、本発明の実施形態において提供されるWDM−PONシステムは、ダウンリンク方向における自己注入レーザを使用してゲイン媒体に注入された注入光の偏光方向が制御可能であることを保証し、このようにダウンリンク出力光のパワーが安定状態を維持することを可能にする。
単一のファイバでの双方向データ通信を実現するため、AWG1とAWG2とは循環的な特性を有してもよい。その結果、異なる帯域幅の光信号が同じポートを通過してもよい。同時に、FRM1は特定の帯域幅の光信号だけを反射することが可能であり、FRM1によって反射できない帯域幅の光信号は反射することなく通過してもよい。FRM2もまた、特定の帯域幅の光信号だけを反射することが可能であり、FRM2によって反射できない帯域幅の光信号は反射することなく通過してもよい。
本実施形態の改良として、図7を参照して本発明の一実施形態に従った別のWDM−PONシステムの概略構造図を示す。
図7に示すように、COのOLTはAWG1およびAWG3の名称の2つのAWGを含んでもよい。AWG1はそれぞれの発光素子(LD1〜LDn)によって伝送されたダウンリンクデータを多重化するように構成され、AWG3はそれぞれのONU(ONU1〜ONUn)からのアップリンク光信号を逆多重化するように、かつアップリンク光信号をそれぞれの光受信器Rx1〜Rxnへ伝送するように構成される。特定の実施形態において、AWG3はサーキュレータを介して基幹光ファイバに結合され、OLTのFRM1はサーキュレータとAWG1との間に配置される。FRM1と、AWG1と、光ダイオードLD1〜LDn内のゲイン媒体とは、前述の実施形態において説明したようにECLを形成する。さらに、ECLの作動波長は、AWG1に対応するポートの波長に自動的に適応することも可能である。
本実施形態のさらなる改良として、図8を参照して、本発明の一実施形態に従った別のWDM−PONシステムの概略構造図が示される。
図8に示すWDM−PONシステムのCOのOLTの構造は、図7に示すWDM−PONシステムのCOのOLTの構造と同じであり、主な改良は、ユーザ側のRNとONUとの接続構造である。
図8に示すように、RNはAWG2、AWG4の名称の2つのAWGを含む。AWG2はそれぞれのONUの発光素子LDによって伝送されるアップリンクデータを多重化するように構成され、AWG4はOLTからのダウンリンク光信号を逆多重化するように、かつダウンリンク光信号をそれぞれのONUの光受信器Rxへ伝送するように構成される。特定の実施形態において、AWG4はサーキュレータを介して基幹光ファイバに結合され、RNはさらにサーキュレータとAWG2との間に配置されたFRM2を含む。FRM2と、AWG2と、ONUの発光素子LDとは前述の実施形態で説明したECLを形成する。さらに、ECLの動作波長は対応するAWG1のポートの波長に自動的に適応することもできる。
前述の実施形態の説明を通じて、本発明がソフトウェアと必要な一般的なハードウェアとによって実施でき、明確に、ハードウェアによって実施されてもよいことが当業者には明らかであろう。しかし、ほとんどの場合、本発明は、前者の方法で好ましく実施される。この理解に基づいて、本発明の技術的解決策、または先行技術に貢献する部分は実質的にソフトウェア製品の形態で実施される。コンピュータソフトウェア製品は、読み取り可能な記憶媒体、例えば、コンピュータのフロッピー(登録商標)ディスク、ハードディスク、または光ディスクに保存され、本発明の各実施形態に従って本方法を実行するためにコンピュータ機器(例えば、パーソナルコンピュータ、サーバ、またはネットワーク機器であってもよい)に命令するために使用されるいくつかの命令を含んでもよい。
前述の内容は本発明の単なる特定の実施形態であり、本発明の保護範囲を限定することを意図していない。本発明によって開示された技術範囲から逸脱することなく当業者によって容易に導出される変形または置換は、全て本発明の保護範囲内に含まれるべきである。従って、本発明の保護範囲は添付の特許請求の範囲によって定義された保護範囲に従うべきである。
1 ゲイン媒体
2 フィルタ
3 FRM
4 ゲイン媒体
5 フィルタ
6 FRM
上述したECLの作動処理から、第1放射光を放射するゲイン媒体1から、第3放射光を放射するゲイン媒体1へ、光が行ったり来たりした後、第3放射光の偏光方向は第1放射光の偏光方向と一致するように調整され、従って上述の処理は達成された完全な発振として考慮されてもよい。完全な発振処理において、合計損失は4Lであり、ゲイン媒体内で取得される合計ゲインは2GTM+2TEである。ゲイン媒体の作動原理に従って、(2GTM+2GTE>4L)の場合、多数の完全な発振後、光は連続的に拡張され、光がある範囲に拡張された場合、ゲイン媒体のゲインが飽和し、最終的に平衡した安定した動作状態に達する。この時点で出力端は安定したパワーの光を出力する。

RNはWDM/WDDモジュール、例えばAWG2を含む。AWG2のネットワーク側のポートは、基幹光ファイバに接続され、OLTからのダウンリンク光信号を受信するように構成される。さらに、AWG2はユーザ側で多数のポートをさらに含み、ユーザ側の各ポートは波長通過帯域(すなわち、ユーザ側の各ポートはフィルタと同等であってもよく、各フィルタが異なる通過帯域を有する)にそれぞれ対応し、分岐光ファイバを介して波長通過帯域に対応する波長のチャネルで作動するONUへそれぞれ接続される。AWG2はOLTからのダウンリンク信号に対してWDD処理を実行するように、かつユーザ側の各ポートと、分岐光ファイバを介して、ONUとそれぞれ対応する信号を送信する。さらに、AWGは各ONUからのアップリンク光信号に対してWDM処理を実行するようにされに構成されてもよく、ネットワーク側のポートおよび基幹光ファイバを介してOLTへ信号を送信する。

Claims (20)

  1. 外部キャビティレーザ(ECL)であって、ゲイン媒体と、フィルタとを具備し、前記ECLはファラデー回転鏡(FRM)をさらに具備し、前記ゲイン媒体と、前記フィルタと前記FRMとはレーザ発振キャビティを構成し、前記ゲイン媒体によって放射された光は前記発振キャビティ内で往復して発振するECL。
  2. 前記ゲイン媒体によって放射された放射光は、前記フィルタを介して前記FRMに入射し、入射光の少なくとも一部が前記FRMによってゲイン媒体へ再反射し、かつ前記ゲイン媒体へ再注入され、前記FRMは、前記反射前後でそれぞれ所定の角度で前記入射光の偏光方向を回転し、前記所定の角度は、前記入射光の偏光方向を前記放射光の偏光方向と同じにすることが可能な、請求項1に記載のECL。
  3. 前記FRMは45°FRMであり、45°ファラデー回転子(FR)は前記ゲイン媒体と前記フィルタとの間にさらに配置され、前記45°FRは、前記ゲイン媒体に近い側に配置され、前記ゲイン媒体は空間結合、または平面導波路結合を介して前記45°FRと通信する、請求項1に記載のECL。
  4. 前記フィルタは、波選択機能を有する少なくとも1つのフィルタによって構成される、請求項3に記載のECL。
  5. 前記フィルタは、導波路回折格子(AWG)、またはガウシアンAWG、または薄膜光フィルタ、またはガウシアンAWGとエタロンフィルタとの組み合わせ、またはガウシアンAWGとファイバ格子との組み合わせ、または他の同様な光フィルタの組み合わせである、請求項4に記載のECL。
  6. 前記FRMは、直線部で反射機能を有する45°FRM、またはスプリッタと、45°全反射FRMとの組み合わせである、請求項1〜5のいずれか一項に記載のECL。
  7. 前記ゲイン媒体は、変調機能を有する反射型半導体光増幅器(RSOA)である、請求項1〜5のいずれか一項に記載のECL。
  8. 前記ゲイン媒体は、偏光依存性を有する、請求項1〜5のいずれか一項に記載のECL。
  9. 受動光ネットワーク(PON)システムであって、光回線終端装置(OLT)と、多数の光ネットワークユニット(ONU)とを具備し、前記OLTは波長分割多重化(WDM)によって、前記多数のONUと通信し、前記OLTは、データ変調/伝送機能を提供するように構成された外部キャビティレーザ(ECL)を具備し、前記ECLは、請求項1〜8のいずれか一項に従うECLである、PONシステム。
  10. 遠隔ノードをさらに具備し、前記遠隔ノードにはファラデー回転鏡(FRM)と、導波路回折格子(AWG)とが配置され、前記AWGのネットワーク側のポートは、基幹光ファイバを介して前記OLTに接続され、前記AWGのユーザ側のポートは、分岐光ファイバを介して、多数の前記ONUにそれぞれ接続され、前記ONUはゲイン媒体を有する発光素子を具備し、前記発光素子の前記ゲイン媒体と、前記AWGと、前記FRMとは、請求項1〜8のいずれか一項に従うレーザ発振キャビティを構成する、請求項9に記載のPONシステム。
  11. レーザであって、ゲイン媒体と、導波路回折格子(AWG)と、ファラデー回転鏡(FRM)とを具備し、前記ゲイン媒体は前記AWGの分割ポートの1つに結合され、前記FRMは前記AWGのパブリックポートに結合され、前記ゲイン媒体によって放射された光信号は前記ゲイン媒体と、前記FRMとで構成されたレーザ発振キャビティ内で往復して発振し、前記レーザの放射された波長は前記AWGの分割ポートのポート波長(ported wavelength)で固定されるレーザ。
  12. 前記ゲイン媒体によって放射された前記光信号は、第1偏光方向でありし、前記光信号が前記レーザ発振キャビティ内で2n回往復して発振した後、前記光信号の偏光方向は、前記放射光の前記偏光方向と同じである、請求項11に記載のレーザ。
  13. 前記光信号が前記レーザ発振キャビティ内で(2n+1)回往復して発振した後、前記光信号は第2偏光方向であって、前記第2偏光方向は、前記第1偏光方向に対して直角である、請求項12に記載のレーザ。
  14. 前記光信号が前記レーザ発振キャビティ内で2n回往復して発振した後、前記光信号の偏光方向が前記光信号の第1偏光方向と同じであるように、前記ゲイン媒体によって放射された光信号が前記ゲイン媒体に反射して戻るときに、前記FRMは反射の前後で所定の角度で前記光信号の偏光方向をそれぞれ回転するように構成される、請求項12に記載のレーザ。
  15. 前記FRMは前記レーザの出力と、前記AWGのパブリックポートとの間に結合され、前記FRMは、第1ファラデー回転子(FR)と、光信号の一部を反射する反射鏡とを具備し、前記第1FRは、前記反射が光信号の一部を反射する反射鏡による反射の前後で前記第1の所定の角度だけ回転されるように構成される、請求項14に記載のレーザ。
  16. 前記FRMはスプリッタを介して前記AWGのパブリックポートと結合し、前記FRMは第1FRと全反射FRMとを具備し、前記光信号が全反射FRMによって反射された後、前記第1FRは前記光信号の偏光方向が、前記光信号の第1偏光方向と同じであるように回転するように構成される、請求項14に記載のレーザ。
  17. 前記レーザは、FRをさらに具備し、前記FRは発振キャビティの内部に設定され、かつ前記ゲイン媒体と、前記AWGの分岐ポートとの間に結合され、前記ゲイン媒体によって放射された前記光信号は前記光信号の第1偏光方向であり、前記光信号がレーザ発信キャビティ内で往復して発振した後、前記ゲイン媒体の偏光方向は、前記第1偏光方向と同じである、請求項11に記載のレーザ。
  18. 前記ゲイン媒体によって放射された前記光信号が、前記ゲイン媒体へ戻って反射するとき、前記FRMは反射の前後で第1の所定の角度だけ、前記光信号の偏光方向をそれぞれ回転するように構成され、前記FRは、前記ゲイン媒体によって放射された前記光信号が前記FRMへ伝送される前に、第2の所定の角度だけ前記光信号の偏光方向を回転するように、かつ前記光信号が前記FRMによって反射された後で、かつ前記光信号が前記ゲイン媒体へ反射して戻る前に、再び前記第2の所定の角度だけ前記光信号の偏光方向を再び回転するように構成される、請求項17に記載のレーザ。
  19. 前記第1の所定の角度および前記第2の所定の角度は、45度である、請求項18に記載のレーザ。
  20. 光信号を放射する方法であって、
    ゲイン媒体によって光信号を放射するステップであって、前記光信号は、前記光信号の第1の偏光方向であり、
    導波路回折格子(AWG)が分岐ポートを介して波長選択を実行後、前記AWGによって前記光信号をファラデー回転鏡(FRM)へ伝送するステップと、
    前記ゲイン媒体へ戻って入射される前記光信号の偏光方向が前記第1偏光方向に対して直角であるような第2の偏光方向であるように、前記ゲイン媒体によって放射された前記光信号が前記ゲイン媒体へ戻って反射するとき、前記反射の前後でそれぞれ前記所定の角度だけ前記光信号の偏光方向を回転されるステップとを有する方法。
JP2013543503A 2010-12-14 2011-10-10 波長分割多重通信−受動光ネットワークのための外部キャビティレーザおよびシステム Pending JP2014506394A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010588118.2 2010-12-14
CN2010105881182A CN102136674B (zh) 2010-12-14 2010-12-14 外腔激光器和波分复用无源光网络系统
PCT/CN2011/080595 WO2012079412A1 (zh) 2010-12-14 2011-10-10 外腔激光器和波分复用无源光网络系统

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014506394A true JP2014506394A (ja) 2014-03-13

Family

ID=44296361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013543503A Pending JP2014506394A (ja) 2010-12-14 2011-10-10 波長分割多重通信−受動光ネットワークのための外部キャビティレーザおよびシステム

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20140205293A1 (ja)
EP (1) EP2637266A4 (ja)
JP (1) JP2014506394A (ja)
KR (1) KR20130118347A (ja)
CN (1) CN102136674B (ja)
TW (1) TWI499148B (ja)
WO (1) WO2012079412A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015525042A (ja) * 2012-07-30 2015-08-27 オプリンク コミュニケーションズ, インコーポレイテッド 外部キャビティファブリペローレーザ

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8774630B2 (en) * 2010-10-15 2014-07-08 Futurewei Technologies, Inc. Method, apparatus, and system for a self-seeded external cavity laser for dense wavelength division multiplexing applications
CN102136674B (zh) * 2010-12-14 2013-01-30 华为技术有限公司 外腔激光器和波分复用无源光网络系统
CN102870352B (zh) * 2012-06-25 2014-07-16 华为技术有限公司 一种光收发模块、光通信系统及光信号收发方法
WO2014000298A1 (zh) * 2012-06-30 2014-01-03 华为技术有限公司 自注入激光器和无源光网络
WO2014022971A1 (zh) * 2012-08-07 2014-02-13 华为技术有限公司 外调制激光器、无源光通信设备及系统
CN103634709B (zh) * 2012-08-28 2018-01-12 上海诺基亚贝尔股份有限公司 用于支持光网络单元在多个无源光网络之间迁移的方法
WO2014063302A1 (zh) * 2012-10-23 2014-05-01 华为技术有限公司 外腔激光器、光发射机及无源光网络系统
CN103222208B (zh) * 2012-11-15 2016-01-13 华为技术有限公司 一种发射机、光信号产生方法、装置及系统
CN103199417A (zh) * 2013-03-29 2013-07-10 武汉光迅科技股份有限公司 一种稀土掺杂光纤光源光路结构
CN103703701B (zh) * 2013-07-24 2017-02-08 华为技术有限公司 可调光接收机、可调光发射机和可调光收发机
WO2015135171A1 (zh) 2014-03-13 2015-09-17 华为技术有限公司 Wdm-pon中调整激光器发射参数的方法、装置及系统
WO2015176770A1 (en) * 2014-05-23 2015-11-26 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Optical source, communications network optical apparatus and communications network base station
US9455782B2 (en) * 2014-08-11 2016-09-27 Applied Optoelectronics, Inc. Monitoring a multiplexed laser array in an optical communication system
US10693555B2 (en) * 2014-09-03 2020-06-23 British Telecommunications Public Limited Company Optical network faulted identification
EP3217682B1 (en) 2014-11-05 2019-07-31 Huawei Technologies Co., Ltd. Optical port auto-negotiation method, optical module, office side device, and terminal device
CN108604932B (zh) * 2016-01-28 2020-08-07 华为技术有限公司 波长可调谐的光发射装置
CN108476065B (zh) 2016-02-02 2020-06-16 华为技术有限公司 一种光反射复用芯片、激光发射芯片以及光发射机
CN109782394A (zh) * 2019-03-15 2019-05-21 杭州芯耘光电科技有限公司 一种单光纤双向光收发组件
US11705694B1 (en) * 2020-02-26 2023-07-18 Cable Television Laboratories, Inc. Systems and methods for optical injection-locking in an access network
WO2021257663A1 (en) * 2020-06-17 2021-12-23 The Regents Of The University Of California Athermal wdm multistripe arrayed waveguide grating integrated-cavity laser

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62149185A (ja) * 1985-12-24 1987-07-03 Fujitsu Ltd 半導体レ−ザ装置
JPS63186489A (ja) * 1987-01-29 1988-08-02 Yokogawa Electric Corp 可変波長レ−ザ−
JPH10190116A (ja) * 1996-11-15 1998-07-21 Hewlett Packard Co <Hp> 音響光学式チューナブルレーザ
US5949801A (en) * 1998-07-22 1999-09-07 Coretek, Inc. Tunable laser and method for operating the same
JP2000012955A (ja) * 1998-06-19 2000-01-14 Yokogawa Electric Corp 自己注入同期型半導体レーザ
JP2004112714A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Ntt Electornics Corp 波長多重送信装置
JP2004191904A (ja) * 2002-06-14 2004-07-08 Fujitsu Ltd 波長選択装置、波長選択レーザおよび波長可変レーザ
JP2005064519A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Agilent Technol Inc 外部空洞レーザシステム

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6275317B1 (en) * 1998-03-10 2001-08-14 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Hybrid integration of a wavelength selectable laser source and optical amplifier/modulator
US6339603B1 (en) * 2000-10-25 2002-01-15 Axsun Technologies, Inc. Tunable laser with polarization anisotropic amplifier for fabry-perot filter reflection isolation
KR100489922B1 (ko) * 2002-10-01 2005-05-17 최준국 페브리-페롯 레이저 다이오드의 셀프 인젝션 락킹을이용한 고밀도 파장분할 다중방식 수동형 광가입자망 시스템
CN1545239A (zh) * 2003-11-14 2004-11-10 清华大学 保持各路偏振态相同的光纤时分复用器装置
KR100608946B1 (ko) * 2004-10-20 2006-08-03 광주과학기술원 자체잠김된 페브리-페롯 레이저 다이오드를 이용한 파장분할다중 방식의 수동형 광통신망과, 이에 사용되는 지역 기지국 및 그 제어 방법
CN101304156A (zh) * 2008-06-05 2008-11-12 原辉 一种用于光纤光栅传感系统的外腔激光器装置
US8417118B2 (en) * 2009-08-14 2013-04-09 Futurewei Technologies, Inc. Colorless dense wavelength division multiplexing transmitters
CN102082610B (zh) * 2009-12-01 2014-07-30 华为技术有限公司 自注入锁定光源、光源自注入锁定方法和系统
US8559821B2 (en) * 2009-12-02 2013-10-15 Futurewei Technologies, Inc. Wavelength stabilization and locking for colorless dense wavelength division multiplexing transmitters
US9203543B2 (en) * 2010-09-16 2015-12-01 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Passive optical networks
EP2630738B1 (en) * 2010-12-03 2016-02-24 Huawei Technologies Co., Ltd. Colorless dense wavelength division multiplexing transmitters
CN102136674B (zh) * 2010-12-14 2013-01-30 华为技术有限公司 外腔激光器和波分复用无源光网络系统

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62149185A (ja) * 1985-12-24 1987-07-03 Fujitsu Ltd 半導体レ−ザ装置
JPS63186489A (ja) * 1987-01-29 1988-08-02 Yokogawa Electric Corp 可変波長レ−ザ−
JPH10190116A (ja) * 1996-11-15 1998-07-21 Hewlett Packard Co <Hp> 音響光学式チューナブルレーザ
JP2000012955A (ja) * 1998-06-19 2000-01-14 Yokogawa Electric Corp 自己注入同期型半導体レーザ
US5949801A (en) * 1998-07-22 1999-09-07 Coretek, Inc. Tunable laser and method for operating the same
JP2004191904A (ja) * 2002-06-14 2004-07-08 Fujitsu Ltd 波長選択装置、波長選択レーザおよび波長可変レーザ
JP2004112714A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Ntt Electornics Corp 波長多重送信装置
JP2005064519A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Agilent Technol Inc 外部空洞レーザシステム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015525042A (ja) * 2012-07-30 2015-08-27 オプリンク コミュニケーションズ, インコーポレイテッド 外部キャビティファブリペローレーザ

Also Published As

Publication number Publication date
EP2637266A4 (en) 2014-05-07
CN102136674B (zh) 2013-01-30
TWI499148B (zh) 2015-09-01
TW201234731A (en) 2012-08-16
US20140205293A1 (en) 2014-07-24
KR20130118347A (ko) 2013-10-29
EP2637266A1 (en) 2013-09-11
CN102136674A (zh) 2011-07-27
WO2012079412A1 (zh) 2012-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014506394A (ja) 波長分割多重通信−受動光ネットワークのための外部キャビティレーザおよびシステム
US8559821B2 (en) Wavelength stabilization and locking for colorless dense wavelength division multiplexing transmitters
JP5778335B2 (ja) 光トランシーバ装置、及び波長分割多重受動光ネットワークシステム
US8417118B2 (en) Colorless dense wavelength division multiplexing transmitters
US10009136B2 (en) External cavity FP laser
US8543001B2 (en) Cascaded injection locking of fabry-perot laser for wave division multiplexing passive optical networks
EP2862296B1 (en) Optical transmitter
KR101266036B1 (ko) 자기주입 잠금 광원, 광원 자기주입 잠금을 위한 방법 및 시스템
US9502858B2 (en) Laser array mux assembly with external reflector for providing a selected wavelength or multiplexed wavelengths
EP2904726B1 (en) Wdm system with externally modulated filtered laser array
TW201003272A (en) Laser source based on fabry-perot laser diodes and seeding method using the same
EP2731211B1 (en) Self-seeding fiber laser device and driving method thereof, passive optical network system and device
US9002214B2 (en) Wavelength-selectable laser device and apparatus and system including same
WO2012106920A1 (zh) 光模块及其突发发射方法、激光器及光网络系统
Presi et al. Self-seeding of semiconductor lasers for next-generation WDM passive optical networks
JP5026366B2 (ja) 波長多重光送信器
KR20120070260A (ko) 파장 분할 다중화 기반 수동형 광가입자망용 씨앗 광 모듈 및 그 구동 방법
KR20050040426A (ko) 수동형 광 가입자 망의 가입자측 광 접속기

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140521

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140603

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140902

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140909

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141002

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150310

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150818