JP2014233830A - Abrasive pad dresser and production method thereof, abrasive pad dressing device, and polishing system - Google Patents

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JP2014233830A JP2013208301A JP2013208301A JP2014233830A JP 2014233830 A JP2014233830 A JP 2014233830A JP 2013208301 A JP2013208301 A JP 2013208301A JP 2013208301 A JP2013208301 A JP 2013208301A JP 2014233830 A JP2014233830 A JP 2014233830A
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リージュン ヤオ
Lijun Yao
リージュン ヤオ
一彦 大岩
Kazuhiko Oiwa
一彦 大岩
俊夫 相原
Toshio Aihara
俊夫 相原
ジエ パン
Jie Pan
ジエ パン
シュエズ ワン
Xueze Wang
シュエズ ワン
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    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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    • B24B53/12Dressing tools; Holders therefor

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an abrasive pad dresser which gives preferable polishing effect and fracture toughness resistance to polishing particles.SOLUTION: The abrasive pad dresser comprises: polishing particles 110 which are polyhedra and have a regulated shape respectively; and a base part body 120 having a polishing face S1. The polishing face S1 has certain roughness so that the polishing face S1 has unevenness, and the polishing particles 110 are fixed to the polishing face S1, at least parts of the polishing particles 110 are embedded to dents on the polishing face S1, and at least some of projections T of the polishing particles 110 in the dents face the opposite direction of the polishing face S1.

Description

(関連出願の相互参照)
本出願は、2013年6月3日に出願の中国特許出願第201310217161.1号明細書に係る優先権を主張し、「研磨パッドドレッサおよびその製造方法、研磨パッドドレッシング装置、ならびに、研磨システム」と表題されており、その全開示は本明細書において参照により援用されている。
(Cross-reference of related applications)
The present application claims priority based on Chinese Patent Application No. 201310217161.1 filed on June 3, 2013, “a polishing pad dresser and a method for manufacturing the same, a polishing pad dressing apparatus, and a polishing system”. The entire disclosure of which is incorporated herein by reference.

本開示は、一般に、化学機械研磨の分野に関し、特に、研磨パッドドレッサおよびその製造方法、研磨パッドドレッサを備える研磨パッドドレッシング装置、ならびに、研磨パッドドレッシング装置を備える研磨システムに関する。   The present disclosure relates generally to the field of chemical mechanical polishing, and in particular, to a polishing pad dresser and a method for manufacturing the same, a polishing pad dressing apparatus including the polishing pad dresser, and a polishing system including the polishing pad dressing apparatus.

半導体ウェハの表面処理において重要な役目を果たし、集積回路の製造における種々の段階において表面平坦化に用いられる化学機械研磨(CMP)技術が、近年において広く用いられている。CMPプロセスの最中において、研磨パッドは、研磨用酸の保持および移送、残留物の除去、機械的荷重の伝達、ならびに、研磨環境の維持等のために用いられることが可能である。CMPプロセスが継続されるに伴って、研磨パッドの物理的特性および化学的特性が変化してしまう場合がある。特に、残留物が研磨パッドの表面に生成され、表面の微小な孔のサイズおよび数が低減し、研磨パッドの表面の粗度が低下し、分子レベルでの再結合が表面で生じることにより一定の厚さを有するグレージング層がその上に形成されて研磨速度および研磨品質が低減してしまう場合がある。従って、研磨パッドをドレッシングして、研磨効果を改善し、研磨パッドの耐用年数を延ばし、研磨に係る費用を削減する必要性がある。   Chemical mechanical polishing (CMP) technology, which plays an important role in the surface treatment of semiconductor wafers and is used for surface planarization at various stages in the manufacture of integrated circuits, has been widely used in recent years. During the CMP process, the polishing pad can be used for retention and transfer of polishing acid, removal of residues, transmission of mechanical loads, maintenance of the polishing environment, and the like. As the CMP process continues, the physical and chemical properties of the polishing pad may change. In particular, residue is generated on the surface of the polishing pad, reducing the size and number of micropores on the surface, reducing the roughness of the surface of the polishing pad, and constant recombination at the molecular level occurring on the surface. A glazing layer having a thickness of 1 mm may be formed on the glazing layer, thereby reducing the polishing rate and the polishing quality. Accordingly, there is a need to dress the polishing pad to improve the polishing effect, extend the useful life of the polishing pad, and reduce the cost of polishing.

昨今において、一般的なドレッサはダイヤモンドドレッサである。図1は、従来のダイヤモンドドレッサの断面図を概略的に示す。図1に示されているとおり、ドレッサ1は、基部本体2と、基部本体2の研磨面Sに固着されている複数のダイヤモンド研磨粒子3とを備える。研磨面Sは平坦であり、研磨パッドがドレッシングされている間は研磨パッドの表面と平行である。研磨パッドをドレッシングしている間、ドレッサ1は、回転往復運動をしている。一方で、ドレッサ1は、ダイヤモンド研磨粒子3が研磨パッドの表面に接触して研磨パッドが切削されるよう、一定の圧力で研磨パッドの表面に押圧される。それ故、研磨パッドの表面がドレッシングされて、所望の表面粗度が達成される。   In recent years, a general dresser is a diamond dresser. FIG. 1 schematically shows a cross-sectional view of a conventional diamond dresser. As shown in FIG. 1, the dresser 1 includes a base body 2 and a plurality of diamond abrasive particles 3 fixed to the polishing surface S of the base body 2. The polishing surface S is flat and parallel to the surface of the polishing pad while the polishing pad is being dressed. While dressing the polishing pad, the dresser 1 is rotating and reciprocating. On the other hand, the dresser 1 is pressed against the surface of the polishing pad with a constant pressure so that the diamond abrasive particles 3 come into contact with the surface of the polishing pad and the polishing pad is cut. Therefore, the surface of the polishing pad is dressed to achieve the desired surface roughness.

ダイヤモンド研磨粒子3は、ドレッシング効果に影響する重要な役目を果たす。ダイヤモンド研磨粒子3は天然のものである。天然のダイヤモンド研磨粒子は、一般に、不規則な形状で、鋭利な突起Tを有する。ドレッサ1が採用されて研磨パッドがドレッシングされる際、天然のダイヤモンド研磨粒子の突起Tは、より良好な研磨効果が達成されるよう研磨パッドに対向する。しかしながら、形状が不規則なことにより、天然のダイヤモンド研磨粒子はぶつかった時に破損しやすく、さらに、シリコンスライスにスクラッチを生じさせてしまう。   Diamond abrasive particles 3 play an important role in affecting the dressing effect. The diamond abrasive particles 3 are natural. Natural diamond abrasive particles are generally irregular in shape and have sharp protrusions T. When the dresser 1 is employed and the polishing pad is dressed, the protrusions T of natural diamond abrasive particles face the polishing pad so that a better polishing effect is achieved. However, due to the irregular shape, natural diamond abrasive particles are prone to breakage when impacted, and also cause the silicon slice to be scratched.

上記の問題を解決するために、従来の解決法においては他のドレッサ1が提供されている。図2に示されているとおり、ドレッサ1におけるダイヤモンド研磨粒子3は高圧で形成された単結晶の人工ダイヤモンド研磨粒子であり、これは一般に、完全であり、内部欠陥をほとんど有しておらず、規則的な形状を有する。この種のダイヤモンド研磨粒子3は優れた耐破壊靭性を有しており、これにより、ダイヤモンド研磨粒子3が壊れることによりシリコンスライスにスクラッチが生じる可能性が低減される。しかしながら、ドレッサ1が研磨パッドのドレッシングにもちいられる際には、ダイヤモンド研磨粒子3の平坦な表面P1が研磨パッドに対向することとなり、研磨効果が劣ったものとなってしまう。   In order to solve the above problem, another dresser 1 is provided in the conventional solution. As shown in FIG. 2, the diamond abrasive particles 3 in the dresser 1 are single crystal artificial diamond abrasive particles formed at high pressure, which are generally perfect and have few internal defects, Has a regular shape. This type of diamond abrasive particle 3 has excellent fracture toughness, which reduces the possibility of scratching the silicon slice due to the diamond abrasive particle 3 breaking. However, when the dresser 1 is used for dressing a polishing pad, the flat surface P1 of the diamond abrasive particles 3 faces the polishing pad, resulting in poor polishing effect.

従来の研磨パッドドレッサにおける研磨粒子に、良好な研磨効果および良好な耐破壊靭性をも持たせることは困難である。   It is difficult to impart good polishing effect and good fracture toughness to the abrasive particles in a conventional polishing pad dresser.

一実施形態においては、
多面体で規則的な形状を有する研磨粒子と、
研磨面を有する基部本体と、
を備え、
研磨面は一定の粗度を有することで研磨面が凸凹とされており、研磨粒子は研磨面上に固着されており、研磨粒子の少なくとも一部分が研磨面の窪み中に埋設されており、窪み中の研磨粒子の少なくとも一部分の突起が研磨面と逆向きである研磨パッドドレッサが提供される。
In one embodiment,
Abrasive particles having a regular shape with a polyhedron;
A base body having a polished surface;
With
The polishing surface has a certain roughness, and the polishing surface is uneven, the abrasive particles are fixed on the polishing surface, and at least a part of the polishing particles are embedded in the recess of the polishing surface, A polishing pad dresser is provided in which the protrusions of at least a portion of the abrasive particles therein are opposite to the polishing surface.

任意により、研磨面の粗度は、100μm〜300μmの範囲である。   Optionally, the roughness of the polished surface is in the range of 100 μm to 300 μm.

任意により、研磨粒子は、正八面体形状、正十二面体形状、正二十面体形状、角柱形状または角錐形状である。   Optionally, the abrasive particles are regular octahedral, regular dodecahedron, regular icosahedron, prismatic or pyramidal.

任意により、研磨面の原表面は平坦面であるか、または、相互につながっている縁部研磨面および中央研磨面を備えている。縁部研磨面は中央研磨面を囲んでおり、中央研磨面は平坦面であると共に縁部研磨面よりも高くなっている。原表面は、粗面化処理が行われる前の研磨面である。   Optionally, the original surface of the polishing surface is a flat surface or comprises an edge polishing surface and a central polishing surface that are interconnected. The edge polishing surface surrounds the center polishing surface, and the center polishing surface is flat and higher than the edge polishing surface. The original surface is a polished surface before the roughening treatment is performed.

任意により、縁部研磨面は、凸状の湾曲面であるか、または、少なくとも1つの凸状の湾曲面と、中央研磨面と平行ではない少なくとも1つの平坦面とを含む複数の表面をつなぐことにより形成される。   Optionally, the edge polishing surface is a convex curved surface or connects a plurality of surfaces including at least one convex curved surface and at least one flat surface not parallel to the central polishing surface. Is formed.

任意により、縁部研磨面が凸状の湾曲面である場合は、縁部研磨面は中央研磨面に接しており、縁部研磨面が複数の表面をつなぐことにより形成される場合は、中央研磨面とつながっている縁部研磨面の表面は中央研磨面に接している凸状の湾曲面である。   Optionally, if the edge polishing surface is a convex curved surface, the edge polishing surface is in contact with the central polishing surface, and if the edge polishing surface is formed by connecting multiple surfaces, The surface of the edge polishing surface connected to the polishing surface is a convex curved surface in contact with the central polishing surface.

任意により、湾曲面は円弧状表面である。   Optionally, the curved surface is an arcuate surface.

任意により、研磨面よりも低い非研磨面を基部本体がさらに備えていることが好ましい。研磨面は、基部本体上に環状に設けられており、非研磨面が位置する面上の研磨面の凸部が非研磨面を囲んでいる。   Optionally, it is preferred that the base body further comprises a non-polished surface that is lower than the polished surface. The polishing surface is annularly provided on the base body, and the convex portion of the polishing surface on the surface where the non-polishing surface is located surrounds the non-polishing surface.

任意により、研磨面の原表面が、相互につながっている縁部研磨面および中央研磨面を含んでいる場合、縁部研磨面は内縁部研磨面および外縁部研磨面を含んでおり、中央研磨面は内縁部研磨面と外縁部研磨面との間に配置される。   Optionally, if the original surface of the polishing surface includes an edge polishing surface and a central polishing surface that are interconnected, the edge polishing surface includes an inner edge polishing surface and an outer edge polishing surface, and the central polishing surface The surface is disposed between the inner edge polishing surface and the outer edge polishing surface.

任意により、基部本体はディスク形状である。   Optionally, the base body is disk-shaped.

任意により、研磨粒子は、ダイヤモンドまたは立方晶窒化ホウ素(CBN)を含む。   Optionally, the abrasive particles comprise diamond or cubic boron nitride (CBN).

一実施形態においては、
基部本体および研磨粒子を提供することと、
基部本体の研磨面に粗面化処理を行い、研磨面が凸凹となるよう研磨面に一定の粗度を付与することと、
研磨粒子を基部本体の研磨面上に敷き、研磨粒子の少なくとも一部分を研磨面の窪み中に埋設し、窪み中の研磨粒子の少なくとも一部分の突起を上向きにすることと、
研磨粒子を研磨面上に固着させることと、
を含む研磨パッドドレッサの製造方法が提供される。
In one embodiment,
Providing a base body and abrasive particles;
Performing a roughening treatment on the polishing surface of the base body, giving a certain roughness to the polishing surface so that the polishing surface is uneven;
Laying the abrasive particles on the polishing surface of the base body, burying at least a portion of the abrasive particles in a recess in the polishing surface, with the protrusions of at least a portion of the abrasive particles in the recess facing upward,
Fixing abrasive particles on the polishing surface;
A method of manufacturing a polishing pad dresser is provided.

任意により、粗面化処理はブラスト加工である。   Optionally, the roughening process is blasting.

任意により、研磨粒子は、電気めっきプロセス、化学ろう付けプロセス、金属焼結プロセスまたは化学蒸着プロセスによって研磨面上に固着される。   Optionally, the abrasive particles are affixed onto the polishing surface by an electroplating process, chemical brazing process, metal sintering process or chemical vapor deposition process.

一実施形態において、上記の研磨パッドドレッサを備える研磨パッドドレッシング装置が提供される。   In one embodiment, a polishing pad dressing apparatus comprising the above polishing pad dresser is provided.

任意により、研磨パッドドレッシング装置は、研磨パッドドレッサを駆動するように構成された駆動構造をさらに備える。   Optionally, the polishing pad dressing apparatus further comprises a drive structure configured to drive the polishing pad dresser.

一実施形態においては、
研磨パッドを備える研磨装置と、
研磨パッドをドレッシングするように構成された上記研磨パッドドレッシング装置と、
を備える研磨システムが提供される。
In one embodiment,
A polishing apparatus comprising a polishing pad;
The polishing pad dressing apparatus configured to dress the polishing pad;
A polishing system is provided.

従来の解決法と比して、本開示は以下の利点を有する。   Compared to conventional solutions, the present disclosure has the following advantages.

本開示において提供されている研磨パッドドレッサにおいては、研磨面の粗度が高められており、かつ、多面体で規則的な形状を有する研磨粒子が採用されており、これにより、研磨粒子は研磨面の窪み中に埋設可能とされており、この窪み中の研磨粒子の少なくとも一部分の突起は研磨面と逆向きとされている。研磨パッドのドレッシングにダイヤモンドドレッサが用いられる際に、研磨粒子の突起が研磨パッドに対向し、これにより、研磨効果が向上される。その上、研磨粒子は規則的な形状を有するために優れた耐破壊靭性を有し、これにより、ダイヤモンド研磨粒子が壊れることによりシリコンスライスにスクラッチが生じる可能性が低減される。しかも、研磨面の粗度が大きいことにより、バインダと基部本体との間の接着が向上される。   In the polishing pad dresser provided in the present disclosure, the roughness of the polishing surface is increased, and abrasive particles having a regular shape with a polyhedron are employed. The projections of at least a part of the abrasive particles in the recess are opposite to the polishing surface. When a diamond dresser is used for dressing the polishing pad, the protrusions of the abrasive particles face the polishing pad, thereby improving the polishing effect. In addition, because the abrasive particles have a regular shape, they have excellent fracture toughness, which reduces the possibility of scratching the silicon slices due to the diamond abrasive particles breaking. Moreover, since the roughness of the polished surface is large, the adhesion between the binder and the base body is improved.

本開示において提供されている研磨パッドドレッサが形成される際には、研磨粒子が基部本体の研磨面上に敷かれた後、研磨粒子の突起が、いかなる外力をも伴わずに、バランスが保たれた状態で上向きとされることが可能である。研磨粒子が研磨面上に固着された後、研磨面の窪み中の研磨粒子の少なくとも一部分の突起は研磨面と逆向きである。従って、研磨粒子の突起を上向きにするために余分なツールまたは加工が必要とされず、研磨パッドドレッサの製造を単純かつ容易にすることができる。   When the polishing pad dresser provided in the present disclosure is formed, the abrasive particle protrusions are laid on the polishing surface of the base body, and the protrusions of the abrasive particles maintain a balance without any external force. It can be pointed up in a leaned state. After the abrasive particles are affixed onto the polishing surface, the protrusions of at least a portion of the abrasive particles in the recesses of the polishing surface are opposite to the polishing surface. Accordingly, no extra tool or processing is required to make the protrusions of the abrasive particles upward, and the manufacture of the polishing pad dresser can be made simple and easy.

従来のダイヤモンドドレッサの断面図を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the sectional view of the conventional diamond dresser. 他の従来のダイヤモンドドレッサの断面図を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly the cross-sectional view of another conventional diamond dresser. 本開示の第1の実施形態に係る研磨パッドドレッサの断面図を概略的に示す図である。It is a figure showing roughly a sectional view of a polishing pad dresser concerning a 1st embodiment of this indication. 本開示の第1の実施形態に係る研磨パッドドレッサの垂直視図を概略的に示す図であり、図3は、図4中のAA方向に沿った研磨パッドドレッサの断面図である。FIG. 3 is a diagram schematically showing a vertical view of the polishing pad dresser according to the first embodiment of the present disclosure, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the polishing pad dresser along the AA direction in FIG. 4. 図3中のQ部分の逆向きの部分拡大図を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the partial enlarged view of the reverse direction of Q part in FIG. 本開示の第2の実施形態に係る研磨パッドドレッサの基部本体の断面図を概略的に示す図であり、ここで、基部本体の研磨面は原表面である。It is a figure showing roughly a sectional view of a base part main part of a polishing pad dresser concerning a 2nd embodiment of this indication, and here, a polish side of a base part main part is an original surface. 本開示の第2の実施形態に係る研磨パッドドレッサの基部本体の垂直視図を概略的に示す図であり、図6は、図7中のBB方向に沿った研磨パッドドレッサの断面図である。FIG. 6 is a diagram schematically illustrating a vertical view of a base body of a polishing pad dresser according to a second embodiment of the present disclosure, and FIG. 6 is a cross-sectional view of the polishing pad dresser along the BB direction in FIG. 7. . 図6中のM部分の部分拡大図を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the elements on larger scale of the M section in FIG. 本開示の第2の実施形態に係る研磨パッドドレッサの断面図を概略的に示す図である。FIG. 6 is a diagram schematically illustrating a cross-sectional view of a polishing pad dresser according to a second embodiment of the present disclosure. 本開示の第2の実施形態に係る研磨パッドドレッサの垂直視図を概略的に示す図であり、図9は、図10中のCC方向に沿った研磨パッドドレッサの断面図である。FIG. 9 is a diagram schematically showing a vertical view of a polishing pad dresser according to a second embodiment of the present disclosure, and FIG. 9 is a cross-sectional view of the polishing pad dresser along the CC direction in FIG. 10. 本開示の一実施形態に係る研磨システムの構造図を概略的に示す図である。It is a figure showing roughly the structure figure of the polish system concerning one embodiment of this indication.

上記のとおり、従来の研磨パッドドレッサにおける研磨粒子に良好な研磨効果および良好な耐破壊靭性をともに持たせることは困難である。   As described above, it is difficult to impart both good polishing effect and good fracture toughness to the abrasive particles in the conventional polishing pad dresser.

第2の従来のダイヤモンドドレッサにおけるダイヤモンド研磨粒子による研磨効果が劣っている理由は以下に記載されているとおりである。図2をさらに参照すると、研磨面Sは平坦である。研磨面Sは、粗度(Rz)が一般に1μm〜2μmと比較的小さいため、研磨面Sは理想的な平坦面であると言うことが可能である。ダイヤモンド研磨粒子3は多面体で規則的な形状を有する。六角柱形状を有するダイヤモンド研磨粒子3が一例である。ダイヤモンドドレッサ1が形成される際には、要求を満たす基部本体2が用意され、この基部本体2は基部本体2の研磨面Sを上方に向けて支持台上に設置され、ダイヤモンド研磨粒子3が研磨面S上に敷かれる。ダイヤモンド研磨粒子3は、その重力と研磨面Sによる保持力とでバランスを保つことができる。研磨面Sは理想的な平坦面であるため、バランスが保たれた状態で、ダイヤモンド研磨粒子3の平坦面P2が研磨面Sと一致する場合がある。そして、平坦面P2とは反対側のダイヤモンド研磨粒子3の他の平坦面P1が研磨面Sと平行となる。ダイヤモンド研磨粒子3が研磨面S上に固着された後、平坦面P1は研磨面Sと依然として平行である。すなわち、平坦面P1は研磨面Sと反対側にある。従って、研磨パッドのドレッシングにダイヤモンドドレッサ1が用いられる際に、ダイヤモンド研磨粒子3の平坦面P1が研磨パッドに対向することとなり、研磨効果が劣ったものとなってしまう。   The reason why the polishing effect by the diamond abrasive particles in the second conventional diamond dresser is inferior is as described below. Still referring to FIG. 2, the polishing surface S is flat. Since the polishing surface S has a relatively small roughness (Rz) of generally 1 μm to 2 μm, it can be said that the polishing surface S is an ideal flat surface. The diamond abrasive particles 3 are polyhedral and have a regular shape. Diamond abrasive particles 3 having a hexagonal column shape are an example. When the diamond dresser 1 is formed, a base body 2 that satisfies the requirements is prepared. The base body 2 is placed on a support base with the polishing surface S of the base body 2 facing upward, and the diamond abrasive particles 3 are formed. It is laid on the polishing surface S. The diamond abrasive particles 3 can maintain a balance between the gravity and the holding force by the polishing surface S. Since the polishing surface S is an ideal flat surface, the flat surface P2 of the diamond polishing particle 3 may coincide with the polishing surface S in a balanced state. Then, the other flat surface P1 of the diamond abrasive particle 3 opposite to the flat surface P2 is parallel to the polishing surface S. After the diamond abrasive particles 3 are fixed on the polishing surface S, the flat surface P1 is still parallel to the polishing surface S. That is, the flat surface P1 is on the side opposite to the polishing surface S. Therefore, when the diamond dresser 1 is used for dressing the polishing pad, the flat surface P1 of the diamond abrasive particles 3 faces the polishing pad, and the polishing effect is inferior.

新規の研磨パッドドレッサが本開示の実施形態において提供されている。研磨パッドドレッサの基部本体の研磨面は研磨面の粗度が高められていることによって凸凹であり、多面体で規則的な形状を有する研磨粒子が採用される。それ故、研磨面上に固着された研磨粒子の突起が研磨面と逆向きになる。研磨パッドのドレッシングにダイヤモンドドレッサが用いられる際に、研磨粒子の突起が研磨パッドに対向し、これにより、研磨効果が向上される。その上、研磨粒子は規則的な形状を有するために優れた耐破壊靭性を有し、これにより、ダイヤモンド研磨粒子が壊れることによりシリコンスライスにスクラッチが生じる可能性が低減される。   A new polishing pad dresser is provided in an embodiment of the present disclosure. The polishing surface of the base body of the polishing pad dresser is uneven due to the increased roughness of the polishing surface, and abrasive particles having a regular shape with a polyhedron are employed. Therefore, the protrusions of the abrasive particles fixed on the polishing surface are opposite to the polishing surface. When a diamond dresser is used for dressing the polishing pad, the protrusions of the abrasive particles face the polishing pad, thereby improving the polishing effect. In addition, because the abrasive particles have a regular shape, they have excellent fracture toughness, which reduces the possibility of scratching the silicon slices due to the diamond abrasive particles breaking.

本開示の目的、特徴および利点を明確にするために、本開示の実施形態の詳細を添付の図面と合わせて説明する。   In order to clarify the objects, features and advantages of the present disclosure, details of embodiments of the present disclosure will be described in conjunction with the accompanying drawings.

上記のとおり、ダイヤモンドドレッサの基部本体の研磨面上に固着された研磨粒子は、研磨粒子の平坦面が研磨面と反対側にある状態、および、研磨粒子の突起が研磨面と逆向きにある状態の2つの状態を有する。後者の状態において、より良好な研磨効果が達成される。本開示の実施形態において、研磨粒子の平坦面が研磨面と反対側にあるとは、以下の通り定義される。研磨粒子は多面体である。研磨パッドのドレッシングに研磨パッドドレッサが用いられる際に、研磨パッドと最初に接触することとなる研磨粒子の部分は、研磨パッドの表面と平行である平坦面である。これに対応して、研磨粒子の突起が研磨面と逆向きにあるとは、以下の通り定義される。研磨粒子は多面体である。研磨パッドのドレッシングに研磨パッドドレッサが用いられる際に、研磨パッドと最初に接触することとなる研磨粒子の部分は、平坦面ではなく研磨粒子の突起である。   As described above, the abrasive particles fixed on the polishing surface of the base body of the diamond dresser are in a state where the flat surface of the abrasive particles is opposite to the polishing surface, and the protrusions of the abrasive particles are opposite to the polishing surface. It has two states: state. In the latter state, a better polishing effect is achieved. In the embodiment of the present disclosure, the flat surface of the abrasive particles being on the side opposite to the polishing surface is defined as follows. The abrasive particles are polyhedral. When a polishing pad dresser is used for dressing the polishing pad, the portion of the abrasive particles that will first contact the polishing pad is a flat surface that is parallel to the surface of the polishing pad. Correspondingly, it is defined as follows that the protrusions of the abrasive particles are opposite to the polishing surface. The abrasive particles are polyhedral. When a polishing pad dresser is used for dressing the polishing pad, the portion of the abrasive particles that first comes into contact with the polishing pad is a projection of the abrasive particles, not a flat surface.

<実施形態1>
図3を参照すると、研磨パッドドレッサ100は、複数の研磨粒子110および基部本体120を備える。研磨粒子110は多面体で規則的な形状を有する。基部本体120は研磨面S1を有する。図5を参照すると、研磨面S1の粗度(Rz)によって、研磨面S1が凸凹である。研磨粒子110は研磨面S1上に固着されている。
<Embodiment 1>
Referring to FIG. 3, the polishing pad dresser 100 includes a plurality of abrasive particles 110 and a base body 120. The abrasive particles 110 are polyhedral and have a regular shape. The base body 120 has a polishing surface S1. Referring to FIG. 5, the polishing surface S1 is uneven due to the roughness (Rz) of the polishing surface S1. The abrasive particles 110 are fixed on the polishing surface S1.

研磨粒子110は、正八面体形状、正十二面体形状、正二十面体形状、角柱形状または角錐形状等を有する。しかしながら、研磨粒子110の形状は本開示の実施形態に限定されるものではない。   The abrasive particle 110 has a regular octahedron shape, a regular dodecahedron shape, a regular icosahedron shape, a prismatic shape, a pyramid shape, or the like. However, the shape of the abrasive particles 110 is not limited to the embodiment of the present disclosure.

研磨面S1は、研磨面S1が一定の粗度を有することで凸凹となり、少なくとも1個の研磨粒子110が研磨面S1の窪み中に埋設可能となるように、研磨面S1を形成するように構成された基部本体120の表面に対して粗面化処理を行うことにより形成される。本開示の実施形態において、研磨面S1を形成するように構成された基部本体120の表面は、研磨面S1の原表面を画定する。すなわち、粗面化処理を実施する前は、研磨面S1が原表面と呼ばれる。いくつかの実施形態において、研磨面S1の原表面は平坦である。研磨パッドのドレッシングに研磨パッドドレッサ100が用いられる際、研磨面S1の原表面は研磨パッドの表面と平行である。   The polishing surface S1 is uneven when the polishing surface S1 has a certain roughness, and the polishing surface S1 is formed so that at least one polishing particle 110 can be embedded in the recess of the polishing surface S1. It is formed by performing a roughening process on the surface of the configured base body 120. In an embodiment of the present disclosure, the surface of the base body 120 configured to form the polishing surface S1 defines the original surface of the polishing surface S1. That is, before the roughening treatment is performed, the polished surface S1 is called the original surface. In some embodiments, the original surface of the polishing surface S1 is flat. When the polishing pad dresser 100 is used for dressing the polishing pad, the original surface of the polishing surface S1 is parallel to the surface of the polishing pad.

図5をさらに参照すると、ダイヤモンド研磨粒子110が研磨面S1上に敷かれた後、研磨粒子110は、その重力と研磨面S1による保持力とでバランスを保つことができる。研磨面S1は凸凹であるために、バランスが保たれた状態にある研磨粒子110の少なくとも複数部分が研磨面の窪みS1中に埋設され、各研磨粒子の1つ(または2つ以上)の平坦面が研磨面の窪みS1と接触させられる。研磨面の窪みS1と接触する平坦面は研磨面S1の原表面S0と平行ではない場合があり、それ故、研磨面の窪みS1と接触している平坦面と反対側の表面(研磨面から最も離れている表面)もまた研磨面S1の原表面S0とは平行ではない場合がある。従って、研磨粒子110の最も高い部分は研磨粒子110の突起であり、すなわち、研磨粒子110の突起Tは研磨面S1と逆向きとなる。研磨パッドのドレッシングに研磨パッドドレッサ100が用いられる際、研磨粒子110の少なくとも1部分の突起Tは研磨パッドと対向し、これにより、研磨効果が向上される。   Referring further to FIG. 5, after the diamond abrasive particles 110 are laid on the polishing surface S1, the abrasive particles 110 can be balanced by their gravity and the holding force by the polishing surface S1. Since the polishing surface S1 is uneven, at least a plurality of portions of the abrasive particles 110 in a balanced state are embedded in the recess S1 of the polishing surface, and one (or more) of each polishing particle is flat. The surface is brought into contact with the indentation S1 of the polishing surface. The flat surface in contact with the recess S1 of the polishing surface may not be parallel to the original surface S0 of the polishing surface S1, and therefore the surface opposite the flat surface in contact with the recess S1 of the polishing surface (from the polishing surface). The farthest surface) may also not be parallel to the original surface S0 of the polishing surface S1. Accordingly, the highest portion of the abrasive particle 110 is the protrusion of the abrasive particle 110, that is, the protrusion T of the abrasive particle 110 is opposite to the polishing surface S1. When the polishing pad dresser 100 is used for dressing the polishing pad, at least one portion of the protrusion T of the abrasive particle 110 faces the polishing pad, thereby improving the polishing effect.

上記から、研磨面S1の粗度を高め、多面体で規則的な形状を有する研磨粒子110を用いることにより、研磨粒子110が基部本体120の研磨面S1上に敷かれた後にいかなる外力をも伴わずに、研磨粒子110の突起Tをバランスが保たれた状態で上方に向けることが可能であることが理解される。研磨面S1上に研磨粒子110が固着された後、研磨面の窪みS1中にある研磨粒子110の少なくとも一部分の突起Tは研磨面S1と逆向きになる。研磨パッドのドレッシングに研磨パッドドレッサ100が用いられる際、研磨粒子110の突起Tは研磨パッドに対向し、これにより、研磨効果が向上される。その上、研磨粒子110は規則的な形状を有するため、これらは優れた耐破壊靭性を有し、これにより、研磨粒子110がこわれることによりシリコンスライスにスクラッチが生じる可能性が低減される。   From the above, it is possible to increase the roughness of the polishing surface S1 and use any external force after the polishing particles 110 are laid on the polishing surface S1 of the base body 120 by using the polyhedral and regular abrasive particles 110. It is understood that the protrusions T of the abrasive particles 110 can be directed upward without being balanced. After the abrasive particles 110 are fixed on the polishing surface S1, at least a part of the protrusions T of the abrasive particles 110 in the recess S1 of the polishing surface is opposite to the polishing surface S1. When the polishing pad dresser 100 is used for dressing the polishing pad, the protrusions T of the polishing particles 110 face the polishing pad, thereby improving the polishing effect. In addition, since the abrasive particles 110 have a regular shape, they have excellent fracture toughness, which reduces the possibility of scratching the silicon slice due to the abrasive particles 110 being broken.

いくつかの実施形態においては、研磨面S1の1つの窪みに1個の研磨粒子110が埋設されていてもよい。いくつかの実施形態において、研磨面S1の1つの窪みに2個以上の研磨粒子110が埋設されていてもよい。研磨面の窪み中に埋設される研磨粒子の数は研磨面の粗度のみならず、研磨粒子のサイズにも関連している場合がある。   In some embodiments, one abrasive particle 110 may be embedded in one recess of the polishing surface S1. In some embodiments, two or more abrasive particles 110 may be embedded in one recess of the polishing surface S1. The number of abrasive particles embedded in the recesses in the polishing surface may be related not only to the roughness of the polishing surface but also to the size of the polishing particles.

研磨粒子110の形状が一定である場合、研磨面S1の粗度を変えることにより研磨粒子110の切削角度が変えられ、これにより、研磨粒子110の研磨効果に影響を与えることが可能である。研磨面S1の粗度が一定のままである場合、研磨粒子110の形状を変えることにより研磨粒子110の切削角度が変えられ、これにより、研磨効果に影響を与えることが可能である。   When the shape of the abrasive particles 110 is constant, the cutting angle of the abrasive particles 110 can be changed by changing the roughness of the polishing surface S1, thereby affecting the polishing effect of the abrasive particles 110. When the roughness of the polished surface S1 remains constant, the cutting angle of the abrasive particles 110 can be changed by changing the shape of the abrasive particles 110, thereby affecting the polishing effect.

いくつかの実施形態において、研磨面S1の粗度は100μm〜300μmの範囲であり、これにより研磨面S1が凸凹とされる。しかしながら、研磨面S1の粗度はこれに限定されず、研磨面S1を凸凹にし、かつ、少なくとも1個の研磨粒子110を研磨面S1の1つの窪み中に埋設可能とする他の好適な値であってもよい。   In some embodiments, the roughness of the polishing surface S1 ranges from 100 μm to 300 μm, which makes the polishing surface S1 uneven. However, the roughness of the polishing surface S1 is not limited to this, and other suitable values that make the polishing surface S1 uneven and allow at least one abrasive particle 110 to be embedded in one recess of the polishing surface S1. It may be.

いくつかの実施形態において、図3および図4をさらに参照すると、基部本体120は、非研磨面S2をさらに有する。研磨面S1は非研磨面S2よりも高い。それ故、研磨パッドのドレッシングに研磨パッドドレッサ100が用いられる際、研磨面S1は、非研磨面S2よりも先に研磨パッドの表面に接触する。研磨面S1は基部本体120に環状に分布しており、非研磨面S2が位置する面上の研磨面S1の凸部が非研磨面S2を囲んでいてもよい。   In some embodiments, with further reference to FIGS. 3 and 4, the base body 120 further has a non-abrasive surface S2. The polished surface S1 is higher than the non-polished surface S2. Therefore, when the polishing pad dresser 100 is used for dressing the polishing pad, the polishing surface S1 contacts the surface of the polishing pad before the non-polishing surface S2. The polishing surface S1 may be distributed annularly in the base body 120, and the convex portion of the polishing surface S1 on the surface where the non-polishing surface S2 is located may surround the non-polishing surface S2.

いくつかの実施形態において、基部本体120はディスク形状であり、100nm〜300nmの範囲の半径を有する。いくつかの実施形態において、基部本体120は、研磨パッドのドレッシングに適した他の形状を有していてもよい。いくつかの実施形態において、基部本体120はステンレス鋼製である。   In some embodiments, the base body 120 is disk-shaped and has a radius in the range of 100 nm to 300 nm. In some embodiments, the base body 120 may have other shapes suitable for dressing a polishing pad. In some embodiments, the base body 120 is made of stainless steel.

いくつかの実施形態において、研磨粒子110は、ダイヤモンドまたは立方晶窒化ホウ素(CBN)を含む。いくつかの実施形態において、研磨粒子110は、ダイヤモンド研磨粒子である。他の実施形態において、研磨粒子110は、研磨パッドのドレッシングに好適な他の材料製である。   In some embodiments, the abrasive particles 110 comprise diamond or cubic boron nitride (CBN). In some embodiments, the abrasive particles 110 are diamond abrasive particles. In other embodiments, the abrasive particles 110 are made of other materials suitable for dressing a polishing pad.

研磨パッドドレッサ100は、基部本体120の研磨面S1の上に研磨粒子110を固着させるように構成されたバインダ130をさらに含んでいてもよい。研磨粒子110を基部本体120上に固着するための方法は種々存在する。研磨粒子110は、電気めっき、化学ろう付け、金属焼結または化学蒸着によって基部本体に固着される。   The polishing pad dresser 100 may further include a binder 130 configured to fix the abrasive particles 110 on the polishing surface S <b> 1 of the base body 120. There are various methods for fixing the abrasive particles 110 on the base body 120. The abrasive particles 110 are secured to the base body by electroplating, chemical brazing, metal sintering or chemical vapor deposition.

研磨面S1の粗度は大きいため、バインダ130と基部本体120との間の接着性は高められる。   Since the roughness of the polished surface S1 is large, the adhesion between the binder 130 and the base body 120 is enhanced.

基部本体120上の研磨面S1の分布は上記の実施形態に限定されるものではない。当業者は、本開示の実施形態に基づいて調整および変更を行うことが可能である。いくつかの実施形態において、研磨面S1は、基部本体120上で環状に分布していることが可能である。   The distribution of the polishing surface S1 on the base body 120 is not limited to the above embodiment. Persons skilled in the art can make adjustments and modifications based on the embodiments of the present disclosure. In some embodiments, the polishing surface S1 can be distributed annularly on the base body 120.

<実施形態2>
いくつかの改良が実施形態1に成されて、実施形態2が提供されている。図6〜8に示されているとおり、研磨パッドドレッサ100は、実施形態1における研磨パッドドレッサ100とは異なる。実施形態2において、研磨面の原表面S0は凸状表面とされている。原表面S0は、相互につながっている縁部研磨面S12および中央研磨面S11を備える。縁部研磨面S12は中央研磨面S11を囲んでおり、中央研磨面S11は平坦であると共に縁部研磨面S12よりも高くなっている。実施形態1において、研磨面S1の原表面S0は平坦である。
<Embodiment 2>
Several improvements have been made to Embodiment 1 and Embodiment 2 is provided. As shown in FIGS. 6 to 8, the polishing pad dresser 100 is different from the polishing pad dresser 100 in the first embodiment. In the second embodiment, the original surface S0 of the polishing surface is a convex surface. The original surface S0 includes an edge polishing surface S12 and a central polishing surface S11 that are connected to each other. The edge polishing surface S12 surrounds the center polishing surface S11, and the center polishing surface S11 is flat and higher than the edge polishing surface S12. In the first embodiment, the original surface S0 of the polishing surface S1 is flat.

具体的には、いくつかの実施形態において、中央研磨面S11は境界のすべてで縁部研磨面S12とつながっており、中央研磨面S11が位置する面上の縁部研磨面S12の凸部が中央研磨面S11を囲んでいる。縁部研磨面S12は、中央研磨面S11につながっている外縁部研磨面S121および内縁部研磨面S122を備えている。中央研磨面S11は、内縁部研磨面と外縁部研磨面との間に位置している。   Specifically, in some embodiments, the central polishing surface S11 is connected to the edge polishing surface S12 at all of the boundaries, and the convex portion of the edge polishing surface S12 on the surface on which the central polishing surface S11 is located. The central polishing surface S11 is surrounded. The edge polishing surface S12 includes an outer edge polishing surface S121 and an inner edge polishing surface S122 connected to the central polishing surface S11. The central polishing surface S11 is located between the inner edge polishing surface and the outer edge polishing surface.

いくつかの実施形態において、中央研磨面S11は、以下の通り定義される平坦面である。研磨パッドのドレッシングに研磨パッドドレッサ100が用いられる際、平坦面は研磨パッドの表面と平行である。中央研磨面S11が縁部研磨面S12よりも高くなっているとは、研磨パッドのドレッシングに研磨パッドドレッサ100が用いられる際、縁部研磨面S12よりも先に中央研磨面S11が研磨パッドの表面に接触することを意味する。すなわち、研磨面S1の原表面S0は凸状である。   In some embodiments, the central polishing surface S11 is a flat surface defined as follows. When the polishing pad dresser 100 is used for dressing the polishing pad, the flat surface is parallel to the surface of the polishing pad. The central polishing surface S11 is higher than the edge polishing surface S12 when the polishing pad dresser 100 is used for dressing the polishing pad. The central polishing surface S11 is the polishing pad before the edge polishing surface S12. Means contact with the surface. That is, the original surface S0 of the polishing surface S1 is convex.

いくつかの実施形態において、内縁部研磨面S122および外縁部研磨面S121は凸状の円弧状表面であり、中央研磨面S11に接している。それ故、内縁部研磨面S122および外縁部研磨面S121は中央研磨面S11と滑らかにつながっている。凸状の円弧状表面に関して、円弧状表面の中央部は、研磨パッドのドレッシングに研磨パッドドレッサ100が用いられる間、研磨面S1よりも上方にある。   In some embodiments, the inner edge polishing surface S122 and the outer edge polishing surface S121 are convex arcuate surfaces that are in contact with the central polishing surface S11. Therefore, the inner edge polishing surface S122 and the outer edge polishing surface S121 are smoothly connected to the central polishing surface S11. With respect to the convex arcuate surface, the center of the arcuate surface is above the polishing surface S1 while the polishing pad dresser 100 is used for dressing the polishing pad.

中央研磨面S11は好適な幅Wを有する。一方で、幅Wは、研磨パッドドレッサ100と研磨パッドとの間に十分な接触面積を形成し、これにより、研磨粒子110の各々による荷重の分散が好適となり、研磨粒子110が剥離する可能性が低減されるよう、可能な限り大きくすべきである。他方で、幅Wは、研磨パッドドレッサ100のサイズが過度に大きくなることを防止し、かつ、中央研磨面S11の外縁部上にある研磨粒子110の剥脱を防止するために、過度に大きくすべきでない。いくつかの実施形態において、幅Wは1mm〜30mmの範囲である。研磨パッドドレッサ100のサイズが大きい場合には、幅Wは比較的大きくてもよく、そうでない場合には、幅は比較的小さくてもよい。   The central polishing surface S11 has a suitable width W. On the other hand, the width W forms a sufficient contact area between the polishing pad dresser 100 and the polishing pad, thereby making it possible to distribute the load by each of the polishing particles 110 and to separate the polishing particles 110. Should be as large as possible so that is reduced. On the other hand, the width W is excessively increased in order to prevent the size of the polishing pad dresser 100 from becoming excessively large and to prevent the abrasive particles 110 on the outer edge of the central polishing surface S11 from peeling off. Should not. In some embodiments, the width W ranges from 1 mm to 30 mm. If the size of the polishing pad dresser 100 is large, the width W may be relatively large, and if not, the width may be relatively small.

形状が円弧状とされる場合、外縁部研磨面S121は好適な半径R1を有する。一方で、半径R1は、研磨パッドドレッサ100と研磨パッドとの間に十分な接触面積を形成し、これにより、研磨粒子110の各々による荷重の分散が好適となり、研磨粒子110が剥離する可能性が低減されるよう、可能な限り大きくすべきである。他方で、半径R1は、外縁部研磨面S121と研磨パッドとの間の接触面積のサイズが過度に大きくなることを防止するために過度に大きくすべきでない。外縁部研磨面S121と研磨パッドとの間の接触面積が過度に大きい場合、外縁部研磨面S121の外縁部(中央研磨面S11から比較的離れた)にある研磨粒子110は容易に剥脱してしまう可能性がある。例えば、幅Wおよび半径R1がきわめて小さい場合、研磨パッドドレッサ100と研磨パッドとの間の接触面積が小さくなり、これにより、研磨粒子110は容易に剥脱してしまう可能性がある。いくつかの実施形態において、半径R1は、15mm〜25mmの範囲である。   When the shape is an arc shape, the outer edge polishing surface S121 has a suitable radius R1. On the other hand, the radius R1 forms a sufficient contact area between the polishing pad dresser 100 and the polishing pad, thereby making it possible to distribute the load by each of the abrasive particles 110, and the abrasive particles 110 may be peeled off. Should be as large as possible so that is reduced. On the other hand, the radius R1 should not be excessively large in order to prevent the size of the contact area between the outer edge polishing surface S121 and the polishing pad from becoming excessively large. When the contact area between the outer edge polishing surface S121 and the polishing pad is excessively large, the abrasive particles 110 on the outer edge (relatively away from the central polishing surface S11) of the outer edge polishing surface S121 easily peel off. There is a possibility. For example, when the width W and the radius R1 are very small, the contact area between the polishing pad dresser 100 and the polishing pad becomes small, and thus the abrasive particles 110 may easily peel off. In some embodiments, the radius R1 ranges from 15mm to 25mm.

形状が円弧状とされる場合、内縁部研磨面S122は好適な半径R2を有する。一方で、半径R2は、研磨パッドドレッサ100と研磨パッドとの間に十分な接触面積を形成し、これにより、研磨粒子110の各々による荷重の分散が好適となり、研磨粒子110が剥離する可能性が低減されるよう、可能な限り大きくすべきである。他方で、半径R2は、内縁部研磨面S122がほぼ平坦となることを防止するために過度に大きくすべきでない。内縁部研磨面S122がほぼ平坦である場合には、研磨パッドドレッサ100が研磨パッドの中心に向かう方向に沿って動いた際に、内縁部研磨面S122(非研磨面S2に比較的近い)の内縁部にあるダイヤモンド研磨粒子110は研磨パッドの表面との距離が比較的近くなり、これにより、内縁部にあるダイヤモンド研磨粒子110と研磨パッド縁部とが衝突する可能性が高くなってしまう可能性がある。いくつかの実施形態において、半径R2は15mm〜25mmの範囲である。   When the shape is an arc, the inner edge polishing surface S122 has a suitable radius R2. On the other hand, the radius R2 forms a sufficient contact area between the polishing pad dresser 100 and the polishing pad, thereby making it possible to distribute the load by each of the polishing particles 110 and to separate the polishing particles 110. Should be as large as possible so that is reduced. On the other hand, the radius R2 should not be excessively large to prevent the inner edge polishing surface S122 from becoming substantially flat. When the inner edge polishing surface S122 is substantially flat, the inner edge polishing surface S122 (which is relatively close to the non-polishing surface S2) when the polishing pad dresser 100 moves along the direction toward the center of the polishing pad. The diamond polishing particles 110 at the inner edge are relatively close to the surface of the polishing pad, which may increase the possibility of collision between the diamond polishing particles 110 at the inner edge and the polishing pad edge. There is sex. In some embodiments, radius R2 ranges from 15 mm to 25 mm.

いくつかの実施形態において、研磨面S1の原表面S0は、中央研磨面S11、内縁部研磨面S122および外縁部研磨面S121をつなぐことにより形成してもよい。中央研磨面S11は平坦面であり、内縁部研磨面および外縁部研磨面は中央研磨面S11に接する凸状の円弧状表面である。従って、一方で、研磨面S1の原表面S0が滑らかな曲面なので研磨面S1における応力集中を防止することができ、他方で、研磨面S1の製造プロセスをより単純にすることができる。   In some embodiments, the original surface S0 of the polishing surface S1 may be formed by connecting the central polishing surface S11, the inner edge polishing surface S122, and the outer edge polishing surface S121. The center polishing surface S11 is a flat surface, and the inner edge polishing surface and the outer edge polishing surface are convex arcuate surfaces in contact with the center polishing surface S11. Therefore, on the one hand, since the original surface S0 of the polishing surface S1 is a smooth curved surface, stress concentration on the polishing surface S1 can be prevented, and on the other hand, the manufacturing process of the polishing surface S1 can be simplified.

しかしながら、外縁部研磨面S121および内縁部研磨面S122の形状はこれに限定されない。   However, the shapes of the outer edge polishing surface S121 and the inner edge polishing surface S122 are not limited to this.

いくつかの実施形態において、円弧状表面である外縁部研磨面S121および内縁部研磨面S122は、中央研磨面S11に接していなくてもよい。   In some embodiments, the outer edge polishing surface S121 and the inner edge polishing surface S122 that are arcuate surfaces may not be in contact with the central polishing surface S11.

他の実施形態において、外縁部研磨面S121および内縁部研磨面S122は他のタイプの湾曲面であってもよい。   In other embodiments, the outer edge polishing surface S121 and the inner edge polishing surface S122 may be other types of curved surfaces.

いくつかの実施形態において、外縁部研磨面S121および内縁部研磨面S122は、複数の表面をつなげることにより形成されてもよい。これらの複数の表面は、少なくとも1つの凸状の湾曲面と、中央研磨面S11と平行ではない少なくとも1つの平坦面とを含んでいてもよい。外縁部研磨面S121が確実に滑らかな曲面となるよう、中央研磨面S11とつながっている外縁部研磨面S121の表面は、中央研磨面S11に接する凸状の湾曲面としてもよい。同様に、内縁部研磨面S122が滑らかな曲面となるよう、中央研磨面S11とつながっている内縁部研磨面S122の表面は、中央研磨面S11に接する凸状の湾曲面としてもよい。しかも、外縁部研磨面S121および内縁部研磨面S122の製造プロセスを単純化するために、外縁部研磨面S121および内縁部研磨面S122の湾曲面は円弧状表面とし、円弧状表面の中央が研磨面S1より上方に構成されるようにしてもよい。   In some embodiments, the outer edge polishing surface S121 and the inner edge polishing surface S122 may be formed by connecting a plurality of surfaces. The plurality of surfaces may include at least one convex curved surface and at least one flat surface that is not parallel to the central polishing surface S11. In order to ensure that the outer edge polishing surface S121 is a smooth curved surface, the surface of the outer edge polishing surface S121 connected to the central polishing surface S11 may be a convex curved surface in contact with the central polishing surface S11. Similarly, the surface of the inner edge polishing surface S122 connected to the central polishing surface S11 may be a convex curved surface in contact with the central polishing surface S11 so that the inner edge polishing surface S122 is a smooth curved surface. Moreover, in order to simplify the manufacturing process of the outer edge polishing surface S121 and the inner edge polishing surface S122, the curved surfaces of the outer edge polishing surface S121 and the inner edge polishing surface S122 are arc-shaped surfaces, and the center of the arc-shaped surface is polished. You may make it comprise above surface S1.

いくつかの実施形態において、外縁部研磨面S121および内縁部研磨面S122は、円弧状表面と平坦面とをつなぐことにより形成してもよい。円弧状表面は、中央研磨面S11につながっていると共にこれに接している。平坦面は中央研磨面S11と平行ではなく、かつ、円弧状表面に接している。いくつかの実施形態において、外縁部研磨面S121および内縁部研磨面S122は、2つの円弧状表面と平坦面とをつなぐことにより形成してもよい。平坦面は、2つの円弧状表面の間に配置され、2つの円弧状表面に接しており、中央研磨面S11と平行ではない。2つの円弧状表面の一方は、中央研磨面S11につながっていると共にこれに接している。   In some embodiments, the outer edge polishing surface S121 and the inner edge polishing surface S122 may be formed by connecting an arcuate surface and a flat surface. The arcuate surface is connected to and in contact with the central polishing surface S11. The flat surface is not parallel to the central polishing surface S11 and is in contact with the arcuate surface. In some embodiments, the outer edge polishing surface S121 and the inner edge polishing surface S122 may be formed by connecting two arcuate surfaces and a flat surface. The flat surface is disposed between the two arcuate surfaces, is in contact with the two arcuate surfaces, and is not parallel to the central polishing surface S11. One of the two arcuate surfaces is connected to and in contact with the central polishing surface S11.

外縁部研磨面S121および内縁部研磨面S122が、円弧状表面および平坦面によって形成される滑らかな表面である場合、研磨面S1の原表面S0も滑らかな曲面であり、研磨面S1における応力集中を防止する。   When the outer edge polishing surface S121 and the inner edge polishing surface S122 are smooth surfaces formed by an arcuate surface and a flat surface, the original surface S0 of the polishing surface S1 is also a smooth curved surface, and stress concentration on the polishing surface S1 To prevent.

外縁部研磨面S121および内縁部研磨面S122の形状は上記の実施形態に限定されない。当業者は、本開示の実施形態に基づいて調整および変更を行うことが可能である。   The shapes of the outer edge polishing surface S121 and the inner edge polishing surface S122 are not limited to the above embodiment. Persons skilled in the art can make adjustments and modifications based on the embodiments of the present disclosure.

基部本体120上での研磨面S1の分布は上記の実施形態に限定されない。当業者は、本開示の実施形態に基づいて調整および変更を行うことができる。いくつかの実施形態において、研磨面S1は基部本体120上で環状に分布されていてもよく、処理済中央研磨面S11’が位置する面上の処理済縁部研磨面S12’の凸部は処理済中央研磨面S11’を囲んでいる。   The distribution of the polishing surface S1 on the base body 120 is not limited to the above embodiment. Those skilled in the art can make adjustments and modifications based on the embodiments of the present disclosure. In some embodiments, the polishing surface S1 may be distributed annularly on the base body 120, and the convex portion of the processed edge polishing surface S12 ′ on the surface where the processed central polishing surface S11 ′ is located is Surrounding the treated central polishing surface S11 ′.

実施形態2においては、実施形態2における研磨パッドドレッサ100と実施形態1における研磨パッドドレッサ100との差異について詳細に記載するが、他の類似する技術については実施形態1を参照することで見出されるので、これらについてはここでは詳細に記載しない。   In the second embodiment, differences between the polishing pad dresser 100 in the second embodiment and the polishing pad dresser 100 in the first embodiment will be described in detail, but other similar techniques can be found by referring to the first embodiment. Therefore, these are not described in detail here.

図9および図10を参照すると、いくつかの実施形態において、研磨面S1の原表面S0に粗面化処理を行った後、凸凹面を有する研磨面S1が得られる。処理の後、内縁部研磨面S122は処理済内縁部研磨面S122’となり、外縁部研磨面S121は処理済外縁部研磨面S121’となり、中央研磨面S11は処理済中央研磨面S11’となる。   With reference to FIGS. 9 and 10, in some embodiments, after roughening the original surface S0 of the polishing surface S1, a polishing surface S1 having an uneven surface is obtained. After the processing, the inner edge polishing surface S122 becomes the processed inner edge polishing surface S122 ′, the outer edge polishing surface S121 becomes the processed outer edge polishing surface S121 ′, and the central polishing surface S11 becomes the processed central polishing surface S11 ′. .

実施形態1と比較して、実施形態2では以下の利点が得られる。研磨パッドのドレッシングに研磨パッドドレッサ100が用いられる際、処理済外縁部研磨面S121’ の上にある研磨粒子110と処理済内縁部研磨面S122’の上にある研磨粒子110は、いずれも処理済中央研磨面S11上にあるものよりも高い。研磨パッドへの研磨パッドドレッサ100の押込深さが比較的小さい場合、処理済中央研磨面S11’上の研磨粒子110と、処理済外縁部研磨面S121’および処理済内縁部研磨面S122’のわずかな部分上の研磨粒子110とのみが研磨に用いられ、一方で、外縁部および内縁部上の研磨粒子110のほとんどは研磨に用いられない可能性がある。従って、外縁部および内縁部上の研磨粒子110の使用効率は低減され、剥離する可能性が低減される。   Compared to the first embodiment, the second embodiment provides the following advantages. When the polishing pad dresser 100 is used for dressing the polishing pad, both the abrasive particles 110 on the treated outer edge polishing surface S121 ′ and the abrasive particles 110 on the treated inner edge polishing surface S122 ′ are treated. Higher than that on the finished central polishing surface S11. When the indentation depth of the polishing pad dresser 100 into the polishing pad is relatively small, the polishing particles 110 on the processed central polishing surface S11 ′, the processed outer edge polishing surface S121 ′, and the processed inner edge polishing surface S122 ′. Only the abrasive particles 110 on a small portion may be used for polishing, while most of the abrasive particles 110 on the outer and inner edges may not be used for polishing. Therefore, the use efficiency of the abrasive particles 110 on the outer edge and the inner edge is reduced, and the possibility of peeling is reduced.

研磨パッドのドレッシングに研磨パッドドレッサ100が用いられる際、処理済内縁部研磨面S122’上の研磨粒子110は処理済中央研磨面S11’上の研磨粒子110よりも高い。研磨パッドドレッサ100が研磨パッドの中央に向かう方向に沿って動いた場合、内縁部および外縁部上のダイヤモンド研磨粒子110は研磨パッドの表面よりも上方にあり、これにより、内縁部および外縁部上の研磨粒子110と、研磨パッドの縁部上の研磨粒子110とが衝突する可能性が低減される。   When the polishing pad dresser 100 is used for dressing the polishing pad, the abrasive particles 110 on the processed inner edge polishing surface S122 'are higher than the abrasive particles 110 on the processed central polishing surface S11'. When the polishing pad dresser 100 moves along the direction toward the center of the polishing pad, the diamond abrasive particles 110 on the inner edge and the outer edge are above the surface of the polishing pad, thereby causing the upper edge on the inner edge and the outer edge. The possibility of collision between the abrasive particles 110 and the abrasive particles 110 on the edge of the polishing pad is reduced.

いくつかの実施形態においては、研磨パッドドレッサの製造方法が提供されている。図3を参照すると、この方法は以下のステップを含む。   In some embodiments, a method of manufacturing a polishing pad dresser is provided. Referring to FIG. 3, the method includes the following steps.

基部本体120および複数の研磨粒子110が提供される。粗面化処理が基部本体120の研磨面S1に行われる。図5を参照すると、研磨粒子110は基部本体120の研磨面S1上に敷かれる。研磨粒子110は、その重力と研磨面S1による保持力とでバランスを保つ。バランスが保たれた状態においては、研磨粒子110の少なくとも一部分は研磨面の窪みS1中に埋設される。研磨粒子110の最も高い部分は平坦面ではなく、研磨粒子110の突起Tとされる。すなわち、突起Tが上向きとされる。次いで、研磨粒子110は、バインダ130によって研磨面S1上に固着される。研磨粒子110を研磨面S1上に固着させる方法に関するさらなる詳細は、研磨パッドドレッサを製造する従来の方法を参照することで見出される。研磨粒子110が研磨面S1上に固着された後もまた、研磨粒子110の突起Tは上向きに維持される。   A base body 120 and a plurality of abrasive particles 110 are provided. A roughening process is performed on the polishing surface S <b> 1 of the base body 120. Referring to FIG. 5, the abrasive particles 110 are laid on the polishing surface S <b> 1 of the base body 120. The abrasive particles 110 maintain a balance between the gravity and the holding force by the polishing surface S1. In a state where the balance is maintained, at least a part of the abrasive particles 110 is embedded in the recess S1 of the polishing surface. The highest portion of the abrasive particle 110 is not a flat surface but a protrusion T of the abrasive particle 110. That is, the protrusion T is directed upward. Next, the abrasive particles 110 are fixed on the polishing surface S <b> 1 by the binder 130. Further details regarding the method of securing the abrasive particles 110 onto the polishing surface S1 can be found by reference to conventional methods of manufacturing polishing pad dressers. Even after the abrasive particles 110 are fixed on the polishing surface S1, the protrusions T of the abrasive particles 110 are maintained upward.

上記の研磨パッドドレッサの製造方法において、研磨粒子110の突起Tを上向きに維持させるための余分なツールまたは加工は必要とされず、これにより、この方法は、実施が単純および容易である。   In the manufacturing method of the polishing pad dresser described above, no extra tool or processing is required to keep the protrusions T of the abrasive particles 110 facing upward, which makes the method simple and easy to implement.

いくつかの実施形態においては、研磨パッドドレッシング装置が提供されており、これは、上記の実施形態のいずれか一つによる研磨パッドドレッサ100を備える。いくつかの実施形態においては、図11に示されているとおり、研磨パッドドレッシング装置200は、研磨パッドドレッサ100を駆動するように構成された駆動構造をさらに備えている。いくつかの実施形態において、駆動構造は、研磨パッドドレッサ100に接続され、研磨パッドドレッサ100を駆動して回転させるように構成された駆動軸210と、駆動軸210に回転可能に接続されている揺動アーム220と、揺動アーム220を支持し、揺動アーム220を駆動して移動させるように構成された揺動軸230と、ドレッシング液ノズル240とを備える。電気モータが揺動アーム220に設けられており、駆動軸210に接続されてこれを駆動して回転させて、研磨パッドドレッサ100が回転される。揺動軸230は、揺動用電気モータに接続されている。揺動用電気モータは揺動軸230を揺動させて、研磨パッド310の表面上で、研磨パッド310の表面の径方向に沿って研磨パッドドレッサ100を移動させる。研磨パッド310をドレッシングしている間、研磨パッドドレッサ100は研磨パッド310に押圧され、研磨台320および研磨パッドドレッサ100が駆動されて回転され、ドレッシング液が研磨されるべき研磨パッド310の表面に供給される。   In some embodiments, a polishing pad dressing apparatus is provided, which comprises a polishing pad dresser 100 according to any one of the above embodiments. In some embodiments, as shown in FIG. 11, the polishing pad dressing apparatus 200 further comprises a drive structure configured to drive the polishing pad dresser 100. In some embodiments, the drive structure is connected to the polishing pad dresser 100 and is configured to be rotatably connected to the drive shaft 210 and a drive shaft 210 configured to drive and rotate the polishing pad dresser 100. A swing arm 220, a swing shaft 230 configured to support the swing arm 220 and drive and move the swing arm 220, and a dressing liquid nozzle 240 are provided. An electric motor is provided on the swing arm 220, and is connected to the drive shaft 210 to drive and rotate it, thereby rotating the polishing pad dresser 100. The swing shaft 230 is connected to a swing electric motor. The swing electric motor swings the swing shaft 230 to move the polishing pad dresser 100 along the radial direction of the surface of the polishing pad 310 on the surface of the polishing pad 310. While dressing the polishing pad 310, the polishing pad dresser 100 is pressed against the polishing pad 310, and the polishing table 320 and the polishing pad dresser 100 are driven and rotated, so that the dressing liquid is applied to the surface of the polishing pad 310 to be polished. Supplied.

いくつかの実施形態において、研磨パッドドレッシング装置200は、研磨パッドドレッサ100以外にも他の構造をさらに備えていてもよい。   In some embodiments, the polishing pad dressing apparatus 200 may further include other structures besides the polishing pad dresser 100.

図11をさらに参照すると、研磨システム300が提供されている。研磨システム300は、研磨パッド310を備える研磨装置と、上記の実施形態のいずれか一つによる研磨パッドドレッシング装置200とを備え、研磨パッドドレッシング装置200は、研磨パッド310をドレッシングするように構成される。   With further reference to FIG. 11, a polishing system 300 is provided. The polishing system 300 includes a polishing apparatus including the polishing pad 310 and the polishing pad dressing apparatus 200 according to any one of the above embodiments, and the polishing pad dressing apparatus 200 is configured to dress the polishing pad 310. The

いくつかの実施形態において、研磨装置は、研磨パッド310を支持するように構成される研磨台320と、シリコンスライスを固定し、シリコンスライスを研磨パッド310の表面上に押圧するように構成される研削ヘッド330と、研削ヘッド330の上面に接続されている回転軸340と、砥粒ノズル350と、回転軸340に回転可能に接続されている揺動アーム360と、揺動アーム360を支持する揺動軸370をさらに備える。電気モータは揺動アーム360に設けられており、回転軸340に接続されてこれを駆動して回転させて、研削ヘッド330を回転させる。揺動軸370は揺動用電気モータに接続されている。揺動用電気モータは、揺動軸370を揺動させて、研磨パッド310の表面上で、研磨パッド310の表面の径方向に沿って研削ヘッド330を移動させる。   In some embodiments, the polishing apparatus is configured to fix the silicon slice and press the silicon slice onto the surface of the polishing pad 310, with the polishing table 320 configured to support the polishing pad 310. The grinding head 330, the rotary shaft 340 connected to the upper surface of the grinding head 330, the abrasive nozzle 350, the swing arm 360 rotatably connected to the rotary shaft 340, and the swing arm 360 are supported. A rocking shaft 370 is further provided. The electric motor is provided on the swing arm 360 and is connected to the rotating shaft 340 to drive and rotate the rotating shaft 340 to rotate the grinding head 330. The swing shaft 370 is connected to a swing electric motor. The swing electric motor swings the swing shaft 370 and moves the grinding head 330 on the surface of the polishing pad 310 along the radial direction of the surface of the polishing pad 310.

上記のとおり、本開示をその好ましい実施形態を参照することにより開示したが、これに限定されることはない。当業者は、本開示の趣旨および範囲から逸脱することなく実施形態を改変、変更することが可能である。従って、本発明の技術の概要の範囲から逸脱することなく、いかなる単純な変更および均等な変更も、本発明の技術の概要の保護範囲に属することとなる。   As noted above, the present disclosure has been disclosed with reference to preferred embodiments thereof, but is not limited thereto. Those skilled in the art can modify and change the embodiments without departing from the spirit and scope of the present disclosure. Therefore, any simple and equivalent changes shall fall within the protection scope of the technical outline of the present invention without departing from the scope of the technical outline of the present invention.

100 研磨パッドドレッサ
110 研磨粒子
S1 研磨面
S2 非研磨面
T 突起
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Polishing pad dresser 110 Abrasive particle S1 Polishing surface S2 Non-polishing surface T Protrusion

任意により、研磨面の粗度(十点平均粗さ)は、100μm〜300μmの範囲である。 Optionally, the roughness (ten-point average roughness) of the polished surface is in the range of 100 μm to 300 μm.

いくつかの実施形態において、基部本体120はディスク形状であり、100m〜300mの範囲の半径を有する。いくつかの実施形態において、基部本体120は、研磨パッドのドレッシングに適した他の形状を有していてもよい。いくつかの実施形態において、基部本体120はステンレス鋼製である。 In some embodiments, the base body 120 is disk-shaped and has a radius in the range of 100 mm to 300 mm . In some embodiments, the base body 120 may have other shapes suitable for dressing a polishing pad. In some embodiments, the base body 120 is made of stainless steel.

Claims (17)

多面体で規則的な形状を有する研磨粒子と、
研磨面を有する基部本体と、
を備える研磨パッドドレッサであって、
前記研磨面は一定の粗度を有することで前記研磨面が凸凹とされており、前記研磨粒子は前記研磨面上に固着されており、前記研磨粒子の少なくとも一部分が前記研磨面の窪み中に埋設されており、前記窪み中の前記研磨粒子の少なくとも一部分の突起が前記研磨面と逆向きであることを特徴とする、研磨パッドドレッサ。
Abrasive particles having a regular shape with a polyhedron;
A base body having a polished surface;
A polishing pad dresser comprising:
The polishing surface has a certain degree of roughness so that the polishing surface is uneven, the abrasive particles are fixed on the polishing surface, and at least a portion of the polishing particles are in the recesses of the polishing surface. A polishing pad dresser, wherein the polishing pad dresser is embedded and at least a part of the protrusions of the polishing particles in the recess is opposite to the polishing surface.
前記研磨面の前記粗度が、100μm〜300μmの範囲であることを特徴とする、請求項1に記載の研磨パッドドレッサ。   The polishing pad dresser according to claim 1, wherein the roughness of the polishing surface is in a range of 100 μm to 300 μm. 前記研磨粒子が、正八面体形状、正十二面体形状、正二十面体形状、角柱形状または角錐形状を有することを特徴とする、請求項1に記載の研磨パッドドレッサ。   The polishing pad dresser according to claim 1, wherein the abrasive particles have a regular octahedral shape, a regular dodecahedron shape, a regular icosahedron shape, a prismatic shape, or a pyramid shape. 前記研磨面の原表面が平坦面であるか、または、相互につながっている縁部研磨面および中央研磨面を備えており、前記縁部研磨面は前記中央研磨面を囲んでおり、前記中央研磨面は平坦面であると共に前記縁部研磨面よりも高く、前記原表面は粗面化処理が行われる前の前記研磨面であることを特徴とする、請求項1に記載の研磨パッドドレッサ。   An original surface of the polishing surface is a flat surface, or includes an edge polishing surface and a center polishing surface that are connected to each other, the edge polishing surface surrounding the center polishing surface, and the center polishing surface The polishing pad dresser according to claim 1, wherein the polishing surface is a flat surface and higher than the edge polishing surface, and the original surface is the polishing surface before the roughening treatment is performed. . 前記縁部研磨面が、凸状の湾曲面であるか、または、少なくとも1つの凸状の湾曲面と、前記中央研磨面と平行ではない少なくとも1つの平坦面とを含む複数の表面をつなぐことにより形成されることを特徴とする、請求項4に記載の研磨パッドドレッサ。   The edge polishing surface is a convex curved surface or connects a plurality of surfaces including at least one convex curved surface and at least one flat surface not parallel to the central polishing surface. The polishing pad dresser according to claim 4, wherein the polishing pad dresser is formed by: 前記縁部研磨面が凸状の湾曲面である場合は、前記縁部研磨面は前記中央研磨面に接しており、
前記縁部研磨面が複数の表面をつなぐことにより形成される場合は、前記中央研磨面とつながっている前記縁部研磨面の表面は前記中央研磨面に接している凸状の湾曲面であることを特徴とする、請求項5に記載の研磨パッドドレッサ。
When the edge polishing surface is a convex curved surface, the edge polishing surface is in contact with the central polishing surface,
When the edge polishing surface is formed by connecting a plurality of surfaces, the surface of the edge polishing surface connected to the central polishing surface is a convex curved surface in contact with the central polishing surface. The polishing pad dresser according to claim 5, wherein:
前記湾曲面が円弧状表面であることを特徴とする、請求項6に記載の研磨パッドドレッサ。   The polishing pad dresser according to claim 6, wherein the curved surface is an arcuate surface. 前記研磨面よりも低い非研磨面を前記基部本体がさらに備えており、前記研磨面は前記基部本体上に環状に設けられており、および、前記非研磨面が位置する面上の前記研磨面の前記凸部が前記非研磨面を囲んでいることを特徴とする、請求項4に記載の研磨パッドドレッサ。   The base body further includes a non-polishing surface lower than the polishing surface, the polishing surface is annularly provided on the base body, and the polishing surface on the surface where the non-polishing surface is located The polishing pad dresser according to claim 4, wherein the convex portion surrounds the non-polishing surface. 前記研磨面の前記原表面が相互につながっている縁部研磨面および中央研磨面を含んでいる場合、前記縁部研磨面は内縁部研磨面および外縁部研磨面を含み、前記中央研磨面は前記内縁部研磨面と外縁部研磨面との間に配置されることを特徴とする、請求項8に記載の研磨パッドドレッサ。   When the raw surface of the polishing surface includes an edge polishing surface and a central polishing surface that are interconnected, the edge polishing surface includes an inner edge polishing surface and an outer edge polishing surface, and the central polishing surface is The polishing pad dresser according to claim 8, wherein the polishing pad dresser is disposed between the inner edge polishing surface and the outer edge polishing surface. 前記基部本体がディスク形状であることを特徴とする、請求項1に記載の研磨パッドドレッサ。   The polishing pad dresser according to claim 1, wherein the base body has a disk shape. 前記研磨粒子がダイヤモンドまたは立方晶窒化ホウ素を含むことを特徴とする、請求項1に記載の研磨パッドドレッサ。   The polishing pad dresser according to claim 1, wherein the abrasive particles include diamond or cubic boron nitride. 基部本体および研磨粒子を提供することと、
前記基部本体の研磨面に粗面化処理を行い、前記研磨面が凸凹となるよう前記研磨面に一定の粗度を付与することと、
前記研磨粒子を前記基部本体の前記研磨面上に敷き、前記研磨粒子の少なくとも一部分を前記研磨面の窪み中に埋設し、前記窪み中の前記研磨粒子の少なくとも一部分の突起を上向きにすることと、
前記研磨粒子を前記研磨面上に固着させることと、
を含む研磨パッドドレッサの製造方法。
Providing a base body and abrasive particles;
Performing a roughening treatment on the polishing surface of the base body, and imparting a certain roughness to the polishing surface such that the polishing surface is uneven;
Laying the abrasive particles on the polishing surface of the base body, burying at least a portion of the abrasive particles in a recess in the polishing surface, and making a projection of at least a portion of the abrasive particle in the recess face upward ,
Fixing the abrasive particles on the polishing surface;
The manufacturing method of the polishing pad dresser containing this.
前記粗面化処理がブラスト加工であることを特徴とする、請求項12に記載の方法。   The method according to claim 12, wherein the roughening treatment is blasting. 前記研磨粒子が、電気めっき、化学ろう付け、金属焼結または化学蒸着によって前記基部本体上に固着されることを特徴とする、請求項12に記載の方法。   The method of claim 12, wherein the abrasive particles are secured onto the base body by electroplating, chemical brazing, metal sintering or chemical vapor deposition. 請求項1に記載の研磨パッドドレッサを備えることを特徴とする、研磨パッドドレッシング装置。   A polishing pad dressing apparatus comprising the polishing pad dresser according to claim 1. 前記研磨パッドドレッサを駆動するように構成された駆動構造をさらに備えることを特徴とする、請求項15に記載の研磨パッドドレッシング装置。   The polishing pad dressing apparatus according to claim 15, further comprising a drive structure configured to drive the polishing pad dresser. 研磨パッドを備える研磨装置と、
前記研磨パッドをドレッシングするように構成された請求項15に記載の研磨パッドドレッシング装置と、
を備えることを特徴とする研磨システム。
A polishing apparatus comprising a polishing pad;
The polishing pad dressing device according to claim 15 configured to dress the polishing pad;
A polishing system comprising:
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