JP2014236556A - スイッチトリラクタンスモータのpam駆動装置 - Google Patents

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【課題】部品数の増加を抑制しつつトルクリップルの発生を抑制し、且つ出力応答速度を向上させることができるスイッチトリラクタンスモータのPAM駆動装置を提供する。【解決手段】SRM21を駆動する駆動装置17において、コンデンサ10を、スイッチ9と直流電源1との直列回路に対して並列に接続し、降圧コンバータ6の出力端子間に各相分の第1直列回路(スイッチ7及びダイオード8)を接続し、コンデンサ10に並列に各相分の第2直列回路(ダイオード11及びスイッチ12)を接続する。【選択図】図1

Description

本発明は、スイッチトリラクタンスモータをPAM(Pulse Amplitude Modulation)制御により駆動する駆動装置に関する。
スイッチトリラクタンスモータ(以下、SRMと称す)の駆動装置に関する従来技術として、例えば特許文献1には、SRMの固定子巻線に印加する電圧を昇圧可能にすると共に、巻線に流れる電流を容量素子及び電源に回生可能に構成される駆動回路が開示されている。この駆動回路を含むシステムでは、励磁相の巻線に流れる電流I1aを、電流指令値Itを中心に定めたバンド幅IB内に維持するように制御している(図6参照)。
このような電流制御方式では、電流がバンド幅内で変動することは許容されるため、トルクリップルが発生してしまう。また、変動する電流の高周波成分によりモータの鉄損増大し、駆動効率が低下する。そして、これらの問題を解決する技術として、固定子巻線への印加電圧を降圧して電流振幅を小さくし、トルクリップル及び鉄損の増大を抑制するものがある(非特許文献1)。
特開2012−44816号公報
スイッチングリプル抑制制御を施したSRMの瞬時トルク一定制御,平成23年電気学会産業応用部門大会,松本憲明,今井崇敬,石川裕記,内藤治夫
しかしながら、非特許文献1の技術では、SRMの相数と同数の降圧コンバータが必要になるため、スイッチング素子やリアクトルなどの部品数が多くなる。また、電流の立ち上がり速度,立下り速度が電源電圧で決定されるため、出力応答速度を向上させることができない。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、部品数の増加を抑制しつつトルクリップルの発生を抑制し、且つ出力応答速度を向上させることができるスイッチトリラクタンスモータのPAM駆動装置を提供することにある。
請求項1記載のスイッチトリラクタンスモータのPAM駆動装置によれば、消磁相電圧保持用コンデンサを、電圧調整用スイッチング素子と直流電源との直列回路に対して並列に接続する。そして、直流電源に接続される降圧コンバータの出力端子間に各相分の第1直列回路(高電位側スイッチング素子及び逆方向ダイオード)を接続し、消磁相電圧保持用コンデンサに並列に各相分の第2直列回路(逆方向ダイオード及び低電位側スイッチング素子)を接続する。
すなわち、各相の第1直列回路の高電位側スイッチング素子は、降圧コンバータの出力端子に共通に接続され、各相の第2直列回路の逆方向ダイオードは、消磁相電圧保持用コンデンサに共通に接続される。したがって、励磁相となる固定子巻線には、直流電源の電圧を降圧して供給できるので、トルクリップルや鉄損を低減できる。そして、各相の第1直列回路には1つの降圧コンバータが共通に接続されるので、回路素子数を大きく増加させることがない。
また、消磁相電圧保持用コンデンサは、消磁相となる固定子巻線が発生した遅れ電流によって充電されるので、その端子電圧は、直流電源電圧よりも上昇する。これにより、励磁相となる固定子巻線には、消磁相電圧保持用コンデンサの昇圧された端子電圧を印加できるので、消磁をより速くして出力応答速度が向上する。
加えて、消磁相電圧保持用コンデンサと直流電源との間には、電圧調整用スイッチング素子が接続されているので、消磁相電圧保持用コンデンサの端子電圧が過度に上昇しようとする際には、電圧調整用スイッチング素子をオンして直流電源側に電流を流すことで、端子電圧の上昇を抑制できる。
第1実施形態であり、PAM駆動装置の回路構成を示す図 駆動装置をスイッチトリラクタンスモータに接続した状態を示す図 降圧コンバータのスイッチング制御例を示す図 駆動装置の動作を示すタイミングチャート 駆動装置の制御系を概念的に示す機能ブロック図 図5の具体例を示す図 第2実施形態を示す図6相当図 セレクタの内部構成を示す図 セレクタの動作を示すタイミングチャート
(第1実施形態)
図1に示すように、直流電源1の両端には、スイッチ2及び3の直列回路が接続されており、スイッチ3には、リアクトル4及びコンデンサ5の直列回路が接続されている。そして、これらより直流電源1を除いたものが降圧コンバータ6を構成している。リアクトル4及びコンデンサ5の共通接続点とグランドとの間には、スイッチ7(高電位側スイッチング素子)及び逆方向のダイオード8の直列回路(第1直列回路)が3相分(U,V,W)接続されている。
また、直流電源1には、スイッチ9及びコンデンサ10の直列回路が接続されており、コンデンサ10(消磁相電圧保持用コンデンサ)の両端には、逆方向のダイオード11及びスイッチ12(低電位側スイッチング素子)の直列回路(第2直列回路)が3相分(U,V,W)接続されている。そして、ダイオード8のカソードとダイオード11のアノードとの間には、スイッチトリラクタンスモータの各相固定子巻線13(U,V,W)が接続されている。
以上において、降圧コンバータ6の出力端子とスイッチ7のドレイン(導通端子)とを接続する線を降圧電源線14と称し、スイッチ9のドレインとダイオード11のカソードとを接続する線を昇圧電源線15と称する。また、第1及び第2直列回路からなる部分をインバータ部16と称し、直流電源1及び固定子巻線13を除いたものが駆動装置17を構成している。
降圧コンバータ6においては、スイッチ2及び3のオンデューティを変化させることで、直流電源1の電圧を降圧して降圧電源線14に供給する。ここで、U相が励磁相であれば、スイッチ7U及び12Uを同時にオンして、固定子巻線13Uに通電を行い励磁する。また、V相が消磁相であれば、スイッチ7V及び12Vを同時にターンオフして、ダイオード8V,11Vを含む経路で固定子巻線13Vからの遅れ電流を流して消磁する。その電流は、昇圧電源線15を介してコンデンサ10を充電する。
そして、スイッチ9は、コンデンサ10が上記の経路で充電されて端子電圧が過度に上昇しようとする際にオンされて、直流電源1側に電流を流すことで端子電圧の上昇を抑制するように制御される。
図2に示すように、SRM21は、断面形状が概ね円環である固定子鉄心22の内周側に突出した形状の複数のティース部を有しており、それらのティース部に各相の固定子巻線13が巻装されている。固定子鉄心22の中空部には、断面形状が外周側に突出した極を持つ回転子鉄心23が配置されている。
スイッチ7(U,V,W)のソース(導通端子)と固定子巻線13(U,V,W)の一端との間には、電流センサ24(U,V,W)が介挿されている。ここで、スイッチ2,3,9の各ゲート(導通制御端子)に与えられる信号を、それぞれHgs,Lgs,HKgsとする。また、直流電源1の電圧はVinであり、コンデンサ5,10の端子電圧をそれぞれVr,Vsとする。
図3(a)に示すように、降圧コンバータ6による降圧比が高い場合は、ゲート信号Hgsのオンデューティが小さく、ゲート信号Lgsのオンデューティが大きくなる(図4(b),期間(1)参照)。一方、図3(b)に示すように、降圧コンバータ6による降圧比が低い場合は、ゲート信号Hgsのオンデューティが大きく、ゲート信号Lgsのオンデューティが小さくなる(図4(b),期間(2)参照)。
図4(a)に示すように、最初はU相を励磁相とし、次にU相を消磁相にすると共にV相を励磁相とするよう切り替える。次に、V相を励磁相から消磁相に切り換えると共にW相を励磁相とするよう切り替える。そして、励磁相の電流が指令値に達している期間は、電圧Vrを降圧する。次の励磁相に通電を開始する際には、電圧Vrをほとんど降圧せずにVin付近に維持する(図4(b)参照)。このとき、消磁相から回生された電流が、昇圧電源線15を介してコンデンサ10を充電する。
コンデンサ10の端子電圧Vsは、直流電源1の電圧Vin以上の消磁相電圧となるように維持されているが、消磁相からの電流が流れ込む期間は消磁相電圧を超える電圧となる(図4(c)参照)。この時、スイッチ9にゲート信号HKgsをPWM信号として与えることで、スイッチ9を断続的にオンさせる(図4(d)参照)。これにより、端子電圧Vsが過度に上昇することを抑制する。尚、図4(e),(f)は、図4(c),(d)における期間(3)を拡大して示している。
すなわち、駆動装置17は、降圧コンバータ6により直流電源1の電圧を降圧して励磁相に印加し、また、コンデンサ10を回生電流により充電して昇圧した電圧を消磁相に印加する構成であるから、PAM(Pulse Amplitude Modulation)方式の駆動装置となっている。
図5に示すように、センサ部31(物理量検出手段)は、駆動装置17によりSRM21が回転駆動されることに伴い発生・変動する物理量を検出するセンサであり、そのセンサ信号は、制御装置32を構成する相切替制御部33及び減算器34に入力されている。相切替制御部33は、入力されるセンサ信号に基づいて、スイッチ7及び12(U,V,W)を、各相別にオンオフするためのゲート信号を、ドライバ35(U,V,W)を介して出力する。
減算器34には、前記センサ信号に応じて外部(例えば上位の制御装置)より与えられる指令値も入力されており、減算器34は、両者の差分を電圧指令生成部36に出力する。電圧センサ37は、降圧コンバータ6の出力電圧,すなわちコンデンサ5の端子電圧Vrを検出し、検出信号を電圧指令生成部36に出力する。電圧指令生成部36は、端子電圧Vrの検出値と、減算器34より入力される差分値とに基づいてゲート信号を生成すると、ドライバ38(H,L)を介して降圧コンバータ6を構成するスイッチ2,3のゲートに出力する。
もう1つの電圧センサ39(電圧検出手段)は、コンデンサ10の端子電圧Vsを検出して、検出信号をコンデンサ電圧制御手段(コンデンサ電圧制御器)40の非反転入力端子に出力する。コンデンサ電圧制御手段40の反転入力端子には、端子電圧Vsを制限するための閾値が与えられており、コンデンサ電圧制御手段40は、検出された電圧Vsが閾値を超える出力信号をハイレベルにする。当該信号は、ドライバ41を介してスイッチ9のゲートに与えられる。
図6に示すように、回転角センサ51は、例えばロータリエンコーダであり、モータ21の回転子の回転角θを検出し、その回転角θを制御部52の角度判定器53に入力する。角度判定器53には、予め設定されている励磁開始角度θs及び励磁終了角度θeも入力されており、角度判定器53は、θ=θsとなるタイミングで励磁相の通電を開始し、θ=θeとなるタイミングで励磁相の通電を終了する。尚、実際の角度判定器53は、U,V,Wの各相に対応して個別に配置されているが、図6では1つにまとめて図示している。
トルクセンサ54(出力トルク検出手段)は、モータ21が駆動された際に出力するトルク(物理量)を検出し、オペアンプ55の反転入力端子に出力する。オペアンプ55の非反転入力端子には、外部よりトルク指令値(制御指令値)が与えられており、オペアンプ55は、トルク指令値と検出されたトルクとの差分を増幅してPI制御器56に出力する。PI制御器56は、オペアンプ55より与えられる信号にPI制御演算を施して次段のオペアンプ57の非反転入力端子に出力する。オペアンプ57の反転入力端子には、電圧センサ37が出力するセンサ信号(電圧Vr)が与えられており、オペアンプ57は、上記センサ信号とPI制御器56より入力される信号との差分を増幅して次段のPI制御器58に出力する。
PI制御器58は、オペアンプ57より与えられる信号にPI制御演算を施してPWM生成器59に出力する。PWM生成器59は、PI制御器58より入力される信号をPWM指令として、内部で発生させているキャリアと比較することでPWM信号を生成し、ドライバ60H,60Lを介して降圧コンバータ6を構成するスイッチ2及び3に出力する。
以上のように本実施形態によれば、SRM21を駆動する駆動装置17において、コンデンサ10を、スイッチ9と直流電源1との直列回路に対して並列に接続し、降圧コンバータ6の出力端子間に各相分の第1直列回路(スイッチ7及びダイオード8)を接続し、コンデンサ10に並列に各相分の第2直列回路(ダイオード11及びスイッチ12)を接続した。
すなわち、各相のスイッチ7は、降圧電源線14を介して降圧コンバータ6の出力端子に共通に接続され、各相のダイオード11は、昇圧電源線15を介してコンデンサ10に共通に接続される。したがって、励磁相となる固定子巻線13には、直流電源1の電圧を降圧して供給できるので、トルクリップルや鉄損を低減できる。そして、各相の第1直列回路には1つの降圧コンバータ6が共通に接続されるので、回路素子数を大きく増加させることがない。
また、コンデンサ10は、消磁相となる固定子巻線13が発生した遅れ電流によって充電されるので、その端子電圧Vsは、直流電源1の電圧よりも上昇する。これにより、励磁相となる固定子巻線13には昇圧された端子電圧Vsを印加できるので、消磁がより速くなり出力応答速度が向上する。加えて、コンデンサ10と直流電源1との間にスイッチ9を接続したので、端子電圧Vsが過度に上昇しようとする際にスイッチ9をオンして直流電源1側に電流を流すことで、端子電圧Vsの上昇を抑制できる。
また、SRM21の出力トルクを検出するトルクセンサ54を備え、制御部52の電圧指令生成部36は、外部より与えられるトルク指令値と出力トルクとの偏差に基づいて、降圧コンバータ6より出力される励磁相への印加電圧Vrの制御指令を生成する。したがって、印加電圧VrがSRM21の出力トルクに応じて最適となるように制御して、トルクリップルや鉄損を低減できる。
また、電圧センサ39によりコンデンサ10の端子電圧Vsを検出し、端子電圧Vsが閾値以下であればスイッチ9をオフにし、端子電圧Vsが閾値を超えると前記スイッチ9をオンするように制御するコンデンサ電圧制御手段40,若しくは電圧センサ39により検出した端子電圧Vsと閾値電圧から、端子電圧Vsが閾値より大きくならないようにスイッチ9をPWM制御するコンデンサ電圧制御手段40を備え、端子電圧Vsが過度に上昇しないように抑制できる。
(第2実施形態)
図7に示すように、第2実施形態では、トルクセンサ54に替えて物理量センサとしての電流センサ61(U,V,W)が、駆動装置17におけるダイオード11(U,V,W)のアノードと、SRM21の固定子巻線13(U,V,W)との間に介挿されている。そして、電流センサ61(U,V,W)が出力するセンサ信号は、励磁相電流セレクタ(以下、単にセレクタと称す)62を介して制御部52に入力されている。制御部52の構成は、実質的に第1実施形態と同じであるが、オペアンプ55の反転入力端子にはセレクタ62の出力端子が接続されている。そして、オペアンプ55の非反転入力端子には、反転入力端子に与えられる励磁相電流値に応じて、外部より電流指令値が入力されている。
図8に示すように、セレクタ62において、回転角センサ51が出力するSRM21の回転角は、角度計算器63(U,V,W)に入力されている。角度計算器63は、入力される回転角(機械角)が0°〜360°の範囲で変化するのに対し、前記回転角に対応したU,V,W各相の角度を、0°〜90°の範囲で繰り返し出力する(図9参照)。
角度計算器63(U,V,W)は、0°〜90°の範囲の角度を比較器64(U,V,W)S及び64(U,V,W)Eに出力する。比較器64Sには予め定められた励磁相開始角度が入力され、比較器64Eには予め定められた励磁相終了角度が入力されている。尚、励磁相開始角度,励磁相終了角度の値は、U,V,Wの各相で共通である。比較器64Sは、(回転角>励磁相開始角度)となる期間に出力信号をハイレベルにし、比較器64Eは、(回転角<励磁相終了角度)となる期間に出力信号をハイレベルにする。
比較器64(U,V,W)S,64(U,V,W)Eの出力端子は、ANDゲート65(U,V,W)の入力端子にそれぞれ接続されており、ANDゲート65(U,V,W)の出力端子は、常開型のスイッチ66(U,V,W)の制御端子に接続されている。ANDゲート65の出力信号は、(励磁相開始角度<回転角<励磁相終了角度)となる期間にハイレベルとなり、スイッチ66をオンにする。その結果、図9に示すように、スイッチ66U,66V,66Wは、90°の通電周期中で励磁期間中だけオンされ、それがU,V,Wの各相で循環する。尚、図9及び図10中に付している丸数字は、各部における信号の対応関係を示している。
スイッチ66U,66V,66Wの入力側端子には、電流センサ61U,61V,61Wにより検出された各相電流(物理量)が入力され、出力側端子は共通に接続されてセレクタ62の出力端子となっている。すなわち、U,V,W各相の固定子巻線15は、1回転周期内でそれぞれ4回通電されて励磁相となる。そして、その励磁相となる期間に対応してスイッチ66U,66V,66Wがオンされるので、セレクタ62からは、励磁相の相電流が出力されて制御部52のアンプ55に与えられる。
以上のように第2実施形態によれば、SRM21の固定子巻線13に通電される相電流を検出する電流センサ61を備え、制御部52の電圧指令生成部36は、外部より与えられる指令電流と励磁相の相電流との偏差に基づいて、降圧コンバータ6より出力される励磁相への印加電圧Vrの制御指令を生成する。したがって、第1実施形態と同様の効果が得られる。
本発明は上記した、又は図面に記載した実施形態にのみ限定されるものではなく、以下のような変形又は拡張が可能である。
スイッチング素子(又はスイッチ)はMOSFET,バイポーラトランジスタやIGBTなどでも良い。
SRMの固定子,回転子などの具体構成は、適宜変更して良い。
図面中、1は直流電源、4はリアクトル、6は降圧コンバータ、7はスイッチ(高電位側スイッチング素子)、8はダイオード、9はスイッチ(電圧調整用スイッチング素子)、10はコンデンサ(消磁相電圧保持用コンデンサ)、11はダイオード、12はスイッチ(低電位側スイッチング素子)、13は固定子巻線、17は駆動装置、21はスイッチトリラクタンスモータ、31はセンサ部(物理量検出手段)、36は電圧指令生成部、39は電圧センサ(電圧検出手段)、40はコンデンサ電圧制御手段(コンデンサ電圧制御器)、54はトルクセンサ(出力トルク検出手段)を示す。

Claims (6)

  1. スイッチトリラクタンスモータ(21)をPAM(Pulse Amplitude Modulation)制御により駆動する駆動装置であって、
    直流電源(1)に接続される降圧コンバータ(6)と、
    前記直流電源の正側端子に接続される電圧調整用スイッチング素子(9)と、
    この電圧調整用スイッチング素子と前記直流電源との直列回路に対して並列に接続される消磁相電圧保持用コンデンサ(10)と、
    前記降圧コンバータの出力端子間に接続される、高電位側スイッチング素子(7)及び逆方向ダイオード(8)からなる各相分の第1直列回路と、
    前記消磁相電圧保持用コンデンサに並列に接続される、逆方向ダイオード(11)及び低電位側スイッチング素子(12)からなる各相分の第2直列回路とを備え、
    前記第1直列回路の共通接続点と前記第2直列回路の共通接続点との間に、前記スイッチトリラクタンスモータの各相固定子巻線(13)が接続されることを特徴とするスイッチトリラクタンスモータのPAM駆動装置。
  2. 前記スイッチトリラクタンスモータが駆動されることに伴い発生する物理量を検出する物理量検出手段(31,54,61)と、
    外部より与えられる前記物理量の制御指令値と前記物理量との偏差に基づいて、前記降圧コンバータより出力される励磁相への印加電圧の制御指令を生成する電圧指令生成部(36)とを備えることを特徴とする請求項1記載のスイッチトリラクタンスモータのPAM駆動装置。
  3. 前記物理量検出手段は、前記スイッチトリラクタンスモータの出力トルクを検出する出力トルク検出手段(54)であり、
    外部より与えられる前記制御指令値は、トルク指令値であることを特徴とする請求項2記載のスイッチトリラクタンスモータのPAM駆動装置。
  4. 前記物理量検出手段は、前記スイッチトリラクタンスモータの各相固定子巻線に流れる電流である相電流をそれぞれ検出する電流検出手段(61)であり、
    外部より与えられる前記制御指令値は、電流指令値であることを特徴とする請求項2記載のスイッチトリラクタンスモータのPAM駆動装置。
  5. 前記消磁相電圧保持用コンデンサの端子電圧を検出する電圧検出手段(39)と、
    前記端子電圧が閾値以下であれば前記電圧調整用スイッチング素子をオフにし、前記端子電圧が前記閾値を超えると前記電圧調整用スイッチング素子をオンするように制御するコンデンサ電圧制御手段(40)とを備えることを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載のスイッチトリラクタンスモータのPAM駆動装置。
  6. 前記コンデンサ電圧制御手段は、前記電圧調整用スイッチング素子をPWM(Pulse Width Modulation)制御することを特徴とする請求項5記載のスイッチトリラクタンスモータのPAM駆動装置。
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