JP2014232784A - 樹脂封止方法及び半導体装置 - Google Patents

樹脂封止方法及び半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2014232784A
JP2014232784A JP2013112414A JP2013112414A JP2014232784A JP 2014232784 A JP2014232784 A JP 2014232784A JP 2013112414 A JP2013112414 A JP 2013112414A JP 2013112414 A JP2013112414 A JP 2013112414A JP 2014232784 A JP2014232784 A JP 2014232784A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sealing
resin
bonding wire
resin material
sealing resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013112414A
Other languages
English (en)
Inventor
良樹 冨上
Yoshiki Togami
良樹 冨上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP2013112414A priority Critical patent/JP2014232784A/ja
Publication of JP2014232784A publication Critical patent/JP2014232784A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

【課題】封止樹脂材料の塗布範囲を精度よく制御してボンディングワイヤを樹脂封止できる樹脂封止方法を提供する。【解決手段】半導体素子３の端子３ａと他の部材１の端子１ａがボンディングワイヤ５を介して電気的に接続されている半導体素子実装体のボンディングワイヤ５が樹脂封止される。磁性材料を含んだ封止樹脂材料７が用いられる。ボンディングワイヤ５として強磁性を示す材料で形成されたボンディングワイヤが用いられる。磁力によって封止樹脂材料７の塗布範囲が制御され、ボンディングワイヤ５は封止樹脂材料７によって樹脂封止される。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体素子の端子と他の部材の端子がボンディングワイヤを介して電気的に接続されている半導体素子実装体のボンディングワイヤを樹脂封止する樹脂封止方法及び半導体装置に関するものである。
半導体素子の樹脂封止方法として、封止印刷方式、ディスペンス方式、スプレー方式などの技術が知られている。例えば、スプレー方式の樹脂封止方法では、ノズルを用いて霧状にされた封止樹脂材料が半導体素子に向けて吐出されて樹脂封止が行われる（例えば特許文献１を参照。）。
しかし、従来の樹脂封止方法は、封止樹脂の塗布範囲を制御することが困難であるという問題があった。例えば、半導体素子上や基板上に封止樹脂を塗布してはならない領域があるという制約がある場合に、意図せず封止樹脂を塗布してはならない領域に封止樹脂が塗布されてしまうという問題があった。
図８は、従来の樹脂封止方法を説明するための概略的な平面図である。図８（Ａ）は封止樹脂が塗布される前の状態を示している。図８（Ｂ）は１本のボンディングワイヤを覆うように封止樹脂が塗布された直後の状態を示す平面図である。
（Ａ）に示されるように、樹脂封止前の半導体素子実装体において、基板１０１上にＩＣ（integrated circuit）である半導体素子１０３が搭載されている。半導体素子１０３は外部との電気的接続をとるための端子１０３ａを備えている。半導体素子１０３には封止樹脂を塗布してはならない領域１０３ｂが設けられている。
基板１０１は半導体素子１０３の端子１０３ａと電気的に接続される端子１０１ａを備えている。半導体素子１０３の端子１０３ａと基板１０１の端子１０１ａはボンディングワイヤ１０５によって電気的に接続されている。ボンディングワイヤ１０５の素材は通常、金や銅などの反磁性体や、アルミニウムなどの常磁性体で形成されている。
（Ｂ）に示されるように、ボンディングワイヤ１０５を覆うように封止樹脂１０７が塗布される。封止樹脂１０７は半導体素子１０３の領域１０３ｂを覆わないように塗布される。しかし、通常のポッティングでは封止樹脂が塗布される領域を数マイクロメートルオーダーで制御することは困難である。したがって、（Ｂ）に示されるように、封止樹脂１０７が意図せずに半導体素子１０３の領域１０３ｂに広がってしまうという不具合がよく発生するという問題があった。
本発明は、封止樹脂材料の塗布範囲を精度よく制御してボンディングワイヤを樹脂封止できる樹脂封止方法を提供することを目的とする。
本発明にかかる樹脂封止方法は、半導体素子の端子と他の部材の端子がボンディングワイヤを介して電気的に接続されている半導体素子実装体のボンディングワイヤを樹脂封止する樹脂封止方法であって、磁性材料を含んだ封止樹脂材料が用いられ、上記ボンディングワイヤとして強磁性を示す材料を含んだボンディングワイヤが用いられ、磁力によって上記封止樹脂材料の塗布範囲を制御して上記ボンディングワイヤを上記封止樹脂材料によって樹脂封止することを特徴とする樹脂封止方法である。
本発明の樹脂封止方法は、封止樹脂材料の塗布範囲を精度よく制御してボンディングワイヤを樹脂封止できる。
本発明の樹脂封止方法の一実施例の工程を説明するための概略的な側面図である。 図１（１）に対応する概略的な平面図である。 図１（３）に対応する概略的な平面図である。 粉末状の封止樹脂材料の一例を説明するための概略的な断面図である。 本発明の樹脂封止方法の他の実施例の工程を説明するための概略的な側面図である。 図５（１）に対応する概略的な平面図である。 図５（３）に対応する概略的な平面図である。 、従来の樹脂封止方法を説明するための概略的な平面図である。
本発明の樹脂封止方法において、上記封止樹脂材料として粉末磁石を含んだ粉末状の封止樹脂材料が用いられる例を挙げることができる。例えば、粉末状の上記封止樹脂材料は、粉末磁石が樹脂で被覆されたものである。ただし、上記粉末状の封止樹脂材料は、粉末磁石が樹脂で被覆されたものに限定されない。
本発明の樹脂封止方法において、上記封止樹脂材料として粉末磁石を含んだ液状の封止樹脂材料が用いられる例を挙げることができる。
なお、本発明の樹脂封止方法において、磁性材料を含んだ封止樹脂材料は、上記に挙げられた粉末状又は液状のものに限定されない。
本発明にかかる樹脂封止方法の他の局面は、半導体素子の端子と他の部材の端子がボンディングワイヤを介して電気的に接続されている半導体素子実装体のボンディングワイヤを樹脂封止する樹脂封止方法であって、磁性材料を含んだ封止樹脂材料を用い、上記ボンディングワイヤに電流を流し、上記ボンディングワイヤの周囲に生じる電磁力によって上記封止樹脂材料の塗布範囲を制御して上記ボンディングワイヤを上記封止樹脂材料によって樹脂封止することを特徴とする樹脂封止方法である。
本発明の樹脂封止方法の上記他の局面において、上記封止樹脂材料として粉末磁石を含んだ粉末状の封止樹脂材料が用いられる例を挙げることができる。例えば、粉末状の上記封止樹脂材料は、粉末磁石が樹脂で被覆されたものである。ただし、上記粉末状の封止樹脂材料は、粉末磁石が樹脂で被覆されたものに限定されない。
本発明の樹脂封止方法の上記他の局面において、上記封止樹脂材料として粉末磁石を含んだ液状の封止樹脂材料が用いられる例を挙げることができる。
なお、本発明の樹脂封止方法の上記他の局面において、磁性材料を含んだ封止樹脂材料は、上記に挙げられた粉末状又は液状のものに限定されない。
本発明の樹脂封止方法において、上記ボンディングワイヤを樹脂封止する際に上記封止樹脂材料を霧状にして上記ボンディングワイヤに吹きかける例を挙げることができる。ただし、封止樹脂材料を塗布する方法は、封止樹脂材料を霧状にして吹きかける方法に限定されない。
本発明にかかる半導体装置は、本発明の樹脂封止方法によって上記ボンディングワイヤが上記封止樹脂材料によって樹脂封止された上記半導体素子実装体からなるものである。
以下に、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
図１は、本発明の樹脂封止方法の一実施例の工程を説明するための概略的な側面図である。図１におけるかっこ数字（１）〜（３）は以下に説明する工程（１）〜（３）に対応している。図２は、図１（１）に対応する概略的な平面図である。図３は、図１（３）に対応する概略的な平面図である。図１（３）及び図３は本発明の半導体装置の一実施例を概略的に示す図でもある。図４は、粉末状の封止樹脂材料の一例を説明するための概略的な断面図である。図１から図４を参照してこの実施例を説明する。
（１）樹脂封止前の半導体素子実装体において、例えば配線基板である他の部材１の上に例えばＩＣである半導体素子３が搭載されている。半導体素子３は例えばダイボンディング技術によって他の部材１に接着されている。半導体素子３は外部との電気的接続をとるための端子３ａを備えている。端子３ａの平面サイズは、例えば７ｍｍ（ミリメートル）〜１０ｍｍ角である。
半導体素子３には封止樹脂を塗布してはならない領域３ｂが設けられている。領域３ｂは、例えば、半導体素子３上に成膜されている材料や放熱性など、何らかの制約があって、封止樹脂を塗布することが好ましくない領域である。
他の部材１は半導体素子３の端子３ａと電気的に接続される端子１ａを備えている。端子１ａの平面サイズは、例えば７ｍｍ〜１０ｍｍ角である。
半導体素子３の端子３ａと他の部材１の端子１ａはボンディングワイヤ５によって電気的に接続されている。ボンディングワイヤ５は強磁性を示す材料、例えば鉄、コバルト、ニッケルなどを含有した、金、アルミニウムもしくは銅又はそれらの合金で形成されたものである。ボンディングワイヤ５の直径は、例えばΦ２０μｍ（マイクロメートル）〜４０μｍである。なお、ボンディングワイヤ５と端子１ａとの接合方法、及びボンディングワイヤ５と端子３ａとの接合方法は、特に限定されない。
（２）粉末磁石７ａが樹脂７ｂで被覆された粉末状の封止樹脂材料７（図４を参照。）を例えばスプレー式ノズルを用いて霧状にしてボンディングワイヤ５に吹きかける。粉末磁石７ａの粒径は例えば３μｍ〜６μｍである。粉末磁石７ａの材料は例えばフェライトやネオジウムなどである。樹脂７ｂの厚みは例えば０.５μｍ〜３μｍである。樹脂７ｂの材料は例えばエポキシである。なお、粉末状の封止樹脂材料７の材料及び寸法はこれらに限定されない。
（３）封止樹脂材料７は、その塗布範囲が磁力によって制御され、強磁性を示す材料で形成したボンディングワイヤ５の周りに集まる。ボンディングワイヤ５は封止樹脂材料７によって樹脂封止される。ボンディングワイヤ５表面の封止樹脂材料７の厚みは例えば３.５μｍ〜１０μｍである。なお、この実施例では、半導体素子３の端子３ａとボンディングワイヤ５は例えばボールボンドによって接合されているが、ボンディングワイヤ５のボール部分は強磁性を示す材料で形成されているので、このボール部分も封止樹脂材料７によって樹脂封止される。
このように、封止樹脂材料７の塗布範囲は磁力によって例えばミクロンオーダーで制御される。したがって、この実施例は、封止樹脂を塗布してはならない領域３ｂに封止樹脂材料７が塗布されないように封止樹脂材料７の塗布範囲を精度よく制御してボンディングワイヤ５を樹脂封止できる。
図５は、本発明の樹脂封止方法の他の実施例の工程を説明するための概略的な側面図である。図５におけるかっこ数字（１）〜（３）は以下に説明する工程（１）〜（３）に対応している。図６は、図５（１）に対応する概略的な平面図である。図７は、図５（３）に対応する概略的な平面図である。図５（３）及び図７は本発明の半導体装置の他の実施例を概略的に示す図でもある。図５から図７において、図１から図３と同じ機能を果たす部分には同じ符号が付されている。図５から図７を参照してこの実施例を説明する。
（１）樹脂封止前の半導体素子実装体において、半導体素子３の端子３ａと他の部材１の端子１ａはボンディングワイヤ９によって電気的に接続されている。ボンディングワイヤ９は、通常のワイヤボンディング技術に用いられる、金や銅などの反磁性体や、アルミニウムなどの常磁性体で形成されている。ボンディングワイヤ９の直径は、例えばΦ２０μｍ〜４０μｍである。なお、ボンディングワイヤ９と端子１ａとの接合方法、及びボンディングワイヤ９と端子３ａとの接合方法は、特に限定されない。
（２）他の部材１の端子１ａと半導体素子３の端子３ａにそれぞれプローブ針１１を接触させる。プローブ針１１を介してボンディングワイヤ９に電流を流し、粉末磁石７ａが樹脂７ｂで被覆された粉末状の封止樹脂材料７（図４を参照。）を例えばスプレー式ノズルを用いて霧状にしてボンディングワイヤ９に吹きかける。ボンディングワイヤ９に流す電流値は例えば、０.５〜１.０Ａ（アンペア）である。
なお、ボンディングワイヤ９に電流を流す方法は特に限定されない。また、ボンディングワイヤ９に電流を流す方向は特に限定されない。また、ボンディングワイヤ９に電流を流した状態で封止樹脂材料７を吹きかけてもよいし、封止樹脂材料７を吹きかけながらボンディングワイヤ９に電流を流し始めてもよい。
（３）封止樹脂材料７の塗布範囲は、ボンディングワイヤ９の周囲に生じる電磁力によって制御され、ボンディングワイヤ９の周りに集まる。ボンディングワイヤ９は封止樹脂材料７によって樹脂封止される。ボンディングワイヤ９表面の封止樹脂材料７の厚みは例えば３.５μｍ〜１０μｍである。なお、この実施例では、半導体素子３の端子３ａとボンディングワイヤ９は例えばボールボンドによって接合されているが、ボンディングワイヤ９のボール部分にも電流が流されるので、このボール部分も封止樹脂材料７によって樹脂封止される。
このように、封止樹脂材料７の塗布範囲はボンディングワイヤ９の周囲に生じる電磁力によって例えばミクロンオーダーで制御される。したがって、この実施例は、封止樹脂を塗布してはならない領域３ｂに封止樹脂材料７が塗布されないように封止樹脂材料７の塗布範囲を精度よく制御してボンディングワイヤ９を樹脂封止できる。
上記の実施例では、ボンディングワイヤ９に塗布される封止樹脂材料７として粉末状のものが用いられているが、本発明の樹脂封止方法において、封止樹脂材料は粉末磁石を含んだ液状の封止樹脂材料であってもよい。そのような液状の封止樹脂材料として、例えばエポキシ樹脂を挙げることができる。粉末磁石を含んだ液状の封止樹脂材料を用いる際には、その液状の封止樹脂材料を霧状にしてボンディングワイヤに吹きかけ、磁力によって封止樹脂材料の塗布範囲を制御してボンディングワイヤをその封止樹脂材料によって樹脂封止する。
以上、本発明の実施例を説明したが、上記実施例での材料、配置、個数、寸法等は一例であり、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。
例えば、上記実施例では、半導体素子３が実装される他の部材は他の部材１であるが、本発明において、他の部材は基板に限定されず、半導体素子の端子とボンディングワイヤを介して電気的に接続可能な端子を備えたものであればどのような部材であってもよい。
また、上記実施例では、半導体素子３に封止樹脂を塗布してはならない領域３ｂが設けられており、他の部材１には当該領域が設けられていないが、当該領域は、他の部材１にも設けられていてもよいし、他の部材１のみに設けられていてもよい。
また、本発明は、例えば半導体素子実装体に封止樹脂が形成された半導体装置のサイズの低減を目的として、ボンディングワイヤのみに封止樹脂を塗布するようにしてもよい。すなわち、半導体素子実装体において、封止樹脂を塗布してはならない領域は存在していなくてもよい。
１ 他の部材
１ａ 他の部材の端子
３ 半導体素子
３ａ 半導体素子の端子
５ ボンディングワイヤ
７ 封止樹脂材料
９ ボンディングワイヤ
特許第２７３８８９３号公報

Claims (10)

  1. 半導体素子の端子と他の部材の端子がボンディングワイヤを介して電気的に接続されている半導体素子実装体のボンディングワイヤを樹脂封止する樹脂封止方法であって、
    磁性材料を含んだ封止樹脂材料が用いられ、
    前記ボンディングワイヤとして強磁性を示す材料で形成されたボンディングワイヤが用いられ、
    磁力によって前記封止樹脂材料の塗布範囲を制御して前記ボンディングワイヤを前記封止樹脂材料によって樹脂封止することを特徴とする樹脂封止方法。
  2. 前記封止樹脂材料として粉末磁石を含んだ粉末状の封止樹脂材料が用いられる請求項１に記載の樹脂封止方法。
  3. 粉末状の前記封止樹脂材料は、粉末磁石が樹脂で被覆されたものである請求項２に記載の樹脂封止方法。
  4. 前記封止樹脂材料として粉末磁石を含んだ液状の封止樹脂材料が用いられる請求項１に記載の樹脂封止方法。
  5. 半導体素子の端子と他の部材の端子がボンディングワイヤを介して電気的に接続されている半導体素子実装体のボンディングワイヤを樹脂封止する樹脂封止方法であって、
    磁性材料を含んだ封止樹脂材料を用い、前記ボンディングワイヤに電流を流し、前記ボンディングワイヤの周囲に生じる電磁力によって前記封止樹脂材料の塗布範囲を制御して前記ボンディングワイヤを前記封止樹脂材料によって樹脂封止することを特徴とする樹脂封止方法。
  6. 前記封止樹脂材料として粉末磁石を含んだ粉末状の封止樹脂材料が用いられる請求項５に記載の樹脂封止方法。
  7. 粉末状の前記封止樹脂材料は、粉末磁石が樹脂で被覆されたものである請求項６に記載の樹脂封止方法。
  8. 前記封止樹脂材料として粉末磁石を含んだ液状の封止樹脂材料が用いられる請求項５に記載の樹脂封止方法。
  9. 前記ボンディングワイヤを樹脂封止する際に前記封止樹脂材料を霧状にして前記ボンディングワイヤに吹きかける請求項１から８のいずれか一項に記載の樹脂封止方法。
  10. 請求項１から９のいずれか一項に記載の樹脂封止方法によって前記ボンディングワイヤが前記封止樹脂材料によって樹脂封止された前記半導体素子実装体からなる半導体装置。
JP2013112414A 2013-05-28 2013-05-28 樹脂封止方法及び半導体装置 Pending JP2014232784A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013112414A JP2014232784A (ja) 2013-05-28 2013-05-28 樹脂封止方法及び半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013112414A JP2014232784A (ja) 2013-05-28 2013-05-28 樹脂封止方法及び半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014232784A true JP2014232784A (ja) 2014-12-11

Family

ID=52126005

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013112414A Pending JP2014232784A (ja) 2013-05-28 2013-05-28 樹脂封止方法及び半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2014232784A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114845939A (zh) * 2019-12-24 2022-08-02 大阪希琳阁印刷株式会社 包装材料的包装装置及包装方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114845939A (zh) * 2019-12-24 2022-08-02 大阪希琳阁印刷株式会社 包装材料的包装装置及包装方法
CN114845939B (zh) * 2019-12-24 2022-10-14 大阪希琳阁印刷株式会社 包装材料的包装装置及包装方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105845635B (zh) 电子封装结构
JP6060508B2 (ja) 平面コイル素子およびその製造方法
US9190389B2 (en) Chip package with passives
CN107369671B (zh) 半导体封装及其制造方法
CN102339763B (zh) 装配集成电路器件的方法
JP6332439B2 (ja) 電力変換装置
JP2018082142A (ja) 複合磁性封止材料及びこれをモールド材として用いた電子回路パッケージ
CN107305883A (zh) 电子封装件及其制法
US20120193737A1 (en) Mram device and method of assembling same
US7754533B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor device
US9231118B2 (en) Chip package with isolated pin, isolated pad or isolated chip carrier and method of making the same
US11437333B2 (en) Packaged semiconductor device with a reflow wall
JP2020504451A (ja) 表面が粗化された粒子を有するパッケージングされた半導体デバイス
TWI631584B (zh) 具有電極結構的電子元件、扼流器與電感元件以及形成電子元件之電極結構的方法
CN110024091A (zh) 封装半导体装置
CN106129018B (zh) 包括金属衬底和嵌入层合体的半导体模块的电子设备
JP6477262B2 (ja) コイル部品
JP2014232784A (ja) 樹脂封止方法及び半導体装置
US9196602B2 (en) High power dielectric carrier with accurate die attach layer
CN110301042A (zh) 带有导线键合网的半导体封装
US9728493B2 (en) Mold PackageD semiconductor chip mounted on a leadframe and method of manufacturing the same
JP2011171370A (ja) 半導体装置の製造方法、粒子、及び半導体装置
US20200352034A1 (en) Methods for Manufacturing Electronic Devices
CN105704929B (zh) 印刷电路板、集成电路封装件及制造印刷电路板的方法
TWI728604B (zh) 具有封裝內隔室屏蔽及主動電磁相容屏蔽的半導體封裝及其製作方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20150522