JP2014232136A - 表示装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】応答速度を向上させるとともに、液晶配向の安定性向上と、光の透過率の向上とを調和させることができる表示装置及び表示装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】表示装置は、対向する第１の基板及び第２の基板の間に液晶層を有する表示装置であって、第１基板は、第１電極と第２電極とを有し、第１電極又は第２電極は、第１の方向に延びる電極基部と、当該第１の方向と異なる第２方向に延び、かつ互いに一定距離を隔てて電極基部から櫛歯状に複数突出する櫛歯部とを含む。液晶層の液晶の初期配向状態として、第２の方向と平行方向である第３の方向に液晶分子の長軸が並ぶ。櫛歯部の長辺の電極基部側の部分と第３の方向とがなす角度は、櫛歯部の長辺の先端側の部分と第３の方向とがなす角度より大きい。【選択図】図１３

Description

本技術は、液晶を備える表示装置に関する。また、本技術は、液晶を備える表示装置を備えた電子機器に関する。

液晶を駆動する方式（モード）として、基板間に縦方向に発生する電界、いわゆる縦電界を用いる液晶駆動方式が知られている。このような縦電界を用いて液晶を駆動する液晶表示装置として、ＴＮ（Twisted Nematic：ツイステッドネマティック）、ＶＡ（Vertical Alignment：垂直配向）及びＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence：電界制御複屈折）等の縦電界型の液晶表示装置が知られている。また、特許文献１に記載されているように、液晶を駆動する方式として、基板に対して平行な方向（横方向）に発生する電界、いわゆる横電界を用いる液晶駆動方式も知られている。このような横電界を用いて液晶を駆動する液晶表示装置として、ＦＦＳ（Fringe Field Switching：フリンジフィールドスイッチング）及びＩＰＳ（In Plane Switching：インプレーンスイッチング）等の横電界型の液晶表示装置も知られている。

特開２００８−５２１６１号公報

上述した横電界型の液晶表示装置では、第１電極と第２電極との間で、かつ基板に対して平行方向に電界を形成することにより液晶分子を基板面と平行な面内で回転させ、その液晶分子の回転に対応した光透過率変化を利用して表示が行われる。横電界型の液晶表示装置は、液晶の応答速度を向上させることが求められている。応答速度を向上させる第１電極又は第２電極の形状によっては、液晶配向の安定性が悪くなったり、光の透過率が低下したりしてしまう可能性がある。なお、液晶配向の安定性が悪いとは、液晶の分子が所望の方向と反対方向を向いてしまうことが起こりやすいことをいう。

本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、応答速度を向上させるとともに、液晶配向の安定性向上と、光の透過率の向上とを調和させることができる表示装置及び表示装置を備えた電子機器を提供することにある。

本開示による表示装置は、対向する第１の基板及び第２の基板の間に液晶層を有する表示装置であって、前記第１基板は、第１電極と第２電極とを有し、前記第１電極は、第１の方向に延びる電極基部と、当該第１の方向と異なる第２の方向に延び、かつ互いに一定距離を隔てて前記電極基部から櫛歯状に複数突出する櫛歯部とを含み、前記櫛歯部は、前記電極基部が上または下に積層された接続部を有し、前記液晶層の液晶の初期配向状態として、前記第２の方向と平行方向である第３の方向に前記液晶層の液晶分子の長軸が並び、前記第１電極及び前記第２電極に対して電圧が印加されていない場合、前記液晶分子の長軸が前記第３の方向に並んで配向しており、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加される場合、前記液晶分子の長軸方向は、前記スリットの幅方向で対向する前記櫛歯部の長辺のうち一方の近傍領域において回転方向が右回りに、かつ他方の近傍領域において回転方向が左回りに、前記第１基板の面内方向で回転しながら、前記第１基板に対して垂直な方向に立ち上がるように配向し、前記櫛歯部の長辺の前記電極基部側の部分と前記第３の方向とがなす角度は、前記櫛歯部の長辺の先端側の部分と前記第３の方向とがなす角度より大きい。

本開示による望ましい態様として、前記第１の基板は、前記電極層と前記液晶層との間の第１配向膜を有し、前記第２の基板は、前記電極層と前記液晶層との間の第２配向膜を有し、前記第１配向膜は、前記第２方向と平行方向である前記第３の方向に配向処理され、前記第２配向膜は、前記第１配向膜の第３の方向と逆方向である第４の方向に配向処理される、ことが好ましい。

本開示による表示装置は、対向する第１の基板及び第２の基板の間に液晶層を有する表示装置であって、前記第１基板は、第１電極と第２電極とを有し、前記第１電極は、第１の方向に延びる電極基部と、当該第１の方向と異なる第２の方向に延び、かつ互いに一定距離を隔てて前記電極基部から櫛歯状に複数突出する櫛歯部とを含み、前記櫛歯部は、前記電極基部が上または下に積層された接続部を有し、前記液晶層の液晶の初期配向状態として、前記第２の方向と直交方向である第３の方向に前記液晶層の液晶分子の長軸が並び、前記第１電極及び前記第２電極に対して電圧が印加されていない場合、前記液晶分子の長軸が前記第３の方向に並んで配向しており、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加される場合、前記液晶分子の長軸方向は、前記スリットの幅方向で対向する前記櫛歯部の長辺のうち一方の近傍領域において回転方向が右回りに、かつ他方の近傍領域において回転方向が左回りに、前記第１基板の面内方向で回転しながら、前記第１基板に対して垂直な方向に立ち上がるように配向し、前記櫛歯部の長辺の前記電極基部側の部分と前記第２の方向とがなす角度は、前記櫛歯部の長辺の先端側の部分と前記第２の方向とがなす角度より大きい。

本開示による望ましい態様として、前記第１の基板は、前記電極層と前記液晶層との間の第１配向膜を有し、前記第２の基板は、前記電極層と前記液晶層との間の第２配向膜を有し、前記第１配向膜は、前記第２の方向と直交方向である第４の方向に配向処理され、前記第２配向膜は、前記第１配向膜の前記第４の方向と逆方向である第５の方向に配向処理される、ことが好ましい。

本開示による望ましい態様として、前記櫛歯部の長辺の先端側の部分と前記第２の方向とは平行である、ことが好ましい。

本開示による望ましい態様として、前記櫛歯部の先端は、当該櫛歯部の延在方向において対向する２つの前記櫛歯部間のスリット内にまで延在している、ことが好ましい。

本開示による望ましい態様として、前記櫛歯部の長辺は、前記電極基部側の部分から先端側の部分まで連続する曲線である、ことが好ましい。

本開示による望ましい態様として、前記櫛歯部の延在方向と前記第２の方向とがなす角度は、前記櫛歯部の長辺の先端側の部分と前記延在方向とがなす角度より小さい、ことが好ましい。

本開示による望ましい態様として、前記櫛歯部の延在方向と前記第２の方向とがなす角度は、前記スリットの幅方向で対向する前記櫛歯部の長辺のうち一方の先端側の部分と前記延在方向とがなす角度と、前記スリットの幅方向で対向する前記櫛歯部の長辺のうち他方の先端側の部分と前記延在方向とがなす角度と、の差の半分である、ことが好ましい。

本開示による望ましい態様として、前記櫛歯部の延在方向と前記第２の方向とは平行であり、前記スリットの幅方向で対向する前記櫛歯部の長辺のうち一方の先端側の部分と前記延在方向とがなす角度と、前記スリットの幅方向で対向する前記櫛歯部の長辺のうち他方の先端側の部分と前記延在方向とがなす角度と、は等しく、前記スリットの幅方向で対向する前記櫛歯部の長辺のうち一方の前記電極基部側の部分と前記延在方向とがなす角度と、前記スリットの幅方向で対向する前記櫛歯部の長辺のうち他方の前記電極基部側の部分と前記延在方向とがなす角度と、は等しい、ことが好ましい。

本開示による望ましい態様として、前記液晶層は、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加される場合、隣り合う前記櫛歯部間のスリットの幅方向において対向する前記櫛歯部の長辺のうち一方の近傍領域にある液晶分子と、前記対向する前記櫛歯部の長辺のうち他方の近傍領域にある液晶分子とが互いに逆方向に回転する、ことが好ましい。

本開示による望ましい態様として、前記電極基部は、透光性導電材料で形成されている、ことが好ましい。

本開示による望ましい態様として、前記電極基部は、金属材料で形成されている、ことが好ましい。

本開示による望ましい態様として、前記櫛歯部は、透光性導電材料で形成されている、ことが好ましい。

本開示による望ましい態様として、前記電極基部は、前記接続部よりも下層にある、ことが好ましい。

本開示による望ましい態様として、電子機器は、上述した表示装置を備え、前記表示装置に入力信号を供給する制御装置と、を有することが好ましい。

本開示によれば、応答速度を向上させるとともに、液晶配向の安定性向上と、光の透過率の向上とを調和させることができる表示装置及び表示装置を備えた電子機器を提供することができる。

図１は、実施形態１に係る表示装置のシステム構成例を表すブロック図である。 図２は、実施形態１に係る表示装置の画素を駆動する駆動回路を示す回路図である。 図３は、実施形態１に係る表示装置の画素を説明するための平面図である。 図４は、図３のＡ１−Ａ２線断面を示す模式図である。 図５は、実施形態１に係る第１電極の形状と開口部との関係を説明するための模式図である。 図６は、実施形態１に係る第１電極の形状と遮光位置との関係を説明するための模式図である。 図７は、実施形態１に係る表示装置において、液晶がポジ液晶であり、第１電極と第２電極との間に電界を形成する電圧が印加されない場合の液晶の配向を説明するための説明図である。 図８は、図７のＢ１−Ｂ２断面を示す模式図である。 図９は、実施形態１に係る表示装置において、液晶がポジ液晶であり、第１電極と第２電極との間に電界を形成する電圧が印加される場合の液晶の配向を説明するための説明図である。 図１０は、図９のＣ１−Ｃ２線断面を示す模式図である。 図１１は、実施形態１に係る表示装置において、液晶がネガ液晶であり、第１電極と第２電極との間に電界を形成する電圧が印加されない場合の液晶の配向を説明するための説明図である。 図１２は、実施形態１に係る表示装置において、液晶がネガ液晶であり、第１電極と第２電極との間に電界を形成する電圧が印加される場合の液晶の配向を説明するための説明図である。 図１３は、実施形態１に係る第１電極の形状を詳細に説明するための模式図である。 図１４は、実施形態１に係る第１電極を詳細に説明するための模式図である。 図１５は、図１４のＥ１−Ｅ２線断面を示す模式図である。 図１６は、実施形態１に係る第１電極の変形例を詳細に説明するための模式図である。 図１７は、図１５のＦ１−Ｆ２線断面を示す模式図である。 図１８は、図３のＡ１−Ａ２線断面の変形例を示す模式図である。 図１９は、実施形態１に係る第１電極の形状と開口部との関係の変形例を説明するための模式図である。 図２０は、実施形態１に係る第１電極の形状と開口部との関係の変形例を説明するための模式図である。 図２１は、実施形態１に係る第１電極の形状と開口部との関係の変形例を説明するための模式図である。 図２２は、実施形態１に係る第１電極の形状と開口部との関係の変形例を説明するための模式図である。 図２３は、実施形態１に係る第１電極の形状と開口部との関係の変形例を説明するための模式図である。 図２４は、実施形態２に係る表示装置の画素を説明するための平面図である。 図２５は、図２４のＧ１−Ｇ２線断面を示す模式図である。 図２６は、実施形態２に係る第１電極の形状と開口部との関係を説明するための模式図である。 図２７は、実施形態２に係る第１電極の形状と遮光位置との関係を説明するための模式図である。 図２８は、実施形態２に係る第１電極を詳細に説明するための模式図である。 図２９は、図２８のＨ１−Ｈ２線断面を示す模式図である。 図３０は、実施形態２に係る第１電極の変形例を詳細に説明するための模式図である。 図３１は、図３０のＪ１−Ｊ２線断面を示す模式図である。 図３２は、図２４のＧ１−Ｇ２線断面の変形例を示す模式図である。 図３３は、実施形態２に係る第１電極の形状と開口部との関係の変形例を説明するための模式図である。 図３４は、実施形態２に係る第１電極の形状と開口部との関係の変形例を説明するための模式図である。 図３５は、実施形態２に係る第１電極の形状と開口部との関係の変形例を説明するための模式図である。 図３６は、本実施形態に係る表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。 図３７は、本実施形態に係る表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。 図３８は、本実施形態に係る表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。 図３９は、本実施形態に係る表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。 図４０は、本実施形態に係る表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。 図４１は、本実施形態に係る表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。 図４２は、本実施形態に係る表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。 図４３は、本実施形態に係る表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。 図４４は、本実施形態に係る表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。 図４５は、本実施形態に係る表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。 図４６は、本実施形態に係る表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。 図４７は、本実施形態に係る表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。 図４８は、本実施形態に係る表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。 図４９は、本実施形態に係る表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。

本開示を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（表示装置）
２．適用例（電子機器）
上記実施の形態に係る表示装置が電子機器に適用されている例

＜１．実施形態（表示装置）＞
図１は、本実施形態に係る表示装置のシステム構成例を表すブロック図である。なお、表示装置１が本開示の「表示装置」の一具体例に相当する。

表示装置１は、透過型、又は半透過型の液晶表示装置であり、表示パネル２と、ドライバＩＣ３と、を備えている。図示しないフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuits）は、ドライバＩＣ３への外部信号又はドライバＩＣ３を駆動する駆動電力を伝送する。表示パネル２は、透光性絶縁基板、例えばガラス基板１１と、ガラス基板１１の表面にあり、液晶セルを含む画素がマトリクス状（行列状）に多数配置されてなる表示エリア部２１と、水平ドライバ（水平駆動回路）２３と、垂直ドライバ（垂直駆動回路）２２と、を備えている。ガラス基板１１は、能動素子（例えば、トランジスタ）を含む多数の画素回路がマトリクス状に配置形成される第１の基板と、この第１の基板と所定の間隙をもって対向して配置される第２の基板とによって構成される。第１の基板と第２の基板との間隙は、第１の基板上の各所に配置形成されるフォトスペーサによって所定の間隙に保持される。そして、これら第１の基板、第２の基板間に液晶が封入される。

（表示装置のシステム構成例）
表示パネル２は、ガラス基板１１上に、表示エリア部２１と、インターフェース（Ｉ／Ｆ）及びタイミングジェネレータの機能を備えるドライバＩＣ３と、垂直ドライバ２２及び水平ドライバ２３と、を備えている。

表示エリア部２１は、液晶層を含む画素Ｖｐｉｘが、表示上の１画素を構成するユニットがＭ行×Ｎ列に配置されたマトリクス（行列状）構造を有している。なお、この明細書において、行とは、一方向に配列されるＮ個の画素Ｖｐｉｘを有する画素行をいう。また、列とは、行が配列される方向と直交する方向に配列されるＭ個の画素Ｖｐｉｘを有する画素列をいう。そして、ＭとＮとの値は、垂直方向の表示解像度と水平方向の表示解像度に応じて定まる。表示エリア部２１は、画素ＶｐｉｘのＭ行Ｎ列の配列に対して行毎に走査線２４_１、２４_２、２４_３・・・２４_Ｍが配線され、列毎に信号線２５_１、２５_２、２５_３・・・２５_Ｎが配線されている。以後、本実施形態においては、走査線２４_１、２４_２、２４_３・・・２４_Ｍを代表して走査線２４のように表記し、信号線２５_１、２５_２、２５_３・・・２５_Ｎを代表して信号線２５のように表記することがある。また、本実施形態においては、走査線２４_１、２４_２、２４_３・・・２４_Ｍの任意の３本の走査線を、走査線２４_ｍ、２４_ｍ＋１、２４_ｍ＋２（ただし、ｍは、ｍ≦Ｍ−２を満たす自然数）のように表記し、信号線２５_１、２５_２、２５_３・・・２５_ｎの任意の４本の信号線を、信号線２５_ｎ、２５_ｎ＋１、２５_ｎ＋２、２５_ｎ＋３（ただし、ｎは、ｎ≦Ｎ−３を満たす自然数）のように表記する。

表示装置１には、外部から外部信号である、マスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号が入力され、ドライバＩＣ３に与えられる。ドライバＩＣ３は、外部電源の電圧振幅のマスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号を、液晶の駆動に必要な内部電源の電圧振幅にレベル変換し、マスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号を生成する。ドライバＩＣ３は、生成したマスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号をそれぞれ垂直ドライバ２２及び水平ドライバ２３に与える。ドライバＩＣ３は、画素Ｖｐｉｘ毎の共通電極ＣＯＭに対して各画素共通に与えるコモン電位ＶＣＯＭを生成して表示エリア部２１に与える。

垂直ドライバ２２は、垂直クロックパルスに同期してドライバＩＣ３から出力される表示データを１水平期間で順次サンプリングしラッチする。垂直ドライバ２２は、ラッチされた１ライン分のデジタルデータを垂直走査パルスとして順に出力し、表示エリア部２１の走査線２４_ｍ、２４_ｍ＋１、２４_ｍ＋２・・・に与えることによって画素Ｖｐｉｘを行単位で順次選択する。垂直ドライバ２２は、例えば、走査線２４_ｍ、２４_ｍ＋１、２４_ｍ＋２・・・の表示エリア部２１の上寄り、垂直走査上方向から、表示エリア部２１の下寄り、垂直走査下方向へ順にデジタルデータを出力する。また、垂直ドライバ２２は、走査線２４_ｍ、２４_ｍ＋１、２４_ｍ＋２・・・の表示エリア部２１の下寄り、垂直走査下方向から、表示エリア部２１の上寄り、垂直走査上方向へ順にデジタルデータを出力することもできる。

水平ドライバ２３には、例えば６ビットのＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のデジタル映像データＶｓｉｇが与えられる。水平ドライバ２３は、垂直ドライバ２２による垂直走査によって選択された行の各画素Ｖｐｉｘに対して、画素毎に、もしくは複数画素毎に、或いは全画素一斉に、信号線２５を介して表示データを書き込む。

表示装置１は、液晶素子に同極性の直流電圧が印加され続けることによって液晶の比抵抗（物質固有の抵抗値）等が劣化する可能性がある。表示装置１は、液晶の比抵抗（物質固有の抵抗値）等の劣化を防ぐため、駆動信号のコモン電位ＶＣＯＭを基準として映像信号の極性を所定の周期で反転させる駆動方式が採られる。

この液晶表示パネルの駆動方式として、ライン反転、ドット反転、フレーム反転などの駆動方式が知られている。ライン反転は、１ライン（１画素行）に相当する１Ｈ（Ｈは水平期間）の時間周期で映像信号の極性を反転させる駆動方式である。ドット反転は、互いに隣接する上下左右の画素毎に映像信号の極性を交互に反転させる駆動方式である。フレーム反転は、１画面に相当する１フレーム毎に全画素に書き込む映像信号を一度に同じ極性で反転させる駆動方式である。表示装置１は、上記の各駆動方式のいずれを採用することも可能である。

図２は、実施形態１に係る表示装置の画素を駆動する駆動回路を示す回路図である。表示エリア部２１には、各画素Ｖｐｉｘの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）素子Ｔｒに表示データとして画素信号を供給する信号線２５_ｎ、２５_ｎ＋１、２５_ｎ＋２、各ＴＦＴ素子Ｔｒを駆動する走査線２４_ｍ、２４_ｍ＋１、２４_ｍ＋２等の配線が形成されている。このように、信号線２５_ｎ、２５_ｎ＋１、２５_ｎ＋２は、上述したガラス基板１１の表面と平行な平面に延在し、画素Ｖｐｉｘに画像を表示するための画素信号を供給する。画素Ｖｐｉｘは、ＴＦＴ素子Ｔｒ及び液晶素子ＬＣを備えている。ＴＦＴ素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型のＴＦＴで構成されている。ＴＦＴ素子Ｔｒのソース又はドレインの一方は信号線２５_ｎ、２５_ｎ＋１、２５_ｎ＋２に接続され、ゲートは走査線２４_ｍ、２４_ｍ＋１、２４_ｍ＋２に接続され、ソース又はドレインの他方は液晶素子ＬＣの一端に接続されている。液晶素子ＬＣは、一端がＴＦＴ素子Ｔｒのソース又はドレインの他方に接続され、他端が共通電極ＣＯＭに接続されている。

画素Ｖｐｉｘは、走査線２４_ｍ、２４_ｍ＋１、２４_ｍ＋２により、表示エリア部２１の同じ行に属する他の画素Ｖｐｉｘと互いに接続されている。走査線２４_ｍ、２４_ｍ＋１、２４_ｍ＋２は、垂直ドライバ２２と接続され、垂直ドライバ２２から走査信号の垂直走査パルスＶｇａｔｅが供給される。また、画素Ｖｐｉｘは、信号線２５_ｎ、２５_ｎ＋１、２５_ｎ＋２により、表示エリア部２１の同じ列に属する他の画素Ｖｐｉｘと互いに接続されている。信号線２５_ｎ、２５_ｎ＋１、２５_ｎ＋２は、水平ドライバ２３と接続され、水平ドライバ２３より画素信号が供給される。さらに、画素Ｖｐｉｘは、共通電極ＣＯＭにより、表示エリア部２１の同じ列に属する他の画素Ｖｐｉｘと互いに接続されている。共通電極ＣＯＭは、不図示の駆動電極ドライバと接続され、駆動電極ドライバより駆動信号が供給される。

図１に示す垂直ドライバ２２は、垂直走査パルスを、図２に示す走査線２４_ｍ、２４_ｍ＋１、２４_ｍ＋２を介して、画素ＶｐｉｘのＴＦＴ素子Ｔｒのゲートに印加することにより、表示エリア部２１にマトリクス状に形成されている画素Ｖｐｉｘのうちの１行（１水平ライン）を表示駆動の対象として順次選択する。図１に示す水平ドライバ２３は、画素信号を、図２に示す信号線２５_ｎ、２５_ｎ＋１、２５_ｎ＋２を介して、垂直ドライバ２２により順次選択される１水平ラインを含む各画素Ｖｐｉｘにそれぞれ供給する。そして、これらの画素Ｖｐｉｘでは、供給される画素信号に応じて、１水平ラインの表示が行われるようになっている。駆動電極ドライバは、駆動信号を印加し、所定の本数の共通電極ＣＯＭを含む駆動電極ブロック毎に共通電極ＣＯＭを駆動する。

上述したように、表示装置１は、垂直ドライバ２２が走査線２４_ｍ、２４_ｍ＋１、２４_ｍ＋２を順次走査するように駆動することにより、１水平ラインが順次選択される。また、表示装置１は、１水平ラインに属する画素Ｖｐｉｘに対して、水平ドライバ２３が画素信号を供給することにより、１水平ラインずつ表示が行われる。この表示動作を行う際、駆動電極ドライバは、その１水平ラインに対応する共通電極ＣＯＭに対して駆動信号を印加するようになっている。

また、表示エリア部２１は、カラーフィルタを有する。カラーフィルタは、格子形状のブラックマトリクス７６ａと、開口部７６ｂと、を有する。ブラックマトリクス７６ａは、図２に示すように画素Ｖｐｉｘの外周を覆うように形成されている。つまり、ブラックマトリクス７６ａは、二次元配置された画素Ｖｐｉｘと画素Ｖｐｉｘとの境界に配置されることで、格子形状となる。ブラックマトリクス７６ａは、光の吸収率が高い材料で形成されている。開口部７６ｂは、ブラックマトリクス７６ａの格子形状で形成されている開口であり、画素Ｖｐｉｘに対応して配置されている。

開口部７６ｂは、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色された色領域を含む。カラーフィルタは、開口部７６ｂに例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタの色領域を周期的に配列して、図２に示す各画素ＶｐｉｘにＲ、Ｇ、Ｂの３色の色領域が１組として画素Ｐｉｘとして対応付けられている。

なお、カラーフィルタは、異なる色に着色されていれば、他の色の組み合わせであってもよい。一般に、カラーフィルタは、緑（Ｇ）の色領域の輝度が、赤（Ｒ）の色領域及び青（Ｂ）の色領域の輝度よりも高い。カラーフィルタは、なくてもよく、この場合白色となる。或いは、カラーフィルタに光透過性の樹脂を用いて白色としてもよい。

表示エリア部２１は、正面に直交する方向からみた場合、走査線２４と信号線２５がカラーフィルタのブラックマトリクス７６ａと重なる領域に配置されている。つまり、走査線２４及び信号線２５は、正面に直交する方向からみた場合、ブラックマトリクス７６ａの後ろに隠されることになる。また、表示エリア部２１は、ブラックマトリクス７６ａが配置されていない領域が開口部７６ｂとなる。

図２に示すように、走査線２４_ｍ、２４_ｍ＋１、２４_ｍ＋２が等間隔で配置され、信号線２５_ｎ、２５_ｎ＋１、２５_ｎ＋２も等間隔で配置されている。そして、各画素Ｖｐｉｘは、走査線２４_ｍ、２４_ｍ＋１、２４_ｍ＋２と信号線２５_ｎ、２５_ｎ＋１、２５_ｎ＋２とで区画される領域に、同じ方向を向いて配置されている。

図３は、実施形態１に係る表示装置の画素を説明するための平面図である。各画素Ｖｐｉｘは、垂直走査下方向（図中下方向）に開口部７６ｂが形成され、垂直走査上方向（図中上方向）左側にＴＦＴ素子Ｔｒが配置され、垂直走査上方向（図中上方向）右側にＴＦＴ素子Ｔｒのドレイン電極に画素電極が接続されるコンタクト９０Ｈが形成されている。なお、ＴＦＴ素子Ｔｒのドレインとは、半導体層（活性層）の一部とドレイン電極９０を含む。同様に、ＴＦＴ素子Ｔｒのソースとは、半導体層（活性層）の別の一部とソース電極９１を含む。カラーフィルタ７５Ｒ、７５Ｇ及び７５Ｂは、開口部７６ｂに例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタの色領域を周期的に配列して、図２に示す各画素Ｖｐｉｘ毎に、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色領域を形成している。

図４は、図３のＡ１−Ａ２線断面を示す模式図である。表示装置１は、図４に示すように、画素基板（第１の基板）７０Ａと、この画素基板７０Ａの表面に垂直な方向に対向して配置された対向基板（第２の基板）７０Ｂと、画素基板７０Ａと対向基板７０Ｂとの間に挿設された液晶層７０Ｃとを備えている。なお、画素基板７０Ａの液晶層７０Ｃとは反対側の面には、バックライト（図示せず）が配置されている。なお、フォトスペーサ（図示せず）が画素基板７０Ａと対向基板７０Ｂとの間隙を所定の間隙に保持している。

実施形態１に係る液晶層７０Ｃは、画素基板７０ＡのＴＦＴ基板７１の表面に垂直な方向（Ｚ方向）に積層された第１電極３１と第２電極３２との間で、かつＴＦＴ基板７１に対して平行方向に電界（横電界）を発生させることにより、液晶層７０Ｃの液晶分子を基板面と平行な面内で回転させ、液晶分子の回転に対応した光透過率変化を利用して表示が行われる。例えば、図４に示す第２電極３２は上述した画素電極であり、第１電極３１は、上述した共通電極ＣＯＭである。また、図４に示す液晶層７０Ｃと画素基板７０Ａとの間、及び液晶層７０Ｃと対向基板７０Ｂとの間には、それぞれ第１配向膜７３ａ及び第２配向膜７３ｂが配設されている。

対向基板７０Ｂは、ガラス基板７２と、このガラス基板７２の一方の面に形成された遮光性のブラックマトリクス７６ａと、を含む。ブラックマトリクス７６ａは、画素基板７０Ａと垂直な方向において、液晶層７０Ｃと対向する。

画素基板７０Ａは、回路基板としてのＴＦＴ基板７１を含む。ＴＦＴ基板７１上には、図３に示す走査線２４_ｍが形成されている。走査線２４_ｍは、ゲート電極９３が電気的に接続されている。

ＴＦＴ素子Ｔｒの活性層となるアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を含む半導体層９２は、ゲート電極９３の上層に形成されている。半導体層９２は、ＴＦＴ素子Ｔｒを構成するソース電極９１と接続されている。ソース電極９１は、導電体であり、半導体層９２の一部に電気的に接続されている。ソース電極９１は、図３に示す信号線２５_ｎに電気的に接続される。半導体層９２は、ＴＦＴ素子Ｔｒを構成するドレイン電極９０と接続されている。ドレイン電極９０は、半導体層９２の別の一部に電気的に接続されている。

絶縁層７４は、例えば、走査線２４_ｍと半導体層９２との間の絶縁膜７４１と、半導体層９２と信号線２５_ｎとの間の絶縁膜７４２と、信号線２５_ｎと第２電極３２との間の絶縁膜７４３と、第２電極３２と第１電極３１との間の絶縁膜７４４とが積層されている。絶縁膜７４１、絶縁膜７４２、絶縁膜７４３、絶縁膜７４４は、同じ絶縁材料であってもよく、いずれかが異なる絶縁材料であってもよい。例えば、絶縁膜７４３は、ポリイミド樹脂などの有機絶縁材料で形成されており、他の絶縁膜（絶縁膜７４１、絶縁膜７４２、絶縁膜７４４）は、窒化珪素、酸化珪素等の無機絶縁材料で形成されている。

導電性金属で形成されたコンタクト９０Ｈは、いわゆるコンタクトホール内に形成され、ドレイン電極９０と第２電極３２とを接続する。第１電極は、共通電極ＣＯＭとして、各画素共通に与えるコモン電位ＶＣＯＭが与えられている。第２電極３２は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性導電材料（透光性導電酸化物）で形成される透光性電極である。

図５は、実施形態１に係る第１電極の形状と開口部との関係を説明するための模式図である。図５に示すように、第１電極３１は、導電材料のない領域であるスリットＳにより、櫛歯状になっている。第１電極３１は、Ｙ方向に延びる電極基部１３２から複数突出する櫛歯部１３１を備えている。櫛歯部１３１は、電極基部１３２から延びる方向が逆方向である、櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂを含む。隣り合う櫛歯部１３１ａは、互いに一定距離を隔てて、電極基部１３２から複数突出する。同様に、隣り合う櫛歯部１３１ｂは、互いに一定距離を隔てて、電極基部１３２から複数突出する。同じ電極基部１３２には、Ｘ方向に櫛歯部１３１ａが延び、Ｘ方向で櫛歯部１３１ａとは逆方向に櫛歯部１３１ｂが延びている。

（ラビング方向）
上述した第１配向膜７３ａは、Ｘ方向に所定の初期配向性をもつように、図３及び図５に示すラビング方向Ｒｕｂ（第１ラビング方向）にラビング処理が施されている。第２配向膜７３ｂは、第１配向膜７３ａのラビング方向Ｒｕｂと反平行（第２ラビング方向）にラビング処理が施されている。第１配向膜７３ａ及び第２配向膜７３ｂは、ラビング方向が互いにアンチパラレルの関係となっている。上述したように、Ｘ方向に櫛歯部１３１ａが延び、Ｘ方向で櫛歯部１３１ａとは逆方向に櫛歯部１３１ｂが延びており、ラビング方向Ｒｕｂは、櫛歯部１３１ａ又は櫛歯部１３１ｂの延びる方向と平行である。ここで平行とは、後述の図９に示す液晶分子ＬＣＱの回転方向が維持できる程度に平行であればよい。より具体的には、０度以上０．５度以下の製造誤差を含む。

なお本実施の形態では、液晶層７０Ｃの液晶分子初期配向性を持つための配向処理として、ラビング処理について説明したが、これに限定されない。配向処理として、ラビング処理以外に、光配向処理を用いてもよい。光配向処理とは、光、例えば直線偏光紫外光を高分子膜上に照射することによって、偏光方向の高分子鎖を選択的に反応させ、これによって異方性を発生させて液晶配向性を付与する処理である。光配向処理を行う場合は、第１配向膜７３ａ及び第２配向膜７３ｂとして、光配向膜を用いればよい。

（遮光位置）
図６は、実施形態１に係る第１電極の形状と遮光位置との関係を説明するための模式図である。ブラックマトリクス７６ａは、図６に示す幅７６ｈ１ａの位置まで遮光し、コンタクト９０Ｈを隠していればよい。開口部７６ｂの縁に近い櫛歯部１３１ｂと、コンタクト９０Ｈとの間にある、最端スリットＳｗは、隣り合う櫛歯部１３１ａ又は隣り合う櫛歯部１３１ｂの間にあるスリットＳに加わる電界と分布が異なる。このため、ブラックマトリクス７６ａは、図６に示す幅７６ｈ１ｂの位置まで遮光し、コンタクト９０Ｈ及び最端スリットＳｗの半分以上を隠していれば、最端スリットＳｗとスリットＳとの透過率の変化率を近づけることができる。ブラックマトリクス７６ａは、図６に示す幅７６ｈ１ｃの位置まで遮光し、コンタクト９０Ｈ及び最端スリットＳｗを隠していれば、最端スリットＳｗとスリットＳとの透過率の変化率差を考慮しなくてもよくなる。この構造により、開口部７６ｂ内の輝度を均一にすることができる。

ところで、液晶には、ポジ液晶（正の誘電率異方性を持つ液晶）と、ネガ液晶（負の誘電率異方性を持つ液晶）と、がある。そこで、液晶がポジ液晶の場合と、液晶がネガ液晶の場合と、について説明する。

図７は、実施形態１に係る表示装置において、液晶がポジ液晶であり、第１電極と第２電極との間に電界を形成する電圧が印加されない場合の液晶の配向を説明するための説明図である。図８は、図７のＢ１−Ｂ２断面を示す模式図である。図９は、実施形態１に係る表示装置において、液晶がポジ液晶であり、第１電極と第２電極との間に電界を形成する電圧が印加された場合の液晶の配向を説明するための説明図である。図１０は、図９のＣ１−Ｃ２線断面を示す模式図である。図１１は、実施形態１に係る表示装置において、液晶がネガ液晶であり、第１電極と第２電極との間に電界を形成する電圧が印加されない場合の液晶の配向を説明するための説明図である。図１２は、実施形態１に係る表示装置において、液晶がネガ液晶であり、第１電極と第２電極との間に電界を形成する電圧が印加された場合の液晶の配向を説明するための説明図である。図１３は、実施形態１に係る第１電極の形状を詳細に説明するための模式図である。

ポジ液晶（正の誘電率異方性を持つ液晶）では、図７に示すように、液晶分子Ｌｃｍの誘電率異方性の方向Ｌｃｍａ及び屈折率異方性Ｌｃｍｂは、液晶分子Ｌｃｍの長軸方向に沿っている。

上述したように、第１配向膜７３ａは、Ｘ方向に所定の初期配向性をもつように、図３及び図５に示すラビング方向Ｒｕｂにラビング処理が施されている。このため、図７に示すように、第１電極３１と第２電極３２との間に電界を形成する電圧が印加されない場合、櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂの延びる方向に平行に、液晶層７０Ｃの液晶分子Ｌｃｍの長軸方向が沿うようになり、揃う傾向がある。このため、スリットＳの幅方向で対向する櫛歯部の右側長辺１３１Ｒ及び左側長辺１３１Ｌの近傍領域において、液晶分子Ｌｃｍは、櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂの延びる方向に平行に沿って初期配向している。また、図８に示す液晶分子Ｌｃｍは、ラビング方向Ｒｕｂに沿うとともに、ＴＦＴ基板７１の表面に対してプレチルト角θｐを有するようにラビング方向Ｒｕｂに向けて上向きに初期配向している。

図９に示すように、第１電極３１と第２電極３２との間に電界を形成する電圧が印加されると、液晶分子Ｌｃｍが液晶回転方向ＬＣＱに回転する。つまり液晶回転方向ＬＣＱは、Ｘ−Ｙ平面における液晶のツイストないし回転の方向を示す。右側長辺１３１Ｒの近傍領域と、左側長辺１３１Ｌの近傍領域とにある液晶分子Ｌｃｍは、互いに逆向きの電界を受け、逆向きに回転しやすい。

このように、実施形態１に係る表示装置１の液晶層７０Ｃは、第１電極３１と第２電極３２に電圧が印加される場合、隣り合う櫛歯部１３１ａ（１３１ｂ）のスリットＳの幅方向において対向する一方である、右側長辺１３１Ｒの近傍領域、及び他方である左側長辺１３１Ｌの近傍領域において、液晶分子が互いに逆方向に回転する。このため、特許文献１に記載のＦＦＳモードの表示装置と比較して、実施形態１に係る表示装置１は、液晶分子Ｌｃｍが第１電極３１と第２電極３２との間の電界の変化に高速に反応する。そして、実施形態１に係る表示装置１は、応答速度が向上する。

なお、応答速度とは、第１電極３１と第２電極３２に電圧を印加する時に、液晶の透過率を所定レベル間で遷移させる際の速度である。即ち電圧が印加されない状態（例えば透過率＝０）から電圧が印加される状態（透過率＝１）へ遷移する際、或いはその逆の遷移の際に要する時間で規定される。

第１電極３１と第２電極３２との間に電界を形成する電圧が印加されると、液晶分子Ｌｃｍの長軸方向は、画素基板７０Ａ（ＴＦＴ基板７１）の表面に平行な平面（Ｘ−Ｙ面）内で回転しながら、図１０に示すように、Ｚ方向にも変化する。第１電極３１と第２電極３２とは、画素基板７０Ａ（ＴＦＴ基板７１）の表面に垂直な方向に対向して配置されているので、第１電極３１と第２電極３２との間に形成される電界は、スリットＳを通過するフリンジ電界となる。当該フリンジ電界により、液晶分子Ｌｃｍの長軸は、図９に示すＸ−Ｙ平面で各液晶回転方向ＬＣＱ（右回り、左回り）に回転しながら、画素基板７０Ａ（ＴＦＴ基板７１）の表面に垂直な方向（Ｚ方向）へ立ち上がる。スリットＳの中央領域では液晶回転方向ＬＣＱの向きが混在することがある。

図１０に示すように、櫛歯部１３１ｂ間にあるスリット領域Ｒｓでは、液晶分子Ｌｃｍの長軸方向は、プレチルト角度θｐよりも大きくなる角度θｐ２になる。櫛歯部１３１ａ間にあるスリット領域Ｌｓでは、液晶分子Ｌｃｍの長軸方向は、プレチルト角度θｐとは逆の方向の角度θｐ１になる。スリット領域Ｌｓにおける液晶分子Ｌｃｍの長軸方向は、スリット領域Ｒｓにおける液晶分子Ｌｃｍの長軸方向よりも、立ち上がりがしにくく応答性が劣る可能性がある。

ネガ液晶（負の誘電率異方性を持つ液晶）では、図１１に示すように、液晶分子Ｌｃｍの誘電率異方性の方向Ｌｃｍａは、液晶分子Ｌｃｍの短軸方向に沿っており、屈折率異方性Ｌｃｍｂは、液晶分子Ｌｃｍの長軸方向に沿っている。

上述したように、第１配向膜７３ａは、Ｙ方向に所定の初期配向性をもつように、図３及び図５に示すラビング方向Ｒｕｂにラビング処理が施されている。このため、図１１に示すように、第１電極３１と第２電極３２との間に電界を形成する電圧が印加されない場合、櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂの延びる方向に直交に、液晶層７０Ｃの液晶分子Ｌｃｍの長軸方向が沿うようになり、揃う傾向がある。このため、スリットＳの幅方向で対向する櫛歯部の右側長辺１３１Ｒ及び左側長辺１３１Ｌの近傍領域において、液晶分子Ｌｃｍは、櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂの延びる方向に直交に初期配向している。また、液晶分子Ｌｃｍは、ラビング方向Ｒｕｂに直交するとともに、ＴＦＴ基板７１の表面に対してプレチルト角を有するようにラビング方向Ｒｕｂに直交して上向きに初期配向している。

図１２に示すように、第１電極３１と第２電極３２との間に電界を形成する電圧が印加されると、液晶分子Ｌｃｍが液晶回転方向ＬＣＱに回転する。つまり液晶回転方向ＬＣＱは、Ｘ−Ｙ平面における液晶のツイストないし回転の方向を示す。右側長辺１３１Ｒの近傍領域と、左側長辺１３１Ｌの近傍領域とにある液晶分子Ｌｃｍは、互いに逆向きの電界を受け、逆向きに回転しやすい。

このように、実施形態１に係る表示装置１の液晶層７０Ｃは、第１電極３１と第２電極３２に電圧が印加される場合、隣り合う櫛歯部１３１ａ（１３１ｂ）のスリットＳの幅方向において対向する一方である、右側長辺１３１Ｒの近傍領域、及び他方である左側長辺１３１Ｌの近傍領域において、液晶分子が互いに逆方向に回転する。このため、特許文献１に記載のＦＦＳモードの表示装置と比較して、実施形態１に係る表示装置１は、液晶分子Ｌｃｍが第１電極３１と第２電極３２との間の電界の変化に高速に反応する。そして、実施形態１に係る表示装置１は、応答速度が向上する。

第１電極３１と第２電極３２との間に電界を形成する電圧が印加されると、液晶分子Ｌｃｍの長軸方向は、画素基板７０Ａ（ＴＦＴ基板７１）の表面に平行な平面（Ｘ−Ｙ面）内で回転しながら、Ｚ方向にも変化する。第１電極３１と第２電極３２とは、画素基板７０Ａ（ＴＦＴ基板７１）の表面に垂直な方向に対向して配置されているので、第１電極３１と第２電極３２との間に形成される電界は、スリットＳを通過するフリンジ電界となる。当該フリンジ電界により、液晶分子Ｌｃｍの長軸は、図１２に示すＸ−Ｙ平面で各液晶回転方向ＬＣＱ（右回り、左回り）に回転しながら、画素基板７０Ａ（ＴＦＴ基板７１）の表面に垂直な方向（Ｚ方向）へ立ち上がる。スリットＳの中央領域では液晶回転方向ＬＣＱの向きが混在することがある。

図１３に示すように、実施形態１に係る表示装置１は、第１電極３１の形状をより細かく規定することで応答性と配向安定性とを向上できる。例えば、図１３に示すように、Ｘ方向における電極基部１３２間のトータルスリット長をＬ０とする。また、Ｘ方向における櫛歯部１３１ａの櫛歯突出長さをＬ１とする。櫛歯突出長さＬ１は、櫛歯部１３１ａの先端１３１ａｆの位置ｘ１から電極基部１３２の突出開始位置ｘ０までの長さである。同様に、Ｘ方向における櫛歯部１３１ｂの櫛歯突出長さをＬ２とする。櫛歯突出長さＬ２は、櫛歯部１３１ｂの先端１３１ｂｆの位置ｘ１から電極基部１３２の突出開始位置ｘ０までの長さである。また、櫛歯部１３１ａの先端１３１ａｆ及び櫛歯部１３１ｂの先端１３１ｂｆのＹ方向の幅は、ｗ１とする。トータルスリット長Ｌ０は、例えば１０μｍ以上６０μｍ以下が好ましい。また、トータルスリット長Ｌ０は、４０μｍ未満、例えば２０μｍなどが好適である。実施形態１に係る表示装置１は、トータルスリット長Ｌ０を短くすれば、液晶の配向安定性が高くなり、逆に長くすれば輝度が高くなる。

上述したように図１０に示すスリット領域Ｌｓにおける液晶分子Ｌｃｍの長軸方向は、スリット領域Ｒｓにおける液晶分子Ｌｃｍの長軸方向よりも、立ち上がりがしにくく応答性が劣る可能性がある。スリット領域Ｌｓをスリット領域Ｒｓよりも小さくするため、図１３に示す櫛歯突出長さＬ１は、櫛歯部１３１ａよりもラビング方向Ｒｕｂ側にある櫛歯部１３１ｂの櫛歯突出長さＬ２よりも小さくする。これにより、実施形態１に係る表示装置１は、応答速度を高めることができる。

櫛歯部１３１ａの先端１３１ａｆ及び櫛歯部１３１ｂの先端１３１ｂｆのＹ方向の幅ｗ１は、例えば２μｍ以上５μｍ以下とし、細い方が、応答速度を高めることができる。

隣り合う櫛歯部１３１ａの配列ピッチｐは、隣り合う櫛歯部１３１ｂの配列ピッチと同じである。そして、櫛歯部１３１ａの先端１３１ａｆと、櫛歯部１３１ｂの先端１３１ｂｆとがＹ方向に互い違いに配置されるようにしている。この構造により、図９に示すように、櫛歯部１３１ａの右側長辺１３１Ｒと、櫛歯部１３１ｂの右側長辺１３１Ｒとが、Ｘ方向に並ぶようになる。また、この構造により、図９に示すように、櫛歯部１３１ａの左側長辺１３１Ｌと、櫛歯部１３１ｂの左側長辺１３１Ｌとが、Ｘ方向に並ぶようになる。この結果、液晶分子Ｌｃｍが回転する液晶回転方向ＬＣＱは、Ｘ方向にみて同じ向きとなり、液晶分子Ｌｃｍが回転する挙動が安定する。配列ピッチｐは、狭い方が応答速度が速くなるため、配列ピッチｐが９μｍより小さいことが好ましい。

図１３に示す櫛歯部１３１ａの先端１３１ａｆと、櫛歯部１３１ｂの先端１３１ｂｆとの間は、縦方向スリットに延びる連通開口部のＸ方向の幅Ｗになり、狭い方が好ましい。例えば、連通開口部のＸ方向の幅Ｗは、７μｍ以下である。連通開口部のＸ方向の幅Ｗは、４μｍ以下であることがより好ましい。

櫛歯部１３１ａは、電極基部１３２の突出開始位置ｘ０において、Ｙ方向の幅がｗ２であり、櫛歯部１３１ａの先端１３１ａｆのＹ方向の幅ｗ１より広い。さらに、櫛歯部１３１ａの右側長辺は、点１３１ａｐ１を屈曲点として有し、電極基部１３２側（以下、「基部側」という。）の部分１３１ａｌ１１と、櫛歯部１３１ａ先端側（以下、「先端側」という。）の部分１３１ａｌ１２と、で構成されている。部分１３１ａｌ１１は、櫛歯部１３１ａの中心を通る仮想線１３１ａｃ（櫛歯部１３１ａが延びるＸ方向）に対して角度θ２だけ傾斜している斜辺となる。部分１３１ａｌ１２は、仮想線１３１ａｃに対して角度θ１だけ傾斜している斜辺となる。そして、角度θ１と角度θ２とは、θ１＜θ２の関係にある。

角度θ１及びθ２は、（Ａ）液晶配向に関して、角度が小さい程液晶配向の安定性が悪く、角度が大きい程液晶配向の安定性が良い。なお、角度θ１及びθ２が、０．５度よりも大きい場合、液晶分子Ｌｃｍが回転する液晶回転方向ＬＣＱが揃いやすくなり、液晶分子Ｌｃｍの挙動が安定する。また、角度θ１及びθ２は、（Ｂ）光の透過率に関して、角度が小さい程光の透過率が良く、角度が大きい程光の透過率が悪い。つまり、角度θ１及びθ２は、小さくすることにメリット及びデメリットの両方があり、大きくすることにもメリット及びデメリットの両方がある。そこで、表示装置１は、櫛歯部１３１ａの右側長辺の基部側の部分１３１ａｌ１１と、先端側の部分１３１ａｌ１２と、で仮想線１３１ａｃとの角度を異ならせることで、上記のメリット及びデメリットの調整を図っている。つまり、表示装置１は、光の透過率への寄与が低い基部側の部分１３１ａｌ１１と仮想線１３１ａｃとの角度θ２を大きくすることで、液晶配向を規制し、液晶回転のトリガを与え、液晶配向の安定性を向上させる。一方、表示装置１は、先端側の部分１３１ａｌ１２と仮想線１３１ａｃとの角度θ１を小さくすることで、光の透過率を向上させる。これにより、表示装置１は、液晶配向の安定性向上と、光の透過率の向上とを調和させることができる。

なお、本実施形態では、櫛歯部１３１ａの右側長辺は、１つの屈曲点１３１ａｐ１を有することとしたが、２つ以上の屈曲点を有しても良い。また、後で説明するように、櫛歯部１３１ａの右側長辺は、屈曲点を有さず、連続的に（曲線的に）変化するようにしても良い。

同様に、櫛歯部１３１ａの左側長辺は、点１３１ａｐ２を屈曲点として有し、基部側の部分１３１ａｌ２１と、先端側の部分１３１ａｌ２２と、で構成されている。部分１３１ａｌ２１は、仮想線１３１ａｃに対して角度θ４だけ傾斜している斜辺となる。部分１３１ａｌ２２は、仮想線１３１ａｃに対して角度θ３だけ傾斜している斜辺となる。そして、角度θ３と角度θ４とは、θ３＜θ４の関係にある。表示装置１は、光の透過率への寄与が低い基部側の部分１３１ａｌ２１と仮想線１３１ａｃとの角度θ４を大きくすることで、液晶配向を規制し、液晶回転のトリガを与え、液晶配向の安定性を向上させる。一方、表示装置１は、先端側の部分１３１ａｌ２２と仮想線１３１ａｃとの角度θ３を小さくすることで、光の透過率を向上させる。これにより、表示装置１は、液晶配向の安定性向上と、光の透過率の向上とを調和させることができる。

なお、本実施形態では、櫛歯部１３１ａの左側長辺は、１つの屈曲点１３１ａｐ２を有することとしたが、２つ以上の屈曲点を有しても良い。また、後で説明するように、櫛歯部１３１ａの左側長辺は、屈曲点を有さず、連続的に（曲線的に）変化するようにしても良い。

同様に、櫛歯部１３１ｂは、電極基部１３２の突出開始位置ｘ０において、Ｙ方向の幅がｗ２であり、櫛歯部１３１ｂの先端１３１ｂｆのＹ方向の幅ｗ１より広い。さらに、櫛歯部１３１ｂの右側長辺は、点１３１ｂｐ１を屈曲点として有し、基部側の部分１３１ｂｌ１１と、先端側の部分１３１ｂｌ１２と、で構成されている。部分１３１ｂｌ１１は、仮想線１３１ａｃに対して角度θ６だけ傾斜している斜辺となる。部分１３１ｂｌ１２は、仮想線１３１ａｃに対して角度θ５だけ傾斜している斜辺となる。そして、角度θ５と角度θ６とは、θ５＜θ６の関係にある。表示装置１は、光の透過率への寄与が低い基部側の部分１３１ｂｌ１１と仮想線１３１ａｃとの角度θ６を大きくすることで、液晶配向を規制し、液晶回転のトリガを与え、液晶配向の安定性を向上させる。一方、表示装置１は、先端側の部分１３１ｂｌ１２と仮想線１３１ａｃとの角度θ５を小さくすることで、光の透過率を向上させる。これにより、表示装置１は、液晶配向の安定性向上と、光の透過率の向上とを調和させることができる。

なお、本実施形態では、櫛歯部１３１ｂの右側長辺は、１つの屈曲点１３１ｂｐ１を有することとしたが、２つ以上の屈曲点を有しても良い。また、後で説明するように、櫛歯部１３１ｂの右側長辺は、屈曲点を有さず、連続的に（曲線的に）変化するようにしても良い。

同様に、櫛歯部１３１ｂの左側長辺は、点１３１ｂｐ２を屈曲点として有し、基部側の部分１３１ｂｌ２１と、先端側の部分１３１ｂｌ２２と、で構成されている。部分１３１ｂｌ２１は、仮想線１３１ａｃに対して角度θ８だけ傾斜している斜辺となる。部分１３１ｂｌ２２は、仮想線１３１ａｃに対して角度θ７だけ傾斜している斜辺となる。そして、角度θ７と角度θ８とは、θ７＜θ８の関係にある。表示装置１は、光の透過率への寄与が低い基部側の部分１３１ｂｌ２１と仮想線１３１ａｃとの角度θ８を大きくすることで、液晶配向を規制し、液晶回転のトリガを与え、液晶配向の安定性を向上させる。一方、表示装置１は、先端側の部分１３１ｂｌ２２と仮想線１３１ａｃとの角度θ７を小さくすることで、光の透過率を向上させる。これにより、表示装置１は、液晶配向の安定性向上と、光の透過率の向上とを調和させることができる。

なお、本実施形態では、櫛歯部１３１ｂの左側長辺は、１つの屈曲点１３１ｂｐ２を有することとしたが、２つ以上の屈曲点を有しても良い。また、後で説明するように、櫛歯部１３１ｂの左側長辺は、屈曲点を有さず、連続的に（曲線的に）変化するようにしても良い。

このように、実施形態１に係る表示装置１は、Ｘ方向で隣接する列同士及びＸ方向ライン上で、液晶回転方向が揃っているので、配向安定性が高い。

電極基部１３２は、光の透過に寄与しないので、電極基部１３２のＸ方向（電極基部１３２が延びる方向と直交する方向）の幅Ｄ１は狭い方がよい。しかしながら、電極基部１３２は、櫛歯部１３１ａ又は櫛歯部１３１ｂが一方又は両方から複数突出する。このため、電極基部１３２は、櫛歯部１３１ａ又は櫛歯部１３１ｂと同時に形成する場合、露光光の回り込みにより、電極基部１３２のＸ方向の幅Ｄ１は、幅ｗ２よりも大きくなりやすい。特に、電極基部１３２は、櫛歯部１３１ａ又は櫛歯部１３１ｂと同様に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性導電材料（透光性導電酸化物）で形成される透光性電極とした場合、露光光の回り込みにより、電極基部１３２のＸ方向の幅Ｄ１は、幅ｗ２よりも大きくなりやすい。

図１４は、実施形態１に係る第１電極を詳細に説明するための模式図である。図１５は、図１４のＥ１−Ｅ２線断面を示す模式図である。図１４及び図１５に示すように、実施形態１に係る櫛歯部１３１（櫛歯部１３１ａ又は櫛歯部１３１ｂ）は、電極基部１３２の下に積層される接続部１３５を有する。この構造により、露光されることにより櫛歯部１３１ａ又は櫛歯部１３１ｂが形成される層と、露光されることにより電極基部１３２が形成される層とが、一度に形成されないため、櫛歯部１３１ａ又は櫛歯部１３１ｂを形成する際に露光する露光光の影響が電極基部１３２の形成に対して小さく、電極基部１３２のＸ方向の幅Ｄ１を、幅ｗ２以下にすることもできるようになる。そして、実施形態１に係る表示装置１は、応答速度を向上させるとともに、第１電極３１による光の透過損失を低減できる。

電極基部１３２は、櫛歯部１３１ａ又は櫛歯部１３１ｂと同様に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性導電材料（透光性導電酸化物）とは異なる、導電性の金属材料で形成されることがより好ましい。導電性の金属材料は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）等を使用することができる。電極基部１３２が金属材料である場合、電極基部１３２の電気抵抗が下がり幅ｗ２を細くできる。また、電極基部１３２が金属材料である場合、電極基部１３２を細くできるドライエッチング工程が適用しやすくなる。このため、電極基部１３２が金属材料である場合、細線化が容易になる。

図１５に示すように、接続部１３５近傍において、櫛歯部１３１の角部の上に電極基部１３２の成膜がしにくく、上層の厚みｄが少なくなる傾向にある。厚みｄが小さいと断線の可能性がでてくる。電極基部１３２が断線する場合、電極基部１３２に繋がる複数の櫛歯部１３１ａ又は櫛歯部１３１ｂにも同時に断線の影響が生じる可能性がある。そこで、実施形態１に係る第１電極３１は、図１６及び図１７に示す変形例のようにしてもよい。図１６は、実施形態１に係る第１電極の変形例を詳細に説明するための模式図である。図１７は、図１６のＦ１−Ｆ２線断面を示す模式図である。

図１６及び図１７に示すように、実施形態１の変形例に係る櫛歯部１３１（櫛歯部１３１ａ又は櫛歯部１３１ｂ）は、電極基部１３２の上に積層され、接続部１３６を有する。この構造により、露光されることにより櫛歯部１３１ａ又は櫛歯部１３１ｂが形成される層と、露光されることにより電極基部１３２が形成される層とが、一度に形成されないため、櫛歯部１３１ａ又は櫛歯部１３１ｂを露光する露光光の影響が電極基部１３２の形成に対して小さく、電極基部１３２のＸ方向の幅Ｄ１を、幅ｗ２以下にすることもできるようになる。

接続部１３６近傍において、電極基部１３２の角部の上に櫛歯部１３１の成膜がしにくく、上層の厚みｄが少なくなる傾向にある。厚みｄが小さいと断線の可能性がでてくる。櫛歯部１３１が断線する場合、電極基部１３２が断線する場合と比較して影響を受ける櫛歯部１３１ａ又は櫛歯部１３１ｂが限定される。

電極基部１３２は、櫛歯部１３１ａ又は櫛歯部１３１ｂと同様に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性導電材料（透光性導電酸化物）とは異なる、金属材料で形成されることがより好ましい。金属材料は、上述した材料を使用することができる。電極基部１３２が金属材料である場合、電極基部１３２の電気抵抗が下がり幅ｗ２を細くできる。また、電極基部１３２が金属材料である場合、電極基部１３２を細くできるドライエッチング工程が適用しやすくなる。このため、電極基部１３２が金属材料である場合、細線化が容易になる。

（製造方法）
実施形態１に係る表示装置１の製造方法は、例えば以下のプロセスを含む。製造装置は、画素基板（第１の基板）７０ＡのＴＦＴ基板７１として透光性基板である、ガラス基板を用意する第１基板の準備工程を処理する。

次に、製造装置は、ＴＦＴ基板７１上に、走査線２４_ｍ及びゲート電極９３を形成する。次に、製造装置は、ＴＦＴ基板７１上に、走査線２４_ｍ及びゲート電極９３と半導体層９２との間の絶縁膜７４１を形成する。次に、製造装置は、ソース電極９１、ドレイン電極９０、半導体層９２などの層を形成する。次に、製造装置は、半導体層９２と信号線２５_ｎとの間の絶縁膜７４２を形成する。次に、製造装置は、信号線２５_ｎを形成し、信号線２５_ｎとソース電極９１を接続する。次に、製造装置は、信号線２５_ｎと第２電極３２との間の絶縁膜７４３を形成する。

次に、製造装置は、スパッタ法、エッチング等により、画素電極として第２電極３２を成膜し、上述した導電性のコンタクト９０Ｈを介してドレイン電極９０と第２電極３２とを接続する。第２電極３２の厚さは、例えば１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。次に、製造装置は、プラズマＣＶＤ法などで、第２電極３２の上に絶縁膜７４４を成膜する。

次に、製造装置は、スパッタ法、エッチング等により、第１電極３１を成膜し、第１電極３１を上述した共通電極ＣＯＭに接続する。第１電極３１の厚さは、例えば１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。製造装置は、図１５に示すように、第１電極３１のうち、櫛歯部１３１を先に成膜した後、電極基部１３２を成膜する。又は、製造装置は、図１７に示すように、第１電極３１のうち、電極基部１３２を先に成膜した後、櫛歯部１３１を成膜する。第１電極３１は、スリットＳにより櫛歯状に形成される。製造装置は、第１電極３１上であって、ポリイミド等の高分子材料にラビング方向Ｒｕｂの処理が施された第１配向膜７３ａが形成される。以上のように、製造装置は、第１基板の製造工程を処理する。

製造装置は、対向基板（第２の基板）７０Ｂのガラス基板７５として透光性基板である、ガラス基板を用意する第２基板の準備工程を処理する。

製造装置は、ガラス基板７５上に、カラーフィルタ、ブラックマトリクスの層を形成し、その上にオーバーコート層などを形成する。そして、製造装置は、オーバーコート層上であって、ポリイミド等の高分子材料にラビング方向Ｒｕｂと反平行（逆方向）の処理が施された第２配向膜７３ｂが形成される。以上のように、製造装置は、第２基板の製造工程を処理する。

製造装置は、画素基板７０Ａと対向基板７０Ｂを対向させ、その間に液晶を注入し、額縁部で封止することで、液晶層７０Ｃを形成する。画素基板７０Ａの背面側には、偏光板やバックライトなどが取り付けられ、前面側には偏光板などが取り付けられる。上述した額縁部の電極端には、上述したドライバＩＣ３が接続され、表示装置１が製造される。

なお実施形態１では、ＴＦＴ素子Ｔｒを構成する半導体層９２として、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を用いたが、これに限定されない。半導体層９２として、多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）を用いてもよい。また、シリコンに代えて他の半導体材料（例えばゲルマニウム（Ｇｅ））、又はシリコンに他の材料を加えた材料（例えば、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ））を用いてもよい。さらに、半導体層９２として、酸化物半導体材料を用いてもよい。当該酸化物半導体材料として、例えば、インジウム（Ｉｎ）を含む酸化物半導体材料を用いてもよい。

また実施形態１において、ＴＦＴ素子Ｔｒは、ゲート電極９３が半導体層より下方に設けられるボトムゲート型ＴＦＴであるが、可能であれば、ゲート電極９３が半導体層より上方に設けられるトップゲート型ＴＦＴの構成を用いてもよい。

（実施形態１の変形例１）
次に、実施形態１の変形例１に係る表示装置１について説明する。図１８は、図３のＡ１−Ａ２線断面の変形例を示す模式図である。なお、上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

実施形態１の変形例１に係る表示装置１は、画素基板７０ＡのＴＦＴ基板７１の表面に垂直な方向（Ｚ方向）に積層された第１電極３１と第２電極３２との間で、かつＴＦＴ基板７１に対して平行方向に電界（横電界）を形成することにより、液晶層７０Ｃの液晶分子を基板面と平行な面内で回転させ、液晶分子の回転に対応した光透過率変化を利用して表示が行われる。例えば、図１８に示す第２電極３２は上述した共通電極ＣＯＭであり、第１電極３１は、上述した画素電極である。第１電極３１は、例えば導電性のコンタクト９０Ｈを介してドレイン電極９０に接続されている。第１電極３１は、上述された画素Ｖｐｉｘの領域毎に区画され、隣り合う画素Ｖｐｉｘの領域の第１電極３１とは絶縁され独立したパターンとなっている。

（実施形態１の変形例２）
次に、実施形態１の変形例２に係る表示装置１について説明する。図１９は、実施形態１に係る第１電極の形状と開口部との関係の変形例を説明するための模式図である。なお、上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

第１電極３１は、Ｘ方向に延びる電極基部１３２から複数突出する櫛歯部１３１を備えている。櫛歯部１３１は、電極基部１３２から延びる方向が逆方向である、櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂを含む。隣り合う櫛歯部１３１ａは、互いに一定距離を隔てて、電極基部１３２から複数突出する。同様に、隣り合う櫛歯部１３１ｂは、互いに一定距離を隔てて、電極基部１３２から複数突出する。同じ電極基部１３２には、Ｙ方向に櫛歯部１３１ａが延び、Ｙ方向で櫛歯部１３１ａとは逆方向に櫛歯部１３１ｂが延びている。

このため、上述した第１配向膜７３ａは、Ｙ方向に所定の初期配向性をもつように、図１９に示すラビング方向Ｒｕｂにラビング処理が施されている。第２配向膜７３ｂは、第１配向膜７３ａのラビング方向Ｒｕｂと反平行にラビング処理が施されている。第１配向膜７３ａ及び第２配向膜７３ｂは、ラビング方向が互いにアンチパラレルの関係となっている。

（実施形態１の変形例３）
次に、実施形態１の変形例３に係る表示装置１について説明する。図２０は、実施形態１に係る第１電極の形状と開口部との関係の変形例を説明するための模式図である。なお、上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

第１電極３１は、Ｙ方向に延びる電極基部１３２から複数突出する櫛歯部１３１を備えている。櫛歯部１３１は、電極基部１３２から延びる方向が逆方向である、櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂを含む。隣り合う櫛歯部１３１ａは、互いに一定距離を隔てて、電極基部１３２から複数突出する。同様に、隣り合う櫛歯部１３１ｂは、互いに一定距離を隔てて、電極基部１３２から複数突出する。同じ電極基部１３２には、Ｘ方向に櫛歯部１３１ａが延び、Ｘ方向で櫛歯部１３１ａとは逆方向に櫛歯部１３１ｂが延びている。

このため、上述した第１配向膜７３ａは、Ｘ方向に所定の初期配向性をもつように、図２０に示すラビング方向Ｒｕｂにラビング処理が施されている。第２配向膜７３ｂは、第１配向膜７３ａのラビング方向Ｒｕｂと反平行にラビング処理が施されている。第１配向膜７３ａ及び第２配向膜７３ｂは、ラビング方向が互いにアンチパラレルの関係となっている。

また、本変形例では、櫛歯部１３１ａの先端１３１ａｆと櫛歯部１３１ｂの先端１３１ｂｆと、が対向している。

（実施形態１の変形例４）
次に、実施形態１の変形例４に係る表示装置１について説明する。図２１は、実施形態１に係る第１電極の形状と開口部との関係の変形例を説明するための模式図である。なお、上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

第１電極３１は、Ｙ方向に延びる電極基部１３２から複数突出する櫛歯部１３１を備えている。櫛歯部１３１は、電極基部１３２から延びる方向が逆方向である、櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂを含む。隣り合う櫛歯部１３１ａは、互いに一定距離を隔てて、電極基部１３２から複数突出する。同様に、隣り合う櫛歯部１３１ｂは、互いに一定距離を隔てて、電極基部１３２から複数突出する。同じ電極基部１３２には、Ｘ方向に櫛歯部１３１ａが延び、Ｘ方向で櫛歯部１３１ａとは逆方向に櫛歯部１３１ｂが延びている。

このため、上述した第１配向膜７３ａは、Ｘ方向に所定の初期配向性をもつように、図２０に示すラビング方向Ｒｕｂにラビング処理が施されている。第２配向膜７３ｂは、第１配向膜７３ａのラビング方向Ｒｕｂと反平行にラビング処理が施されている。第１配向膜７３ａ及び第２配向膜７３ｂは、ラビング方向が互いにアンチパラレルの関係となっている。

また、本変形例の表示装置１では、櫛歯部１３１ａの右側長辺の先端側の部分１３１ａｌ１２が、Ｘ方向と平行になっている。本変形例の表示装置１では、光の透過率への寄与が低い基部側の部分１３１ａｌ１１とＸ方向との角度を大きくすることで、液晶配向を規制し、液晶回転のトリガを与え、液晶配向の安定性を向上させる。一方、本変形例の表示装置１は、先端側の部分１３１ａｌ１２とＸ方向とを平行にすることで、光の透過率を向上させる。これにより、本変形例の表示装置１は、液晶配向の安定性向上と、光の透過率の向上とを調和させることができる。

同様に、本変形例の表示装置１では、櫛歯部１３１ａの左側長辺の先端側の部分１３１ａｌ２２が、Ｘ方向と平行になっている。本変形例の表示装置１では、光の透過率への寄与が低い基部側の部分１３１ａｌ２１とＸ方向との角度を大きくすることで、液晶配向を規制し、液晶回転のトリガを与え、液晶配向の安定性を向上させる。一方、本変形例の表示装置１は、先端側の部分１３１ａｌ２２とＸ方向とを平行にすることで、光の透過率を向上させる。これにより、本変形例の表示装置１は、液晶配向の安定性向上と、光の透過率の向上とを調和させることができる。

同様に、本変形例の表示装置１では、櫛歯部１３１ｂの右側長辺の先端側の部分１３１ｂｌ１２が、Ｘ方向と平行になっている。本変形例の表示装置１では、光の透過率への寄与が低い基部側の部分１３１ｂｌ１１とＸ方向との角度を大きくすることで、液晶配向を規制し、液晶回転のトリガを与え、液晶配向の安定性を向上させる。一方、本変形例の表示装置１は、先端側の部分１３１ｂｌ１２とＸ方向とを平行にすることで、光の透過率を向上させる。これにより、本変形例の表示装置１は、液晶配向の安定性向上と、光の透過率の向上とを調和させることができる。

同様に、本変形例の表示装置１では、櫛歯部１３１ｂの左側長辺の先端側の部分１３１ｂｌ２２が、Ｘ方向と平行になっている。本変形例の表示装置１では、光の透過率への寄与が低い基部側の部分１３１ｂｌ２１とＸ方向との角度を大きくすることで、液晶配向を規制し、液晶回転のトリガを与え、液晶配向の安定性を向上させる。一方、本変形例の表示装置１は、先端側の部分１３１ｂｌ２２とＸ方向とを平行にすることで、光の透過率を向上させる。これにより、本変形例の表示装置１は、液晶配向の安定性向上と、光の透過率の向上とを調和させることができる。

（実施形態１の変形例５）
次に、実施形態１の変形例５に係る表示装置１について説明する。図２２は、実施形態１に係る第１電極の形状と開口部との関係の変形例を説明するための模式図である。なお、上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

第１電極３１は、Ｙ方向に延びる電極基部１３２から複数突出する櫛歯部１３１を備えている。櫛歯部１３１は、電極基部１３２から延びる方向が逆方向である、櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂを含む。隣り合う櫛歯部１３１ａは、互いに一定距離を隔てて、電極基部１３２から複数突出する。同様に、隣り合う櫛歯部１３１ｂは、互いに一定距離を隔てて、電極基部１３２から複数突出する。同じ電極基部１３２には、Ｘ方向に櫛歯部１３１ａが延び、Ｘ方向で櫛歯部１３１ａとは逆方向に櫛歯部１３１ｂが延びている。

このため、上述した第１配向膜７３ａは、Ｘ方向に所定の初期配向性をもつように、図２０に示すラビング方向Ｒｕｂにラビング処理が施されている。第２配向膜７３ｂは、第１配向膜７３ａのラビング方向Ｒｕｂと反平行にラビング処理が施されている。第１配向膜７３ａ及び第２配向膜７３ｂは、ラビング方向が互いにアンチパラレルの関係となっている。

また、本変形例の表示装置１では、櫛歯部１３１ａの先端１３１ａｆが、尖っており、対向する櫛歯部１３１ｂと櫛歯部１３１ｂとの間のスリットにまで延在している。同様に、櫛歯部１３１ｂの先端１３１ｂｆが、尖っており、対向する櫛歯部１３１ａと櫛歯部１３１ａとの間のスリットにまで延在している。

本変形例の表示装置１では、光の透過率への寄与が低い櫛歯部１３１ａの基部側の部分及び櫛歯部１３１ｂの基部側の部分とＸ方向との角度を大きくすることで、液晶配向を規制し、液晶回転のトリガを与え、液晶配向の安定性を向上させる。一方、本変形例の表示装置１は、櫛歯部１３１ａの先端１３１ａｆが対向する櫛歯部１３１ｂと櫛歯部１３１ｂとの間のスリットにまで延在し、櫛歯部１３１ｂの先端１３１ｂｆが対向する櫛歯部１３１ａと櫛歯部１３１ａとの間のスリットにまで延在することで、光の透過率を向上させる。これにより、本変形例の表示装置１は、液晶配向の安定性向上と、光の透過率の向上とを調和させることができる。

（実施形態１の変形例６）
次に、実施形態１の変形例６に係る表示装置１について説明する。図２３は、実施形態１に係る第１電極の形状と開口部との関係の変形例を説明するための模式図である。なお、上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

第１電極３１は、Ｙ方向に延びる電極基部１３２から複数突出する櫛歯部１３１を備えている。櫛歯部１３１は、電極基部１３２から延びる方向が逆方向である、櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂを含む。隣り合う櫛歯部１３１ａは、互いに一定距離を隔てて、電極基部１３２から複数突出する。同様に、隣り合う櫛歯部１３１ｂは、互いに一定距離を隔てて、電極基部１３２から複数突出する。同じ電極基部１３２には、Ｘ方向に櫛歯部１３１ａが延び、Ｘ方向で櫛歯部１３１ａとは逆方向に櫛歯部１３１ｂが延びている。

このため、上述した第１配向膜７３ａは、Ｘ方向に所定の初期配向性をもつように、図２０に示すラビング方向Ｒｕｂにラビング処理が施されている。第２配向膜７３ｂは、第１配向膜７３ａのラビング方向Ｒｕｂと反平行にラビング処理が施されている。第１配向膜７３ａ及び第２配向膜７３ｂは、ラビング方向が互いにアンチパラレルの関係となっている。

また、本変形例の表示装置１では、櫛歯部１３１ａの右側長辺１３１ａｌ１は、屈曲点を有さず、連続的に（曲線的に）変化している。屈曲点では、液晶配向が極端に変わるので、液晶配向が乱れやすい。一方、本変形例の表示装置１では、櫛歯部１３１ａの右側長辺１３１ａｌ１は、屈曲点を有さないので、液晶配向が極端に変わる部分がなく、液晶配向の乱れを抑制することができる。

同様に、本変形例の表示装置１では、櫛歯部１３１ａの左側長辺１３１ａｌ２は、屈曲点を有さず、連続的に（曲線的に）変化している。屈曲点では、液晶配向が極端に変わるので、液晶配向が乱れやすい。一方、本変形例の表示装置１は、櫛歯部１３１ａの左側長辺１３１ａｌ２は、屈曲点を有さないので、液晶配向が極端に変わる部分がなく、液晶配向の乱れを抑制することができる。

同様に、本変形例の表示装置１では、櫛歯部１３１ｂの右側長辺１３１ｂｌ１は、屈曲点を有さず、連続的に（曲線的に）変化している。屈曲点では、液晶配向が極端に変わるので、液晶配向が乱れやすい。一方、本変形例の表示装置１では、櫛歯部１３１ｂの右側長辺１３１ｂｌ１は、屈曲点を有さないので、液晶配向が極端に変わる部分がなく、液晶配向の乱れを抑制することができる。

同様に、本変形例の表示装置１では、櫛歯部１３１ｂの左側長辺１３１ｂｌ２は、屈曲点を有さず、連続的に（曲線的に）変化している。屈曲点では、液晶配向が極端に変わるので、液晶配向が乱れやすい。一方、本変形例の表示装置１は、櫛歯部１３１ｂの左側長辺１３１ｂｌ２は、屈曲点を有さないので、液晶配向が極端に変わる部分がなく、液晶配向の乱れを抑制することができる。

（実施形態２）
次に、実施形態２に係る表示装置１について説明する。図２４は、実施形態２に係る表示装置の画素を説明するための平面図である。図２５は、図２４のＧ１−Ｇ２線断面を示す模式図である。図２６は、実施形態２に係る第１電極の形状と開口部との関係を説明するための模式図である。なお、上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

図２４に示すように、半導体層９２は、ＴＦＴ素子Ｔｒを構成する多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）である。半導体層９２は、ゲート電極９２と２つの領域でチャネルを形成したダブルゲートトランジスタである。

図２４及び図２５に示すように、実施形態２に係る表示装置１は、画素基板７０ＡのＴＦＴ基板７１の表面に垂直な方向（Ｚ方向）に積層された第１電極３１と第２電極３２との間で、かつＴＦＴ基板７１に対して平行方向に電界（横電界）を形成することにより、液晶層７０Ｃの液晶分子を基板面と平行な面内で回転させ、液晶分子の回転に対応した光透過率変化を利用して表示が行われる。例えば、図２５に示す第２電極３２は上述した共通電極ＣＯＭであり、第１電極３１は、上述した画素電極である。第１電極３１は、例えば導電性のコンタクト９０Ｈを介してドレイン電極９０に接続されている。第１電極３１は、上述された画素Ｖｐｉｘの領域毎に区画され、隣り合う画素Ｖｐｉｘの領域の第１電極３１とは絶縁され独立したパターンとなっている。

図２６に示すように、第１電極３１は、導電材料のない領域であるスリットＳにより、櫛歯状になっている。第１電極３１は、Ｙ方向に延びる電極基部１３２から複数突出する櫛歯部１３１を備えている。上述した実施形態１とは異なり、櫛歯部１３１は、電極基部１３２から延びる方向が一方向である、櫛歯部１３１ｃを含む。隣り合う櫛歯部１３１ｃは、互いに一定距離を隔てて、電極基部１３２から複数突出する。同じ電極基部１３２には、Ｘ方向と逆方向に櫛歯部１３１ｃが延びている。同じ電極基部１３２には、Ｘ方向に櫛歯部１３１ｃが延びるようにしてもよい。

上述した第１配向膜７３ａは、Ｘ方向に所定の初期配向性をもつように、図３及び図５に示すラビング方向Ｒｕｂにラビング処理が施されている。第２配向膜７３ｂは、第１配向膜７３ａのラビング方向Ｒｕｂと反平行にラビング処理が施されている。第１配向膜７３ａ及び第２配向膜７３ｂは、ラビング方向が互いにアンチパラレルの関係となっている。

図２７は、実施形態２に係る第１電極の形状と遮光位置との関係を説明するための模式図である。ブラックマトリクス７６ａは、図２７に示す幅７６ｈ１ｄの位置まで遮光し、コンタクト９０Ｈを隠していればよい。コンタクト９０Ｈと接続し、開口部７６ｂの縁に近い櫛歯部１３４と、櫛歯部１３１ｃとの間にある、最端スリットＳｗに加わる電界は、隣り合う櫛歯部１３１ｃの間にあるスリットＳに加わる電界と分布が異なる。このため、ブラックマトリクス７６ａは、図２７に示す幅７６ｈ１ｂの位置まで遮光し、櫛歯部１３４の全体を隠していれば、最端スリットＳｗとスリットＳとの透過率の変化率を近づけることができる。ブラックマトリクス７６ａは、櫛歯部１３４の外周端ａ０からコンタクト９０Ｈの位置ａ２まで遮光し、コンタクト９０Ｈを隠していれば、少なくとも明るさの低下ないし乱れが低減される。この構造により、開口部７６ｂ内の輝度を均一にすることができる。

上述した実施形態１に係る表示装置１と同様に、実施形態２に係る表示装置１の液晶層７０Ｃは、第１電極３１と第２電極３２に電圧が印加される場合、隣り合う櫛歯部１３１ｃのスリットＳの幅方向において対向する一方である、上述した右側長辺１３１Ｒの近傍領域、及び他方である上述した左側長辺１３１Ｌの近傍領域において、液晶分子が互いに逆方向に回転する。このため、特許文献１に記載のＦＦＳモードの表示装置と比較して、実施形態２に係る表示装置１は、液晶分子が第１電極３１と第２電極３２との間の電界の変化に高速に反応する。そして、実施形態２に係る表示装置１は、応答速度が向上する。

図２８は、実施形態２に係る第１電極を詳細に説明するための模式図である。図２９は、図２８のＨ１−Ｈ２線断面を示す模式図である。図２８及び図２９に示すように、実施形態２に係る櫛歯部１３１（櫛歯部１３１ｃ）は、電極基部１３２の下に積層される接続部１３５を有する。この構造により、露光されて櫛歯部１３１ｃが形成される層と、露光されて電極基部１３２が形成される層とが、一度に形成されないので、櫛歯部１３１ｃを露光する露光光の影響が電極基部１３２の形成に対して小さく、上述したように電極基部１３２のＸ方向の幅Ｄ１を、幅ｗ２以下にすることもできるようになる。そして、実施形態２に係る表示装置１は、応答速度を向上させるとともに、第１電極３１による光の透過損失を低減できる。

電極基部１３２は、櫛歯部１３１ｃと同様に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性導電材料（透光性導電酸化物）とは異なる、金属材料で形成されることがより好ましい。金属材料は、上述した材料を使用することができる。電極基部１３２が金属材料である場合、電極基部１３２の電気抵抗が下がり幅ｗ２を細くできる。また、電極基部１３２が金属材料である場合、電極基部１３２を細くできるドライエッチング工程が適用しやすくなる。このため、電極基部１３２が金属材料である場合、細線化が容易になる。

図２９に示すように、接続部１３５近傍において、櫛歯部１３１の角部の上に電極基部１３２の成膜がしにくく、上層の厚みｄが少なくなる傾向にある。厚みｄが小さいと断線の可能性がでてくる。電極基部１３２が断線する場合、電極基部１３２に繋がる複数の櫛歯部１３１ａ又は櫛歯部１３１ｂにも同時に断線の影響が生じる可能性がある。そこで、実施形態２に係る第１電極３１は、図３０及び図３１に示す変形例のようにしてもよい。図３０は、実施形態２に係る第１電極の変形例を詳細に説明するための模式図である。図３１は、図３０のＪ１−Ｊ２線断面を示す模式図である。

図３０及び図３１に示すように、実施形態２の変形例に係る櫛歯部１３１（櫛歯部１３１ｃ）は、電極基部１３２の上に積層され、接続部１３６を有する。この構造により、櫛歯部１３１ｃを露光して形成する層と、電極基部１３２を露光して形成する層とが、一度に形成されないので、櫛歯部１３１ｃを露光する露光光の影響が電極基部１３２の形成に対して小さく、電極基部１３２のＸ方向の幅Ｄ１を、幅ｗ２以下にすることもできるようになる。

接続部１３６近傍において、電極基部１３２の角部の上に櫛歯部１３１の成膜がしにくく、上層の厚みｄが少なくなる傾向にある。厚みｄが小さいと断線の可能性がでてくる。櫛歯部１３１が断線する場合、電極基部１３２が断線する場合と比較して影響を受ける櫛歯部１３１ｃが限定される。

電極基部１３２は、電極基部１３２は、櫛歯部１３１ｃと同様に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性導電材料（透光性導電酸化物）とは異なる、金属材料で形成されることがより好ましい。金属材料は上述した材料を使用することができる。電極基部１３２が金属材料である場合、電極基部１３２の電気抵抗が下がり幅ｗ２を細くできる。また、電極基部１３２が金属材料である場合、電極基部１３２を細くできるドライエッチング工程が適用しやすくなる。このため、電極基部１３２が金属材料である場合、細線化が容易になる。

（実施形態２の変形例１）
次に、実施形態２の変形例１に係る表示装置１について説明する。図３２は、図２４のＧ１−Ｇ２線断面の変形例を示す模式図である。なお、上述した実施形態１及び実施形態２で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

実施形態２の変形例１に係る表示装置１は、画素基板７０ＡのＴＦＴ基板７１の表面に垂直な方向（Ｚ方向）に積層された第１電極３１と第２電極３２との間で、かつＴＦＴ基板７１に対して平行方向に電界（横電界）を形成することにより、液晶層７０Ｃの液晶分子を基板面と平行な面内で回転させ、液晶分子の回転に対応した光透過率変化を利用して表示が行われる。例えば、図３２に示す第１電極３１は上述した共通電極ＣＯＭであり、第２電極３２は、上述した画素電極である。第１電極３１は、例えば導電性のコンタクト９０Ｈを介してドレイン電極９０に接続されている。

（実施形態２の変形例２）
次に、実施形態２の変形例２に係る表示装置１について説明する。図３３は、実施形態２に係る第１電極の形状と開口部との関係の変形例を説明するための模式図である。なお、上述した実施形態１及び実施形態２で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

第１電極３１は、Ｘ方向に延びる電極基部１３２から複数突出する櫛歯部１３１を備えている。櫛歯部１３１は、電極基部１３２から延びる方向が逆方向である、櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂを含む。隣り合う櫛歯部１３１ｃは、互いに一定距離を隔てて、電極基部１３２から複数突出する。同じ電極基部１３２には、Ｙ方向と逆方向に櫛歯部１３１ｃが延び、Ｙ方向と逆方向に櫛歯部１３１ｂが延びている。

このため、上述した第１配向膜７３ａは、Ｙ方向に所定の初期配向性をもつように、図３３に示すラビング方向Ｒｕｂにラビング処理が施されている。第２配向膜７３ｂは、第１配向膜７３ａのラビング方向Ｒｕｂと反平行にラビング処理が施されている。第１配向膜７３ａ及び第２配向膜７３ｂは、ラビング方向が互いにアンチパラレルの関係となっている。

（実施形態２の変形例３）
次に、実施形態２の変形例３に係る表示装置１について説明する。図３４は、実施形態２の変形例３に係る第１電極の形状と開口部との関係を説明するための模式図である。なお、上述した実施形態１及び実施形態２で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

実施形態２の変形例３に係る表示装置１は、画素基板７０ＡのＴＦＴ基板７１の表面に垂直な方向（Ｚ方向）に積層された第１電極３１と第２電極３２との間で、かつＴＦＴ基板７１に対して平行方向に電界（横電界）を発生させることにより、液晶層７０Ｃの液晶分子を基板面と平行な面内で回転させ、液晶分子の回転に対応した光透過率変化を利用して表示が行われる。例えば、図３４に示す第１電極３１は上述した画素電極であり、第２電極３２は、上述した共通電極ＣＯＭである。第１電極３１は、例えば導電性のコンタクト９０Ｈを介してドレイン電極９０に接続されている。第１電極３１は、Ｙ方向に延びる電極基部１３２から複数突出する櫛歯部１３１ｄを備えている。隣り合う櫛歯部１３１ｄは、互いに一定距離を隔てて、電極基部１３２から複数突出する。同じ電極基部１３２には、Ｒｕｂｆ方向に櫛歯部１３１ｄが延びている。櫛歯部１３１ｄが延びている方向Ｒｕｂｆは、Ｘ方向（又はＹ方向）と角度θｍを有している。

実施形態２の変形例３に係る表示装置１は、第１電極３１または第２電極３２の一方が画素Ｖｐｉｘ毎に区画された画素電極である。当該画素電極は、Ｘ方向及びＹ方向に行列状に配列されている。櫛歯部１３１ｄが延びている方向Ｒｕｂｆは、画素電極が行又は列に配列される方向と異なるようになっている。これにより、視認し易くするため、又は眼を保護するために、偏光サングラスを用いて実施形態２の変形例３に係る表示装置１の表示部２１をみても、偏光サングラスによって殆ど遮断されてしまい、コントラストが低下して表示が暗くなって見えにくくなる現象を抑制することができる。

図３５は、図３４の要部模式図である。図３５では、櫛歯部１３１ｄが延びている方向Ｂとラビング方向Ｒｕｂと、は、角度θａだけずれている。櫛歯部１３１ｄの右側長辺の先端側部分１３１ｄｌ１２と方向Ｂとの角度をθ９、櫛歯部１３１ｄの右側長辺の基部側部分１３１ｄｌ１１と方向Ｂとの角度をθ１０、櫛歯部１３１ｄの左側長辺の先端側部分１３１ｄｌ２２と方向Ｂとの角度をθ１１、櫛歯部１３１ｄの左側長辺の基部側部分１３１ｄｌ２１と方向Ｂとの角度をθ１２とすると、次の式（１）乃至式（４）が成り立つと良い。それに加えて、式（５）乃至式（７）が成り立つと更に良い。ここで、Ａは角度のディメンジョンを有する定数である。
θａ≦θ９ ・・・（１）
θａ≦θ１１ ・・・（２）
θ９＜θ１０ ・・・（３）
θ１１＜θ１２ ・・・（４）
θａ＝（θ９−θ１１）／２ ・・・（５）
θ９＝Ａ＋θａ ・・・（６）
θ１１＝Ａ−θａ ・・・（７）

表示装置１は、光の透過率への寄与が低い櫛歯部１３１ｄの基部側の角度θ１０及び角度θ１２を大きくすることで、液晶配向を規制し、液晶回転のトリガを与え、液晶配向の安定性を向上させる。一方、表示装置１は、櫛歯部１３１ｄの先端側の角度θ９及び角度θ１１を小さくすることで、光の透過率を向上させる。これにより、表示装置１は、液晶配向の安定性向上と、光の透過率の向上とを調和させることができる。

また、方向Ｂとラビング方向Ｒｕｂとの角度θａが０の場合、櫛歯部１３１ｄを方向Ｂ（ラビング方向Ｒｕｂ）に対して線対称にしても良い。つまり、次の式（８）乃至式（９）が成り立つと良い。これにより、表示装置１は、液晶配向の安定性向上と、光の透過率の向上とを調和させることができる。
θ９＝θ１１ ・・・（８）
θ１０＝θ１２ ・・・（９）

＜２．適用例＞
次に、図３６乃至図４９を参照して、実施形態１、２及びこれらの変形例で説明した表示装置１の適用例について説明する。以下、実施形態１、２及びこれらの変形例を本実施形態として説明する。図３６乃至図４９は、本実施形態に係る表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。本実施形態に係る表示装置１は、携帯電話、スマートフォン等の携帯端末装置、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、或いは、車両に設けられるメータ類などのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、本実施形態に係る表示装置１は、外部から入力された映像信号或いは内部で生成した映像信号を、画像或いは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。電子機器は、表示装置に映像信号を供給し、表示装置の動作を制御する制御装置を備える。

（適用例１）
図３６に示す電子機器は、本実施形態に係る表示装置１が適用されるテレビジョン装置である。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル５１１及びフィルターガラス５１２を含む映像表示画面部５１０を有しており、この映像表示画面部５１０は、本実施形態に係る表示装置である。

（適用例２）
図３７及び図３８に示す電子機器は、本実施形態に係る表示装置１が適用されるデジタルカメラである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部５２１、表示部５２２、メニュースイッチ５２３及びシャッターボタン５２４を有しており、その表示部５２２は、本実施形態に係る表示装置である。図３７に示すように、このデジタルカメラは、レンズカバー５２５を有しており、レンズカバー５２５をスライドさせることで撮影レンズが現れる。デジタルカメラは、その撮影レンズから入射する光を撮像することで、デジタル写真を撮影することができる。

（適用例３）
図３９に示す電子機器は、本実施形態に係る表示装置１が適用されるビデオカメラの外観を表すものである。このビデオカメラは、例えば、本体部５３１、この本体部５３１の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ５３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ５３３及び表示部５３４を有している。そして、表示部５３４は、本実施形態に係る表示装置である。

（適用例４）
図４０に示す電子機器は、本実施形態に係る表示装置１が適用されるノート型パーソナルコンピュータである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５４１、文字等の入力操作のためのキーボード５４２及び画像を表示する表示部５４３を有しており、表示部５４３は、本実施形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例５）
図４１乃至図４７に示す電子機器は、表示装置１が適用される携帯電話機である。図４１は携帯電話機を開いた状態での正面図、図４２は携帯電話機を開いた状態での右側面図、図４３は携帯電話機を折りたたんだ状態での正面図、図４４は携帯電話機を折りたたんだ状態での左側面図、図４５は携帯電話機を折りたたんだ状態での右側面図、図４６は携帯電話機を折りたたんだ状態での平面図、図４７は携帯電話機を折りたたんだ状態での底面図である。当該携帯電話機は、例えば、上側筐体５５１と下側筐体５５２とを連結部（ヒンジ部）５５３で連結したものであり、ディスプレイ５５４、サブディスプレイ５５５、ピクチャーライト５５６及びカメラ５５７を有している。当該ディスプレイ５５４は、表示装置１が取り付けられている。このため、当該携帯電話機のディスプレイ５５４は、画像を表示する機能の他に、タッチ動作を検出する機能を有していてもよい。

（適用例６）
図４８に示す電子機器は、携帯型コンピュータ、多機能な携帯電話、音声通話可能な携帯コンピュータ又は通信可能な携帯コンピュータとして動作し、いわゆるスマートフォン、タブレット端末と呼ばれることもある、情報携帯端末である。この情報携帯端末は、例えば筐体５６１の表面に表示部５６２を有している。この表示部５６２は、本実施形態に係る表示装置である。

（適用例７）
図４９に示す電子機器は、車両に搭載されるメータユニットである。図４９に示すメータユニット（電子機器）６００は、燃料計、水温計、スピードメータ、タコメータ等、複数の液晶表示装置６１０を備えている。そして、複数の液晶表示装置６１０は、ともに、一枚の外装パネル６２０に覆われている。

図４９に示す液晶表示装置６１０それぞれは、液晶表示手段としての液晶パネル６６０及びアナログ表示手段としてのムーブメント機構を互いに組み合わせた構成となっている。当該ムーブメント機構は、駆動手段としてのモータと、モータにより回転される指針６５３とを有している。そして、図４９に示すように、液晶表示装置６１０では、液晶パネル６６０の表示面に目盛表示、警告表示等を表示することができるとともに、ムーブメント機構の指針６５３が液晶パネル６６０の表示面側において回転することが可能となっている。本実施形態に係る表示装置１は液晶表示装置６１０に適用される。

なお図４９では、一枚の外装パネル６２０に複数の液晶表示装置６１０を設けた構成としたが、これに限定されない。外装パネルによって囲まれた領域に１つの液晶表示装置を設け、当該液晶表示装置に燃料計、水温計、スピードメータ、タコメータ等を表示させてもよい。

１ 表示装置
２ 表示パネル
２１ 表示エリア部
２２ 垂直ドライバ
２３ 水平ドライバ
７０Ｃ 液晶層
７０Ａ 画素基板
７０Ｂ 対向基板
７１ ＴＦＴ基板
７３ａ 第１配向膜
７３ｂ 第２配向膜
７４ 絶縁層
７５ ガラス基板
７６ｂ 開口部
９０ ドレイン電極
９０Ｈ コンタクト
９１ ソース電極
９２ ゲート電極
９２ 半導体層
９３ ゲート電極
１３１ 櫛歯部
１３１ａ 櫛歯部
１３１ｂ 櫛歯部
１３１ｃ 櫛歯部
１３１ｄ 櫛歯部
１３２ 電極基部
１３５ 接続部
１３６ 接続部
６００ メータユニット
６１０ 液晶表示装置
６２０ 外装パネル
６５３ 指針
６６０ 液晶パネル
ＣＯＭ 共通電極
Ｌ０ トータルスリット長
ＬＣ 液晶素子
Ｌｃｍ 液晶分子
ＬＣＱ 液晶回転方向
Ｒｕｂ ラビング方向
Ｓ スリット
Ｓｗ 最端スリット
Ｖｐｉｘ 画素

Claims (16)

1. 対向する第１の基板及び第２の基板の間に液晶層を有する表示装置であって、
   前記第１基板は、第１電極と第２電極とを有し、
   前記第１電極は、第１の方向に延びる電極基部と、当該第１の方向と異なる第２の方向に延び、かつ互いに一定距離を隔てて前記電極基部から櫛歯状に複数突出する櫛歯部とを含み、前記櫛歯部は、前記電極基部が上または下に積層された接続部を有し、
   前記液晶層の液晶の初期配向状態として、前記第２の方向と平行方向である第３の方向に前記液晶層の液晶分子の長軸が並び、
   前記第１電極及び前記第２電極に対して電圧が印加されていない場合、前記液晶分子の長軸が前記第３の方向に並んで配向しており、
   前記第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加される場合、前記液晶分子の長軸方向は、前記スリットの幅方向で対向する前記櫛歯部の長辺のうち一方の近傍領域において回転方向が右回りに、かつ他方の近傍領域において回転方向が左回りに、前記第１基板の面内方向で回転しながら、前記第１基板に対して垂直な方向に立ち上がるように配向し、
   前記櫛歯部の長辺の前記電極基部側の部分と前記第３の方向とがなす角度は、前記櫛歯部の長辺の先端側の部分と前記第３の方向とがなす角度より大きい、表示装置。
2. 前記第１の基板は、前記電極層と前記液晶層との間の第１配向膜を有し、前記第２の基板は、前記電極層と前記液晶層との間の第２配向膜を有し、
   前記第１配向膜は、前記第２の方向と平行方向である前記第３の方向に配向処理され、
   前記第２配向膜は、前記第１配向膜の前記第３の方向と逆方向である第４の方向に配向処理される、請求項１に記載の表示装置。
3. 対向する第１の基板及び第２の基板の間に液晶層を有する表示装置であって、
   前記第１基板は、第１電極と第２電極とを有し、
   前記第１電極は、第１の方向に延びる電極基部と、当該第１の方向と異なる第２の方向に延び、かつ互いに一定距離を隔てて前記電極基部から櫛歯状に複数突出する櫛歯部とを含み、前記櫛歯部は、前記電極基部が上または下に積層された接続部を有し、
   前記液晶層の液晶の初期配向状態として、前記第２の方向と直交方向である第３の方向に前記液晶層の液晶分子の長軸が並び、
   前記第１電極及び前記第２電極に対して電圧が印加されていない場合、前記液晶分子の長軸が前記第３の方向に並んで配向しており、
   前記第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加される場合、前記液晶分子の長軸方向は、前記スリットの幅方向で対向する前記櫛歯部の長辺のうち一方の近傍領域において回転方向が右回りに、かつ他方の近傍領域において回転方向が左回りに、前記第１基板の面内方向で回転しながら、前記第１基板に対して垂直な方向に立ち上がるように配向し、
   前記櫛歯部の長辺の前記電極基部側の部分と前記第２の方向とがなす角度は、前記櫛歯部の長辺の先端側の部分と前記第２の方向とがなす角度より大きい、表示装置。
4. 前記第１の基板は、前記電極層と前記液晶層との間の第１配向膜を有し、前記第２の基板は、前記電極層と前記液晶層との間の第２配向膜を有し、
   前記第１配向膜は、前記第２の方向と直交方向である第４の方向に配向処理され、
   前記第２配向膜は、前記第１配向膜の前記第４の方向と逆方向である第５の方向に配向処理される、請求項３に記載の表示装置。
5. 前記櫛歯部の長辺の先端側の部分と前記第２の方向とは平行である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 前記櫛歯部の先端は、当該櫛歯部の延在方向において対向する２つの前記櫛歯部間のスリット内にまで延在している、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記櫛歯部の長辺は、前記電極基部側の部分から先端側の部分まで連続する曲線である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記櫛歯部の延在方向と前記第２の方向とがなす角度は、前記櫛歯部の長辺の先端側の部分と前記延在方向とがなす角度より小さい、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記櫛歯部の延在方向と前記第２の方向とがなす角度は、前記スリットの幅方向で対向する前記櫛歯部の長辺のうち一方の先端側の部分と前記延在方向とがなす角度と、前記スリットの幅方向で対向する前記櫛歯部の長辺のうち他方の先端側の部分と前記延在方向とがなす角度と、の差の半分である、請求項８に記載の表示装置。
10. 前記櫛歯部の延在方向と前記第２の方向とは平行であり、
    前記スリットの幅方向で対向する前記櫛歯部の長辺のうち一方の先端側の部分と前記延在方向とがなす角度と、前記スリットの幅方向で対向する前記櫛歯部の長辺のうち他方の先端側の部分と前記延在方向とがなす角度と、は等しく、
    前記スリットの幅方向で対向する前記櫛歯部の長辺のうち一方の前記電極基部側の部分と前記延在方向とがなす角度と、前記スリットの幅方向で対向する前記櫛歯部の長辺のうち他方の前記電極基部側の部分と前記延在方向とがなす角度と、は等しい、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の表示装置。
11. 前記液晶層は、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加される場合、隣り合う前記櫛歯部間のスリットの幅方向において対向する前記櫛歯部の長辺のうち一方の近傍領域にある液晶分子と、前記対向する前記櫛歯部の長辺のうち他方の近傍領域にある液晶分子とが互いに逆方向に回転する、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の表示装置。
12. 前記電極基部は、透光性導電材料で形成されている、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の表示装置。
13. 前記電極基部は、金属材料で形成されている、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の表示装置。
14. 前記櫛歯部は、透光性導電材料で形成されている、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の表示装置。
15. 前記電極基部は、前記接続部よりも下層にある、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の表示装置。
16. 請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の表示装置と、
    前記表示装置に入力信号を供給する制御装置と、を有する電子機器。

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